JPH10256326A - パターン検査方法及び検査装置 - Google Patents
パターン検査方法及び検査装置Info
- Publication number
- JPH10256326A JPH10256326A JP9052953A JP5295397A JPH10256326A JP H10256326 A JPH10256326 A JP H10256326A JP 9052953 A JP9052953 A JP 9052953A JP 5295397 A JP5295397 A JP 5295397A JP H10256326 A JPH10256326 A JP H10256326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- pattern
- inspection
- defect
- reference pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Image Analysis (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焦点面計測精度や位置決め精度に対して焦点
深度が小さい場合においても欠陥が検出でき、疑似欠陥
を誤検出しないようにする。 【解決手段】 検査したい正常なパターンに焦点が合致
した画像(基準パターン画像という)を格納する画像格
納手段14と、その基準パターン画像に対して最も近い
画像を自動的に選択し参照用パターン画像とする手段を
備える。参照用パターン画像を選択する手段は、顕微鏡
の対物レンズ6と被検体5の表面のパターンまでの距離
を変えることで異なるパターンに焦点が合った画像の中
から、基準パターン画像に対して最も近い画像を選択す
る。選択された参照用パターン画像は参照用メモリ11
に記憶され、欠陥検出処理部16,17での処理で参照
される。
深度が小さい場合においても欠陥が検出でき、疑似欠陥
を誤検出しないようにする。 【解決手段】 検査したい正常なパターンに焦点が合致
した画像(基準パターン画像という)を格納する画像格
納手段14と、その基準パターン画像に対して最も近い
画像を自動的に選択し参照用パターン画像とする手段を
備える。参照用パターン画像を選択する手段は、顕微鏡
の対物レンズ6と被検体5の表面のパターンまでの距離
を変えることで異なるパターンに焦点が合った画像の中
から、基準パターン画像に対して最も近い画像を選択す
る。選択された参照用パターン画像は参照用メモリ11
に記憶され、欠陥検出処理部16,17での処理で参照
される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSIや液晶フラ
ットディスプレイなどの半導体における微細パターンの
欠陥や表面の付着物の検出を行う方法と装置に関する。
ットディスプレイなどの半導体における微細パターンの
欠陥や表面の付着物の検出を行う方法と装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の検査は、基準となるパターン画像
と検査するパターン画像を比較することにより行われて
いた。以下、LSIなどのパターンが形成されたウェハ
の検査を例に説明するが、液晶フラットディスプレイや
それらを製造する際に使用されるマスク、レチクルの検
査についても同じである。
と検査するパターン画像を比較することにより行われて
いた。以下、LSIなどのパターンが形成されたウェハ
の検査を例に説明するが、液晶フラットディスプレイや
それらを製造する際に使用されるマスク、レチクルの検
査についても同じである。
【0003】これらの製造工程では1枚の基板上に同一
物が複数作られる。例えばLSIの場合、1枚のウェハ
に複数のチップが作られる。また、チップの中にはメモ
リセルのように規則性のあるパターンで構成される部分
と周辺回路部分のように規則性のないパターンで構成さ
れる部分が含まれる。図4、図5は規則性のあるパター
ンの例、図6は規則性のないパターンの例である。ただ
し、これらの例は説明のためであって実際のパターンと
は異なる。
物が複数作られる。例えばLSIの場合、1枚のウェハ
に複数のチップが作られる。また、チップの中にはメモ
リセルのように規則性のあるパターンで構成される部分
と周辺回路部分のように規則性のないパターンで構成さ
れる部分が含まれる。図4、図5は規則性のあるパター
ンの例、図6は規則性のないパターンの例である。ただ
し、これらの例は説明のためであって実際のパターンと
は異なる。
【0004】図4、図5はそれぞれパターンの繰り返し
間隔がW1、W2の例であり、このような規則性のある
パターンの検査では繰り返される間隔分ずらして比較す
ることで欠陥部分を検出する。図4の場合、横方向にW
1ずらしたパターンと、ずらす前のパターンと比較する
ことで、例えばはみ出した部分(欠陥)を検出すること
ができる。また、図5の場合、横方向にW2ずらしたパ
ターンとずらす前のパターンと比較することで、例えば
内側に欠落した部分(欠陥)を検出することができる。
このような検査方法は、例えば、特開平4−27904
1号公報に記載されている。以下、この方法を欠陥検出
方法aとする。
間隔がW1、W2の例であり、このような規則性のある
パターンの検査では繰り返される間隔分ずらして比較す
ることで欠陥部分を検出する。図4の場合、横方向にW
1ずらしたパターンと、ずらす前のパターンと比較する
ことで、例えばはみ出した部分(欠陥)を検出すること
ができる。また、図5の場合、横方向にW2ずらしたパ
ターンとずらす前のパターンと比較することで、例えば
内側に欠落した部分(欠陥)を検出することができる。
このような検査方法は、例えば、特開平4−27904
1号公報に記載されている。以下、この方法を欠陥検出
方法aとする。
【0005】これに対して図6のような規則性のないパ
ターンの場合は、近接したパターンでの比較ができない
ため、欠陥のない基準となるパターン画像を用意し、検
査する画像と比較することでパターンの異なる部分(欠
陥)を検出する方法がとられる。この基準となるパター
ン画像の選択方法にはいくつかあり、(1)パターンを
形成する設計データから作成する方式、(2)2つの顕
微鏡で同時にそれぞれ異なる位置のチップの画像を取り
込み、一方を基準パターンとする方式、(3)1つの顕
微鏡で基準となるチップ位置を決定し、このチップの画
像を取り込んでメモリに記憶しておき、これを基準パタ
ーンとする方式がある。これらの方法については、例え
ば特開平1−287449号公報、特開平2−3774
0号公報などに記載されている。
ターンの場合は、近接したパターンでの比較ができない
ため、欠陥のない基準となるパターン画像を用意し、検
査する画像と比較することでパターンの異なる部分(欠
陥)を検出する方法がとられる。この基準となるパター
ン画像の選択方法にはいくつかあり、(1)パターンを
