JPH10279933A - 蛍光体及び表示管 - Google Patents
蛍光体及び表示管Info
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- JPH10279933A JPH10279933A JP8295197A JP8295197A JPH10279933A JP H10279933 A JPH10279933 A JP H10279933A JP 8295197 A JP8295197 A JP 8295197A JP 8295197 A JP8295197 A JP 8295197A JP H10279933 A JPH10279933 A JP H10279933A
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- phosphor
- fluorescent body
- film
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】表示管用蛍光体の表面においてガスの放出吸着
・脱離等の活性度を低下させ、蛍光体の表面を保護す
る。 【解決手段】基板のITO 電極上にSrTiO3:Pr 蛍光体を設
けた陽極基板を作製した。この蛍光体の表面にCVD 法で
SiN 薄膜層を形成した。これを電界放出陰極(Field Emi
ssion Cathode)が形成された基板と組み合わせてFED(Fi
eld Emission Display) を形成し、点灯して寿命評価を
行った。点灯1000時間において、コートなしの試料とSi
O2コートの試料は相対輝度が当初の40〜50% に落ちた
が、本例は85% 以上を維持した。SiN 薄膜に被覆された
本発明の蛍光体は、蛍光体自体の表面におけるガスの吸
着・脱離等の活性度が低くなり、蛍光体の表面が外界の
雰囲気から保護され、寿命が改善される。FEC の劣化も
防止され、表示素子の寿命が改善される。
・脱離等の活性度を低下させ、蛍光体の表面を保護す
る。 【解決手段】基板のITO 電極上にSrTiO3:Pr 蛍光体を設
けた陽極基板を作製した。この蛍光体の表面にCVD 法で
SiN 薄膜層を形成した。これを電界放出陰極(Field Emi
ssion Cathode)が形成された基板と組み合わせてFED(Fi
eld Emission Display) を形成し、点灯して寿命評価を
行った。点灯1000時間において、コートなしの試料とSi
O2コートの試料は相対輝度が当初の40〜50% に落ちた
が、本例は85% 以上を維持した。SiN 薄膜に被覆された
本発明の蛍光体は、蛍光体自体の表面におけるガスの吸
着・脱離等の活性度が低くなり、蛍光体の表面が外界の
雰囲気から保護され、寿命が改善される。FEC の劣化も
防止され、表示素子の寿命が改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳｉＯ2 を除くＳ
ｉを含む物質からなる膜に被着された蛍光体に関する。
ｉを含む物質からなる膜に被着された蛍光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】蛍光体は各種の表示素子において使用さ
れている。例えば蛍光表示管は、内部を高真空状態に保
持された外囲器の内部に、蛍光体層を有する陽極や、電
子を放出する陰極等の電極類を有しており、陰極から放
出された電子を蛍光体層に射突させて所望の色彩乃至パ
ターンの発光表示を得ている。また、電界放出形表示装
置（Fiele Emission Display, 略してFED)は、前記電子
源として電界放出陰極（Fiele Emission Cathode, 略し
てFEC)を有する表示素子である。このような蛍光表示管
や電界放出形表示装置においては目的等に応じて各種の
蛍光体が使用されている。
れている。例えば蛍光表示管は、内部を高真空状態に保
持された外囲器の内部に、蛍光体層を有する陽極や、電
子を放出する陰極等の電極類を有しており、陰極から放
出された電子を蛍光体層に射突させて所望の色彩乃至パ
ターンの発光表示を得ている。また、電界放出形表示装
置（Fiele Emission Display, 略してFED)は、前記電子
源として電界放出陰極（Fiele Emission Cathode, 略し
てFEC)を有する表示素子である。このような蛍光表示管
や電界放出形表示装置においては目的等に応じて各種の
蛍光体が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような各種の蛍光
体の中で、例えば硫化物系蛍光体・Ｓｒ系蛍光体・Ｙ系
蛍光体等のようなＩＩ−ＩＩＩ族を中心とした蛍光体は
表面活性度が高いので、外囲器の内面等に付着している
Ｈ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ｏ2 ，ＣＯ2 等の残留ガスがその表面に
吸着して電子線励起による発光効率が低下してしまう。
前記蛍光体の劣化した表面をＡＥＳで分析したところ、
蛍光体の表面に多くのカーボンが沈着している事実が確
認され、これが蛍光体の寿命を劣化させる原因と推定さ
れた。
体の中で、例えば硫化物系蛍光体・Ｓｒ系蛍光体・Ｙ系
蛍光体等のようなＩＩ−ＩＩＩ族を中心とした蛍光体は
表面活性度が高いので、外囲器の内面等に付着している
Ｈ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ｏ2 ，ＣＯ2 等の残留ガスがその表面に
吸着して電子線励起による発光効率が低下してしまう。
前記蛍光体の劣化した表面をＡＥＳで分析したところ、
蛍光体の表面に多くのカーボンが沈着している事実が確
認され、これが蛍光体の寿命を劣化させる原因と推定さ
れた。
【０００４】このような蛍光体表面へのガスの吸着を防
ぐとともに、蛍光体自体の保護も兼ねて、蛍光体の表面
にＳｉＯ2 膜をコートすることがある。このようなＳｉ
Ｏ2膜のコートは、例えばブラウン管用の蛍光体におけ
る表面処理として知られている。
ぐとともに、蛍光体自体の保護も兼ねて、蛍光体の表面
にＳｉＯ2 膜をコートすることがある。このようなＳｉ
Ｏ2膜のコートは、例えばブラウン管用の蛍光体におけ
る表面処理として知られている。
【０００５】しかしながら、実際にはＳｉＯ2 膜は活性
であるためガスを吸蔵しており、従来の方法では蛍光体
の保護が適切に行われていたとはいえなかった。
であるためガスを吸蔵しており、従来の方法では蛍光体
の保護が適切に行われていたとはいえなかった。
【０００６】また、通常の蛍光表示管やＦＥＤでは、電
子の加速電圧が４００Ｖ程度であり、この程度のエネル
ギーの電子を通過させて蛍光体層に到達させるために
は、蛍光体に設ける保護膜の厚さを相当に薄く形成しな
ければならないが、このような薄い膜を均一に形成する
ことは、通常の方法では極めて困難である。
子の加速電圧が４００Ｖ程度であり、この程度のエネル
ギーの電子を通過させて蛍光体層に到達させるために
は、蛍光体に設ける保護膜の厚さを相当に薄く形成しな
ければならないが、このような薄い膜を均一に形成する
ことは、通常の方法では極めて困難である。
【０００７】本発明は、表示管等に使用される蛍光体の
表面においてガスの放出吸着・脱離等の活性度を低下さ
せ、蛍光体の表面を保護することを目的としている。
表面においてガスの放出吸着・脱離等の活性度を低下さ
せ、蛍光体の表面を保護することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体は、ＳｉＯ2 を除くＳｉを含む物質からなる膜に被
覆されたことを特徴としている。
光体は、ＳｉＯ2 を除くＳｉを含む物質からなる膜に被
覆されたことを特徴としている。
【０００９】請求項２に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質からなる膜
が、ＣＶＤ法によって形成されたことを特徴とする。
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質からなる膜
が、ＣＶＤ法によって形成されたことを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質がＳｉＮで
あることを特徴としている。
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質がＳｉＮで
あることを特徴としている。
【００１１】請求項４に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質がα−Ｓｉ
であることを特徴としている。
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質がα−Ｓｉ
であることを特徴としている。
【００１２】請求項５に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質からなる膜
