JPH10256602A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device

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Publication number
JPH10256602A
JPH10256602A JP5723597A JP5723597A JPH10256602A JP H10256602 A JPH10256602 A JP H10256602A JP 5723597 A JP5723597 A JP 5723597A JP 5723597 A JP5723597 A JP 5723597A JP H10256602 A JPH10256602 A JP H10256602A
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JP
Japan
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electrode
sheet resistance
light emitting
emitting device
semiconductor light
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JP5723597A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigetoshi Ito
茂稔 伊藤
Taiji Morimoto
泰司 森本
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH10256602A publication Critical patent/JPH10256602A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the luminous efficiency and furthermore to reduce a driving voltage by forming the second electrode of a semiconductor light emitting element having a construction of taking light out of a second electrode, so that the sheet resistance may differ partially. SOLUTION: An AlN buffer layer 102 and an n-type GaN layer 103 are formed successively on a sapphire substrate 101. On a part of the n-type GaA layer, an InGaN luminous layer 104 and a p-type GaN layer 105 are provided like a mesa approximately in the shape of a square. Furthermore, a positive electrode 111 is formed on the p-type GaN layer 105. This is composed of the two sections of a low-resistance section 108 formed into a linear shape, and a high-resistance section 107 being a part other than that. In a part of a low part in the periphery of the mesa, a negative electrode 106 is provided joining to the n-type GaN layer. Here, the term of a low or high resistance represents the magnitude of the sheet resistance of the electrode metal film relatively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
構造に係わり、特に、可視から紫外領域での発光が得ら
れる窒化物半導体発光素子の構造に関するものである。The present invention relates to a structure of a semiconductor light emitting device, and more particularly to a structure of a nitride semiconductor light emitting device capable of emitting light in a visible to ultraviolet region.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮまたはこれらの
混晶に代表される窒化物半導体材料により、紫外から可
視領域で発光するＬＥＤ等の半導体発光素子が実現され
ている。これらのＬＥＤ素子では、基板として絶縁体で
あるサファイアが用いられるために、素子表面より正負
両電極を取る必要があり、そのため、表裏両面より電極
を取る一般的なＬＥＤ素子とは異なる、種々の構造が提
案されてきた。図１７は、このような従来の技術に係わ
る、窒化物半導体材料を用いた発光素子を示す模式図
で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。2. Description of the Related Art A semiconductor light emitting device such as an LED which emits light in an ultraviolet to visible region is realized by a nitride semiconductor material represented by GaN, AlN, InN or a mixed crystal thereof. In these LED elements, since sapphire, which is an insulator, is used as a substrate, it is necessary to take both positive and negative electrodes from the element surface. Structures have been proposed. FIGS. 17A and 17B are schematic diagrams showing a light emitting device using a nitride semiconductor material according to such a conventional technique, wherein FIG. 17A is a plan view, and FIG. 17B is a cross-sectional view along AA ′.

【０００３】図において、６０１はサファイア基板、６
０２はｎ型ＧａＮ層、６０３はｐ型ＧａＮ層、６０４は
負電極、６０５は正電極、６０６はボンディングパッド
である。素子表面より正負両電極を取る構造では、電流
が、表面に平行に形成されているｐｎ接合を均一に流れ
にくいので、本構造では、透明な正電極をｐｎ接合上の
ほぼ全面に渡って形成し、さらに、ボンディングワイヤ
と負電極とを、違いに対角の位置に、正電極をはさんで
配置することで、この点を改善している。なお、負電極
については、透明である必要はなく、厚い金属膜で形成
されるので、ボンディングが容易であり、特に、負側の
ボンディングパッドは設けられていない。In the figure, reference numeral 601 denotes a sapphire substrate;
02 is an n-type GaN layer, 603 is a p-type GaN layer, 604 is a negative electrode, 605 is a positive electrode, and 606 is a bonding pad. In the structure in which the positive and negative electrodes are taken from the element surface, it is difficult for the current to uniformly flow through the pn junction formed parallel to the surface. Therefore, in this structure, the transparent positive electrode is formed over almost the entire surface of the pn junction. Further, this point is improved by arranging the bonding electrode and the negative electrode at diagonally opposite positions with the positive electrode interposed therebetween. The negative electrode does not need to be transparent and is formed of a thick metal film, so that the bonding is easy, and in particular, no negative-side bonding pad is provided.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、光の取り出しを正電極から行うために、
正電極を非常に薄い金属の膜で形成し、透明とする必要
があった。そのため、正電極のシート抵抗が、透明電極
を用いない通常の構成の発光素子と比べて、著しく大き
い。具体的には、上記のような透明電極を構成する金属
膜の厚さが１０ｎｍ程度であるのに対し、通常のＬＥＤ
に用いられてきた、透明でない電極の金属膜の厚さは、
１μｍ程度と、両者には、著しい違いがあり、したがっ
てシート抵抗も著しく異なる。また、このように極めて
薄い金属膜へのボンディングが困難なために、ボンディ
ングパッドを正電極の端に接触させて設け、ここより給
電を行っているが、正電極のシート抵抗が大きいことに
より、ボンディングパッド接触部から離れた領域とボン
ディングパッド接触部近傍とで、正電極内部に電位差が
生じ、半導体に注入される電流密度に分布が生じてしま
う。このような、発光領域における電流密度分布が生じ
ると、電流の集中する部分では発熱により、発光効率が
低下し、また、電流の流れにくい部分は光出力への寄与
が小さい、無駄なスペースとなるので、素子全体として
は、発光効率が低下し、素子サイズが無用に大きくなっ
ていた。さらには、正電極のシート抵抗が大きいため
に、素子自体の駆動電圧が高くなってしまっていた。However, in the above-mentioned conventional technique, since light is extracted from the positive electrode,
The positive electrode had to be made of a very thin metal film and made transparent. Therefore, the sheet resistance of the positive electrode is significantly higher than that of a light emitting element having a normal configuration using no transparent electrode. Specifically, while the thickness of the metal film constituting the transparent electrode as described above is about 10 nm, the thickness of a normal LED
The thickness of the non-transparent electrode metal film that has been used for
At about 1 μm, there is a remarkable difference between the two, and thus the sheet resistance is also remarkably different. Also, since bonding to such an extremely thin metal film is difficult, a bonding pad is provided in contact with the end of the positive electrode, and power is supplied from here, but due to the large sheet resistance of the positive electrode, A potential difference is generated inside the positive electrode between the region distant from the bonding pad contact portion and the vicinity of the bonding pad contact portion, resulting in a distribution of the current density injected into the semiconductor. When such a current density distribution occurs in the light emitting region, the light emission efficiency is reduced due to heat generation in the portion where the current is concentrated, and the portion where the current does not easily flow becomes a useless space where the contribution to the light output is small. Therefore, the luminous efficiency of the device as a whole is reduced, and the device size is unnecessarily increased. Further, since the sheet resistance of the positive electrode is large, the driving voltage of the element itself has been increased.

【０００５】また、窒化物半導体材料に特有の問題とし
て、電流密度が大きくなるに従い、発光効率が低下する
という問題があった。これにより、電流密度に分布が生
じると、高電流領域での発光効率が低下するので、素子
全体として、発光効率が分布のない場合に比べて、特
に、悪化するという問題があった。Further, as a problem peculiar to the nitride semiconductor material, there is a problem that the luminous efficiency decreases as the current density increases. As a result, when a distribution occurs in the current density, the luminous efficiency in a high current region is reduced. Therefore, there is a problem that the luminous efficiency of the entire device is particularly deteriorated as compared with a case where there is no distribution.

【０００６】また、これにより、駆動電流が小さいとき
は、発光領域における分布が大きく、駆動電流を大きく
するに従って、分布が小さくなるという現象も生じる。
これは、電流密度の大きい領域から、順に発光効率が低
下するために起こる。本現象の結果として、駆動電流値
により、発光エリアが変わるために、放射光パターンが
変わってしまい、特に、諧調表示を行う際に問題となっ
ていた。[0006] As a result, when the driving current is small, the distribution in the light emitting region is large, and the distribution becomes smaller as the driving current is increased.
This occurs because the luminous efficiency decreases in order from the region where the current density is large. As a result of this phenomenon, the emission area changes depending on the drive current value, so that the emission light pattern changes, which has been a problem particularly when performing gradation display.

【０００７】また、上記従来技術に示したような、ボン
ディングパッド、正電極、負電極の形状、配置において
は、発光領域に該当する正電極の形状が、中央部が窪ん
だ形状となっており、図１７における、Ａ−Ａ’方向と
これに垂直な方向とで、同一の放射光パターンを得るこ
とが不可能であった。Further, in the shapes and arrangements of the bonding pad, the positive electrode and the negative electrode as described in the above-mentioned prior art, the shape of the positive electrode corresponding to the light emitting region is such that the central portion is depressed. 17, it was impossible to obtain the same radiation pattern in the AA ′ direction and the direction perpendicular thereto.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項１によれば、本発
明の半導体発光素子は、基板上に、少なくとも、第１導
電型半導体層、第２導電型半導体層、第２導電型半導体
層に接合する第２電極、第２電極に接合するボンディン
グパッドが順次設けられており、素子内部に発した光
が、第２電極を通して外部に取り出され、かつ、第２電
極のシート抵抗が、部分的に異なっている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device comprising at least a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and a second conductive type semiconductor layer on a substrate. And a bonding pad connected to the second electrode are sequentially provided. Light emitted inside the element is extracted to the outside through the second electrode, and the sheet resistance of the second electrode is partially reduced. Are different.

【０００９】請求項２によれば、本発明の半導体発光素
子は、基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第
１導電型半導体層に接合する第１電極が順次設けられ、
さらに、第１導電型半導体層上の第１電極の形成されて
いない部分に、少なくとも、第２導電型半導体層、第２
導電型半導体に接合する第２電極、第２電極に接合する
ボンディングパッドが順次設けられており、素子内部に
発した光が、第２電極を通して外部に取り出され、か
つ、第２電極のシート抵抗が、部分的に異なっている。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor light emitting device of the present invention, at least a first conductive type semiconductor layer and a first electrode joined to the first conductive type semiconductor layer are sequentially provided on a substrate,
Further, at least a portion of the first conductive type semiconductor layer where the first electrode is not formed is provided with at least a second conductive type semiconductor layer and a second conductive type semiconductor layer.
A second electrode joined to the conductive semiconductor and a bonding pad joined to the second electrode are sequentially provided. Light emitted inside the element is extracted to the outside through the second electrode, and the sheet resistance of the second electrode is increased. But partially different.

【００１０】請求項２の半導体発光素子において、第１
電極と、ボンディングパッドとが、隣り合うように配置
されてもよく、あるいは、第１電極、第２電極、ボンデ
ィングパッドが、順次一列に並べて配置されてもよい。In the semiconductor light emitting device according to the second aspect, the first
The electrode and the bonding pad may be arranged so as to be adjacent to each other, or the first electrode, the second electrode, and the bonding pad may be arranged sequentially in a line.

【００１１】好ましくは、上記シート抵抗が部分的に異
なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分
が、線状に形成される形態を有する。[0011] Preferably, the second electrode having a partly different sheet resistance has a form in which a portion having a smaller sheet resistance than its surroundings is formed in a linear shape.

【００１２】別の好ましい形態では、上記シート抵抗が
部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小
さい部分が、ボンディングパッドと直接接合する。[0012] In another preferred embodiment, the second electrode having a partially different sheet resistance has a portion having a smaller sheet resistance than its surroundings, and is directly bonded to a bonding pad.

【００１３】さらに、本発明の半導体発光素子におい
て、上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲
よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、か
つ、格子状に配置される形態を有してもよく、あるい
は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成
され、かつ、ボンディングパッドから放射状に伸びる形
態を有してもよく、またあるいは、周囲よりもシート抵
抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、ボンディン
グパッドから樹枝状に伸びる形態を有してもよい。また
さらに、上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、
シート抵抗の小さい部分の周囲を、シート抵抗の大きい
部分が取り囲む形態を有していてもよい。Further, in the semiconductor light emitting device according to the present invention, in the second electrode having a partially different sheet resistance, a portion having a smaller sheet resistance than the surroundings is formed linearly and arranged in a lattice. It may have a form, or a portion having a smaller sheet resistance than the surroundings may be formed linearly and have a form extending radially from the bonding pad, or alternatively, may have a sheet resistance lower than the surroundings. May be formed in a linear shape and extend in a dendritic manner from the bonding pad. Still further, the second electrode having a partially different sheet resistance is
It may have a form in which a portion having a large sheet resistance surrounds a portion having a small sheet resistance.

