JPH10249990A - ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体 - Google Patents
ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体Info
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- JPH10249990A JPH10249990A JP9100711A JP10071197A JPH10249990A JP H10249990 A JPH10249990 A JP H10249990A JP 9100711 A JP9100711 A JP 9100711A JP 10071197 A JP10071197 A JP 10071197A JP H10249990 A JPH10249990 A JP H10249990A
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Abstract
優れたプラスチック基板と金属酸化物の積層体を提供す
る。 【解決手段】 ガス遮断性積層体においてにプラスチッ
ク基板上に炭素、窒素の1種類以上含み、炭素、窒素の
合計含有量が10〜50%を含む金属酸素化物層の第1
層を形成したその表面に炭素、窒素の1種類以上を含
み、かつ炭素、窒素の合計含有量が0.5〜5%を含む
金属酸化物の第2層を形成したガス遮断性及びフレキシ
ビリティーに優れた積層体である。
Description
積層体に関する。さらに詳しくは、プラスチック基板上
に金属酸化物層を設けたガス遮断性とフレキシビリティ
ーに優れた積層体に関する。
の加水分解物を被覆してガス遮断性被膜を形成した包装
材は、例えば特公平5−64648号公報や特開平7−
205363号公報、特開平8−64648号公報等で
提案されている。しかしながら、特公平5−64648
号公報に記載されたものはオルガノアルコキシシラン加
水分解物の被膜のプラスチック基材に対する密着性が悪
く、また被膜のフレキシビリティーが劣る問題があっ
た。特開平7−205363号公報は次の3種類が記載
されている。R−Si−(OR′)3加水分解物を被覆
した第1層は重合が進んでいない2〜3分子の縮合状態
の炭素や窒素の多い膜であり、密着性向上のためにプラ
ズマ処理しても急激に有機物が除去された密度の小さい
ポーラスな面となっており、金属酸化物の蒸着層を設け
ても密着性が良好でなく、フレキシビリティーも悪いと
いう問題がある。特開平8−165365号公報に記載
されたものはガスバリヤ蒸着層が物理的蒸着層であるた
めに金属と直接結合する炭素窒素などのアルキル基由来
の元素を含有しない層であり、フレキシビリティーが悪
いという問題がある。
プラズマ処理やプラズマCVD法の従来技術の欠点であ
る、フレキシビリティーを改善し、ガス遮断性を向上し
た積層体を提供する。
上に炭素、窒素の1種類以上含み、炭素、窒素の合計含
有量が10〜50%を含む金属酸素化物層の第1層を形
成したその表面に炭素、窒素の1種類以上を含み、かつ
炭素、窒素の合計含有量が0.5〜5%を含む金属酸化
物の第2層を形成したガス遮断性及びフレキシビリティ
ーに優れた積層体。 2. 第1層の膜厚は第2層の膜厚より厚く200〜1
0000Åの厚みである、1項に記載されたガス遮断性
及びフレキシビリティーに優れた積層体。 3. 第1層はSi、Ti、Al、Zrの金属を1種類
以上と酸素を含有する層である、1項または2項に記載
されたガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層
体。 4. 第1層の金属酸化物層に含まれる炭素、窒素は金
属原子に直接結合するアルキル基によりもたらされるも
のが主であって金属原子に直接結合するアルコキシ基に
よりもたらされるものは30%以下である、1項ないし
3項のいずれか1項に記載されたガス遮断性及びフレキ
シビリティーに優れた積層体。 5. 第2層の膜厚は50〜500Åの厚みである、1
項ないし4項のいずれか1項に記載されたガス遮断性及
びフレキシビリティーに優れた積層体。 6. 第2層の金属酸化物層はSi、Ti、Al、Zr
の金属を1種類以上と酸素を含有する層である、1項な
いし5項のいずれか1項に記載されたガス遮断性及びフ
レキシビリティーに優れた積層体。 7. 第2層の金属酸化物層に含まれる炭素、窒素は金
属原子に直接結合するアルキル基によりもたらされるも
のである、1項ないし5項のいずれか1項に記載された
ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体。 8. アルコキシシランとアルコキシチタン、アルコキ
シアルミニウム、アルコキシジルコニウムの1または2
以上を併用した、1項に記載されたガス遮断性及びフレ
キシビリティーに優れた積層体。 9. 第1層と第2層の境界面が第1層から第2層側に
向かって連続的に、炭素が減少し、酸素や金属が増加し
た層である、1項ないし8項のいずれか1項に記載され
た、ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層
体。」に関する。
素、窒素の1種類以上を含み合計で含有量が10〜50
%である金属酸化物の第1層を形成するのはこの第1層
はほとんどガスバリヤ性がを持たないが、可撓性が優れ
ていることと、プラスチック基体および第2層の金属酸
化物との密着性が優れているからである。炭素、窒素の
合計含有量が10%以下では可撓性が劣化し、50%以
上では第2層との密着性が低下して積層体のガス遮断性
能が低下する。
Zrを1種以上と酸素を含有するが、この層に含まれ
る、炭素、窒素は金属原子に直接結合するアルキル基に
よりもたらされるものが主であって、金属原子に直接結
合するアルコキシ基によりもたらされるものは30%以
下でなければならない。アルコキシ基によりもたらされ
るものが30%以上になると、第1層が低分子量化する
ためにポーラスな状態であり、第2層のガス遮断性能を
低下させる原因となるからである。
層より厚くなくてはならない。それは第1層が第2層に
かかる応力を緩和する作用があり、第2層よりも薄くな
ると応力が緩和できず第2層にクラックを発生しやすく
なり結果的にガス遮断性能を低下させる原因となるから
である。
あって、200Å以下では第2層にかかる応力を充分に
緩和できないので第2層にクラックを生じ積層体のガス
遮断性が低下し、10000Å以上では第1層自体に内
部応力がかかる為にクラックを発生しやすくなる。
種類以上を合計で0.5〜5%含む層であって、ガスバ
リヤ性が優れた層であるが可撓性がやや小さい層であ
る。炭素、窒素の含有量が0.5%以下では第2層自体
のフレキシビリティーがなくなり第2層にクラックが発
生しやすく、5%以上では第2層がポーラスな膜となる
ためにフレキシビリティーは増加するがガス遮断性能が
低下するので、0.5〜5%が好ましい。
Zrを1種以上と酸素を含有するが、この層に含まれ
る、炭素と窒素は金属原子に直接結合するアルキル基に
よりもたらされるものである。金属原子に直接結合する
アルコキシ基によりもたらされるとガスバリヤ性が劣化
する。第2層の厚みは第1層より薄く、50Å〜500
Åである、50Åより薄いと連続膜にならないためにガ
ス遮断性能が低下し、500Åより厚いと第2層の可撓
性がなくなるためにクラックが発生しやすくなりガス遮
断性能が低下するので50Å〜500Åが好ましい。
に優れた積層体の製造方法について説明する。第1の金
属酸化物層は、一般式Iで示されるI、II、III、
で示される金属アルコキシドの、一般式IとII、また
はIとIIIを混合したアルコキシシランのアルコール
溶液に酸触媒を加え、水分の存在する状態で加水分解
し、この加水分解物を基体に塗布して形成する。 一般式I R1−Si−(OR2)3 (R1は炭素数1〜10の飽和、または不飽和炭化水素
残基、またはアミノ基含有の飽和炭化水素残基、R2は
炭素数1〜4のアルキル基) 一般式II R3x−A1−(OR2) (R2は炭素数1〜4の炭化水素残基、R3は酸素を介
してA1に結合する炭素数1〜20の炭化水素残基、0
≦n≦3、x+n=3) 一般式III R3y−M−(OR2)m (MはSi、Ti、Zrから選んだ1または2以上であ
り、R2は炭素数1〜4の炭化水素残基、R3は酸素を
介してMに結合する炭素数1〜20の炭化水素残基、0
≦m≦3、0≦y≦3、m+y=4) このようにして得た積層体をプラズマ処理して第1の金
属酸化物層の表面の加水分解を促進して、第2の金属酸
化物層を形成することができる。この他、第1の金属酸
化物層を形成した積層体に有機金属モノマーを用いプラ
ズマCVD法により第2の金属酸化物を形成することも
できる。
使用されるアルコキシシランとしては、テトラメトキシ
シラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシ
シラン、テトラブトキシシラン、ポリメトキシシラン、
ポリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルエトキ
シシラン、3,3−ジメトキシプロピルトリメトキシシ
ラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−
メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタ
クリロキシプロピルトリプロポキシシランが用いられ
る。
アセトアセテートトリイソプロポキシド、チタン−n−
ブトキシド、チタン−n−ブトキシド(ビス−2,4−
ペンタンジオネート)、チタンジイソプロポキシド(ビ
ス−2,4−ペンタンジオネート)、チタンジイソプロ
ポキシドビス(テトラメチルヘプタンジオネート)、チ
タンジイソプロポキシドビス(エチルアセトアセテー
ト)、チタンエドキシド、チタンイソブトキシド、チタ
ンイソプロポキシド、チタンメタクリレートトリイソプ
ロポキシド、チタンメタクリルオキシエチルアセトアセ
テートトリイソプロポキシド、(2−メタグリルオキシ
エトキシ)トリイソプロポキシチタネート、チタンメト
キシド、チタン−n−プロポキシドが用いられる。アル
コキシアルミニウムとしては、アルミニウム−n−ブト
キシド、アルミニウム−s−ブトキシド、アルミニウム
−s−ブトキシドビス(エチルアセテート)、アルミニ
ウム−t−ブドキシド、アルミニウムジ−s−ブトキシ
ドエチルアセトアセテート、アルミニウムジイソプロポ
キシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシ
ド、アルミニウムイソプロポキシドが用いられる。
ニウム−n−ブトキシド、ジルコニウム−t−ブトキシ
ド、ジルコニウムジ−n−ブトキシド(ビス−2,4−
ペンタンジオネート)、ジルコニウムジメタクリレート
ジブドキシド、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウム
イソプロポキシド、ジルコニウムメタクリルオキシエチ
ルアセトアセテートトリ−n−プロポキシド、ジルコニ
ウミウ−n−プロポキシドが用いられる。酸触媒として
は加水分解生成段階で酸性にするものであれば特に限定
されないが、具体的には塩酸、硝酸、リン酸、酢酸など
が好ましい。
成する有機金属モノマーとしてはビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキ
シシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチ
ルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシラン、11
33−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロ
キサン、アルミニウムIIIイソプロポキサイド、チタ
ンイソプロポキサイド、チタンクロライドトリイソプロ
ポキサイド、ジルコニウムt−ブトキサイド等が用いら
れる。
CVD法による第2層の金属酸化物の形成に使用した高
周波プラズマ処理装置である。酸素ガス導入口(1)及
び有機金属モノマー導入口2系統(8)、(9)を備え
た直径60cmのステンレス製ベルジャー型真空チャン
バー(2)と日本電子株式会社製、高周波電源(3)
(13.56MHz、1.5KW、JEH−01B)及
びマッチングボックス(4)、直径13cmの円盤状高
周波電極(5)、直径20cm、高さ1.5cmの円筒
状アース電極(6)両電極間に設置した試料用治具
(7)等からなる。真空ポンプは油回転ポンプと油拡散
ポンプを使用し処理中は常にポンプを引き続けた。プラ
ズマ処理の場合酸素ガスのみ使用して処理を行い、プラ
ズマCVD法による第2層の金属酸化物の形成の場合酸
素ガスと有機金属モノマーを使用して製膜を行った。実
施例、比較例中のXPSはQUANTUM2000(P
HYSICAL ELECTRONICS社製)を使用
して組成比の測定を、SIMSは、ATOMIKA65
00(PERKIN ELMER社製)にて深さ方向の
組成分布測定を行った。また酸素透過量測定は、OXT
RAN2/20(MOCON社製)を使用して25℃、
80%RHを条件下で測定した。
ルと三菱化学株式会社製MKCシリケートをSi量に換
算して0.3モルはプロピレングリコールモノプロピル
エーテル4モルに溶解し2時間撹拌した。この溶液にプ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル2モル、硝酸
0.05モル、水2モルの混合物を1時間かけて徐々に
滴下し、24時間撹拌して加水分解生成物を得た。この
Siの加水分解物に対してチタンイソプロポキシドをT
i量に換算して0.3モルをプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル4モルに溶解し1時間撹拌した溶液
を、1時間かけて徐々に滴下してさらに24時間撹拌
し、ケイ素とチタンの加水分解物の混合物を得た。PE
T25μmフイルムに加水分解物をディップコート法に
より塗布し、80℃、1時間の熱乾燥により溶媒を除去
した後、酸素ガスにより真空度0.05Torr、出力
400Wで30秒間プラズマ処理を行い被覆フイルムを
得た。得られた薄膜の膜厚は約1000Åであった。得
られた薄膜の組成をXPSにより測定したところ、表層
から100Åまではケイ素23.5%、チタン9%、酸
素64.5%、炭素3%であり、100から1000Å
まではケイ素13%、チタン5.5%、酸素58%、炭
素23.5%であった。また得られた薄膜の組成をSI
MSにより測定したところ表層を基準にして深さ方向に
50Åから150Åにかけて炭素が連続的に増加し、ケ
イ素、チタン、酸素が連続的に減少していた。得られた
被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによ
る処理後の酸素透過量を表1に示した。
下同様の操作を行った。得られた薄膜の膜厚は約500
Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測定し
たところ、表層から100Åまではケイ素23.5%、
チタン9%、酸素64.5%、炭素3%であり、100
から500Åまではケイ素13%、チタン5.5%、酸
素58%、炭素23.5%であった。得られた被覆材の
酸素透過量及びゲルボフレックステスターによる処理後
の酸素透過量を表1に示した。
−ブトキシドに変更して以下同様の操作を行った。得ら
れた薄膜の膜厚は1000Åであった。得られた薄膜の
組成をXPSにより測定したところ、表層から150Å
まではケイ素22%、ジルコニウム10%、酸素64
%、炭素4%であり、150から1000Åまではケイ
素12%、ジルコニウム6%、酸素57%、炭素25%
であった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレ
ックステスターによる処理後の酸素透過量を表1に示し
た。
プロポキシドに変更して以下同様の操作を行った。得ら
れた薄膜の膜厚は800Åであった。得られた薄膜の組
成をXPSにより測定したところ、表層から100Åま
ではケイ素25%、アルミニウム8%、酸素65%、炭
素2%であり、100から800Åまではケイ素21
%、アルミニウム6%、酸素51%、炭素22%であっ
た。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックス
テスターによる処理後の酸素透過量を表1に示した。
リケート MS51)をSi量に換算して0.3モルは
プロピレングリコールモノプロピルエーテル4モルに溶
解し2時間撹拌した。この溶液にプロピレングリコール
モノプロピルエーテル1モル、硝酸0.05モル、水2
モルの混合物を1時間かけて徐々に滴下し、24時間撹
拌して加水分解生成物を得た。この加水分解物に対して
3−アミノプロピルトリエトキシシランをSi量に換算
して0.3モルをプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル4モルに溶解し1時間撹拌し、この混合液を1時
間かけて徐々に滴下してさらに24時間撹拌し、ケイ素
の加水分解物の混合物を得た。PET25μmフイルム
に加水分解生成物をディップコート法により塗布し、8
0℃、1時間の熱乾燥により溶媒を除去した後、酸素ガ
スにより真空度0.05Torr、出力400Wで1分
間プラズマ処理を行い被覆フイルムを得た。得られた薄
膜の膜厚は約2000Åであった。得られた薄膜の組成
をXPSにより測定したところ、表層から100Åまで
はケイ素32%、酸素64%、炭素4%であり、100
から2000Åまではケイ素21%、酸素46%、炭素
21%、窒素12%であった。得られた被覆材の酸素透
過量及びゲルボフレックステスターによる処理後の酸素
透過量を表1に示した。
下同様の操作を行った。得られた薄膜の膜厚は約600
0Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測定
