JPH10256223A - Equipment for processing wafer chamfered part one by one - Google Patents
Equipment for processing wafer chamfered part one by oneInfo
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- JPH10256223A JPH10256223A JP9055992A JP5599297A JPH10256223A JP H10256223 A JPH10256223 A JP H10256223A JP 9055992 A JP9055992 A JP 9055992A JP 5599297 A JP5599297 A JP 5599297A JP H10256223 A JPH10256223 A JP H10256223A
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- wafer
- etching
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの端面を機械
加工で面取りした後、面取り部にエッチング，洗浄等の
処理を施す装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for chamfering an end face of a wafer by machining, and then performing etching, cleaning, and the like on the chamfered portion.
【０００２】[0002]
【従来の技術】インゴットから切り出されたウェーハ
は、ラッピング後、端面が機械的に面取りされる。次い
で、面取り部の平滑性を向上させるため、面取り部がエ
ッチングされている。面取り時の残留機械加工歪みも、
このエッチングにより除去される。面取り部のエッチン
グに際しては、エッチング作用が主面に及ぼさないよう
にすることが必要である。そこで、特開平２−１５６２
７号公報，特開平２−１５６２８号公報等では、複数枚
のウェーハを締付け装置で互いに密着させ、エッチング
液に浸漬している。また、ワックスを塗布したウェーハ
を密着させることにより、隣接するウェーハの間を液密
にした後で、面取り部をエッチングすることも知られて
いる。2. Description of the Related Art A wafer cut from an ingot is mechanically chamfered at its end face after lapping. Next, the chamfer is etched to improve the smoothness of the chamfer. Residual machining distortion during chamfering,
It is removed by this etching. When etching the chamfered portion, it is necessary to prevent the etching action from affecting the main surface. Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. H2-1562
No. 7, JP-A-2-15628, and the like, a plurality of wafers are brought into close contact with each other by a clamping device and immersed in an etching solution. It is also known that a wafer coated with wax is brought into close contact with the wafer to make the space between adjacent wafers liquid-tight, and then the chamfered portion is etched.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来の方式では、互い
に密着させたウェーハ全体をエッチング液に浸漬するた
め、大径のウェーハに対しては大きなエッチング槽及び
付帯設備が必要となる。また、大径ウェーハを複数枚重
ね合わせて処理することから、かなりの重量物となり、
ハンドリングが困難になる。しかも、ウェーハ全面にわ
たって均等な押圧力を加えないと、隣接するウェーハの
間にエッチング液侵入の原因となる隙間が生じる虞れが
ある。本発明は、このような問題を解消すべく案出され
たものであり、一枚のウェーハを両側からクランプする
方式を採用することにより、ウェーハの径に拘らず主面
を確実にシールし、周縁の面取り部にエッチング，リン
ス等の枚葉処理を施すことを目的とする。In the conventional method, since the whole wafers which are brought into close contact with each other are immersed in an etching solution, a large etching tank and additional equipment are required for a large diameter wafer. In addition, since multiple large-diameter wafers are stacked and processed, it becomes a considerably heavy object,
Handling becomes difficult. In addition, if a uniform pressing force is not applied over the entire surface of the wafer, there is a possibility that a gap may be formed between adjacent wafers, which may cause an etchant to enter. The present invention has been devised to solve such a problem.By adopting a method of clamping one wafer from both sides, the main surface is reliably sealed regardless of the diameter of the wafer, An object of the present invention is to perform a single-wafer process such as etching and rinsing on a peripheral chamfered portion.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明の枚葉処理装置
は、その目的を達成するため、処理されるウェーハの面
積とほぼ同じ作用面をもつ一対の把持パッドを備え、真
空源又は加圧源に接続される空間部が作用面の中央に設
けられ、ウェーハ周縁の面取り部の内側でウェーハに当
接するように、空間部の周囲にある作用面にＯリングが
装着されており、それぞれの把持パッドは回転中心が同
一直線上にある回転軸を備えていることを特徴とする。
把持パッドに対するウェーハの装着は、先端に真空チャ
ックを備えたハンドリングアームを使用して行われる。
そのため、把持パッドを相互に近接又は離間可能に設
け、離間した把持パッドの間にハンドリングアームを進
入させる構造が採用される。In order to achieve the object, a single wafer processing apparatus according to the present invention comprises a pair of gripping pads having a working surface substantially equal to the area of a wafer to be processed, and a vacuum source or a pressure source. A space connected to the source is provided at the center of the working surface, and an O-ring is mounted on the working surface around the space so as to abut the wafer inside the chamfer at the periphery of the wafer. The grip pad has a rotation axis whose rotation center is on the same straight line.
