JPH10242504A - 入射光規制部材及びこれを用いた光モジュール - Google Patents
入射光規制部材及びこれを用いた光モジュールInfo
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- JPH10242504A JPH10242504A JP4085997A JP4085997A JPH10242504A JP H10242504 A JPH10242504 A JP H10242504A JP 4085997 A JP4085997 A JP 4085997A JP 4085997 A JP4085997 A JP 4085997A JP H10242504 A JPH10242504 A JP H10242504A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】極めて簡単な構造で、クロストーク特性の優れ
た光モジュールを得る。 【解決手段】光半導体素子と光信号の入出力端子を有す
る光モジュールにおいて、光半導体素子の受発光点の前
面に、ピンホール部１ａとこれに連通するテーパ部１ｂ
を有するピンホール部材１を備える。
た光モジュールを得る。 【解決手段】光半導体素子と光信号の入出力端子を有す
る光モジュールにおいて、光半導体素子の受発光点の前
面に、ピンホール部１ａとこれに連通するテーパ部１ｂ
を有するピンホール部材１を備える。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、光半導体素子と光
信号の入出力端子を有する光モジュールにおいて、迷光
や散乱光の悪影響を防止するための入射光規制部材及び
これを用いた光モジュールに関する。
信号の入出力端子を有する光モジュールにおいて、迷光
や散乱光の悪影響を防止するための入射光規制部材及び
これを用いた光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光信号と電気信号を変換するさま
ざまな光モジュールが開発されている。例えば、図６に
示す光モジュール１０は、光入力端子である光ファイバ
１４、光出力端子である光ファイバ１５、及び受光用光
半導体素子として二つのフォトダイオード１１、１２を
ケーシング１６で保持し、内部にビームスプリッタ１７
を備えている。
ざまな光モジュールが開発されている。例えば、図６に
示す光モジュール１０は、光入力端子である光ファイバ
１４、光出力端子である光ファイバ１５、及び受光用光
半導体素子として二つのフォトダイオード１１、１２を
ケーシング１６で保持し、内部にビームスプリッタ１７
を備えている。
【０００３】いま、入力側の光ファイバ１４から入力さ
れた光信号２０は、ビームスプリッタ１７で一部が反射
してフォトダイオード１１で受光し測定するとともに、
残部がビームスプリッタ１７を透過して出力側の光ファ
イバ１５より出力される。また、出力側の光ファイバ１
５から戻り光２１があれば、ビームスプリッタ１７で反
射してフォトダイオード１２で戻り光２１を測定するよ
うになっている。つまり、この光モジュール１０は、本
来の光信号２０をフォトダイオード１１でモニターする
とともに、反射等による戻り光２１をもう一方のフォト
ダイオード１２で測定できるようになっている。
れた光信号２０は、ビームスプリッタ１７で一部が反射
してフォトダイオード１１で受光し測定するとともに、
残部がビームスプリッタ１７を透過して出力側の光ファ
イバ１５より出力される。また、出力側の光ファイバ１
５から戻り光２１があれば、ビームスプリッタ１７で反
射してフォトダイオード１２で戻り光２１を測定するよ
うになっている。つまり、この光モジュール１０は、本
来の光信号２０をフォトダイオード１１でモニターする
とともに、反射等による戻り光２１をもう一方のフォト
ダイオード１２で測定できるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６のような
光モジュール１０において、フォトダイオード１２側は
微小な戻り光２１を測定するため、迷光や散乱光の悪影
響を受けやすいという問題があった。例えば、本来の光
信号２０がフォトダイオード１１で反射して生じた迷光
がフォトダイオード１２に入力してしまい、ノイズとな
って正しく戻り光２１を測定できないという不都合があ
った。
光モジュール１０において、フォトダイオード１２側は
微小な戻り光２１を測定するため、迷光や散乱光の悪影
響を受けやすいという問題があった。例えば、本来の光
信号２０がフォトダイオード１１で反射して生じた迷光
がフォトダイオード１２に入力してしまい、ノイズとな
って正しく戻り光２１を測定できないという不都合があ