の膜厚が１０オングストロームから５００オングストロ
ームの範囲であることを特徴とする。
記載の蛍光体において、前記Ｓｉを含む物質からなる膜
の膜厚が１０オングストロームから５００オングストロ
ームの範囲であることを特徴とする。
【００１３】請求項６に記載された蛍光体は、粒子状の
蛍光体に請求項１記載の蛍光体が被着されたことを特徴
とする。
蛍光体に請求項１記載の蛍光体が被着されたことを特徴
とする。
【００１４】請求項７に記載された蛍光体は、層状の蛍
光体に請求項１記載の蛍光体が被着されたことを特徴と
する。
光体に請求項１記載の蛍光体が被着されたことを特徴と
する。
【００１５】請求項８に記載された表示管は、外囲器
と、前記外囲器の内面に形成した陽極導体と、前記陽極
導体の表面に設けた蛍光体と、前記外囲器の内部に設け
た電子源とを有する表示管において、前記蛍光体が請求
項１記載の蛍光体であることを特徴とする。
と、前記外囲器の内面に形成した陽極導体と、前記陽極
導体の表面に設けた蛍光体と、前記外囲器の内部に設け
た電子源とを有する表示管において、前記蛍光体が請求
項１記載の蛍光体であることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の蛍光体は、蛍光体の粒子
の表面又は蛍光体層の表面を、ＳｉＯ2 を除くＳｉを含
む物質であるＳｉＮやα−Ｓｉ等の薄膜（以下Ｓｉ物質
薄膜と呼ぶ）で覆ったものである。Ｓｉ物質薄膜の成膜
方法は、熱フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法、燃焼炎法、ＲＦや直流の放電あるいは有磁場
のプラズマＣＶＤ法等がある。
の表面又は蛍光体層の表面を、ＳｉＯ2 を除くＳｉを含
む物質であるＳｉＮやα−Ｓｉ等の薄膜（以下Ｓｉ物質
薄膜と呼ぶ）で覆ったものである。Ｓｉ物質薄膜の成膜
方法は、熱フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法、燃焼炎法、ＲＦや直流の放電あるいは有磁場
のプラズマＣＶＤ法等がある。
【００１７】ＣＶＤは、Chemical Vapor Deposition の
略であり、目的とする膜材料を構成する成分元素を含む
気体を原料として反応室に供給し、気相中での反応ある
いは基板表面での化学反応により目的とした材料を膜と
して堆積させる方法である。反応室への原料の供給は、
ガス状化合物の場合にはそのまま行い、蒸気圧の比較的
高い液体や固定状化合物の場合は気化させて行う。
略であり、目的とする膜材料を構成する成分元素を含む
気体を原料として反応室に供給し、気相中での反応ある
いは基板表面での化学反応により目的とした材料を膜と
して堆積させる方法である。反応室への原料の供給は、
ガス状化合物の場合にはそのまま行い、蒸気圧の比較的
高い液体や固定状化合物の場合は気化させて行う。
【００１８】ＣＶＤ法には、使用する原料の種類、反応
過程の雰囲気圧、反応促進手段等に応じて多くの種類が
ある。例えば、プラズマＣＶＤ法は、プラズマのエネル
ギーを用いて反応の促進を図る手法である。
過程の雰囲気圧、反応促進手段等に応じて多くの種類が
ある。例えば、プラズマＣＶＤ法は、プラズマのエネル
ギーを用いて反応の促進を図る手法である。
【００１９】本発明のＳｉ物質薄膜は、ガスの吸着等に
よる弊害の大きい比較的表面活性度の高い蛍光体に形成
した場合、特に高い効果が得られる。例えば、硫化物系
蛍光体・Ｓｒ系蛍光体・Ｙ系蛍光体等のようなＩＩ−Ｉ
ＩＩ族元素を中心とした蛍光体等である。このような蛍
光体を蛍光表示管で使用すると、従来は外囲器内の残留
ガスの吸着等による発光効率の低下や、蛍光体自体の分
解・飛散によるエミッション特性の劣化が避けられなか
ったが、本発明のＳｉを含む物質薄膜を形成すればこの
ような問題は解決する。
よる弊害の大きい比較的表面活性度の高い蛍光体に形成
した場合、特に高い効果が得られる。例えば、硫化物系
蛍光体・Ｓｒ系蛍光体・Ｙ系蛍光体等のようなＩＩ−Ｉ
ＩＩ族元素を中心とした蛍光体等である。このような蛍
光体を蛍光表示管で使用すると、従来は外囲器内の残留
ガスの吸着等による発光効率の低下や、蛍光体自体の分
解・飛散によるエミッション特性の劣化が避けられなか
ったが、本発明のＳｉを含む物質薄膜を形成すればこの
ような問題は解決する。
【００２０】
実施例(1) 絶縁性の基板の上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)によって