【００１４】本発明の半導体発光素子において、上記シ
ート抵抗が部分的に異なる第２電極は、一層以上の導電
性膜と、該一層以上の導電性膜上に、部分的に一層以上
の導電性膜を積層して構成されていてもよく、あるい
は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜下
に、部分的に一層以上の導電性膜を挿入して構成されて
いてもよく、またあるいは、一層以上の導電性膜と、該
一層以上の導電性膜下に、部分的に、絶縁体膜および一
層以上の導電性膜を挿入して構成されていてもよい。In the semiconductor light-emitting device of the present invention, the second electrode having a partly different sheet resistance has one or more conductive films and one or more conductive films on the one or more conductive films. It may be configured by laminating films, or may be configured by partially inserting one or more conductive films under the one or more conductive films and the one or more conductive films. Alternatively, or alternatively, one or more conductive films and an insulating film and one or more conductive films may be partially inserted under the one or more conductive films.

【００１５】また、本発明の半導体発光素子は、第１導
電性半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体
で構成されており、さらに、第２導電型半導体層が１層
以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成される。Further, in the semiconductor light emitting device of the present invention, the first conductive semiconductor layer is formed of one or more group III element nitride semiconductors, and the second conductive semiconductor layer is formed of one or more layers. It is composed of a group III element nitride semiconductor.

【００１６】上記構成によって、作用を説明する。The operation of the above configuration will be described.

【００１７】本発明における、シート抵抗の異なる第２
電極は、高抵抗部と低抵抗部とが適切に配置・構成され
ることにより、光取り出しの機能を損なう事なく、電極
内部の電位差を抑制し、第２電極から半導体側に電流を
一様に供給させる作用を有することになる。In the present invention, the second sheet having different sheet resistances is used.
The electrode, by appropriately arranging and configuring the high resistance part and the low resistance part, suppresses the potential difference inside the electrode without impairing the light extraction function and distributes the current from the second electrode to the semiconductor side uniformly. Has the effect of being supplied to the

【００１８】したがって、基板上に、少なくとも、第１
導電型半導体層、第２導電型半導体層、第２導電型半導
体層に接合する第２電極、第２電極に接合するボンディ
ングパッドが順次設けられており、素子内部に発した光
が、第２電極を通して外部に取り出され、かつ、第２電
極のシート抵抗が、部分的に異なっている構成とするこ
とで、光出力への寄与が小さい発光領域が無くなり、よ
って発光効率が向上し、さらに、駆動電圧が低減した半
導体発光素子を得ることができる。また、素子駆動電流
によって、放射光パターンが変わるということもなくな
る。Therefore, at least the first
A conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, a second electrode bonded to the second conductive type semiconductor layer, and a bonding pad bonded to the second electrode are sequentially provided. By taking a configuration in which the sheet resistance of the second electrode is extracted to the outside through the electrode and the sheet resistance of the second electrode is partially different, a light-emitting region that contributes little to the light output is eliminated, and thus the light-emitting efficiency is improved. A semiconductor light-emitting element with reduced driving voltage can be obtained. Further, the radiation pattern does not change due to the element driving current.

【００１９】また、基板上に、少なくとも、第１導電型
半導体層、第１導電型半導体層に接合する第１電極が順
次設けられ、さらに、第１導電型半導体層上の第１電極
の形成されていない部分に、少なくとも、第２導電型半
導体層、第２導電型半導体に接合する第２電極、第２電
極に接合するボンディングパッドが順次設けられてお
り、素子内部に発した光が、第２電極を通して外部に取
り出され、かつ、第２電極のシート抵抗が、部分的に異
なっている構成とすることで、光出力への寄与が小さい
発光領域が無くなり、よって、発光効率が向上し、さら
に、駆動電圧が低減した、素子上面から正負両電極を取
る構造の半導体発光素子を得ることができる。At least a first conductivity type semiconductor layer and a first electrode joined to the first conductivity type semiconductor layer are sequentially provided on the substrate, and further a first electrode on the first conductivity type semiconductor layer is formed. At least a second conductive type semiconductor layer, a second electrode bonded to the second conductive type semiconductor, and a bonding pad bonded to the second electrode are sequentially provided in a portion that is not formed, and light emitted inside the element is With a configuration in which the sheet resistance of the second electrode is extracted to the outside through the second electrode and the sheet resistance of the second electrode is partially different, a light-emitting region that contributes little to the light output is eliminated, and thus the light-emitting efficiency is improved. Further, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device having a structure in which both the positive and negative electrodes are taken from the upper surface of the device, in which the driving voltage is reduced.

【００２０】本発明の半導体発光素子において、第１電
極と、ボンディングパッドとを、隣り合うように配置す
ることで、チップ上に無駄なく第１電極、ボンディング
パッド、第２電極を配置させることができ、サイズの低
減が可能になる。また、発光領域の形状についての自由
度を高めることができる。In the semiconductor light emitting device of the present invention, by arranging the first electrode and the bonding pad so as to be adjacent to each other, the first electrode, the bonding pad and the second electrode can be arranged on the chip without waste. It is possible to reduce the size. Further, the degree of freedom regarding the shape of the light emitting region can be increased.

【００２１】あるいは、本発明の半導体発光素子におい
て、第１電極、第２電極、ボンディングパッドを、順次
一列に並べて配置することで、特に、面積の小さいチッ
プ上に無駄なく第１電極、ボンディングパッド、第２電
極を配置させることができ、極小サイズの半導体発光素
子を製造できる。また、発光領域の形状を正方形に近い
形とすることができ、放射光パターンの異方性を小さく
できる。Alternatively, in the semiconductor light emitting device of the present invention, by arranging the first electrode, the second electrode, and the bonding pad sequentially in a line, the first electrode, the bonding pad, and the like can be particularly efficiently disposed on a chip having a small area. , The second electrode can be disposed, and a semiconductor light emitting device of an extremely small size can be manufactured. Further, the shape of the light emitting region can be made to be a shape close to a square, and the anisotropy of the emitted light pattern can be reduced.

【００２２】本発明の半導体発光素子における、シート
抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵
抗の小さい部分が、線状に形成される形態を有する形状
とすることで、素子内部に発した光の外部への取り出し
をほとんど妨げる事なく、第２電極から半導体側に電流
を一様に電流を供給することが実現される。In the semiconductor light emitting device of the present invention, the second electrode having a partially different sheet resistance has a shape in which a portion having a smaller sheet resistance than its surroundings is formed in a linear shape, so that the inside of the device can be formed. Thus, it is possible to uniformly supply a current from the second electrode to the semiconductor side without substantially obstructing the emission of the light emitted to the outside.

【００２３】さらに、シート抵抗が部分的に異なる第２
電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、ボンデ
ィングパッドと直接接合する構成とすることで、特に効
果的に、素子電圧を低減できる。Further, a second sheet resistance having a partially different sheet resistance is used.
The element voltage can be particularly effectively reduced by configuring the electrode so that a portion having a smaller sheet resistance than the surroundings is directly bonded to the bonding pad.

【００２４】また、本発明の半導体発光素子において、
シート抵抗が部分的に異なる第２電極の構成を、周囲よ
りもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、か
つ、格子状に配置される形態とすることで、特に効果的
に、第２電極から半導体側に電流を一様に供給させるこ
とができ、さらに、素子製造工程上、ボンディングパッ
ドとの位置合わせを不要とすることができる。In the semiconductor light emitting device of the present invention,
Particularly effectively, the configuration of the second electrode having a sheet resistance partially different from that of the second electrode is configured such that a portion having a smaller sheet resistance than the surroundings is formed linearly and arranged in a lattice. The current can be uniformly supplied from the two electrodes to the semiconductor side, and the alignment with the bonding pad can be omitted in the element manufacturing process.

【００２５】あるいは、シート抵抗が部分的に異なる第
２電極の構成を、周囲よりもシート抵抗の小さい部分
が、線状に形成され、かつ、ボンディングパッドから放
射状に伸びる形態とすることでも、効果的に第２電極か
ら半導体側に電流を一様に供給させることができる。Alternatively, the configuration of the second electrode having a partially different sheet resistance may be such that a portion having a smaller sheet resistance than the surroundings is formed linearly and extends radially from the bonding pad. Current can be uniformly supplied from the second electrode to the semiconductor side.

【００２６】またあるいは、シート抵抗が部分的に異な
る第２電極の構成を、周囲よりもシート抵抗の小さい部
分が、線状に形成され、かつ、ボンディングパッドから
樹枝状に伸びる形態とすることでも、効果的に第２電極
から半導体側に電流を一様に供給させることができる。Alternatively, the configuration of the second electrode having a partially different sheet resistance may be such that a portion having a smaller sheet resistance than its surroundings is formed linearly and extends from the bonding pad in a dendritic manner. In addition, it is possible to effectively supply current uniformly from the second electrode to the semiconductor side.

【００２７】またさらに、シート抵抗が部分的に異なる
第２電極の構成を、シート抵抗の小さい部分の周囲を、
シート抵抗の大きい部分が取り囲む形態とすることで
も、発光領域における電流分布を改善でき、また、電流
値により、放射光パターンが変形することを効果的に防
止できる。Further, the configuration of the second electrode having a sheet resistance partially different from that of the second electrode is described in the following.
Even when the portion having a large sheet resistance is surrounded, the current distribution in the light emitting region can be improved, and the radiation pattern can be effectively prevented from being deformed by the current value.

【００２８】本発明の半導体発光素子において、上記シ
ート抵抗が部分的に異なる第２電極は、一層以上の導電
性膜と、該一層以上の導電性膜上に、部分的に一層以上
の導電性膜を積層するように構成することで、容易に実
現できる。In the semiconductor light-emitting device according to the present invention, the second electrode having a partly different sheet resistance has one or more conductive films and one or more conductive films on the one or more conductive films. It can be easily realized by forming a structure in which films are stacked.

【００２９】あるいは、上記シート抵抗が部分的に異な
る第２電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導
電性膜下に、部分的に一層以上の導電性膜を挿入して構
成とすれば、外部に光が取り出しにくい低抵抗部直下で
の発光を抑制させることが可能になる。Alternatively, the second electrode partially different in sheet resistance is constituted by inserting one or more conductive films and partially inserting one or more conductive films under the one or more conductive films. This makes it possible to suppress light emission immediately below the low resistance portion where light is difficult to be extracted to the outside.

【００３０】またあるいは、上記シート抵抗が部分的に
異なる第２電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上
の導電性膜下に、部分的に、絶縁体膜および一層以上の
導電性膜を挿入して構成すれば、外部に光が取り出しに
くい低抵抗部直下での発光をさらに抑制させることが可
能になる。Alternatively, the second electrode having a partly different sheet resistance comprises one or more conductive films, and an insulating film and one or more conductive films under the one or more conductive films. If a film is inserted, light emission immediately below the low-resistance portion where light is difficult to extract to the outside can be further suppressed.

【００３１】本発明の半導体発光素子において、第１導
電性半導体層を、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体
で構成し、さらに、第２導電型半導体層を１層以上のＩ
ＩＩ族元素窒化物半導体で構成することで、紫外域から
可視域で発光する半導体発光素子を得ることができる。In the semiconductor light emitting device according to the present invention, the first conductive semiconductor layer is made of one or more group III element nitride semiconductors, and the second conductive type semiconductor layer is made of one or more I-type semiconductors.
By using a group II element nitride semiconductor, a semiconductor light emitting device that emits light in the ultraviolet to visible regions can be obtained.

【００３２】[0032]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【００３３】〔実施の形態１〕図１は、本発明の実施の
形態１における、半導体発光素子の構成を示す図で、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）はＢ
−Ｂ’断面図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention.
(A) is a plan view, (B) is an AA ′ cross-sectional view, and (C) is B
FIG. 14 is a sectional view taken along the line B-B '.

