JPH10290052A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH10290052A JPH10290052A JP11028497A JP11028497A JPH10290052A JP H10290052 A JPH10290052 A JP H10290052A JP 11028497 A JP11028497 A JP 11028497A JP 11028497 A JP11028497 A JP 11028497A JP H10290052 A JPH10290052 A JP H10290052A
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Abstract
て、小型化を図り、組み立ての際に発生する熱応力歪に
よる半導体レーザ装置の特性変動あるいは破損が生じる
のを防ぐ半導体レーザ装置の提供。 【解決手段】利得を有する導波路24を、Y分岐導波路
と曲線導波路および直線導波路で構成し、少なくとも1
つのHR端面21を用いることにより半導体レーザ素子
内で利得を有する導波路24を折り返す構造とする。こ
れにより、実際の半導体レーザ装置の共振器長の約2倍
の利得を有する導波路長を得て、長い利得を有する導波
路長が必要となる高出力レーザにおいても半導体レーザ
装置を小型化することができるため、組み立ての際の熱
応力歪による特性変動、チップの破損を防ぐことができ
る。
Description
に関し、特に、光通信、光計測用光源、ファイバアンプ
や固体レーザの励起用光源及び情報処理などに用いて好
適とされる高出力半導体レーザ装置に関する。
て、例えば下記に記載のものが挙げられる。 (1)特開平4−136824号公報。 (2)伊賀健一著、「半導体レーザ」、オーム社、平成
6年10月25日発行、第242〜247頁。
体レーザ装置は、長共振器化し、注入電流密度を下げ、
発熱を抑え、さらに共振器の端面の反射率を非対称化し
た場合、高電流注入時に高い光出力が得られることか
ら、スペクトル形状よりも光出力が重要になる用途に用
いられている。
を用いたファブリ・ペロー共振器型半導体レーザ装置
は、コンバータの破断点検出に用いるOTDR(Opt
ical Time Domain Reflecto
meter)用に150mW以上の光出力の1.3/
1.55μm帯高出力レーザとして用いられ、また、
1.48μm帯高出力レーザは、光ファイバアンプの励
起用光源として、近年の光ファイバ通信の大容量化、長
距離化により、注目を集めている。
は、たとえば上記文献(2)(平成6年10月25日発
行、「半導体レーザ」、第242〜247頁)に記載さ
れているように、活性領域を有するメサストライプは、
1本の直線導波路の単一ストライプ構造のため半導体レ
ーザ装置を大型化することによって長共振器化し、共振
器端面の反射率を非対称化した形態をとっている。
の構成を説明するための斜視図である。図7に示すよう
に、導波路は、単一ストライプ構造で長共振器構造をと
り、一方の端面が低反射膜(AR膜:Anti−Ref
lection coating)21で、もう一方の
端面が高反射膜(HR膜:High Reflecti
on coating)22で形成され、両端面の反射
率は非対称化されている。
は、n型InP基板11上にInPからなるn型クラッ
ド層12、InGaAsPからなる活性層13、および
InPからなるp型クラッド層を、たとえば有機金属気
相成長法(MOVPE)により積層する。
溝23をウェットエッチングすることにより形成し、活
性層13の上下にクラッド層12、14を有する単一ス
トライプ構造を形成する。
が成長しなというLPE成長(Liquid Phase Epitaxi
al growth)の特徴を利用し、ストライプ上面を除い
て、p型InPからなる電流ブロック層15、さらに、
n型InPからなる電流ブロック層16、およびp型I
nPからなる埋め込み層17、電極とのオーミックコン
タクトをとるためのp型InGaAsからなるオーミッ
クコンタクト層18を形成し、電流ブロック層を有する
埋め込み型半導体レーザ共振器が形成される。
20を形成し、p型オーミックコンタクト層18上には
金属電極19を形成する。
の一方に、高反射膜22を形成する。
2またはSiNからなる低反射膜21を形成し、以上に
より半導体レーザ装置500が構成される。
オーミックコンタクト層18、p型埋め込み層17を通
してp型クラッド層12とn型クラッド層14の間の活
性層13に供給され、レーザビームの増幅を行う活性媒
質を形成する。この活性媒質内に発生したレーザビーム
光は、半導体レーザ装置500の導波路層を利得を得な
がら導波され、光は、やがて一方の共振器端面に達す
る。一方の共振器端面には高反射膜22が形成されてお
り、これにより光が反射、帰還され、再度、導波路を利
得を得ながら導波される。もう一方の端面には低反射膜
21が形成されており、光は毎往復ごとに、その一部
が、低反射膜21から増幅された高い光出力のレーザビ
ーム光として外部に放出される。
0の1本の直線導波路の単一ストライプ中を折り返す構
造とすると、半導体レーザ装置500の共振器長Lに対
し、利得を有する導波路層の長さはLとなる。
るには、半導体レーザ装置の共振器長Lを長くして充分
な増幅利得を得るという手段が講じられる。そして、こ
の共振器長Lを長くするということは、注入電流密度を
下げ、電流注入に伴う発熱を抑制し、熱抵抗が下がるた
め、発熱した熱量を速やかに熱吸収体に逃すという利点
もある。
ザ装置は、900〜1200μm程度の長さになってお
り、通常の半導体レーザ装置の共振器長である200μ
m〜300μmの3倍以上の長さとなっている、という
のが現状である。
体レーザではないが、半導体増幅器における対策とし
て、例えば上記文献(1)として掲げた特開平4−13
6824号公報には、V分岐を用いる構成が提案されて
いる。
4号公報には、半導体基体内にこれの一方の端面から他
方の端面まで形成され、前記一方の端面からの光の供給
を受けてこの光を増幅させる機能を持つ第1の光導波路
と、前記半導体基体の他方端面に形成され、前記第1の
光導波路に供給された光を反射させる反射手段と、前記
半導体基体内にこれの一方端面から他方端面まで形成さ
れ、前記反射手段により反射された光の供給を受けてこ
の光を増幅させる機能を持つ第2の光導波路と、を具備
する半導体レーザ増幅器が提案されている。そして、前
記一方端面の反射率R1を、好ましくは、 R1≦10-4 とし、前記他方端面に形成された反射手段の反射率R2
を、 0.3≦R2≦1.0 とし、前記両端面の反射率の積R1×R2を、 R1×R2≦10-4 としている。
される半導体レーザ増幅器は、半導体レーザ増幅器内
に、一方端面から他方端面まで形成され、光を増幅させ
る機能を持つ第1、第2の光導波路を備え、さらに反射
手段により、第1の光導波路を導波してきた光を反射さ
せて、第2の光導波路を導波させ、これにより、光を増
幅させる機能を持つ光導波路層の長さを、共振器長の約
2倍とることができ、短い共振器で大きい増幅利得が得
られる、というものである。
報において実施例として記載されている半導体レーザ増
幅器をの構成を示す斜視図である。図8に示されるよう
に、n型InP基板11上には、光導波路層を構成する
活性層13、p型InPクラッド層14、p型InGa
AsPオーミックコンタクト層18が平面から見てV字
型に形成されている。
ーミックコンタクト層18の側部には、電流および光の
狭窄を行うためのp型InP埋め込み層15が形成され
ており、埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ増幅器50
1が構成される。
れ電極19、20が形成されている。これら電極19、
20からの電流注入により、光導波路層は光増幅利得を
発生する。
射膜21が形成され、他方端面には高反射膜22が形成
されている。低反射膜21は、光導波路層端面での反射
率が10-4のオーダかそれ以下に調整され、また、高反
射膜22は、その反射率が0.3〜1.0の範囲に設定
されている。そして、これらの反射率の積が10-4のオ
ーダかそれ以下となるように調整することにより、レー
ザ発振を抑止し、レーザ増幅器501が進行波型のレー
ザ増幅器として動作するようになる。
10-4であるため、増幅利得は得られるが、レーザ発振
はし得ない、という問題があり、半導体レーザ装置とし
ては動作しない。
レーザ発振が可能な従来の高出力半導体レーザ装置は、
共振器長が長い、というのが現状である。
て、半導体レーザ装置の組み立ての際に発生する熱によ
り半導体レーザ装置の大きさから熱応力が大きくなると
いう、ことがある。この問題点について以下に詳説す
る。
における発熱を拡散することを目的として、熱伝導率の
大きい熱吸収体(ヒートシンク)を、半導体レーザ共振
器に融着材(ソルダ)を用いて固定しているが、この
際、チップの材質とヒートシンクおよび融着材の材質間
における線熱膨張係数の差により、半導体レーザチップ
に応力が加わる。
ザ結晶に加わったまま通電すると、結晶表面の弱い部分
から転位が導入され、活性層に到達した後に、伸長す
る。これが原因で特性劣化が生じる、という問題があ
る。
冷却が原因で強い応力が発生し、半導体レーザ装置の破
損が生じることがある。特に、半導体レーザ結晶とヒー
トシンク材間における線熱膨張係数の差が顕著で、半導
体レーザ装置の方が大きい場合、この影響は顕著とな
る。
る。
に、単一ストライプ構造の高出力半導体レーザ装置の場
合、半導体レーザ装置の共振器長を長くする必要がある
ために、半導体レーザチップが大きくなる。このため、
1ウェハ当たりのチップの収量が少なくなり、コストの
上昇につながる。
解消するためになされたものであって、その目的は、高
出力半導体レーザ装置において、共振器長を短くでき、
且つ、組み立ての際の加熱、冷却等による特性劣化およ
び破損を防ぐことができる半導体レーザ装置を提供する
ことにある。
小型化し、1ウェハ当たりのチップの収量を増し、低コ
ストを図り、これにより生産性を向上する半導体レーザ
装置を提供することにある。
め、本願第1発明の半導体レーザ装置は、電流注入によ
って発振させる半導体レーザ装置において、利得を有す
る導波路が、少なくとも1つのY分岐導波路、曲線導波
路および直線導波路から構成され、光出射端面には低反
射膜を備え、それ以外の端面には反射機構を備えている
ことを特徴とする。
体レーザ装置において、前記反射機構が誘導体多層膜か
らなる、ことを特徴とする。
体レーザ装置において、前記反射機構が、回折格子によ
るブラッグ反射である、ことを特徴とする。
に説明する。本発明の半導体レーザ装置は、その好まし
い実施の形態において、利得を有する導波路を、少なく
とも1つのY分岐導波路、曲線および直線導波路から構
成し、光出射端面は、低反射膜を備え、それ以外の端面
には、誘電体多層膜からなる反射機構、あるいは回折格
子によるブラッグ反射を利用するようにしたものであ
る。
て、光出射側の端面において一方の分岐側には低反射膜
を備え、他方の分岐側に反射機構を備え、光出射側端面
と対向する他方端面に高反射膜を備えている。
側の端面において、一方の分岐側には光出射用に低反射
膜を、他方の分岐側に高反射膜をそれぞれ備えたことを
特徴とする。
路の一方の分岐に回折格子を備え、光出射側の端面には
低反射膜のみを備える。
体レーザ装置は、その実施の形態において、光を増幅さ
せる機能をもつ利得を有する導波路の長さを、共振器長
の約2倍とることができ、短い共振器長で大きい増幅利
得が得られる。
き、ヒートシンクへの組み立ての際の加熱、冷却による
各材料間の線熱膨張係数差が原因で発生する熱応力を小
さく抑えられ、半導体レーザ装置の特性劣化および破損
を抑制することができる。
ができるため、生産性が向上する。
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例の構成を示
す斜視図であり、図2は、図1における矢線で示すA面
で切断した平面を示す図である。図1及び図2におい
て、11はn型InP基板、12はn型InPクラッド
層、13は多重量子井戸構造からなる活性層、14はp
型InPクラッド層、15はp型InP電流ブロック
層、16はn型InP電流ブロック層、17はp型In
P埋め込み層、18はp型オーミックコンタクト層、1
9はp型オーミック電極、20はn型電極、21は低反
射膜(AR膜)、22は高反射膜(HR膜)、23はメ
サストライプ、24は利得を有する導波路をそれぞれ示
している。
実施例の製造方法について以下に説明する。(001)
面方位のn型InP基板11上に、曲線導波路部と分岐
導波路部及びテーパー導波路部を形成するために、マス
クを用いて成長抑止部分に酸化膜でパターニングを施し
ておく。
を用い選択成長によりn型InPクラッド層12、多重
量子井戸(multiple quantum well;MQW)からな
る活性層13、およびp型InPクラッド層14を積層
することによって、図1、および図2に示すようなY分
岐導波路部を有するメサストライプ23を形成する。
長1.50μmのInGaAsPに0.45%の圧縮歪
を導入したものをウェル層とし、その厚さは3.85n
mとし、ウェル層数は5層とした。バリア層は、組成波
長1.20μmのInGaAsPで厚さは7nm、ガイ
ド層は、組成波長1.13μmのInGaAsPで厚さ
は330nmとした2段SCH構造(separate confin
ement heterostructure;分離型閉じ込め構造)とし
た。
平面図である。図3を参照すると、Y分岐導波路部は、
直線導波路部分34、曲線導波路部分33、分岐部分3
2およびテーパ導波路31から構成されており、その成
長阻止マスク幅Wは、選択成長の際に、活性層のウェル
の厚さに依存するゲインが等しくなるようにそれぞれの
部位で調節した。
岐の分岐角2θは2.5°とし、端面から分岐部までの
長さは30μmとし、テーパ導波路31で高反射膜側の
端面に達する形とした。また、Y分岐導波路と直線導波
路部分34との結合には、曲線導波路32を、Y分岐の
分岐側の出射面の間隔35が100μmになるように曲
率半径を設定した。
m、共振器方向の長さは650μmとした。
説明すると、つづいて、電流ブロック構造を得るため
に、上記のストライプ上に、セルフアラインプロセスに
より酸化膜を形成し、p型InPブロック層15、n型
InP電流ブロック層16をメサストライプ23の上部
を除く部位に成長させて積層させる。
nP埋め込み層17、p型InGaAsPオーミックコ
ンタクト層18を積層させ、選択成長埋め込み構造を形
成する。
20を形成するp型オーミックコンタクト層18上に金
属電極19を形成する。
で、Y分岐導波路の分岐前の端面には高反射膜22を形
成する。この高反射膜22としては、SiO2/アモル
ファスSi/SiO2/アモルファスSi/SiO2の5
相構造を用いることにより、反射率は90%以上が得ら
れる。
(窒化シリコン)からなるλ/4膜をつけた後、図4に
示すようなマスクを用いて、端面の全体の片側のみに、
アモルファスSi/SiN/アモルファスSi/SiN
を多層することによって、端面の片側の反射率が4%以
下の低反射膜21のAR膜(図1の手前の端面の左側)
で、他側がSiN/アモルファスSi/SiN/アモル
ファスSi/SiNの5層構造となり反射率90%の高
反射膜22のHR膜が形成される(図1の手前の端面の
右側)。
いて説明する。電極19から供給されたキャリヤはオー
ミックコンタクト層18、p型埋め込み層17、p型ク
ラッド層14を通して活性層13に注入され活性媒質を
形成する。この活性媒質内に発生したレーザビームは半
導体素子100の一方の端面に設けられた高反射膜22
により反射され、そのほとんどが活性媒質内に帰還さ
れ、Y分岐導波路部によって、他方端面の低反射膜側2
1および高反射膜側22にもどる。他方端面の高反射膜
22側へ入射した光はそのほとんどが再び活性媒質内に
戻り、再度増幅される。
よび直線導波路からなる利得を有する導波路を光が往復
する間に増幅が繰り返される。この増幅された光の一部
が低反射膜21側より外部へ放出される。
た従来技術のように、分岐された側の反射率をARのみ
とした場合、AR側の反射率Rfを小さくした場合に
は、レーザ発振に必要な利得が大きくなるため発振閾値
電流は大きくなり、発振には至らないが、本発明におい
ては、分岐後の一方の導波路端にHR膜を備えているの
で、ARの反射率Rfを0.1%以下にしても、HR側
の反射率Rrが高いため発振閾値の上昇は少なく、発振
することがわかる。
施例の半導体レーザ装置を実験的に評価したところ、室
温CW、大電流注入時において、直線導波路で共振器長
1200μmの素子と比較したところ、500mAで1
50mWとほぼ同出力であった。また、小型化したこと
で、組み立ての際のストレスが半減し、歩留りも約2倍
に向上した。
について図面を参照して説明する。図5は、第2の実施
例の半導体レーザ装置の斜視図である。図6は、図5に
おいて矢線で定まるA面で切断した面の上面図である。
図5及び図6において、図1及び図2と同一の要素には
同一の参照番号が付されている。
においては、分岐後の利得を有する導波路の一方に回折
格子60を形成することにより、分岐後の反射端面がA
Rであっても、光が再び利得を有する導波路に帰還され
るため、分岐後の端面反射膜は、AR膜21のみで良い
というメリット(利点)がある。
るために、単色性の良いスペクトルが得られるというメ
リットもある。
P基板11上に、分岐した一方の部分のみ回折格子を形
成する。
ーパー導波路部を形成するために、マスクを用いて成長
抑止部分に酸化膜でパターニングを施しておく。
用い選択成長によりn型InGaAsPガイド層25、
多重量子井戸(MQW)からなる活性層13、およびp
型InPクラッド層14を積層することによって一方に
回折格子を有するY分岐メサストライプを形成する。
により格子整合時の組成波長1.55μmのInGaA
sPに1.0%の圧縮歪を導入し、厚さを4.1nmと
したものをウェル層とし、ウェル層は4層とする。バリ
アは厚さ10.0nm、組成波長1.20μmのInG
aAsPとした。
じとする。半導体レーザ装置の幅は300μm、共振器
方向の長さは450μmとした。
の実施例と同じ構造とする。共振器端面は、Y分岐導波
路の分岐前の端面には高反射膜22を形成する。この高
反射膜22としては、SiO2/アモルファスSi/S
iO2/アモルファスSiO2/SiO2の5層構造を用
いることにより、反射率は90%以上が得られる。ま
た、もう一方の端面は全体にSiNからなるλ/4膜を
つけて、4%以下の低反射膜21のAR膜を形成する。
施例の半導体レーザ装置を実験的に評価したところ、室
温CWにおいて発振閾値20mA、スロープ効率0.2
5W/A、約270mAの駆動電流で、60mWの光出
力が得られた。また、60mA出力時のスペクトルはS
MSRが30dB以上ある単色性の良いスペクトルであ
った。また、1ウェハ当たりのチップの収量が約2倍に
アップした。
記記載の効果を奏する。
長さが、半導体レーザ装置の長さよりも長くとれる、と
いうことである。
に寄与する利得を有する導波路長は半導体レーザ装置の
共振器長と同じであったが、本発明によれば、半導体レ
ーザ装置の共振器長の約2倍の利得を有する導波路長が
得られ、半導体レーザ装置を小型化することができる。
際、熱による応力を小さく抑えることができ、この応力
に起因する素子劣化、チップ破損を抑止することができ
るようになる。
ヒートシンクとの接触面積が小さく抑えられるためであ
る。このため、本発明によれば、材料間に多少の線熱膨
張係数の違いがある場合でも熱ストレスを低減すること
ができる。
上し、低コストの半導体レーザを提供することができ
る、ということである。
イズ(チップ面積)を縮減したことで1チップの体積が
減少し、1ウェハ当たりのチップ収量が増すためであ
る。
成を示す斜視図である。
る。
り、一方の端面にAR膜、HR膜両方を実現するための
マスクを示す図である。
成を示す斜視図である。
る。
視図である。
図である。
Claims (8)
- 【請求項1】電流注入によって発振させる半導体レーザ
装置において、 利得を有する導波路が、少なくとも1つのY分岐導波
路、曲線導波路および直線導波路から構成され、 光出射側の端面において一方の分岐側には低反射膜を備
え、 他方の分岐側に反射機構を備え、 前記光出射側端面と対向する他方端面に高反射膜を備え
ていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】前記光出射側の端面において、一方の分岐
側には光出射用に低反射膜を、他方の分岐側に高反射膜
をそれぞれ備えたことを特徴とする請求項1記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項3】前記Y分岐導波路の一方の分岐に回折格子
を備え、 前記光出射側の端面には低反射膜のみを備えたことを特
徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項4】前記反射機構が誘電体多層膜からなる、こ
とを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項5】前記反射機構が、回折格子によるブラッグ
反射である、ことを特徴とする請求項1記載の半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項6】電流注入によって発振させる半導体レーザ
装置において、 利得を有する導波路が、少なくとも1つのY分岐導波
路、曲線導波路および直線導波路から構成され、 光出射端面には低反射膜を備え、 それ以外の端面には反射機構を備えていることを特徴と
する半導体レーザ装置。 - 【請求項7】前記反射機構が、誘導体多層膜からなる、
ことを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項8】電流注入によって発振させる半導体レーザ
装置において、 利得を有する導波路が、少なくとも1つのY分岐導波
路、曲線導波路および直線導波路から構成され、 光出射端面には低反射膜を備え、 一方の分岐の前記直線導波路部には、回折格子によるブ
ラッグ反射である反射機構を備えていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。
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JP11028497A JP2967757B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004537767A (ja) * | 2001-08-03 | 2004-12-16 | ナノグラム・コーポレイション | ポリマー‐無機粒子ブレンドを一体化させる構造体 |
JP2008197500A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Nec Corp | 光モジュール |
CN101938083A (zh) * | 2010-07-14 | 2011-01-05 | 中国科学院半导体研究所 | 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 |
US8094696B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
JP2012060158A (ja) * | 2011-12-05 | 2012-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
-
1997
- 1997-04-11 JP JP11028497A patent/JP2967757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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