陽極導体を形成する。この陽極導体上に赤色発光のＳｒ
ＴｉＯ3 ：Ｐｒ蛍光体をスクリーン印刷法で塗布した
後、空気中５００℃でベーキングし、蛍光体が塗布され
たアノード基板を作製した。このアノード基板の蛍光体
層の表面に、基板温度３５０℃においてプラズマＣＶＤ
法でＳｉＮ薄膜層を形成した。
陽極導体を形成する。この陽極導体上に赤色発光のＳｒ
ＴｉＯ3 ：Ｐｒ蛍光体をスクリーン印刷法で塗布した
後、空気中５００℃でベーキングし、蛍光体が塗布され
たアノード基板を作製した。このアノード基板の蛍光体
層の表面に、基板温度３５０℃においてプラズマＣＶＤ
法でＳｉＮ薄膜層を形成した。
【００２１】ＳｉＮ成膜には、原料としてＳｉＨ4 ，Ｎ
Ｈ3 及びＮ2 を用い、これらの比率は０．２対２対１と
した。このＳｉＮの膜厚は、ＳｉＨ4 の量とプラズマの
インプットパワーと成膜時間によりコントロールできる
が、ここではインプットパワーは６０Ｗで一定とし、時
間の制御で膜厚をコントロールした。
Ｈ3 及びＮ2 を用い、これらの比率は０．２対２対１と
した。このＳｉＮの膜厚は、ＳｉＨ4 の量とプラズマの
インプットパワーと成膜時間によりコントロールできる
が、ここではインプットパワーは６０Ｗで一定とし、時
間の制御で膜厚をコントロールした。
【００２２】比較例として、膜形成を行わない試料と、
ＳｉＯ2 膜を形成した試料を作製した。ＳｉＯ2 膜を形
成した試料は、ブラウン管用蛍光体への表面処理として
良く知られている蛍光体自体に水硝子等を用いる方法で
作成した。本例のアノード基板と、２つの比較例の各ア
ノード基板を、それぞれフィールドエミッションカソー
ドとともに真空封止し、３つのＦＥＤを形成した。
ＳｉＯ2 膜を形成した試料を作製した。ＳｉＯ2 膜を形
成した試料は、ブラウン管用蛍光体への表面処理として
良く知られている蛍光体自体に水硝子等を用いる方法で
作成した。本例のアノード基板と、２つの比較例の各ア
ノード基板を、それぞれフィールドエミッションカソー
ドとともに真空封止し、３つのＦＥＤを形成した。
【００２３】これらのＦＥＤの初期特性および寿命評価
は、アノードに４００Ｖを印加して行った。図１は、Ｓ
ｉＮ薄膜を１００オングストロームの厚さに形成した試
料（本例）と、膜形成を行わない試料（比較例（膜な
し））と、ＳｉＯ2 膜を１００オングストロームの厚さ
に形成した試料（比較例（ＳｉＯ2 ））について行った
寿命試験の結果を示す。
は、アノードに４００Ｖを印加して行った。図１は、Ｓ
ｉＮ薄膜を１００オングストロームの厚さに形成した試
料（本例）と、膜形成を行わない試料（比較例（膜な
し））と、ＳｉＯ2 膜を１００オングストロームの厚さ
に形成した試料（比較例（ＳｉＯ2 ））について行った
寿命試験の結果を示す。
【００２４】図２は、本例と比較例（ＳｉＯ2 ）につい
て、膜厚を５〜１０００オングストロームの範囲で変化
させた時の寿命試験１０００時間後の輝度残存率を示
す。図３は、本例と比較例（ＳｉＯ2 ）について、膜厚
を５〜１０００オングストロームの範囲で変化させた時
の初期輝度を示す。
て、膜厚を５〜１０００オングストロームの範囲で変化
させた時の寿命試験１０００時間後の輝度残存率を示
す。図３は、本例と比較例（ＳｉＯ2 ）について、膜厚
を５〜１０００オングストロームの範囲で変化させた時
の初期輝度を示す。
【００２５】これらの結果から、ＳｉＮ薄膜を用いるこ
とにより寿命と輝度残存率が改善されたことがわかる。
図２及び図３によると、薄膜の膜厚は初期輝度及び寿命
特性から見て、１０〜５００オングストロームの範囲が
実用的であり、２０〜２００オングストロームの範囲が
より好ましい。
とにより寿命と輝度残存率が改善されたことがわかる。
図２及び図３によると、薄膜の膜厚は初期輝度及び寿命
特性から見て、１０〜５００オングストロームの範囲が
実用的であり、２０〜２００オングストロームの範囲が
より好ましい。
【００２６】ＦＥＤや蛍光表示管等で使用されている加
速電圧が１ｋＶ程度以下の電子の場合には、物質中に侵
入可能な深さは高々１０００オングストローム程度であ
る。従って、この程度の加速電圧の電子の場合には、こ
れ以上厚い膜を蛍光体に被着すると射突した電子が蛍光
体まで到達しないことになる。従って、前述した本例の
ＳｉＮ薄膜の膜厚の範囲は、この点においても適切であ
る。
速電圧が１ｋＶ程度以下の電子の場合には、物質中に侵
入可能な深さは高々１０００オングストローム程度であ
る。従って、この程度の加速電圧の電子の場合には、こ
れ以上厚い膜を蛍光体に被着すると射突した電子が蛍光
体まで到達しないことになる。従って、前述した本例の
ＳｉＮ薄膜の膜厚の範囲は、この点においても適切であ
る。
【００２７】また、ＳｉＮを１００オングストロームの
厚さに形成した蛍光体層の表面をＡＥＳ分析した結果、
Ｓｉ＝４０％、Ｎ＝５０％、Ｓｒ＝１．４％、Ｔｉ＝
１．３％、Ｏ＝４．３％であり、表面は殆どＳｉＮで覆
われていることが分かった。また、ＳｉＯ2 コートした
比較例では蛍光体自体の劣化とカソードの劣化が認めら
れ、カソードのＡＥＳ分析の結果ではＴｉ，Ｓｉ，Ｃ，
Ｏ等の増加が見られた。
厚さに形成した蛍光体層の表面をＡＥＳ分析した結果、
Ｓｉ＝４０％、Ｎ＝５０％、Ｓｒ＝１．４％、Ｔｉ＝
１．３％、Ｏ＝４．３％であり、表面は殆どＳｉＮで覆
われていることが分かった。また、ＳｉＯ2 コートした
比較例では蛍光体自体の劣化とカソードの劣化が認めら
れ、カソードのＡＥＳ分析の結果ではＴｉ，Ｓｉ，Ｃ，
Ｏ等の増加が見られた。
【００２８】ＳｉＮは薄く均一な膜に形成できるため、
電子が容易に通過できる膜厚の範囲で、十分な初期輝度
を保ちながら、寿命と輝度残存率を改善する効果を出す
ことができる。またＳｉＮは、Ｈ2 Ｏ，ＣＯ2 などのハ
イドロカーボンが吸着しにくく、膜自体がこれらのガス
成分に対し非常に安定であると考えられる。
電子が容易に通過できる膜厚の範囲で、十分な初期輝度
を保ちながら、寿命と輝度残存率を改善する効果を出す
ことができる。またＳｉＮは、Ｈ2 Ｏ，ＣＯ2 などのハ
イドロカーボンが吸着しにくく、膜自体がこれらのガス
成分に対し非常に安定であると考えられる。
【００２９】実施例(2) 青色発光のＹ2 ＳｉＯ5 ：Ｃｅ蛍光体を用いて実施例
(1) と同様にＳｉＮ膜を１００オングストロームの厚さ
に形成した試料（本例）で評価を行った。また、薄膜形
成しない試料（比較例（膜なし））も作製した。評価の
結果、図４に示すように寿命１０００時間後の本例の輝
度残存率は７５％であった。一方、比較例（膜なし）は
２５％であった。この蛍光体は水分を吸着しやすいとい
われており、ＳｉＮ膜コートにより蛍光体表面の安定化
が計られたものと考えられる。
(1) と同様にＳｉＮ膜を１００オングストロームの厚さ
に形成した試料（本例）で評価を行った。また、薄膜形
成しない試料（比較例（膜なし））も作製した。評価の
結果、図４に示すように寿命１０００時間後の本例の輝
度残存率は７５％であった。一方、比較例（膜なし）は
２５％であった。この蛍光体は水分を吸着しやすいとい
われており、ＳｉＮ膜コートにより蛍光体表面の安定化
が計られたものと考えられる。
【００３０】実施例(3) 青色発光のＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体を用いて実施例
(1) と同様にＳｉＮ膜を５０オングストロームの厚さに
形成した試料（本例）で評価を行った。また、薄膜形成
しない試料（比較例（膜なし））も作製した。評価の結
果、図５に示すように、寿命１０００時間後の本例の輝
度残存率は７０％であった。一方、薄膜コートなしの比
較例は１０％であった。この蛍光体（一般式で書くとＺ
ｎ1-x Ｃｄ x Ｓ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ≦０．８、Ａ＝Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｕ、Ｂ＝Ｃｌ，Ａｌなど）は管内の残留ガスと
電子線のエネルギーにより容易に分解飛散することが知
られている。今回の寿命試験後の試料のカソードをＡＥ
Ｓ分析したところ、コート無しの比較例からＳが全検出
元素の中の７０％を占める割合で検出されたが、本例の
試料からは約５％しか検出されなかった。すなわち、Ｓ
ｉＮ膜のコートにより、蛍光体の表面の安定化が計られ
たものと考えられる。また、このＳｉＮ膜のコートによ
る効果は、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌに限らず、上記の一般式
Ｚｎ1-x ＣｄxＳ：Ａ，Ｂで表される全ての硫化物蛍光
体において得られることは明らかである。
(1) と同様にＳｉＮ膜を５０オングストロームの厚さに
形成した試料（本例）で評価を行った。また、薄膜形成
しない試料（比較例（膜なし））も作製した。評価の結
果、図５に示すように、寿命１０００時間後の本例の輝
度残存率は７０％であった。一方、薄膜コートなしの比
較例は１０％であった。この蛍光体（一般式で書くとＺ
ｎ1-x Ｃｄ x Ｓ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ≦０．８、Ａ＝Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｕ、Ｂ＝Ｃｌ，Ａｌなど）は管内の残留ガスと
電子線のエネルギーにより容易に分解飛散することが知
られている。今回の寿命試験後の試料のカソードをＡＥ
Ｓ分析したところ、コート無しの比較例からＳが全検出
元素の中の７０％を占める割合で検出されたが、本例の
試料からは約５％しか検出されなかった。すなわち、Ｓ
ｉＮ膜のコートにより、蛍光体の表面の安定化が計られ
たものと考えられる。また、このＳｉＮ膜のコートによ
る効果は、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌに限らず、上記の一般式
Ｚｎ1-x ＣｄxＳ：Ａ，Ｂで表される全ての硫化物蛍光
体において得られることは明らかである。
【００３１】実施例(4) 絶縁性の基板の上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)によって
陽極導体を形成する。この陽極導体上に赤色発光のＳｒ
ＴｉＯ3 ：Ｐｒ蛍光体をスクリーン印刷法で塗布した
後、空気中５００℃でベーキングし、蛍光体が塗布され
たアノード基板を作製した。このアノード基板の蛍光体
層の表面に、基板温度３５０℃においてプラズマＣＶＤ
法でα−Ｓｉ薄膜層を形成した。
陽極導体を形成する。この陽極導体上に赤色発光のＳｒ
ＴｉＯ3 ：Ｐｒ蛍光体をスクリーン印刷法で塗布した
後、空気中５００℃でベーキングし、蛍光体が塗布され
たアノード基板を作製した。このアノード基板の蛍光体
層の表面に、基板温度３５０℃においてプラズマＣＶＤ
法でα−Ｓｉ薄膜層を形成した。
【００３２】α−Ｓｉ薄膜の成膜には、原料としてＳｉ
Ｈ4 を用いた。このα−Ｓｉ薄膜層の膜厚は、ＳｉＨ4
の量とプラズマのインプットパワーと成膜時間によりコ
ントロールできるが、ここではインプットパワーは６０
Ｗで一定とし、時間の制御で膜厚をコントロールした。
Ｈ4 を用いた。このα−Ｓｉ薄膜層の膜厚は、ＳｉＨ4
の量とプラズマのインプットパワーと成膜時間によりコ
ントロールできるが、ここではインプットパワーは６０
Ｗで一定とし、時間の制御で膜厚をコントロールした。
【００３３】比較例として、膜形成を行わない試料と、
ＳｉＯ2 膜を２００オングストロームの厚さに形成した
試料を作製した。ＳｉＯ2 膜を形成した試料は、ブラウ
ン管用蛍光体への表面処理として良く知られている蛍光
体自体に水硝子等を用いる方法で作成した。本例のアノ
ード基板と、２つの比較例の各アノード基板を、それぞ
れフィールドエミッションカソードとともに真空封止
し、３つのＦＥＤを形成した。
ＳｉＯ2 膜を２００オングストロームの厚さに形成した
試料を作製した。ＳｉＯ2 膜を形成した試料は、ブラウ
ン管用蛍光体への表面処理として良く知られている蛍光
体自体に水硝子等を用いる方法で作成した。本例のアノ
ード基板と、２つの比較例の各アノード基板を、それぞ
れフィールドエミッションカソードとともに真空封止
し、３つのＦＥＤを形成した。
【００３４】これらのＦＥＤの初期特性および寿命評価
は、アノードに４００Ｖを印加して行った。図６は、本
例と比較例（ＳｉＯ2 ）について、膜厚を５〜１０００
オングストロームの範囲で変化させた時の寿命試験１０
００時間後の輝度残存率を示す。図７は、本例と比較例
（ＳｉＯ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングスト
ロームの範囲で変化させた時の初期輝度を示す。
は、アノードに４００Ｖを印加して行った。図６は、本
例と比較例（ＳｉＯ2 ）について、膜厚を５〜１０００
オングストロームの範囲で変化させた時の寿命試験１０
００時間後の輝度残存率を示す。図７は、本例と比較例
（ＳｉＯ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングスト
ロームの範囲で変化させた時の初期輝度を示す。
【００３５】これらの結果から、α−Ｓｉ薄膜を用いる
ことにより寿命と輝度残存率が改善されたことがわか
る。図６及び図７によると、薄膜の膜厚は初期輝度及び
寿命特性から見て、１０〜５００オングストロームの範
囲が実用的であり、２０〜２００オングストロームの範
囲がより好ましい。
ことにより寿命と輝度残存率が改善されたことがわか
る。図６及び図７によると、薄膜の膜厚は初期輝度及び
寿命特性から見て、１０〜５００オングストロームの範
囲が実用的であり、２０〜２００オングストロームの範
囲がより好ましい。
【００３６】実施例(1) と実施例(4) で用いたＳｒＴｉ
Ｏ3 ：Ｐｒ蛍光体は、低電圧から効率のよい赤色発光を
示し、従来の希土類蛍光体より赤色としては優れた色度
を有している。しかしながら、この蛍光体は、前述した
蛍光表示管や電界放出形表示装置の陽極に実装して点灯
表示させると寿命特性が悪く、このために実用化はされ
ていなかった。しかしながら、実施例(1) と実施例(4)
に示したように、ＳｉＮ薄膜又はα−Ｓｉ薄膜でコート
することにより寿命が改善され、表示管用の赤色発光の
蛍光体として実用に供することが可能となった。
Ｏ3 ：Ｐｒ蛍光体は、低電圧から効率のよい赤色発光を
示し、従来の希土類蛍光体より赤色としては優れた色度
を有している。しかしながら、この蛍光体は、前述した
蛍光表示管や電界放出形表示装置の陽極に実装して点灯
表示させると寿命特性が悪く、このために実用化はされ
ていなかった。しかしながら、実施例(1) と実施例(4)
に示したように、ＳｉＮ薄膜又はα−Ｓｉ薄膜でコート
することにより寿命が改善され、表示管用の赤色発光の
蛍光体として実用に供することが可能となった。
【００３７】以上説明した各実施例では、基板上の蛍光
体層にＳｉＮ薄膜又はα−Ｓｉ薄膜を被着したが、蛍光
体の粒子自体にこれらのＳｉを含む物質の薄膜を形成
し、これを基板上に層状に設けても略同様の効果が得ら
れる。
体層にＳｉＮ薄膜又はα−Ｓｉ薄膜を被着したが、蛍光
体の粒子自体にこれらのＳｉを含む物質の薄膜を形成
し、これを基板上に層状に設けても略同様の効果が得ら
れる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の蛍光体は、ＳｉＯ2 を除くＳｉ
を含む物質であるＳｉＮやα−Ｓｉの薄膜で被覆してい
るので、寿命特性が改善された。この蛍光体を表示管の
発光部に用いれば、寿命特性に優れた表示管を実現でき
る。
を含む物質であるＳｉＮやα−Ｓｉの薄膜で被覆してい
るので、寿命特性が改善された。この蛍光体を表示管の
発光部に用いれば、寿命特性に優れた表示管を実現でき
る。
【図１】実施例(1) の試料（本例）と、膜形成を行わな
い試料（比較例（膜なし））と、ＳｉＯ2 膜を１００オ
ングストロームの厚さに形成した試料（比較例（ＳｉＯ
2 ））について行った寿命試験の結果を示す図である。
い試料（比較例（膜なし））と、ＳｉＯ2 膜を１００オ
ングストロームの厚さに形成した試料（比較例（ＳｉＯ
2 ））について行った寿命試験の結果を示す図である。
【図２】実施例(1) の試料（本例）と比較例（Ｓｉ
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の、寿命試験１０００時間後の輝
度残存率を示す図である。
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の、寿命試験１０００時間後の輝
度残存率を示す図である。
【図３】実施例(1) の試料（本例）と比較例（Ｓｉ
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の初期輝度を示す図である。
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の初期輝度を示す図である。
【図４】実施例(2) の試料（本例）と膜形成を行わない
試料（比較例（膜なし））について行った寿命試験の結
果を示す図である。
試料（比較例（膜なし））について行った寿命試験の結
果を示す図である。
【図５】実施例(3) の試料（本例）と膜形成を行わない
試料（比較例（膜なし））について行った寿命試験の結
果を示す図である。
試料（比較例（膜なし））について行った寿命試験の結
果を示す図である。
【図６】実施例(4) の試料（本例）と比較例（Ｓｉ
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の、寿命試験１０００時間後の輝
度残存率を示す図である。
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の、寿命試験１０００時間後の輝
度残存率を示す図である。
【図７】実施例(4) の試料（本例）と比較例（Ｓｉ
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の初期輝度を示す図である。
Ｏ2 ）について、膜厚を５〜１０００オングストローム
の範囲で変化させた時の初期輝度を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 を除くＳｉを含む物質からなる
膜を被覆した蛍光体。 - 【請求項２】 前記Ｓｉを含む物質からなる膜が、ＣＶ
Ｄ法によって形成されたことを特徴とする請求項１記載
の蛍光体。 - 【請求項３】 前記Ｓｉを含む物質がＳｉＮである請求
項１記載の蛍光体。 - 【請求項４】 前記Ｓｉを含む物質がα−Ｓｉである請
求項１記載の蛍光体。 - 【請求項５】 前記Ｓｉを含む物質からなる膜の膜厚が
１０オングストロームから５００オングストロームの範
囲であることを特徴とする請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項６】 粒子状であることを特徴とする請求項１
記載の蛍光体。 - 【請求項７】 層状であることを特徴とする請求項１記
載の蛍光体。 - 【請求項８】 外囲器と、前記外囲器の内面に形成した
陽極導体と、前記陽極導体の表面に設けた蛍光体と、前
記外囲器の内部に設けた電子源とを有する表示管におい
て、 前記蛍光体が請求項１記載の蛍光体であることを特徴と
する表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295197A JPH10279933A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 蛍光体及び表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295197A JPH10279933A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 蛍光体及び表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10279933A true JPH10279933A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=13788539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8295197A Pending JPH10279933A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 蛍光体及び表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10279933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7071609B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-07-04 | Noritake Itron Corporation | Red phosphor for low-voltage electron beam |
-
1997
- 1997-04-01 JP JP8295197A patent/JPH10279933A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7071609B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-07-04 | Noritake Itron Corporation | Red phosphor for low-voltage electron beam |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051019 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051025 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060307 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |