JPH10286768A

JPH10286768A - ポリッシング装置

Info

Publication number: JPH10286768A
Application number: JP10525297A
Authority: JP
Inventors: Norio Kimura; 憲雄木村; Hozumi Yasuda; 穂積安田
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1997-04-08
Filing date: 1997-04-08
Publication date: 1998-10-27
Anticipated expiration: 2017-04-08
Also published as: JP3693459B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウエハ等のポリッシング対象物の周縁
部における研磨量を全周に亘って均一にすることができ
るポリッシング装置を提供する。【解決手段】上面に研磨布６を貼ったターンテーブル
５とトップリング１とを有し、ターンテーブル５とトッ
プリング１との間に半導体ウエハ４を介在させて所定の
力で押圧することによって半導体ウエハ４を研磨し、平
坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、半導体ウ
エハ４を収容する凹部を有したトップリング１の周囲に
押圧リング３を上下動自在に配置し、押圧リング３を研
磨布６に対して可変の押圧力で押圧する押圧手段を設
け、トップリング１と押圧リング３とを相対回転可能に
構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッシ
ング装置に係り、特にポリッシング対象物の周縁部の研
磨量を制御する機構を具備したポリッシング装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の１手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。

【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、ター
ンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一
定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとト
ップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。

【０００４】上述したポリッシング装置において、研磨
中のポリッシング対象物と研磨布との間の相対的な押圧
力がポリッシング対象物の全面に亘って均一でないと、
各部分の押圧力に応じて研磨不足や過研磨が生じてしま
う。よって、従来のポリッシング装置においては、上記
の押圧力の不均一を避けるための手段として、トップリングの半導体ウエハ保持面に、弾性を有す
る例えばポリウレタン等の弾性マットを貼ること、ポリッシング対象物の保持部、即ちトップリング
を、研磨布の表面に対して傾動可能にすること、研磨布の研磨部の周囲の部分を、トップリング及び
ポリッシング対象物とは独立して押圧することにより、
研磨布の研磨領域とその周囲の段差を防ぐこと、等が行
われている。

【０００５】図４は従来のポリッシング装置の一例の主
要部を示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨
布４２を貼った回転するターンテーブル４１と、回転お
よび押圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ
４３を保持するトップリング４５と、研磨布４２に砥液
Ｑを供給する砥液供給ノズル４８を備えている。トップ
リング４５はトップリングシャフト４９に連結されてお
り、またトップリング４５はその下面にポリウレタン等
の弾性マット４７を備えており、弾性マット４７に接触
させて半導体ウエハ４３を保持する。さらにトップリン
グ４５は、研磨中に半導体ウエハ４３がトップリング４
５の下面から外れないようにするため、円筒状のガイド
リング４６Ａを外周縁部に備えている。ここで、ガイド
リング４６Ａはトップリング４５に対して固定されてお
り、その下端面はトップリング４５の保持面から突出す
るように形成され、ポリッシング対象物である半導体ウ
エハ４３が保持面内に保持され、研磨中に研磨布４２と
の摩擦力によってトップリング外へ飛び出さないように
なっている。

【０００６】半導体ウエハ４３をトップリング４５の下
面の弾性マット４７の下部に保持し、ターンテーブル４
１上の研磨布４２に半導体ウエハ４３をトップリング４
５によって押圧するとともに、ターンテーブル４１およ
びトップリング４５を回転させて研磨布４２と半導体ウ
エハ４３を相対運動させて研磨する。このとき、砥液供
給ノズル４８から研磨布４２上に砥液Ｑを供給する。砥
液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁
したものを用い、アリカリによる化学的研磨作用と、砥
粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウ
エハを研磨する。

