JPH05102613A - 多波長半導体レーザ装置 - Google Patents
多波長半導体レーザ装置Info
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- JPH05102613A JPH05102613A JP3261992A JP26199291A JPH05102613A JP H05102613 A JPH05102613 A JP H05102613A JP 3261992 A JP3261992 A JP 3261992A JP 26199291 A JP26199291 A JP 26199291A JP H05102613 A JPH05102613 A JP H05102613A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの信頼性を低下させる熱処理工
程を用いず、複数の活性領域で発光波長の異なる多波長
半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 量子井戸構造の活性層１３からなる複数の活
性領域を持つ半導体レーザ装置において、前記複数の活
性領域１６、１７は光学的利得の制御による互いに異な
る電子遷移エネルギー量子準位を持つ。光学的利得の制
御は、レーザの端面により形成される共振器の長さを調
整すること、または光の出射損失をレーザの端面に形成
した反射膜における反射率を調整することにより行う。
程を用いず、複数の活性領域で発光波長の異なる多波長
半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 量子井戸構造の活性層１３からなる複数の活
性領域を持つ半導体レーザ装置において、前記複数の活
性領域１６、１７は光学的利得の制御による互いに異な
る電子遷移エネルギー量子準位を持つ。光学的利得の制
御は、レーザの端面により形成される共振器の長さを調
整すること、または光の出射損失をレーザの端面に形成
した反射膜における反射率を調整することにより行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、波長多重を用いた光
通信において波長の異なる複数の光ビームを出射する半
導体レーザ装置に関する。
通信において波長の異なる複数の光ビームを出射する半
導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多波長レーザとして図１０に示す
ような混晶化による多波長半導体レーザが提案されてい
る。図１０に示すレーザの構造では、ＧａＡｓ基板上３
１に１μｍのｎ型ＳｉドープＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッ
ド層３２、五層のＧａＡｓ／Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井
戸層３３、０．８μｍのｐ型ＢｅドープＡｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層３４、０．１μｍのｐ型ＢｅドープＧａ
Ａｓキャップ層３５、０．１μｍのＳｉＮｘ層３６、ｐ
型オーミック電極３７およびｎ型オーミック電極３８を
形成してなるものである。
ような混晶化による多波長半導体レーザが提案されてい
る。図１０に示すレーザの構造では、ＧａＡｓ基板上３
１に１μｍのｎ型ＳｉドープＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッ
ド層３２、五層のＧａＡｓ／Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井
戸層３３、０．８μｍのｐ型ＢｅドープＡｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層３４、０．１μｍのｐ型ＢｅドープＧａ
Ａｓキャップ層３５、０．１μｍのＳｉＮｘ層３６、ｐ
型オーミック電極３７およびｎ型オーミック電極３８を
形成してなるものである。
【０００３】この構造において、前記量子井戸層３３は
禁制帯幅の狭い量子井戸層３３ａを禁制幅の広い障壁層
（＝光導波層）３３ｂで挟んだ量子井戸構造からなる半
導体層であり、この量子井戸層３３が光を閉じ込めるク
ラッド層３２、３４で挟まれているものである。
禁制帯幅の狭い量子井戸層３３ａを禁制幅の広い障壁層
（＝光導波層）３３ｂで挟んだ量子井戸構造からなる半
導体層であり、この量子井戸層３３が光を閉じ込めるク
ラッド層３２、３４で挟まれているものである。
【０００４】この半導体レーザ装置は前記ｐ型Ｂｅドー
プＧａＡｓキャップ層３５にｐ型ＢｅドープＡｌ0.2Ｇ
ａ0.8Ａｓ熱処理保護層（図示せず。）を着膜した後、
混晶化する領域（相互拡散領域ともいう。）にＳｉＮｘ
層（図示せず。）を着膜した後、熱処理炉中で１００℃
／ｓの昇温速度で９５０℃まで急速加熱し、９５０℃に
到着後、直ちに冷却する。この操作を繰り返すことによ
って、前記図示しないＳｉＮｘ層で覆われた領域の量子
井戸活性層３３内では量子井戸層３３ａと障壁層３３ｂ
間で構成元素の相互拡散が生じて、混晶化され、電子の
遷移エネルギーが増大する。
プＧａＡｓキャップ層３５にｐ型ＢｅドープＡｌ0.2Ｇ
ａ0.8Ａｓ熱処理保護層（図示せず。）を着膜した後、
混晶化する領域（相互拡散領域ともいう。）にＳｉＮｘ
層（図示せず。）を着膜した後、熱処理炉中で１００℃
／ｓの昇温速度で９５０℃まで急速加熱し、９５０℃に
到着後、直ちに冷却する。この操作を繰り返すことによ
って、前記図示しないＳｉＮｘ層で覆われた領域の量子
井戸活性層３３内では量子井戸層３３ａと障壁層３３ｂ
間で構成元素の相互拡散が生じて、混晶化され、電子の
遷移エネルギーが増大する。
【０００５】この後、前記ＳｉＮｘ層とＡｌ0.2Ｇａ0.8
Ａｓ熱処理保護層を除去し、ＧａＡｓキャップ層３５を
１０μｍ幅のストライプ状に残してエッチングする。次
に図１０に示す０．１μｍのＳｉＮｘ層３６を堆積し、
１０μｍ幅の窓をあける。その後ｎ型オーミック電極３
８およびｐ型オーミック電極３７を形成し、へき開によ
って端面を形成して半導体レーザとする。
Ａｓ熱処理保護層を除去し、ＧａＡｓキャップ層３５を
１０μｍ幅のストライプ状に残してエッチングする。次
に図１０に示す０．１μｍのＳｉＮｘ層３６を堆積し、
１０μｍ幅の窓をあける。その後ｎ型オーミック電極３
８およびｐ型オーミック電極３７を形成し、へき開によ
って端面を形成して半導体レーザとする。
【０００６】こうして混晶化活性領域３９から形成され
た半導体レーザは、非混晶化活性領域４０から形成され
た半導体レーザより、遷移エネルギーの大きな発光、す
なわち短波長の光を放射する。
た半導体レーザは、非混晶化活性領域４０から形成され
た半導体レーザより、遷移エネルギーの大きな発光、す
なわち短波長の光を放射する。
【０００７】なお、ここで混晶化とは互いに組成の異な
った半導体層間の構成元素を相互に拡散させることであ
る。量子井戸の場合、禁制帯幅の小さい組成で形成され
た井戸層と禁制帯幅の大きい組成で形成された障壁層の
間で混晶化が生じると、井戸層の組成が禁制帯幅が増加
するように変化し、遷移エネルギーが増大する。
った半導体層間の構成元素を相互に拡散させることであ
る。量子井戸の場合、禁制帯幅の小さい組成で形成され
た井戸層と禁制帯幅の大きい組成で形成された障壁層の
間で混晶化が生じると、井戸層の組成が禁制帯幅が増加
するように変化し、遷移エネルギーが増大する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の多波長レー
ザ装置の作製においては、混晶化のために半導体層上に
絶縁膜を着膜し、急速加熱処理を行う際、半導体層と絶
縁膜の間の熱膨張係数の違いによる応力によって半導体
層中に転移が生じたり、ｎ型ドーパントであるシリコン
が量子井戸活性層中に拡散するため、半導体レーザの信
頼性に問題があった。
ザ装置の作製においては、混晶化のために半導体層上に
絶縁膜を着膜し、急速加熱処理を行う際、半導体層と絶
縁膜の間の熱膨張係数の違いによる応力によって半導体
層中に転移が生じたり、ｎ型ドーパントであるシリコン
が量子井戸活性層中に拡散するため、半導体レーザの信
頼性に問題があった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、半導体レーザの
信頼性を低下させる熱処理工程を用いず、複数の活性領
域で波長の異なる発光が可能な多波長半導体レーザ装置
を提供することにある。
信頼性を低下させる熱処理工程を用いず、複数の活性領
域で波長の異なる発光が可能な多波長半導体レーザ装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成によって達成される。すなわち、量子井戸構造の活
性層からなる複数の活性領域を持つ多波長半導体レーザ
装置において、前記複数の活性領域は光学的利得の制御
による互いに異なる電子遷移エネルギー量子準位を持つ
多波長半導体レーザ装置である。
構成によって達成される。すなわち、量子井戸構造の活
性層からなる複数の活性領域を持つ多波長半導体レーザ
装置において、前記複数の活性領域は光学的利得の制御
による互いに異なる電子遷移エネルギー量子準位を持つ
多波長半導体レーザ装置である。
【００１１】そして、前記各活性領域における光学的利
得の制御は、レーザのへき開端面により形成される共振
器の長さを調整すること、または光の出射損失をレーザ
の端面に形成した反射膜における反射率を調整すること
により行うことができる。
得の制御は、レーザのへき開端面により形成される共振
器の長さを調整すること、または光の出射損失をレーザ
の端面に形成した反射膜における反射率を調整すること
により行うことができる。
【００１２】
【作用】半導体レーザ装置は共振器内で光を増幅する光
増幅器である。したがって共振器長を長くすればするほ
ど、増幅する距離が長くなり、また、へき開端面での反
射率を大きくするほど共振器内への反射光、すなわち増
幅される光が増え、光学的利得が増加する。
増幅器である。したがって共振器長を長くすればするほ
ど、増幅する距離が長くなり、また、へき開端面での反
射率を大きくするほど共振器内への反射光、すなわち増
幅される光が増え、光学的利得が増加する。
【００１３】また、量子井戸活性層を持つ半導体レーザ
装置では、エネルギーに対して状態密度がステップ状に
変化したいるため（図８）、それぞれの量子準位での利
得は限られており、高いエネルギー準位での遷移で大き
な利得となる。したがって、共振器長や前記端面での反
射率を調整することにより、レーザ発振に必要な利得を
得ることのできる量子準位を決めることができる。
装置では、エネルギーに対して状態密度がステップ状に
変化したいるため（図８）、それぞれの量子準位での利
得は限られており、高いエネルギー準位での遷移で大き
な利得となる。したがって、共振器長や前記端面での反
射率を調整することにより、レーザ発振に必要な利得を
得ることのできる量子準位を決めることができる。
【００１４】通常の量子井戸活性層を持つ半導体レーザ
装置では、第一量子準位間の遷移２４でレーザ発振する
が、半導体レーザ装置内での光学的利得が減少すると、
利得の小さな第一量子準位間ではレーザ発振せず、利得
の大きな第二量子準位間の遷移２５でレーザ発振する。
したがって、隣り合った活性領域において光学的利得を
変えることで、第一量子準位間と第二量子準位間で発振
する二波長半導体レーザ装置を形成することが可能とな
る。また、同様の手法により、さらに多波長の半導体レ
ーザ装置を形成することも可能である。
装置では、第一量子準位間の遷移２４でレーザ発振する
が、半導体レーザ装置内での光学的利得が減少すると、
利得の小さな第一量子準位間ではレーザ発振せず、利得
の大きな第二量子準位間の遷移２５でレーザ発振する。
したがって、隣り合った活性領域において光学的利得を
変えることで、第一量子準位間と第二量子準位間で発振
する二波長半導体レーザ装置を形成することが可能とな
る。また、同様の手法により、さらに多波長の半導体レ
ーザ装置を形成することも可能である。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。 実施例１ 図１は共振器長の異なる二つの半導体レーザ装置を並列
に配置した第１の実施例を示す断面図である。図１に示
す半導体レーザ装置の作製手順を以下、説明する。
る。 実施例１ 図１は共振器長の異なる二つの半導体レーザ装置を並列
に配置した第１の実施例を示す断面図である。図１に示
す半導体レーザ装置の作製手順を以下、説明する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すようにｎ型ＧａＡ
ｓ基板１の（１００）面上にＳｅドープＡｌ0.6Ｇａ0.4
Ａｓでなる厚さ１μｍのグラッド層１１、ノンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓでなる厚さ０．１μｍの光導波層１
２、ノンドープＧａＡｓでなる厚さ０．０１μｍの量子
井戸活性層１３、ノンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓでなる
厚さ０．１μｍの光導波層１２、ＭｇドープＡｌ0.6Ｇ
ａ0.4Ａｓでなる厚さ１μｍのクラッド層１４、Ｍｇド
ープＧａＡｓでなる厚さ０．１μｍのキャップ層１５を
ＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
ｓ基板１の（１００）面上にＳｅドープＡｌ0.6Ｇａ0.4
Ａｓでなる厚さ１μｍのグラッド層１１、ノンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓでなる厚さ０．１μｍの光導波層１
２、ノンドープＧａＡｓでなる厚さ０．０１μｍの量子
井戸活性層１３、ノンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓでなる
厚さ０．１μｍの光導波層１２、ＭｇドープＡｌ0.6Ｇ
ａ0.4Ａｓでなる厚さ１μｍのクラッド層１４、Ｍｇド
ープＧａＡｓでなる厚さ０．１μｍのキャップ層１５を
ＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
【００１７】この後、ＳｉＮｘ膜６を０．２μｍの厚さ
でたい積させ、フォトリソグラフィによって幅５μｍの
ストライプ状の窓を開け、図２（ｂ）に示すようにｐ型
電極メタル７を蒸着する。
でたい積させ、フォトリソグラフィによって幅５μｍの
ストライプ状の窓を開け、図２（ｂ）に示すようにｐ型
電極メタル７を蒸着する。
【００１８】ついで、図３に示すように、ｐ型電極メタ
ル７上にフォトリソグラフィによってフォトレジスト１
８のパターニングを行う。このフォトレジスト１８をマ
スクとして、まずｐ型電極メタル７、ＳｉＮｘ膜６をエ
ッチングする。
ル７上にフォトリソグラフィによってフォトレジスト１
８のパターニングを行う。このフォトレジスト１８をマ
スクとして、まずｐ型電極メタル７、ＳｉＮｘ膜６をエ
ッチングする。
【００１９】次に図４に示すように、このフォトレジス
ト１８をマスクとして塩素系ドライエッチングで、活性
領域を互いに分離する溝２６と、短共振器レーザａの片
方の端面１９を形成する。そして、フォトレジスト１８
をはく離し、ＧａＡｓ基板１側を１００μｍの厚さまで
研磨した後、図１に示すようにｎ型電極メタル８を蒸着
し、へき開によって長共振器レーザｂの両端面２０と、
短共振器レーザａの片端面２０を形成する。
ト１８をマスクとして塩素系ドライエッチングで、活性
領域を互いに分離する溝２６と、短共振器レーザａの片
方の端面１９を形成する。そして、フォトレジスト１８
をはく離し、ＧａＡｓ基板１側を１００μｍの厚さまで
研磨した後、図１に示すようにｎ型電極メタル８を蒸着
し、へき開によって長共振器レーザｂの両端面２０と、
短共振器レーザａの片端面２０を形成する。
【００２０】長共振器レーザｂ側ではレーザの共振器長
を３００μｍ以上にすることで、その活性領域１６で第
一量子準位でのレーザ発振（波長８５０ｎｍ）が生じ
る。また、短共振器レーザａ側ではレーザの共振器長を
２００μｍ以下にすると、光が増幅される距離が短くな
るために、光学的利得が減少し、利得の小さい第一量子
準位ではレーザ発振が生じず、利得の大きい第二量子準
位でのレーザ発振（波長８００ｎｍ）がその活性領域１
７で生じる。
を３００μｍ以上にすることで、その活性領域１６で第
一量子準位でのレーザ発振（波長８５０ｎｍ）が生じ
る。また、短共振器レーザａ側ではレーザの共振器長を
２００μｍ以下にすると、光が増幅される距離が短くな
るために、光学的利得が減少し、利得の小さい第一量子
準位ではレーザ発振が生じず、利得の大きい第二量子準
位でのレーザ発振（波長８００ｎｍ）がその活性領域１
７で生じる。
【００２１】実施例２ 次に図５に本発明による半導体レーザの端面に反射率の
異なる反射膜を有する二つの半導体レーザを並列に配置
した実施例を示す。本実施例の半導体レーザ装置の作製
手順における図２（ａ）、図２（ｂ）までのステップは
実施例１と全く同一である。半導体層上にＳｉＮｘ膜６
を０．２μｍたい積させフォトリソグラフィによって幅
５μｍのストライプ状の窓を開け、ｐ型電極メタル７を
蒸着する。このｐ型電極メタル７を図３に示すと同様に
フォトレジスト１８をマスクとして、エッチングを行
い、電極７を分離する。この後、図５に示すようにフォ
トレジスト１８をはく離し、ＧａＡｓ基板１側を１００
μｍの厚さまで研磨した後、ｎ型電極メタル８を蒸着す
る。
異なる反射膜を有する二つの半導体レーザを並列に配置
した実施例を示す。本実施例の半導体レーザ装置の作製
手順における図２（ａ）、図２（ｂ）までのステップは
実施例１と全く同一である。半導体層上にＳｉＮｘ膜６
を０．２μｍたい積させフォトリソグラフィによって幅
５μｍのストライプ状の窓を開け、ｐ型電極メタル７を
蒸着する。このｐ型電極メタル７を図３に示すと同様に
フォトレジスト１８をマスクとして、エッチングを行
い、電極７を分離する。この後、図５に示すようにフォ
トレジスト１８をはく離し、ＧａＡｓ基板１側を１００
μｍの厚さまで研磨した後、ｎ型電極メタル８を蒸着す
る。
【００２２】次に半導体レーザ装置の端面に反射率の異
なる反射膜を形成する方法について図６、図７を用いて
説明する。３００μｍの共振器長でへき開して端面を形
成し、光出射側である前面の端面にＳｉＯ2層２１をλ
／２（λ：レーザ光の波長）の厚さ着膜する（図６
（ａ））。図６、図７は図５の上方から見た図である。
なる反射膜を形成する方法について図６、図７を用いて
説明する。３００μｍの共振器長でへき開して端面を形
成し、光出射側である前面の端面にＳｉＯ2層２１をλ
／２（λ：レーザ光の波長）の厚さ着膜する（図６
（ａ））。図６、図７は図５の上方から見た図である。
【００２３】この前面の端面の一方の活性領域（長波長
側ｂ）のＳｉＯ2層２１上にフォトリソグラフィによっ
てフォトレジスト１８を形成浸漬し（図６（ｂ））、こ
れをマスクとしてもう一方の活性領域（短波長側ａ）の
ＳｉＯ2層２１をフッ酸系エッチャントによって所望の
厚さにエッチングする（図７（ａ））。
側ｂ）のＳｉＯ2層２１上にフォトリソグラフィによっ
てフォトレジスト１８を形成浸漬し（図６（ｂ））、こ
れをマスクとしてもう一方の活性領域（短波長側ａ）の
ＳｉＯ2層２１をフッ酸系エッチャントによって所望の
厚さにエッチングする（図７（ａ））。
【００２４】ＳｉＯ2層２１の膜厚と端面での反射率に
は図９に示すような関係があるので、ＳｉＯ2層２１の
厚さが０からλ／４に変わると、端面での反射率は３２
％から７％に変化するため、短波長側ａでは反射率が２
０％以下の低反射膜２１ａとなる厚さとする。また、後
面の端面にはどちらの活性領域にもλ／２のＳｉＯ2層
保護膜（図示せず。）を形成する。
は図９に示すような関係があるので、ＳｉＯ2層２１の
厚さが０からλ／４に変わると、端面での反射率は３２
％から７％に変化するため、短波長側ａでは反射率が２
０％以下の低反射膜２１ａとなる厚さとする。また、後
面の端面にはどちらの活性領域にもλ／２のＳｉＯ2層
保護膜（図示せず。）を形成する。
【００２５】高反射膜２１ｂ側の活性領域では、光学的
利得の小さい第一量子順位でレーザ発振（波長８５０ｎ
ｍ）が可能となるよう、後面の端面の反射率および共振
器長を設定する。一方、低反射膜２１ａが形成された活
性領域では、前面の端面からの光出射損失が増大するた
め、光学的利得が減少する。すると、利得の小さな第一
量子順位ではレーザ発振に必要な光学的利得が得られ
ず、利得の大きい第二量子準位でのレーザ発振（波長８
００ｎｍ）が生じることとなる。こうして、それぞれの
活性領域から波長の異なる光を出射することが可能とな
る。
利得の小さい第一量子順位でレーザ発振（波長８５０ｎ
ｍ）が可能となるよう、後面の端面の反射率および共振
器長を設定する。一方、低反射膜２１ａが形成された活
性領域では、前面の端面からの光出射損失が増大するた
め、光学的利得が減少する。すると、利得の小さな第一
量子順位ではレーザ発振に必要な光学的利得が得られ
ず、利得の大きい第二量子準位でのレーザ発振（波長８
００ｎｍ）が生じることとなる。こうして、それぞれの
活性領域から波長の異なる光を出射することが可能とな
る。
【００２６】本発明は前記実施例の半導体組成以外でも
よく、例えば、ＧａＩｎＡｌＰ混晶系、ＧａＩｎＡｓＰ
混晶系、ＡｌＩｎＡｓＰ混晶系等の材料であっても実施
可能である。
よく、例えば、ＧａＩｎＡｌＰ混晶系、ＧａＩｎＡｓＰ
混晶系、ＡｌＩｎＡｓＰ混晶系等の材料であっても実施
可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、複数の活性領域を持つ
半導体レーザ装置において、それぞれの活性領域におけ
る共振器長および端面での反射率を変えて光学的利得を
制御することにより、電子の遷移する量子準位を変え、
熱処理の工程を用いずに、信頼性の高い多波長半導体レ
ーザを形成することができる。
半導体レーザ装置において、それぞれの活性領域におけ
る共振器長および端面での反射率を変えて光学的利得を
制御することにより、電子の遷移する量子準位を変え、
熱処理の工程を用いずに、信頼性の高い多波長半導体レ
ーザを形成することができる。
【図１】 本発明による第一の実施例の半導体レーザ装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【図２】 本発明による実施例１の半導体レーザ装置の
作製工程の一部を示す断面図である。
作製工程の一部を示す断面図である。
【図３】 本発明による実施例１の半導体レーザ装置の
作製工程の一部を示す斜視図である。
作製工程の一部を示す斜視図である。
【図４】 本発明による実施例１の半導体レーザ装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】 本発明による実施例２の半導体レーザ装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図６】 本発明による実施例２の半導体レーザ装置の
作製工程図である。
作製工程図である。
【図７】 本発明による実施例２の半導体レーザ装置の
作製工程図である。
作製工程図である。
【図８】 多波長半導体レーザのエネルギーと状態密度
との関係を示す説明図である。
との関係を示す説明図である。
【図９】 ＳｉＯ2保護層の膜厚とレーザ光の反射率の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図１０】 従来の多波長半導体レーザの斜視図であ
る。
る。
１、３１…ｎ型ＧａＡｓ基板、 ６、３６…ＳｉＮｘ
膜、７、３７…ｐ型オーミック電極、 ８、３８…ｎ型
オーミック電極、１１…ｎ活性ＳｅドープＡｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓクラッド層、１２…ノンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ光導波層、１３…ＧａＡｓ量子井戸活性層、１４…
ＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.4Ａｓクラッド層、１５…Ｍｇ
ドープＧａＡｓキャップ層、１６…長共振器の活性領
域、１７…短共振器の活性領域、１８…フォトレジス
ト、１９…エッチングによって形成された端面、２０…
へき開によって形成された端面、２１…ＳｉＯ2膜、２
１ａ…低反射膜でコートされた活性領域、２１ｂ…λ／
２保護膜でコートされた活性領域、２４…電子と正孔の
第一量子準位間の遷移、２５…電子と正孔の第二量子準
位間の遷移、２６…溝、３２…ｎ型ＳｉドープＡｌ0.4
Ｇａ0.6Ａｓクラッド層、３３…五層のＧａＡｓ／Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸層、３４…ｐ型ＢｅドープＡｌ
0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層、３５…ｐ型ＢｅドープＧａ
Ａｓキャップ層、３９…混晶化した活性領域、４０…混
晶化していない活性領域、
膜、７、３７…ｐ型オーミック電極、 ８、３８…ｎ型
オーミック電極、１１…ｎ活性ＳｅドープＡｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓクラッド層、１２…ノンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ光導波層、１３…ＧａＡｓ量子井戸活性層、１４…
ＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.4Ａｓクラッド層、１５…Ｍｇ
ドープＧａＡｓキャップ層、１６…長共振器の活性領
域、１７…短共振器の活性領域、１８…フォトレジス
ト、１９…エッチングによって形成された端面、２０…
へき開によって形成された端面、２１…ＳｉＯ2膜、２
１ａ…低反射膜でコートされた活性領域、２１ｂ…λ／
２保護膜でコートされた活性領域、２４…電子と正孔の
第一量子準位間の遷移、２５…電子と正孔の第二量子準
位間の遷移、２６…溝、３２…ｎ型ＳｉドープＡｌ0.4
Ｇａ0.6Ａｓクラッド層、３３…五層のＧａＡｓ／Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸層、３４…ｐ型ＢｅドープＡｌ
0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層、３５…ｐ型ＢｅドープＧａ
Ａｓキャップ層、３９…混晶化した活性領域、４０…混
晶化していない活性領域、
Claims (3)
- 【請求項１】 量子井戸構造の活性層からなる複数の活
性領域を持つ多波長半導体レーザ装置において、前記複
数の活性領域は光学的利得の制御による互いに異なる電
子遷移エネルギー量子準位を持つことを特徴とする多波
長半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記各活性領域における光学的利得の制
御は、レーザのへき開端面により形成される共振器の長
さの調整により行われることを特徴とする請求項１記載
の多波長半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記各活性領域における光学的利得の制
御は、光の出射損失をレーザのへき開端面に形成した反
射膜における反射率を調整することにより行われること
を特徴とする請求項１記載の多波長半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261992A JPH05102613A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 多波長半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261992A JPH05102613A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 多波長半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102613A true JPH05102613A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17369507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3261992A Pending JPH05102613A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 多波長半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102613A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077456A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよび光学部品用コート膜 |
| JP2001320131A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
| US6643310B2 (en) | 2000-02-29 | 2003-11-04 | Sony Corporation | Semiconductor laser apparatus, laser coupler, data reproduction apparatus, data recording apparatus and production method of semiconductor laser apparatus |
| CN100380755C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-04-09 | 三星电机株式会社 | 多波长半导体激光装置 |
| JP2015146403A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザアレイ |
| JP2021132088A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3261992A patent/JPH05102613A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6893888B2 (en) | 2000-02-29 | 2005-05-17 | Sony Corporation | Production method of semiconductor laser apparatus |
| JP2001320131A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
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