JPH10261621A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH10261621A
JPH10261621A JP9066095A JP6609597A JPH10261621A JP H10261621 A JPH10261621 A JP H10261621A JP 9066095 A JP9066095 A JP 9066095A JP 6609597 A JP6609597 A JP 6609597A JP H10261621 A JPH10261621 A JP H10261621A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
antenna
plasma
processing chamber
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9066095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3598717B2 (ja
Inventor
Junichi Tanaka
潤一 田中
Toru Otsubo
徹 大坪
Toshio Masuda
俊夫 増田
Tetsunori Kaji
哲徳 加治
Katsuya Watanabe
克哉 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6609597A priority Critical patent/JP3598717B2/ja
Priority to US09/040,404 priority patent/US6422172B1/en
Priority to KR10-1998-0009180A priority patent/KR100498584B1/ko
Publication of JPH10261621A publication Critical patent/JPH10261621A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3598717B2 publication Critical patent/JP3598717B2/ja
Priority to KR1020050010445A priority patent/KR100552645B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E05—LOCKS; KEYS; WINDOW OR DOOR FITTINGS; SAFES
    • E05B—LOCKS; ACCESSORIES THEREFOR; HANDCUFFS
    • E05B65/00—Locks or fastenings for special use
    • E05B65/44—Locks or fastenings for special use for furniture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】処理室内の処理ガスの分解の状態を制御する、
つまり処理室内のラジカルの状態を制御する手段と、処
理室の側壁部の壁面の状態を制御する手段を提供する。 【解決手段】アンテナ１１により電極２が生成するのと
は異なる電子温度を持つプラズマと異なる成分比のラジ
カルを生成することにより処理室９内部のラジカルの成
分を制御する。また、アンテナ１１により側壁部６の近
傍にプラズマを生成することにより側壁部の壁面の状態
を制御する。 【効果】処理室内のラジカルの成分を制御することによ
り半導体デバイスなどの処理対象物の加工レートや加工
形状といった微細加工の性能を上げることが出来る。ま
た、処理室の側壁部の近傍に生成したプラズマにより壁
面状態を制御することにより微細加工の性能を上げるこ
とが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ生成装置
を備えた半導体製造装置に係り、特に半導体素子の微細
加工に好適な半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを用いて半導体ウエハを処理す
るプラズマ処理装置には、例えば特開昭57-131374号公
報に開示されているような平行平板電極方式のものがあ
る。この平行平板電極方式のプラズマ処理装置の従来例
を図１１に示す。
【０００３】図１１の装置では、円筒状の側壁部６と絶
縁部５と円盤状の電極２によって囲まれている処理室９
が図示しないガス排気手段により真空状態に保たれてお
り、ガス供給手段７がガス導入路の機能を兼ね備えた電
極２を通して処理ガスを処理室に供給する。通常、側壁
部６はアースされており、電極２とは絶縁部５により絶
縁されている。電極２と支持台３は平行平板電極を構成
しており、電源１がこの平行平板電極の間に電力を加え
ることにより処理室９内部の処理ガスがプラズマ化す
る。なお、通常は電極２は導体壁８によって覆われてお
り、電極２が発生する電磁波が外部に漏れないようにな
っている。
【０００４】処理室の下部には処理対象のウエハ４が支
持台３の上に設置されており、処理室９内に発生したプ
ラズマとプラズマにより活性化した処理ガス中の化学種
（ラジカル）により微細加工が行われる。この時、電源
１が加える入力電力や処理室９内の圧力や電極２と支持
台３の間の間隙の幅等によってプラズマの密度とプラズ
マ中の電子の温度が変わり、同時に処理ガスの分解の状
態が変わる。
【０００５】つまり、いくつかあるラジカル種の量の比
が変わり、微細加工の性能を左右する。さらに、支持台
３には電源１０によりバイアス電圧が掛けられており、
プラズマ中のイオンを引き込んでウエハ上での反応を促
進する。電源１０の代わりにコンデンサ等による電位差
を利用し支持台にバイアスを加える装置もある。特に、
特開昭57-131374では電源１と電源１０に異なる周波数
のＲＦ電源を用いてエッチング等の微細加工の精度を上
げる工夫をしている。処理済みの処理ガスや微細加工の
際に放出された反応生成物は、通常側壁部６と支持台３
の間を通って図示しない排気手段により排気される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
１）微細加工の性能を決める主要因であるラジカルの成
分比は、プラズマ中の電子温度によってきまるが、例え
ば図１１で示したような、平行平板電極型のプラズマ処
理装置では電子温度が入力電力や処理室内圧力や間隙の
幅等により決まる。しかし、処理対象物が大きくなり、
処理室の大きさも大きくなってくると処理ガスの流れの
圧力損失が大きくなる等の問題から処理室内圧力や間隙
の幅を自由に調節することができなくなり、電子温度を
適切に設定してラジカル成分比を調節することが困難に
なってくる。