【０００７】図５は、図４に示すポリッシング装置によ
る研磨時の半導体ウエハと研磨布と弾性マットの状態を
示す拡大断面図である。図５に示すように、ポリッシン
グ対象物のみが研磨布を押圧する構造になっている場合
には、ポリッシング対象物である半導体ウエハ４３の周
縁は、研磨布４２との接触／非接触の境界であると同時
に、弾性マット４７との接触／非接触との境界になって
いる。このため、これらの境界であるポリッシング対象
物の周縁において、ポリッシング対象物に加わる研磨圧
力が不均一になり、ポリッシング対象物の周縁のみが多
く研磨され、いわゆる「縁だれ」を起こしてしまうとい
う欠点があった。

【０００８】上述した半導体ウエハの縁だれを防止する
ため、本件出願人は、先に特願平７−２８７９７６号に
て半導体ウエハの外周側に位置する研磨布を押圧する構
造を有したポリッシング装置を提案している。

【０００９】図６は、特願平７−２８７９７６号にて提
案したポリッシング装置の例の主要部を示す図である。
トップリング４５はボール６５を介してトップリングシ
ャフト６６に連結されている。ガイドリング４６はキー
５８を介してトップリング４５に連結されており、ガイ
ドリング４６はトップリング４５に対して上下動自在で
あるとともにトップリング４５と一体に回転可能になっ
ている。そして、ガイドリング４６はベアリング５９を
保持したベアリング押さえ６０及びシャフト６１を介し
てガイドリング用エアシリンダ６２に連結されている。
ガイドリング用エアシリンダ６２はトップリングヘッド
５９に固定されている。ガイドリング用エアシリンダ６
２は円周上に複数個（例えば３個）配設されている。ト
ップリング用エアシリンダ６０及びガイドリング用エア
シリンダ６２は、それぞれレギュレータＲ１，Ｒ２を介
して圧縮空気源６４に接続されている。

【００１０】前記レギュレータＲ１によってトップリン
グ用エアシリンダ６０へ供給する空気圧を調整すること
によりトップリング４５が半導体ウエハ４３をターンテ
ーブル４１上の研磨布４２に押圧する押圧力を調整する
ことができ、レギュレータＲ２によってガイドリング用
エアシリンダ６２へ供給する空気圧を調整することによ
りガイドリング４６が研磨布４２を押圧する押圧力を調
整することができる。このトップリングの押圧力に対す
るガイドリングの押圧力を適宜調整することにより、半
導体ウエハの中心部から周縁部、さらには半導体ウエハ
の外側にあるガイドリング４６の外周部までの研磨圧力
の分布が連続かつ均一になる。そのため、半導体ウエハ
４３の外周部における研磨量の過不足を防止することが
できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本件出願人が先に特願
平７−２８７９７６号において提案したポリッシング装
置では、トップリング４５とガイドリング４６とは一体
に回転するようになっている。そのため、トップリング
４５の下端面に保持された半導体ウエハ４３とガイドリ
ング４６との間での相対回転はなく、半導体ウエハ４３
の周縁部とガイドリング４６の内周部とは常に同一部位
同士が対面した状態で研磨が行われていた。

【００１２】しかしながら、ガイドリングの押圧面は、
微視的には平坦とは言い難く、わずかながらうねりが存
在する。この押圧面のうねりのために、研磨布の変形量
に微小な差異が生じ、半導体ウエハの周縁部近傍の研磨
布が均一に変形されず、これが半導体ウエハの周縁部の
研磨量に影響し、半導体ウエハの周縁部全周が均一に研
磨されないという問題点があった。またガイドリングの
上下方向の板厚が全周に亘って均一でないことも、半導
体ウエハの周縁部全周が均一に研磨されない要因となっ
ていた。

【００１３】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、半導体ウエハ等のポリッシング対象物の周縁部にお
ける研磨量を全周に亘って均一にすることができるポリ
ッシング装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため本発明のポリッシング装置は、上面に研磨布を貼っ
たターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターン
テーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を
介在させて所定の力で押圧することによって該ポリッシ
ング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化するポリッシング
装置において、前記ポリッシング対象物を収容する凹部
を有したトップリングの周囲に押圧リングを上下動自在
に配置し、前記押圧リングを研磨布に対して可変の押圧
力で押圧する押圧手段を設け、前記トップリングと前記
押圧リングとを相対回転可能に構成したことを特徴とす
るものである。

