JPH10256326A

JPH10256326A - パターン検査方法及び検査装置

Info

Publication number: JPH10256326A
Application number: JP9052953A
Authority: JP
Inventors: Atsuro Nakamura; 淳良中村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-03-07
Filing date: 1997-03-07
Publication date: 1998-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】焦点面計測精度や位置決め精度に対して焦点
深度が小さい場合においても欠陥が検出でき、疑似欠陥
を誤検出しないようにする。【解決手段】検査したい正常なパターンに焦点が合致
した画像（基準パターン画像という）を格納する画像格
納手段１４と、その基準パターン画像に対して最も近い
画像を自動的に選択し参照用パターン画像とする手段を
備える。参照用パターン画像を選択する手段は、顕微鏡
の対物レンズ６と被検体５の表面のパターンまでの距離
を変えることで異なるパターンに焦点が合った画像の中
から、基準パターン画像に対して最も近い画像を選択す
る。選択された参照用パターン画像は参照用メモリ１１
に記憶され、欠陥検出処理部１６，１７での処理で参照
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩや液晶フラ
ットディスプレイなどの半導体における微細パターンの
欠陥や表面の付着物の検出を行う方法と装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の検査は、基準となるパターン画像
と検査するパターン画像を比較することにより行われて
いた。以下、ＬＳＩなどのパターンが形成されたウェハ
の検査を例に説明するが、液晶フラットディスプレイや
それらを製造する際に使用されるマスク、レチクルの検
査についても同じである。

【０００３】これらの製造工程では１枚の基板上に同一
物が複数作られる。例えばＬＳＩの場合、１枚のウェハ
に複数のチップが作られる。また、チップの中にはメモ
リセルのように規則性のあるパターンで構成される部分
と周辺回路部分のように規則性のないパターンで構成さ
れる部分が含まれる。図４、図５は規則性のあるパター
ンの例、図６は規則性のないパターンの例である。ただ
し、これらの例は説明のためであって実際のパターンと
は異なる。

【０００４】図４、図５はそれぞれパターンの繰り返し
間隔がＷ１、Ｗ２の例であり、このような規則性のある
パターンの検査では繰り返される間隔分ずらして比較す
ることで欠陥部分を検出する。図４の場合、横方向にＷ
１ずらしたパターンと、ずらす前のパターンと比較する
ことで、例えばはみ出した部分（欠陥）を検出すること
ができる。また、図５の場合、横方向にＷ２ずらしたパ
ターンとずらす前のパターンと比較することで、例えば
内側に欠落した部分（欠陥）を検出することができる。
このような検査方法は、例えば、特開平４−２７９０４
１号公報に記載されている。以下、この方法を欠陥検出
方法ａとする。

【０００５】これに対して図６のような規則性のないパ
ターンの場合は、近接したパターンでの比較ができない
ため、欠陥のない基準となるパターン画像を用意し、検
査する画像と比較することでパターンの異なる部分（欠
陥）を検出する方法がとられる。この基準となるパター
ン画像の選択方法にはいくつかあり、（１）パターンを
形成する設計データから作成する方式、（２）２つの顕
微鏡で同時にそれぞれ異なる位置のチップの画像を取り
込み、一方を基準パターンとする方式、（３）１つの顕
微鏡で基準となるチップ位置を決定し、このチップの画
像を取り込んでメモリに記憶しておき、これを基準パタ
ーンとする方式がある。これらの方法については、例え
ば特開平１−２８７４４９号公報、特開平２−３７７４
０号公報などに記載されている。

【０００６】被検体がマスクやレチクルの場合には前記
（１）の方式が採用できるが、形成されたパターンの検
査では表面からの反射光を画像に変換するため、前記
（２）（３）のような基準となる画像も形成されたパタ
ーンからとる方式が採られる。また、前記（３）の方式
の方が顕微鏡が１つですむなど画像入力部が簡便となる
利点がある。前記（３）の方法を、以下では欠陥検出方
法ｂとする。

