JPH10246730A - プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置 - Google Patents
プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置Info
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- JPH10246730A JPH10246730A JP9065472A JP6547297A JPH10246730A JP H10246730 A JPH10246730 A JP H10246730A JP 9065472 A JP9065472 A JP 9065472A JP 6547297 A JP6547297 A JP 6547297A JP H10246730 A JPH10246730 A JP H10246730A
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- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/875—Scanning probe structure with tip detail
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】媒体の凹凸に対して追従可能なティップを有
し、配線に起因するカンチレバーの反りを防止でき、高
速な情報記録が可能なプローブとその製造方法、及びそ
れを備えた情報処理装置を提供する。 【解決手段】プローブは、微小電流または微小力を検出
するプローブであって、単結晶Ｓｉ層基板からなるカン
チレバーと、その上に形成されたティップとからなり、
該ティップが反りを持った片持ち梁状に形成されてい
る。このプローブの製造方法は、絶縁層上に単結晶Ｓｉ
層が形成された基板の作成工程と、単結晶Ｓｉ層上に窒
化Ｓｉ層の形成工程と、該基板の熱酸化工程と、該基板
の前記単結晶Ｓｉ層上に導電性材料でコートされた片持
ち梁状のティップを形成する工程と、該基板の前記単結
晶Ｓｉ層の裏面を溶解除去する工程とを、少なくとも有
し、プローブの情報処理装置は、上記のプローブを備え
たことを特徴とする。
し、配線に起因するカンチレバーの反りを防止でき、高
速な情報記録が可能なプローブとその製造方法、及びそ
れを備えた情報処理装置を提供する。 【解決手段】プローブは、微小電流または微小力を検出
するプローブであって、単結晶Ｓｉ層基板からなるカン
チレバーと、その上に形成されたティップとからなり、
該ティップが反りを持った片持ち梁状に形成されてい
る。このプローブの製造方法は、絶縁層上に単結晶Ｓｉ
層が形成された基板の作成工程と、単結晶Ｓｉ層上に窒
化Ｓｉ層の形成工程と、該基板の熱酸化工程と、該基板
の前記単結晶Ｓｉ層上に導電性材料でコートされた片持
ち梁状のティップを形成する工程と、該基板の前記単結
晶Ｓｉ層の裏面を溶解除去する工程とを、少なくとも有
し、プローブの情報処理装置は、上記のプローブを備え
たことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型プローブ顕
微鏡に用いるプローブとその製造方法、及び該プローブ
を備えた情報処理装置に関するものである。
微鏡に用いるプローブとその製造方法、及び該プローブ
を備えた情報処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】原子的スケールの空間分解能を持つ表面
顕微鏡として、走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴＭとす
る）あるいは走査型原子間力顕微鏡（以下ＡＦＭとす
る）が実用化されている（これらは走査型プローブ顕微
鏡（以下ＳＰＭとする）と総称されている）。これらの
ＳＰＭでは、ティップが試料表面に原子レベルでアクセ
スできることを応用し、局所領域に記録情報を書き込
む、情報記録再生装置が考えられている。ＳＴＭは、バ
イアスのかかった導電性ティップと導電性試料の距離を
数オングストローム以下に接近させた時に流れるトンネ
ル電流を検出し、トンネル電流が一定になるようにティ
ップと試料との間の距離を制御しながらティップを走査
させ、トンネル電流または帰還制御信号を画像化するこ
とによって表面像を構成する。ＳＴＭを応用した記録方
法としては、ティップと記録媒体の間に電圧を印加し、
局所的に記録媒体の表面形態を変化させる方法、或は記
録媒体の導電性を変化させる方法などがある。
顕微鏡として、走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴＭとす
る）あるいは走査型原子間力顕微鏡（以下ＡＦＭとす
る）が実用化されている（これらは走査型プローブ顕微
鏡（以下ＳＰＭとする）と総称されている）。これらの
ＳＰＭでは、ティップが試料表面に原子レベルでアクセ
スできることを応用し、局所領域に記録情報を書き込
む、情報記録再生装置が考えられている。ＳＴＭは、バ
イアスのかかった導電性ティップと導電性試料の距離を
数オングストローム以下に接近させた時に流れるトンネ
ル電流を検出し、トンネル電流が一定になるようにティ
ップと試料との間の距離を制御しながらティップを走査
させ、トンネル電流または帰還制御信号を画像化するこ
とによって表面像を構成する。ＳＴＭを応用した記録方
法としては、ティップと記録媒体の間に電圧を印加し、
局所的に記録媒体の表面形態を変化させる方法、或は記
録媒体の導電性を変化させる方法などがある。
【０００３】一方ＡＦＭは、ティップを試料に数オング
ストローム以下に接近させたときにティップと試料表面
とに働く原子間力を検出し、ティップを二次元平面的に
走査させて、凹凸情報を含む表面像を構成する。原子間
力を検出する手段としては、一端を固定し、自由端近傍
にティップを保持した弾性体のカンチレバーが用いられ
ている。同一装置でＡＦＭ及びＳＴＭ観察するための多
機能顕微鏡として、走査型原子間力／トンネル複合顕微
鏡（ＡＦＭ／ＳＴＭ）がある。これによると、ＡＦＭで
用いられるプローブはカンチレバーとそのカンチレバー
に保持されたティップからなり、ティップを導電性にす
ることによってティップと試料との間に流れる電流を検
出できる。通常の使用方法では、ＡＦＭ動作時にティッ
プと試料との間にバイアスを加えて電流を検出し、同一
のティップによる表面凹凸像とトンネル電流分布像を同
時に取得することができる。この複合機においても、テ
ィップが試料表面に原子レベルでアクセスできることを
応用し、局所領域に記録情報を書き込む、情報記録再生
装置が考えられている。この場合、書き込み或は読み出
し速度を高めるため、プローブを複数化する（特開平０
４−３２１９５５号公報）。
ストローム以下に接近させたときにティップと試料表面
とに働く原子間力を検出し、ティップを二次元平面的に
走査させて、凹凸情報を含む表面像を構成する。原子間
力を検出する手段としては、一端を固定し、自由端近傍
にティップを保持した弾性体のカンチレバーが用いられ
ている。同一装置でＡＦＭ及びＳＴＭ観察するための多
機能顕微鏡として、走査型原子間力／トンネル複合顕微
鏡（ＡＦＭ／ＳＴＭ）がある。これによると、ＡＦＭで
用いられるプローブはカンチレバーとそのカンチレバー
に保持されたティップからなり、ティップを導電性にす
ることによってティップと試料との間に流れる電流を検
出できる。通常の使用方法では、ＡＦＭ動作時にティッ
プと試料との間にバイアスを加えて電流を検出し、同一
のティップによる表面凹凸像とトンネル電流分布像を同
時に取得することができる。この複合機においても、テ
ィップが試料表面に原子レベルでアクセスできることを
応用し、局所領域に記録情報を書き込む、情報記録再生
装置が考えられている。この場合、書き込み或は読み出
し速度を高めるため、プローブを複数化する（特開平０
４−３２１９５５号公報）。
【０００４】従来のプローブの作成方法（米国特許第
５，２２１４１５号明細書）は、図４に示すように、ま
ず二酸化Ｓｉ層４０１が形成された単結晶Ｓｉ基板４０
２に対して結晶軸異方性エッチングを行い逆ピラミッド
型の凹部４０３を形成する（図４−ａ）。凹部４０３形
成後、二酸化Ｓｉ層４０１を除去する。この凹部４０３
をティップの雌型とし、次に全面を窒化シリコン層４０
４で被覆し（図４−ｂ）、カンチレバー４０５状にパタ
ーン化した後（図４−ｃ）、ソウカット溝４０６とＣｒ
層４０７を設けたガラス板４０８と窒化シリコン層４０
４を接合し（図４−ｄ）、ガラス板４０８の一部を破断
後（図４−ｅ）、単結晶Ｓｉ基板４０２をエッチング除
去することによりカンチレバー状のプローブ４０９を得
ている（図４−ｆ）。そして最後に、光てこ式ＡＦＭ用
の反射膜となる金属層４１０を形成する（図４−ｇ）。
５，２２１４１５号明細書）は、図４に示すように、ま
ず二酸化Ｓｉ層４０１が形成された単結晶Ｓｉ基板４０
２に対して結晶軸異方性エッチングを行い逆ピラミッド
型の凹部４０３を形成する（図４−ａ）。凹部４０３形
成後、二酸化Ｓｉ層４０１を除去する。この凹部４０３
をティップの雌型とし、次に全面を窒化シリコン層４０
４で被覆し（図４−ｂ）、カンチレバー４０５状にパタ
ーン化した後（図４−ｃ）、ソウカット溝４０６とＣｒ
層４０７を設けたガラス板４０８と窒化シリコン層４０
４を接合し（図４−ｄ）、ガラス板４０８の一部を破断
後（図４−ｅ）、単結晶Ｓｉ基板４０２をエッチング除
去することによりカンチレバー状のプローブ４０９を得
ている（図４−ｆ）。そして最後に、光てこ式ＡＦＭ用
の反射膜となる金属層４１０を形成する（図４−ｇ）。
【０００５】またティップの形成方法としては、図５
（ａ）に示されるように、例えば基板上に薄膜層を円形
にパターニングし、それをマスク５０１にしてＳｉ基板
５０２をエッチングし、サイドエッチングを利用してテ
ィップ５０３を形成する方法（Ｏ．Ｗｏｌｔｅｒ，ｅ
ｔ．ａｌ，“Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｓｅｎｓｏｒｓ ｆｏｒ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｆ
ｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ”，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（２），Ｍａｒ／Ａｐｒ，１
９９１，ｐｐ１３５３−１３５７）、さらには図５
（ｂ）に示されるように、逆テーパーをつけたレジスト
開口部５０４に基板を回転させながら導電性材料５０５
を斜めから蒸着し、リフトオフすることによりティップ
５０３を形成する方法（Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，ｅｔ．
ａｌ．，“Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ ｃａｔｈｏｄｅ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕ
ｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７．
１９７６，ＰＰ５２４８−５２６３）等がある。
（ａ）に示されるように、例えば基板上に薄膜層を円形
にパターニングし、それをマスク５０１にしてＳｉ基板
５０２をエッチングし、サイドエッチングを利用してテ
ィップ５０３を形成する方法（Ｏ．Ｗｏｌｔｅｒ，ｅ
ｔ．ａｌ，“Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｓｅｎｓｏｒｓ ｆｏｒ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｆ
ｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ”，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（２），Ｍａｒ／Ａｐｒ，１
９９１，ｐｐ１３５３−１３５７）、さらには図５
（ｂ）に示されるように、逆テーパーをつけたレジスト
開口部５０４に基板を回転させながら導電性材料５０５
を斜めから蒸着し、リフトオフすることによりティップ
５０３を形成する方法（Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，ｅｔ．
ａｌ．，“Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ ｃａｔｈｏｄｅ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕ
ｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７．
１９７６，ＰＰ５２４８−５２６３）等がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４、
図５に示したような例では以下のような問題点を有して