The mounting of the wafer on the grip pad is performed using a handling arm having a vacuum chuck at the tip.
Therefore, a structure is adopted in which the gripping pads are provided so as to be close to or separated from each other, and the handling arm enters between the separated gripping pads.
【０００５】[0005]
【実施の形態】本発明に従った枚葉エッチング装置は、
図１に示すように一対の把持パッド１０，２０を備えて
いる。把持パッド１０，２０は、処理しようとするウェ
ーハＷとほぼ同じ面積の作用面１１，２１をもってい
る。作用面１１，２１の中央に空間部１２，２２が形成
されており、空間部１２，２２の周囲の作用面１１，２
１に液密シール用のＯリング１３，２３が装着されてい
る。Ｏリング１３，２３の装着位置は、ウェーハＷを把
持パッド１０，２０で挟んだとき、周縁の面取り部Ｗ1
がＯリング１３，２３の外に位置するように設定され
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A single wafer etching apparatus according to the present invention
As shown in FIG. 1, a pair of grip pads 10 and 20 are provided. The grip pads 10 and 20 have working surfaces 11 and 21 having substantially the same area as the wafer W to be processed. Spaces 12 and 22 are formed in the center of the working surfaces 11 and 21, and the working surfaces 11 and 12 around the spaces 12 and 22.
1 are provided with O-rings 13 and 23 for liquid-tight sealing. The mounting position of the O-rings 13 and 23 is such that when the wafer W is sandwiched between the grip pads 10 and 20, the peripheral chamfer W 1
Are set outside the O-rings 13 and 23.
【０００６】把持パッド１０，２０は、作用面１１，２
１と反対方向に延びる回転軸１４，２４をもっており、
回転軸１４，２４の回転中心は同一直線上に位置決めさ
れている。回転軸１４，２４には、空間部１２，２２を
コンプレッサＰ又は真空ポンプＶに連絡する貫通孔１
５，２５が形成されている。回転軸１４，２４は、適宜
の動力伝達機構を介して駆動源に接続され、同期回転す
る。機械加工で面取りされたウェーハＷを処理する場
合、ハンドリングアーム３０の先端に付けた真空チャッ
ク３１でウェーハＷを吸着し、片方の把持パッド１０の
作用面１１にウェーハＷを位置合わせし、作用面１１に
ウェーハＷをあてがう。そして、真空ポンプＶを駆動さ
せて作用面１１にウェーハＷを吸着させた後、真空チャ
ック３１を解除する。これにより、作用面１１の適正位
置にウェーハＷが取り付けられる。[0006] The gripping pads 10 and 20 are provided on the working surfaces 11 and 12.
Have rotating shafts 14, 24 extending in the opposite direction to 1;
The rotation centers of the rotation shafts 14 and 24 are positioned on the same straight line. The rotating shafts 14 and 24 have through-holes 1 connecting the spaces 12 and 22 to the compressor P or the vacuum pump V.
5, 25 are formed. The rotating shafts 14 and 24 are connected to a driving source via an appropriate power transmission mechanism and rotate synchronously. When processing a chamfered wafer W by machining, the wafer W is sucked by the vacuum chuck 31 attached to the tip of the handling arm 30, the wafer W is aligned with the working surface 11 of one gripping pad 10, and the working surface is adjusted. The wafer W is applied to 11. Then, after driving the vacuum pump V to attract the wafer W to the working surface 11, the vacuum chuck 31 is released. As a result, the wafer W is mounted at an appropriate position on the working surface 11.
