JPH10317155A - Formation of metallic film - Google Patents
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- JPH10317155A JPH10317155A JP13221097A JP13221097A JPH10317155A JP H10317155 A JPH10317155 A JP H10317155A JP 13221097 A JP13221097 A JP 13221097A JP 13221097 A JP13221097 A JP 13221097A JP H10317155 A JPH10317155 A JP H10317155A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、均一な金属膜を無
電解鍍金法を用いて再現性よく形成する方法に関する。The present invention relates to a method for forming a uniform metal film with good reproducibility by using an electroless plating method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属膜を基体上に堆積させる手法は、蒸
着法、スパッタ法など様々なものがあるが、常圧下で堆
積を行う方法としては、鍍金法を挙げることができる。
鍍金法は大別して、電気鍍金法と無電解鍍金法とに分け
ることができる。いずれの方法も被鍍金物を、所望の金
属イオンを含む鍍金液中に浸漬する必要があり、前者で
は、直流電源を用いて被鍍金物と適当な陽極電極との間
に電圧を印加し、電気化学的に金属陽イオンを還元する
ことにより、陰極としての被鍍金物上に金属膜を析出さ
せる。2. Description of the Related Art There are various methods for depositing a metal film on a substrate, such as a vapor deposition method and a sputtering method. As a method for depositing under a normal pressure, a plating method can be mentioned.
The plating method can be roughly classified into an electroplating method and an electroless plating method. In either method, the plating object needs to be immersed in a plating solution containing a desired metal ion.In the former, a voltage is applied between the plating object and an appropriate anode electrode using a DC power supply, A metal film is deposited on a plating target material as a cathode by electrochemically reducing metal cations.
【０００３】一方、無電解鍍金法では、金属イオンを触
媒的な化学反応を利用して還元することにより、被鍍金
物上に金属膜として析出させる手法である。いずれの方
法を採るにしろ、安定に再現性よく鍍金を行うために
は、鍍金液中に金属イオンを安定化させるための安定
剤、ｐＨを安定させるための緩衝剤などを添加する必要
がある。これらに加えて無電解鍍金法では、還元剤やそ
の還元剤の作用を促進させる触媒などが必要となる。無
電解鍍金の場合、この触媒を被鍍金物の表面に付着させ
ておけば、この触媒を核として鍍金が進行し、被鍍金物
表面に鍍金膜が堆積される。この際、被鍍金物は導電性
を示す必要はなく、不導電体であるプラスチックやセラ
ミックス、ガラスなどに鍍金膜を堆積させることが可能
である。また電気鍍金法のように電源を必要としない
し、電流分布の影響はないので均一な厚さの鍍金膜を得
られるなどの特長がある。On the other hand, in the electroless plating method, a metal ion is reduced by using a catalytic chemical reaction to deposit a metal film on an object to be plated. Regardless of which method is used, in order to perform plating with stability and reproducibility, it is necessary to add a stabilizer for stabilizing metal ions, a buffer for stabilizing pH, and the like in the plating solution. . In addition to these, the electroless plating method requires a reducing agent and a catalyst for promoting the action of the reducing agent. In the case of electroless plating, if this catalyst is adhered to the surface of the plating object, plating proceeds with this catalyst as a nucleus, and a plating film is deposited on the surface of the plating object. At this time, the plating object does not need to show conductivity, and a plating film can be deposited on non-conductive materials such as plastic, ceramics, and glass. Further, unlike the electroplating method, a power source is not required, and there is no influence of current distribution, so that a plating film having a uniform thickness can be obtained.
【０００４】無電解鍍金法では、被鍍金物それ自体が上
述した還元剤の還元作用に対して触媒活性を示す場合を
除いて、触媒活性がある核物質を被鍍金物の表面に安定
かつ均一に付着させておくこと（この行程を表面活性化
行程と呼ぶ）が、最終的に得られる鍍金膜の安定性、均
一性を確保するために不可欠であることはいうまでもな
い。このような表面活性化行程は、例えば、被鍍金物が
不導体である場合、（１）表面の清浄化（脱脂等）、
（２）表面粗化、（３）触媒核吸着という各行程を以て
実施される。このうち表面粗化行程は、鍍金層（金属
膜）と被鍍金物との密着性を高めるために行なわれ、薬
品等によるエッチングのほか、プラズマエッチングや機
械的な粗化などの方法がある。前述した触媒活性となる
核物質としては最も優れているとされるのがパラジウム
であり、一般に触媒核吸着行程は、塩化第一錫と塩酸を
主成分とした液に被鍍金物を浸漬して塩化第一錫を吸着
させた後、塩化パラジウムと塩酸を主成分とした液に浸
漬して、塩化パラジウムを吸着させるなどして実施され
る。In the electroless plating method, a core material having catalytic activity is stably and uniformly deposited on the surface of the plating object, except that the object to be plated itself exhibits catalytic activity against the reducing action of the reducing agent described above. (This step is called a surface activation step) is indispensable for ensuring the stability and uniformity of the finally obtained plated film. Such a surface activation step includes, for example, when the object to be plated is a nonconductor, (1) surface cleaning (degreasing, etc.);
(2) Surface roughening and (3) adsorption of catalyst nuclei are performed. Of these, the surface roughening step is performed to increase the adhesion between the plating layer (metal film) and the plating object, and includes etching using chemicals or the like, plasma etching, mechanical roughening, and the like. Palladium is said to be the most excellent as a nuclear material having the above-mentioned catalytic activity, and in general, the catalyst nucleus adsorption step is performed by immersing an object to be plated in a solution mainly containing stannous chloride and hydrochloric acid. After adsorbing stannous chloride, it is immersed in a liquid containing palladium chloride and hydrochloric acid as main components to adsorb palladium chloride.
【０００５】しかしながら、単純に被鍍金物を塩化パラ
ジウムを含む溶液に浸漬するだけで被鍍金物の表面上に
均一に触媒核を形成することは、比較的困難であり、し
たがって最終的に得られる鍍金膜（金属膜）に欠陥が発
生したり、鍍金されない領域が発生したり、緻密性にム
ラが発生する等の問題があった。また鍍金膜の密着性に
も問題があった。[0005] However, it is relatively difficult to form catalyst nuclei uniformly on the surface of the object to be plated by simply immersing the object to be plated in a solution containing palladium chloride. There have been problems such as a defect in the plating film (metal film), an unplated region, and unevenness in denseness. There was also a problem with the adhesion of the plating film.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】以上述べた従来の技術
の問題点に鑑み、本発明の目的は、無電解鍍金法におい
て、鍍金液に含まれる還元剤を活性化するために必要と
する触媒核を被鍍金物の表面に均一に付着させる行程
（触媒核吸着行程）において、この被鍍金物表面に触媒
活性に優れるパラジウム膜を均一に安定に再現性よく作
成することにより、均一性に優れる金属膜をこの被鍍金
物表面上に形成させる方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a catalyst required for activating a reducing agent contained in a plating solution in an electroless plating method. In the step of uniformly attaching the nuclei to the surface of the plating object (catalyst nucleus adsorption step), a uniform palladium film having excellent catalytic activity is uniformly and stably reproducibly formed on the surface of the plating object, resulting in excellent uniformity. It is an object of the present invention to provide a method for forming a metal film on the surface of a plating object.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の本
発明によって達成される。The above objects are achieved by the present invention described below.
【０００８】本発明は、無電解鍍金法の触媒核吸着行程
において、有機パラジウム錯体または有機パラジウム錯
体を含む有機混合物をラングミュア・ブロジェット（以
下、ＬＢと記す）法により、被鍍金物上に堆積させるこ
とにより、触媒核からなる層を均一かつ安定に形成する
ことを特徴とするものである。その結果、均一な無電解
鍍金膜（金属膜）を得ることができる。According to the present invention, an organic palladium complex or an organic mixture containing an organic palladium complex is deposited on an object to be plated by a Langmuir-Blodgett (hereinafter referred to as LB) method in a catalyst nucleus adsorption step of the electroless plating method. By doing so, a layer composed of the catalyst nucleus is formed uniformly and stably. As a result, a uniform electroless plating film (metal film) can be obtained.
【０００９】本発明は次のようである。 １．無電解鍍金法により被鍍金物上に金属膜を形成する
方法において、その被鍍金物上にラングミュア・ブロジ
ェット法により有機パラジウム錯体または有機パラジウ
ム錯体を含む有機混合物からなる膜を堆積させ、この堆
積膜を触媒層として無電解鍍金を行うことを特徴とする
被鍍金物上に金属膜を形成する方法。 ２．前記被鍍金物上に堆積させた膜に紫外光を照射した
後その膜を触媒層として無電解鍍金を行うことを特徴と
する上記１に記載の方法。 ３．前記紫外光を照射した膜をさらに加熱焼成すること
を特徴とする上記２に記載の方法。 ４．前記加熱焼成した膜をさらに還元することを特徴と
する上記３に記載の方法。 ５．前記紫外光を照射した膜をさらに還元することを特
徴とする上記２に記載の方法。 ６．前記有機パラジウム錯体を含む有機混合物が、該有
機パラジウム錯体と、両親媒性有機材料とから成る混合
物であることを特徴とする上記１ないし５に記載の方
法。 ７．前記両親媒性材料が炭素数１８以上３０以下の飽和
または不飽和脂肪酸であることを特徴とする上記１ない
し６に記載の方法。 ８．前記ラングミュア・ブロジェット法において用いら
れる下相水が純水であることを特徴とする上記１ないし
７に記載の方法。 ９．前記被鍍金物が不導電体であることを特徴とする上
記１ないし７に記載の方法。 １０．前記紫外光の照射が、オゾン雰囲気下で行われる
ことを特徴とする上記２ないし５に記載の方法。 １１．前記加熱焼成が酸素非存在下にて行われることを
特徴とする上記３または４に記載の方法。 １２．前記加熱焼成が還元ガスの存在下で行われること
を特徴とする上記３または４に記載の方法。 １３．前記還元ガスが水素ガスであることを特徴とする
上記４、５または１２に記載の方法。 １４．前記還元が、アンモニアによって行われることを
特徴とする上記４または５に記載の方法。The present invention is as follows. 1. In a method of forming a metal film on an object to be plated by electroless plating, a film made of an organic palladium complex or an organic mixture containing an organic palladium complex is deposited on the object to be plated by a Langmuir-Blodgett method. A method for forming a metal film on an object to be plated, wherein electroless plating is performed using the film as a catalyst layer. 2. 2. The method according to the above 1, wherein the film deposited on the plating object is irradiated with ultraviolet light, and then electroless plating is performed using the film as a catalyst layer. 3. 3. The method according to the above item 2, wherein the film irradiated with the ultraviolet light is further heated and fired. 4. 4. The method according to the above 3, wherein the heat-baked film is further reduced. 5. 3. The method according to the above 2, wherein the film irradiated with the ultraviolet light is further reduced. 6. The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the organic mixture containing the organic palladium complex is a mixture of the organic palladium complex and an amphiphilic organic material. 7. The method according to any one of claims 1 to 6, wherein the amphiphilic material is a saturated or unsaturated fatty acid having 18 to 30 carbon atoms. 8. The method according to any one of claims 1 to 7, wherein the lower phase water used in the Langmuir-Blodgett method is pure water. 9. The method according to any one of the above 1 to 7, wherein the plating object is a non-conductive material. 10. The method according to any one of the above 2 to 5, wherein the irradiation of the ultraviolet light is performed in an ozone atmosphere. 11. The method according to the above item 3 or 4, wherein the heating and firing is performed in the absence of oxygen. 12. The method according to the above item 3 or 4, wherein the heating and firing are performed in the presence of a reducing gas. 13. The method according to the above 4, 5, or 12, wherein the reducing gas is hydrogen gas. 14． The method according to the above item 4 or 5, wherein the reduction is carried out with ammonia.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】先ず、ＬＢ法による有機パラジウ
ム錯体、または有機パラジウム錯体を含む有機混合物を
被鍍金物表面上に堆積する方法について述べる。ＬＢ法
に用いるのに好適な有機パラジウム錯体としては、例え
ば、パラジウム１当量に対して２当量のアルキルアミン
と２当量の脂肪酸（酢酸を含む）から成る一般式（１）
に示す酸パラジウム塩アルキルアミン錯体を挙げること
ができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a method of depositing an organic palladium complex or an organic mixture containing an organic palladium complex on the surface of a plating object by the LB method will be described. Examples of the organic palladium complex suitable for use in the LB method include, for example, general formula (1) comprising 2 equivalents of an alkylamine and 2 equivalents of a fatty acid (including acetic acid) per 1 equivalent of palladium.
And acid palladium salt alkylamine complexes shown in the following.
【００１１】 Ｐｄ2+［Ｒ1 ＣＯＯ- ］2 ［Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｎ］2 （１） ここでＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 は各々１以上３０以下の
炭素からなる炭化水素鎖を示す。また特にＲ2 ，Ｒ3 ，
Ｒ4 に関してはこれらの内の１ないし２つが水素であっ
てもよい。すなわちアルキルアミンは１級，２級，３級
のいずれのアミンでもよい。炭化水素鎖を構成する水素
の一部または全てが弗素で置換されていてもよい。Pd 2+ [R 1 COO − ] 2 [R 2 R 3 R 4 N] 2 (1) where R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are each a carbonized carbon having 1 to 30 carbon atoms. Shows the hydrogen chain. In particular, R 2 , R 3 ,
As for R 4 , one or two of them may be hydrogen. That is, the alkylamine may be any of primary, secondary and tertiary amines. A part or all of the hydrogen constituting the hydrocarbon chain may be replaced with fluorine.
【００１２】式（１）で示されるような酸パラジウム塩
アルキルアミン錯体のみを用いてＬＢ膜（ＬＢ法により
形成された薄膜をＬＢ膜と呼ぶ）を形成する場合には、
Ｒ1，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 の内少なくとも１つが、炭素数
１６以上であることが望ましい。この一例を挙げるとす
れば、例えば式（２）のような錯体である。When an LB film (a thin film formed by the LB method is called an LB film) using only an acid palladium salt alkylamine complex represented by the formula (1),
It is desirable that at least one of R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 has 16 or more carbon atoms. An example of this is a complex such as the formula (2).
【００１３】 Ｐｄ2+［ＣＨ3 ＣＯＯ- ］2 ［（Ｃ18Ｈ37）2 ＮＣＨ3 ］2 （２） また適当な構造を有する有機パラジウム錯体（必ずしも
これ単体でＬＢ膜形成能を有していなくてもよい）を、
ＬＢ法を用いて成膜するのに好適な両親媒性材料（以下
バインダーと呼ぶことにする）と混合した上で用いても
よい（このような膜を混合膜と呼ぶことにする）。この
ようなバインダーの一例としては、炭素数１８以上３０
以下の飽和または不飽和脂肪酸を挙げることができる。
より具体的には、オクタデシル酸、エイコサン酸、ドコ
サン酸等の直鎖飽和脂肪酸を挙げることができる。別の
バインダーとして、ポリイソブチルメタクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、またはポリ乳酸等の高分子材
料を用いることも可能である。Pd 2+ [CH 3 COO − ] 2 [(C 18 H 37 ) 2 NCH 3 ] 2 (2) Also, an organic palladium complex having an appropriate structure (necessarily having an LB film forming ability by itself) May be omitted)
It may be used after being mixed with an amphiphilic material (hereinafter, referred to as a binder) suitable for forming a film by using the LB method (such a film is referred to as a mixed film). As an example of such a binder, carbon number 18 or more and 30
The following saturated or unsaturated fatty acids can be mentioned.
More specifically, straight-chain saturated fatty acids such as octadecyl acid, eicosanoic acid and docosanoic acid can be mentioned. As another binder, a polymer material such as polyisobutyl methacrylate, polymethyl methacrylate, or polylactic acid can be used.
【００１４】有機パラジウム錯体とバインダーとの混合
物を利用する場合は、バインダーとなる材料のＬＢ膜形
成能力が高いので、利用可能な有機パラジウム錯体の選
択枝は広がる。すなわち、バインダーと共に使用される
有機パラジウム錯体がそれ自身単体で安定なＬＢ膜形成
能を有している必要は必ずしもない。例えば、一般式
（１）で示される酸パラジウム塩アルキルアミン錯体を
利用する場合、これを単体で用いる場合と異なって、Ｒ
1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 のいずれにおいても炭素数が１６
より少ないような材料を用いても差し支えない。この一
例を挙げるとすれば、例えば式（３）のような錯体であ
る。When a mixture of an organic palladium complex and a binder is used, the material used as the binder has a high ability to form an LB film. That is, the organic palladium complex used together with the binder does not necessarily have to have a stable LB film forming ability by itself. For example, when the acid palladium salt alkylamine complex represented by the general formula (1) is used, unlike when used alone, R
Each of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 has 16 carbon atoms.
Fewer materials can be used. An example of this is a complex such as the formula (3).
【００１５】 Ｐｄ2+［ＣＨ3 ＣＯＯ- ］2 ［（Ｃ10Ｈ21）2 ＮＨ］2 （３） 有機パラジウム錯体とバインダーとの混合比に関する制
限は特にはないが、通常モル比（バインダーが重合体で
ある場合には、単量体換算モル比）で有機パラジウム錯
体１に対するバインダーの比率が、０．０１−１００に
なるように選択される。バインダーの比率が高いほど、
混合物のＬＢ膜を形成することが容易となる半面、パラ
ジウムの面内密度が低下する点に注意する必要がある。
このような観点から、本発明において好ましいバインダ
ーの比率は有機パラジウム錯体１モルに対して２−１０
モルである。但し、用いる有機パラジウム錯体が十分な
ＬＢ膜形成能を有する場合には、上記比率にこだわるこ
となく自由に混合比を選択して構わない。いずれにせ
よ、混合膜を用いる場合の効果として、有機パラジウム
錯体の面内密度を加減することが可能であり、最終的に
被鍍金物表面上に形成される触媒（パラジウム）核の凝
集構造や密度を比較的自由に制御できることが期待でき
る。以上述べた有機パラジウム錯体または有機パラジウ
ム錯体とバインダーとの混合物からなる単分子膜を水面
（下相水）上に形成し、さらにこれら単分子膜を被鍍金
物上に移し取って該被鍍金物上にＬＢ膜を形成するに
は、従来公知の手法に従って行えばよく、特に大きな変
更点はない。なお、本発明で用いられる材料を用いてＬ
Ｂ法により成膜を行う場合、下相水は純水でよく、パラ
ジウムイオンを溶解させる必要はない。これは、コスト
の低減をもたらすばかりではなく、使用後の下相水を廃
棄する際の環境面に与える影響についても優れるもので
ある。また被鍍金物の表面はできるだけ清浄に処理して
おく必要はあるが、有機パラジウム錯体を含むＬＢ膜の
基板との密着性が比較的強いので、表面粗化行程は必須
ではない。Pd 2+ [CH 3 COO − ] 2 [(C 10 H 21 ) 2 NH] 2 (3) There is no particular limitation on the mixing ratio between the organic palladium complex and the binder. When it is a polymer, the ratio of the binder to the organic palladium complex 1 is selected so as to be 0.01 to 100 in terms of a molar ratio in terms of monomer). The higher the ratio of the binder, the more
On the other hand, it is necessary to pay attention to the fact that the in-plane density of palladium is reduced while the LB film of the mixture is easily formed.
From such a viewpoint, a preferable ratio of the binder in the present invention is 2-10 per 1 mol of the organic palladium complex.
Is a mole. However, when the organic palladium complex used has a sufficient LB film forming ability, the mixing ratio may be freely selected without being limited to the above ratio. In any case, as an effect of using the mixed film, the in-plane density of the organic palladium complex can be adjusted, and the aggregate structure of the catalyst (palladium) nucleus finally formed on the surface of the plating object can be improved. It can be expected that the density can be controlled relatively freely. A monomolecular film composed of the above-mentioned organic palladium complex or a mixture of the organic palladium complex and a binder is formed on a water surface (lower phase water), and further, these monomolecular films are transferred onto the material to be plated, and To form an LB film thereon, a known method may be used, and there is no particular change. In addition, using the material used in the present invention, L
When forming a film by the method B, the lower phase water may be pure water, and there is no need to dissolve palladium ions. This not only results in a reduction in cost, but also has an excellent effect on the environment when discarding used sewer water. Although the surface of the plating object needs to be treated as clean as possible, the surface roughening step is not essential because the adhesion of the LB film containing the organic palladium complex to the substrate is relatively strong.
【００１６】本発明の第２の形態は、前記ＬＢ法によ
り、有機パラジウム錯体または有機パラジウム錯体を含
む有機混合物からなるＬＢ膜を被鍍金物上に堆積させた
後、この有機パラジウム錯体若しくは有機パラジウム錯
体を含む有機化合物からなるＬＢ膜に対して紫外光を照
射する行程を経た上で、これを触媒核層とするものであ
る。この場合、紫外光照射により、前記ＬＢ膜中に含ま
れる有機部分が分解されるので、その後の鍍金行程（実
際に活性化処理された被鍍金物を鍍金液に浸漬し、鍍金
膜を析出させる行程）における還元反応の効率を上げる
ことができる。紫外線照射行程は、オゾン雰囲気下で行
う方が、有機物の分解効率に優れる。オゾン雰囲気は、
一般に紫外線照射時に同時に酸素ガスを導入することに
より形成されるが、この手法に限定されるものではな
い。紫外線照射行程において、紫外線光源が被鍍金物近
傍にあると、光源の発熱によって有機パラジウム錯体ま
たは有機パラジウム錯体を含む有機混合物が溶融し、局
所的に凝集した状態をつくる場合があるので、できるだ
け被鍍金物が加熱されないように配慮することが望まし
い。勿論用いる膜材料の耐熱性を考慮して、前記溶融等
の問題が生じない範囲で紫外線照射と同時に加熱を行っ
てもよく、この場合、有機部分の分解速度はさらに加速
される。According to a second aspect of the present invention, an LB film made of an organic palladium complex or an organic mixture containing an organic palladium complex is deposited on an object to be plated by the LB method. An LB film made of an organic compound containing a complex is irradiated with ultraviolet light, and then used as a catalyst core layer. In this case, since the organic portion contained in the LB film is decomposed by the irradiation of the ultraviolet light, the subsequent plating process (the plating object actually activated is immersed in a plating solution to deposit a plating film. Process), the efficiency of the reduction reaction can be increased. Performing the ultraviolet irradiation step in an ozone atmosphere is more excellent in the decomposition efficiency of organic substances. The ozone atmosphere is
Generally, it is formed by introducing oxygen gas at the same time as ultraviolet irradiation, but it is not limited to this method. In the ultraviolet irradiation process, if the ultraviolet light source is in the vicinity of the object to be plated, the heat of the light source may cause the organic palladium complex or the organic mixture containing the organic palladium complex to melt and form a locally aggregated state. It is desirable to take care not to heat the plating. Of course, in consideration of the heat resistance of the film material used, heating may be performed at the same time as the irradiation of ultraviolet rays as long as the problem such as the melting does not occur. In this case, the decomposition rate of the organic portion is further accelerated.
【００１７】本発明の第３の形態は、上記第２の形態で
示した紫外線照射行程に引き続いて、加熱焼成を行った
上で、これを触媒核層とするものである。加熱焼成によ
り、有機物の除去がさらに促進される効果があるが、被
鍍金物の耐熱性が保証される温度範囲内でこれを行う制
限が発生する。加熱焼成行程はどのような雰囲気下で行
ってもよいが、酸素を含む雰囲気で実施すると、パラジ
ウムが酸化しやすい。したがって、酸素非存在下で実施
するか、もしくは水素ガスなどの還元ガス存在下で実施
することが望ましい。加熱焼成行程では、その焼成温度
にもよるが、例えば１００℃の場合では、紫外線照射行
程を終えた時点で、ＬＢ膜に含まれる有機部分が多い
と、溶融・凝集して不均一化してしまうことがあるの
で、ＬＢ膜中の有機部分の少なくとも５０％以上が先に
述べた紫外線照射行程等によってあらかじめ分解されて
いる必要があり、好ましくは９０％以上、より好ましく
は９９％以上分解されていることである。According to a third embodiment of the present invention, after the ultraviolet irradiation step shown in the second embodiment, heating and sintering are performed, and this is used as a catalyst core layer. The heat baking has the effect of further promoting the removal of organic substances, but there is a limitation in performing this within a temperature range in which the heat resistance of the plated object is guaranteed. The heating and firing step may be performed in any atmosphere, but when performed in an atmosphere containing oxygen, palladium is easily oxidized. Therefore, it is desirable to carry out in the absence of oxygen or in the presence of a reducing gas such as hydrogen gas. In the heating and baking process, although depending on the baking temperature, for example, at 100 ° C., when the ultraviolet irradiation process is completed, if the LB film contains a large amount of organic portions, the LB film is melted and agglomerated and becomes non-uniform. Therefore, at least 50% or more of the organic portion in the LB film needs to be decomposed in advance by the above-described ultraviolet irradiation step or the like, preferably 90% or more, more preferably 99% or more. It is that you are.
【００１８】本発明の第４の形態は、上記第３の形態で
示した加熱焼成行程に引き続いて、還元行程を付与する
ことにより、なんらかの理由により形成された酸化パラ
ジウムをパラジウムに還元した上で、これを触媒核層と
するものである。この場合には還元行程に先立つ加熱焼
成行程において、酸素が存在しても構わない。なお、パ
ラジウムの還元行程は、水素ガスやアンモニアを用いた
従来公知の手法により行えばよい。According to a fourth aspect of the present invention, palladium oxide formed for some reason is reduced to palladium by applying a reduction step subsequent to the heating and firing step shown in the third aspect. This is used as a catalyst core layer. In this case, oxygen may be present in the heating and firing step prior to the reduction step. The palladium reduction step may be performed by a conventionally known method using hydrogen gas or ammonia.
【００１９】本発明の第５の形態は、上記第２の形態で
示した紫外線照射行程に引き続いて、還元行程を行うも
のであり、特にオゾンガス雰囲気下などで前記紫外線照
射を行った場合に形成される可能性のある酸化パラジウ
ムを還元するために実施される。還元行程は第４の形態
で示したように、水素ガスやアンモニアを用いた従来公
知の手法により行えばよい。In the fifth embodiment of the present invention, the reduction step is performed following the ultraviolet irradiation step shown in the second embodiment. In particular, the fifth embodiment is formed when the ultraviolet irradiation is performed in an ozone gas atmosphere or the like. To reduce any possible palladium oxide. The reduction step may be performed by a conventionally known method using hydrogen gas or ammonia as shown in the fourth embodiment.
【００２０】本発明に用いられる被鍍金物は、その材質
が限定されることなく、例えば、セラミックス、ガラ
ス、プラスチックなどの不導電体であっても構わない。
また無電解鍍金そのものは、上述の表面活性化処理を施
した被鍍金物を従来公知の無電解鍍金液中に浸漬するこ
とにより行われ、その際の処理方法や、鍍金終了後の洗
浄等の処理に関しても、全く従来公知の手法によればよ
い。具体的には、無電解銅鍍金、無電解金鍍金、無電解
銀鍍金、無電解ニッケル鍍金、無電解コバルト鍍金、無
電解パラジウム鍍金、無電解白金鍍金、無電解クロム鍍
金などを行うことが可能である。また表面活性化処理を
施した被鍍金物を上記無電解鍍金液に浸漬する前に、塩
化錫水溶液（例えば１％）に数分浸漬するなどして、次
段の鍍金行程に対する触媒能力をさらに高める処理を行
ってもよい。このような手法は被鍍金物が不導電性を示
す場合に対して特に有効である。The material to be plated used in the present invention is not limited in its material, and may be a non-conductive material such as ceramics, glass and plastic.
Further, the electroless plating itself is performed by immersing the object to be plated subjected to the above-described surface activation treatment in a conventionally known electroless plating solution, a treatment method at that time, and washing after plating is completed. Regarding the processing, it is possible to use a completely known method. Specifically, electroless copper plating, electroless gold plating, electroless silver plating, electroless nickel plating, electroless cobalt plating, electroless palladium plating, electroless platinum plating, electroless chromium plating, etc. can be performed. It is. In addition, before immersion of the surface-activated plating object in the above-mentioned electroless plating solution, the object is further immersed in an aqueous solution of tin chloride (for example, 1%) for several minutes to further improve the catalytic ability for the next plating step. You may perform the process which raises. Such a method is particularly effective for the case where the plated object shows non-conductivity.
【００２１】[0021]
【実施例】以下本発明の実施例について述べる。Embodiments of the present invention will be described below.
【００２２】実施例１ 触媒核層として、式（２）に示した酸パラジウム塩アル
キルアミン錯体（以下Ｃ18−Ｐｄと記す）からなるＬＢ
膜をガラス基板（７５ｍｍ×７５ｍｍ）上に形成した。
以下、その作成方法について述べる。Example 1 LB composed of an acid palladium salt alkylamine complex (hereinafter referred to as C 18 -Pd) represented by the formula (2) was used as a catalyst core layer.
The film was formed on a glass substrate (75 mm × 75 mm).
In the following, a method of making the same will be described.
【００２３】Ｃ18−Ｐｄのクロロホルム溶液（１ｍｇ
ｍｌ-1）を２０℃の純水上に展開した後、表面圧を２０
ｍＮ ｍ-1にまで高め、Ｃ18−Ｐｄの単分子膜を上記純
水上に形成した。表面圧を保持したまま、あらかじめヘ
キサメチルジシラザン雰囲気下に曝露して表面を疎水化
したガラス基板を、速度３ｍｍ ｍｉｎ-1で前記単分子
膜を横切る方向に静かに浸漬し、引き続き同じ速度でこ
れを引き上げてＣ18−Ｐｄの２層ＬＢ膜をガラス基板上
に積層した。浸漬・引き上げ操作を繰り返して、Ｃ18−
Ｐｄからなる４０層のＬＢ膜を形成し、これを触媒核層
とした。A chloroform solution of C 18 -Pd (1 mg
ml -1 ) on pure water at 20 ° C.
It was raised to mN m -1 to form a C 18 -Pd monomolecular film on the pure water. While maintaining the surface pressure, a glass substrate whose surface was hydrophobized by previously exposing it to a hexamethyldisilazane atmosphere was gently immersed at a speed of 3 mm min -1 in a direction crossing the monomolecular film, and subsequently at the same speed. This was lifted, and a C 18 -Pd two-layer LB film was laminated on a glass substrate. Repeat the immersion and lifting operation to obtain C 18 −
A 40-layer LB film made of Pd was formed and used as a catalyst core layer.
【００２４】引き続き、硫酸銅１０ｇ ｌ-1、還元剤と
してのホルムアルデヒド（３７％水溶液）６ｍｌ
ｌ-1、ｐＨ調節用の水酸化ナトリウム４ｇ ｌ-1などを
含む従来公知の無電解銅鍍金液（６０℃）に、前記触媒
核層を堆積させたガラス基板を浸漬し、１時間かけて約
２μｍの膜厚を持つ銅鍍金膜を析出させた。得られた銅
鍍金膜には異常析出やピットなどの欠損部もなく、一様
・均一なものであった。Subsequently, 10 g l -1 of copper sulfate and 6 ml of formaldehyde (37% aqueous solution) as a reducing agent were used.
l -1, conventional electroless copper plating solution including sodium hydroxide 4g l -1 for pH adjustment in (60 ° C.), by immersing the glass substrate obtained by depositing the catalyst nuclei layer, over 1 hour A copper plating film having a thickness of about 2 μm was deposited. The obtained copper plated film was uniform and uniform without any abnormal deposits or defective portions such as pits.
【００２５】実施例２ 触媒核層として、式（３）に示した酸パラジウム塩アル
キルアミン錯体（以下Ｃ10−Ｐｄと記す）とドコサン酸
（以下、Ｃ22と記す）の混合物からなるＬＢ膜を直径１
インチのシリコン・ウエハ上に形成した。以下、その作
成方法について述べる。Example 2 An LB film composed of a mixture of an acid palladium salt alkylamine complex represented by the formula (3) (hereinafter referred to as C 10 -Pd) and docosanoic acid (hereinafter referred to as C 22 ) as a catalyst core layer The diameter 1
Formed on an inch silicon wafer. In the following, a method of making the same will be described.
【００２６】Ｃ10−Ｐｄのクロロホルム溶液（０．５ｍ
ｏｌ ｌ-1）とＣ22のクロロホルム溶液（０．５ｍｏｌ
ｌ-1）とを容量比１：４になるように混合し、この混
合溶液を２０℃の純水上に展開した後、表面圧を２０ｍ
Ｎ ｍ-1にまで高め、Ｃ10−Ｐｄ：Ｃ22＝１：４の混合
単分子膜を上記純水上に形成した。この表面圧を保持し
たまま、あらかじめ１％の弗化水素酸で表面の自然酸化
層を除去し、表面が疎水性となったシリコン・ウエハ
を、速度２ｍｍ ｓｅｃ-1で前記単分子膜を横切る方向
に静かに浸漬し、引き続き同じ速度でこれを引き上げ
て、２層のＣ10−Ｐｄ：Ｃ22＝１：４の混合ＬＢ膜をシ
リコン・ウエハ上に積層した。このような浸漬・引き上
げ操作を繰り返して、Ｃ10−Ｐｄ：Ｃ22＝１：４の混合
物からなる８０層のＬＢ膜をシリコン・ウエハ上に形成
し、これを触媒核層とした。A chloroform solution of C 10 -Pd (0.5 m
chloroform solution of ol l -1) and C 22 (0.5 mol
l -1 ) was mixed at a volume ratio of 1: 4, and the mixed solution was spread on pure water at 20 ° C., and then the surface pressure was adjusted to 20 m.
The mixed monomolecular film of C 10 -Pd: C 22 = 1: 4 was formed on the pure water by increasing to N m -1 . While maintaining this surface pressure, the natural oxide layer on the surface is removed in advance with 1% hydrofluoric acid, and the silicon wafer whose surface becomes hydrophobic crosses the monomolecular film at a speed of 2 mm sec -1. This was immersed gently in the direction, and then pulled up at the same speed to laminate a two-layer C 10 -Pd: C 22 = 1: 4 mixed LB film on a silicon wafer. By repeating such immersion and lifting operations, an 80-layer LB film composed of a mixture of C 10 -Pd: C 22 = 1: 4 was formed on a silicon wafer, and this was used as a catalyst core layer.
【００２７】引き続き、実施例１に示した無電解銅鍍金
液（６０℃）に、前記触媒核層を堆積させたシリコン・
ウエハを浸漬し、１時間かけて約２μｍの膜厚を持つ銅
鍍金膜を析出させた。得られた銅鍍金膜には異常析出や
ピットなどの欠損部もなく、一様・均一なものであっ
た。Subsequently, the silicon core having the catalyst core layer deposited on the electroless copper plating solution (60 ° C.) shown in Example 1 was used.
The wafer was immersed, and a copper plating film having a thickness of about 2 μm was deposited over 1 hour. The obtained copper plated film was uniform and uniform without any abnormal deposits or defective portions such as pits.
【００２８】実施例３ 基板をシリコン・ウエハからポリカーボネートに変更し
た以外は、実施例２と同様の手法により、触媒核層とし
て、式（３）に示したＣ10−ＰｄとＣ22との混合物
（１：４）からなるＬＢ膜を、１００ｍｍ×１００ｍｍ
角のポリカーボネート基板（厚さ１ｍｍ）上に８０層積
層した。Example 3 A mixture of C 10 -Pd and C 22 represented by the formula (3) was used as a catalyst core layer in the same manner as in Example 2 except that the substrate was changed from a silicon wafer to polycarbonate. The LB film made of (1: 4) is 100 mm × 100 mm
Eighty layers were laminated on a square polycarbonate substrate (1 mm thick).
【００２９】引き続き、実施例１に示した無電解銅鍍金
液（６０℃）に、前記触媒核層を堆積させたポリカーボ
ネート基板を浸漬し、１時間かけて約２μｍの膜厚を持
つ銅鍍金膜を析出させた。得られた銅鍍金膜には異常析
出やピットなどの欠損部もなく、一様・均一なものであ
った。Subsequently, the polycarbonate substrate on which the catalyst core layer was deposited was immersed in the electroless copper plating solution (60 ° C.) shown in Example 1, and a copper plating film having a thickness of about 2 μm was taken for 1 hour. Was precipitated. The obtained copper plated film was uniform and uniform without any abnormal deposits or defective portions such as pits.
【００３０】実施例４ 実施例２と同様にして、式（３）に示したＣ10−Ｐｄと
Ｃ22との混合物（１：４）からなるＬＢ膜（８０層）を
直径１インチのシリコン・ウエハ上に形成した試料を５
枚作成した。Example 4 In the same manner as in Example 2, an LB film (80 layers) composed of a mixture (1: 4) of C 10 -Pd and C 22 shown in the formula (3) was formed on silicon having a diameter of 1 inch.・ 5 samples formed on wafer
Created.
【００３１】これら試料の赤外吸収スペクトルをＦＴ−
ＩＲを用いて測定した。引き続き、市販のＵＶ／Ｏ3 ア
ッシング装置（Samco International 製、ＵＶ−３０
０）を用い、Ｏ3 雰囲気下で紫外線照射を各々０（すな
わち未処理），０．５，１，１．５，２，３時間行っ
た。この際基板加熱は行わず、酸素流量は０．５ｌ ｍ
ｉｎ-1であった。再度、これらの試料の赤外吸収スペク
トルを測定したところ、有機部位に基づく吸収ピークの
強度が、処理前と比較して減少していることがわかっ
た。具体的には、ＣＨ2 の振動に基づく２９１８ｃ
ｍ-1，２８５１ｃｍ-1，１４７４ｃｍ-1，７２１ｃｍ-1
の吸収強度は、処理前の値と比較して、処理時間が０．
５時間の場合、約６５％、１時間では約２５％、１．５
時間では約３％、２及び３時間では１％以下に各々減少
した。The infrared absorption spectra of these samples were measured using FT-
It was measured using IR. Subsequently, commercially available UV / O 3 ashing device (Samco International, Ltd., UV-30
0), ultraviolet irradiation was performed in an O 3 atmosphere for 0 (ie, untreated), 0.5, 1, 1.5, 2, and 3 hours, respectively. At this time, the substrate was not heated, and the oxygen flow rate was 0.5 lm.
in -1 . When the infrared absorption spectra of these samples were measured again, it was found that the intensity of the absorption peak based on the organic site was lower than that before the treatment. Specifically, 2918c based on the vibration of CH 2
m −1 , 2851 cm −1 , 1474 cm −1 , 721 cm −1
The absorption intensity of the treatment time was 0.1% compared to the value before the treatment.
Approximately 65% for 5 hours, approximately 25% for 1 hour, 1.5%
The time decreased to about 3% at 2 hours and 1% or less at 2 and 3 hours, respectively.
【００３２】これらＵＶ／Ｏ3 処理を行ったシリコン・
ウエハ（１枚のみ未処理を含む）を、塩化第一錫１０ｇ
ｌ-1および塩酸４０ｍｌ ｌ-1を含む水溶液（室温）
に約２分間浸漬した後、硫酸ニッケル１２０ｇ ｌ-1、
還元剤としての次亜燐酸ナトリウム１０ｇ ｌ-1、ｐＨ
調整用の酢酸ナトリウム１０ｇ ｌ-1などを含む従来公
知の無電解ニッケル鍍金液（９０℃）に浸漬し、約１０
μｍの膜厚を持つニッケル鍍金膜を析出させた。この析
出に要した時間は、ＵＶ／Ｏ3 処理を行わなかったもの
及び０．５時間の試料では、１時間を要したが、処理時
間が１時間のものでは５５分、１．５時間のものでは４
５分、２および３時間のものでは４０分に短縮された。
形成されたニッケル鍍金膜には、いずれも異常析出やピ
ットなどの欠損部はなく、一様・均一なものであった。These UV / O 3 treated silicon
Wafer (including one unprocessed), stannous chloride 10g
Aqueous solution containing l -1 and hydrochloric acid 40 ml l -1 (room temperature)
Immersion for about 2 minutes, nickel sulfate 120g l -1 ,
Sodium hypophosphite 10 g l -1 as reducing agent, pH
Immersed in a conventionally known electroless nickel plating solution (90 ° C.) containing 10 g l −1 of sodium acetate for adjustment,
A nickel plating film having a thickness of μm was deposited. The time required for this precipitation was 1 hour for the sample not subjected to UV / O 3 treatment and for the sample of 0.5 hour, but 55 minutes and 1.5 hours for the sample of 1 hour. In things 4
For 5 minutes, 2 and 3 hours, it was reduced to 40 minutes.
All of the formed nickel plating films were uniform and uniform without any abnormal deposits or defective portions such as pits.
【００３３】実施例５ 実施例２と同様にして、式（３）に示したＣ10−Ｐｄと
Ｃ22の混合物（１：４）からなるＬＢ膜（８０層）をガ
ラス基板上に形成した試料を５枚作成した。引き続き、
市販のＵＶ／Ｏ3 アッシング装置（Samco Internationa
l 製、ＵＶ−３００）を用い、Ｏ3 雰囲気下で紫外線照
射をいずれの試料についても２時間行った。この際基板
加熱は行わず、酸素流量は０．５１／ｍｉｎであった。
これらの試料について各々以下に記す処理を施した。 （１）窒素ガス雰囲気下での加熱処理 （２）水素ガス雰囲気下での加熱処理 （３）空気存在下での加熱処理およびアンモニア処理 （４）アンモニア処理 （５）未処理（ＵＶ／Ｏ3 のみ） （１）、（２）いずれの加熱処理も赤外線炉を用いて行
った。加熱条件は３５０℃で１５分間とした。（１）で
用いた窒素ガスは１００％窒素で流量は０．２ｌ ｍｉ
ｎ-1であった。また（２）で用いた水素ガスはアルゴン
で１／１０に希釈したもので、流量は１ｌ ｍｉｎ-1で
あった。（３）の加熱処理は電気炉を用い、加熱条件は
３５０℃で１５分間であった。（３）および（４）で行
ったアンモニア処理条件は、アンモニア蒸気飽和下（室
温）に試料を２０分間放置することにより行った。Example 5 In the same manner as in Example 2, an LB film (80 layers) composed of a mixture (1: 4) of C 10 -Pd and C 22 shown in the formula (3) was formed on a glass substrate. Five samples were prepared. Continued
Commercially available UV / O 3 ashing device (Samco Internationa
UV-300) was applied to each sample for 2 hours in an O 3 atmosphere. At this time, the substrate was not heated, and the oxygen flow rate was 0.51 / min.
Each of these samples was subjected to the processing described below. (1) Heat treatment in nitrogen gas atmosphere (2) Heat treatment in hydrogen gas atmosphere (3) Heat treatment and ammonia treatment in the presence of air (4) Ammonia treatment (5) Untreated (UV / O 3 Only) Both (1) and (2) heat treatments were performed using an infrared furnace. The heating condition was 350 ° C. for 15 minutes. The nitrogen gas used in (1) was 100% nitrogen and the flow rate was 0.2 l mi.
n- 1 . The hydrogen gas used in (2) was diluted 1/10 with argon, and the flow rate was 1 l min -1 . The heat treatment of (3) used an electric furnace, and the heating condition was 350 ° C. for 15 minutes. The ammonia treatment conditions performed in (3) and (4) were performed by allowing the sample to stand under ammonia vapor saturation (room temperature) for 20 minutes.
【００３４】これら（１）−（５）に示した処理を行っ
た試料（１枚のみ未処理を含む）に対して、実施例４と
同様の方法を用いて無電解ニッケル鍍金を行った。すな
わち、試料をまず塩化第一錫１０ｇ ｌ-1および塩酸４
０ｍｌ ｌ-1を含む水溶液（室温）に約２分間浸漬した
後、硫酸ニッケル１２０ｇ ｌ-1、還元剤としての次亜
燐酸ナトリウム１０ｇ ｌ-1、ｐＨ調整用の酢酸ナトリ
ウム１０ｇ ｌ-1などを含む従来公知の無電解ニッケル
鍍金液（９０℃）に浸漬し、約１０μｍの膜厚を持つニ
ッケル鍍金膜を析出させた。この析出に要した時間は、
窒素ガス雰囲気下で加熱処理を行ったもの（１）およ
び、ＵＶ／Ｏ3 処理のみを行った試料（５）では約４０
分であったが、水素ガス雰囲気下での加熱処理を行った
もの（２）、空気存在下での加熱処理およびアンモニア
処理（３）および、アンモニア処理を行ったもの（４）
では約３０分に短縮された。Electroless nickel plating was performed on the samples (including one untreated one) subjected to the treatments shown in (1) to (5) in the same manner as in Example 4. That is, the sample was first treated with 10 g l -1 stannous chloride and 4 ml hydrochloric acid.
After immersion in an aqueous solution (room temperature) containing 0 ml l -1 for about 2 minutes, nickel sulfate 120 g l -1 , sodium hypophosphite 10 g l -1 as a reducing agent, sodium acetate 10 g l -1 for pH adjustment, etc. were added. The resultant was immersed in a known electroless nickel plating solution (90 ° C.) to deposit a nickel plating film having a thickness of about 10 μm. The time required for this precipitation
Approximately 40 samples were subjected to heat treatment in a nitrogen gas atmosphere (1) and sample (5) subjected to only UV / O 3 treatment.
Heat treatment in a hydrogen gas atmosphere (2), heat treatment and ammonia treatment in the presence of air (3), and ammonia treatment (4)
The time was reduced to about 30 minutes.
【００３５】いずれの行程を経たものについても、形成
されたニッケル鍍金膜には異常析出やピットなどの欠損
部もなく、一様・均一なものであった。In all the processes, the formed nickel plated film was uniform and uniform without any abnormal deposits and no defective portions such as pits.
【００３６】実施例６ 式（４）に示す酸パラジウム塩アルキルアミン錯体（以
下Ｃ8 −Ｐｄと記す）とポリイソブチルメタクリレート
（以下、ＰＩＢＭと記す）の混合物からなるＬＢ膜をヘ
キサメチルジシラザンで疎水処理したガラス基板（７５
ｍｍ×７５ｍｍ）上に形成した試料を４枚作成した。以
下、その作成方法について述べる。Example 6 An LB film composed of a mixture of an acid palladium salt alkylamine complex represented by the formula (4) (hereinafter referred to as C 8 -Pd) and polyisobutyl methacrylate (hereinafter referred to as PIBM) was treated with hexamethyldisilazane. Hydrophobized glass substrate (75
(mm × 75 mm). In the following, a method of making the same will be described.
【００３７】 Ｐｄ2+［ＣＨ3 ＣＯＯ- ］2 ［（Ｃ8 Ｈ17）2 ＮＨ］2 （４） Ｃ8 −Ｐｄのクロロホルム溶液（０．５ｍｏｌ／ｌ）と
ＰＩＢＭのクロロホルム溶液（単量体換算０．５ｍｏｌ
／ｌ）とを容量比１：２になるように混合し、この混合
溶液を２０℃の純水上に展開した後、表面圧を１０ｍＮ
ｍ-1にまで高め、Ｃ8 −Ｐｄ：ＰＩＢＭ＝１：２の混
合単分子膜を上記純水上に形成した。この表面圧を保持
したまま、あらかじめヘキサメチルジシラザンで疎水処
理したガラス基板を、速度２ｍｍ ｓｅｃ-1で前記単分
子膜を横切る方向に静かに浸漬し、引き続き同じ速度で
これを引き上げて、２層のＣ8 −Ｐｄ：ＰＩＢＭ＝１：
２の混合ＬＢ膜をガラス基板上に積層した。このような
浸漬・引き上げ操作を繰り返して、Ｃ8 −Ｐｄ：ＰＩＢ
Ｍ＝１：２の混合物からなる８０層のＬＢ膜を形成させ
た。Pd 2+ [CH 3 COO − ] 2 [(C 8 H 17 ) 2 NH] 2 (4) A chloroform solution of C 8 -Pd (0.5 mol / l) and a chloroform solution of PIBM (monomer Conversion 0.5mol
/ L) so as to have a volume ratio of 1: 2, and developing this mixed solution on pure water at 20 ° C.
m −1 , and a mixed monomolecular film of C 8 -Pd: PIBM = 1: 2 was formed on the pure water. While maintaining this surface pressure, a glass substrate previously subjected to a hydrophobic treatment with hexamethyldisilazane is gently immersed in a direction across the monomolecular film at a speed of 2 mm sec −1 , and subsequently pulled up at the same speed to obtain a substrate. C 8 -Pd of layers: PIBM = 1:
2 mixed LB films were laminated on a glass substrate. By repeating such immersion and lifting operations, C 8 -Pd: PIB
An 80-layer LB film composed of a mixture of M = 1: 2 was formed.
【００３８】引き続き、市販のＵＶ／Ｏ3 アッシング装
置（Samco International 製、ＵＶ−３００）を用い、
これらの試料に対してＯ3 雰囲気下にて紫外線照射を２
時間行った。この際基板加熱は行わず、酸素流量は０．
５ｌ ｍｉｎ-1であった。次に実施例５と同様に、上記
試料に対してアンモニア処理を行った。さらに塩化第一
錫１０ｇ ｌ-1および塩酸４０ｍｌ ｌ-1を含む水溶液
（室温）に約２分間浸漬した後、各試料に対して無電解
金鍍金、無電解銀鍍金、無電解コバルト鍍金、無電解ク
ロム鍍金を各々行った。Subsequently, using a commercially available UV / O 3 ashing apparatus (UV-300, manufactured by Samco International),
These samples were irradiated with ultraviolet light in an O 3 atmosphere for 2 minutes.
Time went. At this time, the substrate was not heated, and the oxygen flow rate was 0.
It was 5 l min -1 . Next, similarly to Example 5, the sample was subjected to ammonia treatment. Furthermore, after immersing for about 2 minutes in an aqueous solution (room temperature) containing 10 g l -1 stannous chloride and 40 ml l -1 hydrochloric acid, each sample was subjected to electroless gold plating, electroless silver plating, electroless cobalt plating, Electrolytic chrome plating was performed respectively.
【００３９】無電解金鍍金は試料を、シアン化金カリウ
ム２ｇ ｌ-1、塩化アンモニウム７５ｇ ｌ-1、クエン
酸ナトリウム５０ｇ ｌ-1、次亜燐酸ナトリウム１０ｇ
ｌ -1などを含む従来公知の無電解金鍍金液（９５℃）
に１時間浸漬させることにより行い、約５μｍの膜厚を
持つ金鍍金膜を析出させた。In the electroless gold plating, a sample is made of gold potassium cyanide.
2g l-1, Ammonium chloride 75g l-1, Cuen
Sodium acid 50g l-1, Sodium hypophosphite 10g
l -1Conventional electroless gold plating solution (95 ° C)
Approximately 5 μm film thickness
A gold-plated film was deposited.
【００４０】無電解銀鍍金は試料を、硝酸銀１０ｇ ｌ
-1、酒石酸ナトリウムカリウム５０ｇ ｌ-1、アンモニ
アなどを含む従来公知の無電解銀鍍金液（２５℃）に１
時間浸漬させることにより行い、約５μｍの膜厚を持つ
銀鍍金膜を析出させた。For electroless silver plating, a sample was prepared by adding 10 gl of silver nitrate.
-1 , 50 g l -1 of sodium potassium tartrate, ammonia and the like in a conventionally known electroless silver plating solution (25 ° C).
This was performed by immersion for a time to deposit a silver plating film having a thickness of about 5 μm.
【００４１】無電解コバルト鍍金は試料を、塩化コバル
ト３５ｇ ｌ-1、クエン酸ナトリウム１１０ｇ ｌ-1、
次亜燐酸ナトリウム１２ｇ ｌ-1などを含む従来公知の
無電解コバルト鍍金液（９５℃）に１時間浸漬させるこ
とにより行い、約１０μｍの膜厚を持つコバルト鍍金膜
を析出させた。In the electroless cobalt plating, a sample was prepared by using 35 g l -1 of cobalt chloride, 110 g l -1 of sodium citrate,
It was immersed in a conventionally known electroless cobalt plating solution (95 ° C.) containing 12 g l −1 of sodium hypophosphite for 1 hour to deposit a cobalt plating film having a thickness of about 10 μm.
【００４２】無電解クロム鍍金は試料を、弗化クロム２
０ｇ ｌ-1、塩化クロム１ｇ ｌ-1、クエン酸ナトリウ
ム９ｇ ｌ-1、次亜燐酸ナトリウム９ｇ ｌ-1などを含
む従来公知の無電解クロム鍍金液（９０℃）に１時間浸
漬させることにより行い、約１０μｍの膜厚を持つクロ
ム鍍金膜を析出させた。In electroless chromium plating, the sample is made of chromium fluoride 2
0 g l -1, chromium chloride 1 g l -1, sodium citrate 9 g l -1, conventional electroless chrome plating solution including sodium hypophosphite 9 g l -1 by immersing 1 hour (90 ° C.) Then, a chromium plating film having a thickness of about 10 μm was deposited.
【００４３】形成された鍍金膜には、いずれも異常析出
やピットなどの欠損部はなく、一様・均一なものであっ
た。Each of the formed plated films was uniform and uniform without any abnormal deposits or defective portions such as pits.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
均一性に優れる触媒核層を被鍍金物表面上に形成するこ
とができるので、無電解鍍金法により均一な金属膜を該
被鍍金物表面上に再現性よく容易に作成することができ
る。As described above, according to the present invention,
Since a catalyst core layer having excellent uniformity can be formed on the surface of the plating object, a uniform metal film can be easily formed on the surface of the plating object by electroless plating with good reproducibility.
Claims (14)
を形成する方法において、該被鍍金物上にラングミュア
・ブロジェット法により有機パラジウム錯体または有機
パラジウム錯体を含む有機混合物からなる膜を堆積さ
せ、該堆積膜を触媒層として無電解鍍金を行うことを特
徴とする被鍍金物上に金属膜を形成する方法。1. A method for forming a metal film on an object to be plated by electroless plating, wherein a film comprising an organic palladium complex or an organic mixture containing an organic palladium complex is formed on the object to be plated by a Langmuir-Blodgett method. A method for forming a metal film on an object to be plated, comprising depositing and performing electroless plating using the deposited film as a catalyst layer.
を照射した後、その膜を触媒層として無電解鍍金を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。2. The method according to claim 1, wherein the film deposited on the object to be plated is irradiated with ultraviolet light, and then electroless plating is performed using the film as a catalyst layer.
成することを特徴とする請求項２に記載の方法。3. The method according to claim 2, wherein the film irradiated with the ultraviolet light is further heated and fired.
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。4. The method according to claim 3, wherein the heat-baked film is further reduced.
ることを特徴とする請求項２に記載の方法。5. The method according to claim 2, wherein the film irradiated with the ultraviolet light is further reduced.
物が、該有機パラジウム錯体と、両親媒性有機材料とか
ら成る混合物であることを特徴とする請求項１ないし５
に記載の方法。6. The organic mixture containing the organic palladium complex is a mixture comprising the organic palladium complex and an amphiphilic organic material.
The method described in.
以下の飽和または不飽和脂肪酸であることを特徴とする
請求項１ないし６に記載の方法。7. The method according to claim 1, wherein the amphiphilic material has 18 to 30 carbon atoms.
The method according to any one of claims 1 to 6, wherein the following saturated or unsaturated fatty acid is used.
いて用いられる下相水が純水であることを特徴とする請
求項１ないし７に記載の方法。8. The method according to claim 1, wherein the lower phase water used in the Langmuir-Blodgett method is pure water.
徴とする請求項１ないし７に記載の方法。9. The method according to claim 1, wherein the object to be plated is a non-conductive material.
で行われることを特徴とする請求項２ないし５に記載の
方法。10. The method according to claim 2, wherein the irradiation of the ultraviolet light is performed in an ozone atmosphere.
れることを特徴とする請求項３または４に記載の方法。11. The method according to claim 3, wherein the heat calcination is performed in the absence of oxygen.
われることを特徴とする請求項３または４に記載の方
法。12. The method according to claim 3, wherein the heat calcination is performed in the presence of a reducing gas.
特徴とする請求項４、５または１２に記載の方法。13. The method according to claim 4, wherein the reducing gas is hydrogen gas.
れることを特徴とする請求項４または５に記載の方法。14. The method according to claim 4, wherein the reduction is performed with ammonia.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13221097A JPH10317155A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Formation of metallic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13221097A JPH10317155A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Formation of metallic film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317155A true JPH10317155A (en) | 1998-12-02 |
Family
ID=15075979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13221097A Pending JPH10317155A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Formation of metallic film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10317155A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005073431A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Pretreating agent for electroless plating, method of electroless plating using the same and product of electroless plating |
| WO2007066460A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP13221097A patent/JPH10317155A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005073431A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Pretreating agent for electroless plating, method of electroless plating using the same and product of electroless plating |
| US7713340B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-05-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Pretreating agent for electroless plating, method of electroless plating using the same and product of electroless plating |
| WO2007066460A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| US8354014B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-01-15 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
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