JPH10289434A - 磁気ディスクおよびこれを利用した磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱揺らぎ磁気余効、および超常磁性を抑え、
高密度記録時でも記録磁化を安定に保持する磁気ディス
クおよび磁気記録装置を提供すること。 【解決手段】 媒体として強磁性体と反強磁性体、ある
いは強磁性体とフェリ磁性体をそれぞれ１層以上使用し
た多層膜とする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高密度化に好適な磁
気ディスクおよびこれを利用した磁気記録装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来磁気ディスクに使われる磁性層は、
たとえばデニスミー、エリック ダニエル著マグネティ
ック レコーディング ハンドブック、テクノロジー ア
ンド アプリケーション（マクグローヒル パブリッシン
グ カンパニー、１９９０）に示されているように基板
上に下地層を設け、その上に記録層として強磁性体膜を
積層し、さらに保護膜を積層する。現在主流のこのタイ
プの面内媒体では記録密度の上昇に従い媒体の膜厚を薄
くする必要がある。これは、記録ビット自身が生成する
反磁場によりそのビット形状が破壊されることを抑制す
るためである。

【０００３】また高密度化に従って、媒体ノイズを抑え
るため、媒体を構成する結晶粒を微細化する必要があ
る。媒体が薄膜化し、ビットサイズが微小化すると、１
ビットを構成する磁性体の体積が減少し、熱揺らぎ磁気
余効により、ビット内の磁化が時間とともに減少してし
まう。さらにビット内の結晶粒があるサイズ以下になる
と結晶粒内の磁化が熱のため揺らぎはじめ、キュリー温
度以下でも常磁性的な振る舞いをする超常磁性状態とな
る。

【０００４】つまり、面内媒体では、高密度化が進むと
長時間記録情報を保持することがむづかしくなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記熱揺ら
ぎ磁気余効、および超常磁性を抑え、高密度記録時でも
記録磁化を安定に保持する磁気ディスクおよびこれを利
用した磁気記録装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する磁気
ディスクは磁性層として強磁性体と反強磁性体をそれぞ
れ１層以上使用した多層膜、あるいは強磁性体とフェリ
磁性体をそれぞれ１層以上使用した多層膜とすることで
達成可能となる。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明に関わる磁気
ディスクの断面の基本的な構成を示す図であり、基板３
上に反強磁性体膜２、強磁性体膜１がそれぞれ１層成膜
され、その上にさらに保護膜４が塗布されている状態を
示す。反強磁性体膜２はネール温度が室温以上であるNi
O、FeMn、NiMn等を使用する。結晶性を制御するため反
強磁性体膜２と基板３との間には下地層を入れてもよ
い。反強磁性体膜２は多結晶薄膜となるようにスパッタ
リング法等で成膜し、強磁性体膜１は通常磁気ディスク
に使用されているCo系合金を使用し、スパッタリング法
等でゼロ磁場中で成膜する。ここで反強磁性体膜２の結
晶粒のサイズが１０ nm 以下となるように成膜条件を制
御する。図はこの媒体に０、１が交互に記録されている
状態を表しており、強磁性体膜１内の矢印は磁化５を表
している。また反強磁性体膜２内の矢印は内部の磁気モ
ーメント６を模式的に表したものである。強磁性体膜１
と反強磁性体膜２との界面７では、交換相互作用が働
き、界面７に接する強磁性体膜１内の磁気モーメントと
反強磁性体膜２の磁気モーメントとが平行になろうとす
る（交換異方性）。反強磁性体膜２が単結晶であり、界
面が平坦であれば、界面上での磁気モーメントの向きは
１方向になる場合があり、交換異方性が大きくなる。し
かし、反強磁性体膜２は多結晶であり、界面はミクロス
コピックには平坦ではないため、最表面のある方向を向
いた磁気モーメントとそれと反対方向を向いた磁気モー
メントの数はほぼ同数となる。このためマクロな交換異
方性は現れず、磁性膜のヒステリシスループはほぼ原点
対称となる。しかし、界面では交換相互作用が以前とし
て働いているため、強磁性体膜１の保磁力は、強磁性体
膜単独のときと比べ大きくなる。

【０００８】ＧＭＲヘッドへの応用のために、上記と同
様の反強磁性体膜上に強磁性体膜を成膜した系が研究さ
れている。例えば強磁性体として透磁率の高いパーマロ
イ薄膜を、反強磁性体としてＮｉＯを使用してチーワン
ライらがアイトリプルイートランザクションズ オン
マグネティックス、３１巻、６号、１９９５年、２６０
９ページから２６１１ページに報告している。図１
（ｂ）にＧＭＲヘッドの断面構造の模式図を示す。図に
おいて、３００は基板であり、基板３００上に反強磁性
体膜２００および強磁性体膜１００がそれぞれ１層成膜
される。その上にさらに非磁性体膜８００および強磁性
体膜９００がそれぞれ１層成膜される。図１（ａ）、
（ｂ）を対比してみると、基板３００上に反強磁性体膜
２００および強磁性体膜１００がそれぞれ１層成膜され
た構造は外見上同じ構造であるが、ＧＭＲヘッドで使用
される反強磁性体膜２００はその上に成膜した強磁性体
膜１００の磁化を一方向に向け、これをピン止めするた
めに使用される。これは強磁性体膜１００のヒステリシ
スループを磁場軸方向にシフトすることに対応し、その
シフト量を大きくすることが重要な課題となっている。
また保磁力はできるだけ小さくするのが望ましい。これ
に対し、本発明においては、反強磁性体膜２はその上に
成膜した強磁性体膜１の保磁力を大きくする目的で使用
されるものであって、本質的に異なるものである。な
お、ＧＭＲのヘッドでは、強磁性体膜９００の磁化の方
向は、強磁性体膜１００のそれに対して直角方向（図の
例では紙面の裏側に向かう方向）である。

【０００９】図２（ａ）は前述した磁気ディスク５０と
記録再生用の磁気ヘッド９およびレーザー光線８との関
係を断面図で示す。記録に際しては、書き込むビット近
傍をレーザー光線８によってネール温度T_N付近まで加熱
し、強磁性体膜１と反強磁性体膜２の間に作用する交換
相互作用を十分小さくする。ここでは基板３は透明とし
ており、レーザー光線８を基板を通して反強磁性体膜２
に照射している。反強磁性体膜２の加熱された部分は常
磁性状態となり、磁気モーメントのオーダーが消失し、
これに伴い交換異方性も消失する。この部分の反強磁性
体膜２に隣接する強磁性体膜１に磁気ヘッド９からの磁
場でビット情報を書き込む。交換異方性が消失している
ので磁気ヘッド９の書き込み磁場は比較的小さなもので
よい。磁化反転後、反強磁性体膜２がT_N以下になったと
き、反強磁性体の界面７の磁気モーメントは強磁性体膜
１の磁気モーメントに引きずられ平行に揃い、以下内部
の磁気モーメントも交互に配列することになる。これに
より、図２（ｂ）に示すように交換異方性が回復し記録
ビットは安定化する。図２（ｂ）と図1とを対照して分
かるように、図の右側2番目のビットが書き換えられて
いる。再生動作は通常の磁気記録装置と同様であり、イ
ンダクティブヘッド、MRヘッド等の磁気ヘッドにより媒
体からの漏れ磁場を検出してビット情報とする。

【００１０】次に強磁性体と補償温度T_compの存在する
フェリ磁性体を使用する場合を示す。まず図３（ａ）に
強磁性体とフェリ磁性体の磁化の温度変化を模式的に示
す。曲線１０、１１はそれぞれ強磁性体、フェリ磁性体
の磁化曲線である。強磁性体のキュリー温度T_c1はフェ
リ磁性体のキュリー温度T_c2より大きいものとする。こ
こでフェリ磁性体としてTbFeCo等の希土類金属と遷移金
属で構成されたものを、強磁性体としてCo合金等の遷移
金属合金を使用する。フェリ磁性体は遷移金属の磁化と
希土類金属の磁化が逆方向を向いている。このときT
_comp以下では遷移金属の磁化が希土類金属の磁化より小
さく、T_comp以上では大きくなる。

【００１１】図３（ｂ）は磁気ディスクの断面を表して
おり、図１の反強磁性体膜２をフェリ磁性体膜１２に置
き換えた構造となっている。ここで、強磁性体膜１、フ
ェリ磁性体膜１２は垂直磁気異方性を持つと仮定した。
強磁性体膜１内の矢印は記録ビットの磁化５を示す。ま
たフェリ磁性体膜１２内の細い矢印、および太い矢印は
それぞれ遷移金属と希土類金属のそれぞれの磁気モーメ
ント１３、１４を模式的に示したものである。遷移金属
の磁性を担う3d電子は、希土類金属の磁性を担う4f電子
より空間的に拡がっているので、界面７では遷移金属の
磁気モーメント１３が強磁性体膜１の遷移金属の磁気モ
ーメント（磁化５の源）と相互作用し、図３（ｂ）の左
側に示すようにそれらの向きを揃える。このとき希土類
金属を含んだフェリ磁性体は異方性が大きいので、界面
での相互作用を通して強磁性体の記録ビットを安定化さ
せることになる。今T_compを室温付近、あるいはT_comp <
室温 < T_c2とすると、図３（ａ）からわかるように、フ
ェリ磁性体膜１２の磁化はほぼゼロ、あるいはある値を
持つ。前者の場合フェリ磁性体膜１２は磁化５に静磁的
には影響を与えない。また後者の場合、磁化は強磁性体
１の磁化５と同方向なので強磁性体１単独の場合より静
磁エネルギー的に安定となる。さらにこの場合、漏れ磁
場は磁化５単独より大きくなり、再生時のS/Nを向上さ
せる。

【００１２】記録時は、図３（ｃ）に示すように図２
（ａ）と同様透明基板３の下方より、レーザー光線８を
照射してフェリ磁性体１２を加熱、T_c2付近、あるいは
それ以上とする。フェリ磁性体膜１２の磁気異方性は十
分小さく、あるいはゼロとなるので、磁気ヘッド９で磁
化５を比較的簡単に反転することが可能となる。再生時
はインダクティブヘッド、MRヘッド等の磁気ヘッドによ
り媒体からの漏れ磁場を検出してビット情報とする。T
_compを室温付近に設定した場合、上述したようにレーザ
ー光線８でフェリ磁性体膜１２をT_comp以上T_c2以下に加
熱することによってビットからの漏れ磁場を増大させ、
再生信号のS/Nを向上させることも可能である。

【００１３】以上、強磁性体膜１と反強磁性体膜２、あ
るいはフェリ磁性体膜１２の２層膜で説明したが、多層
膜でも同様である。

【００１４】実施例１ 本発明の磁気ディスクの実施例を図４により説明する。
図４は断面を表している。ガラス基板１５上に直接反強
磁性体NiO１６をスパッタ法で２０nm 成膜し、その後強
磁性体であるCoTaZr１７をスパッタ法で５０nm 成膜
し、さらに保護膜としてカーボン膜を成膜する。NiOの
ネール温度は約２５０度Cである。記録再生動作は通常
の磁気記録装置と同様であり、インダクティブヘッドに
よって記録を行い、インダクティブヘッドあるいはMRヘ
ッド等によって媒体からの漏れ磁場を検出してビット情
報とする。

【００１５】実施例２ 本発明の記録装置の実施例を図５により説明する。図５
は装置の断面を表している。磁気ディスク１８、再生用
磁気ヘッド・記録用磁気ヘッドを組み込んだ磁気ヘッド
部１９、スライダー２０、磁気ヘッド用アーム２１、駆
動系２２、半導体レーザーと光学系を組み込んだ半導体
レーザーヘッド２３、半導体レーザーヘッド用アーム２
４より構成されている。ここでは磁気ディスク駆動系、
電気回路系、支持具等は省いている。磁気ディスク１８
の上面には保護膜、強磁性体膜、反強磁性体膜、あるい
はフェリ磁性体膜が積層されている。再生は通常の磁気
記録装置と同様に再生用磁気ヘッドによって媒体からの
漏れ磁場を検出してビット情報とする。

【００１６】記録時は以下のような動作となる。まず磁
気ヘッド部１９、半導体レーザーヘッド２３を駆動系２
２で所定の位置まで移動させる。半導体レーザーヘッド
２３内の半導体レーザーから照射されたレーザー光線２
５は光学系によって反強磁性体膜に収束され、反強磁性
体膜はネール点T_N付近、あるいはそれ以上に加熱され
る。これと同時に記録用ヘッドを作動させ、ヘッドから
の漏れ磁場で強磁性体膜の微小領域を磁化させる。以上
の動作を磁気ディスク１８の回転に従って順次行い一連
の情報を磁気記録する。

【００１７】反強磁性体膜の代わりにフェリ磁性体膜を
使用する場合も同様である。ただし、さきにも述べたよ
うに、再生時フェリ磁性体をT_comp以上T_c2以下に加熱す
る場合、記録時と同様にレーザー光線で加熱し再生動作
を行う。このときレーザー光線のパワーは強度、あるい
は時間で制御し、最適値にする。

【００１８】以上、強磁性体膜と反強磁性体膜、あるい
はフェリ磁性体膜の２層膜で説明したが、多層膜でも同
様である。

【００１９】実施例３ 本発明の磁気記録装置の他の実施例を図６により説明す
る。図６はヘッド部分の断面を表している。基板２６、
保護膜、強磁性体膜、反強磁性体膜、あるいはフェリ磁
性体膜で構成された媒体部２７、再生用磁気ヘッド・記
録用磁気ヘッドを組み込んだ磁気ヘッド部１９、スライ
ダー２０、磁気ヘッド用アーム２１、半導体レーザー２
８、ミラー２９、レンズ３０、ハウジング３１、アーム
３２より構成されている。ここでは駆動系、電気回路
系、支持具等は省いている。半導体レーザー２８、ミラ
ー２９、レンズ３０はハウジング３１に固定されてお
り、このハウジング３１はアーム３２に固定されてい
る。磁気ヘッド部１９はレンズ３０、および媒体部２７
の近傍に配置する。

【００２０】半導体レーザー２８から照射されたレーザ
ー光線３３はミラー２９で反射されレンズ３０に入射す
る。レンズ３０は凸レンズの一部分であり、レーザー光
線３３は媒体部２７内の反強磁性体膜、あるいはフェリ
磁性体膜に収束される。磁気ヘッド部１９はレーザー光
線３３の収束位置の直上に配置するように位置決めす
る。記録・再生は実施例２と同様である。

【００２１】以上、強磁性体膜と反強磁性体膜、あるい
はフェリ磁性体膜の２層膜で説明したが、多層膜でも同
様である。

【００２２】実施例４ 本発明の磁気記録装置の他の実施例を図７により説明す
る。図７はヘッド部分の断面を表している。図７は磁気
ヘッド、および磁気ディスクの断面を表している。磁気
ディスクは基板２６、保護膜、強磁性体膜、反強磁性体
膜、あるいはフェリ磁性体膜で構成された媒体部２７で
構成されている。磁気ヘッドはポールピース３４、コイ
ル３５、磁場検出部３６、磁気シールド３７、ヘッド保
持部３８、光ファイバー３９、スライダー２０、磁気ヘ
ッド用アーム２１より構成されている。ここで、ポール
ピース３４、コイル３５で記録用ヘッドを構成し、磁場
検出部３６、磁気シールド３７で再生用ヘッドを構成し
ている。また両者は磁気ヘッド保持部３８に固定されて
いる。光ファイバー３９は、その先端部をポールピース
３４間に入るように配置する。磁気ヘッド保持部３８は
スライダー２０に固定されており、スライダー２０は磁
気ヘッド用アーム２１に固定されている。ここでは駆動
系、電気回路系、支持具等は省いている。

【００２３】反強磁性体膜、あるいはフェリ磁性体膜を
加熱する場合、レーザー光線を光ファイバー３９でポー
ルピース３４直下に導き、矢印で示すように、媒体へ照
射することで可能となる。記録・再生動作は実施例２と
同じである。

【００２４】以上、強磁性体膜と反強磁性体膜、あるい
はフェリ磁性体膜の２層膜で説明したが、多層膜でも同
様である。

【００２５】実施例５ 本発明の磁気記録装置の他の実施例を図８により説明す
る。図８はヘッド部分の断面を表している。図８は磁気
ヘッド、および磁気ディスクの断面を表しており、実施
例４（図７）に示した磁気ディスクの光ファイバー３９
を高抵抗体薄膜４０で置き換えたものである。その他の
要素は同じであるので符合および説明を省略した。反強
磁性体膜、あるいはフェリ磁性体膜を加熱する場合、高
抵抗体薄膜４０を通電加熱し、ポールピース直下の媒体
を輻射で加熱する。記録・再生動作は実施例２と同じで
ある。