【０００７】次いで、ハンドリングアーム３０を後退さ
せ、他方の把持パッド２０をウェーハＷに向けて前進さ
せる。把持パッド２０は、把持パッド１０に位置合わせ
されているので、Ｏリング１３がウェーハＷに当接して
いる箇所の反対側からＯリング２３をウェーハＷの主面
Ｗ2 に押し付ける。その結果、図２に示すように、面取
り部Ｗ1 がＯリング１３，２３の外側に、主面Ｗ2 がＯ
リング１３，２３の内側に位置する状態で、ウェーハＷ
が把持パッド１０，２０の間に挟持される。ウェーハＷ
を把持した状態で真空ポンプＶを作動させ、作用面１
１，２１の双方でウェーハＷを吸着する。これにより、
ウェーハＷが液密状態でＯリング１３，２３に密着し、
Ｏリング１３，２３で囲まれた主面Ｗ2 へのエッチング
液の侵入が防止される。また、Ｏリング１３，２３を介
してウェーハＷが把持パッド１０，２０で把持されるた
め、テーパがあったり、厚みに多少のバラツキがあるウ
ェーハＷであっても、把持パッド１０，２０の間にウェ
ーハＷが液密状態で保持される。このとき、把持パッド
１０，２０でウェーハＷに加圧力を加えることもでき
る。加圧によりＯリング１３，２３とウェーハＷとの隙
間からエッチング液が主面Ｗ2 側に侵入することが確実
に防止される。Next, the handling arm 30 is retracted, and the other gripping pad 20 is advanced toward the wafer W. Gripping pad 20, because it is aligned with the gripping pad 10 is pressed from the opposite side of the portion where the O-ring 13 is in contact with the wafer W to O-ring 23 on the main surface W 2 of the wafer W. As a result, as shown in FIG. 2, the chamfered portion W 1 is on the outside of the O-ring 13 and 23, the main surface W 2 is O
With the wafer W positioned inside the rings 13 and 23,
Is held between the grip pads 10 and 20. Wafer W
The vacuum pump V is operated while holding the
The wafer W is sucked by both 1 and 21. This allows
The wafer W adheres to the O-rings 13 and 23 in a liquid-tight state,
Penetration of the etching solution into the O-ring main surface W 2 surrounded by 13 and 23 is prevented. Further, since the wafer W is gripped by the gripping pads 10 and 20 via the O-rings 13 and 23, even if the wafer W has a taper or a slight variation in thickness, the gap between the gripping pads 10 and 20 can be reduced. The wafer W is held in a liquid-tight state. At this time, a pressing force can be applied to the wafer W by the grip pads 10 and 20. Etchant from the gap between the O-ring 13, 23 and the wafer W that enters the main surface W 2 side is reliably prevented by pressure.
【０００８】把持パッド１０，２０で挟まれたウェーハ
Ｗの周縁にある面取り部Ｗ1 に向けて酸，アルカリ等の
エッチング液Ｅを吹き付けながら、回転軸１４，２４を
回転させると、ウェーハＷの全周にわたって面取り部Ｗ
1 がエッチングされる。このとき、ウェーハＷにＯリン
グ１３，２３が押し当てられているので、エッチング液
Ｅの侵入から主面Ｗ2 が保護される。図２では上方向か
らエッチング液Ｅを吹き付けているが、これに拘束され
ることなく複数方向からエッチング液Ｅをシャワー状に
吹き付けても良い。或いは、図２のように把持されたウ
ェーハＷを把持パッド１０，２０と共にエッチング液に
浸漬し、面取り部Ｗ1 をエッチングすることも可能であ
る。When the rotating shafts 14 and 24 are rotated while spraying an etching solution E such as an acid or an alkali toward the chamfered portion W 1 on the periphery of the wafer W sandwiched between the gripping pads 10 and 20, the wafer W is rotated. Chamfer W over the entire circumference
1 is etched. At this time, since the O-rings 13 and 23 are pressed against the wafer W, the main surface W 2 is protected from the intrusion of the etching solution E. In FIG. 2, the etching liquid E is sprayed from above, but the etching liquid E may be sprayed in a shower form from a plurality of directions without being restricted by this. Alternatively, immersed in the etching solution with gripping pads 10, 20 gripped wafer W as shown in FIG. 2, it is also possible to etch the chamfered portion W 1.
【０００９】エッチング後、ウェーハＷから他方の把持
パッド２０を後退させ、真空チャック３１を前進させウ
ェーハＷに対向させる。そして、真空チャック３１でウ
ェーハＷを吸着した後、把持パッド１０の真空を解除
し、必要に応じてコンプレッサＰから貫通孔１５を経て
空間部１２に圧縮空気を送り込み、作用面１１からウェ
ーハＷを離間させる。このようにして面取り部Ｗ1 がエ
ッチングされたウェーハＷは、次工程に搬送される。以
上の実施例では、面取り部Ｗ1 のエッチングを説明した
が、面取り部Ｗ1 に洗浄，リンス等の処理を施す場合に
も同様な装置が使用される。また、ウェーハＷの周縁部
が把持パッド１０，２０から若干外側に位置する用に設
計するとき、把持パッド１０，２０で挟んだウェーハＷ
の面取りからエッチングまでを一貫して行うことができ
る。After the etching, the other gripping pad 20 is retracted from the wafer W, and the vacuum chuck 31 is advanced to face the wafer W. After the wafer W is sucked by the vacuum chuck 31, the vacuum of the grip pad 10 is released, and if necessary, compressed air is sent from the compressor P to the space 12 through the through hole 15 to remove the wafer W from the working surface 11. Separate. Wafer W chamfered portion W 1 is etched in this way, it is conveyed to the next step. In the above embodiment has been described an etching of the chamfered portion W 1, cleaning the chamfered portion W 1, similar equipment is also used in the case of performing the process of rinsing and the like. Further, when the peripheral portion of the wafer W is designed to be positioned slightly outside the grip pads 10 and 20, the wafer W sandwiched between the grip pads 10 and 20 is designed.
From chamfering to etching can be performed consistently.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の枚葉処
理装置は、ウェーハを両側から把持パッドで挟み、Ｏリ
ングよりも外側に出ている面取り部のみにエッチング
液，リンス液等の処理液を供給している。この方式のた
め、径が大きなウェーハに対しても設備の大型化を招く
ことなく、面取り部が枚葉処理される。また、主面に処
理液が浸入することもないため、処理後の品質も安定し
ている。As described above, in the single wafer processing apparatus of the present invention, the wafer is sandwiched between the gripping pads from both sides, and only the chamfered portion protruding outside the O-ring is exposed to the etching liquid, the rinsing liquid or the like. The processing liquid is being supplied. With this method, the chamfered portion is subjected to single-wafer processing without increasing the size of equipment even for a wafer having a large diameter. Further, since the treatment liquid does not enter the main surface, the quality after the treatment is stable.
【図１】 本発明に従ったウェーハ面取り部の枚葉処理
装置FIG. 1 shows a single wafer processing apparatus for a chamfered wafer according to the present invention.
【図２】 同枚葉処理装置を使用してウェーハの面取り
部をエッチングしている状態FIG. 2 shows a state in which a chamfered portion of a wafer is being etched using the single wafer processing apparatus.
１０，２０：把持パッド １１，２１：作用面 １
２，２２：空間部 １３，２３：Ｏリング １４，２４：回転軸 １
５，２５：貫通孔 ３０：ハンドリングアーム ３１：真空チャック Ｗ：ウェーハ Ｗ1 ：面取り部 Ｗ2 ：主面 Ｐ：コンプレッサ Ｖ：真空ポンプ Ｅ：エッチン
グ液10, 20: gripping pad 11, 21: working surface 1
2, 22: space 13, 23: O-ring 14, 24: rotating shaft 1
5,25: through hole 30: handling arm 31: The vacuum chuck W: wafer W 1: chamfered portion W 2: main surface P: compressor V: vacuum pump E: etching solution
Claims (2)
用面をもつ一対の把持パッドを備え、真空源又は加圧源
に接続される空間部が作用面の中央に設けられ、ウェー
ハ周縁の面取り部の内側でウェーハに当接するように、
空間部の周囲にある作用面にＯリングが装着されてお
り、それぞれの把持パッドは回転中心が同一直線上にあ
る回転軸を備えているウェーハ面取り部の枚葉処理装
置。1. A pair of gripping pads having a working surface substantially equal to the area of a wafer to be processed, a space portion connected to a vacuum source or a pressure source is provided at the center of the working surface, and a wafer peripheral edge is chamfered. So that it contacts the wafer inside the part
A wafer chamfering single-wafer processing apparatus, wherein an O-ring is mounted on a working surface around a space, and each grip pad has a rotation axis whose rotation center is on the same straight line.
設けられ、離間した把持パッドの間に進入するハンドリ
ングアームの先端にウェーハ吸着用の真空チャックを設
けている請求項１記載のウェーハ面取り部の枚葉処理装
置。2. The wafer chamfering unit according to claim 1, wherein the gripping pads are provided so as to be close to or separated from each other, and a vacuum chuck for sucking a wafer is provided at a tip of a handling arm which enters between the separated gripping pads. Single wafer processing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9055992A JPH10256223A (en) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Equipment for processing wafer chamfered part one by one |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9055992A JPH10256223A (en) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Equipment for processing wafer chamfered part one by one |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256223A true JPH10256223A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=13014589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9055992A Pending JPH10256223A (en) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Equipment for processing wafer chamfered part one by one |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256223A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9975966B2 (en) | 2014-09-26 | 2018-05-22 | Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha | Cytotoxicity-inducing theraputic agent |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP9055992A patent/JPH10256223A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9975966B2 (en) | 2014-09-26 | 2018-05-22 | Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha | Cytotoxicity-inducing theraputic agent |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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