したところ、表層から100Åまではケイ素32%、酸
素64%、炭素4%であり、100から6000Åまで
はケイ素21%、酸素46%、炭素21%、チッ素12
%であった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフ
レックステスターによる処理後の酸素透過量を表1に示
した。
ルと三菱化学株式会社製MKCシリケートをSi量に換
算して0.3モルはプロピレングリコールモノプロピル
エーテル4モルに溶解し2時間撹拌した。この溶液に対
してプロピレングリコールモノプロピルエーテル2モ
ル、硝酸0.05モル、水2モルの混合物を1時間かけ
て徐々に滴下し、24時間撹拌して加水分解生成物を得
た。このSiの加水分解物に対してチタンイソプロポキ
シドをTi量に換算して0.3モルをプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル4モルに溶解し1時間撹拌し
た溶液を1時間かけて徐々に滴下してさらに24時間撹
拌し、ケイ素とチタンの加水分解物の混合物を得た。P
ET25μmフイルムに加水分解物をディップコート法
により塗布し、80℃、1時間の熱乾燥により溶媒を除
去した。この基材を高周波プラズマCVD装置内に設置
し、ヘキサメチルジシロキサンを真空度1.0×10
−3 torrと酸素ガスを2.0×10−3 torrを
混入し高周波出力200Wで1分間反応させ、シリコン
酸化物膜を形成した。得られた薄膜の膜厚は約1100
Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測定し
たところ、表層から100Åまではケイ素33%、酸素
65%、炭素2%であり、100から1100Åまでは
ケイ素13%、チタン5.5%、酸素58%、炭素2
3.5%であった。得られた被覆材の酸素透過量表2に
示した。
酸化物膜の製膜において、製膜時間を3分に変更して同
様の操作を行った。得られた薄膜の厚さは約1300Å
であった。得られた薄膜の組成をXPSにより測定した
ところ、表層から300Åまではケイ素33%、酸素6
5%、炭素2%であり、300から1300Åまではケ
イ素13%、チタン5.5%、酸素58%、炭素23.
5%であった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボ
フレックステスターによる処理後の酸素透過量を表2に
示した。
10−3 torrとチタンイソプロポキシドの真空度
1.0×10−3 torrと酸素ガスを2.0×10
−3 torrを混入し以下同様の操作でプラズマCVD
法により無機酸化膜製膜を形成した。得られた薄膜の膜
厚は約1100Åであった。得られた薄膜の組成をXP
Sにより測定したところ、表層から100Åまではケイ
素20%、チタン13%、酸素65%、炭素1%であ
り、100から1000Åまではケイ素13%、チタン
5.5%、酸素58%、炭素23.5%であった。得ら
れた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステスター
による処理後の酸素透過量を表2に示した。
理のみを行い被覆フイルムを得た。得られた薄膜の膜厚
は約1000Åであった。得られた薄膜の組成をXPS
により測定したところ、表層から1000Åまではケイ
素13%、チタン5.5%、酸素58%、炭素23.5
%であった。得られた被覆材の酸素透過量表1に示し
た。
下同様の操作を行った。得られた薄膜の膜厚は約200
Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測定し
たところ、表層から100Åまではケイ素23.5%、
チタン9%、酸素64.5%、炭素3%であり、100
から200Åまではケイ素13%、チタン5.5%、酸
素58%、炭素23.5%であった。得られた被覆材の
酸素透過量及びゲルボフレックステスターによる処理後
の酸素透過量を表1に示した。
下同様の操作を行った。得られた薄膜の膜厚は約150
00Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測
定したところ、表層から100Åまではケイ素32%、
酸素64%、炭素4%であり、100から15000Å
まではケイ素21%、酸素46%、炭素21%、チッ素
12%であった。得られた被覆材の酸素透過量を表1に
示した。
酸0.05モル、水2モルの混合物に対して、3−アミ
ノプロピルトリエトキシシランをSi量に換算して0.
3モルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル4
モルに溶解し1時間撹拌した液を1時間かけて徐々に滴
下して、ケイ素の加水分解物の混合物を得た。PET2
5μmフイルムに加水分解生成物をディップコート法に
より塗布し、80℃、1時間の熱乾燥により溶媒を除去
した後、酸素ガスにより真空度0.05Torr、出力
400Wで1分間プラズマ処理を行い被覆フイルムを得
た。得られた薄膜の膜厚は約5000Åであった。得ら
れた薄膜の組成をXPSにより測定したところ、表層か
ら100Åまではケイ素25%、酸素63%、炭素10
%、チッ素2%であり、100から5000Åまではケ
イ素11%、酸素28%、炭素50%、チッ素11%で
あった。得られた薄膜の結合状態をFT−IRにより測
定したところ、3−アミノプロピルトリエトキシシラン
由来のSiに結合したエトキシ基が40%存在してい
た。得られた被覆材の酸素透過量を表1に示した。
酸化物膜の製膜において、製膜時間を20秒に変更して
同様の操作を行った。得られた薄膜の厚さは約1000
Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測定し
たところ、表層から30Åまではケイ素33%、酸素6
5%、炭素2%であり、30から1000Åまではケイ
素13%、チタン5.5%、酸素58%、炭素23.5
%であった。得られた被覆材の酸素透過量を表2に示し
た。
酸化物膜の製膜において、製膜時間を15分に変更して
以下同様の操作を行った。得られた薄膜の厚さは約25
00Åであった。得られた薄膜の組成をXPSにより測
定したところ、表層から1500Åまではケイ素33
%、酸素65%、炭素2%であり、1500から250
0Åまではケイ素13%、チタン5.5%、酸素58
%、炭素23.5%であった。得られた被覆材の酸素透
過量及びゲルボフレックステスターによる処理後の酸素
透過量を表2に示した。
酸化物膜の製膜において、ヘキサメチルジシロキサンに
換えて4塩化ケイ素を使用して以下同様の操作を行っ
た。得られた薄膜の厚さは約1100Åであった。得ら
れた薄膜の組成をXPSにより測定したところ、表層か
ら100Åまではケイ素34%、酸素65%、塩素1%
であり、100から1100Åまではケイ素13%、チ
タン5.5%、酸素58%、炭素23.5%であった。
得られた被覆材の酸素透過量を表2に示した。
5.1cc/m2day atm
なフレキシビリティーを有する優れた効果を奏する。
明図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 ガス遮断性積層体においてにプラスチッ
ク基板上に炭素、窒素の1種類以上含み、炭素、窒素の
合計含有量が10〜50%を含む金属酸素化物層の第1
層を形成したその表面に炭素、窒素の1種類以上を含
み、かつ炭素、窒素の合計含有量が0.5〜5%を含む
金属酸化物の第2層を形成したガス遮断性及びフレキシ
ビリティーに優れた積層体。 - 【請求項2】 第1層の膜厚は第2層の膜厚より厚く2
00〜10000Åの厚みである、請求項1に記載され
たガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体。 - 【請求項3】 第1層はSi、Ti、Al、Zrの金属
を1種類以上と酸素を含有する層である、請求項1また
は2に記載されたガス遮断性及びフレキシビリティーに
優れた積層体。 - 【請求項4】 第1層の金属酸化物層に含まれる炭素、
窒素は金属原子に直接結合するアルキル基によりもたら
されるものが主であって金属原子に直接結合するアルコ
キシ基によりもたらされるものは30%以下である、請
求項1ないし3のいずれか1項に記載されたガス遮断性
及びフレキシビリティーに優れた積層体。 - 【請求項5】 第2層の膜厚は50〜500Åの厚みで
ある、請求項1ないし4のいずれか1項に記載されたガ
ス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体。 - 【請求項6】 第2層の金属酸化物層はSi、Ti、A
l、Zrの金属を1種類以上と酸素を含有する層であ
る、請求項1ないし5のいずれか1項に記載されたガス
遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体。 - 【請求項7】 第2層の金属酸化物層に含まれる炭素、
窒素は金属原子に直接結合するアルキル基によりもたら
されるものである、請求項1ないし5のいずれか1項に
記載されたガス遮断性及びフレキシビリディーに優れた
積層体。 - 【請求項8】 アルコキシシランとアルコキシチタン、
アルコキシアルミニウム、アルコキシジルコニウムの1
または2以上を併用した、請求項1に記載されたガス遮
断性及びフレキシビリティーに優れた積層体。 - 【請求項9】 第1層と第2層の境界面が第1層から第
2層側に向かって連続的に、炭素が減少し、酸素や金属
が増加した層である、請求項1ないし8のいずれか1項
に記載された、ガス遮断性及びフレキシビリティーに優
れた積層体。
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