【０００７】２）プラズマの密度が主に電極と支持台の
間隙の間で高くなり、側壁部の近傍ではプラズマ密度が
低くなるため、側壁部の壁面に処理ガスや反応生成物に
より様々な化学成分が付着するなどして微細加工の性能
に悪影響を与えることがある。しかし、図１１に示すよ
うな従来の平行平板電極型プラズマ処理装置では、この
側壁部の壁面の状態を制御する手段が無かった。
【０００８】本発明の目的は、ラジカルの成分を制御
し、プラズマの状態を調節し、微細加工ができるプラズ
マ処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
１）処理室内に電力を投入するためにアンテナを設け
る。このアンテナは平行平板電極の一部になっているこ
ともある。このアンテナが処理ガスに電力を投入してプ
ラズマを生成するようにする。アンテナのプラズマ生成
領域が平行平板電極のプラズマ生成領域に重なるように
設置し、二つのタイプのプラズマの混合により電子密度
を制御し、混合プラズマが制止するラジカル成分比を調
節する手段とする。または、アンテナが発生させるプラ
ズマが生成するラジカルと、平行平板電極が発生させる
プラズマが生成するラジカルとを混合して、ラジカル成
分比を調整することもできる。
【００１０】２）処理室内に電力を投入するためのアン
テナを設ける。このアンテナは平行平板電極の一部とな
っていることもある。このアンテナが処理ガスに電力を
投入してプラズマを生成する場所を側壁部の近傍に設定
することにより、側壁部近傍のプラズマの密度を調整す
る手段とし、微細加工の性能の調節が出来るようにな
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施例を図１に示
し説明する。
【００１２】図１において、処理室９内には処理対象を
支持する支持台３が設置されており、前記支持台３の上
に処理対象物４が置かれる。処理対象物４は例えば半導
体デバイス用のウエハである。処理室の壁の一部は電極
２となっており、電極の機能も兼ね備えた支持台３との
間で平行平板電極を形成する。支持台３と処理対象物４
は通常平板状であるが、電極２は平板状であっても良い
し、図２（イ）のように階段状の段差を持っていても良
いし、図２（ロ）のように曲面部分を持っていても良
い。電極２が図１、図２（イ）、図２（ロ）のどの場合
であっても、以下では電極２と支持台３の組を平行平板
電極と呼ぶ。通常、電極２は処理室９に接しているが、
電極２と処理室９の間には絶縁体などで構成されたカバ
ーがあっても良い。処理室９にはガス供給手段７により
処理ガスが導入されており、例えば図１のように電極２
が処理ガス導入路の機能を兼ね備えていることがある。
【００１３】さらに、処理室９は図示しない排気手段に
より排気され、低圧状態に保たれている。処理室９は、
例えば円筒状でアースされた側壁部６で囲まれており、
電極２と側壁部６は絶縁部５により電気的に絶縁されて
いる。電源１は例えば交流電源と整合回路の組み合わせ
である。電源１が平行平板電極に加えた電力により、処
理室９内部の処理ガスがプラズマ化し、プラズマが処理
ガスを活性化して様々な種類のラジカルを生成する。さ
らにアンテナ１１が絶縁体５の近傍に設置されており、
絶縁体５はアンテナ１１が発生する電磁波を処理室９に
導入する窓の機能を持つ。アンテナ１１は一つまたは複
数の電力の入力端と出力端を持ち、ひと巻きまたはそれ
以上に巻かれたループアンテナであっても良いし、ひと
巻きを複数に分割した分割ループアンテナであっても良
いし、その他の形状であっても電磁波を放射するアンテ
ナであればよい。アンテナ１１には電源１２が電力を供
給しているが、電源１が電極２とアンテナ１２に電力を
加えても良い。
【００１４】また、アンテナ１１が電極２に電流を誘導
する場合には、例えば図３に示すように電極２に誘導電
流を阻害するようなスリットなどの絶縁領域を設ける
と、アンテナの電力が処理室内に導入し易くなって良
い。アンテナ１１は例えば図１に示すような電場１４を
処理室内に誘起しプラズマを生成する。このアンテナが
プラズマを側壁部６の近傍で生成するため、電源１２に
よる電力を調節することにより側壁部６の壁面の状態を
制御できる。
【００１５】また、アンテナ１１によるプラズマが励起
するラジカルは拡散して平行平板電極の間隙にも浸透し
て行くが、平行平板電極によるプラズマが励起するラジ
カルとは組成が異なるため、アンテナに投入する電力の
調整により処理室内部のラジカル組成の制御が可能であ
る。
【００１６】図１の装置ではさらに磁場発生手段１３に
より処理室内に磁場を加えることが出来る。例えば、円
筒状のソレノイドコイルを用いて磁力線１５で示すよう
な分布の磁場を発生できる。アンテナが発生する振動電
界１４と磁力線１５がおおむね垂直であるときに、電子
サイクロトロン共鳴を起こすように電界１４の振動数と
磁場１５の強度をあわせると、特に効率的にプラズマが
生成できる。例えば振動電場の周波数が68Mhzの時には
磁場強度２４ガウス付近で電子サイクロトロン共鳴が起
こる。
【００１７】また、電子サイクロトロン共鳴磁場に近い
範囲で磁場強度を調節すればラジカルの成分比の調整が
でき、微細加工の性能を最適化することができる。
【００１８】さらに、磁場強度が電子サイクロトロン磁
場よりも強い場所では電磁波が磁場に沿ってプラズマ中
を伝播できる。従って、図１のようにアンテナを通る磁
力線が処理室内のプラズマを生成したい場所を通過する
ようにアンテナと磁場の分布を設定することによりプラ
ズマ生成の効率化を図っている。
【００１９】次に本発明の他の実施例を図４に示し説明
する。
【００２０】図４の装置は基本的な構成要素は図１の装
置とほとんど同じであるが、図１では処理室９の上面に
設置されていたアンテナ１１が処理室の側面に設置され
ている点が異なる。図４ではアンテナ１１の電磁波が外
部に漏れないように導体壁８’で囲まれているが、導体
壁８と導体壁８’は一体のものであっても良い。図４の
装置のもう一つの特徴は、ソレノイドコイルなどの磁場
発生手段１３の設置位置を下方に設定し、処理室側面に
設置されたアンテナ１１を通過する磁力線１５が処理室
内を通過するように配置してある点にある。これによ
り、図１の実施例でも述べたように、電子サイクロトロ
ン共鳴磁場よりも強い磁場を加えた場合にアンテナが放
射する電磁波が処理室内のプラズマ中に入りやすくな
り、プラズマの生成効率を上げている。
【００２１】次に本発明の他の実施例を図５に示し説明
する。
【００２２】図５の装置は図４の装置とほぼ同じ構成と
なっているが、アンテナ１１が処理室内部に設置されて
いる点が異なる。アンテナを処理室内のプラズマに直接
晒すとアンテナ自体が削れて微細加工に悪影響を及ぼす
ときには、アンテナの表面にプラズマにより削れにくい
材料をコーティングしたり、アンテナに絶縁体で出来た
カバーをかぶせても良い。図５の実施例のようにアンテ
ナを処理室内部に設置することにより、処理室上面や処
理室側面にアンテナを設置するスペースが取れないとき
にもアンテナを設けることが出来る。
【００２３】次に本発明の他の実施例を図６に示し説明
する。
【００２４】図６の装置の構成は図５の装置と同じであ
るが、図６の装置ではアンテナ１１が電極２の上部に設
置されている点が特徴となっている。図６の装置の場合
には電極２は図３に示したようなスリット等の絶縁部を
持ち、アンテナ１１の誘起する電磁場の少なくとも一部
が電極２を通過して処理室９に伝播し、プラズマを生成
するかプラズマにエネルギーを与えることが出来るよう
になっている。この場合には、電極２と支持台３の間隙
に平行平板電極とアンテナによりプラズマを生成するた
め、処理対象物直上のプラズマの電子エネルギをアンテ
ナ投入電力により調整し、微細加工の性能を高めること
が可能になる。
【００２５】次に本発明のさらに他の実施例を図７に示
し説明する。
【００２６】図７の装置の図１の装置に対する特徴は、
図１のアンテナ１１と電極２が一体化したアンテナ電極
１６を用いている点である。
【００２７】アンテナ電極の例を図９に示す。アンテナ
電極は一つまたは複数の電極部１８とそこに接続された
一つまたは複数のアンテナ部１９と入力端２０と出力端
２１で構成される。アンテナ電極の一例を図９（イ）、
図９（ロ）、図９（ハ）、図９（ニ）に示す。特に図９
（ハ）では、アンテナ部１９の放射する電磁波が電極部
１８に引き起こす誘導電流を阻害するようにスリット状
の絶縁領域を設け、アンテナ部の電磁波の放射効率を上
げている。
【００２８】図７や図９に示した例では電極部とアンテ
ナ部はほぼ同一平面上にあるが、電極部とアンテナ部が
立体的な構成となっていても良い。例えばアンテナ部が
電極部の真上に設置されるようなアンテナ電極もある。
電源１により入力端２０に加えられた電力の一部は電極
部１８と支持台３の形成する平行平板電極によりプラズ
マ生成に用いられ、残りはアンテナ部１９から電磁波と
して放射され処理室内にプラズマを生成する。出力端は
アースしても良いし、アンテナ電極の電極部の電圧を維
持するためにコンデンサなどにより構成された電圧維持
手段を介した後にアースしても良い。
【００２９】また、入力端と出力端を入れ替えて接続し
ても良い。このアンテナ電極を使うと電極とアンテナに
一つずつあった電源が一つで済むようになる。図７では
アンテナ電極の電極部は処理室に露出しており、アンテ
ナ部は処理室外部にあるが、電極部には絶縁体などで構
成されたカバーをつけていても良い。
【００３０】また、図８に示すようにアンテナ部を処理
室内部に設置してもよいし、アンテナ部に絶縁体などの
カバーをしてもよい。図７や図８の装置は図１の装置と
ほぼ同じ効果を持ち、処理対象物の微細加工の性能を上
げることができる。
【００３１】次に本発明のさらに他の実施例を図１０に
示し説明する。
【００３２】図１０の装置では処理室内の側壁部６近傍
にプラズマを生成するために外周電極２３と側壁部６の
間に電力を加える電源１２を設けている。外周電極２３
の生成するプラズマは、側壁部近傍にあるため、側壁部
壁面の状態の制御ができ、微細加工の性能を上げること
が出来る。また、電源１と電源１２の周波数を異なるも
のとすれば電子温度の異なるプラズマを生成し、図１の
装置と同様にラジカルの成分比の調節により微細加工の
性能を最適化できる。さらに、外周電極２３の発生する
電場１４’の方向が磁力線１５とほぼ直行するように磁
場発生手段１３を設置し、磁場強度が外周電極近傍で電
子サイクロトロン共鳴磁場強度になるように設定すれば
外周電極によるプラズマ生成の効率を上げることが出来
る。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体製造装置である
プラズマ処理装置において、ラジカルの成分を制御する
ことができるようになり、半導体デバイスなどの微細加
工の性能を上げることが出来る。また本発明によれば、
側壁部に接するプラズマの状態を容易に調節できるよう
になるため、側壁部の状態を制御し微細加工の性能をあ
げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】（イ）（ロ）はそれぞれ本発明の電極の一実施
例の側面図である。
【図３】本発明の電極の他の実施例の上面図である。
【図４】本発明の他の実施例の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例の断面図である。
【図６】本発明の他の実施例の断面図である。
【図７】本発明の他の実施例の断面図である。
【図８】本発明の他の実施例の断面図である。
【図９】（イ）（ロ）（ハ）（ニ）はそれぞれ本発明の
アンテナ電極の一実施例の上面図である。
【図１０】本発明の他の実施例の断面図である。
【図１１】従来の平行平板電極型プラズマ処理装置の断
面図である。
【符号の説明】
１…電源、２…電極、２’…電極、２”…電極、
２’’’…電極、３…支持台、４…処理対象物、５…絶
縁部、６…側壁部、７…ガス供給手段、８…導体壁、
８’…導体壁、９…処理室、１０…電源、１１…アンテ
ナ、１２…電源、１３…磁場発生手段、１４…アンテナ
が生成する電場、１４’…外周電極が生成する電場、１
５…磁力線、１６…アンテナ電極、１７…絶縁体カバ
ー、１８…電極部、１９…アンテナ部、２０…電力入力
端、２１…電力出力端、２２…絶縁部、２３…外周電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加治 哲徳 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 渡辺 克哉 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】処理チャンバと、該処理チャンバに処理ガ
    スを供給する手段と、前記処理チャンバを真空に保つ排
    気手段と、前記処理チャンバ中に処理対象物を固定する
    支持台と、前記処理チャンバ中にプラズマを発生するた
    めに電気エネルギを加える電極とを有し、前記処理チャ
    ンバ内部に前記電極と前記支持台とで間隙を形成してい
    るプラズマ処理装置において、 前記処理チャンバ中に電気エネルギを発生するアンテナ
    を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記電極が前記アンテナの役割を兼ね備えていることを特
    徴とするプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２のプラズマ処理装
    置において、前記アンテナが前記電極に誘起する電流を
    阻害するように前記電極に一つまたは複数の絶縁領域を
    設けることを特徴とするプラズマ生成装置。
  4. 【請求項４】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記処理チャンバに絶縁体を用いた導入窓を設け、前記ア
    ンテナを前記処理チャンバの外に設置することを特徴と
    するプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記電極にほぼ垂直な方向に磁場を加える手段を有するこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記電極とほぼ水平な方向に磁場を加える手段を有するこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記処理チャンバ内に磁場を加える手段を有し、かつ前記
    アンテナを通過する磁力線が前記処理チャンバ内を通過
    することを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記電極と前記支持台の形成する前記間隙が10mmから100m
    mの間の一定の間隔であることを特徴とするプラズマ処
    理装置。
  9. 【請求項９】請求項１のプラズマ処理装置において、前
    記電極と前記支持台の形成する前記間隙の幅が場所によ
    り異なっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  10. 【請求項１０】請求項１のプラズマ処理装置において、
    前記アンテナの代わりに前記電極とは異なるもう一つの
    電極を設けることを特徴とするプラズマ処理装置。
  11. 【請求項１１】請求項２において、円盤状の電極から一
    つまたは複数のアンテナが突出している電極兼アンテナ
    を特徴とするプラズマ処理装置。
  12. 【請求項１２】請求項２において、前記電極兼アンテナ
    の電位を維持するために、前記電極兼アンテナを電圧維
    持機構を通してアースに接続することを特徴とするプラ
    ズマ処理装置。
JP6609597A 1997-03-19 1997-03-19 プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP3598717B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6609597A JP3598717B2 (ja) 1997-03-19 1997-03-19 プラズマ処理装置
US09/040,404 US6422172B1 (en) 1997-03-19 1998-03-18 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR10-1998-0009180A KR100498584B1 (ko) 1997-03-19 1998-03-18 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
KR1020050010445A KR100552645B1 (ko) 1997-03-19 2005-02-04 플라즈마 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6609597A JP3598717B2 (ja) 1997-03-19 1997-03-19 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10261621A true JPH10261621A (ja) 1998-09-29
JP3598717B2 JP3598717B2 (ja) 2004-12-08

Family

ID=13305982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6609597A Expired - Fee Related JP3598717B2 (ja) 1997-03-19 1997-03-19 プラズマ処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6422172B1 (ja)
JP (1) JP3598717B2 (ja)
KR (2) KR100498584B1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010044058A (ko) * 2000-06-29 2001-06-05 박용석 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치
JP2009544168A (ja) * 2006-07-18 2009-12-10 ラム リサーチ コーポレーション 多重高周波電源を用いるハイブリッド・ラジオ周波数容量誘導結合プラズマ源とその使用方法
WO2019004189A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
WO2021024823A1 (ja) * 2019-08-06 2021-02-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2021262925A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for adjusting wafer performance using multiple rf generators
US11569070B2 (en) 2017-06-27 2023-01-31 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11600469B2 (en) 2017-06-27 2023-03-07 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11600466B2 (en) 2018-06-26 2023-03-07 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus, plasma processing method, and memory medium
US11626270B2 (en) 2017-06-27 2023-04-11 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11961710B2 (en) 2017-06-27 2024-04-16 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20010037770A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-08 Toru Otsubo Plasma processing apparatus and processing method
US6388382B1 (en) * 1999-03-09 2002-05-14 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and method
CN1233019C (zh) * 2000-05-12 2005-12-21 东京电子株式会社 调整等离子体加工***中电极厚度的方法
US6712929B1 (en) * 2000-08-08 2004-03-30 Lam Research Corporation Deformation reduction at the main chamber
TW511398B (en) * 2000-09-12 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method to control the uniformity of plasma by reducing radial loss
US6749945B2 (en) * 2001-01-29 2004-06-15 The Board Of Regents For Oklahoma State University Advanced composite ormosil coatings
JP4047616B2 (ja) * 2002-04-03 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100472030B1 (ko) * 2002-05-15 2005-03-08 동부아남반도체 주식회사 플라즈마 발광 강도 측정을 이용한 반도체 소자의제조방법 및 이 방법을 이용한 플라즈마 처리 장치
DE10326135B4 (de) * 2002-06-12 2014-12-24 Ulvac, Inc. Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage
US7032536B2 (en) * 2002-10-11 2006-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus including engagement members for support during thermal expansion
JP4482308B2 (ja) * 2002-11-26 2010-06-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7137444B2 (en) * 2003-09-08 2006-11-21 Pacific Rubber & Packing, Inc. Heat-transfer interface device between a source of heat and a heat-receiving object
JP3816081B2 (ja) * 2004-03-10 2006-08-30 松下電器産業株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
US7712434B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-11 Lam Research Corporation Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
US20050241762A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Applied Materials, Inc. Alternating asymmetrical plasma generation in a process chamber
US7122949B2 (en) * 2004-06-21 2006-10-17 Neocera, Inc. Cylindrical electron beam generating/triggering device and method for generation of electrons
US7695633B2 (en) * 2005-10-18 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor
US8157953B2 (en) * 2006-03-29 2012-04-17 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US7727413B2 (en) * 2006-04-24 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density
US7645357B2 (en) * 2006-04-24 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency
US20070246163A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources
US7780864B2 (en) * 2006-04-24 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution
US20070245958A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling ion radial distribution
US8932430B2 (en) * 2011-05-06 2015-01-13 Axcelis Technologies, Inc. RF coupled plasma abatement system comprising an integrated power oscillator
TWI435663B (zh) * 2006-05-22 2014-04-21 Gen Co Ltd 電漿反應器
JP4801522B2 (ja) * 2006-07-21 2011-10-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置及びプラズマ処理方法
US10083817B1 (en) * 2006-08-22 2018-09-25 Valery Godyak Linear remote plasma source
TW200830941A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Jehara Corp Plasma generating apparatus
KR100907438B1 (ko) * 2007-01-15 2009-07-14 (주)제이하라 플라즈마 발생장치
KR100873923B1 (ko) * 2007-05-18 2008-12-15 (주)제이하라 플라즈마 발생장치
KR100888807B1 (ko) * 2007-05-23 2009-03-13 (주)제이하라 플라즈마 발생장치
US20090004873A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Intevac, Inc. Hybrid etch chamber with decoupled plasma controls
US8597428B2 (en) * 2007-12-12 2013-12-03 Lam Research Corporation Vacuum sealing radio frequency (RF) and low frequency conducting actuator
US8298625B2 (en) 2008-01-31 2012-10-30 Applied Materials, Inc. Multiple phase RF power for electrode of plasma chamber
JPWO2010079740A1 (ja) * 2009-01-09 2012-06-21 株式会社アルバック プラズマ処理装置
JP5707341B2 (ja) * 2009-02-13 2015-04-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｒｆ電力をプラズマチャンバの内部に結合させるための装置
KR200476124Y1 (ko) * 2009-09-29 2015-01-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ­전력공급 샤워헤드를 위한 편심 접지 복귀
US20110177694A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Tokyo Electron Limited Switchable Neutral Beam Source
US8597462B2 (en) 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US8425719B2 (en) * 2010-08-09 2013-04-23 Jehara Corporation Plasma generating apparatus
US9966236B2 (en) 2011-06-15 2018-05-08 Lam Research Corporation Powered grid for plasma chamber
JP5902896B2 (ja) * 2011-07-08 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5018994B1 (ja) * 2011-11-09 2012-09-05 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
US9976215B2 (en) * 2012-05-01 2018-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor film formation apparatus and process
US10410889B2 (en) * 2014-07-25 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors
US10402950B1 (en) * 2016-11-15 2019-09-03 Facebook Technologies, Llc Optical measurement system
US10544505B2 (en) 2017-03-24 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Deposition or treatment of diamond-like carbon in a plasma reactor
US20180277340A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Yang Yang Plasma reactor with electron beam of secondary electrons
US20190131111A1 (en) * 2017-10-30 2019-05-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Chemical vapor deposition apparatus and method for forming films
JP7301075B2 (ja) 2018-06-14 2023-06-30 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド リモートプラズマ源用のラジカル出力モニタ及びその使用方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556501A (en) * 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
JPH06251896A (ja) * 1992-12-28 1994-09-09 Hitachi Ltd プラズマ処理方法及び装置
TW249313B (ja) * 1993-03-06 1995-06-11 Tokyo Electron Co
JP2679756B2 (ja) * 1993-10-29 1997-11-19 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
JPH07161493A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Fujitsu Ltd プラズマ発生装置及び方法
JPH08195379A (ja) * 1995-01-12 1996-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3429391B2 (ja) * 1995-05-22 2003-07-22 株式会社アルバック プラズマ処理方法及び装置
US5824607A (en) * 1997-02-06 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010044058A (ko) * 2000-06-29 2001-06-05 박용석 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치