【００３４】図１において、サファイア基板１０１上
に、ＡｌＮバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ１０３が順次
形成されている。ｎ型ＧａＮ層上の一部には、概略正方
形のメサ状に、ＩｎＧａＮ発光層１０４およびｐ型Ｇａ
Ｎ層１０５が設けられる。さらに、ｐ型ＧａＮ層１０５
上に正電極１１１が形成され、これは、線状に形成され
た低抵抗部１０８と、その他の部分である高抵抗部１０
７の２つの部分から構成される。メサ周囲の低地部の一
部には、負電極１０６がｎ型ＧａＮ層に接合して設けら
れ、その隣りには、ボンディングパッド１１０がＳｉＯ
2保護膜１０９によりｎ型ＧａＮ層とは絶縁されて設け
られる。ボンディングパッド１１０はメサ上にまで伸び
ており、正電極上の一部と保護膜の開口部を通じて接合
している。ここで、ＳｉＯ2保護膜１０９は、メサ側
面、正電極表面も覆うように形成されている。なお、図
１の平面図においては、図を分かりやすくするため、Ｓ
ｉＯ2保護膜１０９を図示しなかった。In FIG. 1, an AlN buffer layer 102 and an n-type GaN 103 are sequentially formed on a sapphire substrate 101. The InGaN light emitting layer 104 and the p-type Ga
An N layer 105 is provided. Further, the p-type GaN layer 105
A positive electrode 111 is formed on the low resistance portion 108, which is formed in a linear shape, and a high resistance portion 10 which is another portion.
7 consists of two parts. A negative electrode 106 is provided at a part of the low land around the mesa so as to be joined to the n-type GaN layer.
(2) The protective film 109 is provided insulated from the n-type GaN layer. The bonding pad 110 extends over the mesa and is joined to a part of the positive electrode through an opening of the protective film. Here, the SiO 2 protective film 109 is formed so as to cover the side surfaces of the mesa and the surface of the positive electrode. In addition, in the plan view of FIG.
The iO 2 protective film 109 was not shown.

【００３５】また、図２は、本発明の実施の形態１にお
ける、半導体発光素子の正電極の詳細な構成を示す断面
図である。図において、２０１はＮｉ層、２０２はＡｕ
層、２０３はＡｌ層であり、その他の符号については、
図１と同一である。FIG. 2 is a sectional view showing a detailed configuration of the positive electrode of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 201 is a Ni layer, 202 is Au
Layer 203 is an Al layer, and other symbols are as follows:
It is the same as FIG.

【００３６】以下に、本実施の形態１における半導体発
光素子の製造方法について述べる。Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to the first embodiment will be described.

【００３７】まず、サファイア基板１０１上に、通常の
結晶成長技術を用いて、ＡｌＮバッファ層１０２、ｎ型
ＧａＮ層１０３、ＩｎＧａＮ発光層１０４、ｐ型ＧａＮ
層１０５を順次形成し、その後、通常のリソグラフィー
技術とエッチング技術を用いて、ウェハーの一部を、表
面からｎ型ＧａＮ層１０３の途中まで除去し、概略正方
形のメサを作製する。ここで、ＩｎＧａＮ発光層は、中
心波長４５０ｎｍの、青色に発光するような組成および
不純物の構成とした。First, on a sapphire substrate 101, an AlN buffer layer 102, an n-type GaN layer 103, an InGaN light emitting layer 104, a p-type GaN
The layers 105 are sequentially formed, and thereafter, a part of the wafer is removed from the surface to a part of the n-type GaN layer 103 by using a normal lithography technique and an etching technique, thereby forming a substantially square mesa. Here, the InGaN light-emitting layer had a composition and an impurity that emitted blue light with a center wavelength of 450 nm.

【００３８】次いで、メサ上に正電極１１１を形成す
る。正電極は、高抵抗部１０７と低抵抗部１０８から成
っており、本実施の形態では以下に示す方法で作製し
た。ここで、低抵抗あるいは高抵抗とは、電極金属膜の
シート抵抗の大小を相対的に表している。Next, a positive electrode 111 is formed on the mesa. The positive electrode is composed of a high resistance part 107 and a low resistance part 108, and was manufactured in this embodiment by the following method. Here, the low resistance or the high resistance relatively indicates the magnitude of the sheet resistance of the electrode metal film.

【００３９】まず、メサ上に概略正方形状の開口を有す
るマスクを、ウェハー上に形成し、さらに、表面に、Ｎ
ｉ層２０１，Ａｕ層２０２，Ａｌ層２０３を連続的に蒸
着する。さらに、その表面に格子状のマスクを形成し、
これを通じてＡｌのみを選択的にエッチングすること
で、Ｎｉ／Ａｕの薄膜上に、格子状にＡｌが積層されて
いるような図２に詳細を示す構造を作製できた。ここ
で、格子状のマスクは、ウェハー上の特定の位置にアラ
イメントする必要はなく、ウェハー全面に形成すれば良
い。本構成では、対酸性に優れるＡｕ層２０２がエッチ
ストップ層として働き、また、ＮｉもＡｌよりも貴な金
属であるから腐食されにくいので、例えば、エッチング
液としてリン酸を用いることで、容易にＡｌのみをパタ
ーンエッチすることが可能である。その後、リフトオフ
により、メサ上面以外から、蒸着した金属をマスクごと
除去することで、Ｎｉ／Ａｕからなる高抵抗部１０７
と、Ｎｉ／Ａｕ／Ａｌからなる低抵抗部１０８とで構成
される正電極がメサ上に作製できる。本実施の形態で
は、正電極全体の大きさを、２５０μｍ角とし、そこ
に、幅３μｍ、ピッチ４０μｍの格子状の低抵抗部１０
８が配置される構成とした。このように、第２電極を、
導電性膜と、この導電性膜上に部分的に別の導電性膜が
積層されるような構成とすることで、部分的にシート抵
抗の異なる構成とすることができる。First, a mask having a substantially square opening on a mesa is formed on a wafer, and an N
An i layer 201, an Au layer 202, and an Al layer 203 are successively deposited. Furthermore, a grid-like mask is formed on the surface,
By selectively etching only Al through this, the structure shown in detail in FIG. 2 in which Al was laminated in a lattice pattern on the Ni / Au thin film could be produced. Here, the lattice-shaped mask does not need to be aligned at a specific position on the wafer, and may be formed over the entire surface of the wafer. In this configuration, the Au layer 202, which is excellent in acid resistance, functions as an etch stop layer, and since Ni is also a noble metal than Al, it is not easily corroded. It is possible to pattern-etch only Al. Thereafter, the deposited metal is removed together with the mask from portions other than the upper surface of the mesa by lift-off, whereby the high-resistance portion 107 made of Ni / Au is removed.
A positive electrode composed of the low resistance portion 108 made of Ni / Au / Al can be formed on the mesa. In the present embodiment, the size of the entire positive electrode is 250 μm square, and a lattice-like low resistance portion 10 having a width of 3 μm and a pitch of 40 μm is provided therein.
8 is arranged. Thus, the second electrode is
With a structure in which a conductive film and another conductive film are partially stacked on the conductive film, a structure in which sheet resistance is partially different can be achieved.

【００４０】ここで、光取り出しのために、Ｎｉ／Ａｕ
高抵抗部は、膜厚を薄くして、透過性とした。十分な、
光取り出しを確保するためには、それぞれの膜厚がなる
べく薄い方が良いが、十分なコンタクトを確保するため
に、ある程度のＮｉ層厚が必要であり、Ｎｉの膜厚とし
ては、１〜１０ｎｍ程度が好ましい。また、Ａｕの膜厚
も、製造工程上、エッチングストップとして機能させる
ため、ある程度の膜厚が必要であり、３〜１０ｎｍ程度
が好ましい。本実施の形態においては、電極の透過率が
十分得られることを考慮して、Ｎｉ７ｎｍ／Ａｕ７ｎｍ
の構成とした。このとき、発光波長に対して、４０％程
度の透過率が得られた。また、正電極全体の平均的なシ
ート抵抗を下げるため、Ｎｉ／Ａｕ／Ａｌ低抵抗部は、
なるべくＡｌを厚くする方が良い。ただし、製造工程
上、Ａｌがあまり厚いとパターニングが困難になるの
で、この点を勘案して、Ａｌの厚さを１μｍとした。そ
の後、ウェハー上に、通常の薄膜積層技術、フォトリソ
グラフィー技術およびエッチング技術により、正電極上
の一部と、ｎ型半導体層上の一部に開口を有するＳｉＯ
2保護膜を形成する。この開口部は、それぞれ、正電極
とボンディングパッド、ｎ型ＧａＮ層と負電極の接触部
に相当する。Here, Ni / Au is used for light extraction.
The high-resistance portion was made thinner to make it transparent. enough,
In order to secure light extraction, it is better that each film thickness is as small as possible. However, in order to secure a sufficient contact, a certain Ni layer thickness is required, and the Ni film thickness is 1 to 10 nm. The degree is preferred. Also, the Au film needs to have a certain thickness in order to function as an etching stop in the manufacturing process, and is preferably about 3 to 10 nm. In the present embodiment, considering that the transmittance of the electrode is sufficiently obtained, Ni 7 nm / Au 7 nm
Configuration. At this time, a transmittance of about 40% with respect to the emission wavelength was obtained. Further, in order to lower the average sheet resistance of the entire positive electrode, the Ni / Au / Al low-resistance portion is
It is better to make Al as thick as possible. However, in the manufacturing process, if Al is too thick, patterning becomes difficult. Therefore, in consideration of this point, the thickness of Al is set to 1 μm. Then, on the wafer, a normal thin film laminating technique, a photolithographic technique, and an etching technique are used to form SiO 2 having an opening in a part on the positive electrode and a part on the n-type semiconductor layer.
2 Form a protective film. The openings correspond to contact portions between the positive electrode and the bonding pad and between the n-type GaN layer and the negative electrode, respectively.

【００４１】それから、通常の、薄膜積層技術、リソグ
ラフィー技術およびエッチング技術を用いて、Ｔｉ／Ａ
ｕ負電極１０６およびＴｉ／Ａｕボンディングパッド１
１０を形成する。本実施の形態においては、負電極およ
びボンディングパッドを同時に形成し、工程を簡略化し
た。ボンディングを容易にするために、Ｔｉ／Ａｕ電極
は、厚めに形成することが好ましく、例えば、総膜厚１
μｍとすればよい。Then, the Ti / A is formed by using the ordinary thin film lamination technology, lithography technology and etching technology.
u negative electrode 106 and Ti / Au bonding pad 1
Form 10. In the present embodiment, the negative electrode and the bonding pad are simultaneously formed, and the process is simplified. In order to facilitate bonding, the Ti / Au electrode is preferably formed to be thicker.
μm may be used.

【００４２】以上の工程は、ウェハー状態でなされ、こ
こからチップごとに切り出されて、図１に示す半導体素
子チップが完成する。その後、チップは適切な台座に固
定され、ボンディングパッド１１０および負電極１０６
にＡｕ等のワイヤがボンディングされて、用いられる。The above steps are performed in a wafer state, and are cut out chip by chip to complete the semiconductor element chip shown in FIG. Thereafter, the chip is fixed to a suitable pedestal, and the bonding pad 110 and the negative electrode 106 are fixed.
A wire such as Au is bonded and used.

【００４３】本実施の形態における発明の効果を調べる
ため、本実施の形態と同様の構造であるが、従来の技術
の如く、正電極にＡｌ層の付加された低抵抗部を設けな
い比較素子を製造し、本実施の形態の素子との特性の比
較を行った。図１５は、本実施の形態の素子の発光領域
の各場所における発光強度を、示したグラフである。横
軸は、図１のＢ−Ｂ’に沿った位置を表しており、縦軸
に、ボンディングパッド近傍の発光強度を１として規格
化したときの発光強度を示した。また、図１６は比較素
子における同様のグラフである。比較素子においては、
ボンディングパッドから離れるに従って、発光強度が低
下しており、これは、注入電流が低いときほど顕著であ
る。しかしながら、本実施の形態の素子においては、発
光領域全面にわたって、均一な発光強度が得られている
ことが分かる。本実施の形態の素子の、正電極の高抵抗
部のシート抵抗が、２．４Ω、低抵抗部のシート抵抗
が、２７ｍΩであり、それぞれの面積比から考えた正電
極の平均的なシート抵抗が約０．２Ωであるのに対し、
比較素子の正電極のシート抵抗は２．４Ωと、一桁近く
大きいので、正電極内部での電圧降下が生じ、電流が先
端まで十分に供給されず、図１６に示したような、発光
強度の分布の原因となっている。In order to examine the effects of the present invention in this embodiment, a comparative device having the same structure as that of this embodiment but having no low resistance portion having an Al layer added to the positive electrode as in the prior art is provided. Was manufactured, and characteristics of the device were compared with those of the device of the present embodiment. FIG. 15 is a graph showing the luminous intensity at each location of the luminous region of the device of the present embodiment. The horizontal axis represents the position along the line BB 'in FIG. 1, and the vertical axis represents the light emission intensity when the light emission intensity near the bonding pad is normalized to 1. FIG. 16 is a similar graph for the comparative element. In the comparison element,
The emission intensity decreases as the distance from the bonding pad increases, and this is more remarkable when the injection current is lower. However, in the device of the present embodiment, it can be seen that uniform light emission intensity is obtained over the entire light emitting region. In the element of the present embodiment, the sheet resistance of the high-resistance portion of the positive electrode is 2.4Ω, and the sheet resistance of the low-resistance portion is 27 mΩ, and the average sheet resistance of the positive electrode is determined from the respective area ratios. Is about 0.2Ω,
Since the sheet resistance of the positive electrode of the comparison element is 2.4 Ω, which is almost an order of magnitude higher, a voltage drop occurs inside the positive electrode, current is not sufficiently supplied to the tip, and the light emission intensity as shown in FIG. Is the cause of the distribution.

【００４４】正電極の、平均的なシート抵抗ρSの望ま
しい値は、電極のコンタクト抵抗をρC、電極の電流供
給部と、ここからもっとも離れた点までの距離をＬとし
て、ρS＜ρC／(４Ｌ2) の範囲である。これは、電流
密度の差が１割程度に収まる条件に相当する。低抵抗部
の膜厚や、線幅、ピッチはこれを考慮して、設定する必
要がある。本実施の形態では、Ｌ＝２５０μｍ、電極の
コンタクト抵抗ρCの大きさが１×１０-3Ωｃｍ2程度で
あるので、ρS＜０．４Ωの程度になるように、設計す
れば良いことになる。また、低抵抗部は、膜厚が厚く不
透明なので、光取りだしを妨害することになるが、低抵
抗部の面積が、電極面積の１０分の１程度までであれ
ば、ほとんど影響はなく、逆に、電流が均一に注入され
る効果により、発光効率が改善される。また、格子状に
配置される低抵抗部は、ボンディングパッドと適宜接触
するように配置されることが望ましく、ピッチを、ボン
ディングパッドの接触辺の長さの半分以下にすれば、必
ず複数個の接点があることになり、電流供給に有利なだ
けでなく、製造工程上低抵抗部の欠けが一部に生じて
も、必ず１個の接点が確保されるので、好ましい。この
点から、本実施の形態においては、ボンディングパッド
が正電極に接する長さが１２０μｍ程度であるので、ピ
ッチを６０μｍ以下に設定すれば良いことになる。さら
に、ピッチの値は、上述の条件に基づいて、電極全体の
平均的なシート抵抗、低抵抗部の面積の割合、また、製
造工程上の要請を総合的に勘案して決定する必要があ
り、本実施の形態においては、４０μｍとした。Desirable values of the average sheet resistance ρ S of the positive electrode are ρ S <ρ, where ρ C is the contact resistance of the electrode, and L is the distance between the current supply portion of the electrode and the point farthest from the electrode. ρ C / (4L 2 ). This corresponds to a condition in which the difference in current density falls within about 10%. The film thickness, line width, and pitch of the low resistance portion need to be set in consideration of this. In this embodiment, since L = 250 μm and the contact resistance ρ C of the electrode is about 1 × 10 −3 Ωcm 2 , it is necessary to design so that ρ S <0.4 Ω. become. The low-resistance portion has a large thickness and is opaque, which hinders light extraction. However, if the area of the low-resistance portion is about one-tenth of the electrode area, there is almost no effect. Furthermore, the luminous efficiency is improved due to the effect that the current is uniformly injected. Further, it is desirable that the low-resistance portions arranged in a lattice shape are arranged so as to appropriately contact the bonding pads. If the pitch is set to be equal to or less than half the length of the contact side of the bonding pads, a plurality of low-resistance portions must be formed. This is preferable because not only is there a contact point, which is advantageous not only for current supply but also one contact is always secured even if a low resistance portion is partially missing in the manufacturing process. From this point, in this embodiment, since the length of the bonding pad in contact with the positive electrode is about 120 μm, the pitch may be set to 60 μm or less. Further, the value of the pitch needs to be determined based on the above conditions, taking into account the average sheet resistance of the entire electrode, the ratio of the area of the low-resistance portion, and the requirements in the manufacturing process. In the present embodiment, the thickness is 40 μm.

【００４５】なお、図１６の比較素子の結果において、
低電流域で発光の分布が著しいのは、電流密度が大きく
なるに従い、発光効率が低下するという、窒化物系半導
体発光素子に特有な現象による。これは、電流分布のあ
る素子では、高電流域での、発光効率低下が著しいこと
を示しており、本実施の形態の素子においては、この点
も改善されている。Incidentally, in the result of the comparison element of FIG.
The reason why the distribution of light emission is remarkable in a low current region is due to a phenomenon peculiar to the nitride-based semiconductor light-emitting element that the light-emitting efficiency decreases as the current density increases. This indicates that the device having a current distribution has a remarkable decrease in luminous efficiency in a high current region, and the device of the present embodiment has also improved this point.

【００４６】また、比較素子においては、図１６に示さ
れるように、電流値によって発光分布が変化するため
に、駆動電流値によって、放射光パターンが変化してし
まうという現象が見られた。これは、本発明者らによ
り、始めて、指摘された現象である。このようなＬＥＤ
素子を、通常のＬＥＤ素子と集積して用いた表示機器で
は、駆動電流の変化による諧調・色調表示を行っても、
見る角度によって、諧調・色調表現が違ってしまう問題
が生じてしまう。しかしながら、本実施の形態１の半導
体発光素子では、発光分布の変化が無いため、このよう
な問題が発生しなかった。Further, in the comparative device, as shown in FIG. 16, a phenomenon was observed in which the emission light pattern changed depending on the drive current value because the emission distribution changed depending on the current value. This is the phenomenon first pointed out by the present inventors. LED like this
In a display device using an element integrated with a normal LED element, even if gradation and color tone are displayed by a change in drive current,
There is a problem that the gradation and the color tone expression are different depending on the viewing angle. However, in the semiconductor light emitting device of the first embodiment, such a problem did not occur because there was no change in the light emission distribution.

【００４７】以上、本実施の形態において、上記正電極
の構成とすることにより、透明である正電極のシート抵
抗を、全体として減少させることができ、その結果、半
導体側に電流が一様に供給されるようになり、正電極に
相当する発光領域全体が、均一に発光することとなっ
た。その結果、電流の集中による発光効率の低下、およ
び、発光に寄与しない無駄な発光領域ができることが回
避された。As described above, in the present embodiment, by adopting the structure of the above-described positive electrode, the sheet resistance of the transparent positive electrode can be reduced as a whole, and as a result, the current is uniformly applied to the semiconductor side. As a result, the entire light emitting region corresponding to the positive electrode emits light uniformly. As a result, a reduction in luminous efficiency due to the concentration of current and the generation of a useless luminous region that does not contribute to luminescence are avoided.

【００４８】さらに、図１に示されるように、正方形の
メサの一辺の横に、互いに隣り合うように、四辺形のボ
ンディングパッドおよび負電極を配置したので、発光領
域、ボンディング部以外に無用のスペースを必要とする
ことがなく、半導体発光素子のサイズが無用に大きくな
ることがなかった。また、発光領域の形状をボンディン
グパッドおよび負電極の形にとらわれる事なく設定でき
るので、発光領域の形状を放射光パターンの異方性の小
さい、正方形とすることができた。Further, as shown in FIG. 1, a quadrangular bonding pad and a negative electrode are arranged next to one side of a square mesa so as to be adjacent to each other. No space was required, and the size of the semiconductor light emitting device did not increase unnecessarily. Further, since the shape of the light emitting region can be set without depending on the shape of the bonding pad and the negative electrode, the shape of the light emitting region can be made a square having small anisotropy of the emitted light pattern.

【００４９】さらに、本実施の形態においては、正電極
における低抵抗部がボンディングパッドと直接接触して
いるので、効果的に素子の駆動電圧を低減することがで
きた。Further, in this embodiment, since the low resistance portion of the positive electrode is in direct contact with the bonding pad, the driving voltage of the element can be effectively reduced.

【００５０】また、本実施の形態においては、ボンディ
ングパッド部が正電極との電気的接触に必要な部分を除
いてメサ外部にあるので、従来例の素子のように不要に
正電極をおおって、光の取り出しを妨害することがな
い。In this embodiment, since the bonding pad portion is located outside the mesa except for a portion necessary for electrical contact with the positive electrode, the positive electrode is unnecessarily covered like the conventional device. It does not interfere with light extraction.

【００５１】以上の効果により、本実施の形態によれ
ば、発光効率が従来のものと比較して向上し、また、駆
動電圧も低減された、青色に発光する半導体発光素子を
製造することができる。Due to the above effects, according to the present embodiment, it is possible to manufacture a semiconductor light emitting device which emits blue light, in which the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one and the driving voltage is reduced. it can.

【００５２】〔実施の形態２〕本実施の形態は、正電極
１１１の構成が異なる他は、実施の形態１と同じであ
る。図３は、本実施の形態における、正電極の詳細な構
成を示す断面図である。図において、３０１はＡｌ層、
３０２はＮｉ層であり、その他の符号については、上述
のとおりである。[Embodiment 2] This embodiment is the same as Embodiment 1 except that the configuration of the positive electrode 111 is different. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the positive electrode in the present embodiment. In the figure, 301 is an Al layer,
Reference numeral 302 denotes a Ni layer, and other symbols are as described above.

【００５３】本実施の形態においては、正電極の作製工
程以外は、実施の形態１と同様である。以下に、本実施
の形態における正電極の作製工程を解説する。The present embodiment is the same as Embodiment 1 except for the step of forming the positive electrode. Hereinafter, the manufacturing process of the positive electrode in the present embodiment will be described.

【００５４】まず、メサを形成した、ウェハー上に、Ａ
ｌ層を形成する。その後、表面に、適切な形態のマスク
を形成し、これを通じてＡｌ層をエッチングすること
で、メサ上面にのみ、格子状にＡｌ層３０１を形成し
た。マスク除去後、メサ上に概略正方形状の開口を有す
るマスクを、ウェハー上に形成し、さらに、表面に、Ｎ
ｉ層を蒸着する。その後、リフトオフにより、メサ上面
以外から金属膜をマスクごと除去することで、図３に示
す、Ｎｉからなる高抵抗部１０７と、Ａｌ／Ｎｉからな
る低抵抗部１０８とで構成される正電極がメサ上に作製
できた。本実施の形態においては、Ｎｉ層３０２の膜厚
を１２ｎｍ、Ａｌ層３０１の膜厚を０．５μｍとし、低
抵抗部の幅およびピッチを、それぞれ、４μｍ、３０μ
ｍとした。このとき、高抵抗部の透過率は、２５％程度
であった。First, A was formed on the wafer on which the mesa was formed.
An l layer is formed. Thereafter, a mask having an appropriate form was formed on the surface, and the Al layer was etched through the mask, whereby the Al layer 301 was formed in a lattice pattern only on the upper surface of the mesa. After removing the mask, a mask having a substantially square opening on the mesa is formed on the wafer, and further, N
Deposit an i-layer. Thereafter, by removing the metal film together with the mask from the upper surface of the mesa by lift-off, the positive electrode composed of the high-resistance portion 107 made of Ni and the low-resistance portion 108 made of Al / Ni shown in FIG. Fabricated on mesa. In the present embodiment, the thickness of the Ni layer 302 is 12 nm, the thickness of the Al layer 301 is 0.5 μm, and the width and pitch of the low resistance portion are 4 μm and 30 μm, respectively.
m. At this time, the transmittance of the high resistance portion was about 25%.

