JPH10290920A - 高耐食排気体分解装置および半導体製造装置 - Google Patents
高耐食排気体分解装置および半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10290920A JPH10290920A JP9104218A JP10421897A JPH10290920A JP H10290920 A JPH10290920 A JP H10290920A JP 9104218 A JP9104218 A JP 9104218A JP 10421897 A JP10421897 A JP 10421897A JP H10290920 A JPH10290920 A JP H10290920A
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- JP
- Japan
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- exhaust
- gas
- acid
- semiconductor manufacturing
- corrosion
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】排気装置を使用した際のシステム全体の信頼性
を著しく向上させる。 【解決手段】排気系を有する半導体製造装置において、
ＣＯＤなどの加熱型排気分解装置において、前記半導体
製造装置からの酸排気とＣＶＤガス等に含まれるアンモ
ニアなどの塩基性ガスを混合・中和する事により、前記
酸排気の腐食性を著しく低減することを特徴とする半導
体製造装置。
を著しく向上させる。 【解決手段】排気系を有する半導体製造装置において、
ＣＯＤなどの加熱型排気分解装置において、前記半導体
製造装置からの酸排気とＣＶＤガス等に含まれるアンモ
ニアなどの塩基性ガスを混合・中和する事により、前記
酸排気の腐食性を著しく低減することを特徴とする半導
体製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、腐食性の排気が発
生する、半導体産業排気のＣＯＤなどの過熱型排気熱分
解装置などを使用する産業プラント排気系などの高信頼
化に関する。
生する、半導体産業排気のＣＯＤなどの過熱型排気熱分
解装置などを使用する産業プラント排気系などの高信頼
化に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プラントの排気系では、ＣＯ
Ｄなどの加熱型排気分解装置を用いて、発生したＳｉＨ
4，ＷＦ6，Ｈ2，ＮＨ3，ＣｌＦ3 などのガスを分解後排
出する。その結果、ＨＣｌ，ＨＦなどの腐食性のガスが
発生する。これに類似したシステムに、フロンの分解装
置があるが、これは使用済みのフロンを高温で、プラズ
マあるいは触媒、あるいはロータリーキルン等により、
燃焼・分解するもので、分解生成ガスとして、ＨＣｌ，
ＨＦ，ＣＯ2 などが発生する。これらの装置では、分解
後のガスが通る配管の材料の腐食が問題となる。これら
の技術は、例えば、フロン分解装置に関しては、特願平
7−147094 号に詳述されている。
Ｄなどの加熱型排気分解装置を用いて、発生したＳｉＨ
4，ＷＦ6，Ｈ2，ＮＨ3，ＣｌＦ3 などのガスを分解後排
出する。その結果、ＨＣｌ，ＨＦなどの腐食性のガスが
発生する。これに類似したシステムに、フロンの分解装
置があるが、これは使用済みのフロンを高温で、プラズ
マあるいは触媒、あるいはロータリーキルン等により、
燃焼・分解するもので、分解生成ガスとして、ＨＣｌ，
ＨＦ，ＣＯ2 などが発生する。これらの装置では、分解
後のガスが通る配管の材料の腐食が問題となる。これら
の技術は、例えば、フロン分解装置に関しては、特願平
7−147094 号に詳述されている。
【０００３】半導体製造装置の排気系統の材料は、ステ
ンレス鋼，亜鉛鋼板などが用いられてきたが、これらの
鋼板の腐食が最近問題となってきた。
ンレス鋼，亜鉛鋼板などが用いられてきたが、これらの
鋼板の腐食が最近問題となってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれら装置の
材料を、構造を考慮しながら、かつ、環境をよりマイル
ドな条件にすることによって、これらの排気装置を使用
した際のシステム全体の信頼性を著しく向上させること
を目的とする。
材料を、構造を考慮しながら、かつ、環境をよりマイル
ドな条件にすることによって、これらの排気装置を使用
した際のシステム全体の信頼性を著しく向上させること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本課題を解決するため
に、本発明では次の三つの手段を用いる。
に、本発明では次の三つの手段を用いる。
【０００６】 中和、または除湿による排気環境の緩
和 (a）ＣＶＤ排気(ＮＨ4ＯＨが主成分）(a）ＮａＯＨやＣ
ａ(ＯＨ)2，ＮＨ4ＯＨなどのアルカリ通気による中和
(b）イオン交換樹脂，イオン交換繊維などに通気してイ
オン交換による中和によって、排気中のＨＣｌ，ＨＦ等
を除去する。あるいは、除湿により、ＨＣｌ，ＨＦを乾
燥蒸気として排出し、ダクト部の腐食を防止する。
和 (a）ＣＶＤ排気(ＮＨ4ＯＨが主成分）(a）ＮａＯＨやＣ
ａ(ＯＨ)2，ＮＨ4ＯＨなどのアルカリ通気による中和
(b）イオン交換樹脂，イオン交換繊維などに通気してイ
オン交換による中和によって、排気中のＨＣｌ，ＨＦ等
を除去する。あるいは、除湿により、ＨＣｌ，ＨＦを乾
燥蒸気として排出し、ダクト部の腐食を防止する。
【０００７】 構成材料の選択による腐食性軽減 排気が塩酸およびフッ酸を含む場合で、この排気と接触
する部位の材料として、モネル，インコネル，ハステロ
イ，銅などを選択する。あるいは材料の表面に、テフロ
ンコーティング，ポリエチレン，エポキシのような有機
物コーティングを施した材料を用いる。
する部位の材料として、モネル，インコネル，ハステロ
イ，銅などを選択する。あるいは材料の表面に、テフロ
ンコーティング，ポリエチレン，エポキシのような有機
物コーティングを施した材料を用いる。
【０００８】 排気排出部の構造による、液だまり防
止，隙間腐食防止 排気排出部の構造をつなぎ目の少ない構造，水のたまり
やすい部分に隙間のない構造とする。
止，隙間腐食防止 排気排出部の構造をつなぎ目の少ない構造，水のたまり
やすい部分に隙間のない構造とする。
【０００９】以上の三つの手段の組み合わせによって、
高信頼性の排気装置が実現できる。本発明の作用は次の
通りである。まず、中和、または除湿による排気環境
の緩和によって、排気中に含まれる酸または水分が除去
され、排気の腐食性が著しく低減される。次に、構成
材料の選択による腐食性軽減策により、材料自身の腐食
性が低減する。更に排気排出部の構造による、液だま
り防止，隙間腐食防止によって、たとえ材料が腐食して
も、腐食が進行しにくい構造となり、機器・系統の腐食
進行が低減できる。
高信頼性の排気装置が実現できる。本発明の作用は次の
通りである。まず、中和、または除湿による排気環境
の緩和によって、排気中に含まれる酸または水分が除去
され、排気の腐食性が著しく低減される。次に、構成
材料の選択による腐食性軽減策により、材料自身の腐食
性が低減する。更に排気排出部の構造による、液だま
り防止，隙間腐食防止によって、たとえ材料が腐食して
も、腐食が進行しにくい構造となり、機器・系統の腐食
進行が低減できる。
【００１０】
（実施例１）次に本発明の一実施例を述べる。排気にＳ
iＨ4，ＷＦ6，Ｈ2，ＮＨ3，ＣｌＦ3，ＣＦ2Ｃｌ2などを
含む設備がある。この設備の構成を図１に示す。この設
備のスクラバ，ダクトの腐食が大きいので、次のような
対策を施した。まず、スクラバ直後に、イオン交換繊維
による中和カラムを設け、排気ダクトの構造を継ぎ目な
し構造にし、しかも、排気ダクトの材料を対フッ酸性の
良好なモネルにした。構造・材料変更前と変更後のダク
ト構造を図２に示す。また、中和カラム設置前と、設置
後の排気中のＨＣｌ，ＨＦの濃度の変化を図３に示す。
この表から、この腐食対策により、排気中のフッ酸濃度
が約１／２０に低減できたことが分かる。対策前と対策
後に、腐食センサをダクト内に設け腐食速度を測定し
た。その変化を図４に示す。
iＨ4，ＷＦ6，Ｈ2，ＮＨ3，ＣｌＦ3，ＣＦ2Ｃｌ2などを
含む設備がある。この設備の構成を図１に示す。この設
備のスクラバ，ダクトの腐食が大きいので、次のような
対策を施した。まず、スクラバ直後に、イオン交換繊維
による中和カラムを設け、排気ダクトの構造を継ぎ目な
し構造にし、しかも、排気ダクトの材料を対フッ酸性の
良好なモネルにした。構造・材料変更前と変更後のダク
ト構造を図２に示す。また、中和カラム設置前と、設置
後の排気中のＨＣｌ，ＨＦの濃度の変化を図３に示す。
この表から、この腐食対策により、排気中のフッ酸濃度
が約１／２０に低減できたことが分かる。対策前と対策
後に、腐食センサをダクト内に設け腐食速度を測定し
た。その変化を図４に示す。
【００１１】以上より、本発明の腐食対策により、本排
気系の腐食は著しく低減でき、信頼性を確保することが
可能となった。
気系の腐食は著しく低減でき、信頼性を確保することが
可能となった。
【００１２】（実施例２）実施例１に示したものと同じ
半導体の排気設備で、スクラバ，ダクトの腐食が大きい
ので、次のような対策を施した。まず、スクラバ直後に
排気ダクトの構造を継ぎ目なし構造にし、しかも、排気
ダクトの材料を対フッ酸性の良好な、モネルにした。次
に、ＣＶＤ排気系から、アンモニアを含む、塩基性ガス
をこのスクラバ直後の酸排気と混合した。混合後のガス
は常時ｐＨ計でモニタし、中性または弱アルカリ性（ｐ
Ｈ７〜８）になるように調整した。しかし、別の系統で
は、流量の関係上、酸排気が、酸性となったので、これ
に実施例１と同様のイオン交換繊維による中和カラムを
設け排気中の酸を除去した。中和装置設置前に、設置後
の排気中のＨＣｌ，ＨＦの濃度の変化を図５に示す。こ
の表から、この腐食対策により、排気中のフッ酸濃度が
約１／１５に低減できたことが分かる。対策前と、対策
後に、腐食センサをダクト内に設け腐食速度を測定し
た。その変化を図６に示す。
半導体の排気設備で、スクラバ，ダクトの腐食が大きい
ので、次のような対策を施した。まず、スクラバ直後に
排気ダクトの構造を継ぎ目なし構造にし、しかも、排気
ダクトの材料を対フッ酸性の良好な、モネルにした。次
に、ＣＶＤ排気系から、アンモニアを含む、塩基性ガス
をこのスクラバ直後の酸排気と混合した。混合後のガス
は常時ｐＨ計でモニタし、中性または弱アルカリ性（ｐ
Ｈ７〜８）になるように調整した。しかし、別の系統で
は、流量の関係上、酸排気が、酸性となったので、これ
に実施例１と同様のイオン交換繊維による中和カラムを
設け排気中の酸を除去した。中和装置設置前に、設置後
の排気中のＨＣｌ，ＨＦの濃度の変化を図５に示す。こ
の表から、この腐食対策により、排気中のフッ酸濃度が
約１／１５に低減できたことが分かる。対策前と、対策
後に、腐食センサをダクト内に設け腐食速度を測定し
た。その変化を図６に示す。
【００１３】
【発明の効果】本発明の腐食対策により、本排気系の腐
食は著しく低減でき、信頼性を確保することが可能とな
った。
食は著しく低減でき、信頼性を確保することが可能とな
った。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体製造装置の排気
の系統図。
の系統図。
【図２】構造変更前と構造変更後のダクトの断面図。
【図３】中和カラム設置前と設置後の排気中の酸濃度の
時間変化の特性図。
時間変化の特性図。
【図４】構造変更前と構造変更後のダクトの特性図。
【図５】構造変更前と構造変更後のダクトの特性図。
【図６】構造変更前と構造変更後のダクトの特性図。
１…半導体製造装置、２…プロセス排気、３…ポンプ、
４…可燃排気ダクト、５…支燃排気ダクト、６…ＣＤ
Ｏ、７…スクラバ。
４…可燃排気ダクト、５…支燃排気ダクト、６…ＣＤ
Ｏ、７…スクラバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 入江 一芳 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内
Claims (6)
- 【請求項１】排気系を有する半導体製造装置において、
ＣＯＤなどの加熱型排気分解装置において、前記半導体
製造装置からの酸排気とＣＶＤガス等に含まれるアンモ
ニアなどの塩基性ガスを混合・中和する事により、前記
酸排気の腐食性を著しく低減することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】請求項１において、該排気排出部の構造を
つなぎ目の少ない構造、水のたまりやすい部分に隙間の
ない構造とすること、あるいは、構成材料を、該排気に
対して、腐食性の小さい材料とする排気系の構造。 - 【請求項３】請求項１において、該酸排気ならびに塩基
性排気のｐＨを連続してモニタし、その混合比率をこれ
らｐＨによって変化させ、中和を完全に行う高耐食排気
系。 - 【請求項４】請求項１において、該酸排気が該塩基性ガ
スによって十分に中和されない場合には、ＮａＯＨや
Ｃａ（ＯＨ)2，ＮＨ4ＯＨ などのアルカリ通気による中
和イオン交換樹脂，イオン交換繊維などに通気してイ
オン交換による中和によって、排気中のＨＣｌ，ＨＦな
どの腐食性の気体を完全に除去することにより、腐食性
を低減させる排気系の構造。 - 【請求項５】請求項１の前記排気排出部の材料として、
排気が、塩酸およびフッ酸を含む場合において、この排
気と接触する部位の材料として、モネル，インコネル，
ハステロイ，銅である高耐食気体分解装置。 - 【請求項６】請求項１の前記排気排出部の材料として、
排気が、塩酸およびフッ酸を含む場合に、材料の表面
に、テフロン（登録商標）コーティング，ポリエチレ
ン，エポキシのような有機物コーティングをする高耐食
気体分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104218A JPH10290920A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 高耐食排気体分解装置および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104218A JPH10290920A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 高耐食排気体分解装置および半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10290920A true JPH10290920A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14374828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104218A Pending JPH10290920A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 高耐食排気体分解装置および半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10290920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000074125A1 (fr) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Applied Materials, Inc. | Appareil pour la fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
| SG111184A1 (en) * | 2003-05-30 | 2005-05-30 | Ebara Corp | Method, reagent and apparatus for treating emissions containing chlorine trifluoride and other inorganic halogenated gases |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104218A patent/JPH10290920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000074125A1 (fr) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Applied Materials, Inc. | Appareil pour la fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
| SG111184A1 (en) * | 2003-05-30 | 2005-05-30 | Ebara Corp | Method, reagent and apparatus for treating emissions containing chlorine trifluoride and other inorganic halogenated gases |
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