JP2009544168A (ja) * 2006-07-18 2009-12-10 ラム リサーチ コーポレーション 多重高周波電源を用いるハイブリッド・ラジオ周波数容量誘導結合プラズマ源とその使用方法
US11626270B2 (en) 2017-06-27 2023-04-11 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
WO2019004189A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JPWO2019004189A1 (ja) * 2017-06-27 2019-11-07 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US11961710B2 (en) 2017-06-27 2024-04-16 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11784030B2 (en) 2017-06-27 2023-10-10 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11756773B2 (en) 2017-06-27 2023-09-12 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11569070B2 (en) 2017-06-27 2023-01-31 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11600469B2 (en) 2017-06-27 2023-03-07 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
US11600466B2 (en) 2018-06-26 2023-03-07 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus, plasma processing method, and memory medium
JP2021026904A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2021024823A1 (ja) * 2019-08-06 2021-02-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2021262925A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for adjusting wafer performance using multiple rf generators

Also Published As

Publication number Publication date
US6422172B1 (en) 2002-07-23
KR100552645B1 (ko) 2006-02-20
KR19980080399A (ko) 1998-11-25
JP3598717B2 (ja) 2004-12-08
KR100498584B1 (ko) 2005-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3598717B2 (ja) プラズマ処理装置
EP0270667B1 (en) Dual plasma microwave apparatus and method for treating a surface
KR100494607B1 (ko) 플라즈마 프로세스 장치
US6427621B1 (en) Plasma processing device and plasma processing method
KR970058391A (ko) 플라즈마 처리장치
JP2000323458A (ja) プラズマ処理方法及び装置
EP0591975B1 (en) Two parallel plate electrode type dry etching apparatus
CN111183504A (zh) 制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制
JPH06267903A (ja) プラズマ装置
JPH09321031A (ja) プラズマ処理装置
JPH11288798A (ja) プラズマ生成装置
US6719873B1 (en) Method and apparatus for preventing plasma formation
KR20080028848A (ko) 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20090076159A (ko) 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기
KR100845917B1 (ko) 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20030067299A (ko) 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법
JPH09102400A (ja) マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置
JP3563054B2 (ja) プラズマ処理装置および方法
JPH01184922A (ja) エッチング、アッシング及び成膜等に有用なプラズマ処理装置
JP2004140391A (ja) プラズマ処理装置および方法
JPH10177994A (ja) プラズマ処理装置および処理方法
JP2001015297A (ja) プラズマ装置
KR100785404B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리장치와 방법
JP3757159B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3974553B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理装置用アンテナおよびプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040824

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040906

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070924

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees