JPH10229271A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置の製造方法Info
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- JPH10229271A JPH10229271A JP9031534A JP3153497A JPH10229271A JP H10229271 A JPH10229271 A JP H10229271A JP 9031534 A JP9031534 A JP 9031534A JP 3153497 A JP3153497 A JP 3153497A JP H10229271 A JPH10229271 A JP H10229271A
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- mask
- wiring
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装部品に備える配線導体と配線基板に備え
る配線導体とを互いに対向させてバンプ電極で接続し
た、実装部品の配線基板への実装構造を、強い熱衝撃や
圧力の加わらない方法で得て、実装部品に損傷が生じな
いようにする。 【解決手段】 実装部品22側の配線導体26と配線基
板23側の配線導体36とが所定の間隔を隔てて対向す
るように位置決めした状態で、めっき液中に浸漬し、配
線導体26側および配線導体36側からそれぞれめっき
金属を析出させて金属突起43,44を成長させ、これ
ら金属突起43,44が互いに接合するまでめっきを実
施する。電解めっきを行なう場合には、配線導体26,
36にそれぞれ電気的に接続される給電用導体31,3
9を形成しておき、これら給電用導体31,39をカソ
ードとして機能させる。
る配線導体とを互いに対向させてバンプ電極で接続し
た、実装部品の配線基板への実装構造を、強い熱衝撃や
圧力の加わらない方法で得て、実装部品に損傷が生じな
いようにする。 【解決手段】 実装部品22側の配線導体26と配線基
板23側の配線導体36とが所定の間隔を隔てて対向す
るように位置決めした状態で、めっき液中に浸漬し、配
線導体26側および配線導体36側からそれぞれめっき
金属を析出させて金属突起43,44を成長させ、これ
ら金属突起43,44が互いに接合するまでめっきを実
施する。電解めっきを行なう場合には、配線導体26,
36にそれぞれ電気的に接続される給電用導体31,3
9を形成しておき、これら給電用導体31,39をカソ
ードとして機能させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば半導体
素子のような実装部品が配線基板上に実装された構造を
有する電子装置を製造する方法に関するもので、特に、
バンプ電極を介して実装部品が配線基板上に実装された
構造を有する電子装置の製造方法に関するものである。
素子のような実装部品が配線基板上に実装された構造を
有する電子装置を製造する方法に関するもので、特に、
バンプ電極を介して実装部品が配線基板上に実装された
構造を有する電子装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3には、この発明にとって興味ある従
来の電子装置1の製造方法が断面図で図解的に示されて
いる。図3において、(1)〜(4)に示した各工程を
順次経て、(5)に示した電子装置1が製造される。電
子装置1は、実装部品2が配線基板3上に実装された構
造を有している。
来の電子装置1の製造方法が断面図で図解的に示されて
いる。図3において、(1)〜(4)に示した各工程を
順次経て、(5)に示した電子装置1が製造される。電
子装置1は、実装部品2が配線基板3上に実装された構
造を有している。
【0003】このような電子装置1を製造するため、実
装部品2が用意されるとともに、配線基板3が用意され
る。ここで、実装部品2は、たとえば、チップ状の形態
をなす半導体素子である。実装部品2を得るため、ま
ず、図3(1)に示すように、たとえばシリコンからな
る基体4が用意され、この基体4上には、酸化膜5を介
して、たとえばAlからなる配線導体6が形成される。
配線導体6の形成に次いで、たとえばSi3N4 からな
る表面保護膜7が形成され、この表面保護膜7には、配
線導体6の一部を露出させる開口8が形成される。
装部品2が用意されるとともに、配線基板3が用意され
る。ここで、実装部品2は、たとえば、チップ状の形態
をなす半導体素子である。実装部品2を得るため、ま
ず、図3(1)に示すように、たとえばシリコンからな
る基体4が用意され、この基体4上には、酸化膜5を介
して、たとえばAlからなる配線導体6が形成される。
配線導体6の形成に次いで、たとえばSi3N4 からな
る表面保護膜7が形成され、この表面保護膜7には、配
線導体6の一部を露出させる開口8が形成される。
【0004】次に、図3(2)に示すように、配線導体
6および表面保護膜7を覆って、たとえばTiからなる
下地金属層9が形成され、次いで、たとえばCuからな
るバリア金属層10が積層される。さらに、バリア金属
層10上には、たとえばレジスト材からなるマスク11
が形成される。マスク11は、前述した開口8に対応す
る位置に開口12を形成するように、パターニングされ
る。
6および表面保護膜7を覆って、たとえばTiからなる
下地金属層9が形成され、次いで、たとえばCuからな
るバリア金属層10が積層される。さらに、バリア金属
層10上には、たとえばレジスト材からなるマスク11
が形成される。マスク11は、前述した開口8に対応す
る位置に開口12を形成するように、パターニングされ
る。
【0005】次に、図3(3)に示すように、たとえば
Auの電解めっきにより、バンプ電極13が、開口12
内に選択的に形成される。次に、図3(4)に示すよう
に、マスク11が剥離除去され、次いで、バンプ電極1
3で覆われた部分を除いて、下地金属層9およびバリア
金属層10がエッチング除去される。
Auの電解めっきにより、バンプ電極13が、開口12
内に選択的に形成される。次に、図3(4)に示すよう
に、マスク11が剥離除去され、次いで、バンプ電極1
3で覆われた部分を除いて、下地金属層9およびバリア
金属層10がエッチング除去される。
【0006】このようにして、たとえば半導体素子とし
ての実装部品2が得られる。他方、図3(5)の一部に
示した配線基板3が用意される。配線基板3は、たとえ
ばセラミックのような絶縁性材料からなる基体14を備
え、この基体14上には、たとえばAuからなる配線導
体15が形成されている。前述のようにして得られた実
装部品2を配線基板3上に実装するため、図3(5)に
示すように、実装部品2のバンプ電極13を配線基板3
の配線導体15に対向させるように配置し、バンプ電極
13を配線導体15に対して熱圧着によりボンディング
する。このようにして、電子装置1が完成される。
ての実装部品2が得られる。他方、図3(5)の一部に
示した配線基板3が用意される。配線基板3は、たとえ
ばセラミックのような絶縁性材料からなる基体14を備
え、この基体14上には、たとえばAuからなる配線導
体15が形成されている。前述のようにして得られた実
装部品2を配線基板3上に実装するため、図3(5)に
示すように、実装部品2のバンプ電極13を配線基板3
の配線導体15に対向させるように配置し、バンプ電極
13を配線導体15に対して熱圧着によりボンディング
する。このようにして、電子装置1が完成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような実装部品2の配線基板3への実装方法によれ
ば、実装時に加わる熱衝撃および機械的圧力により、実
装部品2の表面保護膜7等のように、バンプ電極13に
接する部分およびその周辺において、損傷が生じること
がある。
たような実装部品2の配線基板3への実装方法によれ
ば、実装時に加わる熱衝撃および機械的圧力により、実
装部品2の表面保護膜7等のように、バンプ電極13に
接する部分およびその周辺において、損傷が生じること
がある。
【0008】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、電子装置の製造方法、より特定的には、
実装部品の配線基板への実装方法を提供しようとするこ
とである。
を解決し得る、電子装置の製造方法、より特定的には、
実装部品の配線基板への実装方法を提供しようとするこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、第1の配線
導体を形成した実装部品と第2の配線導体を形成した配
線基板とを備え、第1の配線導体と第2の配線導体と
が、互いに対向した状態でバンプ電極を介して電気的に
接続されることによって、実装部品が配線基板上に実装
された構造を有する、電子装置を製造する方法に向けら
れるものである。前述した技術的課題を解決するため、
この発明は、次のような構成を備えることを特徴として
いる。
導体を形成した実装部品と第2の配線導体を形成した配
線基板とを備え、第1の配線導体と第2の配線導体と
が、互いに対向した状態でバンプ電極を介して電気的に
接続されることによって、実装部品が配線基板上に実装
された構造を有する、電子装置を製造する方法に向けら
れるものである。前述した技術的課題を解決するため、
この発明は、次のような構成を備えることを特徴として
いる。
【0010】すなわち、第1の配線導体を形成した実装
部品を用意するとともに、第2の配線導体を形成した配
線基板を用意する。次いで、第1の配線導体と第2の配
線導体とが所定の間隔を隔てて対向するように、実装部
品を配線基板に対して位置決めする。その状態で、第1
の配線導体側からめっき金属を析出させて第1の金属突
起を成長させるとともに、第2の配線導体側からめっき
金属を析出させて第2の金属突起を成長させるように、
湿式めっきを実施する。そして、このめっき工程を、第
1の金属突起と第2の金属突起とが互いに接合するまで
実施する。
部品を用意するとともに、第2の配線導体を形成した配
線基板を用意する。次いで、第1の配線導体と第2の配
線導体とが所定の間隔を隔てて対向するように、実装部
品を配線基板に対して位置決めする。その状態で、第1
の配線導体側からめっき金属を析出させて第1の金属突
起を成長させるとともに、第2の配線導体側からめっき
金属を析出させて第2の金属突起を成長させるように、
湿式めっきを実施する。そして、このめっき工程を、第
1の金属突起と第2の金属突起とが互いに接合するまで
実施する。
【0011】この発明において、湿式めっきとしては、
電解めっきを適用することも、無電解めっきを適用する
こともできる。電解めっきを適用する場合、好ましく
は、実装部品を用意するとき、第1の配線導体に電気的
に接続される第1の給電用導体を形成することが行なわ
れ、かつ、配線基板を用意するとき、第2の配線導体に
電気的に接続される第2の給電用導体を形成することが
行なわれる。そして、これら第1および第2の給電用導
体が、電解めっきにおいてカソードとして用いられる。
電解めっきを適用することも、無電解めっきを適用する
こともできる。電解めっきを適用する場合、好ましく
は、実装部品を用意するとき、第1の配線導体に電気的
に接続される第1の給電用導体を形成することが行なわ
れ、かつ、配線基板を用意するとき、第2の配線導体に
電気的に接続される第2の給電用導体を形成することが
行なわれる。そして、これら第1および第2の給電用導
体が、電解めっきにおいてカソードとして用いられる。
【0012】上述した第1および第2の給電用導体の金
属突起以外の部分は、好ましくは、めっき工程の後に除
去される。また、なお好ましくは、実装部品を用意する
とき、第1の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第1の開口を有する第1のマスクを第1の給電用導体上
に形成することが行なわれ、かつ、配線基板を用意する
とき、第2の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第2の開口を有する第2のマスクを第2の給電用導体上
に形成することが行なわれる。そして、実装部品を配線
基板に対して位置決めする工程において、第1のマスク
と第2のマスクとの間に、めっき液の流通を許容する隙
間を形成するように、実装部品が配線基板に対して位置
決めされる。これら第1および第2のマスクは、めっき
工程の後に除去される。
属突起以外の部分は、好ましくは、めっき工程の後に除
去される。また、なお好ましくは、実装部品を用意する
とき、第1の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第1の開口を有する第1のマスクを第1の給電用導体上
に形成することが行なわれ、かつ、配線基板を用意する
とき、第2の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第2の開口を有する第2のマスクを第2の給電用導体上
に形成することが行なわれる。そして、実装部品を配線
基板に対して位置決めする工程において、第1のマスク
と第2のマスクとの間に、めっき液の流通を許容する隙
間を形成するように、実装部品が配線基板に対して位置
決めされる。これら第1および第2のマスクは、めっき
工程の後に除去される。
【0013】また、実装部品または配線基板を用意する
とき、上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を
形成するため、第1および第2のマスクの少なくとも一
方上にスペーサを形成しておいてもよい。湿式めっきと
して、無電解めっきを適用する場合、好ましくは、実装
部品を用意するとき、第1の金属突起を成長させるべき
空間を規定する第1の開口を有する第1のマスクを第1
の配線導体上に形成することが行なわれ、かつ、配線基
板を用意するとき、第2の金属突起を成長させるべき空
間を規定する第2の開口を有する第2のマスクを第2の
配線導体上に形成することが行なわれる。そして、実装
部品を配線基板に対して位置決めする工程において、第
1のマスクと第2のマスクとの間に、めっき液の流通を
許容する隙間を形成するように、実装部品が配線基板に
対して位置決めされ、その状態で、無電解めっきが実施
される。
とき、上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を
形成するため、第1および第2のマスクの少なくとも一
方上にスペーサを形成しておいてもよい。湿式めっきと
して、無電解めっきを適用する場合、好ましくは、実装
部品を用意するとき、第1の金属突起を成長させるべき
空間を規定する第1の開口を有する第1のマスクを第1
の配線導体上に形成することが行なわれ、かつ、配線基
板を用意するとき、第2の金属突起を成長させるべき空
間を規定する第2の開口を有する第2のマスクを第2の
配線導体上に形成することが行なわれる。そして、実装
部品を配線基板に対して位置決めする工程において、第
1のマスクと第2のマスクとの間に、めっき液の流通を
許容する隙間を形成するように、実装部品が配線基板に
対して位置決めされ、その状態で、無電解めっきが実施
される。
【0014】上述のように無電解めっきを適用する場合
においても、実装部品または配線基板を用意するとき、
上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を形成す
るため、第1および第2のマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておいてもよい。この発明は、特に、
実装部品が半導体素子であるとき、有利に適用される。
においても、実装部品または配線基板を用意するとき、
上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を形成す
るため、第1および第2のマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておいてもよい。この発明は、特に、
実装部品が半導体素子であるとき、有利に適用される。
【0015】
【発明の実施の形態】図1には、この発明の一実施形態
による電子装置21の製造方法が断面図で図解的に示さ
れている。製造されようとする電子装置21は、図1
(6)に示すように、実装部品22が配線基板23上に
実装された構造を有している。ここで、実装部品22
は、たとえば、チップ状の形態をなす半導体素子であ
る。
による電子装置21の製造方法が断面図で図解的に示さ
れている。製造されようとする電子装置21は、図1
(6)に示すように、実装部品22が配線基板23上に
実装された構造を有している。ここで、実装部品22
は、たとえば、チップ状の形態をなす半導体素子であ
る。
【0016】簡単に言えば、図1において、(1)およ
び(2)に示した各工程を順次経て、実装部品22側の
構造物を得、他方、(3)および(4)に示した各工程
を順次経て、配線基板23側の構造物を得、次いで、こ
れら実装部品22側の構造物および配線基板23側の構
造物を用いて、(5)に示した工程を実施して、(6)
に示した電子装置21を製造する。
び(2)に示した各工程を順次経て、実装部品22側の
構造物を得、他方、(3)および(4)に示した各工程
を順次経て、配線基板23側の構造物を得、次いで、こ
れら実装部品22側の構造物および配線基板23側の構
造物を用いて、(5)に示した工程を実施して、(6)
に示した電子装置21を製造する。
【0017】より詳細には、実装部品22側の構造物を
製造するため、まず、図1(1)に示すように、たとえ
ばGaAsからなる基体24が用意され、この基体24
上には、絶縁膜25を介して、たとえばAuからなる配
線導体26が形成される。配線導体26の形成に次い
で、たとえばSi3 N4 からなる表面保護膜27が形成
され、この表面保護膜27には、配線導体26の一部を
露出させる開口28が形成される。
製造するため、まず、図1(1)に示すように、たとえ
ばGaAsからなる基体24が用意され、この基体24
上には、絶縁膜25を介して、たとえばAuからなる配
線導体26が形成される。配線導体26の形成に次い
で、たとえばSi3 N4 からなる表面保護膜27が形成
され、この表面保護膜27には、配線導体26の一部を
露出させる開口28が形成される。
【0018】次いで、表面保護膜27を覆うように、た
とえば、膜厚約1.5μmのレジスト膜29が形成され
る。レジスト膜29には、前述の開口28に対応する位
置に、たとえば、50μm角の開口30が形成される。
次に、図1(2)に示すように、配線導体26およびレ
ジスト膜29を覆って、給電用導体31が形成される。
給電用導体31は、配線導体26に電気的に接続されて
いる。給電用導体31は、たとえば、スパッタリングデ
ポジション等により形成された、膜厚約100nmのA
u層によって構成される。
とえば、膜厚約1.5μmのレジスト膜29が形成され
る。レジスト膜29には、前述の開口28に対応する位
置に、たとえば、50μm角の開口30が形成される。
次に、図1(2)に示すように、配線導体26およびレ
ジスト膜29を覆って、給電用導体31が形成される。
給電用導体31は、配線導体26に電気的に接続されて
いる。給電用導体31は、たとえば、スパッタリングデ
ポジション等により形成された、膜厚約100nmのA
u層によって構成される。
【0019】次いで、給電用導体31上には、たとえば
レジスト材からなるマスク32が形成される。マスク3
2は、たとえば、約10μmの膜厚を有していて、前述
した開口30に対応する位置に、開口30と同じ大きさ
の、たとえば50μm角の開口33を形成するように、
パターニングされる。次いで、マスク32上には、たと
えば、約5μmの膜厚を有し、樹脂のような絶縁性物質
からなるスペーサ34が、局所的に形成される。
レジスト材からなるマスク32が形成される。マスク3
2は、たとえば、約10μmの膜厚を有していて、前述
した開口30に対応する位置に、開口30と同じ大きさ
の、たとえば50μm角の開口33を形成するように、
パターニングされる。次いで、マスク32上には、たと
えば、約5μmの膜厚を有し、樹脂のような絶縁性物質
からなるスペーサ34が、局所的に形成される。
【0020】このようにして、実装部品22側の構造物
が完成される。他方、配線基板23側の構造物を製造す
るため、図1(3)に示すように、まず、たとえばアル
ミナのような絶縁性のセラミックからなる基体35が用
意され、この基体35上には、たとえばAuからなる配
線導体36が形成される。配線導体36の形成に次い
で、たとえば、膜厚約1.5μmのレジスト膜37が形
成される。レジスト膜37には、前述のレジスト膜29
の開口30と同じ大きさの、たとえば50μm角の開口
38が形成される。
が完成される。他方、配線基板23側の構造物を製造す
るため、図1(3)に示すように、まず、たとえばアル
ミナのような絶縁性のセラミックからなる基体35が用
意され、この基体35上には、たとえばAuからなる配
線導体36が形成される。配線導体36の形成に次い
で、たとえば、膜厚約1.5μmのレジスト膜37が形
成される。レジスト膜37には、前述のレジスト膜29
の開口30と同じ大きさの、たとえば50μm角の開口
38が形成される。
【0021】次に、図1(4)に示すように、配線導体
36およびレジスト膜37を覆って、給電用導体39が
形成される。給電用導体39は、配線導体36に電気的
に接続されている。給電用導体39は、たとえば、スパ
ッタリングデポジション等により形成された、膜厚約1
00nmのAu層によって構成される。次いで、給電用
導体39上には、たとえばレジスト材からなるマスク4
0が形成される。マスク40は、好ましくは、前述した
マスク32と実質的に同じ膜厚であって、たとえば、約
10μmの膜厚を有していて、前述した開口38に対応
する位置に、開口38と同じ大きさの、たとえば50μ
m角の開口41を形成するように、パターニングされ
る。
36およびレジスト膜37を覆って、給電用導体39が
形成される。給電用導体39は、配線導体36に電気的
に接続されている。給電用導体39は、たとえば、スパ
ッタリングデポジション等により形成された、膜厚約1
00nmのAu層によって構成される。次いで、給電用
導体39上には、たとえばレジスト材からなるマスク4
0が形成される。マスク40は、好ましくは、前述した
マスク32と実質的に同じ膜厚であって、たとえば、約
10μmの膜厚を有していて、前述した開口38に対応
する位置に、開口38と同じ大きさの、たとえば50μ
m角の開口41を形成するように、パターニングされ
る。
【0022】このようにして、配線基板23側の構造物
が完成される。次に、図1(5)に示すように、実装部
品22側の開口33の中心と配線基板23側の開口41
の中心とが、基体24および35の延びる方向に対して
平行な方向において一致するようにアライメントを行な
った後、スペーサ34をマスク40に接触させた状態
で、実装部品22を配線基板23に対して位置決めす
る。この段階において、配線導体26と配線導体36と
は所定の間隔を隔てて対向しており、また、スペーサ3
4によって、マスク32とマスク40との間に隙間42
が形成される。
が完成される。次に、図1(5)に示すように、実装部
品22側の開口33の中心と配線基板23側の開口41
の中心とが、基体24および35の延びる方向に対して
平行な方向において一致するようにアライメントを行な
った後、スペーサ34をマスク40に接触させた状態
で、実装部品22を配線基板23に対して位置決めす
る。この段階において、配線導体26と配線導体36と
は所定の間隔を隔てて対向しており、また、スペーサ3
4によって、マスク32とマスク40との間に隙間42
が形成される。
【0023】次に、上述の状態を保持しながら、実装部
品22および配線基板23が電解めっき液中に浸漬さ
れ、給電用導体31および39をカソードとして電解め
っきが実施される。このとき、上述した隙間42を通っ
て、めっき液がマスク32および40にそれぞれ形成さ
れた開口33および41内にも流通する。めっき液は、
好ましくは、たとえばスターラーによって攪拌され、あ
るいは、ポンプによって循環される。めっき液として
は、たとえば、温度65℃のAu電解めっき液が用いら
れる。
品22および配線基板23が電解めっき液中に浸漬さ
れ、給電用導体31および39をカソードとして電解め
っきが実施される。このとき、上述した隙間42を通っ
て、めっき液がマスク32および40にそれぞれ形成さ
れた開口33および41内にも流通する。めっき液は、
好ましくは、たとえばスターラーによって攪拌され、あ
るいは、ポンプによって循環される。めっき液として
は、たとえば、温度65℃のAu電解めっき液が用いら
れる。
【0024】このめっき工程において、マスク32に形
成された開口33によって規定された空間内において、
配線導体26側の給電用導体31上にめっき金属が析出
し、第1の金属突起43が成長するとともに、マスク4
0に形成された開口41によって規定された空間内にお
いて、配線導体36側の給電用導体39上にめっき金属
が析出し、第2の金属突起44が成長する。
成された開口33によって規定された空間内において、
配線導体26側の給電用導体31上にめっき金属が析出
し、第1の金属突起43が成長するとともに、マスク4
0に形成された開口41によって規定された空間内にお
いて、配線導体36側の給電用導体39上にめっき金属
が析出し、第2の金属突起44が成長する。
【0025】上述しためっき工程は、第1の金属突起4
3と第2の金属突起44とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図1(5)では、第1およ
び第2の金属突起43および44が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第1
および第2の金属突起43および44をもって、バンプ
電極45が形成される。なお、第1の金属突起43と第
2の金属突起44とが互いに接合した時点は、たとえ
ば、給電用導体31と給電用導体39との間での電気的
導通状態を監視することによって、知ることができる。
3と第2の金属突起44とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図1(5)では、第1およ
び第2の金属突起43および44が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第1
および第2の金属突起43および44をもって、バンプ
電極45が形成される。なお、第1の金属突起43と第
2の金属突起44とが互いに接合した時点は、たとえ
ば、給電用導体31と給電用導体39との間での電気的
導通状態を監視することによって、知ることができる。
【0026】次に、マスク32および40が、たとえ
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去され、次い
で、給電用導体31および39の金属突起以外の部分す
なわちバンプ電極45から露出した部分が、たとえば、
KIエッチング液によってエッチング除去される。さら
に、レジスト膜29および37が、たとえば、アセトン
等の有機溶剤によって剥離除去される。
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去され、次い
で、給電用導体31および39の金属突起以外の部分す
なわちバンプ電極45から露出した部分が、たとえば、
KIエッチング液によってエッチング除去される。さら
に、レジスト膜29および37が、たとえば、アセトン
等の有機溶剤によって剥離除去される。
【0027】このようにして、図1(6)に示すよう
に、互いに対向する配線導体26と配線導体36とがバ
ンプ電極45を介して電気的に接続された状態で、実装
部品22を配線基板23上に実装した構造を有する、電
子装置21が得られる。ここで、バンプ電極45の形成
と実装部品22の配線基板23への実装との双方が同時
に達成されることに注目すべきである。しかも、これら
バンプ電極45の形成および実装部品22の配線基板2
3への実装は、強い熱衝撃や機械的圧力の加わらない工
程を経て達成されることができる。したがって、実装に
よる実装部品22の性能劣化や表面保護膜27でのクラ
ック等の発生を確実に防止することができる。
に、互いに対向する配線導体26と配線導体36とがバ
ンプ電極45を介して電気的に接続された状態で、実装
部品22を配線基板23上に実装した構造を有する、電
子装置21が得られる。ここで、バンプ電極45の形成
と実装部品22の配線基板23への実装との双方が同時
に達成されることに注目すべきである。しかも、これら
バンプ電極45の形成および実装部品22の配線基板2
3への実装は、強い熱衝撃や機械的圧力の加わらない工
程を経て達成されることができる。したがって、実装に
よる実装部品22の性能劣化や表面保護膜27でのクラ
ック等の発生を確実に防止することができる。
【0028】なお、給電用導体31および39は、前述
のように、金属突起以外の部分において除去されたが、
電子装置21が完成したとき、給電用導体31および/
または39が、そのまま、実装部品22および/または
配線基板23における導電経路として用いられる場合に
は、除去されることなく残されてもよい。また、実装部
品22に形成された配線導体26の一部および/または
配線基板23に形成された配線導体36の一部が、給電
用導体として機能し得る態様で形成されている場合に
は、給電用導体を特別に形成する必要はない。
のように、金属突起以外の部分において除去されたが、
電子装置21が完成したとき、給電用導体31および/
または39が、そのまま、実装部品22および/または
配線基板23における導電経路として用いられる場合に
は、除去されることなく残されてもよい。また、実装部
品22に形成された配線導体26の一部および/または
配線基板23に形成された配線導体36の一部が、給電
用導体として機能し得る態様で形成されている場合に
は、給電用導体を特別に形成する必要はない。
【0029】上述した実施形態では、バンプ電極45
は、電解めっきにより形成されたが、以下に説明する実
施形態のように、無電解めっきにより形成されてもよ
い。図2には、この発明の他の実施形態による電子装置
21aの製造方法が断面図で図解的に示されている。図
2において、図1に示した要素に相当する要素には同様
の参照符号を付し、重複する説明を省略することがあ
る。
は、電解めっきにより形成されたが、以下に説明する実
施形態のように、無電解めっきにより形成されてもよ
い。図2には、この発明の他の実施形態による電子装置
21aの製造方法が断面図で図解的に示されている。図
2において、図1に示した要素に相当する要素には同様
の参照符号を付し、重複する説明を省略することがあ
る。
【0030】この実施形態において製造されようとする
電子装置21aは、図2(4)に示すように、実装部品
22aが配線基板23a上に実装された構造を有してい
る。ここで、実装部品22aも、たとえば、チップ状の
形態をなす半導体素子である。簡単に言えば、図2にお
いて、(1)に示した工程を経て、実装部品22a側の
構造物を製造し、他方、(2)に示した工程を経て、配
線基板23a側の構造物を製造し、次いで、これら実装
部品22a側の構造物および配線基板23a側の構造物
を用いて、(3)に示した工程を実施して、(4)に示
した電子装置21aを製造する。
電子装置21aは、図2(4)に示すように、実装部品
22aが配線基板23a上に実装された構造を有してい
る。ここで、実装部品22aも、たとえば、チップ状の
形態をなす半導体素子である。簡単に言えば、図2にお
いて、(1)に示した工程を経て、実装部品22a側の
構造物を製造し、他方、(2)に示した工程を経て、配
線基板23a側の構造物を製造し、次いで、これら実装
部品22a側の構造物および配線基板23a側の構造物
を用いて、(3)に示した工程を実施して、(4)に示
した電子装置21aを製造する。
【0031】より詳細には、図2(1)に示すように、
実装部品22a側の構造物を製造するため、まず、たと
えばGaAsからなる基体24が用意され、この基体2
4上には、絶縁膜25を介して、たとえばAuからなる
配線導体26が形成される。配線導体26の形成に次い
で、たとえばSi3 N4 からなる表面保護膜27が形成
され、この表面保護膜27には、配線導体26の一部を
露出させる開口28が形成される。
実装部品22a側の構造物を製造するため、まず、たと
えばGaAsからなる基体24が用意され、この基体2
4上には、絶縁膜25を介して、たとえばAuからなる
配線導体26が形成される。配線導体26の形成に次い
で、たとえばSi3 N4 からなる表面保護膜27が形成
され、この表面保護膜27には、配線導体26の一部を
露出させる開口28が形成される。
【0032】次いで、表面保護膜27を覆うように、た
とえばレジスト材からなるマスク32が形成される。マ
スク32は、たとえば、約5μmの膜厚を有していて、
前述した開口28に対応する位置に、たとえば50μm
角の開口33を形成するように、パターニングされる。
次いで、マスク32上には、たとえば、約5μmの膜厚
を有し、樹脂のような絶縁性物質からなるスペーサ34
が、局所的に形成される。
とえばレジスト材からなるマスク32が形成される。マ
スク32は、たとえば、約5μmの膜厚を有していて、
前述した開口28に対応する位置に、たとえば50μm
角の開口33を形成するように、パターニングされる。
次いで、マスク32上には、たとえば、約5μmの膜厚
を有し、樹脂のような絶縁性物質からなるスペーサ34
が、局所的に形成される。
【0033】このようにして、実装部品22a側の構造
物が完成される。なお、開口33内の配線導体26上
に、たとえばNi−PやNi−B等のバリア金属層、お
よびたとえば置換型フラッシュAu等の被着層を、順
次、無電解めっきにより形成してもよい。他方、図2
(2)に示すように、配線基板23a側の構造物を製造
するため、まず、たとえばアルミナのような絶縁性のセ
ラミックからなる基体35が用意され、この基体35上
には、たとえばAuからなる配線導体36が形成され
る。
物が完成される。なお、開口33内の配線導体26上
に、たとえばNi−PやNi−B等のバリア金属層、お
よびたとえば置換型フラッシュAu等の被着層を、順
次、無電解めっきにより形成してもよい。他方、図2
(2)に示すように、配線基板23a側の構造物を製造
するため、まず、たとえばアルミナのような絶縁性のセ
ラミックからなる基体35が用意され、この基体35上
には、たとえばAuからなる配線導体36が形成され
る。
【0034】配線導体36の形成に次いで、たとえばレ
ジスト材からなるマスク40が形成される。マスク40
は、好ましくは、前述したマスク32と実質的に同じ膜
厚であって、たとえば、約5μmの膜厚を有していて、
前述した開口33と同じ大きさの、たとえば50μm角
の開口41を形成するように、パターニングされる。こ
のようにして、配線基板23a側の構造物が完成され
る。
ジスト材からなるマスク40が形成される。マスク40
は、好ましくは、前述したマスク32と実質的に同じ膜
厚であって、たとえば、約5μmの膜厚を有していて、
前述した開口33と同じ大きさの、たとえば50μm角
の開口41を形成するように、パターニングされる。こ
のようにして、配線基板23a側の構造物が完成され
る。
【0035】なお、開口41内の配線導体36上に、た
とえばNi−PやNi−B等のバリア金属層、およびた
とえば置換型フラッシュAu等の被着層を、順次、無電
解めっきにより形成してもよい。次に、図2(3)に示
すように、実装部品22a側の開口33の中心と配線基
板23a側の開口41の中心とが、基体24および35
の延びる方向に対して平行な方向において一致するよう
にアライメントを行なった後、スペーサ34をマスク4
0に接触させた状態で、実装部品22aを配線基板23
aに対して位置決めする。この段階において、配線導体
26と配線導体36とは所定の間隔を隔てて対向してお
り、また、スペーサ34によって、マスク32とマスク
40との間に隙間42が形成される。
とえばNi−PやNi−B等のバリア金属層、およびた
とえば置換型フラッシュAu等の被着層を、順次、無電
解めっきにより形成してもよい。次に、図2(3)に示
すように、実装部品22a側の開口33の中心と配線基
板23a側の開口41の中心とが、基体24および35
の延びる方向に対して平行な方向において一致するよう
にアライメントを行なった後、スペーサ34をマスク4
0に接触させた状態で、実装部品22aを配線基板23
aに対して位置決めする。この段階において、配線導体
26と配線導体36とは所定の間隔を隔てて対向してお
り、また、スペーサ34によって、マスク32とマスク
40との間に隙間42が形成される。
【0036】次に、上述の状態を保持しながら、実装部
品22aおよび配線基板23aが無電解めっき液中に浸
漬され、無電解めっきが実施される。このとき、上述し
た隙間42を通って、めっき液がマスク32および40
にそれぞれ形成された開口33および41内にも流通す
る。この無電解めっきにおいて、たとえば、自己触媒型
のAu無電解めっきが実施される。
品22aおよび配線基板23aが無電解めっき液中に浸
漬され、無電解めっきが実施される。このとき、上述し
た隙間42を通って、めっき液がマスク32および40
にそれぞれ形成された開口33および41内にも流通す
る。この無電解めっきにおいて、たとえば、自己触媒型
のAu無電解めっきが実施される。
【0037】このめっき工程において、マスク32に形
成された開口33によって規定された空間内において、
配線導体26上にめっき金属が析出し、第1の金属突起
43が成長するとともに、マスク40に形成された開口
41によって規定された空間内において、配線導体36
上にめっき金属が析出し、第2の金属突起44が成長す
る。
成された開口33によって規定された空間内において、
配線導体26上にめっき金属が析出し、第1の金属突起
43が成長するとともに、マスク40に形成された開口
41によって規定された空間内において、配線導体36
上にめっき金属が析出し、第2の金属突起44が成長す
る。
【0038】上述しためっき工程は、第1の金属突起4
3と第2の金属突起44とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図2(3)では、第1およ
び第2の金属突起43および44が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第1
および第2の金属突起43および44をもって、バンプ
電極45が形成される。この実施形態においても、第1
の金属突起43と第2の金属突起44とが互いに接合し
た時点は、たとえば、給電用導体31と給電用導体39
との間での電気的導通状態を監視することによって、知
ることができる。
3と第2の金属突起44とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図2(3)では、第1およ
び第2の金属突起43および44が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第1
および第2の金属突起43および44をもって、バンプ
電極45が形成される。この実施形態においても、第1
の金属突起43と第2の金属突起44とが互いに接合し
た時点は、たとえば、給電用導体31と給電用導体39
との間での電気的導通状態を監視することによって、知
ることができる。
【0039】次に、マスク32および40が、たとえ
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去される。こ
のようにして、図2(4)に示すように、互いに対向す
る配線導体26と配線導体36とがバンプ電極45を介
して電気的に接続された状態で、実装部品22aを配線
基板23a上に実装した構造を有する、電子装置21a
が得られる。この実施形態においても、バンプ電極45
の形成と実装部品22aの配線基板23aへの実装との
双方が同時に達成されることに注目すべきである。しか
も、これらバンプ電極45の形成および実装部品22a
の配線基板23aへの実装は、強い熱衝撃や機械的圧力
の加わらない工程を経て達成されることができる。した
がって、実装による実装部品22aの性能劣化や表面保
護膜27でのクラック等の発生を確実に防止することが
できる。
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去される。こ
のようにして、図2(4)に示すように、互いに対向す
る配線導体26と配線導体36とがバンプ電極45を介
して電気的に接続された状態で、実装部品22aを配線
基板23a上に実装した構造を有する、電子装置21a
が得られる。この実施形態においても、バンプ電極45
の形成と実装部品22aの配線基板23aへの実装との
双方が同時に達成されることに注目すべきである。しか
も、これらバンプ電極45の形成および実装部品22a
の配線基板23aへの実装は、強い熱衝撃や機械的圧力
の加わらない工程を経て達成されることができる。した
がって、実装による実装部品22aの性能劣化や表面保
護膜27でのクラック等の発生を確実に防止することが
できる。
【0040】この実施形態によれば、無電解めっきを適
用するので、電解めっきにおいてカソードとして機能す
る給電用導体を必要としないことにも注目すべきであ
る。以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明
したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変
形が可能である。たとえば、図示した実施形態では、ス
ペーサ34は、実装部品22または22a側のマスク3
2上に形成されたが、配線基板23または23a側のマ
スク40上に形成されても、あるいは、マスク32およ
び40の双方上に形成されてもよい。また、このような
スペーサは、マスク32または40上に予め形成してお
くのではなく、別体として用意し、実装部品22または
22aと配線基板23または23aとを位置決めする段
階で、マスク32とマスク40との間に配置してもよ
く、さらには、スペーサを用いることなく、マスク32
とマスク40との間に、めっき液の流通を許容する隙間
を形成するようにしてもよい。
用するので、電解めっきにおいてカソードとして機能す
る給電用導体を必要としないことにも注目すべきであ
る。以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明
したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変
形が可能である。たとえば、図示した実施形態では、ス
ペーサ34は、実装部品22または22a側のマスク3
2上に形成されたが、配線基板23または23a側のマ
スク40上に形成されても、あるいは、マスク32およ
び40の双方上に形成されてもよい。また、このような
スペーサは、マスク32または40上に予め形成してお
くのではなく、別体として用意し、実装部品22または
22aと配線基板23または23aとを位置決めする段
階で、マスク32とマスク40との間に配置してもよ
く、さらには、スペーサを用いることなく、マスク32
とマスク40との間に、めっき液の流通を許容する隙間
を形成するようにしてもよい。
【0041】また、図示した実施形態では、バンプ電極
45となるめっき金属を析出させる領域を規定するため
のマスク32および40は、それぞれ、予め実装部品2
2または22aおよび配線基板23および23aによっ
て保持された状態とされて、めっき工程が実施された
が、マスクを別体として用意し、実装部品22または2
2aと配線基板23または23aとを位置決めする段階
で、このような別体としてのマスクを両者間に配置する
ようにしてもよい。この場合、マスクは、それ自身、め
っき液の流通を許容する通路を備えていてもよい。な
お、バンプ電極45となるめっき金属を析出させるべき
領域を厳密に規定する必要がない場合には、上述のよう
なマスクがなくてもよい。
45となるめっき金属を析出させる領域を規定するため
のマスク32および40は、それぞれ、予め実装部品2
2または22aおよび配線基板23および23aによっ
て保持された状態とされて、めっき工程が実施された
が、マスクを別体として用意し、実装部品22または2
2aと配線基板23または23aとを位置決めする段階
で、このような別体としてのマスクを両者間に配置する
ようにしてもよい。この場合、マスクは、それ自身、め
っき液の流通を許容する通路を備えていてもよい。な
お、バンプ電極45となるめっき金属を析出させるべき
領域を厳密に規定する必要がない場合には、上述のよう
なマスクがなくてもよい。
【0042】また、図示した実施形態では、実装部品2
2または22aは、半導体素子であったが、これに限ら
ず、その他の電子部品であってもよい。
2または22aは、半導体素子であったが、これに限ら
ず、その他の電子部品であってもよい。
【0043】
【発明の効果】このように、この発明によれば、実装部
品に備える第1の配線導体と配線基板に備える第2の配
線導体とを、互いに対向させながら、バンプ電極を介し
て電気的に接続した状態にある、実装部品の配線基板へ
の実装構造を有する電子装置を得るため、第1の配線導
体と第2の配線導体とが所定の間隔を隔てて対向するよ
うに、実装部品を配線基板に対して位置決めし、その状
態で、第1の配線導体側からめっき金属を析出させて第
1の金属突起を成長させるとともに、第2の配線導体側
からめっき金属を析出させて第2の金属突起を成長させ
るように、湿式めっきを実施するので、第1の金属突起
と第2の金属突起とが互いに接合したとき、これら第1
および第2の金属突起をもってバンプ電極が形成される
とともに、実装部品の配線基板への実装が達成される。
品に備える第1の配線導体と配線基板に備える第2の配
線導体とを、互いに対向させながら、バンプ電極を介し
て電気的に接続した状態にある、実装部品の配線基板へ
の実装構造を有する電子装置を得るため、第1の配線導
体と第2の配線導体とが所定の間隔を隔てて対向するよ
うに、実装部品を配線基板に対して位置決めし、その状
態で、第1の配線導体側からめっき金属を析出させて第
1の金属突起を成長させるとともに、第2の配線導体側
からめっき金属を析出させて第2の金属突起を成長させ
るように、湿式めっきを実施するので、第1の金属突起
と第2の金属突起とが互いに接合したとき、これら第1
および第2の金属突起をもってバンプ電極が形成される
とともに、実装部品の配線基板への実装が達成される。
【0044】したがって、バンプ電極の形成と実装とが
同時に達成されるので、能率的であるばかりでなく、実
装にあたり、従来のように、強い熱衝撃や圧力が加わる
熱圧着によるボンディングを適用する必要がないので、
実装部品等に損傷を生じることを有利に防止できる。こ
の発明において、湿式めっきとして、電解めっきを適用
する場合、第1の配線導体に電気的に接続される第1の
給電用導体を形成するとともに、第2の配線導体に電気
的に接続される第2の給電用導体を形成するようにすれ
ば、これら第1および第2の給電用導体をカソードとし
て用いることにより、第1および第2の配線導体の形態
にかかわらず、電解めっきを実施することができる。
同時に達成されるので、能率的であるばかりでなく、実
装にあたり、従来のように、強い熱衝撃や圧力が加わる
熱圧着によるボンディングを適用する必要がないので、
実装部品等に損傷を生じることを有利に防止できる。こ
の発明において、湿式めっきとして、電解めっきを適用
する場合、第1の配線導体に電気的に接続される第1の
給電用導体を形成するとともに、第2の配線導体に電気
的に接続される第2の給電用導体を形成するようにすれ
ば、これら第1および第2の給電用導体をカソードとし
て用いることにより、第1および第2の配線導体の形態
にかかわらず、電解めっきを実施することができる。
【0045】他方、この発明において、湿式めっきとし
て、無電解めっきを適用する場合には、第1および第2
の配線導体の形態にかかわらず、上述の給電用導体を形
成することなく、無電解めっきを実施することができ
る。また、バンプ電極となるめっき金属の析出によりも
たらされる金属突起を成長させるべき空間を規定するた
めのマスクが用いられると、バンプ電極を常に適正な形
態で形成することができる。
て、無電解めっきを適用する場合には、第1および第2
の配線導体の形態にかかわらず、上述の給電用導体を形
成することなく、無電解めっきを実施することができ
る。また、バンプ電極となるめっき金属の析出によりも
たらされる金属突起を成長させるべき空間を規定するた
めのマスクが用いられると、バンプ電極を常に適正な形
態で形成することができる。
【0046】また、上述のようなマスクが実装部品およ
び配線基板の各側に予め形成されていると、実装部品を
配線基板に対して位置決めするだけで、マスクを、マス
クとして適正に機能するように、位置させることができ
る。また、上述したようなマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておけば、めっき液の流通を許容する
隙間を形成することが容易である。
び配線基板の各側に予め形成されていると、実装部品を
配線基板に対して位置決めするだけで、マスクを、マス
クとして適正に機能するように、位置させることができ
る。また、上述したようなマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておけば、めっき液の流通を許容する
隙間を形成することが容易である。
【図1】この発明の一実施形態による電子装置21の製
造方法を説明するためのもので、電子装置21を製造す
るための工程を図解的に順次示す断面図である。
造方法を説明するためのもので、電子装置21を製造す
るための工程を図解的に順次示す断面図である。
【図2】この発明の他の実施形態による電子装置21a
の製造方法を説明するためのもので、電子装置21aを
製造するための工程を図解的に順次示す断面図である。
の製造方法を説明するためのもので、電子装置21aを
製造するための工程を図解的に順次示す断面図である。
【図3】従来の電子装置1の製造方法を説明するための
もので、電子装置1を製造するための工程を図解的に順
次示す断面図である。
もので、電子装置1を製造するための工程を図解的に順
次示す断面図である。
21,21a 電子装置 22,22a 実装部品 23,23a 配線基板 26,36 配線導体 31,39 給電用導体 32,40 マスク 33,41 開口 34 スペーサ 42 隙間 43,44 金属突起 45 バンプ電極
Claims (8)
- 【請求項1】 第1の配線導体を形成した実装部品を用
意するとともに、第2の配線導体を形成した配線基板を
用意し、 前記第1の配線導体と前記第2の配線導体とが所定の間
隔を隔てて対向するように、前記実装部品を前記配線基
板に対して位置決めし、 その状態で、前記第1の配線導体側からめっき金属を析
出させて第1の金属突起を成長させるとともに、前記第
2の配線導体側からめっき金属を析出させて第2の金属
突起を成長させるように、湿式めっきを実施する、各工
程を備え、 前記めっき工程は、前記第1の金属突起と前記第2の金
属突起とが互いに接合するまで実施される、電子装置の
製造方法。 - 【請求項2】 前記実装部品を用意する工程は、前記第
1の配線導体に電気的に接続される第1の給電用導体を
形成する工程を含み、 前記配線基板を用意する工程は、前記第2の配線導体に
電気的に接続される第2の給電用導体を形成する工程を
含み、 前記めっき工程は、前記第1および第2の給電用導体を
カソードとして電解めっきする工程を含む、請求項1に
記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記めっき工程の後に、前記第1および
第2の給電用導体の金属突起以外の部分を除去する工程
をさらに備える、請求項2に記載の電子装置の製造方
法。 - 【請求項4】 前記実装部品を用意する工程は、前記第
1の金属突起を成長させるべき空間を規定する第1の開
口を有する第1のマスクを前記第1の給電用導体上に形
成する工程を含み、 前記配線基板を用意する工程は、前記第2の金属突起を
成長させるべき空間を規定する第2の開口を有する第2
のマスクを前記第2の給電用導体上に形成する工程を含
み、 前記実装部品を前記配線基板に対して位置決めする工程
において、前記第1のマスクと前記第2のマスクとの間
に、めっき液の流通を許容する隙間を形成するように、
前記実装部品が前記配線基板に対して位置決めされ、 前記めっき工程の後に、前記第1および第2のマスクを
除去する工程をさらに備える、請求項2または3に記載
の電子装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記実装部品を用意する工程または前記
配線基板を用意する工程は、前記第1および第2のマス
クの少なくとも一方上に前記隙間を形成するためのスペ
ーサを形成する工程を含む、請求項4に記載の電子装置
の製造方法。 - 【請求項6】 前記実装部品を用意する工程は、前記第
1の金属突起を成長させるべき空間を規定する第1の開
口を有する第1のマスクを前記第1の配線導体上に形成
する工程を含み、 前記配線基板を用意する工程は、前記第2の金属突起を
成長させるべき空間を規定する第2の開口を有する第2
のマスクを前記第2の配線導体上に形成する工程を含
み、 前記実装部品を前記配線基板に対して位置決めする工程
において、前記第1のマスクと前記第2のマスクとの間
に、めっき液の流通を許容する隙間を形成するように、
前記実装部品が前記配線基板に対して位置決めされ、 前記めっき工程は、無電解めっきする工程を含む、請求
項1に記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記実装部品を用意する工程または前記
配線基板を用意する工程は、前記第1および第2のマス
クの少なくとも一方上に前記隙間を形成するためのスペ
ーサを形成する工程を含む、請求項6に記載の電子装置
の製造方法。 - 【請求項8】 前記実装部品は、半導体素子である、請
求項1ないし7のいずれかに記載の電子装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9031534A JPH10229271A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9031534A JPH10229271A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電子装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10229271A true JPH10229271A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12333874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9031534A Pending JPH10229271A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10229271A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10480094B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-11-19 | Iontra LLC | Electrochemical methods, devices and compositions |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP9031534A patent/JPH10229271A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10480094B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-11-19 | Iontra LLC | Electrochemical methods, devices and compositions |
US10697083B2 (en) | 2016-07-13 | 2020-06-30 | Ionta LLC | Electrochemical methods, devices and compositions |
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