JPH10306368A - Ｃｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
Ｃｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10306368A JPH10306368A JP11225797A JP11225797A JPH10306368A JP H10306368 A JPH10306368 A JP H10306368A JP 11225797 A JP11225797 A JP 11225797A JP 11225797 A JP11225797 A JP 11225797A JP H10306368 A JPH10306368 A JP H10306368A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲット自身の磁気特性のばらつきを抑
え、かつ安価で製造が容易なＣｏ系鋳造ターゲットおよ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｃｏを主体とするターゲットであって、
Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族もしくは５Ａ族の
元素が固溶限を越えて含有され、実質的にターゲット形
状に精密鋳造されてなるＣｏ系鋳造ターゲットである。
本発明においては、特にＰｔを含有するターゲットに適
用することが好ましい。また、本発明のターゲットのス
パッタリング面で測定した漏洩磁束密度のばらつきを２
％以内とすることが望ましい。
え、かつ安価で製造が容易なＣｏ系鋳造ターゲットおよ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｃｏを主体とするターゲットであって、
Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族もしくは５Ａ族の
元素が固溶限を越えて含有され、実質的にターゲット形
状に精密鋳造されてなるＣｏ系鋳造ターゲットである。
本発明においては、特にＰｔを含有するターゲットに適
用することが好ましい。また、本発明のターゲットのス
パッタリング面で測定した漏洩磁束密度のばらつきを２
％以内とすることが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録膜の形成
等に用いられるＣｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方
法に関するものである。
等に用いられるＣｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ等の情報記憶媒体等に使用
されるＣｏ系磁性膜は、媒体の高記録密度化の要求等よ
り、高い保磁力を有する膜の開発が求められている。ま
た、記録再生特性としてＳ／Ｎ比も重要である。このよ
うな特性を得るために、純Ｃｏではなく様々な添加元素
を含有するＣｏ系磁性膜が開発されている。たとえば、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ系、その他
Ｂ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏなど様々な添加元素を含有させた薄
膜が知られている。上述した薄膜の作製は、通常マグネ
トロンスパッタリングという手法によって製造される。
この方法は、たとえばねらいの組成となるように調整し
たスパッタリングターゲットを用い、このターゲット表
面に漏洩磁束を生じさせ、この漏洩磁束によってＡｒ等
のプラズマをターゲット表面に集中させ、効率よくター
ゲット表面をスパッタするものである。そして、プラズ
マによって叩き出されたスパッタ粒子を基板上に付着さ
せることで、基板上に薄膜を得ることができる。
されるＣｏ系磁性膜は、媒体の高記録密度化の要求等よ
り、高い保磁力を有する膜の開発が求められている。ま
た、記録再生特性としてＳ／Ｎ比も重要である。このよ
うな特性を得るために、純Ｃｏではなく様々な添加元素
を含有するＣｏ系磁性膜が開発されている。たとえば、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ系、その他
Ｂ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏなど様々な添加元素を含有させた薄
膜が知られている。上述した薄膜の作製は、通常マグネ
トロンスパッタリングという手法によって製造される。
この方法は、たとえばねらいの組成となるように調整し
たスパッタリングターゲットを用い、このターゲット表
面に漏洩磁束を生じさせ、この漏洩磁束によってＡｒ等
のプラズマをターゲット表面に集中させ、効率よくター
ゲット表面をスパッタするものである。そして、プラズ
マによって叩き出されたスパッタ粒子を基板上に付着さ