いた。まずレバーにおいては、 ・真空蒸着或はＣＶＤ法などで成膜したＳｉＯ2，Ｓｉ
Ｎ，ＳｉＣ，Ｃなどは、多結晶或はアモルファス状であ
り、内部応力を少なからず有しているため、レバー自身
に反りを生じてしまうという問題がある。 ・Ｓｉ基板などの厚い基板に、ＳｉＯ2，ＳｉＮなどの
薄膜状のレバーの一部を保持させると、両者の積層部に
応力が生じ、この応力は特にレバーの付け根の部分に集
中するため、レバーを繰り返し動作させると、その部分
から破壊を生じることがある。 ・カンチレバー状プローブに光反射性付与のため、ある
いは導電性付与のために金属膜等を被覆すると、カンチ
レバーと金属膜の間に応力が発生しカンチレバーに反り
が生じる等の現象が発生する。カンチレバーがティップ
側に反った場合、カンチレバー先端が、逆に反った場合
はカンチレバーの中央部が試料あるいは記録媒体に接触
してしまうことがある。さらに、プローブを複数化した
場合、反りバラツキを生じるため特に問題となる。即
ち、ＡＦＭ／ＳＴＭの原理を用いた情報処理装置に用い
る場合、同一平面上の複数のプローブを記録媒体に対し
て同時に接触させようとした場合、レバーに反りバラツ
キがあると、記録媒体に対するそれぞれのプローブの荷
重が異なってしまい、荷重によっては解像度の低下或は
記録媒体やティップ先端の破壊を引き起こすという問題
を生じる。
図５に示したような例では以下のような問題点を有して
いた。まずレバーにおいては、 ・真空蒸着或はＣＶＤ法などで成膜したＳｉＯ2，Ｓｉ
Ｎ，ＳｉＣ，Ｃなどは、多結晶或はアモルファス状であ
り、内部応力を少なからず有しているため、レバー自身
に反りを生じてしまうという問題がある。 ・Ｓｉ基板などの厚い基板に、ＳｉＯ2，ＳｉＮなどの
薄膜状のレバーの一部を保持させると、両者の積層部に
応力が生じ、この応力は特にレバーの付け根の部分に集
中するため、レバーを繰り返し動作させると、その部分
から破壊を生じることがある。 ・カンチレバー状プローブに光反射性付与のため、ある
いは導電性付与のために金属膜等を被覆すると、カンチ
レバーと金属膜の間に応力が発生しカンチレバーに反り
が生じる等の現象が発生する。カンチレバーがティップ
側に反った場合、カンチレバー先端が、逆に反った場合
はカンチレバーの中央部が試料あるいは記録媒体に接触
してしまうことがある。さらに、プローブを複数化した
場合、反りバラツキを生じるため特に問題となる。即
ち、ＡＦＭ／ＳＴＭの原理を用いた情報処理装置に用い
る場合、同一平面上の複数のプローブを記録媒体に対し
て同時に接触させようとした場合、レバーに反りバラツ
キがあると、記録媒体に対するそれぞれのプローブの荷
重が異なってしまい、荷重によっては解像度の低下或は
記録媒体やティップ先端の破壊を引き起こすという問題
を生じる。
【０００７】また、ティップにおいては、 ・カンチレバー状プローブ上に導電性材料を被覆してＳ
ＴＭのプローブとする場合には、ティップ最先端部は鋭
利に形成されているため被覆されにくく、トンネル電流
という微弱な電流を取り扱うＳＴＭでは安定な特性を得
ることは難しいという問題がある。 ・図５（ａ），（ｂ）に示したようなティップは、ティ
ップ形成時のレジストのパターニング条件や、材料のエ
ッチング条件を一定にするのが困難であり、形成される
複数のティップの高さや先端曲率半径等の形状を正確に
維持するのが困難であり、ティップ全体が金属で形成さ
れるため重くなり、共振周波数が低下する等の問題点が
あった。
ＴＭのプローブとする場合には、ティップ最先端部は鋭
利に形成されているため被覆されにくく、トンネル電流
という微弱な電流を取り扱うＳＴＭでは安定な特性を得
ることは難しいという問題がある。 ・図５（ａ），（ｂ）に示したようなティップは、ティ
ップ形成時のレジストのパターニング条件や、材料のエ
ッチング条件を一定にするのが困難であり、形成される
複数のティップの高さや先端曲率半径等の形状を正確に
維持するのが困難であり、ティップ全体が金属で形成さ
れるため重くなり、共振周波数が低下する等の問題点が
あった。
【０００８】そこで、本発明は、上記した従来のものに
おける課題を解決し、軽量で、媒体の凹凸に対して追従
可能なテイップを有し、配線に起因するカンチレバーの
反りを防止することができ、より高速な情報記録が可能
なプローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情
報処理装置を提供することを目的としている。
おける課題を解決し、軽量で、媒体の凹凸に対して追従
可能なテイップを有し、配線に起因するカンチレバーの
反りを防止することができ、より高速な情報記録が可能
なプローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情
報処理装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、つぎのようなプローブとその製造方法、及
び該プローブを備えた情報処理装置を構成したことを特
徴とするものである。すなわち、本発明のプローブは、
微小電流または微小力を検出するプローブであって、単
結晶Ｓｉ層基板からなるカンチレバーと、該カンチレバ
ー上に形成されたティップとからなり、該ティップが反
りを持った片持ち梁状に形成されていることを特徴とし
ている。また、本発明のプローブは、そのティップが、
導電性部材からなり、あるいは導電性材料をコートした
構造からなることを特徴としている。そして、その導電
性材料のコートは、該導電性材料よりも低密度且つ高弾
性材料にコートしたものであり、また、その導電性材料
は、その融点が１０００℃以上の材料であることを特徴
としている。前記単結晶Ｓｉ層基板は、その抵抗値が少
なくとも０．０１Ω・ｃｍ以下であることを特徴として
いる。また、本発明のプローブは、そのカンチレバーの
端部に、配線が形成されていることを特徴としている。
また、本発明のプローブの製造方法は、Ｓｉ単結晶基板
上に絶縁層を介して形成された単結晶Ｓｉ層を加工する
工程と、該基板に窒化Ｓｉ層を形成する工程と、該窒化
Ｓｉ層を加工する工程と、該基板を熱酸化する工程と、
該単結晶Ｓｉ層上に導電性材料でコートされた片持ち梁
状のティップを形成する工程と、該熱酸化膜を溶解除去
する工程と、該単結晶Ｓｉ層の裏面の一部を溶解除去す
る工程とを、少なくとも有することを特徴としている。
また、本発明のプローブの製造方法の他の形態の一つ
は、前記片持ち梁状のティップを形成する工程が、前記
単結晶Ｓｉ層上に形成された窒化Ｓｉ層をパターニング
することによって残された窒化Ｓｉ層上とそれに隣接す