った。
【０００５】この問題を解消するためには、フォトダイ
オード１１を傾けたり位置をずらせて配置しておく必要
があるなど、設計が複雑になるという不都合があった。
オード１１を傾けたり位置をずらせて配置しておく必要
があるなど、設計が複雑になるという不都合があった。
【０００６】また、その他の一般的な光モジュールにお
いても、同様に迷光や散乱光が光半導体素子に入射する
ことによる悪影響が問題となっていた。
いても、同様に迷光や散乱光が光半導体素子に入射する
ことによる悪影響が問題となっていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、ピンホ
ール部又はスリット部と、これに連通するテーパ部から
なる光通過孔を備えた入射光規制部材を用い、この入射
光規制部材を光半導体素子の受発光点の直前に配置して
光モジュールを構成したことを特徴とする。
ール部又はスリット部と、これに連通するテーパ部から
なる光通過孔を備えた入射光規制部材を用い、この入射
光規制部材を光半導体素子の受発光点の直前に配置して
光モジュールを構成したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の入射光規制部材は、ピンホール部又は
スリット部からテーパ部へ向かう方向に対しては、中心
を通過する直線光しか通過させずに、迷光や散乱光の通
過を防止できる。一方テーパ部からピンホール部又はス
リット部へ向かう方向に対しては、迷光や散乱光を通過
させやすくすることができる。
スリット部からテーパ部へ向かう方向に対しては、中心
を通過する直線光しか通過させずに、迷光や散乱光の通
過を防止できる。一方テーパ部からピンホール部又はス
リット部へ向かう方向に対しては、迷光や散乱光を通過
させやすくすることができる。
【０００９】したがって、例えば迷光や散乱光の入射を
防止したい光半導体素子の受発光点の直前に、入射光規
制部材のテーパ部を手前にして配置しておけば、光半導
体素子へ迷光や散乱光が入力することを防止できるとと
もに、光半導体素子で反射して発生した迷光や散乱光を
放出させやすくできる。
防止したい光半導体素子の受発光点の直前に、入射光規
制部材のテーパ部を手前にして配置しておけば、光半導
体素子へ迷光や散乱光が入力することを防止できるとと
もに、光半導体素子で反射して発生した迷光や散乱光を
放出させやすくできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の入射光規制部材の
一実施形態として、ピンホール部材を図によって説明す
る。
一実施形態として、ピンホール部材を図によって説明す
る。
【００１１】図１に示すように、ピンホール部材１は中
央に光通過孔１ｃを有する筒状体であり、この光通過孔
１ｃは、ピンホール部１ａと、これに連通し次第に広が
る形状のテーパ部１ｂから形成されている。
央に光通過孔１ｃを有する筒状体であり、この光通過孔
１ｃは、ピンホール部１ａと、これに連通し次第に広が
る形状のテーパ部１ｂから形成されている。
【００１２】このピンホール部材１を使用する場合は、
例えば、図２（ａ）に示すように、受光用の光半導体素
子であるフォトダイオード１１の受光点１１ａの直前
に、ピンホール部材１のテーパ部１ｂを手前にして、ピ
ンホール部１ａと受光点１１ａを正確に位置合わせして
配置すれば良い。
例えば、図２（ａ）に示すように、受光用の光半導体素
子であるフォトダイオード１１の受光点１１ａの直前
に、ピンホール部材１のテーパ部１ｂを手前にして、ピ
ンホール部１ａと受光点１１ａを正確に位置合わせして
配置すれば良い。
【００１３】このとき、フォトダイオード１１の受光点
１１ａに対して外部の所定の方向から入射する正規の光
信号２はピンホール部１ａを通過して受光点１１ａに入
射する。一方、外部より所定以外の方向から入射する迷
光２ａはピンホール部１ａを通過できずに反射し、フォ
トダイオード１１に入射することを防止できる。また、
正規の光信号２がフォトダイオード１１で反射して生じ
た迷光２ｂは、テーパ部１ｂで反射して最終的にピンホ
ール部１ａより外部に放出される。
１１ａに対して外部の所定の方向から入射する正規の光
信号２はピンホール部１ａを通過して受光点１１ａに入
射する。一方、外部より所定以外の方向から入射する迷
光２ａはピンホール部１ａを通過できずに反射し、フォ
トダイオード１１に入射することを防止できる。また、
正規の光信号２がフォトダイオード１１で反射して生じ
た迷光２ｂは、テーパ部１ｂで反射して最終的にピンホ
ール部１ａより外部に放出される。
【００１４】このように、ピンホール部材１を配置する
ことによって、正規の光信号２のみをフォトダイオード
１１に入射し、外部からの迷光２ａの入射を防止できる
とともに、フォトダイオード１１の反射で生じた迷光２
ｂを外部へ放出させやすくできる。
ことによって、正規の光信号２のみをフォトダイオード
１１に入射し、外部からの迷光２ａの入射を防止できる
とともに、フォトダイオード１１の反射で生じた迷光２
ｂを外部へ放出させやすくできる。
【００１５】また、他の使用方法を図２（ｂ）に示すよ
うに、発光用の光半導体素子であるレーザーダイオード
１３の発光点１３ａの直前に、ピンホール部材１のテー
パ部１ｂを手前にして、ピンホール部１ａと発光点１３
ａを正確に位置合わせして配置することもできる。
うに、発光用の光半導体素子であるレーザーダイオード
１３の発光点１３ａの直前に、ピンホール部材１のテー
パ部１ｂを手前にして、ピンホール部１ａと発光点１３
ａを正確に位置合わせして配置することもできる。
【００１６】このとき、レーザーダイオード１３の発光
点１３ａから出射する正規の光信号２はピンホール部１
ａを通過して外部に導出できる。一方、戻り光等の迷光
２ａが所定以外の方向から入射しようとしても、ピンホ
ール部１ａを通過できずに反射し、レーザーダイオード
１３に入射することを防止できる。
点１３ａから出射する正規の光信号２はピンホール部１
ａを通過して外部に導出できる。一方、戻り光等の迷光
２ａが所定以外の方向から入射しようとしても、ピンホ
ール部１ａを通過できずに反射し、レーザーダイオード
１３に入射することを防止できる。
【００１７】このように、ピンホール部材１を配置する
ことによって、正規の光信号２は通過させるが、迷光２
ａがレーザーダイオード１３に入射することを防止し、
レーザーダイオード１３の発振特性を安定させることが
できる。
ことによって、正規の光信号２は通過させるが、迷光２
ａがレーザーダイオード１３に入射することを防止し、
レーザーダイオード１３の発振特性を安定させることが
できる。
【００１８】以上のような作用を成すためには、ピンホ
ール部材１のピンホール部１ａの内径ｄが重要であり、
この大きさを０．３〜０．６ｍｍの範囲とすることが好
ましい。これは、内径ｄが０．３ｍｍ未満では正規の光
信号２の損失が大きくなり、一方０．６ｍｍを超えると
迷光２ａの入射を防止する作用が乏しくなるためであ
る。
ール部材１のピンホール部１ａの内径ｄが重要であり、
この大きさを０．３〜０．６ｍｍの範囲とすることが好
ましい。これは、内径ｄが０．３ｍｍ未満では正規の光
信号２の損失が大きくなり、一方０．６ｍｍを超えると
迷光２ａの入射を防止する作用が乏しくなるためであ
る。
【００１９】特に、内径ｄは、正規の光信号２がちょう
ど通過できる大きさ、又はこれよりも若干小さく設定し
ておくことが好ましい。このようにすれば、正規の光信
号２は、そのまま又はわずかな損失で通過させることが
でき、一方、不要信号である迷光２ａの通過を大幅に遮
断することができる。なお、このピンホール部１ａの長
さＬについては、全体寸法やテーパ部１ｂの角度θ等に
応じて最適のものとすれば良いが、通常は０．５ｍｍ以
下とすることが好ましい。
ど通過できる大きさ、又はこれよりも若干小さく設定し
ておくことが好ましい。このようにすれば、正規の光信
号２は、そのまま又はわずかな損失で通過させることが
でき、一方、不要信号である迷光２ａの通過を大幅に遮
断することができる。なお、このピンホール部１ａの長
さＬについては、全体寸法やテーパ部１ｂの角度θ等に
応じて最適のものとすれば良いが、通常は０．５ｍｍ以
下とすることが好ましい。
【００２０】また、テーパ部１ｂの角度θには特に制限
はないが、３０〜１２０°の範囲としておくことが好ま
しい。さらに、このテーパ部１ｂはピンホール部１ａに
連通し、次第に広がる形状となっていれば良く、曲面状
や多段テーパ状となっていても良い。また、ピンホール
部材１の外径は、光半導体素子を覆うように、光半導体
素子と同程度としておくことが好ましい。
はないが、３０〜１２０°の範囲としておくことが好ま
しい。さらに、このテーパ部１ｂはピンホール部１ａに
連通し、次第に広がる形状となっていれば良く、曲面状
や多段テーパ状となっていても良い。また、ピンホール
部材１の外径は、光半導体素子を覆うように、光半導体
素子と同程度としておくことが好ましい。
【００２１】さらに、図示していないが、ピンホール部
材１のエッジ部には微小な面取りを形成しておくことが
好ましい。また、ピンホール部材１の表面は、反射性を
高めるために中心線平均粗さ（Ｒａ）３．２μｍ以下の
滑らかな面としておくことが好ましい。
材１のエッジ部には微小な面取りを形成しておくことが
好ましい。また、ピンホール部材１の表面は、反射性を
高めるために中心線平均粗さ（Ｒａ）３．２μｍ以下の