形成する設計データから作成する方式、(2)2つの顕
微鏡で同時にそれぞれ異なる位置のチップの画像を取り
込み、一方を基準パターンとする方式、(3)1つの顕
微鏡で基準となるチップ位置を決定し、このチップの画
像を取り込んでメモリに記憶しておき、これを基準パタ
ーンとする方式がある。これらの方法については、例え
ば特開平1−287449号公報、特開平2−3774
0号公報などに記載されている。
【0006】被検体がマスクやレチクルの場合には前記
(1)の方式が採用できるが、形成されたパターンの検
査では表面からの反射光を画像に変換するため、前記
(2)(3)のような基準となる画像も形成されたパタ
ーンからとる方式が採られる。また、前記(3)の方式
の方が顕微鏡が1つですむなど画像入力部が簡便となる
利点がある。前記(3)の方法を、以下では欠陥検出方
法bとする。
(1)の方式が採用できるが、形成されたパターンの検
査では表面からの反射光を画像に変換するため、前記
(2)(3)のような基準となる画像も形成されたパタ
ーンからとる方式が採られる。また、前記(3)の方式
の方が顕微鏡が1つですむなど画像入力部が簡便となる
利点がある。前記(3)の方法を、以下では欠陥検出方
法bとする。
【0007】規則性のあるパターンに対しても、欠陥検
出方法bによる検査は可能である。一般的に、近接する
パターンは半導体プロセスでのパターン形成条件が近
く、得られた画像もパターン間で差異が少なくなり欠陥
と正常な部分の識別が容易になるという利点があるた
め、規則性のあるパターンの場合に近接するパターン間
で比較する方法がとられることが多い。しかし、近接す
るパターンの繰り返す間隔が撮像する領域の大きさに比
べて大きい場合は撮像した領域内に繰り返しパターンが
現れないことになり、欠陥検出方法aが利用できないと
いう欠点もある。したがって、規則性のあるパターンに
おいては、状況に応じて欠陥検出方法aと欠陥検出方法
bを併用することがある。
出方法bによる検査は可能である。一般的に、近接する
パターンは半導体プロセスでのパターン形成条件が近
く、得られた画像もパターン間で差異が少なくなり欠陥
と正常な部分の識別が容易になるという利点があるた
め、規則性のあるパターンの場合に近接するパターン間
で比較する方法がとられることが多い。しかし、近接す
るパターンの繰り返す間隔が撮像する領域の大きさに比
べて大きい場合は撮像した領域内に繰り返しパターンが
現れないことになり、欠陥検出方法aが利用できないと
いう欠点もある。したがって、規則性のあるパターンに
おいては、状況に応じて欠陥検出方法aと欠陥検出方法
bを併用することがある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】半導体のパターンはす
でに説明したような2次元的なパターンにより形成され
るが、最終的には、この2次元的なパターンを層状に重
ねた3次元的なパターンとして形成される。図7は、半
導体断面の1例を示す図である。図では層別にハッチン
グパターンを変えて表示している。なお、図の断面形状
は、説明のための模式図であって実際の形成状態とは異
なっている。
でに説明したような2次元的なパターンにより形成され
るが、最終的には、この2次元的なパターンを層状に重
ねた3次元的なパターンとして形成される。図7は、半
導体断面の1例を示す図である。図では層別にハッチン
グパターンを変えて表示している。なお、図の断面形状
は、説明のための模式図であって実際の形成状態とは異
なっている。
【0009】検査するパターンの画像は、顕微鏡を用い
て光学的に拡大、結像させ、カメラなどの撮像手段を用
いて取り込まれる。顕微鏡の拡大光学系と半導体表面の
距離を変え、図7に示すような位置に焦点面70が決め
られた場合、焦点深度71内にあるパターン欠陥や付着
物は撮像手段の撮像面に結像し、画像として得られる
が、焦点深度71の範囲からはずれた層や欠陥はコント
ラストが低下したり、結像しないため欠陥の検出ができ
ない。例えば図6のようなパターンの場合、焦点面をず
らすと図8のように、見えていたパターン80のコント
ラストが低下すると同時に他層のパターン81が見えて
くるようになる。
て光学的に拡大、結像させ、カメラなどの撮像手段を用
いて取り込まれる。顕微鏡の拡大光学系と半導体表面の
距離を変え、図7に示すような位置に焦点面70が決め
られた場合、焦点深度71内にあるパターン欠陥や付着
物は撮像手段の撮像面に結像し、画像として得られる
が、焦点深度71の範囲からはずれた層や欠陥はコント
ラストが低下したり、結像しないため欠陥の検出ができ
ない。例えば図6のようなパターンの場合、焦点面をず
らすと図8のように、見えていたパターン80のコント
ラストが低下すると同時に他層のパターン81が見えて
くるようになる。
【0010】一方、近年の急速な半導体の集積密度の増
大に伴ってパターンの微細化が進み、より微小な欠陥を
検出することが要求されている。このため、より高倍率
の顕微鏡を用いた画像入力が必要となるが、高倍率にな
るほど焦点深度が浅くなり、1焦点面の焦点深度の範囲
内に全ての層のパターンや欠陥の高さが入らなくなる。
したがって、1回の画像入力では全ての層のパターンや
欠陥の画像が得られないという問題点が生じる。
大に伴ってパターンの微細化が進み、より微小な欠陥を
検出することが要求されている。このため、より高倍率
の顕微鏡を用いた画像入力が必要となるが、高倍率にな
るほど焦点深度が浅くなり、1焦点面の焦点深度の範囲
内に全ての層のパターンや欠陥の高さが入らなくなる。
したがって、1回の画像入力では全ての層のパターンや
欠陥の画像が得られないという問題点が生じる。
【0011】これに対応するため、例えば特開平4−1
42055号公報に記載されているように、焦点面が計
測などで決定された後、検査したいパターンの層が見え
る高さまでのオフセットを求め、焦点面からのオフセッ
ト量が同一の条件で取り込んだ画像間でパターン画像を
比較する方法がある。
42055号公報に記載されているように、焦点面が計
測などで決定された後、検査したいパターンの層が見え
る高さまでのオフセットを求め、焦点面からのオフセッ
ト量が同一の条件で取り込んだ画像間でパターン画像を
比較する方法がある。
【0012】しかしながら、図7のように、焦点面の計
測精度や、拡大光学系と半導体表面との距離の位置決め
精度の影響があり、焦点面として実際に位置決めされる
面73は画像を取り込む度に変動する。また、オフセッ
トした面への高さ方向位置決め精度の影響からオフセッ
トされた面の高さ位置も同様に変動する。倍率が高くな
ると焦点深度は小さくなるため、これらの位置決め精度
が十分でない状態が発生し、画像を取り込む度に得られ
る画像に差異が発生する。
測精度や、拡大光学系と半導体表面との距離の位置決め
精度の影響があり、焦点面として実際に位置決めされる
面73は画像を取り込む度に変動する。また、オフセッ
トした面への高さ方向位置決め精度の影響からオフセッ