【００５５】本実施の形態では、実施の形態１と低抵抗
部の構成が異なり、高抵抗部の金属膜の下に別の金属膜
を挿入し、低抵抗部としている。低抵抗部の最下層の金
属を、Ａｌのように、ｐ型ＧａＮとの間のコンタクト抵
抗が大きい金属で形成すれば、低抵抗部からの半導体層
への電流注入が抑制され、不透明な低抵抗部直下での発
光が抑制されるので、実施の形態１よりも、さらに発光
効率が改善される。In the present embodiment, the structure of the low-resistance portion is different from that of the first embodiment, and another metal film is inserted below the metal film of the high-resistance portion to form a low-resistance portion. If the metal in the lowermost layer of the low-resistance portion is formed of a metal having a large contact resistance with p-type GaN, such as Al, current injection from the low-resistance portion into the semiconductor layer is suppressed, and an opaque low-resistance portion is formed. Since light emission immediately below the resistance portion is suppressed, the luminous efficiency is further improved as compared with the first embodiment.

【００５６】このように、低抵抗部の最下層の材料とし
て、コンタクト抵抗が大きいものを用いれば上記の効果
が得られるので好ましい。そのため、高抵抗部最下層よ
りも、仕事関数の小さい金属で構成すれば良い。また、
正電極全体のシート抵抗を下げるために、低抵抗部のシ
ート抵抗は小さい方が良く、そのために、例えば、Ｔｉ
／Ａｕの様に多層の膜を挿入しても良い。As described above, it is preferable to use a material having a large contact resistance as the material of the lowermost layer of the low-resistance portion because the above-described effects can be obtained. Therefore, it may be made of a metal having a lower work function than the lowermost layer of the high resistance portion. Also,
In order to lower the sheet resistance of the entire positive electrode, it is better that the sheet resistance of the low-resistance portion is small.
A multilayer film such as / Au may be inserted.

【００５７】本実施の形態においても、実施の形態１と
同様の効果により、発光効率が従来のものと比較して向
上し、また、駆動電圧も低減された、青色に発光する半
導体発光素子を製造することができた。Also in the present embodiment, a semiconductor light emitting device which emits blue light, which has improved luminous efficiency and reduced driving voltage by the same effect as that of the first embodiment, and has a reduced driving voltage. Could be manufactured.

【００５８】〔実施の形態３〕本実施の形態は、正電極
１１１の構成が異なる他は、実施の形態１および２と同
じである。図４は、本実施の形態における、正電極の詳
細な構成を示す断面図である。図において、４０１はＳ
ｉＯ2層、４０２はＡｌ層、４０３はＮｉ層、４０４は
Ａｕ層であり、その他の符号については、上述のとおり
である。本実施の形態の作製工程は、低抵抗部１０８の
最下に、ＳｉＯ2層４０１を設けること以外、実施の形
態２とほとんど同様である。ここで、高抵抗部１０７
は、Ｎｉ／Ａｕで、低抵抗部１０８はＳｉＯ2／Ａｌ／
Ｎｉ／Ａｕで構成されている。本実施の形態において
は、ＳｉＯ2層４０１の膜厚を０．２μｍ、Ａｌ層４０
２の膜厚を１μｍ、Ｎｉ層４０３の膜厚を２ｎｍ、Ａｕ
層４０４の膜厚を２ｎｍとし、低抵抗部の幅およびピッ
チを、それぞれ、２μｍ、５０μｍとした。このとき、
高抵抗部の透過率は、８０％程度であった。[Embodiment 3] This embodiment is the same as Embodiments 1 and 2 except that the configuration of the positive electrode 111 is different. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the positive electrode in the present embodiment. In the figure, 401 is S
The iO 2 layer, 402 is an Al layer, 403 is a Ni layer, 404 is an Au layer, and the other symbols are as described above. The manufacturing process of the present embodiment is almost the same as that of the second embodiment except that the SiO 2 layer 401 is provided at the bottom of the low-resistance portion. Here, the high resistance portion 107
Is Ni / Au, and the low resistance portion 108 is SiO 2 / Al /
It is composed of Ni / Au. In the present embodiment, the thickness of the SiO 2 layer 401 is 0.2 μm,
2 is 1 μm, the thickness of the Ni layer 403 is 2 nm, and Au is
The thickness of the layer 404 was 2 nm, and the width and pitch of the low-resistance portion were 2 μm and 50 μm, respectively. At this time,
The transmittance of the high resistance portion was about 80%.

【００５９】本実施の形態で、実施の形態２と構成が異
なる点は、低抵抗部の最下に絶縁層を挿入したことであ
る。これにより、実施の形態２における、低抵抗部直下
での発光抑制効果がさらに高まり、素子の発光効率がさ
らに改善される。This embodiment differs from the second embodiment in that an insulating layer is inserted at the bottom of the low resistance portion. Thus, the effect of suppressing light emission immediately below the low resistance portion in the second embodiment is further enhanced, and the light emitting efficiency of the element is further improved.

【００６０】低抵抗部において、ＳｉＯ2などの絶縁層
上の構成としては、電気伝導度が大きく、また、絶縁層
との密着性が良好であるものにすることが望ましい。そ
のために、例えば、Ｃｒ／Ａｕのように多層構造として
も良い。In the low resistance portion, it is desirable that the structure on the insulating layer such as SiO 2 be one having high electric conductivity and good adhesion to the insulating layer. For this purpose, for example, a multilayer structure such as Cr / Au may be used.

【００６１】本実施の形態においても、実施の形態１と
同様の効果により、発光効率が従来のものと比較して向
上し、また、駆動電圧も低減された、青色に発光する半
導体発光素子を製造することができた。Also in the present embodiment, a semiconductor light emitting device which emits blue light with improved luminous efficiency and reduced driving voltage by the same effect as that of the first embodiment is provided. Could be manufactured.

【００６２】〔実施の形態４〕本実施の形態は、正電極
における低抵抗部のパターンが異なる他は、実施の形態
１と同様である。図５は、本実施の形態における、半導
体発光素子の構成を示す平面図である。図において、各
符号は、実施の形態１と同じである。なお、図を分かり
やすくするため、ＳｉＯ2保護膜１０９を図示しない。[Embodiment 4] This embodiment is the same as Embodiment 1 except that the pattern of the low resistance portion in the positive electrode is different. FIG. 5 is a plan view showing a configuration of the semiconductor light emitting device in the present embodiment. In the figure, each symbol is the same as in the first embodiment. Note that the SiO 2 protective film 109 is not shown for easy understanding of the drawing.

【００６３】本実施の形態においては、線上の低抵抗部
１０８が、ボンディングパッドより、放射状に広がる形
状とした。正電極におけるその他の部分は高抵抗部であ
る。ボンディングパッド付近に不透明な低抵抗部１０８
が集中し、この付近での光取り出しが妨げられることを
防止するため、低抵抗部１０８はボンディングパッド１
１０と直接には接合しない形状とした。In the present embodiment, the low-resistance portion 108 on the line is formed so as to radially spread from the bonding pad. Other parts of the positive electrode are high resistance parts. Opaque low resistance portion 108 near the bonding pad
To prevent the light extraction in this area from being hindered, the low resistance portion 108 is connected to the bonding pad 1.
10 was not directly joined.

【００６４】本構成において、低抵抗部は正電極に、ボ
ンディングパッドから放射状に広がるように配置される
ので、効果的に、半導体側に電流を一様に供給させるこ
とができるようになり、正電極に相当する発光領域全体
が、均一に発光することとなった。In this configuration, the low resistance portion is arranged on the positive electrode so as to radially spread from the bonding pad, so that the current can be effectively and uniformly supplied to the semiconductor side. The entire light emitting region corresponding to the electrode emitted light uniformly.

【００６５】本構成によっても、実施の形態１と類似の
効果により、発光効率が従来のものと比較して向上し、
また、駆動電圧も低減された、青色に発光する半導体発
光素子を製造することができた。According to this structure, the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one by the effect similar to that of the first embodiment.
In addition, a semiconductor light emitting device that emits blue light with a reduced driving voltage could be manufactured.

【００６６】〔実施の形態５〕本実施の形態は、実施の
形態４を変形した例であり、正電極における低抵抗部の
パターンが異なる他は、実施の形態４と同様である。図
６は、本実施の形態における、正電極の構成を示す平面
図である。図において、各符号は、実施の形態１と同じ
である。なお、図を分かりやすくするため、ＳｉＯ2保
護膜１０９を図示していない。[Fifth Embodiment] This embodiment is a modification of the fourth embodiment, and is the same as the fourth embodiment except that the pattern of the low resistance portion in the positive electrode is different. FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the positive electrode in the present embodiment. In the figure, each symbol is the same as in the first embodiment. It should be noted that the SiO 2 protective film 109 is not shown for easy understanding of the drawing.

【００６７】本実施の形態においては、線上の低抵抗部
１０８が、ボンディングパッドより、樹枝状に広がる形
状とした。正電極におけるその他の部分は高抵抗部であ
る。これにより、効果的に、半導体側に電流を一様に供
給させることができるようになり、正電極に相当する発
光領域全体が、均一に発光することとなった。さらに、
本構成により、低抵抗部１０８とボンディングパッド１
１０を直接接合しても、ボンディングパッド付近に不透
明な低抵抗部１０８が集中し、この付近での光取り出し
が妨げられることが防止される。したがって、実施の形
態４の場合よりも、素子の駆動電圧が低減できる。In the present embodiment, the low resistance portion 108 on the line is formed in a tree-like shape from the bonding pad. Other parts of the positive electrode are high resistance parts. As a result, the current can be effectively uniformly supplied to the semiconductor side, and the entire light emitting region corresponding to the positive electrode emits light uniformly. further,
With this configuration, the low resistance portion 108 and the bonding pad 1
Even if 10 is directly bonded, the opaque low-resistance portion 108 is concentrated near the bonding pad, so that the light extraction in the vicinity is prevented from being hindered. Therefore, the driving voltage of the element can be reduced as compared with the case of the fourth embodiment.

【００６８】本構成によっても、実施の形態１と類似の
効果により、発光効率が従来のものと比較して向上し、
また、駆動電圧も低減された、青色に発光する半導体発
光素子を製造することができた。According to this structure, the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one by the effect similar to that of the first embodiment.
In addition, a semiconductor light emitting device that emits blue light with a reduced driving voltage could be manufactured.

【００６９】〔実施の形態６〕本実施の形態は、正電極
における低抵抗部のパターンが異なる他は、実施の形態
１と同様である。図７は、本実施の形態における、半導
体発光素子の構成を示す平面図である。図において、各
符号は、実施の形態１と同じである。なお、図を分かり
やすくするため、ＳｉＯ2保護膜１０９を図示しない。[Embodiment 6] This embodiment is the same as Embodiment 1 except that the pattern of the low resistance portion in the positive electrode is different. FIG. 7 is a plan view showing a configuration of the semiconductor light emitting device in the present embodiment. In the figure, each symbol is the same as in the first embodiment. Note that the SiO 2 protective film 109 is not shown for easy understanding of the drawing.

【００７０】本実施の形態においては、線状の低抵抗部
１０８が、正電極の周囲に設けられている。これによ
り、正電極においてボンディングパッド１１０から離れ
た点まで、十分に電流を供給できるようになり、正電極
に相当する発光領域の均一発光に寄与する。なお、本構
成において、正電極の中央部付近には、低抵抗部が設け
られないので、周辺部と比べて中央部の発光強度が低下
する恐れがあるが、このような場合でも、発光の強い領
域の全体的な大きさは、正電極の大きさになる。つま
り、実施の形態１の比較素子のように、電流値によっ
て、発光強度の強い領域が片側に移動したりすることが
ない。これにより、本実施の形態の素子においては、駆
動電流の違いによって、放射光パターンが変形すること
が、ほとんど無く、特に、片側にシフトするようなこと
は生じない。In this embodiment, a linear low-resistance portion 108 is provided around the positive electrode. As a result, a sufficient current can be supplied to a point away from the bonding pad 110 in the positive electrode, which contributes to uniform light emission in a light emitting region corresponding to the positive electrode. In this configuration, since the low resistance portion is not provided near the center of the positive electrode, the emission intensity at the center may be lower than that at the periphery. The overall size of the strong region will be the size of the positive electrode. That is, unlike the comparison element of the first embodiment, the region having high emission intensity does not move to one side due to the current value. As a result, in the element of the present embodiment, the emitted light pattern hardly deforms due to the difference in drive current, and in particular, no shift to one side occurs.

【００７１】本構成によっても、実施の形態１と類似の
効果により、発光効率が従来のものと比較して向上し、
また、駆動電圧も低減された、青色に発光する半導体発
光素子を製造することができた。According to this structure, the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one by the effect similar to that of the first embodiment.
In addition, a semiconductor light emitting device that emits blue light with a reduced driving voltage could be manufactured.

【００７２】〔実施の形態７〕図８は、本発明の実施の
形態７における、半導体発光素子の構成を示す図で、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）はＢ
−Ｂ’断面図である。図８において、符号は図１と同一
である。本図に基づいて、構成を説明する。サファイア
基板１０１上に、ＡｌＮバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ
１０３が順次形成されている。ｎ型ＧａＮ層上には、一
つの角が切り欠けられた長方形のメサ状に、ＩｎＧａＮ
発光層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５が設けられる。さら
に、ｐ型ＧａＮ層１０５上に正電極１１１が形成され、
これは、線状に形成された低抵抗部１０８と、その他の
部分である高抵抗部１０７の２つの部分から構成され
る。メサの切り欠け部には、負電極１０６がｎ型ＧａＮ
層に接触するように設けられ、その隣のメサ上には、ボ
ンディングパッド１１０が正電極上の一部と保護膜の開
口部を通じて接触するように設けられる。ここで、Ｓｉ
Ｏ2保護膜１０９は、メサ側面、正電極表面も覆うよう
に形成されている。なお、図８の平面図において、図を
分かりやすくするため、ＳｉＯ2保護膜を示さなかっ
た。メサの形状と、ボンディングパッドがメサ上に設け
られている点以外は、本実施の形態は、実施の形態１と
同様である。[Embodiment 7] FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a semiconductor light emitting device according to Embodiment 7 of the present invention.
(A) is a plan view, (B) is an AA ′ cross-sectional view, and (C) is B
FIG. 14 is a sectional view taken along the line B-B '. 8, the reference numerals are the same as those in FIG. The configuration will be described with reference to FIG. AlN buffer layer 102, n-type GaN on sapphire substrate 101
103 are sequentially formed. On the n-type GaN layer, InGaN was formed into a rectangular mesa shape with one corner cut out.
A light emitting layer 104 and a p-type GaN layer 105 are provided. Further, a positive electrode 111 is formed on the p-type GaN layer 105,
This is composed of two parts, a low resistance part 108 formed linearly and a high resistance part 107 as another part. In the cutout portion of the mesa, the negative electrode 106 is an n-type GaN
The bonding pad 110 is provided so as to be in contact with the layer, and a bonding pad 110 is provided on the adjacent mesa so as to be in contact with a part on the positive electrode through the opening of the protective film. Where Si
The O 2 protective film 109 is formed so as to cover the side surfaces of the mesa and the surface of the positive electrode. Note that, in the plan view of FIG. 8, the SiO 2 protective film is not shown for easy understanding. This embodiment is the same as Embodiment 1 except for the shape of the mesa and the point that the bonding pad is provided on the mesa.

【００７３】以下に、本実施の形態における半導体発光
素子の製造方法について述べる。A method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present embodiment will be described below.

【００７４】まず、サファイアで構成される基板１０１
上に、通常の結晶成長技術を用いて、ＡｌＮバッファ層
１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、ＩｎＧａＮ発光層１０
４、ｐ型ＧａＮ層１０５を順次形成し、その後、パター
ンエッチング技術もしくはサンドブラスト技術を用い
て、ウェハーの一部を、表面からｎ型ＧａＮ層１０３の
途中まで除去、一つの角が切り欠けられた長方形のメサ
を作製する。First, a substrate 101 made of sapphire
An AlN buffer layer 102, an n-type GaN layer 103, and an InGaN light emitting layer 10
4. A p-type GaN layer 105 is sequentially formed, and thereafter, a portion of the wafer is removed from the surface to a part of the n-type GaN layer 103 using a pattern etching technique or a sandblast technique, and one corner is cut off. Make a rectangular mesa.

【００７５】次いで、メサ上に正電極１１１を形成す
る。正電極は、低抵抗部１０８と高抵抗部１０７から成
っており、図２と同様の構成とした。本実施の形態にお
いて、Ｎｉ層の膜厚を４ｎｍ、Ａｕ層の膜厚を１５ｎｍ
とし、Ａｌ層の膜厚を１．５μｍ、低抵抗部の幅および
ピッチを、それぞれ、１．５μｍ、４０μｍとした。正
電極は、メサ突起部の先端を除いて、ほぼメサ全面に形
成した。また、本実施の形態においては、Ａｌ層は、Ａ
ｕ層の上に、パターンメッキ技術を用いて形成した。Next, a positive electrode 111 is formed on the mesa. The positive electrode includes a low resistance part 108 and a high resistance part 107, and has the same configuration as that of FIG. In this embodiment, the thickness of the Ni layer is 4 nm, and the thickness of the Au layer is 15 nm.
The thickness of the Al layer was 1.5 μm, and the width and pitch of the low resistance portion were 1.5 μm and 40 μm, respectively. The positive electrode was formed on almost the entire surface of the mesa except for the tip of the mesa protrusion. In the present embodiment, the Al layer is made of A
It was formed on the u layer by using a pattern plating technique.

【００７６】その後、ウェハー上に、通常の薄膜積層技
術、リソグラフィー技術およびエッチング技術により、
メサ突起部上面と、メサ切り欠け部に開口を有するＳｉ
Ｏ2保護膜１０９を形成する。この開口部は、それぞ
れ、正電極とボンディングパッド、ｎ型ＧａＮ層と負電
極の接触部に相当する。Then, on the wafer, a normal thin film laminating technique, a lithography technique and an etching technique are used.
Si having an opening in the upper surface of the mesa protrusion and the cutout in the mesa
An O 2 protective film 109 is formed. The openings correspond to contact portions between the positive electrode and the bonding pad and between the n-type GaN layer and the negative electrode, respectively.

【００７７】それから、通常の、薄膜積層技術、リソグ
ラフィー技術およびエッチング技術を用いて、Ｔｉ／Ａ
ｕ負電極１０６をメサ切り欠け部に、Ｔｉ／Ａｕボンデ
ィングパッド１１０をメサ突起部上面に形成し、図８に
示す半導体発光素子が完成する。本実施の形態において
は、負電極およびボンディングパッドを同時に形成し、
工程を簡略化した。ボンディングを容易にするために、
Ｔｉ／Ａｕ電極は、厚めに形成することが好ましく、例
えば、総膜厚１μｍとすればよい。Then, the Ti / A is formed using the ordinary thin film lamination technology, lithography technology and etching technology.
The u-negative electrode 106 is formed in the cutout of the mesa, and the Ti / Au bonding pad 110 is formed on the upper surface of the mesa protrusion. Thus, the semiconductor light emitting device shown in FIG. 8 is completed. In the present embodiment, the negative electrode and the bonding pad are simultaneously formed,
The process was simplified. To make bonding easier
The Ti / Au electrode is preferably formed to be relatively thick, for example, the total film thickness may be 1 μm.

【００７８】以上の工程は、ウェハー状態でなされ、こ
こからチップごとに切り出されて、図１に示す半導体素
子チップが完成する。その後、チップは適切な台座に固
定され、ボンディングパッド１１０および負電極１０６
にＡｕ等のワイヤがボンディングされて、用いられる。The above steps are performed in a wafer state, and are cut out chip by chip to complete the semiconductor element chip shown in FIG. Thereafter, the chip is fixed to a suitable pedestal, and the bonding pad 110 and the negative electrode 106 are fixed.
A wire such as Au is bonded and used.

【００７９】本実施の形態において、上記正電極の構成
とすることにより、正電極から半導体側に電流が一様に
供給されるようになり、正電極に相当する発光領域全体
が、均一に発光することとなった。正電極に相当する発
光領域全体が、均一に発光することとなった。そのた
め、電流の集中による発光効率の低下、および、発光に
寄与しない無駄な発光領域ができることが回避された。
さらに、図８に示されるように、チップの片方に、互い
に隣り合うように、四辺形のボンディングパッドおよび
負電極を配置したので、発光領域、ボンディング部以外
に無用のスペースを必要とすることがなく、半導体発光
素子のサイズが無用に大きくなることがなかった。ま
た、発光領域の形状が概略正方形なので、チップから出
射する光パターンの異方性を小さくすることができた。In the present embodiment, by adopting the structure of the above-mentioned positive electrode, current is uniformly supplied from the positive electrode to the semiconductor side, and the entire light emitting region corresponding to the positive electrode emits light uniformly. It was decided to do. The entire light emitting region corresponding to the positive electrode emitted light uniformly. For this reason, the reduction of the luminous efficiency due to the concentration of the current and the generation of a useless luminous region that does not contribute to the luminescence are avoided.
Further, as shown in FIG. 8, a quadrangular bonding pad and a negative electrode are arranged on one side of the chip so as to be adjacent to each other, so that unnecessary space other than the light emitting region and the bonding portion is required. Thus, the size of the semiconductor light emitting element did not increase unnecessarily. In addition, since the shape of the light emitting region was substantially square, the anisotropy of the light pattern emitted from the chip could be reduced.

【００８０】さらに、本実施の形態においては、低抵抗
部１０８はほぼ不透明になるが、線幅５μｍの線状に形
成したので、素子内部で発した光の取り出しに、ほとん
ど影響しなかった。また、正電極における低抵抗部がボ
ンディングパッドと直接接触しているので、効果的に素
子の駆動電圧を低減することができた。Further, in the present embodiment, although the low-resistance portion 108 is almost opaque, it is formed in a linear shape with a line width of 5 μm, so that it hardly affects the extraction of light emitted inside the device. In addition, since the low resistance portion of the positive electrode is in direct contact with the bonding pad, the driving voltage of the device can be effectively reduced.

【００８１】また、低抵抗部１０８は正電極１１１に格
子状に配置されるので、効果的に、正電極から半導体側
に供給される電流の分布を低減することができた。Further, since the low resistance portions 108 are arranged in a lattice pattern on the positive electrode 111, the distribution of the current supplied from the positive electrode to the semiconductor side can be effectively reduced.

【００８２】以上の効果により、本実施の形態によれ
ば、発光効率が従来のものと比較して向上し、また、駆
動電圧も低減された、半導体発光素子を製造することが
できる。With the above effects, according to the present embodiment, it is possible to manufacture a semiconductor light emitting device in which the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one and the driving voltage is reduced.

【００８３】〔実施の形態８〕本実施の形態は、負電極
の形状・配置が異なる他は、実施の形態７と同様であ
る。図９は、本実施の形態における、半導体発光素子の
構成を示す平面図である。図において、各符号は、実施
の形態１と同じである。なお、図を分かりやすくするた
め、ＳｉＯ2保護膜１０９を図示しない。[Embodiment 8] This embodiment is the same as Embodiment 7 except that the shape and arrangement of the negative electrode are different. FIG. 9 is a plan view showing a configuration of the semiconductor light emitting device in the present embodiment. In the figure, each symbol is the same as in the first embodiment. Note that the SiO 2 protective film 109 is not shown for easy understanding of the drawing.

【００８４】本実施の形態においては、図９に示される
ように、実施の形態７における、ボンディング部を兼ね
た負電極の部分から、負電極が、メサ周囲を取り巻くよ
うに伸びている。これにより、発光領域におけるｎ型Ｇ
ａＮ層内部での電位分布が低減され、正電極での電流分
布低減効果とあいまって、発光の分布が実施の形態６よ
りもさらに減少する。In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the negative electrode extends from the portion of the negative electrode also serving as the bonding portion in the seventh embodiment so as to surround the periphery of the mesa. Thereby, the n-type G in the light emitting region
The potential distribution inside the aN layer is reduced, and the distribution of light emission is further reduced as compared with the sixth embodiment, in combination with the effect of reducing the current distribution at the positive electrode.

【００８５】このような構成により、発光効率が従来の
ものと比較して向上し、また、駆動電圧も低減された、
半導体発光素子を製造することができた。With this configuration, the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one, and the driving voltage is reduced.
A semiconductor light emitting device could be manufactured.

【００８６】〔実施の形態９〕本実施の形態は、ボンデ
ィングパッド、正電極、負電極の配置および、正電極に
おける低抵抗部のパターンが異なる他は、実施の形態７
と同様である。図１０は、本実施の形態における、半導
体発光素子の構成を示す図で（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
Ａ−Ａ’断面図である。図において、各符号は、実施の
形態１と同じである。なお、平面図においては、図を分
かりやすくするため、ＳｉＯ2保護膜１０９を図示しな
い。Ninth Embodiment A ninth embodiment is different from the seventh embodiment except that the arrangement of the bonding pad, the positive electrode and the negative electrode, and the pattern of the low resistance portion in the positive electrode are different.
Is the same as FIGS. 10A and 10B are diagrams showing the configuration of the semiconductor light emitting element in the present embodiment, wherein FIG. 10A is a plan view and FIG. 10B is a cross-sectional view along AA ′. In the figure, each symbol is the same as in the first embodiment. In the plan view, the SiO 2 protective film 109 is not shown for easy understanding.

【００８７】本実施の形態においては、図１０に示され
るように、ボンディングパッド、正電極、負電極が、そ
れぞれおよそ同じ大きさの概略正方形であり、この順に
並べて配置されている。これにより、ボンディングパッ
ド面積の、概略３倍程度にまでチップサイズを縮小する
ことが可能になった。また、本実施の形態において、正
電極は、線上の低抵抗部が、ボンディングパッドより、
数本平行に負電極の方に伸び、その他の部分は、高抵抗
部である構成とした。In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the bonding pad, the positive electrode, and the negative electrode are approximately squares having substantially the same size, and are arranged in this order. As a result, it has become possible to reduce the chip size to approximately three times the bonding pad area. In the present embodiment, the positive electrode has a low resistance portion on the line,
Several parallel lines extend toward the negative electrode, and the other parts are high resistance parts.

【００８８】本実施の形態においても、発光領域の形状
が概略正方形なので、チップから出射する光パターンの
異方性を小さくすることができた。Also in the present embodiment, since the shape of the light emitting region is substantially square, the anisotropy of the light pattern emitted from the chip can be reduced.

【００８９】このような構成によって、発光効率が従来
のものと比較して向上し、また、駆動電圧も低減され
た、極小サイズの半導体発光素子を製造することができ
た。With such a configuration, it was possible to manufacture an extremely small-sized semiconductor light emitting device in which the luminous efficiency was improved as compared with the conventional one and the driving voltage was reduced.

【００９０】〔実施の形態１０〕本実施の形態は、実施
の形態７の変形であり、これとは、ボンディングパッ
ド、正電極、負電極の形状と配置のみが異なる。図１１
は、本実施の形態における、半導体発光素子の構成を示
す平面図であり、図において、各符号は、実施の形態１
と同じである。なお、図を分かりやすくするため、Ｓｉ
Ｏ2保護膜１０９を図示しない。[Tenth Embodiment] This embodiment is a modification of the seventh embodiment, and differs from the seventh embodiment only in the shape and arrangement of the bonding pad, the positive electrode, and the negative electrode. FIG.
1 is a plan view illustrating a configuration of a semiconductor light emitting element according to the present embodiment, in which reference numerals denote the first embodiment.
Is the same as In order to make the figure easier to understand, Si
The O 2 protective film 109 is not shown.

【００９１】本実施の形態においては、円形の負電極が
正電極に囲まれて配置され、さらに、ボンディングパッ
ドが、チップの片隅に配置される。チップの中央部に負
電極を配したことにより、発光領域におけるｎ型ＧａＮ
層内部での電位分布が低減され、正電極側での電流分布
低減効果とあいまって、発光の分布が効果的に抑制され
る。In this embodiment, a circular negative electrode is arranged so as to be surrounded by the positive electrode, and a bonding pad is arranged at one corner of the chip. By disposing a negative electrode in the center of the chip, n-type GaN
The potential distribution inside the layer is reduced, and the distribution of light emission is effectively suppressed in combination with the effect of reducing the current distribution on the positive electrode side.

【００９２】このような構成により、発光効率が従来の
ものと比較して向上し、また、駆動電圧も低減された、
半導体発光素子を製造することができた。With such a configuration, the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one, and the driving voltage is reduced.
A semiconductor light emitting device could be manufactured.

【００９３】〔実施の形態１１〕本実施の形態は、実施
の形態７の変形であり、これとは、ボンディングパッ
ド、正電極、負電極の形状と配置、及び、正電極におけ
る低抵抗部のパターンのみが異なる。図１２は、本実施
の形態における、半導体発光素子の構成を示す平面図で
あり、図において、各符号は、実施の形態１と同じであ
る。なお、図を分かりやすくするため、ＳｉＯ2保護膜
１０９を図示しない。[Eleventh Embodiment] This embodiment is a modification of the seventh embodiment, which includes the shapes and arrangements of bonding pads, positive electrodes and negative electrodes, and low-resistance portions of the positive electrodes. Only the pattern is different. FIG. 12 is a plan view showing the configuration of the semiconductor light emitting element in the present embodiment. In the figure, reference numerals are the same as those in the first embodiment. Note that the SiO 2 protective film 109 is not shown for easy understanding of the drawing.

【００９４】本実施の形態においては、正電極がチップ
中央部に配置され、さらに、ボンディングパッドが正電
極の中央部に配置される。正電極において、線状の低抵
抗部が、ボンディングパッドより放射状に形成され、そ
の他の部分は、高抵抗部である。また、負電極は、チッ
プ外形の対向する２辺に沿って、分割して配置される。
本実施の形態の半導体発光素子では、負側のワイヤー
が、それぞれの負電極に接続されて、使用される。この
ように、負電極をチップの両端に配したことにより、発
光領域におけるｎ型ＧａＮ層内部での電位分布が低減さ
れ、正電極側での電流分布低減効果とあいまって、発光
の分布が効果的に低減される。In this embodiment, the positive electrode is arranged at the center of the chip, and the bonding pad is arranged at the center of the positive electrode. In the positive electrode, a linear low-resistance portion is formed radially from the bonding pad, and the other portion is a high-resistance portion. Further, the negative electrode is divided and arranged along two opposing sides of the chip outer shape.
In the semiconductor light emitting device of the present embodiment, a negative wire is used by being connected to each negative electrode. As described above, by disposing the negative electrodes at both ends of the chip, the potential distribution inside the n-type GaN layer in the light-emitting region is reduced, and the distribution of light emission is reduced in combination with the current distribution reduction effect on the positive electrode side. Is significantly reduced.

【００９５】本構成により、発光効率が従来のものと比
較して向上し、また、駆動電圧も低減された、半導体発
光素子を製造することができた。According to this configuration, a semiconductor light emitting device having improved luminous efficiency as compared with the conventional device and reduced driving voltage was able to be manufactured.

【００９６】〔実施の形態１２〕図１３は、本発明の実
施の形態１２における、半導体発光素子の構成を示す図
で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）
はＢ−Ｂ’断面図である。図１３において、符号は図１
と同一である。本図に基づいて、構成を説明する。サフ
ァイア基板１０１上に、ＡｌＮバッファ層１０２、ｎ型
ＧａＮ１０３、ＩｎＧａＮ発光層１０４、ｐ型ＧａＮ層
１０５が設けられる。四辺形のチップの一角には、表面
よりｎ型ＧａＮ１０３に達する窪みが設けられ、ｎ型Ｇ
ａＮ１０３に接合して負電極１０６が設けられる。さら
に、ｐ型ＧａＮ層１０５上に正電極が形成され、これ
は、実施の形態６と同様に構成されている。なお、正電
極は、チップ周囲からは離して配置される。これによ
り、チップ周囲の結晶欠陥の多い領域を電流が流れない
ので、素子の特性を良好なものに保つことができる。ま
た、ｐ型ＧａＮ層表面の一角には、ボンディングパッド
１１０が設けられる。本実施の形態においては、正電極
およびボンディングパッドを次のように作製した。[Twelfth Embodiment] FIGS. 13A and 13B are diagrams showing a configuration of a semiconductor light emitting device according to a twelfth embodiment of the present invention, wherein FIG. 13A is a plan view, FIG. (C)
Is a BB 'sectional view. In FIG. 13, reference numerals are those in FIG.
Is the same as The configuration will be described with reference to FIG. On a sapphire substrate 101, an AlN buffer layer 102, an n-type GaN 103, an InGaN light emitting layer 104, and a p-type GaN layer 105 are provided. At one corner of the quadrilateral chip, a depression reaching the n-type GaN 103 from the surface is provided.
A negative electrode 106 is provided in contact with the aN 103. Further, a positive electrode is formed on p-type GaN layer 105, which is configured in the same manner as in the sixth embodiment. Note that the positive electrode is arranged away from the periphery of the chip. As a result, current does not flow through a region around the chip where there are many crystal defects, so that the characteristics of the element can be kept good. A bonding pad 110 is provided at one corner of the surface of the p-type GaN layer. In the present embodiment, the positive electrode and the bonding pad were manufactured as follows.

【００９７】まず、リソグラフィー法によるマスク形成
と、リフトオフ法により、ｐ型ＧａＮ層１０５表面に、
Ｎｉの光透過性薄膜を形成する。その後、リソグラフィ
ー法によるマスク形成と、リフトオフ法により、Ａｌか
らなる正電極上の格子と、ボンディングパッドを一度に
形成する。すなわち、本実施の形態においては、ボンデ
ィングパッドと低抵抗部１０７を一度に形成しており、
これにより、半導体発光素子の製造工程が簡略化され
る。また、本実施の形態においては、実施の形態１ない
し１０と異なり、保護膜も形成しない。これにより、製
造工程は、さらに簡略化された。なお、製造工程のその
他の部分については、上述の実施の形態から容易に類推
できるので、省略する。First, a mask is formed by lithography and a lift-off method is applied to the surface of the p-type GaN layer 105.
A light transmitting thin film of Ni is formed. Thereafter, a mask on the positive electrode made of Al and a bonding pad are formed at once by mask formation by lithography and lift-off. That is, in the present embodiment, the bonding pad and the low resistance portion 107 are formed at once,
This simplifies the manufacturing process of the semiconductor light emitting device. Further, in the present embodiment, unlike Embodiments 1 to 10, no protective film is formed. This further simplified the manufacturing process. Note that other parts of the manufacturing process are omitted because they can be easily inferred from the above-described embodiment.

【００９８】本実施の形態によっても、実施の形態１と
同様の効果により、発光効率が従来のものと比較して向
上し、また、駆動電圧も低減された、半導体発光素子を
製造することができた。According to the present embodiment, it is possible to manufacture a semiconductor light emitting device in which the luminous efficiency is improved as compared with the conventional one and the driving voltage is reduced by the same effect as in the first embodiment. did it.

【００９９】以上、実施の形態１ないし１２において
は、基板として絶縁性であるサファイアを用いたが、本
発明はこれに限られる訳ではなく、公知技術に基づい
て、導電性、絶縁性にかかわらず、これをＳｉＣ、Ｓｉ
などの他の材料に転置しても、当然に適用が可能であ
る。また、各半導体材料を、ＩＩＩ族元素窒化物半導体
で構成した例について示したが、これを、ＩＩＩ族元素
砒素化合物やＩＩＩ族元素リン化合物半導体、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体などの他
の材料に転置しても、当然に適用が可能である。As described above, in the first to twelfth embodiments, sapphire having an insulating property is used as a substrate. However, the present invention is not limited to this. Instead of SiC, Si
Even if it is transposed to other materials such as, for example, it is naturally applicable. In addition, although an example is shown in which each semiconductor material is made of a group III element nitride semiconductor, the semiconductor material is made of a group III element arsenic compound, a group III element phosphorus compound semiconductor,
Even when transposed to another material such as a group V compound semiconductor or a group II-VI compound semiconductor, the present invention is naturally applicable.

【０１００】〔実施の形態１３〕図１４は、本発明の実
施の形態１３における、半導体発光素子の構成を示す図
で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。[Thirteenth Embodiment] FIGS. 14A and 14B are diagrams showing a configuration of a semiconductor light emitting device according to a thirteenth embodiment of the present invention. FIG. 14A is a plan view, and FIG. is there.

【０１０１】図１４において、第１導電型半導体基板５
０１上に、第１導電型半導体層５０２、半導体発光層５
０３、第２導電型半導体層５０４が順次形成されてい
る。第２導電型半導体層５０４上には、第２電極５０９
およびボンディングパッド５０８が配置され、それらは
違いに接触している。また、第１導電型半導体基板５０
１下には、第１電極５０５が形成されている。第２電極
は、光透過性の高抵抗部５０６と、低抵抗部５０７の２
領域から構成されている。低抵抗部５０６は、第２電極
全体のシート抵抗を低減し、かつ、第２電極からの光取
り出しを、妨害しないように、線状の形態をしている。In FIG. 14, the first conductivity type semiconductor substrate 5
01, the first conductivity type semiconductor layer 502 and the semiconductor light emitting layer 5
03, a second conductivity type semiconductor layer 504 is sequentially formed. A second electrode 509 is formed on the second conductivity type semiconductor layer 504.
And a bonding pad 508 are disposed, which are in contact with the difference. Also, the first conductivity type semiconductor substrate 50
A first electrode 505 is formed below the first electrode 505. The second electrode is composed of a light-transmitting high-resistance portion 506 and a low-resistance portion 507.
It consists of an area. The low-resistance portion 506 has a linear shape so as to reduce the sheet resistance of the entire second electrode and not to hinder light extraction from the second electrode.

【０１０２】本実施の形態においては、導電性半導体基
板を用いており、第１電極は、基板に接触して設けられ
ている。In the present embodiment, a conductive semiconductor substrate is used, and the first electrode is provided in contact with the substrate.

【０１０３】本構成によっても、上述の作用により、発
光効率が従来のものと比較して向上し、また、駆動電圧
も低減された、半導体発光素子を製造することができ
る。According to this structure, a semiconductor light emitting device having improved luminous efficiency and reduced driving voltage can be manufactured by the above-described operation, as compared with the conventional device.

【０１０４】[0104]

【発明の効果】本発明は、第２電極より光が取り出され
る構造の半導体発光素子における第２電極が、シート抵
抗が部分的に異なるように構成されることを特徴として
おり、これにより光取り出しの機能を損なう事なく、第
２電極から半導体側に供給される電流の分布を抑制する
作用を有する。したがって、本発明によれば、光出力に
寄与しない発光領域が無くなって発光パターンが均一に
なり、よって、発光効率が向上し、さらには、駆動電圧
が低減した半導体発光素子を得ることができる。According to the present invention, the second electrode of the semiconductor light emitting device having a structure in which light is extracted from the second electrode is configured so that the sheet resistance is partially different. Has the function of suppressing the distribution of the current supplied from the second electrode to the semiconductor side, without impairing the function of. Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device in which the light emitting region which does not contribute to the light output is eliminated and the light emitting pattern becomes uniform, thereby improving the light emitting efficiency and further reducing the driving voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態１における半導体発光素子
の構造を説明する平面図および断面図である。1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態１における半導体発光素子
の、正電極構造を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a positive electrode structure of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態２における半導体発光素子
の、正電極構造を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a positive electrode structure of a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態３における半導体発光素子
の、正電極構造を説明するための断面図である。FIG. 4 is a sectional view illustrating a positive electrode structure of a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図５】本発明の実施の形態４における半導体発光素子
の構造を説明する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施の形態５における半導体発光素子
の構造を説明する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図７】本発明の実施の形態６における半導体発光素子
の構造を説明する平面図である。FIG. 7 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施の形態７における半導体発光素子
の構造を説明する平面図および断面図である。8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図９】本発明の実施の形態８における半導体発光素子
の構造を説明する平面図である。FIG. 9 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の実施の形態９における半導体発光素
子の構造を説明する平面図および断面図である。10A and 10B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の実施の形態１０における半導体発光
素子の構造を説明する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の実施の形態１１における半導体発光
素子の構造を説明する平面図である。FIG. 12 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to Embodiment 11 of the present invention.

【図１３】本発明の実施の形態１２における半導体発光
素子の構造を説明する平面図および断面図である。13A and 13B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a twelfth embodiment of the present invention.

【図１４】本発明の実施の形態１３における半導体発光
素子の構造を説明する平面図および断面図である。14A and 14B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【図１５】本発明の実施の形態１における半導体発光素
子の発光分布を示すグラフである。FIG. 15 is a graph showing a light emission distribution of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

【図１６】本発明の実施の形態１における半導体発光素
子に対する比較素子の発光分布を示すグラフである。FIG. 16 is a graph showing a light emission distribution of a comparative device with respect to a semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

【図１７】従来例の半導体発光素子の構造を説明する平
面図および断面図である。17A and 17B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a structure of a conventional semiconductor light emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０１ サファイア基板 １０２ ＡｌＮバッファ層 １０３ ｎ型ＧａＮ層 １０４ ＩｎＧａＮ発光層 １０５ ｐ型ＧａＮ層 １０６ 負電極 １０７ 高抵抗部（正電極） １０８ 低抵抗部（正電極） １０９ ＳｉＯ2保護膜 １１０ ボンディングパッド １１１ 正電極 ２０１、３０２、４０３ Ｎｉ層 ２０２、４０４ Ａｕ層 ２０３、３０１、４０２ Ａｌ層 ４０１ ＳｉＯ2層 ５０１ 第１導電型半導体基板 ５０２ 第１導電型半導体層 ５０３ 半導体発光層 ５０４ 第２導電型半導体層 ５０５ 第１電極 ５０６ 光透過性高抵抗部（第２電極） ５０７ 低抵抗部（第２電極） ５０８ ボンディングパッド ５０９ 第２電極Reference Signs List 101 sapphire substrate 102 AlN buffer layer 103 n-type GaN layer 104 InGaN light-emitting layer 105 p-type GaN layer 106 negative electrode 107 high-resistance part (positive electrode) 108 low-resistance part (positive electrode) 109 SiO 2 protective film 110 bonding pad 111 positive Electrodes 201, 302, 403 Ni layer 202, 404 Au layer 203, 301, 402 Al layer 401 SiO 2 layer 501 First conductive type semiconductor substrate 502 First conductive type semiconductor layer 503 Semiconductor light emitting layer 504 Second conductive type semiconductor layer 505 First electrode 506 Light transmitting high resistance portion (second electrode) 507 Low resistance portion (second electrode) 508 Bonding pad 509 Second electrode

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に、少なくとも、第１導電型半導
体層、第２導電型半導体層、該第２導電型半導体層に接
合する第２電極、該第２電極に接合するボンディングパ
ッドが順次設けられている半導体発光素子であり、該素
子内部に発した光が、該第２電極を通して外部に取り出
されるような半導体発光素子において、該第２電極のシ
ート抵抗が、部分的に異なっていることを特徴とする半
導体発光素子。At least a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, a second electrode bonded to the second conductive type semiconductor layer, and a bonding pad bonded to the second electrode are sequentially formed on a substrate. A semiconductor light-emitting element provided, wherein light emitted inside the element is extracted to the outside through the second electrode, and the sheet resistance of the second electrode is partially different A semiconductor light emitting device characterized by the above-mentioned. 【請求項２】 基板上に、少なくとも、第１導電型半導
体層、該第１導電型半導体層に接合する第１電極が順次
設けられ、さらに、該第１導電型半導体層上の第１電極
の形成されていない部分に、少なくとも、第２導電型半
導体層、該第２導電型半導体に接合する第２電極、該第
２電極に接合するボンディングパッドが順次設けられて
いる半導体発光素子であり、該素子内部に発した光が、
該第２電極を通して外部に取り出されるような半導体発
光素子において、該第２電極のシート抵抗が、部分的に
異なっていることを特徴とする半導体発光素子。2. A first conductive type semiconductor layer and a first electrode joined to the first conductive type semiconductor layer are sequentially provided on a substrate, and a first electrode on the first conductive type semiconductor layer is further provided. Is a semiconductor light emitting device in which at least a second conductive type semiconductor layer, a second electrode bonded to the second conductive type semiconductor, and a bonding pad bonded to the second electrode are sequentially provided in a portion where no is formed. , Light emitted inside the element,
A semiconductor light emitting device which is extracted outside through the second electrode, wherein the sheet resistance of the second electrode is partially different. 【請求項３】 上記第１電極と、ボンディングパッドと
が、隣り合うように配置されていることを特徴とする、
請求項２に記載の半導体発光素子。3. The method according to claim 1, wherein the first electrode and the bonding pad are arranged adjacent to each other.
The semiconductor light emitting device according to claim 2. 【請求項４】 上記第１電極、第２電極、ボンディング
パッドが、順次一列に並べて配置されていることを特徴
とする、請求項２に記載の半導体発光素子。4. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the first electrode, the second electrode, and the bonding pad are sequentially arranged in a line. 【請求項５】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２電
極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形
成される形態を有することを特徴とする、請求項１ない
し４のいづれかに記載の半導体発光素子。5. The second electrode according to claim 1, wherein the second electrode having a partially different sheet resistance has a form in which a portion having a lower sheet resistance than the surroundings is formed in a linear shape. 3. The semiconductor light emitting device according to item 1. 【請求項６】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２電
極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、ボンディ
ングパッドと直接接合していることを特徴とする、請求
項１ないし５のいづれかに記載の半導体発光素子。6. The second electrode according to claim 1, wherein the second electrode having a partly different sheet resistance has a portion having a smaller sheet resistance than its surroundings, which is directly bonded to a bonding pad. The semiconductor light-emitting device according to claim 1. 【請求項７】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２電
極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形
成され、かつ、格子状に配置される形態を有することを
特徴とする、請求項１ないし６のいづれかに記載の半導
体発光素子。7. The second electrode having a partly different sheet resistance has a form in which a portion having a smaller sheet resistance than its surroundings is formed linearly and arranged in a lattice. The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 6. 【請求項８】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２電
極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形
成され、かつ、ボンディングパッドから放射状に伸びる
形態を有することを特徴とする、請求項１ないし６のい
づれかに記載の半導体発光素子。8. The second electrode having a partly different sheet resistance has a form in which a part having a smaller sheet resistance than the surroundings is formed in a linear shape and extends radially from a bonding pad. The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 6. 【請求項９】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２電
極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形
成され、かつ、ボンディングパッドから樹枝状に伸びる
形態を有することを特徴とする、請求項１ないし６のい
づれかに記載の半導体発光素子。9. The second electrode having a sheet resistance partly different from that of the surroundings, wherein a portion having a lower sheet resistance than its surroundings is formed in a linear shape and has a form extending from the bonding pad in a dendritic manner. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein: 【請求項１０】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２
電極は、シート抵抗の小さい部分の周囲を、シート抵抗
の大きい部分が取り囲む形態を有することを特徴とす
る、請求項１ないし６のいづれかに記載の半導体発光素
子。10. The second sheet resistance, wherein the sheet resistance is partially different.
7. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the electrode has a configuration in which a portion having a high sheet resistance surrounds a portion having a low sheet resistance. 【請求項１１】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２
電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜
上に、部分的に一層以上の導電性膜を積層して構成され
ていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいづれ
かに記載の半導体発光素子。11. The second sheet resistance, wherein the sheet resistance is partially different.
The electrode according to claim 1, wherein the electrode is formed by partially stacking one or more conductive films on the one or more conductive films and partially on the one or more conductive films. The semiconductor light emitting device according to any one of the above. 【請求項１２】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２
電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜
下に、部分的に一層以上の導電性膜を挿入して構成され
ていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいづれ
かに記載の半導体発光素子。12. The second sheet resistance having a partially different sheet resistance.
The electrode according to claim 1, wherein the electrode is formed by inserting one or more conductive films and partially inserting one or more conductive films under the one or more conductive films. The semiconductor light emitting device according to any one of the above. 【請求項１３】 上記シート抵抗が部分的に異なる第２
電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜
下に、部分的に、絶縁体膜および一層以上の導電性膜を
挿入して構成されていることを特徴とする、請求項１な
いし１０のいづれかに記載の半導体発光素子。13. The second sheet resistance, wherein the sheet resistance is partially different.
The electrode is characterized in that one or more conductive films and, under the one or more conductive films, an insulator film and one or more conductive films are partially inserted under the one or more conductive films. Item 11. The semiconductor light emitting device according to any one of Items 1 to 10. 【請求項１４】 上記第１導電性半導体層が、１層以上
のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成されており、さら
に、上記第２導電型半導体層が１層以上のＩＩＩ族元素
窒化物半導体で構成されていることを特徴とする、請求
項１ないし１３のいづれかに記載の半導体発光素子。14. The first conductive semiconductor layer is made of one or more group III element nitride semiconductors, and the second conductivity type semiconductor layer is made of one or more group III element nitride semiconductors. 14. The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor light-emitting device comprises:
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