JPH118404A - 光結合素子及びその製造方法 - Google Patents
光結合素子及びその製造方法Info
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- JPH118404A JPH118404A JP13590498A JP13590498A JPH118404A JP H118404 A JPH118404 A JP H118404A JP 13590498 A JP13590498 A JP 13590498A JP 13590498 A JP13590498 A JP 13590498A JP H118404 A JPH118404 A JP H118404A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 光透過性絶縁体を用いた透過形光結合素子と
光透過性絶縁体を用いた反射形光結合素子に起因する絶
縁特性の低下を解決し、製造工程の簡略化、小型化を図
る。 【解決手段】 伝達性に優れたリードフレーム４１，４
２の同一平面上に発光素子４３と受光素子４４を高伝導
性接着剤で接着し、金属細金線４５で上記発光素子４３
及び受光素子４４の電極と指定されたリードフレーム４
１部を熔融接着させる。発光素子４３と受光素子４４が
接着されるリードフレーム４１の間に絶縁性物体を挿入
し、その上面のみを光透過性シリコン樹脂４７で塗布
し、外壁の上面を高接着反射性絶縁体５８で塗布後、そ
の上を黒色エポキシ樹脂５０でトランスファモールディ
ングする。
光透過性絶縁体を用いた反射形光結合素子に起因する絶
縁特性の低下を解決し、製造工程の簡略化、小型化を図
る。 【解決手段】 伝達性に優れたリードフレーム４１，４
２の同一平面上に発光素子４３と受光素子４４を高伝導
性接着剤で接着し、金属細金線４５で上記発光素子４３
及び受光素子４４の電極と指定されたリードフレーム４
１部を熔融接着させる。発光素子４３と受光素子４４が
接着されるリードフレーム４１の間に絶縁性物体を挿入
し、その上面のみを光透過性シリコン樹脂４７で塗布
し、外壁の上面を高接着反射性絶縁体５８で塗布後、そ
の上を黒色エポキシ樹脂５０でトランスファモールディ
ングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、従来、透過形光
結合素子の低い絶縁性を改善し、製造の複雑化を解決し
て小さいパッケージ（PACKAGE:4PIN類、ARRAY包含）にも
適用ができるようにすると共に、製造が簡単で、かつ使
用が容易で、高信頼性を保障する光結合素子を提供しよ
うとするものである。
結合素子の低い絶縁性を改善し、製造の複雑化を解決し
て小さいパッケージ（PACKAGE:4PIN類、ARRAY包含）にも
適用ができるようにすると共に、製造が簡単で、かつ使
用が容易で、高信頼性を保障する光結合素子を提供しよ
うとするものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】一般に、光結合素子は
入力電流により光を発散する発光素子とその発光素子か
ら発散される光を電流に変換する受光素子を一つのパッ
ケージ内に備えた装置であって、入出力間には電気的に
全く絶縁されており、出力信号が入力信号に影響を及ば
ない単方向性素子であり、発光素子として電流の変換効
率（光−電変換効率）が良い赤外発光ダイオードと可視
発光ダイオードが使用され、受光素子として出力特性が
良好なホトトランジスタ、ホトトライアック及びホトロ
ジック等が使用されている。その応用は、回路におい
て、電位差が違い両回路間の交互作用と高速光大域信号
伝達等に広く使用されている。添付の図面の図１は、上
記のような機能を有する従来の光透過性絶縁体を用いた
透過形光接合素子の構造を示したものである。
入力電流により光を発散する発光素子とその発光素子か
ら発散される光を電流に変換する受光素子を一つのパッ
ケージ内に備えた装置であって、入出力間には電気的に
全く絶縁されており、出力信号が入力信号に影響を及ば
ない単方向性素子であり、発光素子として電流の変換効
率（光−電変換効率）が良い赤外発光ダイオードと可視
発光ダイオードが使用され、受光素子として出力特性が
良好なホトトランジスタ、ホトトライアック及びホトロ
ジック等が使用されている。その応用は、回路におい
て、電位差が違い両回路間の交互作用と高速光大域信号
伝達等に広く使用されている。添付の図面の図１は、上
記のような機能を有する従来の光透過性絶縁体を用いた
透過形光接合素子の構造を示したものである。
【０００３】このような構造の透過形光結合素子は伝導
性が優れたリードフレーム（１１）（１２）に発光素子
（１３）と受光素子（１４）を各々高伝導性接着剤で接
着した後、金属細金線（１５）（１６）でチップの電極
と指定されたリードフレーム部に熔融接着させ、相互対
向配置のために指定された機構により固定した後、リー
ドフレームの指定された部位を溶接する。次に、光透過