【００２６】以上、強磁性体膜と反強磁性体膜、あるい
はフェリ磁性体膜の２層膜で説明したが、多層膜でも同
様である。

【００２７】実施例６ 本発明の磁気ディスクの他の実施例を図９により説明す
る。図９（a）は磁気ディスクの断面を表しており、磁
気ディスクは透明基板３、アレイ状に基板上に配置した
強磁性体４１、強磁性体間を埋める反強磁性体４２、保
護膜４より構成されている。ここで反強磁性体４２で孤
立させられた個々の強磁性体４１が、記録の単位となっ
ているので、この磁気ディスクは量子磁気ディスクと呼
ぶことができる。

【００２８】前述したように強磁性体４１と反強磁性体
４２の界面には相互作用が働き、強磁性体４１内の磁化
５と反強磁性体４２内の磁気モーメント６が平行とな
り、磁化５は安定化される。記録動作は実施例１、２と
同様であり、図９（ｂ）、（c）で説明する。図９
（ｂ）は書き込み時の磁気ディスクの断面を表したもの
である。レーザー光線８で強磁性体４１に隣接する反強
磁性体４２の界面４３近傍がネール温度T_N以上になるよ
うに加熱する。このとき磁化５は相互作用が消失するた
め、磁気ヘッド９からの比較的小さな磁場でビット情報
を書き込むが可能となる。書き込み直後、反強磁性体４
２がT_N以下になったとき、界面４３の磁気モーメントは
強磁性体４１の磁気モーメントに引きずられ平行に揃
い、以下内部の磁気モーメントも交互に配列することに
なる。これにより、図９（ｃ）に示すように相互作用が
回復し記録ビットは安定化する。本実施例の反強磁性体
４２をフェリ磁性体で置き換えたものも、同様に動作す
る。

【００２９】その他の実施例 図１０、１１に強磁性体をアレイ状に配置したものを示
す。これらは、基板４６に反強磁性体４５、あるいはフ
ェリ磁性体４８、強磁性体４４を積層し、アレイ状に整
形したものである。各磁区の間は非磁性材料４７で区分
される。ここで、保護膜は省略している。これらは強磁
性体膜と反強磁性体膜、あるいはフェリ磁性体膜の２層
膜で説明したが、多層膜でも同様である。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、熱揺らぎ磁気余効、お
よび超常磁性を抑え、高密度記録時でも記録磁化を安定
化させることが可能となり、面内磁気記録、垂直磁気記
録の高密度化が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明に関わる磁気ディスクの断面の
基本的な構成を示す図。（ｂ）はＧＭＲヘッドの断面構
造の模式図を示す図。

【図２】（ａ）は前述した磁気ディスク５０と記録再生
用の磁気ヘッド９およびレーザー光線８との関係を示す
断面図。（ｂ）は書き込み後の磁気ディスクの記録状態
を示す断面図。

【図３】（ａ）は強磁性体とフェリ磁性体の磁化の温度
変化を示す模式図、（ｂ）は磁気ディスクの記録状態を
示す断面図、（ｃ）は書き込み時の磁気ディスクの記録
状態の変化を示す断面図。

【図４】本発明の実施例の磁気ディスクを示す断面図。

【図５】本発明の記録装置の概要の実施例を示す断面
図。

【図６】本発明の磁気記録装置の他の実施例のヘッド部
分を示す断面図。

【図７】本発明の磁気記録装置の他の実施例のヘッド部
分を示す断面図。

【図８】本発明の磁気記録装置の他の実施例のヘッド部
分を示す断面図。

【図９】（ａ）は本発明の磁気ディスクのの他の実施例
を示す断面図、（ｂ）は書き込み時の磁気ディスクの記
録状態の変化を示す断面図、（ｃ）は磁気ディスクの記
録状態を示す断面図。

【図１０】本発明の他の実施例の磁気ディスクを示す断
面図。

【図１１】本発明の他の実施例の磁気ディスクを示す断
面図。

【符号の説明】

１，１００，９００：強磁性体膜、２，２００：反強磁
性体膜、３，３００：基板、４：保護膜、５：磁化、
６：磁気モーメント、７：界面、８：レーザー光線、
９：磁気ヘッド、１０：磁化曲線、１１：磁化曲線、１
２：フェリ磁性体膜、１３：磁気モーメント、１４：磁
気モーメント、１５：ガラス基板、１６：ＮｉＯ、１
７：ＣｏＴａＺｒ、１８：磁気ディスク、１９：磁気ヘ
ッド部、２０：スライダー、２１：磁気ヘッド用アー
ム、２２：駆動系、２３：半導体レーザーヘッド、２
４：半導体レーザーヘッド用アーム、２５：レーザー光
線、２６：基板、２７：媒体部、２８：半導体レーザ
ー、２９：ミラー、３０：レンズ、３１：ハウジング、
３２：アーム、３３：レーザー光線、３４：ポールピー
ス、３５：コイル、３６：磁場検出部、３７：磁気シー
ルド、３８：磁気ヘッド保持部、３９：光ファイバー、
４０：高抵抗体薄膜、４１：強磁性体、４２：反強磁性
体、４３：界面、４４：強磁性体、４５：反強磁性体、
４６：基板、４７：非磁性体、４８：フェリ磁性体、５
０：磁気ディスク、８００：非磁性体膜。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板、下地層、磁性層、保護膜からなる磁
   気ディスクにおいて、磁性層として強磁性体と反強磁性
   体をそれぞれ１層以上使用した多層膜、あるいは強磁性
   体とフェリ磁性体をそれぞれ１層以上使用した多層膜と
   することを特徴とする磁気ディスク。
2. 【請求項２】室温以上の磁気転移温度を持つ反強磁性体
   あるいはフェリ磁性体の平均結晶粒径を１０nm以下とす
   る請求項１記載の磁気ディスク。
3. 【請求項３】強磁性体をアレイ状に基板上に配置した請
   求項１または２記載の磁気ディスク。
4. 【請求項４】情報を磁気的に記録する磁性層を持った磁
   気ディスクと、その駆動手段と、磁性層に情報を記録す
   る記録用磁気ヘッドと、再生時 磁性層 からの漏れ磁場
   を検出する再生用磁気ヘッドと、記録・再生用磁気ヘッ
   ドを保持する手段と、ヘッドを保持する手段を駆動する
   手段から構成される磁気記録装置において、前記磁気デ
   ィスクは基板、下地層、磁性層、保護膜からなる磁気デ
   ィスクにおいて、磁性層として強磁性体と反強磁性体を
   それぞれ１層以上使用した多層膜、あるいは強磁性体と
   フェリ磁性体をそれぞれ１層以上使用した多層膜である
   ことを特徴とする磁気記録装置。
5. 【請求項５】前記磁気ディスクが室温以上の磁気転移温
   度を持つ反強磁性体あるいはフェリ磁性体の平均結晶粒
   径を１０nm以下とした請求項４記載の磁気記録装置。
6. 【請求項６】前記磁気ディスクの強磁性体をアレイ状に
   基板上に配置した請求項４または５記載の磁気記録装
   置。
7. 【請求項７】磁性層を局所的に加熱する手段が付加され
   た請求項４ないし6のいずれかに記載の磁気記録装置。
8. 【請求項８】磁性層としてキュリー温度T_cの強磁性体と
   T_c以下のネール温度T_Nを持つ反強磁性体を使用し、記録
   時、ビット近傍をT_N付近、あるいはそれ以上に加熱する
   請求項７記載の磁気記録装置。
9. 【請求項９】磁性層としてキュリー温度T_c1の強磁性体
   とT_c1以下のキュリー温度T_c2を持つフェリ磁性体を使用
   し、記録時、磁性層をT_c2近傍に加熱し、再生時、記録
   層を加熱しない、あるいはフェリ磁性体の補償温度以上
   T_c2以下に加熱する請求項７記載の磁気記録装置。
10. 【請求項１０】磁性層を局所的に加熱する手段として半
    導体レーザーを備えた請求項７記載の磁気記録装置。
11. 【請求項１１】磁性層を局所的に加熱する手段として高
    抵抗体の通電加熱手段を備えた請求項７記載の磁気記録
    装置。