【０００７】規則性のあるパターンに対しても、欠陥検
出方法ｂによる検査は可能である。一般的に、近接する
パターンは半導体プロセスでのパターン形成条件が近
く、得られた画像もパターン間で差異が少なくなり欠陥
と正常な部分の識別が容易になるという利点があるた
め、規則性のあるパターンの場合に近接するパターン間
で比較する方法がとられることが多い。しかし、近接す
るパターンの繰り返す間隔が撮像する領域の大きさに比
べて大きい場合は撮像した領域内に繰り返しパターンが
現れないことになり、欠陥検出方法ａが利用できないと
いう欠点もある。したがって、規則性のあるパターンに
おいては、状況に応じて欠陥検出方法ａと欠陥検出方法
ｂを併用することがある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】半導体のパターンはす
でに説明したような２次元的なパターンにより形成され
るが、最終的には、この２次元的なパターンを層状に重
ねた３次元的なパターンとして形成される。図７は、半
導体断面の１例を示す図である。図では層別にハッチン
グパターンを変えて表示している。なお、図の断面形状
は、説明のための模式図であって実際の形成状態とは異
なっている。

【０００９】検査するパターンの画像は、顕微鏡を用い
て光学的に拡大、結像させ、カメラなどの撮像手段を用
いて取り込まれる。顕微鏡の拡大光学系と半導体表面の
距離を変え、図７に示すような位置に焦点面７０が決め
られた場合、焦点深度７１内にあるパターン欠陥や付着
物は撮像手段の撮像面に結像し、画像として得られる
が、焦点深度７１の範囲からはずれた層や欠陥はコント
ラストが低下したり、結像しないため欠陥の検出ができ
ない。例えば図６のようなパターンの場合、焦点面をず
らすと図８のように、見えていたパターン８０のコント
ラストが低下すると同時に他層のパターン８１が見えて
くるようになる。

【００１０】一方、近年の急速な半導体の集積密度の増
大に伴ってパターンの微細化が進み、より微小な欠陥を
検出することが要求されている。このため、より高倍率
の顕微鏡を用いた画像入力が必要となるが、高倍率にな
るほど焦点深度が浅くなり、１焦点面の焦点深度の範囲
内に全ての層のパターンや欠陥の高さが入らなくなる。
したがって、１回の画像入力では全ての層のパターンや
欠陥の画像が得られないという問題点が生じる。

【００１１】これに対応するため、例えば特開平４−１
４２０５５号公報に記載されているように、焦点面が計
測などで決定された後、検査したいパターンの層が見え
る高さまでのオフセットを求め、焦点面からのオフセッ
ト量が同一の条件で取り込んだ画像間でパターン画像を
比較する方法がある。

【００１２】しかしながら、図７のように、焦点面の計
測精度や、拡大光学系と半導体表面との距離の位置決め
精度の影響があり、焦点面として実際に位置決めされる
面７３は画像を取り込む度に変動する。また、オフセッ
トした面への高さ方向位置決め精度の影響からオフセッ
トされた面の高さ位置も同様に変動する。倍率が高くな
ると焦点深度は小さくなるため、これらの位置決め精度
が十分でない状態が発生し、画像を取り込む度に得られ
る画像に差異が発生する。

【００１３】規則性のあるパターン部分を欠陥検出方法
ａによって検査する場合には、画像間の差異は発生する
が画像内のパターン間には差異はないため、画像内に結
像している層での欠陥は検出できる。したがって特開平
４−１４２０５５号公報のように複数のオフセット量を
設定し、各オフセット量を与えたときの検出結果を合成
することで全ての層の欠陥検出が可能となる。

【００１４】一方、規則性のあるパターン部分や規則性
のないパターン部分で欠陥検出方法ｂで検査する場合、
例えば画像間に図６と図８のような差異が発生し、検出
した層の欠陥のコントラストが低下したり、他層のパタ
ーンが疑似的な欠陥として誤検出されたりするという問
題点が発生する。

【００１５】そこで本発明では、焦点面計測精度や位置
決め精度に対して焦点深度が小さい場合においても欠陥
が検出でき、疑似欠陥を誤検出しない手段を提供するこ
とを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記の課題解決のため、
本発明のパターン検査装置は、パターン画像の比較方式
において、検査したい正常なパターンに焦点が合致した
画像（以下、基準パターン画像という）を格納する画像
格納手段と、その基準パターン画像に対して最も近い画
像を自動的に選択し参照用パターン画像とする手段を備
える。参照用パターン画像を選択する手段は、顕微鏡の
対物レンズとパターン表面までの距離を変えることで、
異なるパターンに焦点が合った画像の中から、基準パタ
ーン画像に対して最も近い画像を選択する。選択された
参照用パターン画像は参照用メモリに記憶され、欠陥検
出処理において参照される。

【００１７】すなわち、本発明は、検査パターン画像を
参照用パターン画像と比較してパターンの欠陥検査を行
うパターン検査方法において、正常なパターンで正確に
焦点があった基準パターン画像に対して最も近い検査パ
ターン画像を選択して参照用パターン画像とすることを
特徴とする。

【００１８】参照用パターン画像は１つには限られず、
複数の基準パターン画像の各々に対して最も近い検査パ
ターン画像を同時に選択して複数の参照用パターン画像
としてもよい。

【００１９】また、本発明は、撮像手段により撮像され
た検査パターン画像を参照用画像記憶手段に記憶された
参照用パターン画像と比較してパターンの欠陥検査を行
うパターン検査装置において、正常なパターンで正確に
焦点が合った画像を予め基準パターン画像として記憶す
る基準画像記憶手段と、基準画像記憶手段に記憶された
基準パターン画像と撮像手段により撮像された検査パタ
ーン画像とを比較する画像比較手段とを備え、基準パタ
ーン画像に対して最も近い検査パターンを選択して参照
用パターン画像として参照用画像記憶手段に記憶するこ
とを特徴とする。

【００２０】基準画像記憶手段は複数の基準パターン画
像を記憶し、参照用画像記憶手段は複数の基準パターン
画像にそれぞれ対応する複数の検査パターン画像を複数
の参照用パターン画像として記憶するようにしてもよ
い。

【００２１】基準パターンの格納時には、正常なパター
ンを持つ画像が格納される。その際、検査したいパター
ン層上のパターンに焦点のあった画像を選択し基準パタ
ーン画像として格納する。次に、検査を行おうとするパ
ターンに形成条件が近い正常なパターンの位置に移動し
た後、基準パターンの画像格納時に画像を選択した高さ
近傍で高さを変えながら画像の取り込みを行い、基準パ
ターンの画像に最も近い画像を選択し、参照用パターン
画像として一時記憶する。

【００２２】検査する場合には、検査するパターンの位
置に移動後、基準パターンの画像格納時に画像を選択し
た高さ近傍で高さを変えながら画像の取り込みを行い、
一時記憶した参照用パターンの画像と比較することで差
異の最も少ない画像を、欠陥や付着物の検出画像とす
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。ここでは、ウェハのパターン検査
を例にとって説明する。

【００２４】図１は、本発明による検査装置の第１の実
施の形態を示すブロック図である。この検査装置は、ウ
ェハ上のパターン画像を得るための画像入力部２１、基
準パターン画像選択部２２、画像処理部２３、及び制御
部４等から構成されている。

【００２５】ウェハ５はＺ軸ステージ２の上に載せら
れ、Ｚ軸ステージ２はＸＹステージ１の上に取り付けら
れている。ＸＹステージ１はレンズ６の光軸に対してウ
ェハ５上の検査パターン位置を水平方向に移動させるた
めの機構であり、Ｚ軸ステージ２はレンズ６とウェハ５
の間の距離を変え、ウェハ上の検査パターンに焦点をあ
わせるためウェハを垂直方向に移動させるための機構で
ある。焦点計測部３は、レンズ６からウェハ５の表面ま
での距離が焦点距離になるよう、距離を計測し、Ｚ軸ス
テージ２を制御する。光源８の光はハーフミラー７によ
りレンズ６の軸上に反射され、レンズ６を介してウェハ
５の表面に投射される。ウェハ５の表面の反射光はレン
ズ６によってＣＣＤカメラ９の撮像面に結像され、ウェ
ハ表面のパターン画像を得ることができる。以上が画像
入力部２１の構成である。

【００２６】ＣＣＤカメラ９の撮像面に結像されたパタ
ーン画像は、Ａ／Ｄ変換手段１０によってディジタル画
像に変換され、基準パターン画像選択部２２と画像処理
部２３に入力される。全体制御部４は、画像入力部２
１、基準パターン画像選択部２２、画像処理部２３の動
作を制御する。また参照用メモリ１１は、基準となるパ
ターン画像を一時的に記憶するものである。

【００２７】基準パターン画像選択部２２は、予め設定
された基準パターン画像に近い参照用パターン画像を選
択するためのものである。画像格納部１４は、正常なパ
ターンでかつ検査したいパターンに正確に焦点があった
基準パターン画像を画像入力部２１から取り込んで格納
するものである。基準パターン画像用モメリ１２は一時
的に画像格納部１４から画像を取り出し記憶するもので
あり、画像比較部１３は基準パターン画像用メモリ１２
の画像とＡ／Ｄ変換手段１０からの画像の比較を行うも
のである。制御部１５はＺ軸ステージ２を駆動し、画像
比較部１３での比較によって最も基準パターン画像用メ
モリ１２内の基準パターンに近い画像を選択する。選択
された画像は、参照用メモリ１１に送られ記憶される。

【００２８】画像処理部２３は、検査するウェハ表面を
撮像した画像から欠陥や付着物の検出を行うものであ
る。第１欠陥検出処理部１６は、基準パターン画像選択
部２２によって選択された参照用メモリ１１の画像とＡ
／Ｄ変換手段１０からの画像とを比較し、その差異を欠
陥画像として生成する。すなわち、異なるチップ間での
比較を行うもので、主に周辺回路部分のような周期性を
持たないパターンの検査で使用する。ここでは、前述の
欠陥検出方法ｂによる処理を行なう。

【００２９】第２欠陥検出処理部１７は、メモリセルの
ような同一のパターンが周期性をもっている繰り返しパ
ターン部分の検査において使用され、同一チップ内の近
接するパターン同士を比較する。ここでは、前述の欠陥
検査方法ａによる処理を行う。

【００３０】Ｚ軸ステージの位置決め誤差や焦点位置計
測誤差などにより、Ａ／Ｄ変換手段１０から出力された
画像には検査したい層のパターンや欠陥に焦点が合って
いなかったり、参照用メモリ１１の画像とＡ／Ｄ変換手
段１０から出力された画像間に差異が生じたりする。そ
こでＺ軸ステージ２を上下に動作させ、その間の各位置
で画像入力部２１より画像を取り込み、第１欠陥検出処
理部１６、第２欠陥検出処理部１７で欠陥画像を作成し
てゆく。

【００３１】第１欠陥検出処理部１６からの欠陥画像に
は、真の欠陥と擬似的な欠陥とが混在している。擬似的
な欠陥とは、パターンとしては正常であるが、Ｚ軸ステ
ージの位置決め誤差や焦点位置計測誤差などにより、Ａ
／Ｄ変換手段１０から出力された画像に検査したい層の
パターンや欠陥に焦点が合っていなかったり、参照用メ
モリ１１の画像とＡ／Ｄ変換手段１０から出力された画
像間に差異が生じて欠陥として判定された個所である。
したがって、第１欠陥画像合成部１８はＺ軸ステージ２
の位置が異なる欠陥画像の中から最も欠陥が少ないもの
を選択する。

【００３２】一方、第２欠陥検出処理部１７において
は、近接するパターン画像間で比較を行うため画像とし
ての差異は少ない。そこで、第２欠陥画像合成部１９
は、Ｚ軸ステージ２の位置が異なる欠陥画像の累積画像
を合成すると、異なる高さのパターンについて検査した
ことになる。また、参照用メモリ１１の画像と比較して
最も差異の少ない場合の欠陥画像のみを選択すれば、基
準パターン画像選択部２２で記憶された高さのパターン
のみの検査結果を得ることができる。第１欠陥画像合成
部１８と第２欠陥画像合成部１９で作成された画像は、
欠陥判定部２０で欠陥の判定が行われる。

【００３３】以下各部の動作を、図３のフローチャート
を用いて説明する。まず、基準パターン画像用メモリ１
２に、検査するパターンの画像を画像格納部１４から取
り出し記憶させておく（Ｓ１）。なお、画像格納部１４
には、予めパターンに欠陥の無い基準となるべきウェハ
を用意してＺステージ２上に搭載し、目的とする正常な
パターンに正確に焦点があった状態でパターン画像を取
り込み格納しておく。このとき、焦点計測部３で焦点面
とされたＺ軸位置から目的とするパターンに正確に焦点
があったＺ軸位置までのオフセット量Ｚ１を記憶してお
く。

【００３４】次に、検査するウェハ５をＺステージ２上
に搭載し、ＸＹステージ１で検査パターンと同一パター
ンをもつ参照画像獲得位置にウェハ５を移動し、焦点計
測部３で焦点を合わせる（Ｓ２）。１枚のウェハ上には
同一のチップが繰り返されて形成されており、検査する
パターンは各チップに同一のものが存在する。例えば、
ウェハ内に基準となるチップ位置を設定し、そのチップ
内で検査パターンと同一パターンを持つ位置を参照画像
獲得位置とする。

【００３５】参照画像獲得位置では、Ｚ軸位置オフセッ
ト量（Ｚ１−ａ）から（Ｚ１＋ａ）までの各位置で画像
入力部２１とＡ／Ｄ変換手段１０より画像を取り込み、
画像比較部１３で基準パターン画像用メモリ１２と比較
する。そして最も差が少なかった画像を選択し、参照用
メモリ１１に記憶させる（Ｓ３）。ここでａは焦点深度
に近い適当な値であり、各位置の移動制御は制御部１５
が行う。

【００３６】ステップ２とステップ３の処理によって、
画像格納部１４に格納された検査パターンに焦点があっ
た画像が選択される。また、予め画像格納部１４に画像
を格納するために使用した基準ウェハと検査するウェハ
とではパターンの形成条件や照明条件が異なり正常なパ
ターンながら画像に差異は発生するが、検査するウェハ
で再記憶させることにより、この差異がない検査パター
ン画像に更新することができる。

【００３７】次に、ＸＹステージ１で検査するパターン
位置、例えば別チップで同一検査パターン位置にウェハ
を移動し、焦点計測部３で焦点をあわせる（Ｓ４）。そ
して、Ｚ軸オフセット量（Ｚ１−ａ）から（Ｚ１＋ａ）
までの各位置で画像入力部２１とＡ／Ｄ変換手段１０よ
り画像を取り込み、画像処理部２３で欠陥検出を行う
（Ｓ５）。画像処理２３の処理は、前述した通り欠陥検
出方法ａ，ｂである。

【００３８】ウェハ上の同一検査パターンを持つ各チッ
プを検査する場合は、各チップの検査位置を順に移動し
て、図３のステップ２からステップ５までを繰り返す。
また、検査パターンの異なるＸＹ位置やＺ位置について
の検査を行う場合は、各ＸＹＺ位置毎にステップ１から
ステップ５までを繰り返す。

【００３９】図２は、本発明による検査装置の第２の実
施の形態を示すブロック図である。説明を簡単にするた
め、図１と同様の機能を果たす部分には図１と同じ符号
を付して示した。基準パターン画像選択部２２は、第１
基準パターン用メモリ３２と第２基準パターン用メモリ
３３、及び第１画像比較部３４、第２画像比較部３５を
有する。第１画像比較部３４、第２画像比較部３５で選
択された画像は、各々第１参照用メモリ３０及び第２参
照用メモリ３１に記憶される。また、画像処理部２３
は、それぞれ一対の第１欠陥検出処理部１６と第２欠陥
処理部１７とを有する。一対の第１欠陥処理部１６及び
１７は、それぞれＡ／Ｄ変換手段１０からの画像を第１
参照用メモリ３０及び第２参照用メモリの画像と比較す
る。

【００４０】第１の実施の形態の検査装置は、基準パタ
ーン画像を記憶する画像格納部や一時記憶用の参照用メ
モリをそれぞれ１つ持ち、Ｚ軸位置が異なる検査パター
ンについては１つの検査パターンの検査が終了する度に
画像格納部から取り出し記憶させることを繰り返してい
た。第２の実施の形態の検査装置は、２つの基準パター
ン画像を同時に記憶させる構成としたもので、画像処理
部２３も同時に２つの基準パターン画像と取り込んだ画
像との比較方式による検査を行うことができる。

【００４１】以下に、パターンの形成された層が異な
る、すなわちＺ軸のオフセット位置が異なる２つのパタ
ーンについて検査を行う場合について説明する。画像格
納部１４から正常なパターンでかつ目的とするパターン
に正確に焦点が合った画像２種類を取り出し、それぞれ
第１基準パターン画像用メモリ３２と第２基準パターン
画像用メモリ３３に記憶させる。

【００４２】次に、ＸＹステージ１を駆動して検査する
パターン位置にウェハ５を移動し、Ｚ軸を焦点位置に合
わせる。焦点位置近傍のＺ軸オフセット位置で画像入力
部２１とＡ／Ｄ変換手段１０より画像を取り込み、第１
画像比較部３４では第１基準パターン画像用メモリ３２
の画像と比較し、第２画像比較部３５では第２基準パタ
ーン画像用メモリ３３の画像と比較する。焦点位置近傍
のＺ軸オフセット位置の中で最も差が少なかった画像を
選択し、それぞれ第１参照用メモリ３０及び第２参照用
メモリ３１に記憶させる。以上の操作により、予め設定
した２種類の検査したいパターン画像に最も近い画像を
検査ウェハについて再記憶させることができる。

【００４３】次に、ＸＹステージ１で別の検査するパタ
ーン位置、例えば別チップで検査パターンが等しい位置
にウェハ５を移動し、焦点計測部３で焦点を合わせる。
焦点位置近傍でＺ軸オフセット位置を変え、各オフセッ
ト位置で第１参照用メモリ３０、第２参照用メモリ３１
に記憶されている画像を用いて、一対の第１欠陥検出部
１６及び一対の第２欠陥検出部１７で同時に欠陥検出処
理を行う。

【００４４】このように２つの基準パターン画像につい
て同時に処理するため、高速で検査処理を行うことがで
きる。また、３つ以上の基準パターン画像を持つ場合に
ついても同様に第２の実施の形態を拡張することができ
る。以上、ＬＳＩなどのウェハを例に説明したが、本発
明は、液晶フラットディスプレイなどの半導体について
も同様に適用できる。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、記憶された正常な基準
パターンとの画像比較による検査において、焦点位置決
め誤差があっても、欠陥と正常なパターンの識別を容易
に行うことができる。また、基準パターンの焦点面での
欠陥のみを選択して検出することができる。したがっ
て、焦点深度が浅い高倍率の欠陥検査において欠陥検出
の精度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のブロック図。

【図２】本発明の第２の実施の形態のブロック図。

【図３】動作フローチャート。

【図４】規則性のあるパターンの説明図。

【図５】規則性のあるパターンの説明図。

【図６】規則性のないパターンの説明図。

【図７】ウェハ上に形成されたパターンの断面と焦点面
を説明する図。

【図８】焦点ずれが発生した場合のパターン観察画像の
説明図。

【符号の説明】

１…ＸＹステージ、２…Ｚ軸ステージ、３…焦点計測
部、４…全体制御部、５…ウェハ、６…レンズ、７…ハ
ーフミラー、８…光源、９…ＣＣＤカメラ、１０…Ａ／
Ｄ変換手段、１１…参照用メモリ、１２…基準パターン
画像用メモリ、１３…画像比較部、１４…画像格納部、
１５…制御部、１６…第１欠陥検出処理部、１７…第２
欠陥検出処理部、１８…第１欠陥画像合成部、１９…第
２欠陥画像合成部、２０…欠陥判定部、２１…画像入力
部、２２…基準パターン画像選択部、２３…画像処理
部、３０…第１参照用メモリ、３１…第２参照用メモ
リ、３２…第１基準パターン画像用メモリ、３３…第２
基準パターン画像用メモリ、３４…第１画像比較部、３
５…第２画像比較部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検査パターン画像を参照用パターン画像
と比較してパターンの欠陥検査を行うパターン検査方法
において、正常なパターンで正確に焦点があった基準パターン画像
に対して最も近い検査パターン画像を選択して前記参照
用パターン画像とすることを特徴とするパターン検査方
法。
【請求項２】請求項１記載のパターン検査方法におい
て、複数の基準パターン画像の各々に対して最も近い検
査パターン画像を同時に選択して複数の参照用パターン
画像とすることを特徴とするパターン検査方法。
【請求項３】撮像手段により撮像された検査パターン
画像を参照用画像記憶手段に記憶された参照用パターン
画像と比較してパターンの欠陥検査を行うパターン検査
装置において、正常なパターンで正確に焦点が合った画像を予め基準パ
ターン画像として記憶する基準画像記憶手段と、前記基
準画像記憶手段に記憶された基準パターン画像と前記撮
像手段により撮像された検査パターン画像とを比較する
画像比較手段とを備え、前記基準パターン画像に対して
最も近い検査パターンを選択して前記参照用パターン画
像として前記参照用画像記憶手段に記憶することを特徴
とするパターン検査装置。
【請求項４】請求項３記載のパターン検査装置におい
て、前記基準画像記憶手段は複数の基準パターン画像を
記憶し、前記参照用画像記憶手段は前記複数の基準パタ
ーン画像にそれぞれ対応する複数の検査パターン画像を
複数の参照用パターン画像として記憶することを特徴と
するパターン検査装置。