性絶縁体（１７）を塗布して光通路を形成した後、黒色
エポキシ樹脂（２０）でトランスファモールディングし
て光結合素子を製造することになる。このように製造さ
れるシリコンレンジを用いた透過形光結合素子は入力部
へ電流が入力されると発光素子（１３）が発光すること
になり、その発散される光は形成された光伝達経路を通
して受光素子（１４）に伝達され、受光素子（１４）は
その伝達される光を電流に変換するようになる。
性が優れたリードフレーム（１１）（１２）に発光素子
（１３）と受光素子（１４）を各々高伝導性接着剤で接
着した後、金属細金線（１５）（１６）でチップの電極
と指定されたリードフレーム部に熔融接着させ、相互対
向配置のために指定された機構により固定した後、リー
ドフレームの指定された部位を溶接する。次に、光透過
性絶縁体（１７）を塗布して光通路を形成した後、黒色
エポキシ樹脂（２０）でトランスファモールディングし
て光結合素子を製造することになる。このように製造さ
れるシリコンレンジを用いた透過形光結合素子は入力部
へ電流が入力されると発光素子（１３）が発光すること
になり、その発散される光は形成された光伝達経路を通
して受光素子（１４）に伝達され、受光素子（１４）は
その伝達される光を電流に変換するようになる。
【０００４】しかし、このような従来のシリコンレンジ
を用いた透過形光結合素子は発光素子（１３）と受光素
子（１４）とが相互対向されるように配置されているの
で距離に制限される問題があった。即ち、相互距離を近
くすると光伝達効率は良くなるが、光透過性絶縁体（１
７）とエポキシ樹脂（２０）との接着力が欠けている
し、発光素子（１３）と受光素子（１４）との短い絶縁
距離によりその界面（１７、２０）に電気的漏洩が容易
に発生されて絶縁低下の問題点があり、これとは別にそ
の絶縁距離を確保するため、距離を増加させると広い距
離により光伝達効率が低下され、かつ、界面（１７）
（２０）の接着力欠如により絶縁向上がないという問題
点が生じる。従って、かかる構造の透過形光結合素子は
大きい絶縁耐圧用には適用することができなく、その絶
縁体の内部の金属細金線（１５）（１６）も低くしなけ
ればならないという問題がある。
を用いた透過形光結合素子は発光素子（１３）と受光素
子（１４）とが相互対向されるように配置されているの
で距離に制限される問題があった。即ち、相互距離を近
くすると光伝達効率は良くなるが、光透過性絶縁体（１
７）とエポキシ樹脂（２０）との接着力が欠けている
し、発光素子（１３）と受光素子（１４）との短い絶縁
距離によりその界面（１７、２０）に電気的漏洩が容易
に発生されて絶縁低下の問題点があり、これとは別にそ
の絶縁距離を確保するため、距離を増加させると広い距
離により光伝達効率が低下され、かつ、界面（１７）
（２０）の接着力欠如により絶縁向上がないという問題
点が生じる。従って、かかる構造の透過形光結合素子は
大きい絶縁耐圧用には適用することができなく、その絶
縁体の内部の金属細金線（１５）（１６）も低くしなけ
ればならないという問題がある。
【０００５】そして、各々のリードフレーム（１１）
（１２）に対し、機械的に溶接しなければならないとい
う煩わしさがあり、リードフレーム（１１）（１２）自
体の偏差により最適のチップマウントをしても対向配置
がずれることになって、光伝達効率を低下させる問題が
あった。また、発光素子（１３）が発光する場合（体面
発光）、光透過性絶縁体（１７）の外部が黒色エポキシ
樹脂（２０）から成っているので、光の一部が受光素子
（１４）に達する前に吸収され光出力効率を低下させる
等の問題点もあった。従来、光結合素子のまた別の構造
にあって、添付図面の図２は光透過性絶縁体を用いた反
射形光結合素子の構造を示したものである。
（１２）に対し、機械的に溶接しなければならないとい
う煩わしさがあり、リードフレーム（１１）（１２）自
体の偏差により最適のチップマウントをしても対向配置
がずれることになって、光伝達効率を低下させる問題が
あった。また、発光素子（１３）が発光する場合（体面
発光）、光透過性絶縁体（１７）の外部が黒色エポキシ
樹脂（２０）から成っているので、光の一部が受光素子
（１４）に達する前に吸収され光出力効率を低下させる
等の問題点もあった。従来、光結合素子のまた別の構造
にあって、添付図面の図２は光透過性絶縁体を用いた反
射形光結合素子の構造を示したものである。
【０００６】上記の如き光透過性絶縁体を用いた反射形
光結合素子は、伝達性が優れ、Ｖ溝（７１）（７２）を
有するリードフレーム（２１）（２２）の同一平面上に
発光素子（２３）と受光素子（２４）を各々高伝導性接
着剤で接着した後、金属細金線（２５）（２６）でチッ
プの電極と指定されたリードフレーム部に熔融接着さ
せ、光透過性のシリコン樹脂（２７）で光の伝達通路を
形成し、外壁に反射性絶縁体（２８）（２９）を塗布し
た後、黒色エポキシ樹脂（３０）でトランスファモール
デングして製造する。また別の製造方法では、シリコン
樹脂（２７）で光の伝達通路を形成する工程までは同様
であり、その後に反射性絶縁体（２８）（２９）を使用
しなく、白色フィラー（FILLER）を含んだエポキシ樹脂
（３０）のみでモールデングして製造することになる。
光結合素子は、伝達性が優れ、Ｖ溝（７１）（７２）を
有するリードフレーム（２１）（２２）の同一平面上に
発光素子（２３）と受光素子（２４）を各々高伝導性接
着剤で接着した後、金属細金線（２５）（２６）でチッ
プの電極と指定されたリードフレーム部に熔融接着さ
せ、光透過性のシリコン樹脂（２７）で光の伝達通路を
形成し、外壁に反射性絶縁体（２８）（２９）を塗布し
た後、黒色エポキシ樹脂（３０）でトランスファモール
デングして製造する。また別の製造方法では、シリコン
樹脂（２７）で光の伝達通路を形成する工程までは同様
であり、その後に反射性絶縁体（２８）（２９）を使用
しなく、白色フィラー（FILLER）を含んだエポキシ樹脂
（３０）のみでモールデングして製造することになる。
【０００７】しかし、このような工程により製造される
光透過性絶縁体を利用した反射形光結合素子も発光素子
（２３）と受光素子（２４）との間隔制限により透過性
シリコン樹脂（２７）の塗布に限界があって、絶縁耐圧
を増加させることができないという問題点が生じた。併
せて、反射性絶縁体（２８）（２９）で反射膜を塗布し
てから硬化させると、接着力が低くなって、エポキシモ
ールディング（３０）後、界面が発生し、高絶縁耐圧を
克服することができないという問題点もあった。そし
て、光透過性シリコン樹脂（２７）で光通路を形成する
際、その形状が円形や楕円形であるが、その形状が下面
まで成しており、発光素子（２３）の発光後、下面に反
射された光は受光素子（２４）側に達することができな
いので光出力特性を低下させるという問題点が生じる。
光透過性絶縁体を利用した反射形光結合素子も発光素子
（２３）と受光素子（２４）との間隔制限により透過性
シリコン樹脂（２７）の塗布に限界があって、絶縁耐圧
を増加させることができないという問題点が生じた。併
せて、反射性絶縁体（２８）（２９）で反射膜を塗布し
てから硬化させると、接着力が低くなって、エポキシモ
ールディング（３０）後、界面が発生し、高絶縁耐圧を
克服することができないという問題点もあった。そし
て、光透過性シリコン樹脂（２７）で光通路を形成する
際、その形状が円形や楕円形であるが、その形状が下面
まで成しており、発光素子（２３）の発光後、下面に反
射された光は受光素子（２４）側に達することができな
いので光出力特性を低下させるという問題点が生じる。
【０００８】
【問題を解決するための手段】ここに、本発明は上記の
如き従来の光結合素子等の諸般問題点を解決するために
提案されたものであって、本発明の目的は、従来の透過
形と反射形光結合素子の低い絶縁特性と光電流伝達比を
改善し、かる製造の複雑化を解決して小さいパッケージ
（PACKAGE:4PIN類、ARRAY包含）にも適用することができ
るようにすると共に、製造が簡単で、かつ使用が容易
で、高信頼性を保障する光結合素子を提供することにあ
る。
如き従来の光結合素子等の諸般問題点を解決するために
提案されたものであって、本発明の目的は、従来の透過
形と反射形光結合素子の低い絶縁特性と光電流伝達比を
改善し、かる製造の複雑化を解決して小さいパッケージ
（PACKAGE:4PIN類、ARRAY包含）にも適用することができ
るようにすると共に、製造が簡単で、かつ使用が容易
で、高信頼性を保障する光結合素子を提供することにあ
る。
【０００９】かかる発明の目的を達成するための方法
は、伝導性が優れたリードフレームの同一平面上に発光
素子と受光素子を各々高伝導性接着剤で接着させる第１
の工程と、上記第１の工程後、金属細金線で上記発光素
子及び受光素子の電極と指定されたリードフレーム部を
熔融接着させる第２の工程と、上記発光素子と受光素子
が接着される下部リードフレーム及びそのリードフレー
ムの間に成形された絶縁性物体を挿入する第３の工程
と、上記発光素子と受光素子を含む周辺部の上面のみを
光透過性シリコン樹脂で塗布して光伝達通路を形成する
第４の工程と、上記光透過性シリコン樹脂の外壁の上面
を高接着性絶縁体で塗布した後、その上を黒色エポキシ
樹脂でトランスファモールディングする第５の工程から
なる。以下、本願発明の望ましい実施の形態を添付の図
面に基づいて詳細に説明すると次の通りである。
は、伝導性が優れたリードフレームの同一平面上に発光
素子と受光素子を各々高伝導性接着剤で接着させる第１
の工程と、上記第１の工程後、金属細金線で上記発光素
子及び受光素子の電極と指定されたリードフレーム部を
熔融接着させる第２の工程と、上記発光素子と受光素子
が接着される下部リードフレーム及びそのリードフレー
ムの間に成形された絶縁性物体を挿入する第３の工程
と、上記発光素子と受光素子を含む周辺部の上面のみを
光透過性シリコン樹脂で塗布して光伝達通路を形成する
第４の工程と、上記光透過性シリコン樹脂の外壁の上面