せることで、基板上に薄膜を得ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、記録媒体から情
報を抽出する磁気ヘッドの改良が進み、従来よりさらに
狭い範囲の磁気記録面積であっても、情報を抽出できる
ようになってきた。そのため、情報を記録する媒体に対
しては、より高密度で記録しても情報が劣化しない、高
保磁力の薄膜を製造することが要求されている。上述し
たＣｒやＴａ等の添加元素は、主として薄膜の保磁力を
高めるためのものであり、これらの添加元素量を増量す
ることが保磁力を高める一つの対策として行われてい
る。ＣｒやＴａ等の添加量を増加した薄膜を得るには、
スパッタリングターゲットとしても添加元素を増量した
合金ターゲットを製造する必要がある。
報を抽出する磁気ヘッドの改良が進み、従来よりさらに
狭い範囲の磁気記録面積であっても、情報を抽出できる
ようになってきた。そのため、情報を記録する媒体に対
しては、より高密度で記録しても情報が劣化しない、高
保磁力の薄膜を製造することが要求されている。上述し
たＣｒやＴａ等の添加元素は、主として薄膜の保磁力を
高めるためのものであり、これらの添加元素量を増量す
ることが保磁力を高める一つの対策として行われてい
る。ＣｒやＴａ等の添加量を増加した薄膜を得るには、
スパッタリングターゲットとしても添加元素を増量した
合金ターゲットを製造する必要がある。
【０００４】しかし、ＣｒやＴａ等の増量は、ターゲッ
トを得る上での塑性加工性を劣化し、熱間加工を困難に
する。一般に、塑性加工が困難な合金をターゲットとす
る場合は、溶湯を鋳型に鋳造して、鋳造インゴットを製
造し、得られたインゴットをスライスし、次いで、くり
抜き等の機械加工を行って、ターゲットを複数枚製造す
る方法が適用されている。また、粉末焼結法を用いて、
所定の寸法に焼結した焼結インゴットを機械加工する手
法も使用されている。
トを得る上での塑性加工性を劣化し、熱間加工を困難に
する。一般に、塑性加工が困難な合金をターゲットとす
る場合は、溶湯を鋳型に鋳造して、鋳造インゴットを製
造し、得られたインゴットをスライスし、次いで、くり
抜き等の機械加工を行って、ターゲットを複数枚製造す
る方法が適用されている。また、粉末焼結法を用いて、
所定の寸法に焼結した焼結インゴットを機械加工する手
法も使用されている。
【０００５】本発明者等は、４Ａおよび５Ａ族、すなわ
ちＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを増量したターゲ
ットは、Ｃｏと金属間化合物を生成することになり、こ
の化合物が割れの起点になりやすいため、塑性加工がよ
り困難であることを確認した。そして、このような金属
間化合物を生成するターゲットに対して、コストの高い
焼結法ではなく、鋳造法でインゴットを作製し、スライ
スとくり抜き加工によりターゲットを製造することを試
みた。しかし、上述した金属間化合物が生成するＣｏ系
スパッタリングターゲットを一般的な鋳造法により製造
したインゴットから機械加工でターゲットを得た場合、
スパッタリングターゲット自身が持つ磁気特性が、ター
ゲットのスパッタリング面内において、ばらつきを生ず
るという新たな問題が発生した。
ちＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを増量したターゲ
ットは、Ｃｏと金属間化合物を生成することになり、こ
の化合物が割れの起点になりやすいため、塑性加工がよ
り困難であることを確認した。そして、このような金属
間化合物を生成するターゲットに対して、コストの高い
焼結法ではなく、鋳造法でインゴットを作製し、スライ
スとくり抜き加工によりターゲットを製造することを試
みた。しかし、上述した金属間化合物が生成するＣｏ系
スパッタリングターゲットを一般的な鋳造法により製造
したインゴットから機械加工でターゲットを得た場合、
スパッタリングターゲット自身が持つ磁気特性が、ター
ゲットのスパッタリング面内において、ばらつきを生ず
るという新たな問題が発生した。
【０００６】上述したように、マグネトロンスパッタリ
ングにおいては、漏洩磁束によりプラズマを集中する必
要があるが、ターゲット自身の磁気特性がばらつくと、
漏洩磁束が乱れスパッタリングの進行が乱れる原因にな
る。これは、エロージョン不良と呼ばれる現象で、想定
した寿命以前にターゲットが使用不能になる一因とな
り、高価なＣｏ系ターゲットにおいては、大きな問題と
なった。本発明の目的は、ターゲット自身の磁気特性の
ばらつきを抑え、かつ安価で製造が容易なＣｏ系鋳造タ
ーゲットおよびその製造方法を提供することである。
ングにおいては、漏洩磁束によりプラズマを集中する必
要があるが、ターゲット自身の磁気特性がばらつくと、
漏洩磁束が乱れスパッタリングの進行が乱れる原因にな
る。これは、エロージョン不良と呼ばれる現象で、想定
した寿命以前にターゲットが使用不能になる一因とな
り、高価なＣｏ系ターゲットにおいては、大きな問題と
なった。本発明の目的は、ターゲット自身の磁気特性の
ばらつきを抑え、かつ安価で製造が容易なＣｏ系鋳造タ
ーゲットおよびその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、製造の容易
性において鋳造法の改良を検討した。そしてターゲット
自身の磁気特性のばらつきは、４Ａおよび５Ａ族、すな
わちＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの増量したター
ゲットにおいて、生成したＣｏとの金属間化合物が、凝
固時に偏析することに起因することを見いだした。そし
て、さらなる検討の結果、精密鋳造法の適用により、４
Ａ，５Ａ族とＣｏとの金属間化合物を組織中に均一微細
に分散させることができ、結果としてターゲット自身の
磁気特性のばらつきを抑えることができることを見いだ
し本発明に到達した。
性において鋳造法の改良を検討した。そしてターゲット
自身の磁気特性のばらつきは、４Ａおよび５Ａ族、すな
わちＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの増量したター
ゲットにおいて、生成したＣｏとの金属間化合物が、凝
固時に偏析することに起因することを見いだした。そし
て、さらなる検討の結果、精密鋳造法の適用により、４
Ａ，５Ａ族とＣｏとの金属間化合物を組織中に均一微細
に分散させることができ、結果としてターゲット自身の
磁気特性のばらつきを抑えることができることを見いだ
し本発明に到達した。
【０００８】すなわち本発明は、Ｃｏを主体とするター
ゲットであって、Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族
もしくは５Ａ族の元素が固溶限を越えて含有され、実質
的にターゲット形状に精密鋳造されてなるＣｏ系鋳造タ
ーゲットである。
ゲットであって、Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族
もしくは５Ａ族の元素が固溶限を越えて含有され、実質
的にターゲット形状に精密鋳造されてなるＣｏ系鋳造タ
ーゲットである。
【０００９】本発明においては、特にＰｔを含有するタ
ーゲットに適用することが好ましい。また、本発明のタ
ーゲットのスパッタリング面で測定した漏洩磁束密度の
ばらつきを２％以内とすることが望ましい。
ーゲットに適用することが好ましい。また、本発明のタ
ーゲットのスパッタリング面で測定した漏洩磁束密度の
ばらつきを２％以内とすることが望ましい。
【００１０】上述したターゲットは、たとえばＣｏを主
体とし、Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族もしくは
５Ａ族の元素が凝固状態における固溶限を越えた量を含
有させた合金溶湯を、溶湯温度１３５０〜１５００℃
で、５００〜１１００℃に予熱したキャビティとしてタ
ーゲット外形状を有する精密鋳造鋳型に注湯することに
よって得ることができる。
体とし、Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族もしくは
５Ａ族の元素が凝固状態における固溶限を越えた量を含
有させた合金溶湯を、溶湯温度１３５０〜１５００℃
で、５００〜１１００℃に予熱したキャビティとしてタ
ーゲット外形状を有する精密鋳造鋳型に注湯することに
よって得ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】上述したように、本発明の重要な
特徴は、精密鋳造を適用して４Ａ族もしくは５Ａ族の元
素が固溶限を越えて含有されたＣｏ系ターゲットを得た
ことにある。本発明でいう精密鋳造とは、実質的にター
ゲット形状に鋳造されるものを意味する。従来の鋳造法
では押し湯部等の必要性において凝固体積が大きくなら
ざる得ず、また加熱されていない鋳型に鋳造することで
結果として凝固速度がばらつき、金属間化合物の偏析を
助長するものであった。本発明においては、直接ターゲ
ット形状に鋳造する精密鋳造技術により、凝固体積を最
小化し、また鋳型を予熱することによって、金属間化合
物の偏析を抑え、磁気特性のばらつきを押さえることが
できたものである。本発明のターゲットは精密鋳造法の
適用により、好ましくは漏洩磁束密度のばらつきで評価
した時、２％以内、より好ましくは１％以内のばらつき
に抑えることが可能である。
特徴は、精密鋳造を適用して４Ａ族もしくは５Ａ族の元
素が固溶限を越えて含有されたＣｏ系ターゲットを得た
ことにある。本発明でいう精密鋳造とは、実質的にター
ゲット形状に鋳造されるものを意味する。従来の鋳造法
では押し湯部等の必要性において凝固体積が大きくなら
ざる得ず、また加熱されていない鋳型に鋳造することで
結果として凝固速度がばらつき、金属間化合物の偏析を
助長するものであった。本発明においては、直接ターゲ
ット形状に鋳造する精密鋳造技術により、凝固体積を最
小化し、また鋳型を予熱することによって、金属間化合
物の偏析を抑え、磁気特性のばらつきを押さえることが
できたものである。本発明のターゲットは精密鋳造法の
適用により、好ましくは漏洩磁束密度のばらつきで評価
した時、２％以内、より好ましくは１％以内のばらつき
に抑えることが可能である。
【００１２】本発明において、精密鋳造法を適用するこ
とによるもう一つ利点は、高価なＣｏ、４Ａ，５Ａ族あ
るいはその他の添加元素の使用量を最小化できることで
ある。すなわち、精密鋳造法においては、実質的にター
ゲット形状を有するように鋳造するため、表面の変質層
等の除去程度の加工で製品とすることができる。つま
り、インゴットから切り出す従来の鋳造ターゲットで
は、残材が多量に発生していたが、これがなくなるので
ある。特に、最近はＰｔを多量に含むターゲットが利用
されるようになってきたが、Ｐｔは特に高価であり、残
材の発生がほとんどない本発明は、コストの点で有利で
ある。また、特にドーナツ形状のような異形状のターゲ
ットのようなくり抜き加工を必須としていたターゲット
においても、残材低減の点で有利である。
とによるもう一つ利点は、高価なＣｏ、４Ａ，５Ａ族あ
るいはその他の添加元素の使用量を最小化できることで
ある。すなわち、精密鋳造法においては、実質的にター
ゲット形状を有するように鋳造するため、表面の変質層
等の除去程度の加工で製品とすることができる。つま
り、インゴットから切り出す従来の鋳造ターゲットで
は、残材が多量に発生していたが、これがなくなるので
ある。特に、最近はＰｔを多量に含むターゲットが利用
されるようになってきたが、Ｐｔは特に高価であり、残
材の発生がほとんどない本発明は、コストの点で有利で
ある。また、特にドーナツ形状のような異形状のターゲ
ットのようなくり抜き加工を必須としていたターゲット
においても、残材低減の点で有利である。
【００１３】本発明において、４Ａ族もしくは５Ａ族の
元素のＣｏに対する固溶限は、元素によって個々に異な
るため組成範囲は規定しない。たとえばＴａ、Ｖ、Ｔｉ
の固溶限はそれぞれおよそ４．５ａｔ％、２２．４ａｔ
％、１４ａｔ％である。また、より本発明の効果が明確
に得られるのは、上述した固溶限よりも０．５ａｔ％以
上多く４Ａ族もしくは５Ａ族を含有する場合である。ま
た、本発明のターゲットの組成は保磁力、ヒステリシス
の角形比等の性能向上のためＣｒを１５ａｔ％以下、Ｎ
ｉを２０ａｔ％以下、Ｐｔを３０ａｔ％以下含有するこ
とが望ましい。
元素のＣｏに対する固溶限は、元素によって個々に異な
るため組成範囲は規定しない。たとえばＴａ、Ｖ、Ｔｉ
の固溶限はそれぞれおよそ４．５ａｔ％、２２．４ａｔ
％、１４ａｔ％である。また、より本発明の効果が明確
に得られるのは、上述した固溶限よりも０．５ａｔ％以
上多く４Ａ族もしくは５Ａ族を含有する場合である。ま
た、本発明のターゲットの組成は保磁力、ヒステリシス
の角形比等の性能向上のためＣｒを１５ａｔ％以下、Ｎ
ｉを２０ａｔ％以下、Ｐｔを３０ａｔ％以下含有するこ
とが望ましい。
【００１４】本発明のターゲットを得るために、具体的
にはＣｏを主体とし、Ｃｏと金属間化合物を形成する４
Ａ族もしくは５Ａ族の元素が凝固状態における固溶限を
越えた量を含有させた合金溶湯を、５００〜１１００℃
に予熱したキャビティとしてターゲット外形状を有する
精密鋳造鋳型に注湯する。このようにあらかじめ、予熱
した鋳型に鋳造することは、注湯時の湯廻性を向上させ
るとともに、注湯後の凝固速度のばらつきを押さえるた
め、より均一な組織を得ることができる。鋳型としては
セラミック鋳型が使用できる。予熱温度としては、５０
０℃未満では、効果が少なく、１１００℃を越えると凝
固時間が長くなり偏析が発生しやすくなるため、５００
〜１１００℃とする。
にはＣｏを主体とし、Ｃｏと金属間化合物を形成する４
Ａ族もしくは５Ａ族の元素が凝固状態における固溶限を
越えた量を含有させた合金溶湯を、５００〜１１００℃
に予熱したキャビティとしてターゲット外形状を有する
精密鋳造鋳型に注湯する。このようにあらかじめ、予熱
した鋳型に鋳造することは、注湯時の湯廻性を向上させ
るとともに、注湯後の凝固速度のばらつきを押さえるた
め、より均一な組織を得ることができる。鋳型としては
セラミック鋳型が使用できる。予熱温度としては、５０
０℃未満では、効果が少なく、１１００℃を越えると凝
固時間が長くなり偏析が発生しやすくなるため、５００
〜１１００℃とする。
【００１５】また、注湯する溶湯の温度としては、１３
５０℃以上が好ましい。これ以下だと、溶湯に流動性が
なくなり、鋳造しにくくなるためである。また１５００
℃を越えると凝固に時間がかかり、偏析が発生しやすく
なるため、１５００℃以下が望ましい。
５０℃以上が好ましい。これ以下だと、溶湯に流動性が
なくなり、鋳造しにくくなるためである。また１５００
℃を越えると凝固に時間がかかり、偏析が発生しやすく
なるため、１５００℃以下が望ましい。
【００１６】
【実施例】図１の概略図に示す様に、湯口カップ４から
延びる湯道３を幹とし、枝状に形成した複数の湯口２に
ターゲット外形状のキャビティ１を形成したセラミック
シェルを有する精密鋳造鋳型を用いて、表１に示すター
ゲットへの鋳造を行った。ターゲット部のキャビティ寸
法は、φ１３０×８ｔ(ｍｍ)で中央に４７（ｍｍ）の円
筒の貫通穴を設けた形状である。鋳造条件は、注湯開始
時における溶湯温度１４２０℃、セラミックシェルの加
熱温度１０００℃である。鋳造後、湯口を切断し、表面
の変質層を取り除きφ１２７×６．３５ｔ(ｍｍ)、中央
に５０ｍｍの円筒穴を有するドーナツ形状のターゲット
に仕上げた。比較例として、φ１６０×４０の鋳型部と
φ１００×３０（ｍｍ）の押湯部を設けた鉄鋳型を用い
て鋳造を行い機械加工により、本発明例と同様のターゲ
ット寸法に仕上げた。
延びる湯道３を幹とし、枝状に形成した複数の湯口２に
ターゲット外形状のキャビティ１を形成したセラミック
シェルを有する精密鋳造鋳型を用いて、表１に示すター
ゲットへの鋳造を行った。ターゲット部のキャビティ寸
法は、φ１３０×８ｔ(ｍｍ)で中央に４７（ｍｍ）の円
筒の貫通穴を設けた形状である。鋳造条件は、注湯開始
時における溶湯温度１４２０℃、セラミックシェルの加
熱温度１０００℃である。鋳造後、湯口を切断し、表面
の変質層を取り除きφ１２７×６．３５ｔ(ｍｍ)、中央
に５０ｍｍの円筒穴を有するドーナツ形状のターゲット
に仕上げた。比較例として、φ１６０×４０の鋳型部と
φ１００×３０（ｍｍ）の押湯部を設けた鉄鋳型を用い
て鋳造を行い機械加工により、本発明例と同様のターゲ
ット寸法に仕上げた。
【００１７】ターゲットの磁気特性を測定するためにU
字型磁石に対向してガウスメーターのプローブを配置
し、磁石とプローブとの間隙にターゲットを挿入するこ
とにより、ターゲット材の漏洩磁束密度を測定した。U
字型磁石とガウスメーターの間隔はターゲットを挿入し
ない状態での磁束密度が３０mTとなるよう調整した。漏
洩磁束の測定は直径９０mmの円周位置で３０度間隔毎に
行った。結果を表１に付記する。
字型磁石に対向してガウスメーターのプローブを配置
し、磁石とプローブとの間隙にターゲットを挿入するこ
とにより、ターゲット材の漏洩磁束密度を測定した。U
字型磁石とガウスメーターの間隔はターゲットを挿入し
ない状態での磁束密度が３０mTとなるよう調整した。漏
洩磁束の測定は直径９０mmの円周位置で３０度間隔毎に
行った。結果を表１に付記する。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１に示すように、本発明のターゲット材
は、通常の鋳造ターゲットに比べて漏洩磁束密度のばら
つきが少ない。この原因は、通常の鋳造ターゲットで
は、鋳型が加熱されていないため、凝固時に温度分布が
発生したためと考えられる。実際の漏洩磁束の分布のば
らつきに対する、マグネトロンスパッタリング時のター
ゲットのエロージョンの進行への影響を評価するため、
背面に円形磁石を配置したマグネトロンスパッタリング
装置でスパッタリングを行った。その結果、本発明例の
ターゲットにおけるエロージョン領域５は、図２に示す
ように磁石の形状に沿った円形のエロージョン領域を示
したが、比較例のターゲットは、図３に示すようにエロ
ージョン領域５が円形から最大で３mm程度ずれており、
エロージョンが異常進行していた。比較例で確認された
エージョンの異常進行は、スパッタリング中の異常放電
の増加、ターゲット寿命の短命化につながるため、好ま
しくないものである。
は、通常の鋳造ターゲットに比べて漏洩磁束密度のばら
つきが少ない。この原因は、通常の鋳造ターゲットで
は、鋳型が加熱されていないため、凝固時に温度分布が
発生したためと考えられる。実際の漏洩磁束の分布のば
らつきに対する、マグネトロンスパッタリング時のター
ゲットのエロージョンの進行への影響を評価するため、
背面に円形磁石を配置したマグネトロンスパッタリング
装置でスパッタリングを行った。その結果、本発明例の
ターゲットにおけるエロージョン領域５は、図２に示す
ように磁石の形状に沿った円形のエロージョン領域を示
したが、比較例のターゲットは、図３に示すようにエロ
ージョン領域５が円形から最大で３mm程度ずれており、
エロージョンが異常進行していた。比較例で確認された
エージョンの異常進行は、スパッタリング中の異常放電
の増加、ターゲット寿命の短命化につながるため、好ま
しくないものである。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、化合物の生成に起因し
たターゲット自身の磁気特性のばらつきを抑えることが
でき、高価なＣｏ系ターゲットの寿命を延ばすことがで
きる。また、精密鋳造法の適用により、残材の発生が少
なく、コストを大幅に低減することが可能となる。した
がって、本発明は、特にＰｔ等の効果な添加元素を添加
する場合が多いＣｏ系ターゲットにおいて、不可欠な技
術となりうるものである。
たターゲット自身の磁気特性のばらつきを抑えることが
でき、高価なＣｏ系ターゲットの寿命を延ばすことがで
きる。また、精密鋳造法の適用により、残材の発生が少
なく、コストを大幅に低減することが可能となる。した
がって、本発明は、特にＰｔ等の効果な添加元素を添加
する場合が多いＣｏ系ターゲットにおいて、不可欠な技
術となりうるものである。
【図１】本発明のターゲットの製造に使用する精密鋳造
鋳型の一例を示す図である。
鋳型の一例を示す図である。
【図２】本発明のターゲットのエロージョン状態を示す
図である。
図である。
【図３】比較例のターゲットのエロージョン状態を示す
図である。
図である。
１．キャビティ、２．湯口、３．湯道、４．湯口カッ
プ、５．エロージョン領域
プ、５．エロージョン領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川上 章 島根県安来市安来町2107番地２ 日立金属 株式会社安来工場内 (72)発明者 来海 順治 島根県安来市飯島町1240−２ 株式会社安 来製作所日立メタルプレシジョン内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃｏを主体とするターゲットであって、
Ｃｏと金属間化合物を形成する４Ａ族もしくは５Ａ族の
元素が固溶限を越えて含有され、実質的にターゲット形
状に精密鋳造されてなることを特徴とするＣｏ系鋳造タ
ーゲット。 - 【請求項２】 Ｐｔを含有することを特徴とする請求項
１に記載のＣｏ系鋳造ターゲット。 - 【請求項３】 ターゲットのスパッタリング面で測定し
た漏洩磁束密度のばらつきが２％以内であることを特徴
とする請求項１ないし２のいずれかに記載のＣｏ系鋳造
ターゲット。 - 【請求項４】 Ｃｏを主体とし、Ｃｏと金属間化合物を
形成する４Ａ族もしくは５Ａ族の元素が凝固状態におけ
る固溶限を越えた量を含有させた合金溶湯を、溶湯温度
１３５０〜１５００℃で、５００〜１１００℃に予熱し
たキャビティとしてターゲット外形状を有する精密鋳造
鋳型に注湯することを特徴とするＣｏ系鋳造ターゲット
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225797A JPH10306368A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Ｃｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225797A JPH10306368A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Ｃｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10306368A true JPH10306368A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14582185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11225797A Pending JPH10306368A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Ｃｏ系鋳造ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10306368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031316A1 (fr) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Japan Energy Corporation | CIBLE POUR PULVERISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE Co-Ti ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP11225797A patent/JPH10306368A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031316A1 (fr) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Japan Energy Corporation | CIBLE POUR PULVERISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE Co-Ti ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT |
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