滑らかな面としておくことが好ましい。
【００２２】なお、ピンホール部材１の材質としては、
金属、樹脂、セラミックス等さまざまなものを用いるこ
とができるが、ステンレス等の金属材を用いれば、迷光
２ａの反射性を高め、ケーシング１６等と溶接固定でき
ることから好適である。そして、このピンホール部材１
にドリル等で穿孔加工を施して、ピンホール部１ａとテ
ーパ部１ｂからなる光通過孔１ｃを形成すれば良い。
金属、樹脂、セラミックス等さまざまなものを用いるこ
とができるが、ステンレス等の金属材を用いれば、迷光
２ａの反射性を高め、ケーシング１６等と溶接固定でき
ることから好適である。そして、このピンホール部材１
にドリル等で穿孔加工を施して、ピンホール部１ａとテ
ーパ部１ｂからなる光通過孔１ｃを形成すれば良い。
【００２３】次に、本発明の入射光規制部材の他の実施
形態として、スリット部材を説明する。
形態として、スリット部材を説明する。
【００２４】図３（ａ）（ｂ）に示すスリット部材３
は、スリット部３ａとこれに連通するテーパ部３ｂから
なる光通過孔３ｃを形成したものである。このスリット
部材３は、前述したピンホール部材１のピンホール部１
ａをスリット部３ａに代えたものであり、該スリット部
３ａで迷光の入射を防止することができる。
は、スリット部３ａとこれに連通するテーパ部３ｂから
なる光通過孔３ｃを形成したものである。このスリット
部材３は、前述したピンホール部材１のピンホール部１
ａをスリット部３ａに代えたものであり、該スリット部
３ａで迷光の入射を防止することができる。
【００２５】なお、スリット部材３は、ピンホール部材
１に比べると迷光の入射を防止する効果が乏しいが、そ
の反面、スリット部材３の端面から切り込みを形成し
て、スリット部３ａとテーパ部３ｂを形成すれば良いこ
とから製造を簡略化することができる。
１に比べると迷光の入射を防止する効果が乏しいが、そ
の反面、スリット部材３の端面から切り込みを形成し
て、スリット部３ａとテーパ部３ｂを形成すれば良いこ
とから製造を簡略化することができる。
【００２６】また、スリット部材３の他の実施形態を図
３（ｃ）に示すように、二つの部材３１、３１間にスペ
ーサ３２、３２を介して接合し、スリット部３ａを形成
することもでき、このようにすれば、スリット部３ａの
幅ｄを正確に調整することができる。
３（ｃ）に示すように、二つの部材３１、３１間にスペ
ーサ３２、３２を介して接合し、スリット部３ａを形成
することもでき、このようにすれば、スリット部３ａの
幅ｄを正確に調整することができる。
【００２７】なお、図３の実施形態における、スリット
部３ａの幅ｄ、長さＬ、テーパ部３ｂの角度θ等の好ま
しい範囲は、図１の実施形態と同様である。
部３ａの幅ｄ、長さＬ、テーパ部３ｂの角度θ等の好ま
しい範囲は、図１の実施形態と同様である。
【００２８】次に、図１に示す本発明のピンホール部材
１を用いた光モジュールの実施形態を説明する。
１を用いた光モジュールの実施形態を説明する。
【００２９】図４に示す光モジュール１０は、光入力端
子である光ファイバ１４、光出力端子である光ファイバ
１５、及び受光用光半導体素子として二つのフォトダイ
オード１１、１２をケーシング１６で保持し、内部にビ
ームスプリッタ１７を備え、一方のフォトダイオード１
２の前面にピンホール部材１を配置している。
子である光ファイバ１４、光出力端子である光ファイバ
１５、及び受光用光半導体素子として二つのフォトダイ
オード１１、１２をケーシング１６で保持し、内部にビ
ームスプリッタ１７を備え、一方のフォトダイオード１
２の前面にピンホール部材１を配置している。
【００３０】いま、入力側の光ファイバ１４から入力さ
れた光信号２０は、ビームスプリッタ１７で一部が反射
してフォトダイオード１１で受光して測定するととも
に、残部がビームスプリッタ１７を透過して出力側の光
ファイバ１５より出力される。また、出力側の光ファイ
バ１５から戻り光２１があれば、ビームスプリッタ１１
で反射してフォトダイオード１２で戻り光２１を測定す
るようになっている。つまり、この光モジュール１０
は、本来の光信号２０をフォトダイオード１１でモニタ
ーするとともに、反射等による戻り光２１ももう一方の
フォトダイオード１２で測定できるようになっている。
れた光信号２０は、ビームスプリッタ１７で一部が反射
してフォトダイオード１１で受光して測定するととも
に、残部がビームスプリッタ１７を透過して出力側の光
ファイバ１５より出力される。また、出力側の光ファイ
バ１５から戻り光２１があれば、ビームスプリッタ１１
で反射してフォトダイオード１２で戻り光２１を測定す
るようになっている。つまり、この光モジュール１０
は、本来の光信号２０をフォトダイオード１１でモニタ
ーするとともに、反射等による戻り光２１ももう一方の
フォトダイオード１２で測定できるようになっている。
【００３１】また、フォトダイオード１２の直前にはピ
ンホール部材１を配置してあることにより、測定対象で
ある戻り光２１は入射するが、その他の迷光がフォトダ
イオード１２に入射することを防止できる。そのため、
微小な戻り光２１をフォトダイオード２１で正確に測定
することができる。
ンホール部材１を配置してあることにより、測定対象で
ある戻り光２１は入射するが、その他の迷光がフォトダ
イオード１２に入射することを防止できる。そのため、
微小な戻り光２１をフォトダイオード２１で正確に測定
することができる。
【００３２】さらに、他の実施形態として、図５に示す
光モジュール１０は、発光用の光半導体素子であるレー
ザーダイオード１３と光出力端子である光ファイバ１５
をケーシング１６で保持し、レーザーダイオード１３の
前面にピンホール部材１を配置してある。
光モジュール１０は、発光用の光半導体素子であるレー
ザーダイオード１３と光出力端子である光ファイバ１５
をケーシング１６で保持し、レーザーダイオード１３の
前面にピンホール部材１を配置してある。
【００３３】いま、レーザーダイオード１３から出射さ
れた光信号２０は、ピンホール部材１を通過して光ファ
イバ１５により外部へ導出される。一方、反射等による
迷光が戻ってきても、ピンホール部材１で遮断されるた
め、レーザーダイオード１３に入射することを防止で
き、レーザーダイオード１３の発振特性を安定させるこ
とができる。
れた光信号２０は、ピンホール部材１を通過して光ファ
イバ１５により外部へ導出される。一方、反射等による
迷光が戻ってきても、ピンホール部材１で遮断されるた
め、レーザーダイオード１３に入射することを防止で
き、レーザーダイオード１３の発振特性を安定させるこ
とができる。
【００３４】なお、同様の作用を成す素子として光アイ
ソレータがあるが、光アイソレータの場合はファラデー
回転子、偏光子、磁石等が必要であり、複雑な構造でコ
ストも高いのに対し、本発明のピンホール部材１は極め
て簡単な構造で低コストとできる。
ソレータがあるが、光アイソレータの場合はファラデー
回転子、偏光子、磁石等が必要であり、複雑な構造でコ
ストも高いのに対し、本発明のピンホール部材１は極め
て簡単な構造で低コストとできる。
【００３５】また、上記図４、５に示した実施形態は概
略図であって、各光モジュール１０には、レンズやのそ
の他の光学素子を配置することもでき、光ファイバ１
４、１５はフェルール等で保持されている。さらに、ピ
ンホール部材１の代わりに図３に示すスリット部材３を
用いることもでき、これらのピンホール部材１やスリッ
ト部材３は、図４、５に示した例に限らず、さまざまな
光モジュールに使用できることは言うまでもない。
略図であって、各光モジュール１０には、レンズやのそ
の他の光学素子を配置することもでき、光ファイバ１
４、１５はフェルール等で保持されている。さらに、ピ
ンホール部材１の代わりに図３に示すスリット部材３を
用いることもでき、これらのピンホール部材１やスリッ
ト部材３は、図４、５に示した例に限らず、さまざまな
光モジュールに使用できることは言うまでもない。
【００３６】
【実施例】本発明実施例として、図４に示す光モジュー
ル１０を作製した。
ル１０を作製した。
【００３７】ピンホール部材１はステンレス（ＳＵＳ３
０４）で形成し、外径を６ｍｍ、ピンホール部１ａの内
径ｄを０．４ｍｍ、テーパ部１ｂの角度θを９０°とし
た。
０４）で形成し、外径を６ｍｍ、ピンホール部１ａの内
径ｄを０．４ｍｍ、テーパ部１ｂの角度θを９０°とし
た。
【００３８】一般に、この光モジュール１０におけるク
ロストーク特性Ｃは、下記式で表される。
ロストーク特性Ｃは、下記式で表される。
【００３９】 Ｃ＝｜10・log (PDIN／IN）／(PD OUT ／OUT) ｜ PDIN ：INからの光信号に対するフォトダイオード１２
の測定値 PDOUT ：OUT からの光信号に対するフォトダイオード１
２の測定値 IN ：INからの光信号のパワー OUT ：OUT からの光信号のパワー いま、ピンホール部材１を配置した本発明の光モジュー
ル１０と、比較例としてピンホール部材１を配置しない
光モジュールについて、上記のクロストーク特性Ｃを比
較した。
の測定値 PDOUT ：OUT からの光信号に対するフォトダイオード１
２の測定値 IN ：INからの光信号のパワー OUT ：OUT からの光信号のパワー いま、ピンホール部材１を配置した本発明の光モジュー
ル１０と、比較例としてピンホール部材１を配置しない
光モジュールについて、上記のクロストーク特性Ｃを比
較した。