を高接着性絶縁体で塗布した後、その上を黒色エポキシ
樹脂でトランスファモールディングする第５の工程から
なる。以下、本願発明の望ましい実施の形態を添付の図
面に基づいて詳細に説明すると次の通りである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は本願発
明の１実施形態に係る半透過性エポキシ樹脂のFLAT型絶
縁体（或はＴ型）を用いた反射形光結合素子の第１の構
造図（DIP 型）であり、図５の（Ａ）及び（Ｂ）は本発
明による半透過性エポキシ樹脂のFLAT型絶縁体（或はＴ
型）を用いた反射形光結合素子の別の構造図（MFP 型−
GULL−WING型）である。ここで、DIP 型の反射形光結
合素子の制動工程と GULL −WING型のMFP 小型製造工程
は同様なので、重複の記載を避けるために作用を共に説
明する。先ず、伝導性が優れ、“Ｖ溝”（７１）（７
２）を有するリードフレーム（３１）（３２）（５１）
（５２）の同一平面上に発光素子（３３）（５３）と受
光素子（３４）（５４）を各々高伝導性接着剤で接着し
た後、金属細金線（３５）（３６）（５５）（５６）で
その発光素子（３３）（５３）及び受光素子（３４）
（５４）の電極と指定されたリードフレーム部を熔融接
着させることになる。
明の１実施形態に係る半透過性エポキシ樹脂のFLAT型絶
縁体（或はＴ型）を用いた反射形光結合素子の第１の構
造図（DIP 型）であり、図５の（Ａ）及び（Ｂ）は本発
明による半透過性エポキシ樹脂のFLAT型絶縁体（或はＴ
型）を用いた反射形光結合素子の別の構造図（MFP 型−
GULL−WING型）である。ここで、DIP 型の反射形光結
合素子の制動工程と GULL −WING型のMFP 小型製造工程
は同様なので、重複の記載を避けるために作用を共に説
明する。先ず、伝導性が優れ、“Ｖ溝”（７１）（７
２）を有するリードフレーム（３１）（３２）（５１）
（５２）の同一平面上に発光素子（３３）（５３）と受
光素子（３４）（５４）を各々高伝導性接着剤で接着し
た後、金属細金線（３５）（３６）（５５）（５６）で
その発光素子（３３）（５３）及び受光素子（３４）
（５４）の電極と指定されたリードフレーム部を熔融接
着させることになる。
【００１１】以後、順次に発光素子（３３）（５３）と
受光素子（３４）（５４）のリードフレーム（３１）
（３２）（５１）（５２）の間に絶縁性を向上させ、シ
リコン樹脂の流れを決定するために、Ｔ字型で成形され
た半透明エポキシ樹脂又は関連された絶縁性物体（３
９）（５９）を上記リードフレーム（３１）（３２）
（５１）（５２）の上面より高いか又は等しい位置にな
るよう挿入し、リードフレームに熱を印加した状態で光
透過性シリコン樹脂（３７）（５７）を塗布して上記発
光素子（３３）（５３）及び受光素子（３４）（５４）
を含む周辺部の上面のみをドーム（DOME）形状（ボート
型）の光伝達通路を形成することになる。上記のような
工程によりドーム形状を作った後、反射膜とエポキシ樹
脂との界面密着力向上と光反射力を増加させるために反
射性絶縁体が全く硬化した後にもねっとりした高接着力
と光反射力を有する反射性フィラーが含まれた硬化性樹
脂（３８）（５８）で外壁の上面を塗布した後、黒色エ
ポキシ樹脂（４０）（６０）でトランスファモールディ
ングして光結合素子を製造することになる。
受光素子（３４）（５４）のリードフレーム（３１）
（３２）（５１）（５２）の間に絶縁性を向上させ、シ
リコン樹脂の流れを決定するために、Ｔ字型で成形され
た半透明エポキシ樹脂又は関連された絶縁性物体（３
９）（５９）を上記リードフレーム（３１）（３２）
（５１）（５２）の上面より高いか又は等しい位置にな
るよう挿入し、リードフレームに熱を印加した状態で光
透過性シリコン樹脂（３７）（５７）を塗布して上記発
光素子（３３）（５３）及び受光素子（３４）（５４）
を含む周辺部の上面のみをドーム（DOME）形状（ボート
型）の光伝達通路を形成することになる。上記のような
工程によりドーム形状を作った後、反射膜とエポキシ樹
脂との界面密着力向上と光反射力を増加させるために反
射性絶縁体が全く硬化した後にもねっとりした高接着力
と光反射力を有する反射性フィラーが含まれた硬化性樹
脂（３８）（５８）で外壁の上面を塗布した後、黒色エ
ポキシ樹脂（４０）（６０）でトランスファモールディ
ングして光結合素子を製造することになる。
【００１２】このように製造される本実施形態に係る光
結合素子の特徴は、発光素子と受光素子の両方の絶縁性
を向上させ、光透過性シリコン樹脂（３７）（５７）の
流れを決定するために突起形態で成形された絶縁性半透
明エポキシ樹脂、又は、絶縁性物質（３９）（５９）を
発光素子（３３）（５３）と受光素子（３４）（５４）
のリードフレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の
間に自動挿入器により挿入した。
結合素子の特徴は、発光素子と受光素子の両方の絶縁性
を向上させ、光透過性シリコン樹脂（３７）（５７）の
流れを決定するために突起形態で成形された絶縁性半透
明エポキシ樹脂、又は、絶縁性物質（３９）（５９）を
発光素子（３３）（５３）と受光素子（３４）（５４）
のリードフレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の
間に自動挿入器により挿入した。
【００１３】又、光透過性のシリコン樹脂（３７）（５
７）でドーム型の光伝達通路（上面）を作るためにリー
ドフレームの固定部に温度調節機能を有する装備を設け
て熱的に光透過性樹脂（３５）（５７）の流れと形状を
決定させる。併せて、絶縁距離が短いリードフレームの
側界面において、反射性物体（３８）（５８）と黒色エ
ポキシ樹脂（４０）（６０）の密着力低下により発生さ
れる界面の密着力を上げ、電気的な光効率低下防止を上
げるために反射性絶縁体が全く硬化した後にもねっとり
した高接着力と光反射力を有する反射性フィラーが含ま
れた硬化性樹脂（３８）（５８）を使用して、トランス
ファモールディングされた黒色エポキシ樹脂（４０）
（６０）との内部の界面をゼロ（０）化し、シリコン樹
脂の流れを“Ｖ溝”（７１）（７２）（７３）（７４）
と内部絶縁体（３９）（５９）により抑えることにより
上面のみに光が充分に伝達されるようにした。
７）でドーム型の光伝達通路（上面）を作るためにリー
ドフレームの固定部に温度調節機能を有する装備を設け
て熱的に光透過性樹脂（３５）（５７）の流れと形状を
決定させる。併せて、絶縁距離が短いリードフレームの
側界面において、反射性物体（３８）（５８）と黒色エ
ポキシ樹脂（４０）（６０）の密着力低下により発生さ
れる界面の密着力を上げ、電気的な光効率低下防止を上
げるために反射性絶縁体が全く硬化した後にもねっとり
した高接着力と光反射力を有する反射性フィラーが含ま
れた硬化性樹脂（３８）（５８）を使用して、トランス
ファモールディングされた黒色エポキシ樹脂（４０）
（６０）との内部の界面をゼロ（０）化し、シリコン樹
脂の流れを“Ｖ溝”（７１）（７２）（７３）（７４）
と内部絶縁体（３９）（５９）により抑えることにより
上面のみに光が充分に伝達されるようにした。
【００１４】また、シリコン樹脂の流れの抑え手段によ
りリードフレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の
“Ｖ溝”（７１〜７４）を“Λ”形状の突起（７１′〜
７４′）により形成することもできることを特徴とす
る。特に、本発明は既存の円形や楕円形のドーム形態を
脱皮してボート型の光反射領域のみをドームに形成（３
７、５７−上面）し、下面は高絶縁性の半透明性の絶縁
体（３９、５９）のみを適用させて絶縁耐圧を上昇させ
ることと共に、別途に反射膜を形成させる必要がないの
で製造工程が単純化される。添付図面の図４は本発明に
よる半透過性エポキシ樹脂のCPU 型絶縁体を用いた反射
形光結合素子の構造図（DIP 型）であり、図６は本発明
による半透過性エポキシ樹脂のCUP 型絶縁体を用いた反
射形光結合素子の別の構造図（MFP 型− GULL −WING
型）である。
りリードフレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の
“Ｖ溝”（７１〜７４）を“Λ”形状の突起（７１′〜
７４′）により形成することもできることを特徴とす
る。特に、本発明は既存の円形や楕円形のドーム形態を
脱皮してボート型の光反射領域のみをドームに形成（３
７、５７−上面）し、下面は高絶縁性の半透明性の絶縁
体（３９、５９）のみを適用させて絶縁耐圧を上昇させ
ることと共に、別途に反射膜を形成させる必要がないの
で製造工程が単純化される。添付図面の図４は本発明に
よる半透過性エポキシ樹脂のCPU 型絶縁体を用いた反射
形光結合素子の構造図（DIP 型）であり、図６は本発明
による半透過性エポキシ樹脂のCUP 型絶縁体を用いた反
射形光結合素子の別の構造図（MFP 型− GULL −WING
型）である。
【００１５】図示のように、半透過性エポキシ樹脂のCU
P 型絶縁体（４９）が設けられ、伝送性が優れたリード
フレーム（４１）（４２）（６１）（６２）の同一平面
上に発光素子（４３）（６３）と受光素子（４４）（６
４）を各々高伝導性接着剤で接着した後、金属細金線
（４５）（４６）（６５）（６６）でその発光素子（４
３）（６３）及び受光素子（４４）（６４）の電極と指
定されたリードフレーム部を熔融接着させる。次に、リ
ードフレームに熱を印加した状態で光透過性シリコン樹
脂（４７）（６７）で任意の形状の光伝達通路を形成す
ることになるが、この時、光伝達通路の形状は上記CUP
型の絶縁性物体（４９）（６９）の両端と内壁が接し、
同一な高さになるようフラット（FLAT）型の形状にな
る。そして、高接着力と光反射力を有する反射性フィラ
ーを含んだ硬化性樹脂（４８）（６８）でシリコン樹脂
（４７）（６７）の上面を所定の厚さで塗布した後、黒
色エポキシ樹脂（５０）（７０）でトランスファモール
ディングをして光結合素子を製造することになる。
P 型絶縁体（４９）が設けられ、伝送性が優れたリード
フレーム（４１）（４２）（６１）（６２）の同一平面
上に発光素子（４３）（６３）と受光素子（４４）（６
４）を各々高伝導性接着剤で接着した後、金属細金線
（４５）（４６）（６５）（６６）でその発光素子（４
３）（６３）及び受光素子（４４）（６４）の電極と指
定されたリードフレーム部を熔融接着させる。次に、リ
ードフレームに熱を印加した状態で光透過性シリコン樹
脂（４７）（６７）で任意の形状の光伝達通路を形成す
ることになるが、この時、光伝達通路の形状は上記CUP
型の絶縁性物体（４９）（６９）の両端と内壁が接し、
同一な高さになるようフラット（FLAT）型の形状にな
る。そして、高接着力と光反射力を有する反射性フィラ
ーを含んだ硬化性樹脂（４８）（６８）でシリコン樹脂
（４７）（６７）の上面を所定の厚さで塗布した後、黒
色エポキシ樹脂（５０）（７０）でトランスファモール
ディングをして光結合素子を製造することになる。
【００１６】
【発明の効果】前記したように、本願発明は、リードフ
レームの下面とそのリードフレームの間に突起がある半
透明エポキシ樹脂の成形絶縁体を挿入することにより絶
縁特性を改善したのであり、温度調節機能を有する装備
を設置することにより短い時間内に（１分以内）１次シ
リコン樹脂の硬化が成されるので製造の自動化が可能で
あり、１次硬化された光透過性シリコン樹脂に反射性樹
脂を注入する際、樹脂の流動性が良いので上面尖頭部の
みに注入すると１分後には全体的に上面部に塗布され、
リードフレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の
“Ｖ溝”前まで抑えられて製造力と信頼度の向上を図る
ことができる。また、本発明によるボート型またはフラ
ット型の反射膜がリードフレームを充分に覆い被せてい
るので内外部絶縁性を向上させることもできる。
レームの下面とそのリードフレームの間に突起がある半
透明エポキシ樹脂の成形絶縁体を挿入することにより絶
縁特性を改善したのであり、温度調節機能を有する装備
を設置することにより短い時間内に（１分以内）１次シ
リコン樹脂の硬化が成されるので製造の自動化が可能で
あり、１次硬化された光透過性シリコン樹脂に反射性樹
脂を注入する際、樹脂の流動性が良いので上面尖頭部の
みに注入すると１分後には全体的に上面部に塗布され、
リードフレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の
“Ｖ溝”前まで抑えられて製造力と信頼度の向上を図る
ことができる。また、本発明によるボート型またはフラ
ット型の反射膜がリードフレームを充分に覆い被せてい
るので内外部絶縁性を向上させることもできる。
【図１】従来技術における、光透過姓絶縁体を用いた透
過形光結合素子の構造図である。
過形光結合素子の構造図である。
【図２】従来技術における、光透過性絶縁体を用いた反
射形光結合素子の構造図である。
射形光結合素子の構造図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、本願発明による反透過性
エポキシ樹脂の絶縁体（FLAT型）を用いた反射形光結合
素子の第１の構造図（DIP 型）である。
エポキシ樹脂の絶縁体（FLAT型）を用いた反射形光結合
素子の第１の構造図（DIP 型）である。
【図４】本発明による半透過性エポキシ樹脂の絶縁体
（CPU 型）を用いた反射形光結合素子の第２の構造図
（DIP 型）である。
（CPU 型）を用いた反射形光結合素子の第２の構造図
（DIP 型）である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明による半透過性エ
ポキシ樹脂の絶縁体（FLAT型）を用いた反射形光結合素
子の第３の構造図（MFP 型− GULL −WING型）である。
ポキシ樹脂の絶縁体（FLAT型）を用いた反射形光結合素
子の第３の構造図（MFP 型− GULL −WING型）である。
【図６】本発明による反透過性エポキシ樹脂の絶縁体
（CPU 型）を用いた反射形光結合素子の第４の構成図
（MFP 型− GULL −WING型）である。
（CPU 型）を用いた反射形光結合素子の第４の構成図
（MFP 型− GULL −WING型）である。
３１、３２、４１、４２、５１、５２、６１、６２ リ
ードフレーム ３３、４３、５３、６３ 発光素子 ３４、４４、５４、６４ 受光素子 ３５、３６、４５、５５、５６、６５、６６ 金属細金
線 ３７、４７、５７、６７ シリコン樹脂 ３８、４８、５８、６８ 反射性絶縁体 ３９、４９、５９、６９ 半透過性絶縁体 ４０、５０、６０、７０ 黒色エポキシ樹脂
ードフレーム ３３、４３、５３、６３ 発光素子 ３４、４４、５４、６４ 受光素子 ３５、３６、４５、５５、５６、６５、６６ 金属細金
線 ３７、４７、５７、６７ シリコン樹脂 ３８、４８、５８、６８ 反射性絶縁体 ３９、４９、５９、６９ 半透過性絶縁体 ４０、５０、６０、７０ 黒色エポキシ樹脂
Claims (13)
- 【請求項１】 伝導性が優れたリードフレーム（３１）
（３２）（５１）（５２）の同一平面上に発光素子（３
３）（５３）と受光素子（５３）（５４）を各々高伝導
性接着剤で接着させる第１の工程と、 上記第１の工程後、金属細金線（３５）（３６）（５
５）（５６）で上記発光素子（３３）（５３）及び受光
素子（５３）（５４）の電極と指定されたリードフレー
ム部を熔融接着させる第２工程と、 上記発光素子（３３）（５３）と受光素子（３４）（５
４）が接着される下部リードフレーム及びそのリードフ
レームの間に任意の形状に成形された絶縁性物体（３
９）（５９）を挿入する第３の工程と、 上記発光素子（３３）（５３）と受光素子（３４）（５
４）を含む周辺部の上面のみを光透過性シリコン樹脂
（３７）（５７）で塗布して光伝達通路を形成する第４
の工程と、 上記光透過性シリコン樹脂（３７）（５７）の外壁の上
面のみを高接着反射性絶縁体（３８）（５８）で塗布し
た後、その上を黒色エポキシ樹脂（４０）（６０）でト
ランスファモールディングする第５の工程からなること
を特徴とする光結合素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記第３の工程は、両方のリードフレー
ム（３１）（３２）（５１）（５２）の下面とは接着さ
れ、そのリードフレーム（３１）（３２）（５１）（５
２）の間には両リードフレーム（３１）（３２）（５
１）（５２）の上面よりも高いか、又は等しい突起形態
の絶縁体を挿入することを特徴とする請求項１記載の光
結合素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記第３の工程の絶縁性物体（３９）
（５９）は絶縁性を向上させ、シリコン樹脂の流れを決
定する絶縁性半透明エポキシ樹脂であることを特徴とす
る請求項１記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記第４の工程は、リードフレームに熱
を印加して光透過性シリコン樹脂（３７）（５７）の流
れと形状を制御して、上記絶縁性物体の両端と内壁が接
し、高さが同一なフラット（FLAT）型の光伝達通路に形
成することを特徴とする請求項１記載の光結合素子の製
造方法。 - 【請求項５】 上記第４の工程は、リードフレームに熱
を印加して光透過性シリコン樹脂（３７）（５７）の流
れと形状を制御して、ボート型の光伝達通路に形成する
ことを特徴とする請求項１記載の光結合素子の製造方
法。 - 【請求項６】 上記第５の工程の高接着反射性絶縁体
（３８）（５８）は反射膜とエポキシ樹脂との界面密着
力の向上と光反射力を増加させるために反射性絶縁体が
全く硬化した後にもねっとりした高接着力と光反射力と
有する反射性フィラーを含んだ硬化性樹脂であることを
特徴とする請求項１に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項７】 上記リードフレーム（３１）（３２）
（５１）（５２）の一部に透過性及び半透過性樹脂の流
れを抑え、パッケージとリードフレームの間の気密性強
化のためにＶ溝（７１〜７４）を形成することを特徴と
する請求項１に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項８】 上記リードフレーム（３１）（３２）
（５１）（５２）の一部に透過性及び半透過性樹脂の流
れを抑え、パッケージとリードフレームの間の気密性強
化のためにΛ形状の突起（７１′〜７４′）を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の光結合素子の製造方
法。 - 【請求項９】 半透過性エポキシ樹脂のカップ（CUP ）
型絶縁体が設けられ、伝導性が優れたリードフレーム
（３１）（３２）（５１）（５２）の同一平面上に発光
素子（３３）（５３）と受光素子（５３）（５４）を各
々高伝導性接着剤で接着させる第１の工程と、上記第１
の工程後、金属細金線（３５）（３６）（５５）（５
６）で上記発光素子（３３）（５３）及び受光素子（５
３）（５４）の電極と指定されたリードフレーム部を熔
融接着させる第２の工程と、 上記発光素子（３３）（５３）と受光素子（３４）（５
４）を含む周辺部の上面のみを光透過性シリコン樹脂
（３７）（５７）で塗布して光伝達通路を形成する第３
の工程と、 上記光透過性シリコン樹脂（３７）（５７）の外壁の上
面を高接着反射性絶縁体（３８）（５８）で塗布した
後、その上を黒色エポキシ樹脂（４０）（６０）でトラ
ンスファモールディングする第４の工程からなることを
特徴とする光結合素子の製造方法。 - 【請求項１０】 伝導性が優れ、透過性及び反射性樹脂
の流れを抑えるためのＶ溝（７１）（７２）を有するリ
ードフレーム（３１）（３２）の同一平面上に各々蒸着
されて光を発散し、その発散された光を電気的な信号に
変換する発光素子（３３）及び受光素子（３４）と、 上記発光素子（３３）及び受光素子（３４）を含む周辺
部の上面のみに形成されて上記発光素子（３３）から発
散された光を上記受光素子（３４）に伝達するためのボ
ート（BOAT）型の光伝達通路（３７）と、 上記発光素子（３３）および受光素子（３４）が接着さ
れる下部リードフレーム及びそのリードフレームの間に
絶縁のために挿入されるフラット型の絶縁性物体（３
９）と、 上記光伝達通路の外壁の上、下面に形成された絶縁のた
めの絶縁膜（３８）（３９）を包含してなることを特徴
とする光結合素子。 - 【請求項１１】 上記光伝達通路（３７）は上記リード
フレーム（３１）（３２）（５１）（５２）の一部に形
成されたＶ溝（７１）（７２）または、Λ形状の突起
（７１′）（７２′）前までのみ形成されることを特徴
とする請求項１０に記載の光結合素子。 - 【請求項１２】 上記絶縁性物体（３９）は上記リード
フレーム（３１）（３２）の上面より高いか、又は等し
い位置になるよう挿入することを特徴とする請求項１０
に記載の光結合素子。 - 【請求項１３】 上記絶縁性物体（３９）がカップ形で
ある場合は、リードフレーム（４１）（４２）に先ず絶
縁性物体（４８）を挿入してから発光素子（４３）及び
受光素子（４４）を蒸着させることを特徴とする請求項
１０に記載の光結合素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR97-16921 | 1997-05-01 | ||
| KR1019970016921A KR100271423B1 (ko) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | 광결합소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118404A true JPH118404A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=19504735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13590498A Withdrawn JPH118404A (ja) | 1997-05-01 | 1998-05-01 | 光結合素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118404A (ja) |
| KR (1) | KR100271423B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009166B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photocoupler, method for producing the same, and electronic device equipped with the photocoupler |
| CN108735853A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 亿光电子工业股份有限公司 | 光耦合器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101121728B1 (ko) | 2008-06-26 | 2012-03-23 | 서울반도체 주식회사 | 방열 구조를 갖는 ｌｅｄ 패키지 |
-
1997
- 1997-05-01 KR KR1019970016921A patent/KR100271423B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-05-01 JP JP13590498A patent/JPH118404A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009166B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photocoupler, method for producing the same, and electronic device equipped with the photocoupler |
| CN108735853A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 亿光电子工业股份有限公司 | 光耦合器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980082183A (ko) | 1998-12-05 |
| KR100271423B1 (ko) | 2000-11-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050705 |