【００１５】本発明によれば、トップリングと押圧リン
グとが相対回転可能に構成されているため、研磨中にト
ップリングの下端面に保持されたポリッシング対象物と
押圧リングとの間で相対移動を生ずる。そのため、ポリ
ッシング対象物の周縁部と押圧リングの内周部とは常に
異なった部位同士が対面した状態で研磨が行われてい
る。したがって、押圧リングの押圧面にうねりがあった
り、また押圧リングの上下方向の板厚が全周に亘って均
一でないことに起因してポリッシング対象物の周縁部近
傍の研磨布が均一に変形されなかったとしても、ポリッ
シング対象物の押圧リングに対する回転によってポリッ
シング対象物の周縁部の研磨量が平準化され、ポリッシ
ング対象物の周縁部全周が均一に研磨される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の一実施例を図１乃至図３を参照して説明する。図
１はポリッシング装置の全体構成を示す断面図であり、
図２はトップリング及び押圧リングの部分を示す拡大断
面図であり、図３は図２の要部拡大断面図である。

【００１７】図１および図２において、符号１はトップ
リングであり、トップリング１は、トップリング本体１
Ａと、トップリング本体１Ａの外周部にボルト３１によ
って着脱可能に固定されたリテーナリング１Ｂとからな
り、半導体ウエハ４を収容する凹部１ａはトップリング
本体１Ａの下面とリテーナリング１Ｂによって形成され
ている。そして、トップリング本体１Ａの下面によって
半導体ウエハ４の上面を保持し、リテーナリング１Ｂに
よって半導体ウエハ４の外周部を保持するようになって
いる。前記トップリング本体１Ａおよびリテーナリング
１Ｂの周囲には押圧リング３が上下動可能に設けられて
いる。また押圧リング３とトップリング１との間には、
トップリング１の過度な傾動を抑制するための略Ｕ字状
の断面を有する板バネ１７が介装されている。

【００１８】前記トップリング１の下面には弾性マット
２が貼着されている。またトップリング１の下方には、
上面に研磨布６を貼ったターンテーブル５が設置されて
いる。またトップリング本体１Ａには凹球面３２ａを有
した取付フランジ３２が固定されている。トップリング
１の上方にはトップリングシャフト８が配置されてい
る。トップリングシャフト８の下端には、凹球面３４ａ
を有した駆動軸フランジ３４が固定されている。そし
て、前記両凹球面３２ａ，３４ａ間には、球ベアリング
７が介装されている。また、トップリング本体１Ａと取
付フランジ３２との間には空間３３が形成され、この空
間３３に真空、加圧空気、水等の液体が供給できるよう
になっている。トップリング本体１Ａは空間３３と連通
して下面に開口する多数の連通孔３５を有している。弾
性マット２も同様に前記連通孔３５に対向した位置に開
口を有している。これによって、半導体ウエハ４（図１
参照）の上面を真空によって吸着可能であり、又、半導
体ウエハ４の上面に液体又は加圧空気を供給できるよう
になっている。

【００１９】前記トップリングシャフト８はトップリン
グヘッド９に固定されたトップリング用エアシリンダ１
０に連結されており、このトップリング用エアシリンダ
１０によってトップリングシャフト８は上下動し、トッ
プリング１の下端面に保持された半導体ウエハ４をター
ンテーブル５に押圧するようになっている。

【００２０】また、トップリングシャフト８はキー（図
示せず）を介して回転筒１１に連結されており、この回
転筒１１はその外周部にタイミングプーリ１２を有して
いる。そして、タイミングプーリ１２は、タイミングベ
ルト１３を介して、トップリングヘッド９に固定された
トップリング用モータ１４に設けられたタイミングプー
リ１５に接続されている。したがって、トップリング用
モータ１４を回転駆動することによってタイミングプー
リ１５、タイミングベルト１３およびタイミングプーリ
１２を介して回転筒１１及びトップリングシャフト８が
一体に回転し、トップリング１が回転する。トップリン
グヘッド９は、フレーム（図示せず）に固定支持された
トップリングヘッドシャフト１６によって支持されてい
る。

【００２１】トップリング１の周囲に設けられた押圧リ
ング３は、図２および図３に示すように、最下位置にあ
ってアルミナセラミックからなる第１押圧リング部材３
ａと、第１押圧リング部材３ａの上方にあるステンレス
鋼からなる第２，第３押圧リング部材３ｂ，３ｃと、最
上方位置にあるステンレス鋼からなる第４押圧リング部
材３ｄとから構成されている。第２〜第４押圧リング部
材３ｂ〜３ｄは、ボルト３６によって相互に接続されて
おり、第１押圧リング部材３ａは第２押圧リング部材３
ｂに接着等によって固定されている。第１押圧リング部
材３ａの下端面は、内周側のみが下方に突出して段差を
形成しており、内周側のみが研磨布６を押圧する押圧面
になっている。押圧リング３の上端部は押圧リング用エ
アシリンダ２２に連結されている。押圧リング用エアシ
リンダ２２はトップリングヘッド９に固定されている。
押圧リング用エアシリンダ２２は円周上に複数個（例え
ば３個）配設されている。またリテーナリング１Ｂはス
テンレス鋼等の金属からなり、図３の太線に示すよう
に、その下部内外周面および下端面に樹脂コーティング
１８が施されている。樹脂コーティング１８はＰＥＥＫ
（ポリエーテルケトン）、ポリテトラフルオロエチレ
ン、塩化ポリビニール等が好ましく、その膜厚は１００
ミクロン以内が適当である。

【００２２】トップリング用エアシリンダ１０及び押圧
リング用エアシリンダ２２は、それぞれレギュレータＲ
１，Ｒ２を介して圧縮空気源２４に接続されている。そ
して、レギュレータＲ１によってトップリング用エアシ
リンダ１０へ供給する空気圧を調整することによりトッ
プリング１が半導体ウエハ４を研磨布６に押圧する押圧
力を調整することができ、レギュレータＲ２によって押
圧リング用エアシリンダ２２へ供給する空気圧を調整す
ることにより押圧リング３が研磨布６を押圧する押圧力
を調整することができる。

【００２３】本実施例においては、トップリング１と押
圧リング３との間に、トップリング１の回転を押圧リン
グ３に伝達するためのキー等の手段が設けられていな
い。従って、研磨中にトップリング１はトップリングシ
ャフト８の軸心まわりに回転するが、押圧リング３は自
身の軸線に対して非回転に構成されている。そのため、
トップリング１の回転力が押圧リング３へ伝達しないの
で、トップリングシャフト８の回転負荷が少なくなる。
また、押圧リング３をトップリングヘッド９に固定され
た押圧リング用エアシリンダ２２によって直接作動させ
ることができるため、装置構造が簡易になる。

【００２４】また、ターンテーブル５の上方には砥液供
給ノズル２５が設置されており、砥液供給ノズル２５に
よってターンテーブル５上の研磨布６上に研磨砥液Ｑが
供給されるようになっている。

【００２５】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング１の下面に半導体ウエハ４を保持させ、トッ
プリング用エアシリンダ１０を作動させてトップリング
１をターンテーブル５に向かって押圧し、回転している
ターンテーブル５の上面の研磨布６に半導体ウエハ４を
押圧する。一方、砥液供給ノズル２５から研磨砥液Ｑを
流すことにより、研磨布６に研磨砥液Ｑが保持されてお
り、半導体ウエハ４の研磨される面（下面）と研磨布６
の間に研磨砥液Ｑが存在した状態でポリッシングが行わ
れる。

【００２６】トップリング用エアシリンダ１０によるト
ップリング１の押圧力に応じて押圧リング用エアシリン
ダ２２による押圧リング３の研磨布６への押圧力を適宜
調整して半導体ウエハ４の研磨を行う。研磨中にレギュ
レータＲ１によってトップリング１が半導体ウエハ４を
ターンテーブル５上の研磨布６に押圧する押圧力Ｆ₁を
変更でき、レギュレータＲ２によって押圧リング３が研
磨布６を押圧する押圧力Ｆ₂ を変更できる（図１参
照）。したがって、研磨中に、押圧リング３が研磨布６
を押圧する押圧力Ｆ₂ を、トップリング１が半導体ウエ
ハ４を研磨布６に押圧する押圧力Ｆ₁に応じて変更する
ことができる。この押圧力Ｆ₁に対する押圧力Ｆ₂ を適
宜調整することにより、半導体ウエハ４の中心部から周
縁部、さらには半導体ウエハ４の外側にある押圧リング
３の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、半導体ウエハ４の周縁部における研磨量
の過不足を防止することができる。

【００２７】また半導体ウエハ４の周縁部で内部側より
意図的に研磨量を多くし又は逆に少なくしたい場合に
は、押圧リングの押圧力Ｆ₂をトップリングの押圧力Ｆ₁
に基づいて最適な値に選択することにより、半導体ウエ
ハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減できる。

【００２８】本実施例においては、半導体ウエハ４の研
磨中に、トップリング１は、トップリングシャフト８の
回転によって自身の軸線に対して回転する。しかしなが
ら、押圧リング３は、固定のトップリングヘッド９にエ
アシリンダ２２を介して連結されているため、自身の軸
線に対して非回転に構成されている。そのため、トップ
リング１の下端面に保持された半導体ウエハ４と押圧リ
ング３との間で相対回転が生ずる。よって、半導体ウエ
ハ４の周縁部と押圧リング３の内周部とは常に異なった
部位同士が対面した状態で研磨が行われる。

【００２９】したがって、押圧リング３の押圧面に、う
ねりがあったり、また押圧リング３の上下方向の板厚が
全周に亘って均一でないことに起因して、半導体ウエハ
４の周縁部近傍の研磨布６が全周に亘って均一に変形さ
れなかったとしても、半導体ウエハ４の押圧リング３に
対する回転によって半導体ウエハ４の周縁部の研磨量が
平準化され、半導体ウエハ４の周縁部全周が均一に研磨
される。

【００３０】また本実施例によれば、リテーナリング１
Ｂと押圧リング３とを最適な材質のものを選択すること
ができる。リテーナリング１Ｂは、内周面が半導体ウエ
ハ４に接触し、下端が研磨布６に接触しないため、金属
に樹脂コーティング１８を施す等の手段により比較的柔
らかな表面を有する材料から選ぶことができる。硬い材
料を用いると、研磨中に半導体ウエハ４が破損すること
があるからである。またリテーナリング１Ｂと押圧リン
グ３とが接触したとしても、両者は樹脂コーティング１
８を介して接触するため、金属同士の接触がなく、押圧
リング３とリテーナリング１Ｂの相対運動（上下運動お
よび回転運動）が円滑に行われる。また、この樹脂コー
ティングを施すことにより、金属材料が磨耗することに
よって生じる金属汚染を防止することができる。

【００３１】また第１押圧リング３ａは、半導体ウエハ
４に接触せず、かつ研磨布６と接触するために、アルミ
ナセラミック等の硬度が高く耐摩耗性に富み、かつ摩擦
係数の低い材料から選択することができる。押圧リング
は、摩耗が少なく、かつ研磨布との摩擦抵抗が小さく、
又、押圧リングの摩耗粉が半導体ウエハ４上の半導体デ
バイスに悪影響を与えないものが望ましい。第１押圧リ
ング３ａは、上述したように半導体ウエハ４と直接接触
することがないために、この面からの制約がないので、
上記要請を満たすような最適な材質であるアルミナセラ
ミックを選択することができる。なお、押圧リングの材
質としてアルミナセラミック以外に炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）やジルコニア等のセラミックであってもよい。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明のポリッシン
グ装置によれば、押圧リングの押圧面にうねりがあった
り、また押圧リングの上下方向の板厚が全周に亘って均
一でないことに起因して、ポリッシング対象物の周縁部
近傍の研磨布が均一に変形されなかったとしても、ポリ
ッシング対象物の押圧リングに対する回転によってポリ
ッシング対象物の周縁部の研磨量が平準化され、ポリッ
シング対象物の周縁部全周が均一に研磨される。

【００３３】また本発明によれば、押圧リングは、研磨
布と接触する押圧面を有する部位がセラミック等の耐摩
耗性に富みかつ低摩擦係数の材料で構成されている。し
たがって、押圧リングが研磨布を押圧して摺動する際の
摩耗を抑制することができるとともに摺動時の発熱を抑
制することができる。

【００３４】さらに本発明によれば、リテーナリングの
少なくとも下部は樹脂コーティングが施されているた
め、ポリッシング対象物の外周部を柔らかな材料（樹脂
コーティング）で支持することができる。また押圧リン
グがリテーナリングに接触したとしても、両者が樹脂コ
ーティングを介して接触するため、金属同士の接触がな
く、押圧リングとリテーナリングの相対運動が円滑に行
われる。更に、樹脂コーティングにより、ポリッシング
対象物の金属汚染を防止することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るポリッシング装置の一実施例の全
体構成を示す断面図である。

【図２】本発明に係るポリッシング装置の一実施例の要
部構成を示す断面図である。

【図３】図２の要部拡大断面図である。

【図４】従来のポリッシング装置の概略構造を示す断面
図である。

【図５】従来のポリッシング装置における半導体ウエハ
と研磨布と弾性マットとの状態を示す拡大断面図であ
る。

【図６】本件出願人が先に提案したポリッシング装置の
例の主要部を示す図である。

【符号の説明】

１トップリング１Ａトップリング本体１Ｂリテーナリング２弾性マット３押圧リング４半導体ウエハ５ターンテーブル６研磨布７球ベアリング８トップリングシャフト９トップリングヘッド１０トップリング用エアシリンダ１８樹脂コーティング２２押圧リング用エアシリンダ２４圧縮空気源２５砥液供給ノズル３２取付フランジ３４駆動軸フランジ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に研磨布を貼ったターンテーブルと
トップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリ
ングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の力
で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
し、平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、前記ポリッシング対象物を収容する凹部を有したトップ
リングの周囲に押圧リングを上下動自在に配置し、前記
押圧リングを研磨布に対して可変の押圧力で押圧する押
圧手段を設け、前記トップリングと前記押圧リングとを
相対回転可能に構成したことを特徴とするポリッシング
装置。
【請求項２】前記トップリングは、自身の軸線に対し
て回転可能に構成され、前記押圧リングは、自身の軸線
に対して非回転に構成されていることを特徴とする請求
項１記載のポリッシング装置。
【請求項３】前記押圧リングの押圧手段は、流体圧シ
リンダからなることを特徴とする請求項１又は２に記載
のポリッシング装置。
【請求項４】前記流体圧シリンダはトップリングを支
持するトップリングヘッドに固定されていることを特徴
とする請求項３記載のポリッシング装置。
【請求項５】前記押圧リングは、前記研磨布と接触す
る押圧面を有する部位がセラミック等の耐摩耗性材料か
らなることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装
置。
【請求項６】前記トップリングは、ポリッシング対象
物の上面を保持するトップリング本体と、このトップリ
ング本体の外周部に着脱可能に配置されポリッシング対
象物の外周部を保持するリテーナリングとからなり、前
記ポリッシング対象物を収容する凹部は前記トップリン
グ本体の下面と前記リテーナリングの内周面とにより形
成されていることを特徴とする請求項１記載のポリッシ
ング装置。
【請求項７】前記リテーナリングの少なくとも下部
は、樹脂コーティングが施されていることを特徴とする
請求項６記載のポリッシング装置。