【００４０】結果を表１に示すように、比較例ではクロ
ストーク特性Ｃが２１ｄＢと低かったのに対し、本発明
実施例ではクロストーク特性Ｃが３９．６ｄＢと高くな
ることがわかる。
ストーク特性Ｃが２１ｄＢと低かったのに対し、本発明
実施例ではクロストーク特性Ｃが３９．６ｄＢと高くな
ることがわかる。
【００４１】
【表１】
【００４２】なお、本発明の光モジュール１０では、ピ
ンホール部材１を備えることによって、正規の戻り光２
１の入射も一部損失することになる。そこで、ピンホー
ル部材１のピンホール部１ａの内径ｄを変化させた時の
PDOUT を測定して、上記損失量を求めた。
ンホール部材１を備えることによって、正規の戻り光２
１の入射も一部損失することになる。そこで、ピンホー
ル部材１のピンホール部１ａの内径ｄを変化させた時の
PDOUT を測定して、上記損失量を求めた。
【００４３】結果を表２に示すように、ピンホール部材
１のピンホール部１ａの内径ｄが小さいほど損失量が大
きくなり、PDOUT の値が小さくなり、良好に使用するた
めには内径ｄを０．３ｍｍ以上とすれば良いことがわか
る。ただし、迷光を防止するためには、上記要求特性を
満足する範囲内で、できるだけ内径ｄを小さくすること
が好ましい。
１のピンホール部１ａの内径ｄが小さいほど損失量が大
きくなり、PDOUT の値が小さくなり、良好に使用するた
めには内径ｄを０．３ｍｍ以上とすれば良いことがわか
る。ただし、迷光を防止するためには、上記要求特性を
満足する範囲内で、できるだけ内径ｄを小さくすること
が好ましい。
【００４４】
【表２】
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ピンホ
ール部又はスリット部と、これに連通するテーパ部から
なる光通過孔を備えた入射光規制部材を用いることによ
って、ピンホール部又はスリット部からテーパ部へ向か
う方向に対しては、中心を通過する直線光しか通過させ
ずに、迷光や散乱光の通過を防止でき、一方テーパ部か
らピンホール部又はスリット部へ向かう方向に対して
は、迷光や散乱光を通過させやすくすることができる。
ール部又はスリット部と、これに連通するテーパ部から
なる光通過孔を備えた入射光規制部材を用いることによ
って、ピンホール部又はスリット部からテーパ部へ向か
う方向に対しては、中心を通過する直線光しか通過させ
ずに、迷光や散乱光の通過を防止でき、一方テーパ部か
らピンホール部又はスリット部へ向かう方向に対して
は、迷光や散乱光を通過させやすくすることができる。
【００４６】したがって、光モジュールにおける光半導
体素子の受発光点の直前に、入射光規制部材のテーパ部
を手前にして配置すれば、光半導体素子へ迷光や散乱光
が入力することを防止できるとともに、光半導体素子で
反射して発生した迷光や散乱光を放出しやすくなる。そ
の結果、極めて簡単な構造で、クロストーク特性の優れ
た光モジュールを提供できる。
体素子の受発光点の直前に、入射光規制部材のテーパ部
を手前にして配置すれば、光半導体素子へ迷光や散乱光
が入力することを防止できるとともに、光半導体素子で
反射して発生した迷光や散乱光を放出しやすくなる。そ
の結果、極めて簡単な構造で、クロストーク特性の優れ
た光モジュールを提供できる。
【図１】（ａ）は本発明の入射光規制部材の一実施形態
であるピンホール部材を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）中
のＸ−Ｘ線断面図である。
であるピンホール部材を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）中
のＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）はピンホール部材の使用方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】（ａ）は本発明の入射光規制部材の一実施形態
であるスリット部材を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）中の
Ｙ−Ｙ線断面図、（ｃ）は他の実施形態を示す斜視図で
ある。
であるスリット部材を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）中の
Ｙ−Ｙ線断面図、（ｃ）は他の実施形態を示す斜視図で
ある。
【図４】本発明の光モジュールを示す概略断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の光モジュールを示す概略断面図であ
る。
る。
【図６】従来の光モジュールを示す概略断面図である。