る前記単結晶Ｓｉ層上に、導電性材料を形成するもので
あることを特徴としている。また、本発明の情報処理装
置は、上記した本発明のいずれかのプローブを備え、プ
ローブとこれに対向する記録媒体との距離を調節すると
共に、前記プローブに設けられたティップと前記記録媒
体とを位置合わせし、該ティップと記録媒体との間に電
圧を印加して情報の記録・再生をすることを特徴として
いる。
成するため、つぎのようなプローブとその製造方法、及
び該プローブを備えた情報処理装置を構成したことを特
徴とするものである。すなわち、本発明のプローブは、
微小電流または微小力を検出するプローブであって、単
結晶Ｓｉ層基板からなるカンチレバーと、該カンチレバ
ー上に形成されたティップとからなり、該ティップが反
りを持った片持ち梁状に形成されていることを特徴とし
ている。また、本発明のプローブは、そのティップが、
導電性部材からなり、あるいは導電性材料をコートした
構造からなることを特徴としている。そして、その導電
性材料のコートは、該導電性材料よりも低密度且つ高弾
性材料にコートしたものであり、また、その導電性材料
は、その融点が１０００℃以上の材料であることを特徴
としている。前記単結晶Ｓｉ層基板は、その抵抗値が少
なくとも０．０１Ω・ｃｍ以下であることを特徴として
いる。また、本発明のプローブは、そのカンチレバーの
端部に、配線が形成されていることを特徴としている。
また、本発明のプローブの製造方法は、Ｓｉ単結晶基板
上に絶縁層を介して形成された単結晶Ｓｉ層を加工する
工程と、該基板に窒化Ｓｉ層を形成する工程と、該窒化
Ｓｉ層を加工する工程と、該基板を熱酸化する工程と、
該単結晶Ｓｉ層上に導電性材料でコートされた片持ち梁
状のティップを形成する工程と、該熱酸化膜を溶解除去
する工程と、該単結晶Ｓｉ層の裏面の一部を溶解除去す
る工程とを、少なくとも有することを特徴としている。
また、本発明のプローブの製造方法の他の形態の一つ
は、前記片持ち梁状のティップを形成する工程が、前記
単結晶Ｓｉ層上に形成された窒化Ｓｉ層をパターニング
することによって残された窒化Ｓｉ層上とそれに隣接す
る前記単結晶Ｓｉ層上に、導電性材料を形成するもので
あることを特徴としている。また、本発明の情報処理装
置は、上記した本発明のいずれかのプローブを備え、プ
ローブとこれに対向する記録媒体との距離を調節すると
共に、前記プローブに設けられたティップと前記記録媒
体とを位置合わせし、該ティップと記録媒体との間に電
圧を印加して情報の記録・再生をすることを特徴として
いる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のプローブは、上記したよ
うにＳｉ単結晶からなるカンチレバー自身をトンネル電
流引き出し用配線として用いることが可能なため、配線
に起因するカンチレバーの反りは発生しない。また、カ
ンチレバーからのトンネル電流引き出しも配線を用いて
行うため、カンチレバー及びそれを保持する基板全面に
導電性材料を被覆したプローブに比べて、電極面積を小
さくすることができる。そのため、記録媒体に対して電
圧印加を行い情報の記録を行う場合、記録媒体との間に
発生する浮遊容量を低減でき、従って電圧印加時間を短
縮できる。即ち、より高速な情報記録が可能となる。ま
た、ティップの形状が片持ち梁状であるためティップ体
積を小さくでき、かつ窒化シリコンなど、金属に比べて
低密度な高弾性材料に導電性薄膜をコートする構造であ
るため、ティップの重量を十分小さくできる。これによ
り、ティップ形成によるカンチレバーの共振周波数低下
を抑制できる。さらに、チップがカンチレバーに比べて
非常に小さい片持ち梁構造を有するため、カンチレバー
だけでは追従できないような媒体の凹凸に対しても追従
可能となる。
うにＳｉ単結晶からなるカンチレバー自身をトンネル電
流引き出し用配線として用いることが可能なため、配線
に起因するカンチレバーの反りは発生しない。また、カ
ンチレバーからのトンネル電流引き出しも配線を用いて
行うため、カンチレバー及びそれを保持する基板全面に
導電性材料を被覆したプローブに比べて、電極面積を小
さくすることができる。そのため、記録媒体に対して電
圧印加を行い情報の記録を行う場合、記録媒体との間に
発生する浮遊容量を低減でき、従って電圧印加時間を短
縮できる。即ち、より高速な情報記録が可能となる。ま
た、ティップの形状が片持ち梁状であるためティップ体
積を小さくでき、かつ窒化シリコンなど、金属に比べて
低密度な高弾性材料に導電性薄膜をコートする構造であ
るため、ティップの重量を十分小さくできる。これによ
り、ティップ形成によるカンチレバーの共振周波数低下
を抑制できる。さらに、チップがカンチレバーに比べて
非常に小さい片持ち梁構造を有するため、カンチレバー
だけでは追従できないような媒体の凹凸に対しても追従
可能となる。
【００１１】以下に、図に基づいて本発明の内容をさら
に具体的に説明する。図１は本発明のプローブの断面図
である。第１の単結晶Ｓｉ１０１と第２の単結晶Ｓｉ層
からなるカンチレバー１０２が絶縁層１０３を介して配
置されている。カンチレバーを構成する単結晶Ｓｉ層１
０２は、トンネル電流引き出しのために不純物がドープ
されている。抵抗値は好ましくは、０．０１Ω・ｃｍ以
下のものを用いる。また、その厚さは所望するカンチレ
バーのバネ定数に対して、カンチレバーの形状と共に決
定されるが、通常は０．１から数μｍ程度である。絶縁
層１０３の厚さは、特に制限はないが、通常０．１〜
１．０μｍ程度である。カンチレバー１０２の先端部に
は片持ち梁状のティップ１０４がカンチレバー１０２に
対して上方に突き出した、即ちバーズビーク形状でもっ
て形成されている。ティップ１０４は窒化シリコン、炭
化シリコン等の高弾性材料１０５に導電性薄膜１０６を
コートしたものを使用する。導電性薄膜としては、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ等の融点が１０００℃以上の材料を
使用する。導電性薄膜１０６とカンチレバー１０２は導
通させる。またカンチレバー１０２の他端には配線１０
７を形成する。ここで使用する高弾性材料１０５の膜厚
は、ティップを形成できる膜厚なら良く、通常０．１〜
１．０μｍ程度である。導電性薄膜１０６の膜圧は、２
０〜５００ｎｍ程度である。
に具体的に説明する。図１は本発明のプローブの断面図
である。第１の単結晶Ｓｉ１０１と第２の単結晶Ｓｉ層
からなるカンチレバー１０２が絶縁層１０３を介して配
置されている。カンチレバーを構成する単結晶Ｓｉ層１
０２は、トンネル電流引き出しのために不純物がドープ
されている。抵抗値は好ましくは、０．０１Ω・ｃｍ以
下のものを用いる。また、その厚さは所望するカンチレ
バーのバネ定数に対して、カンチレバーの形状と共に決
定されるが、通常は０．１から数μｍ程度である。絶縁
層１０３の厚さは、特に制限はないが、通常０．１〜
１．０μｍ程度である。カンチレバー１０２の先端部に
は片持ち梁状のティップ１０４がカンチレバー１０２に
対して上方に突き出した、即ちバーズビーク形状でもっ
て形成されている。ティップ１０４は窒化シリコン、炭
化シリコン等の高弾性材料１０５に導電性薄膜１０６を
コートしたものを使用する。導電性薄膜としては、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ等の融点が１０００℃以上の材料を
使用する。導電性薄膜１０６とカンチレバー１０２は導
通させる。またカンチレバー１０２の他端には配線１０
７を形成する。ここで使用する高弾性材料１０５の膜厚
は、ティップを形成できる膜厚なら良く、通常０．１〜
１．０μｍ程度である。導電性薄膜１０６の膜圧は、２
０〜５００ｎｍ程度である。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］（１００）面方位のＳｉ基板２０１上に、
二酸化Ｓｉ膜２０２が０．５μｍ厚、及びＳｉ単結晶層
２０３が０．５μｍ厚で形成されたＳＯＩ（ｓｉｌｉｃ
ｏｎｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用意した。Ｓｉ
単結晶層２０３は抵抗値０．００１Ω・ｃｍ以下とし
た、この基板のＳｉ単結晶層２０３をフォトリソグラフ
ィーとＳＦ6ガスを用いたドライエッチング処理により
パターニングを行いレバーパターン２０３を形成した
（図２−ａ）。この基板全面に対して、ＬＰ−ＣＶＤ
（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａ
ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により窒化シリコン
（ＳｉＮ）膜２０４を０．２μｍ厚形成した後、レバー
パターン２０３の先端部のＳｉＮ膜を除去した（図２−
ｂ）。
二酸化Ｓｉ膜２０２が０．５μｍ厚、及びＳｉ単結晶層
２０３が０．５μｍ厚で形成されたＳＯＩ（ｓｉｌｉｃ
ｏｎｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用意した。Ｓｉ
単結晶層２０３は抵抗値０．００１Ω・ｃｍ以下とし
た、この基板のＳｉ単結晶層２０３をフォトリソグラフ
ィーとＳＦ6ガスを用いたドライエッチング処理により
パターニングを行いレバーパターン２０３を形成した
（図２−ａ）。この基板全面に対して、ＬＰ−ＣＶＤ
（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａ
ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により窒化シリコン
（ＳｉＮ）膜２０４を０．２μｍ厚形成した後、レバー
パターン２０３の先端部のＳｉＮ膜を除去した（図２−
ｂ）。
【００１３】次に、この基板を熱酸化処理し、露出して
いたＳｉ部を酸化２０５させた（図２−ｃ）。次に基板
表側及び裏側のＳｉＮ膜２０４をパターニングし、ティ
ップ形成用及び異方性エッチング用のパターンを形成し
た（図２−ｄ）。次に、レバーパターン２０３上の残さ
れたＳｉＮとそれに隣接するＳｉ部分及びレバーパター
ン２０３端部にＰｔ層の蒸着を行い、導電性のティップ
２０６及びトンネル電流取り出し用の電極配線２０７を
形成した（図２−ｅ）。次に、基板をバッファーフッ酸
中に浸漬して露出した二酸化シリコン層２０５の大部分
を溶解除去し（図２−ｆ）、続いて基板のレバーパター
ン２０３及びティップ２０６形成面上に保護膜としてポ
リイミド層を５μｍ厚形成した。次に、基板の裏面を水
酸化カリウム水溶液に浸して結晶軸異方性エッチングを
行ない、エッチング後、露出した二酸化Ｓｉ膜２０２を
ＢＨＦ溶液で溶解除去し、さらに酸素プラズマ処理を行
ってポリイミド層を除去して本発明のプローブ２０８を
得た（図２−ｇ）。
いたＳｉ部を酸化２０５させた（図２−ｃ）。次に基板
表側及び裏側のＳｉＮ膜２０４をパターニングし、ティ
ップ形成用及び異方性エッチング用のパターンを形成し
た（図２−ｄ）。次に、レバーパターン２０３上の残さ
れたＳｉＮとそれに隣接するＳｉ部分及びレバーパター
ン２０３端部にＰｔ層の蒸着を行い、導電性のティップ
２０６及びトンネル電流取り出し用の電極配線２０７を
形成した（図２−ｅ）。次に、基板をバッファーフッ酸
中に浸漬して露出した二酸化シリコン層２０５の大部分
を溶解除去し（図２−ｆ）、続いて基板のレバーパター
ン２０３及びティップ２０６形成面上に保護膜としてポ
リイミド層を５μｍ厚形成した。次に、基板の裏面を水
酸化カリウム水溶液に浸して結晶軸異方性エッチングを
行ない、エッチング後、露出した二酸化Ｓｉ膜２０２を
ＢＨＦ溶液で溶解除去し、さらに酸素プラズマ処理を行
ってポリイミド層を除去して本発明のプローブ２０８を
得た（図２−ｇ）。
【００１４】本実施例では、長さ５０μｍ、幅５μｍの
長方形状プローブを同一基板上に９本作成したが、どの
プローブも走査型レーザー顕微鏡（レーザーテック社
製）による測定において、カンチレバー長手方向、横手
方向共反りは検出できなかった。またレバー先端部の片
持ち梁状のティップの高さは０．５０〜０．５８μｍで
あった。次に、本実施例のプローブ２０８を用いてＡＦ
Ｍ／ＳＴＭ装置により、研磨されたＳｉ単結晶｛１１
１｝面をスキャンスピード２ｍｍ／ｓｅｃ、スキャンエ
リア１０μｍ角で走査したところ、再現性良く良好な表
面情報を得ることができた。
長方形状プローブを同一基板上に９本作成したが、どの
プローブも走査型レーザー顕微鏡（レーザーテック社
製）による測定において、カンチレバー長手方向、横手
方向共反りは検出できなかった。またレバー先端部の片
持ち梁状のティップの高さは０．５０〜０．５８μｍで
あった。次に、本実施例のプローブ２０８を用いてＡＦ
Ｍ／ＳＴＭ装置により、研磨されたＳｉ単結晶｛１１
１｝面をスキャンスピード２ｍｍ／ｓｅｃ、スキャンエ
リア１０μｍ角で走査したところ、再現性良く良好な表
面情報を得ることができた。
【００１５】［実施例２］（１００）面方位のＳｉ基板
２０１上に、二酸化Ｓｉ膜２０２が０．３μｍ厚、及び
Ｓｉ単結晶層２０３が０．３μｍ厚で形成されたＳＯＩ
（ｓｉｌｉｃｏｎｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用
意した。Ｓｉ単結晶層２０３は抵抗値０．００５Ω・ｃ
ｍ以下とした。実施例１と同様な工程でＳｉ単結晶レバ
ーからなるプローブを作製した。ここで、ＳｉＮ膜２０
４は０．１μｍ厚とし、配線及び導電性薄膜コート材料
にはＷを用いた。本実施例では、長さ２５μｍ、幅４μ
ｍのプローブを同一基板上に９本作成したが、どのプロ
ーブも走査型レーザー顕微鏡（レーザーテック社製）に
よる測定において、カンチレバー長手方向、横手方向共
反りは検出できなかった。またレバー先端部の片持ち梁
状のティップの高さは０．２〜０．２１μｍであった。
次に、本実施例のプローブ２０８を用いてＡＦＭ／ＳＴ
Ｍ装置により、研磨されたＳｉ単結晶｛１１１｝面をス
キャンスピード２ｍｍ／ｓｅｃ、スキャンエリア１０μ
ｍ角で走査したところ、再現性良く良好な表面情報を得
ることができた。
２０１上に、二酸化Ｓｉ膜２０２が０．３μｍ厚、及び
Ｓｉ単結晶層２０３が０．３μｍ厚で形成されたＳＯＩ
（ｓｉｌｉｃｏｎｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用
意した。Ｓｉ単結晶層２０３は抵抗値０．００５Ω・ｃ
ｍ以下とした。実施例１と同様な工程でＳｉ単結晶レバ
ーからなるプローブを作製した。ここで、ＳｉＮ膜２０
４は０．１μｍ厚とし、配線及び導電性薄膜コート材料
にはＷを用いた。本実施例では、長さ２５μｍ、幅４μ
ｍのプローブを同一基板上に９本作成したが、どのプロ
ーブも走査型レーザー顕微鏡（レーザーテック社製）に
よる測定において、カンチレバー長手方向、横手方向共
反りは検出できなかった。またレバー先端部の片持ち梁
状のティップの高さは０．２〜０．２１μｍであった。
次に、本実施例のプローブ２０８を用いてＡＦＭ／ＳＴ
Ｍ装置により、研磨されたＳｉ単結晶｛１１１｝面をス
キャンスピード２ｍｍ／ｓｅｃ、スキャンエリア１０μ
ｍ角で走査したところ、再現性良く良好な表面情報を得
ることができた。
【００１６】［実施例３］実施例１と同様に作製したプ
ローブを用いた情報記録再生装置について述べる。図３
に本発明の主要部構成及びブロック図を示す。本図にも
とづいて説明する。記録媒体ステージ３０１の記録媒体
３０２に対向させてプローブ３０３を配置した。３０２
−１は情報記録層、下地電極３０２−２は情報記録層３
０２−１に電圧を印加するためのものである。３０２−
３は基板である。情報記録層３０２−１は、ティップ３
０４との間に発生するトンネル電流により電気的性質が
変化（電気的メモリー効果）する有機薄膜等よりなる。
３０５は電源、３０６は電流アンプで、マイクロコンピ
ューター３０７に接続されており、記録媒体３０２への
情報の記録及び再生に使用する。記録媒体ステージ駆動
機構３０８上の記録媒体ステージ３０１は、マイクロコ
ンピューター３０７によるＺ方向位置制御回路３０９、
Ｘ−Ｙ方向位置制御回路３１０、チルト角制御回路３１
１、回転角制御回路３１２によって制御される。プロー
ブ３０３先端に対しては、レーザー３１３が照射され、
その反射光を２分割センサー３１４で受光し、たわみ量
検出装置３１５でプローブ３０３のたわみ量を検知す
る。この情報は、マイクロコンピューター３０７及びサ
ーボ回路３１６に送られる。実施例の記録媒体３０２
は、石英ガラス基板３０２−３の上に下地電極３０２−
２として真空蒸着法によってＡｕを３０ｎｍ蒸着した
後、その上にＬＢ（ラングミュアー・ブロジェット）法
によってポリイミド層（情報記録層３０２−１）を形成
して作製した。
ローブを用いた情報記録再生装置について述べる。図３
に本発明の主要部構成及びブロック図を示す。本図にも
とづいて説明する。記録媒体ステージ３０１の記録媒体
３０２に対向させてプローブ３０３を配置した。３０２
−１は情報記録層、下地電極３０２−２は情報記録層３
０２−１に電圧を印加するためのものである。３０２−
３は基板である。情報記録層３０２−１は、ティップ３
０４との間に発生するトンネル電流により電気的性質が
変化（電気的メモリー効果）する有機薄膜等よりなる。
３０５は電源、３０６は電流アンプで、マイクロコンピ
ューター３０７に接続されており、記録媒体３０２への
情報の記録及び再生に使用する。記録媒体ステージ駆動
機構３０８上の記録媒体ステージ３０１は、マイクロコ
ンピューター３０７によるＺ方向位置制御回路３０９、
Ｘ−Ｙ方向位置制御回路３１０、チルト角制御回路３１
１、回転角制御回路３１２によって制御される。プロー
ブ３０３先端に対しては、レーザー３１３が照射され、
その反射光を２分割センサー３１４で受光し、たわみ量
検出装置３１５でプローブ３０３のたわみ量を検知す
る。この情報は、マイクロコンピューター３０７及びサ
ーボ回路３１６に送られる。実施例の記録媒体３０２
は、石英ガラス基板３０２−３の上に下地電極３０２−
２として真空蒸着法によってＡｕを３０ｎｍ蒸着した
後、その上にＬＢ（ラングミュアー・ブロジェット）法
によってポリイミド層（情報記録層３０２−１）を形成
して作製した。
【００１７】以上示した記録再生装置に実施例１で作製
したプローブ３０３を設置し、特開昭６３−１６１５５
２号公報に開示されている原理、方法により記録再生を
行った。まず、記録媒体３０２を上記プローブ３０３で
観察したところ、すべてのプローブ３０３で良好なＡＦ
Ｍ像を得ることができた。次に、記録媒体ステージ３０
１を用いて、記録媒体３０２を走査しながら、ティップ
３０４−下地電極３０２−２間に電圧をパルス状に印加
した。電圧印加は８Ｖ、幅１μｓのパルス状の矩形波で
行った。パルス間印加後、１Ｖの電圧で記録媒体を走査
したところ、情報記録層３０２−１のパルス印加点で特
性変化を起こし電気抵抗の低い部分が生じていた。この
電気抵抗の低い部分、すなわち記録ビットは１０ｎｍ径
程度の大きさを有していた。これらの記録再生は、すべ
てのプローブ１１８で行えた。
したプローブ３０３を設置し、特開昭６３−１６１５５
２号公報に開示されている原理、方法により記録再生を
行った。まず、記録媒体３０２を上記プローブ３０３で
観察したところ、すべてのプローブ３０３で良好なＡＦ
Ｍ像を得ることができた。次に、記録媒体ステージ３０
１を用いて、記録媒体３０２を走査しながら、ティップ
３０４−下地電極３０２−２間に電圧をパルス状に印加
した。電圧印加は８Ｖ、幅１μｓのパルス状の矩形波で
行った。パルス間印加後、１Ｖの電圧で記録媒体を走査
したところ、情報記録層３０２−１のパルス印加点で特
性変化を起こし電気抵抗の低い部分が生じていた。この
電気抵抗の低い部分、すなわち記録ビットは１０ｎｍ径
程度の大きさを有していた。これらの記録再生は、すべ
てのプローブ１１８で行えた。
【００１８】
【発明の効果】軽量で、媒体の凹凸に対して追従可能な
ティップを有し、配線に起因するカンチレバーの反りを
防止することができ、より高速な情報記録が可能なプロ
ーブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報記録
再生装置を提供することを目的としている。
ティップを有し、配線に起因するカンチレバーの反りを
防止することができ、より高速な情報記録が可能なプロ
ーブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報記録
再生装置を提供することを目的としている。
【００１９】以上のように、本発明においては、Ｓｉ単
結晶からなるカンチレバー自身をトンネル電流引き出し
用配線として用いることが可能なため、この電流引き出
しのためカンチレバーに金属膜等を被覆すること等に起
因するカンチレバーの反りが発生せず、高い解像度の情
報処理ができ、記録媒体やティップ先端の破壊を防止す
ることのできるプローブとその製造方法、及び該プロー
ブを備えた情報処理装置を実現することができる。ま
た、本発明のプローブによると、トンネル電流の引き出
しはカンチレバーの端部に設けられた配線から行うこと
ができるため、カンチレバー及びそれを保持する基板全
面に導電性材料を被覆したプローブに比べて、電極面積
を小さくすることができ、したがって、このプローブを
備えた情報処理装置においては、記録媒体に対して電圧
印加を行い情報の記録を行うに際して、記録媒体との間
に発生する浮遊容量を低減でき、電圧印加時間を短縮す
ることが可能となり、より高速な情報記録を行うことが
できる。また、本発明のプローブによると、ティップの
形状が片持ち梁状であるためティップ体積を小さくする
ことができ、このようにティップ自身を非常に小さい片
持ち梁構造とすることにより、カンチレバーだけでは追
従できないような媒体の凹凸に対しても追従可能とする
ことができる。さらに、このティップの構造を窒化シリ
コンなど、金属に比べて低密度な高弾性材料に導電性薄
膜をコートする構造とすることにより、ティップの重量
を十分小さくすることができ、カンチレバーの共振周波
数を高く保つことが可能となる。
結晶からなるカンチレバー自身をトンネル電流引き出し
用配線として用いることが可能なため、この電流引き出
しのためカンチレバーに金属膜等を被覆すること等に起
因するカンチレバーの反りが発生せず、高い解像度の情
報処理ができ、記録媒体やティップ先端の破壊を防止す
ることのできるプローブとその製造方法、及び該プロー
ブを備えた情報処理装置を実現することができる。ま
た、本発明のプローブによると、トンネル電流の引き出
しはカンチレバーの端部に設けられた配線から行うこと
ができるため、カンチレバー及びそれを保持する基板全
面に導電性材料を被覆したプローブに比べて、電極面積
を小さくすることができ、したがって、このプローブを
備えた情報処理装置においては、記録媒体に対して電圧
印加を行い情報の記録を行うに際して、記録媒体との間
に発生する浮遊容量を低減でき、電圧印加時間を短縮す
ることが可能となり、より高速な情報記録を行うことが
できる。また、本発明のプローブによると、ティップの
形状が片持ち梁状であるためティップ体積を小さくする
ことができ、このようにティップ自身を非常に小さい片
持ち梁構造とすることにより、カンチレバーだけでは追
従できないような媒体の凹凸に対しても追従可能とする
ことができる。さらに、このティップの構造を窒化シリ
コンなど、金属に比べて低密度な高弾性材料に導電性薄
膜をコートする構造とすることにより、ティップの重量
を十分小さくすることができ、カンチレバーの共振周波
数を高く保つことが可能となる。
【図１】本発明のプローブの断面図を示す図である。
【図２】本発明のプローブの製造工程を示す図である。
【図３】本発明の情報記録再生装置の概略を示す図であ
る。
る。
【図４】従来のプローブの製造工程を示す図である。
【図５】従来のティップの製造法を示す図である。
１０１、２０１：Ｓｉ単結晶基板 １０２、２０３：Ｓｉ単結晶レバー １０３、２０２：絶縁層 １０４、２０６：ティップ １０５：高弾性材料 １０６：導電性薄膜 １０７、２０７：配線 ２０５：二酸化Ｓｉ層 ２０８：プローブ ３０１：記録媒体ステージ ３０２：記録媒体 ３０２−１：情報記録層 ３０２−２：下地電極 ３０２−３：基板 ３０３：プローブ ３０４：ティップ ３０５：電源 ３０６：電流アンプ ３０７：マイクロコンピューター ３０８：記録媒体ステージ駆動機構 ３０９：Ｚ方向位置制御回路 ３１０：Ｘ−Ｙ方向制御回路 ３１１：チルト角制御回路 ３１２：回転角制御装置 ３１３：レーザー ３１４：２分割センサー ３１５：たわみ量検出装置 ３１６：サーボ回路 ４０１：二酸化Ｓｉ ４０２：単結晶Ｓｉ ４０３：凹部 ４０４：窒化Ｓｉ層 ４０５：カンチレバー ４０６：ソウカット ４０７：Ｃｒ層 ４０８：ガラス板 ４０９：プローブ ４１０：金属膜 ５０１：マスク ５０２：Ｓｉ基板 ５０３：ティップ ５０４：レジスト開口部 ５０５：導電性材料
Claims (9)
- 【請求項１】微小電流または微小力を検出するプローブ
であって、単結晶Ｓｉ層基板からなるカンチレバーと、
該カンチレバー上に形成されたティップとからなり、該
ティップが反りを持った片持ち梁状に形成されているこ
とを特徴とするプローブ。 - 【請求項２】前記ティップが、導電性部材からなり、あ
るいは導電性材料をコートした構造からなることを特徴
とする請求項１に記載のプローブ。 - 【請求項３】前記導電性材料のコートは、該導電性材料
よりも低密度且つ高弾性材料にコートしたものであるこ
とを特徴とする請求項２に記載のプローブ。 - 【請求項４】前記導電性材料は、その融点が１０００℃
以上の材料であることを特徴とする請求項３に記載のプ
ローブ。 - 【請求項５】前記単結晶Ｓｉ層基板は、その抵抗値が少
なくとも０．０１Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のプローブ。 - 【請求項６】前記カンチレバーは、その端部に配線が形
成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のい
ずれか１項に記載のプローブ。 - 【請求項７】Ｓｉ単結晶基板上に絶縁層を介して形成さ
れた単結晶Ｓｉ層を加工する工程と、該基板に窒化Ｓｉ
層を形成する工程と、該窒化Ｓｉ層を加工する工程と、
該基板を熱酸化する工程と、該単結晶Ｓｉ層上に導電性
材料でコートされた片持ち梁状のティップを形成する工
程と、該熱酸化膜を溶解除去する工程と、該単結晶Ｓｉ
層の裏面の一部を溶解除去する工程とを、少なくとも有
することを特徴とするプローブの製造方法。 - 【請求項８】前記片持ち梁状のティップを形成する工程
は、前記単結晶Ｓｉ層上に形成された窒化Ｓｉ層をパタ
ーニングすることによって残された窒化Ｓｉ層上とそれ
に隣接する前記単結晶Ｓｉ層上に、導電性材料を形成す
るものであることを特徴とする請求項７に記載のプロー
ブの製造方法。 - 【請求項９】請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載
のプローブを備え、プローブとこれに対向する記録媒体
との距離を調節すると共に、前記プローブに設けられた
ティップと前記記録媒体とを位置合わせし、該ティップ
と記録媒体との間に電圧を印加して情報の記録・再生を
することを特徴とする情報処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065472A JPH10246730A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置 |
| US09/034,227 US6011261A (en) | 1997-03-04 | 1998-03-04 | Probe formed of mono-crystalline SI, the manufacturing method thereof, and an information processing device using the probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065472A JPH10246730A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10246730A true JPH10246730A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13288096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9065472A Pending JPH10246730A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6011261A (ja) |
| JP (1) | JPH10246730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096409A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor probe with resistive tip and method of fabricating the same, and information recording apparatus, information reproducing apparatus, and information measuring apparatus having the semiconductor probe |
| JP2009058534A (ja) * | 1999-12-20 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 近視野光プローブとその製造方法、およびその近視野光プローブを用いた近視野光装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246054B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-06-12 | Olympus Optical Co., Ltd. | Scanning probe microscope suitable for observing the sidewalls of steps in a specimen and measuring the tilt angle of the sidewalls |
| JP3697034B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ |
| EP0899538B1 (en) | 1997-08-27 | 2003-05-14 | IMEC vzw | A probe tip configuration, a method of fabricating probe tips and use thereof |
| JP2000035396A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Canon Inc | 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法 |
| JP2004500548A (ja) * | 1999-07-15 | 2004-01-08 | エフイーアイ カンパニー | マイクロマシーン化されたマイクロプローブチップ |
| US6913982B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-07-05 | Geunbae Lim | Method of fabricating a probe of a scanning probe microscope (SPM) having a field-effect transistor channel |
| JP4656761B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2011-03-23 | オリンパス株式会社 | Ｓｐｍカンチレバー |
| US6668628B2 (en) | 2002-03-29 | 2003-12-30 | Xerox Corporation | Scanning probe system with spring probe |
| US6866255B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-03-15 | Xerox Corporation | Sputtered spring films with low stress anisotropy |
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