トされた面の高さ位置も同様に変動する。倍率が高くな
ると焦点深度は小さくなるため、これらの位置決め精度
が十分でない状態が発生し、画像を取り込む度に得られ
る画像に差異が発生する。
【0013】規則性のあるパターン部分を欠陥検出方法
aによって検査する場合には、画像間の差異は発生する
が画像内のパターン間には差異はないため、画像内に結
像している層での欠陥は検出できる。したがって特開平
4−142055号公報のように複数のオフセット量を
設定し、各オフセット量を与えたときの検出結果を合成
することで全ての層の欠陥検出が可能となる。
aによって検査する場合には、画像間の差異は発生する
が画像内のパターン間には差異はないため、画像内に結
像している層での欠陥は検出できる。したがって特開平
4−142055号公報のように複数のオフセット量を
設定し、各オフセット量を与えたときの検出結果を合成
することで全ての層の欠陥検出が可能となる。
【0014】一方、規則性のあるパターン部分や規則性
のないパターン部分で欠陥検出方法bで検査する場合、
例えば画像間に図6と図8のような差異が発生し、検出
した層の欠陥のコントラストが低下したり、他層のパタ
ーンが疑似的な欠陥として誤検出されたりするという問
題点が発生する。
のないパターン部分で欠陥検出方法bで検査する場合、
例えば画像間に図6と図8のような差異が発生し、検出
した層の欠陥のコントラストが低下したり、他層のパタ
ーンが疑似的な欠陥として誤検出されたりするという問
題点が発生する。
【0015】そこで本発明では、焦点面計測精度や位置
決め精度に対して焦点深度が小さい場合においても欠陥
が検出でき、疑似欠陥を誤検出しない手段を提供するこ
とを目的とする。
決め精度に対して焦点深度が小さい場合においても欠陥
が検出でき、疑似欠陥を誤検出しない手段を提供するこ
とを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記の課題解決のため、
本発明のパターン検査装置は、パターン画像の比較方式
において、検査したい正常なパターンに焦点が合致した
画像(以下、基準パターン画像という)を格納する画像
格納手段と、その基準パターン画像に対して最も近い画
像を自動的に選択し参照用パターン画像とする手段を備
える。参照用パターン画像を選択する手段は、顕微鏡の
対物レンズとパターン表面までの距離を変えることで、
異なるパターンに焦点が合った画像の中から、基準パタ
ーン画像に対して最も近い画像を選択する。選択された
参照用パターン画像は参照用メモリに記憶され、欠陥検
出処理において参照される。
本発明のパターン検査装置は、パターン画像の比較方式
において、検査したい正常なパターンに焦点が合致した
画像(以下、基準パターン画像という)を格納する画像
格納手段と、その基準パターン画像に対して最も近い画
像を自動的に選択し参照用パターン画像とする手段を備
える。参照用パターン画像を選択する手段は、顕微鏡の
対物レンズとパターン表面までの距離を変えることで、
異なるパターンに焦点が合った画像の中から、基準パタ
ーン画像に対して最も近い画像を選択する。選択された
参照用パターン画像は参照用メモリに記憶され、欠陥検
出処理において参照される。
【0017】すなわち、本発明は、検査パターン画像を
参照用パターン画像と比較してパターンの欠陥検査を行
うパターン検査方法において、正常なパターンで正確に
焦点があった基準パターン画像に対して最も近い検査パ
ターン画像を選択して参照用パターン画像とすることを
特徴とする。
参照用パターン画像と比較してパターンの欠陥検査を行
うパターン検査方法において、正常なパターンで正確に
焦点があった基準パターン画像に対して最も近い検査パ
ターン画像を選択して参照用パターン画像とすることを
特徴とする。
【0018】参照用パターン画像は1つには限られず、
複数の基準パターン画像の各々に対して最も近い検査パ
ターン画像を同時に選択して複数の参照用パターン画像
としてもよい。
複数の基準パターン画像の各々に対して最も近い検査パ
ターン画像を同時に選択して複数の参照用パターン画像
としてもよい。
【0019】また、本発明は、撮像手段により撮像され
た検査パターン画像を参照用画像記憶手段に記憶された
参照用パターン画像と比較してパターンの欠陥検査を行
うパターン検査装置において、正常なパターンで正確に
焦点が合った画像を予め基準パターン画像として記憶す
る基準画像記憶手段と、基準画像記憶手段に記憶された
基準パターン画像と撮像手段により撮像された検査パタ
ーン画像とを比較する画像比較手段とを備え、基準パタ
ーン画像に対して最も近い検査パターンを選択して参照
用パターン画像として参照用画像記憶手段に記憶するこ
とを特徴とする。
た検査パターン画像を参照用画像記憶手段に記憶された
参照用パターン画像と比較してパターンの欠陥検査を行
うパターン検査装置において、正常なパターンで正確に
焦点が合った画像を予め基準パターン画像として記憶す
る基準画像記憶手段と、基準画像記憶手段に記憶された
基準パターン画像と撮像手段により撮像された検査パタ
ーン画像とを比較する画像比較手段とを備え、基準パタ
ーン画像に対して最も近い検査パターンを選択して参照
用パターン画像として参照用画像記憶手段に記憶するこ
とを特徴とする。
【0020】基準画像記憶手段は複数の基準パターン画
像を記憶し、参照用画像記憶手段は複数の基準パターン
画像にそれぞれ対応する複数の検査パターン画像を複数
の参照用パターン画像として記憶するようにしてもよ
い。
像を記憶し、参照用画像記憶手段は複数の基準パターン
画像にそれぞれ対応する複数の検査パターン画像を複数
の参照用パターン画像として記憶するようにしてもよ
い。
【0021】基準パターンの格納時には、正常なパター
ンを持つ画像が格納される。その際、検査したいパター
ン層上のパターンに焦点のあった画像を選択し基準パタ
ーン画像として格納する。次に、検査を行おうとするパ
ターンに形成条件が近い正常なパターンの位置に移動し
た後、基準パターンの画像格納時に画像を選択した高さ
近傍で高さを変えながら画像の取り込みを行い、基準パ
ターンの画像に最も近い画像を選択し、参照用パターン
画像として一時記憶する。
ンを持つ画像が格納される。その際、検査したいパター
ン層上のパターンに焦点のあった画像を選択し基準パタ
ーン画像として格納する。次に、検査を行おうとするパ
ターンに形成条件が近い正常なパターンの位置に移動し
た後、基準パターンの画像格納時に画像を選択した高さ
近傍で高さを変えながら画像の取り込みを行い、基準パ
ターンの画像に最も近い画像を選択し、参照用パターン
画像として一時記憶する。
【0022】検査する場合には、検査するパターンの位
置に移動後、基準パターンの画像格納時に画像を選択し
た高さ近傍で高さを変えながら画像の取り込みを行い、
一時記憶した参照用パターンの画像と比較することで差
異の最も少ない画像を、欠陥や付着物の検出画像とす
る。
置に移動後、基準パターンの画像格納時に画像を選択し
た高さ近傍で高さを変えながら画像の取り込みを行い、
一時記憶した参照用パターンの画像と比較することで差
異の最も少ない画像を、欠陥や付着物の検出画像とす
る。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。ここでは、ウェハのパターン検査
を例にとって説明する。
施の形態を説明する。ここでは、ウェハのパターン検査
を例にとって説明する。
【0024】図1は、本発明による検査装置の第1の実
施の形態を示すブロック図である。この検査装置は、ウ
ェハ上のパターン画像を得るための画像入力部21、基
準パターン画像選択部22、画像処理部23、及び制御
部4等から構成されている。
施の形態を示すブロック図である。この検査装置は、ウ
ェハ上のパターン画像を得るための画像入力部21、基
準パターン画像選択部22、画像処理部23、及び制御
部4等から構成されている。
【0025】ウェハ5はZ軸ステージ2の上に載せら
れ、Z軸ステージ2はXYステージ1の上に取り付けら
れている。XYステージ1はレンズ6の光軸に対してウ
ェハ5上の検査パターン位置を水平方向に移動させるた
めの機構であり、Z軸ステージ2はレンズ6とウェハ5
の間の距離を変え、ウェハ上の検査パターンに焦点をあ
わせるためウェハを垂直方向に移動させるための機構で
ある。焦点計測部3は、レンズ6からウェハ5の表面ま
での距離が焦点距離になるよう、距離を計測し、Z軸ス
テージ2を制御する。光源8の光はハーフミラー7によ
りレンズ6の軸上に反射され、レンズ6を介してウェハ
5の表面に投射される。ウェハ5の表面の反射光はレン
ズ6によってCCDカメラ9の撮像面に結像され、ウェ
ハ表面のパターン画像を得ることができる。以上が画像
入力部21の構成である。
れ、Z軸ステージ2はXYステージ1の上に取り付けら
れている。XYステージ1はレンズ6の光軸に対してウ
ェハ5上の検査パターン位置を水平方向に移動させるた
めの機構であり、Z軸ステージ2はレンズ6とウェハ5
の間の距離を変え、ウェハ上の検査パターンに焦点をあ
わせるためウェハを垂直方向に移動させるための機構で
ある。焦点計測部3は、レンズ6からウェハ5の表面ま
での距離が焦点距離になるよう、距離を計測し、Z軸ス
テージ2を制御する。光源8の光はハーフミラー7によ
りレンズ6の軸上に反射され、レンズ6を介してウェハ
5の表面に投射される。ウェハ5の表面の反射光はレン
ズ6によってCCDカメラ9の撮像面に結像され、ウェ
ハ表面のパターン画像を得ることができる。以上が画像
入力部21の構成である。
【0026】CCDカメラ9の撮像面に結像されたパタ
ーン画像は、A/D変換手段10によってディジタル画
像に変換され、基準パターン画像選択部22と画像処理
部23に入力される。全体制御部4は、画像入力部2
1、基準パターン画像選択部22、画像処理部23の動
作を制御する。また参照用メモリ11は、基準となるパ
ターン画像を一時的に記憶するものである。
ーン画像は、A/D変換手段10によってディジタル画
像に変換され、基準パターン画像選択部22と画像処理
部23に入力される。全体制御部4は、画像入力部2
1、基準パターン画像選択部22、画像処理部23の動
作を制御する。また参照用メモリ11は、基準となるパ
ターン画像を一時的に記憶するものである。
【0027】基準パターン画像選択部22は、予め設定
された基準パターン画像に近い参照用パターン画像を選
択するためのものである。画像格納部14は、正常なパ
ターンでかつ検査したいパターンに正確に焦点があった
基準パターン画像を画像入力部21から取り込んで格納
するものである。基準パターン画像用モメリ12は一時
的に画像格納部14から画像を取り出し記憶するもので
あり、画像比較部13は基準パターン画像用メモリ12
の画像とA/D変換手段10からの画像の比較を行うも
のである。制御部15はZ軸ステージ2を駆動し、画像
比較部13での比較によって最も基準パターン画像用メ
モリ12内の基準パターンに近い画像を選択する。選択
された画像は、参照用メモリ11に送られ記憶される。
された基準パターン画像に近い参照用パターン画像を選
択するためのものである。画像格納部14は、正常なパ
ターンでかつ検査したいパターンに正確に焦点があった
基準パターン画像を画像入力部21から取り込んで格納
するものである。基準パターン画像用モメリ12は一時
的に画像格納部14から画像を取り出し記憶するもので
あり、画像比較部13は基準パターン画像用メモリ12
の画像とA/D変換手段10からの画像の比較を行うも
のである。制御部15はZ軸ステージ2を駆動し、画像
比較部13での比較によって最も基準パターン画像用メ
モリ12内の基準パターンに近い画像を選択する。選択
された画像は、参照用メモリ11に送られ記憶される。
【0028】画像処理部23は、検査するウェハ表面を
撮像した画像から欠陥や付着物の検出を行うものであ
る。第1欠陥検出処理部16は、基準パターン画像選択
部22によって選択された参照用メモリ11の画像とA
/D変換手段10からの画像とを比較し、その差異を欠
陥画像として生成する。すなわち、異なるチップ間での
比較を行うもので、主に周辺回路部分のような周期性を
持たないパターンの検査で使用する。ここでは、前述の
欠陥検出方法bによる処理を行なう。
撮像した画像から欠陥や付着物の検出を行うものであ
る。第1欠陥検出処理部16は、基準パターン画像選択
部22によって選択された参照用メモリ11の画像とA
/D変換手段10からの画像とを比較し、その差異を欠
陥画像として生成する。すなわち、異なるチップ間での
比較を行うもので、主に周辺回路部分のような周期性を
持たないパターンの検査で使用する。ここでは、前述の
欠陥検出方法bによる処理を行なう。
【0029】第2欠陥検出処理部17は、メモリセルの
ような同一のパターンが周期性をもっている繰り返しパ
ターン部分の検査において使用され、同一チップ内の近
接するパターン同士を比較する。ここでは、前述の欠陥
検査方法aによる処理を行う。
ような同一のパターンが周期性をもっている繰り返しパ
ターン部分の検査において使用され、同一チップ内の近
接するパターン同士を比較する。ここでは、前述の欠陥
検査方法aによる処理を行う。
【0030】Z軸ステージの位置決め誤差や焦点位置計
測誤差などにより、A/D変換手段10から出力された
画像には検査したい層のパターンや欠陥に焦点が合って
いなかったり、参照用メモリ11の画像とA/D変換手
段10から出力された画像間に差異が生じたりする。そ
こでZ軸ステージ2を上下に動作させ、その間の各位置
で画像入力部21より画像を取り込み、第1欠陥検出処
理部16、第2欠陥検出処理部17で欠陥画像を作成し
てゆく。
測誤差などにより、A/D変換手段10から出力された
画像には検査したい層のパターンや欠陥に焦点が合って
いなかったり、参照用メモリ11の画像とA/D変換手
段10から出力された画像間に差異が生じたりする。そ
こでZ軸ステージ2を上下に動作させ、その間の各位置
で画像入力部21より画像を取り込み、第1欠陥検出処
理部16、第2欠陥検出処理部17で欠陥画像を作成し
てゆく。
【0031】第1欠陥検出処理部16からの欠陥画像に
は、真の欠陥と擬似的な欠陥とが混在している。擬似的
な欠陥とは、パターンとしては正常であるが、Z軸ステ
ージの位置決め誤差や焦点位置計測誤差などにより、A
/D変換手段10から出力された画像に検査したい層の
パターンや欠陥に焦点が合っていなかったり、参照用メ
モリ11の画像とA/D変換手段10から出力された画
像間に差異が生じて欠陥として判定された個所である。
したがって、第1欠陥画像合成部18はZ軸ステージ2
の位置が異なる欠陥画像の中から最も欠陥が少ないもの
を選択する。
は、真の欠陥と擬似的な欠陥とが混在している。擬似的
な欠陥とは、パターンとしては正常であるが、Z軸ステ
ージの位置決め誤差や焦点位置計測誤差などにより、A
/D変換手段10から出力された画像に検査したい層の
パターンや欠陥に焦点が合っていなかったり、参照用メ
モリ11の画像とA/D変換手段10から出力された画
像間に差異が生じて欠陥として判定された個所である。
したがって、第1欠陥画像合成部18はZ軸ステージ2
の位置が異なる欠陥画像の中から最も欠陥が少ないもの
を選択する。
【0032】一方、第2欠陥検出処理部17において
は、近接するパターン画像間で比較を行うため画像とし
ての差異は少ない。そこで、第2欠陥画像合成部19
は、Z軸ステージ2の位置が異なる欠陥画像の累積画像
を合成すると、異なる高さのパターンについて検査した
ことになる。また、参照用メモリ11の画像と比較して
最も差異の少ない場合の欠陥画像のみを選択すれば、基
準パターン画像選択部22で記憶された高さのパターン
のみの検査結果を得ることができる。第1欠陥画像合成
部18と第2欠陥画像合成部19で作成された画像は、
欠陥判定部20で欠陥の判定が行われる。
は、近接するパターン画像間で比較を行うため画像とし
ての差異は少ない。そこで、第2欠陥画像合成部19
は、Z軸ステージ2の位置が異なる欠陥画像の累積画像
を合成すると、異なる高さのパターンについて検査した
ことになる。また、参照用メモリ11の画像と比較して
最も差異の少ない場合の欠陥画像のみを選択すれば、基
準パターン画像選択部22で記憶された高さのパターン
のみの検査結果を得ることができる。第1欠陥画像合成
部18と第2欠陥画像合成部19で作成された画像は、
欠陥判定部20で欠陥の判定が行われる。
【0033】以下各部の動作を、図3のフローチャート
を用いて説明する。まず、基準パターン画像用メモリ1
2に、検査するパターンの画像を画像格納部14から取
り出し記憶させておく(S1)。なお、画像格納部14
には、予めパターンに欠陥の無い基準となるべきウェハ
を用意してZステージ2上に搭載し、目的とする正常な
パターンに正確に焦点があった状態でパターン画像を取
り込み格納しておく。このとき、焦点計測部3で焦点面
とされたZ軸位置から目的とするパターンに正確に焦点
があったZ軸位置までのオフセット量Z1を記憶してお
く。
を用いて説明する。まず、基準パターン画像用メモリ1
2に、検査するパターンの画像を画像格納部14から取
り出し記憶させておく(S1)。なお、画像格納部14
には、予めパターンに欠陥の無い基準となるべきウェハ
を用意してZステージ2上に搭載し、目的とする正常な
パターンに正確に焦点があった状態でパターン画像を取
り込み格納しておく。このとき、焦点計測部3で焦点面
とされたZ軸位置から目的とするパターンに正確に焦点
があったZ軸位置までのオフセット量Z1を記憶してお
く。
【0034】次に、検査するウェハ5をZステージ2上
に搭載し、XYステージ1で検査パターンと同一パター
ンをもつ参照画像獲得位置にウェハ5を移動し、焦点計
測部3で焦点を合わせる(S2)。1枚のウェハ上には
同一のチップが繰り返されて形成されており、検査する
パターンは各チップに同一のものが存在する。例えば、
ウェハ内に基準となるチップ位置を設定し、そのチップ
内で検査パターンと同一パターンを持つ位置を参照画像
獲得位置とする。
に搭載し、XYステージ1で検査パターンと同一パター
ンをもつ参照画像獲得位置にウェハ5を移動し、焦点計
測部3で焦点を合わせる(S2)。1枚のウェハ上には
同一のチップが繰り返されて形成されており、検査する
パターンは各チップに同一のものが存在する。例えば、
ウェハ内に基準となるチップ位置を設定し、そのチップ
内で検査パターンと同一パターンを持つ位置を参照画像
獲得位置とする。
【0035】参照画像獲得位置では、Z軸位置オフセッ
ト量(Z1−a)から(Z1+a)までの各位置で画像
入力部21とA/D変換手段10より画像を取り込み、
画像比較部13で基準パターン画像用メモリ12と比較
する。そして最も差が少なかった画像を選択し、参照用
メモリ11に記憶させる(S3)。ここでaは焦点深度
に近い適当な値であり、各位置の移動制御は制御部15
が行う。
ト量(Z1−a)から(Z1+a)までの各位置で画像
入力部21とA/D変換手段10より画像を取り込み、
画像比較部13で基準パターン画像用メモリ12と比較
する。そして最も差が少なかった画像を選択し、参照用
メモリ11に記憶させる(S3)。ここでaは焦点深度
に近い適当な値であり、各位置の移動制御は制御部15
が行う。
【0036】ステップ2とステップ3の処理によって、
画像格納部14に格納された検査パターンに焦点があっ
た画像が選択される。また、予め画像格納部14に画像
を格納するために使用した基準ウェハと検査するウェハ
とではパターンの形成条件や照明条件が異なり正常なパ
ターンながら画像に差異は発生するが、検査するウェハ
で再記憶させることにより、この差異がない検査パター
ン画像に更新することができる。
画像格納部14に格納された検査パターンに焦点があっ
た画像が選択される。また、予め画像格納部14に画像
を格納するために使用した基準ウェハと検査するウェハ
とではパターンの形成条件や照明条件が異なり正常なパ
ターンながら画像に差異は発生するが、検査するウェハ
で再記憶させることにより、この差異がない検査パター
ン画像に更新することができる。
【0037】次に、XYステージ1で検査するパターン
位置、例えば別チップで同一検査パターン位置にウェハ
を移動し、焦点計測部3で焦点をあわせる(S4)。そ
して、Z軸オフセット量(Z1−a)から(Z1+a)
までの各位置で画像入力部21とA/D変換手段10よ
り画像を取り込み、画像処理部23で欠陥検出を行う
(S5)。画像処理23の処理は、前述した通り欠陥検
出方法a,bである。
位置、例えば別チップで同一検査パターン位置にウェハ
を移動し、焦点計測部3で焦点をあわせる(S4)。そ
して、Z軸オフセット量(Z1−a)から(Z1+a)
までの各位置で画像入力部21とA/D変換手段10よ
り画像を取り込み、画像処理部23で欠陥検出を行う
(S5)。画像処理23の処理は、前述した通り欠陥検
出方法a,bである。
【0038】ウェハ上の同一検査パターンを持つ各チッ
プを検査する場合は、各チップの検査位置を順に移動し
て、図3のステップ2からステップ5までを繰り返す。
また、検査パターンの異なるXY位置やZ位置について
の検査を行う場合は、各XYZ位置毎にステップ1から
ステップ5までを繰り返す。
プを検査する場合は、各チップの検査位置を順に移動し
て、図3のステップ2からステップ5までを繰り返す。
また、検査パターンの異なるXY位置やZ位置について
の検査を行う場合は、各XYZ位置毎にステップ1から
ステップ5までを繰り返す。
【0039】図2は、本発明による検査装置の第2の実
施の形態を示すブロック図である。説明を簡単にするた
め、図1と同様の機能を果たす部分には図1と同じ符号
を付して示した。基準パターン画像選択部22は、第1
基準パターン用メモリ32と第2基準パターン用メモリ
33、及び第1画像比較部34、第2画像比較部35を
有する。第1画像比較部34、第2画像比較部35で選
択された画像は、各々第1参照用メモリ30及び第2参
照用メモリ31に記憶される。また、画像処理部23
は、それぞれ一対の第1欠陥検出処理部16と第2欠陥
処理部17とを有する。一対の第1欠陥処理部16及び
17は、それぞれA/D変換手段10からの画像を第1
参照用メモリ30及び第2参照用メモリの画像と比較す
る。
施の形態を示すブロック図である。説明を簡単にするた
め、図1と同様の機能を果たす部分には図1と同じ符号
を付して示した。基準パターン画像選択部22は、第1
基準パターン用メモリ32と第2基準パターン用メモリ
33、及び第1画像比較部34、第2画像比較部35を
有する。第1画像比較部34、第2画像比較部35で選
択された画像は、各々第1参照用メモリ30及び第2参
照用メモリ31に記憶される。また、画像処理部23
は、それぞれ一対の第1欠陥検出処理部16と第2欠陥
処理部17とを有する。一対の第1欠陥処理部16及び
17は、それぞれA/D変換手段10からの画像を第1
参照用メモリ30及び第2参照用メモリの画像と比較す
る。
【0040】第1の実施の形態の検査装置は、基準パタ
ーン画像を記憶する画像格納部や一時記憶用の参照用メ
モリをそれぞれ1つ持ち、Z軸位置が異なる検査パター
ンについては1つの検査パターンの検査が終了する度に
画像格納部から取り出し記憶させることを繰り返してい
た。第2の実施の形態の検査装置は、2つの基準パター
ン画像を同時に記憶させる構成としたもので、画像処理
部23も同時に2つの基準パターン画像と取り込んだ画
像との比較方式による検査を行うことができる。
ーン画像を記憶する画像格納部や一時記憶用の参照用メ
モリをそれぞれ1つ持ち、Z軸位置が異なる検査パター
ンについては1つの検査パターンの検査が終了する度に
画像格納部から取り出し記憶させることを繰り返してい
た。第2の実施の形態の検査装置は、2つの基準パター
ン画像を同時に記憶させる構成としたもので、画像処理
部23も同時に2つの基準パターン画像と取り込んだ画
像との比較方式による検査を行うことができる。
【0041】以下に、パターンの形成された層が異な
る、すなわちZ軸のオフセット位置が異なる2つのパタ
ーンについて検査を行う場合について説明する。画像格
納部14から正常なパターンでかつ目的とするパターン
に正確に焦点が合った画像2種類を取り出し、それぞれ
第1基準パターン画像用メモリ32と第2基準パターン
画像用メモリ33に記憶させる。
る、すなわちZ軸のオフセット位置が異なる2つのパタ
ーンについて検査を行う場合について説明する。画像格
納部14から正常なパターンでかつ目的とするパターン
に正確に焦点が合った画像2種類を取り出し、それぞれ
第1基準パターン画像用メモリ32と第2基準パターン
画像用メモリ33に記憶させる。
【0042】次に、XYステージ1を駆動して検査する
パターン位置にウェハ5を移動し、Z軸を焦点位置に合
わせる。焦点位置近傍のZ軸オフセット位置で画像入力
部21とA/D変換手段10より画像を取り込み、第1
画像比較部34では第1基準パターン画像用メモリ32
の画像と比較し、第2画像比較部35では第2基準パタ
ーン画像用メモリ33の画像と比較する。焦点位置近傍
のZ軸オフセット位置の中で最も差が少なかった画像を
選択し、それぞれ第1参照用メモリ30及び第2参照用
メモリ31に記憶させる。以上の操作により、予め設定
した2種類の検査したいパターン画像に最も近い画像を
検査ウェハについて再記憶させることができる。
パターン位置にウェハ5を移動し、Z軸を焦点位置に合
わせる。焦点位置近傍のZ軸オフセット位置で画像入力
部21とA/D変換手段10より画像を取り込み、第1
画像比較部34では第1基準パターン画像用メモリ32
の画像と比較し、第2画像比較部35では第2基準パタ
ーン画像用メモリ33の画像と比較する。焦点位置近傍
のZ軸オフセット位置の中で最も差が少なかった画像を
選択し、それぞれ第1参照用メモリ30及び第2参照用
メモリ31に記憶させる。以上の操作により、予め設定
した2種類の検査したいパターン画像に最も近い画像を
検査ウェハについて再記憶させることができる。
【0043】次に、XYステージ1で別の検査するパタ
ーン位置、例えば別チップで検査パターンが等しい位置
にウェハ5を移動し、焦点計測部3で焦点を合わせる。
焦点位置近傍でZ軸オフセット位置を変え、各オフセッ
ト位置で第1参照用メモリ30、第2参照用メモリ31
に記憶されている画像を用いて、一対の第1欠陥検出部
16及び一対の第2欠陥検出部17で同時に欠陥検出処
理を行う。
ーン位置、例えば別チップで検査パターンが等しい位置
にウェハ5を移動し、焦点計測部3で焦点を合わせる。
焦点位置近傍でZ軸オフセット位置を変え、各オフセッ
ト位置で第1参照用メモリ30、第2参照用メモリ31
に記憶されている画像を用いて、一対の第1欠陥検出部
16及び一対の第2欠陥検出部17で同時に欠陥検出処
理を行う。
【0044】このように2つの基準パターン画像につい
て同時に処理するため、高速で検査処理を行うことがで
きる。また、3つ以上の基準パターン画像を持つ場合に
ついても同様に第2の実施の形態を拡張することができ
る。以上、LSIなどのウェハを例に説明したが、本発
明は、液晶フラットディスプレイなどの半導体について
も同様に適用できる。
て同時に処理するため、高速で検査処理を行うことがで
きる。また、3つ以上の基準パターン画像を持つ場合に
ついても同様に第2の実施の形態を拡張することができ
る。以上、LSIなどのウェハを例に説明したが、本発
明は、液晶フラットディスプレイなどの半導体について
も同様に適用できる。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば、記憶された正常な基準
パターンとの画像比較による検査において、焦点位置決
め誤差があっても、欠陥と正常なパターンの識別を容易
に行うことができる。また、基準パターンの焦点面での
欠陥のみを選択して検出することができる。したがっ
て、焦点深度が浅い高倍率の欠陥検査において欠陥検出
の精度を高めることができる。
パターンとの画像比較による検査において、焦点位置決
め誤差があっても、欠陥と正常なパターンの識別を容易
に行うことができる。また、基準パターンの焦点面での
欠陥のみを選択して検出することができる。したがっ
て、焦点深度が浅い高倍率の欠陥検査において欠陥検出
の精度を高めることができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態のブロック図。
【図2】本発明の第2の実施の形態のブロック図。
【図3】動作フローチャート。
【図4】規則性のあるパターンの説明図。
【図5】規則性のあるパターンの説明図。
【図6】規則性のないパターンの説明図。
【図7】ウェハ上に形成されたパターンの断面と焦点面
を説明する図。
を説明する図。
【図8】焦点ずれが発生した場合のパターン観察画像の
説明図。
説明図。
1…XYステージ、2…Z軸ステージ、3…焦点計測
部、4…全体制御部、5…ウェハ、6…レンズ、7…ハ
ーフミラー、8…光源、9…CCDカメラ、10…A/
D変換手段、11…参照用メモリ、12…基準パターン
画像用メモリ、13…画像比較部、14…画像格納部、
15…制御部、16…第1欠陥検出処理部、17…第2
欠陥検出処理部、18…第1欠陥画像合成部、19…第
2欠陥画像合成部、20…欠陥判定部、21…画像入力
部、22…基準パターン画像選択部、23…画像処理
部、30…第1参照用メモリ、31…第2参照用メモ
リ、32…第1基準パターン画像用メモリ、33…第2
基準パターン画像用メモリ、34…第1画像比較部、3
5…第2画像比較部
部、4…全体制御部、5…ウェハ、6…レンズ、7…ハ
ーフミラー、8…光源、9…CCDカメラ、10…A/
D変換手段、11…参照用メモリ、12…基準パターン
画像用メモリ、13…画像比較部、14…画像格納部、
15…制御部、16…第1欠陥検出処理部、17…第2
欠陥検出処理部、18…第1欠陥画像合成部、19…第
2欠陥画像合成部、20…欠陥判定部、21…画像入力
部、22…基準パターン画像選択部、23…画像処理
部、30…第1参照用メモリ、31…第2参照用メモ
リ、32…第1基準パターン画像用メモリ、33…第2
基準パターン画像用メモリ、34…第1画像比較部、3
5…第2画像比較部
Claims (4)
- 【請求項1】 検査パターン画像を参照用パターン画像
と比較してパターンの欠陥検査を行うパターン検査方法
において、 正常なパターンで正確に焦点があった基準パターン画像
に対して最も近い検査パターン画像を選択して前記参照
用パターン画像とすることを特徴とするパターン検査方
法。 - 【請求項2】 請求項1記載のパターン検査方法におい
て、複数の基準パターン画像の各々に対して最も近い検
査パターン画像を同時に選択して複数の参照用パターン
画像とすることを特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項3】 撮像手段により撮像された検査パターン
画像を参照用画像記憶手段に記憶された参照用パターン
画像と比較してパターンの欠陥検査を行うパターン検査
装置において、 正常なパターンで正確に焦点が合った画像を予め基準パ
ターン画像として記憶する基準画像記憶手段と、前記基
準画像記憶手段に記憶された基準パターン画像と前記撮
像手段により撮像された検査パターン画像とを比較する
画像比較手段とを備え、前記基準パターン画像に対して
最も近い検査パターンを選択して前記参照用パターン画
像として前記参照用画像記憶手段に記憶することを特徴
とするパターン検査装置。 - 【請求項4】 請求項3記載のパターン検査装置におい
て、前記基準画像記憶手段は複数の基準パターン画像を
記憶し、前記参照用画像記憶手段は前記複数の基準パタ
ーン画像にそれぞれ対応する複数の検査パターン画像を
複数の参照用パターン画像として記憶することを特徴と
するパターン検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9052953A JPH10256326A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | パターン検査方法及び検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9052953A JPH10256326A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | パターン検査方法及び検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10256326A true JPH10256326A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12929254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9052953A Pending JPH10256326A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | パターン検査方法及び検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10256326A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000016881A (ko) * | 1998-08-31 | 2000-03-25 | 이토오 도요아키 | 패턴결함검출장치및수정장치 |
JP2002323458A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | 電子回路パターンの欠陥検査管理システム,電子回路パターンの欠陥検査システム及び装置 |
KR100429637B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 다중 광로 광원장치 및 그 동작방법 |
WO2004102171A1 (ja) | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Kabushiki Kaisha Topcon | 外観検査方法、それに用いるマスタパターンおよび該マスタパターンを備える外観検査装置 |
WO2016069685A1 (en) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | Molecular Devices, Llc | Apparatus and method for generating in-focus images using parallel imaging in a microscopy system |
WO2022153763A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | 株式会社デンソー | 半導体基板の検査装置および検査方法 |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP9052953A patent/JPH10256326A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000016881A (ko) * | 1998-08-31 | 2000-03-25 | 이토오 도요아키 | 패턴결함검출장치및수정장치 |
JP2002323458A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | 電子回路パターンの欠陥検査管理システム,電子回路パターンの欠陥検査システム及び装置 |
KR100429637B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 다중 광로 광원장치 및 그 동작방법 |
WO2004102171A1 (ja) | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Kabushiki Kaisha Topcon | 外観検査方法、それに用いるマスタパターンおよび該マスタパターンを備える外観検査装置 |
EP1626270A1 (en) * | 2003-05-16 | 2006-02-15 | Kabushiki Kaisha TOPCON | External view inspection method, master pattern used for the same, and external view inspection device having the master pattern |
EP1626270A4 (en) * | 2003-05-16 | 2008-02-13 | Topcon Corp | INSPECTION PROCEDURE WITH OBSERVATION FROM OUTSIDE, PATTERN TEMPLATE USED FOR IT, AND THE INSPECTION DEVICE COMPRISING THE PATTERN WITH OBSERVATIONS FROM OUTSIDE |
WO2016069685A1 (en) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | Molecular Devices, Llc | Apparatus and method for generating in-focus images using parallel imaging in a microscopy system |
US10690901B2 (en) | 2014-10-29 | 2020-06-23 | Molecular Devices, Llc | Apparatus and method for generating in-focus images using parallel imaging in a microscopy system |
WO2022153763A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | 株式会社デンソー | 半導体基板の検査装置および検査方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3903889B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 | |
US7615746B2 (en) | Method and apparatus for evaluating pattern shape of a semiconductor device | |
JP4323475B2 (ja) | 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム | |
EP3025369B1 (en) | Auto-focus system and methods for die-to-die inspection | |
US7514660B2 (en) | Focusing apparatus, focusing method, and inspection apparatus | |
JP4229767B2 (ja) | 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置 | |
JP4652391B2 (ja) | パターン検査装置、及び、パターン検査方法 | |
KR101882837B1 (ko) | 패턴 검사 장치 | |
KR101870366B1 (ko) | 패턴 검사 장치 및 패턴 검사 방법 | |
JP5514754B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
KR960013357B1 (ko) | 화상데이타 검사방법 및 장치 | |
JP2012002676A (ja) | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法 | |
JPH10256326A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
JP2011196952A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2000081324A (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
JP2000283929A (ja) | 配線パターン検査方法及びその装置 | |
JP2004144610A (ja) | ウェハ欠陥検査装置 | |
JP2017138250A (ja) | パターンの線幅測定装置及びパターンの線幅測定方法 | |
JP2009192371A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
KR102024112B1 (ko) | 검사 방법 | |
JP3816627B2 (ja) | パターン検査装置 | |
JP4922381B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP2020042035A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP2019066691A (ja) | 検査装置 | |
JPH04142055A (ja) | 半導体ウェーハの外観検査装置 |