１：ピンホール部材 １ａ：ピンホール部 １ｂ：テーパ部 １ｃ：光通過孔 ２：光信号 ２ａ：迷光 ２ｂ：迷光 ３：スリット部材 ３ａ：スリット部 ３ｂ：テーパ部 ３ｃ：光通過孔 １０：光モジュール １１：フォトダイオード １２：フォトダイオード １３：レーザーダイオード １４：光ファイバ １５：光ファイバ １６：ケーシング １７：ビームスプリッタ ２０：光信号 ２１：戻り光
Claims (2)
- 【請求項１】光半導体素子の受発光点の直前に配置され
て入射光を規制するための部材であって、ピンホール部
又はスリット部と、これに連通するテーパ部からなる光
通過孔を備えたことを特徴とする入射光規制部材。 - 【請求項２】光半導体素子と光信号の入出力端子を有す
る光モジュールにおいて、上記光半導体素子の受発光点
の直前に、ピンホール部又はスリット部と、これに連通
するテーパ部からなる光通過孔を備えた入射光規制部材
が配置されて成る光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085997A JPH10242504A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 入射光規制部材及びこれを用いた光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085997A JPH10242504A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 入射光規制部材及びこれを用いた光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242504A true JPH10242504A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12592281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085997A Pending JPH10242504A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 入射光規制部材及びこれを用いた光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2228868A (en) * | 1989-02-03 | 1990-09-12 | Growing Success Organics Ltd | Molluscicidal granular aluminium sulphate compositions |
| JP2001324678A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-22 | Nikon Corp | 光路ズレ検知装置、および共焦点顕微鏡 |
| KR100382710B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2003-05-09 | 샤프 가부시키가이샤 | 광송수신 시스템 및 그것을 위한 광송수신 모듈과광케이블 |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP4085997A patent/JPH10242504A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2228868A (en) * | 1989-02-03 | 1990-09-12 | Growing Success Organics Ltd | Molluscicidal granular aluminium sulphate compositions |
| GB2228868B (en) * | 1989-02-03 | 1992-07-29 | Growing Success Organics Ltd | Molluscicidal granular aluminium sulphate compositions |
| KR100382710B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2003-05-09 | 샤프 가부시키가이샤 | 광송수신 시스템 및 그것을 위한 광송수신 모듈과광케이블 |
| JP2001324678A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-22 | Nikon Corp | 光路ズレ検知装置、および共焦点顕微鏡 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |