JPH1029156A - 薄板の研磨方法および研磨装置 - Google Patents
薄板の研磨方法および研磨装置Info
- Publication number
- JPH1029156A JPH1029156A JP18381896A JP18381896A JPH1029156A JP H1029156 A JPH1029156 A JP H1029156A JP 18381896 A JP18381896 A JP 18381896A JP 18381896 A JP18381896 A JP 18381896A JP H1029156 A JPH1029156 A JP H1029156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- wafer
- thin plate
- polishing
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
化し、これにより研磨代を一定にし、もって高平坦度の
研磨を可能にすることができる薄板の研磨方法および研
磨装置を提供する。 【解決手段】 プレートの薄板保持面に薄板を保持し、
前記プレートによって前記薄板を研磨手段に押し付け当
該研磨手段との間で挟持摺擦して研磨するにあたり、前
記プレートとして、前記薄板保持面が形成される薄板保
持部が当該プレートの他の部分から突出し、かつ、前記
薄板の研磨の際にプレートの背面に加える荷重と前記薄
板から当該プレートへ作用する反力とによって当該プレ
ートが弾性変形した状態で、前記薄板保持面が前記研磨
手段の表面形状と相補的形状に変形可能に構成されたプ
レートを用い、このプレートの薄板保持面に前記薄板を
保持することによって研磨を行うようにした。
Description
係り、特に半導体ウェーハ(以下「ウェーハ」という)
を高平坦度に研磨することができる薄板の研磨方法およ
び研磨装置に関する。
おいては、近年のデバイスの高集積化にともない、デバ
イスのデザインルールは狭くなり、ホトリソグラフィ工
程におけるステッパの焦点深度も浅くなってきている。
このため、ウェーハの研磨工程でのウェーハに対する平
坦性の要求も高くなってきている。なお、ホトリソグラ
フィ工程などにおいては、ウェーハは真空吸着等により
保持され、若干の歪みが矯正されることになるため、こ
こでいう「平坦度」とは、ウェーハの板厚のばらつきの
ことをいう。
は、円板状のプレートの下面に複数のウェーハを貼付
け、このウェーハを、主面に不織布を貼付けた定盤面に
押しつけて、両者の間で挟持摺擦することで研磨してい
る。
研磨装置では、プレートが均一の厚みの並行平板として
構成されていたため、ウェーハ面の研磨代(研磨による
除去量)が完全に一定にはならずに、ウェーハの厚みに
ばらつきが生じるという問題があった。
と研磨布の摺擦速度と、ウェーハと研磨布の接する研磨
圧力とに比例すると考えられる。このうち研磨時間は容
易に調節でき、またウェーハと研磨布の摺擦速度も、定
盤の回転速度を変えることにより容易に調節できる。し
かし、ウェーハと研磨布の接する研磨圧力については調
節が難しい。
プレート20は均一の厚みを有する平行平板として構成
されているので、プレート20が変形しないとすれば、
ウェーハ22を研磨する場合、そのウェーハ22に加わ
る圧力分布が均一になるはずである。しかし、現実に
は、プレート20の上面と下面に加わる荷重の作用範囲
が異なることに起因して、同図に示すようにプレート2
0が弾性変形を起こすことになる。つまり、プレート2
0の上面には全域にわたって均一な荷重21が加えられ
るのに対して、プレート20が下面から受ける力はウェ
ーハ22を介しての定盤23からの反力のみである。そ
の結果、プレート20の上下で力の分布にアンバランス
を生じて、同図に示すようにプレート20のウェーハ保
持面が凹曲面となるように変形してしまい、ウェーハ2
2の中央部に比べて周辺部が強く定番23に押し付けら
れる結果となり、周辺部が中央部に比べて多く研磨され
ることとなってしまう。なお、図4において、符号24
は研磨布を示している。
策としては、プレート20の高剛性化を図ることが考え
られる。例えば、プレート20の材質にヤング率の大き
いAl2O3やSiC等のセラミックスを用いれば、プレ
ート20の変形量は小さくなる。しかし、それでは高価
になってしまう。また、他の手段としてプレート20の
肉厚を大きくすることが考えられるが、重くなり、ハン
ドリングが困難になる。このような不都合は、特にウェ
ーハの大口径化が進展すると、それに伴いプレートも大
きくなるために顕著になる。かかる問題は、ウェーハに
限らず、薄板の研磨一般に生じるところである。
されたもので、ウェーハ面上における研磨圧力の分布を
均一化し、これにより研磨代を一定にし、もって高平坦
度の研磨を可能にすることができる薄板の研磨方法およ
び研磨装置を提供することを目的とする。
は、プレートの薄板保持面に薄板を保持し、前記プレー
トによって前記薄板を研磨手段に押し付け当該研磨手段
との間で挟持摺擦して研磨するにあたり、前記プレート
として、前記薄板保持面が形成される薄板保持部が当該
プレートの他の部分から突出し、かつ、前記薄板の研磨
の際にプレートの背面に加える荷重と前記薄板から当該
プレートへ作用する反力とによって当該プレートが弾性
変形した状態で、前記薄板保持面が前記研磨手段の表面
形状と相補的形状に変形可能に構成されたプレートを用
い、このプレートの薄板保持面に前記薄板を保持するこ
とによって研磨を行うようにしたことを特徴とする。
薄板を保持するプレートと、このプレートによって前記
薄板が押し付けられ当該プレートとの間で挟持摺擦して
研磨する研磨手段とを備える、薄板の研磨装置におい
て、前記プレートは、前記薄板保持面が形成される薄板
保持部が当該プレートの他の部分から突出し、かつ、前
記薄板の研磨の際にプレートの背面に加える荷重と前記
薄板から当該プレートへ作用する反力とによって当該プ
レートが弾性変形した状態で、前記薄板保持面が前記研
磨手段の表面形状と相補的形状に変形可能に構成されて
いることを特徴とする。
る薄板の研磨方法および研磨装置の実施形態を説明す
る。図1は、薄板の研磨装置の全体構成を模式的に示す
正面図である。
装置で研磨されるウェーハを指示している。この薄板1
は、予め単結晶インゴットから内周刃等の切断装置でス
ライスした後、ラッピング工程などを経て、両面が高精
度な平行面で均一な厚さになるように加工されたもので
ある。
より保持される。プレート2の下面には保持すべきウェ
ーハと同一形状でかつ同一数のウェーハ保持部(薄板保
持部)2aが突出形成されており、このウェーハ保持部
2aのウェーハ保持面の形状は、後述するような曲面形
状となっている。そしてプレート2の上面には、図示を
省略した加圧手段によって、プレート2の上面全域にわ
たって均一に分布するような等分布荷重3が加えられ
る。
平に配設された定盤を指示している。この定盤4は、下
面中央部に取付けられた回転軸5を中心として所定速度
で回転駆動されるようになっている。また、定盤4の上
面は高精度な平面に加工され、その表面には研磨布6が
貼付けられている。この研磨布6は不織布からなり、適
度な粘りと弾力をもった粘弾性体になっている。
ないスラリー供給ノズルが設けられている。そして、こ
のスラリー供給ノズルからは、研磨布6の中央にコロイ
ダルシリカからなるスラリー7がポンプ8によって供給
されるようになっている。なお、符合9はスラリーを受
けるドレン受け、符合10はスラリータンクを指示して
いる。
レート2の下面の各ウェーハ保持部2aにウェーハ1を
貼付けて、これを下方に配設された研磨布6との間で挟
持摺擦して研磨するようになっている。
部2aのウェーハ保持面の表面形状は、図2(a)に示
すように、凸曲面となっている。すなわち、プレート2
の突出部2aの表面形状は、ウェーハ1の研磨の際にプ
レート2の上面に加える荷重3とウェーハ1からプレー
ト2へ作用する反力とによってプレート2が弾性変形し
た状態において、定盤4の表面形状である平面になるよ
うに凸曲面形状になっている。
ウェーハ1を貼付けた時点では、そのウェーハ1は反り
返った状態に保持されることになるが(図2(b)参
照)、研磨にあたりプレート2の上面に荷重3を作用さ
せた状態においては、ウェーハ1は完全な平面に保持さ
れることとなる(図2(c)参照)。別言すれば、ウェ
ーハ保持部2aの周囲を削っておくことで、従来ここで
発生していた高い圧力を打ち消していると見ることもで
きる。こうして、ウェーハ1面内での接触圧力つまり研
磨圧力の分布は完全に均一となるので、ウェーハ1面の
各部分での研磨代も均一となり、研磨後のウェーハ1の
平坦度が大幅に向上する。なお、このとき、ウェーハ1
表面のSiの除去は、機械的作用と化学的作用の複合し
たメカノケミカル作用により行われる。
ものではなく、上記実施形態ではバッチ式で説明した
が、枚葉式にも適用できる。また、上記実施形態では等
分布荷重について説明したが、環状荷重、中心荷重など
他の荷重方法にも適用できる。図3(a)は枚葉式の環
状荷重に適用した例について、また同図(b)は中心荷
重に適用した例について模式的に示すものである。
たが、真空吸着法、ワックスフリー法にも適用できる。
そして、研磨加工に限られず、ラップ加工にも適用でき
る。さらに、Siウェーハの研磨加工を例に説明した
が、本発明は、いかなる薄板の研磨にも適用可能であ
る。
研磨方法によれば、ウェーハ面内の各領域での研磨圧力
が均一となるので、研磨代も均一になり、従来よりも平
坦度の高いウェーハを製造することができる。これによ
り、更なるデバイスの高集積化に対応することが可能と
なる。しかも、プレートが変形することを前提としてお
り、プレートの剛性は低くてよいので、軽量かつ安価に
製作できる。
体構成を模式的に示す正面図である。
面図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 プレートの薄板保持面に薄板を保持し、
前記プレートによって前記薄板を研磨手段に押し付け当
該研磨手段との間で挟持摺擦して研磨するにあたり、前
記プレートとして、前記薄板保持面が形成される薄板保
持部が当該プレートの他の部分から突出し、かつ、前記
薄板の研磨の際にプレートの背面に加える荷重と前記薄
板から当該プレートへ作用する反力とによって当該プレ
ートが弾性変形した状態で、前記薄板保持面が前記研磨
手段の表面形状と相補的形状に変形可能に構成されたプ
レートを用い、このプレートの薄板保持面に前記薄板を
保持することによって研磨を行うようにしたことを特徴
とする薄板の研磨方法。 - 【請求項2】 薄板保持面に薄板を保持するプレート
と、このプレートによって前記薄板が押し付けられ当該
プレートとの間で挟持摺擦して研磨する研磨手段とを備
える、薄板の研磨装置において、前記プレートは、前記
薄板保持面が形成される薄板保持部が当該プレートの他
の部分から突出し、かつ、前記薄板の研磨の際にプレー
トの背面に加える荷重と前記薄板から当該プレートへ作
用する反力とによって当該プレートが弾性変形した状態
で、前記薄板保持面が前記研磨手段の表面形状と相補的
形状に変形可能に構成されていることを特徴とする、薄
板の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18381896A JPH1029156A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 薄板の研磨方法および研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18381896A JPH1029156A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 薄板の研磨方法および研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1029156A true JPH1029156A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16142402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18381896A Pending JPH1029156A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 薄板の研磨方法および研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1029156A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110465883A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-19 | 康佳集团股份有限公司 | 一种led芯片的研磨结构、研磨方法及led芯片 |
CN112757161A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-07 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种抛光载具的修整方法 |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP18381896A patent/JPH1029156A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110465883A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-19 | 康佳集团股份有限公司 | 一种led芯片的研磨结构、研磨方法及led芯片 |
CN110465883B (zh) * | 2019-07-23 | 2021-09-14 | 康佳集团股份有限公司 | 一种led芯片的研磨结构、研磨方法及led芯片 |
CN112757161A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-07 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种抛光载具的修整方法 |
CN112757161B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-19 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种抛光载具的修整方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6352927B2 (en) | Semiconductor wafer and method for fabrication thereof | |
US6764392B2 (en) | Wafer polishing method and wafer polishing device | |
JP2000031099A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
KR20040097982A (ko) | 웨이퍼의 연마방법 및 웨이퍼 연마용 연마 패드 | |
KR102523271B1 (ko) | 연마 패드, 연마 장치 및 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위한 방법 | |
US6004860A (en) | SOI substrate and a method for fabricating the same | |
JP2636383B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JPH1029156A (ja) | 薄板の研磨方法および研磨装置 | |
JP3845215B2 (ja) | 平面研削されたウェーハに対する鏡面研磨方法 | |
JP4103808B2 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
JP4793680B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
US5934981A (en) | Method for polishing thin plate and apparatus for polishing | |
JP2001334458A (ja) | ポリッシング方法 | |
JPH10113859A (ja) | 半導体ウエハの化学的機械的研磨方法 | |
JP2009208199A (ja) | テンプレートの製造方法およびこのテンプレートを用いた研磨方法 | |
JPH08274050A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
JPH11170169A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法およびその装置 | |
JPH09234666A (ja) | 薄板の研磨加工用のプレートおよびその製造方法 | |
JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
US6638146B2 (en) | Retention plate for polishing semiconductor substrate | |
JPH1131670A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JPH1029152A (ja) | 薄板の研磨装置および研磨方法 | |
KR20110037662A (ko) | 템플레이트 어셈블리 및 그 제조방법 | |
JP2001102340A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2671857B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050125 |