JPH10229271A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置の製造方法Info
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- JPH10229271A JPH10229271A JP9031534A JP3153497A JPH10229271A JP H10229271 A JPH10229271 A JP H10229271A JP 9031534 A JP9031534 A JP 9031534A JP 3153497 A JP3153497 A JP 3153497A JP H10229271 A JPH10229271 A JP H10229271A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装部品に備える配線導体と配線基板に備え
る配線導体とを互いに対向させてバンプ電極で接続し
た、実装部品の配線基板への実装構造を、強い熱衝撃や
圧力の加わらない方法で得て、実装部品に損傷が生じな
いようにする。 【解決手段】 実装部品２２側の配線導体２６と配線基
板２３側の配線導体３６とが所定の間隔を隔てて対向す
るように位置決めした状態で、めっき液中に浸漬し、配
線導体２６側および配線導体３６側からそれぞれめっき
金属を析出させて金属突起４３，４４を成長させ、これ
ら金属突起４３，４４が互いに接合するまでめっきを実
施する。電解めっきを行なう場合には、配線導体２６，
３６にそれぞれ電気的に接続される給電用導体３１，３
９を形成しておき、これら給電用導体３１，３９をカソ
ードとして機能させる。
る配線導体とを互いに対向させてバンプ電極で接続し
た、実装部品の配線基板への実装構造を、強い熱衝撃や
圧力の加わらない方法で得て、実装部品に損傷が生じな
いようにする。 【解決手段】 実装部品２２側の配線導体２６と配線基
板２３側の配線導体３６とが所定の間隔を隔てて対向す
るように位置決めした状態で、めっき液中に浸漬し、配
線導体２６側および配線導体３６側からそれぞれめっき
金属を析出させて金属突起４３，４４を成長させ、これ
ら金属突起４３，４４が互いに接合するまでめっきを実
施する。電解めっきを行なう場合には、配線導体２６，
３６にそれぞれ電気的に接続される給電用導体３１，３
９を形成しておき、これら給電用導体３１，３９をカソ
ードとして機能させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば半導体
素子のような実装部品が配線基板上に実装された構造を
有する電子装置を製造する方法に関するもので、特に、
バンプ電極を介して実装部品が配線基板上に実装された
構造を有する電子装置の製造方法に関するものである。
素子のような実装部品が配線基板上に実装された構造を
有する電子装置を製造する方法に関するもので、特に、
バンプ電極を介して実装部品が配線基板上に実装された
構造を有する電子装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３には、この発明にとって興味ある従
来の電子装置１の製造方法が断面図で図解的に示されて
いる。図３において、（１）〜（４）に示した各工程を
順次経て、（５）に示した電子装置１が製造される。電
子装置１は、実装部品２が配線基板３上に実装された構
造を有している。
来の電子装置１の製造方法が断面図で図解的に示されて
いる。図３において、（１）〜（４）に示した各工程を
順次経て、（５）に示した電子装置１が製造される。電
子装置１は、実装部品２が配線基板３上に実装された構
造を有している。
【０００３】このような電子装置１を製造するため、実
装部品２が用意されるとともに、配線基板３が用意され
る。ここで、実装部品２は、たとえば、チップ状の形態
をなす半導体素子である。実装部品２を得るため、ま
ず、図３（１）に示すように、たとえばシリコンからな
る基体４が用意され、この基体４上には、酸化膜５を介
して、たとえばＡｌからなる配線導体６が形成される。
配線導体６の形成に次いで、たとえばＳｉ3Ｎ4 からな
る表面保護膜７が形成され、この表面保護膜７には、配
線導体６の一部を露出させる開口８が形成される。
装部品２が用意されるとともに、配線基板３が用意され
る。ここで、実装部品２は、たとえば、チップ状の形態
をなす半導体素子である。実装部品２を得るため、ま
ず、図３（１）に示すように、たとえばシリコンからな
る基体４が用意され、この基体４上には、酸化膜５を介
して、たとえばＡｌからなる配線導体６が形成される。
配線導体６の形成に次いで、たとえばＳｉ3Ｎ4 からな
る表面保護膜７が形成され、この表面保護膜７には、配
線導体６の一部を露出させる開口８が形成される。
【０００４】次に、図３（２）に示すように、配線導体
６および表面保護膜７を覆って、たとえばＴｉからなる
下地金属層９が形成され、次いで、たとえばＣｕからな
るバリア金属層１０が積層される。さらに、バリア金属
層１０上には、たとえばレジスト材からなるマスク１１
が形成される。マスク１１は、前述した開口８に対応す
る位置に開口１２を形成するように、パターニングされ
る。
６および表面保護膜７を覆って、たとえばＴｉからなる
下地金属層９が形成され、次いで、たとえばＣｕからな
るバリア金属層１０が積層される。さらに、バリア金属
層１０上には、たとえばレジスト材からなるマスク１１
が形成される。マスク１１は、前述した開口８に対応す
る位置に開口１２を形成するように、パターニングされ
る。
【０００５】次に、図３（３）に示すように、たとえば
Ａｕの電解めっきにより、バンプ電極１３が、開口１２
内に選択的に形成される。次に、図３（４）に示すよう
に、マスク１１が剥離除去され、次いで、バンプ電極１
３で覆われた部分を除いて、下地金属層９およびバリア
金属層１０がエッチング除去される。
Ａｕの電解めっきにより、バンプ電極１３が、開口１２
内に選択的に形成される。次に、図３（４）に示すよう
に、マスク１１が剥離除去され、次いで、バンプ電極１
３で覆われた部分を除いて、下地金属層９およびバリア
金属層１０がエッチング除去される。
【０００６】このようにして、たとえば半導体素子とし
ての実装部品２が得られる。他方、図３（５）の一部に
示した配線基板３が用意される。配線基板３は、たとえ
ばセラミックのような絶縁性材料からなる基体１４を備
え、この基体１４上には、たとえばＡｕからなる配線導
体１５が形成されている。前述のようにして得られた実
装部品２を配線基板３上に実装するため、図３（５）に
示すように、実装部品２のバンプ電極１３を配線基板３
の配線導体１５に対向させるように配置し、バンプ電極
１３を配線導体１５に対して熱圧着によりボンディング
する。このようにして、電子装置１が完成される。
ての実装部品２が得られる。他方、図３（５）の一部に
示した配線基板３が用意される。配線基板３は、たとえ
ばセラミックのような絶縁性材料からなる基体１４を備
え、この基体１４上には、たとえばＡｕからなる配線導
体１５が形成されている。前述のようにして得られた実
装部品２を配線基板３上に実装するため、図３（５）に
示すように、実装部品２のバンプ電極１３を配線基板３
の配線導体１５に対向させるように配置し、バンプ電極
１３を配線導体１５に対して熱圧着によりボンディング
する。このようにして、電子装置１が完成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような実装部品２の配線基板３への実装方法によれ
ば、実装時に加わる熱衝撃および機械的圧力により、実
装部品２の表面保護膜７等のように、バンプ電極１３に
接する部分およびその周辺において、損傷が生じること
がある。
たような実装部品２の配線基板３への実装方法によれ
ば、実装時に加わる熱衝撃および機械的圧力により、実
装部品２の表面保護膜７等のように、バンプ電極１３に
接する部分およびその周辺において、損傷が生じること
がある。
【０００８】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、電子装置の製造方法、より特定的には、
実装部品の配線基板への実装方法を提供しようとするこ
とである。
を解決し得る、電子装置の製造方法、より特定的には、
実装部品の配線基板への実装方法を提供しようとするこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１の配線
導体を形成した実装部品と第２の配線導体を形成した配
線基板とを備え、第１の配線導体と第２の配線導体と
が、互いに対向した状態でバンプ電極を介して電気的に
接続されることによって、実装部品が配線基板上に実装
された構造を有する、電子装置を製造する方法に向けら
れるものである。前述した技術的課題を解決するため、
この発明は、次のような構成を備えることを特徴として
いる。
導体を形成した実装部品と第２の配線導体を形成した配
線基板とを備え、第１の配線導体と第２の配線導体と
が、互いに対向した状態でバンプ電極を介して電気的に
接続されることによって、実装部品が配線基板上に実装
された構造を有する、電子装置を製造する方法に向けら
れるものである。前述した技術的課題を解決するため、
この発明は、次のような構成を備えることを特徴として
いる。
【００１０】すなわち、第１の配線導体を形成した実装
部品を用意するとともに、第２の配線導体を形成した配
線基板を用意する。次いで、第１の配線導体と第２の配
線導体とが所定の間隔を隔てて対向するように、実装部
品を配線基板に対して位置決めする。その状態で、第１
の配線導体側からめっき金属を析出させて第１の金属突
起を成長させるとともに、第２の配線導体側からめっき
金属を析出させて第２の金属突起を成長させるように、
湿式めっきを実施する。そして、このめっき工程を、第
１の金属突起と第２の金属突起とが互いに接合するまで
実施する。
部品を用意するとともに、第２の配線導体を形成した配
線基板を用意する。次いで、第１の配線導体と第２の配
線導体とが所定の間隔を隔てて対向するように、実装部
品を配線基板に対して位置決めする。その状態で、第１
の配線導体側からめっき金属を析出させて第１の金属突
起を成長させるとともに、第２の配線導体側からめっき
金属を析出させて第２の金属突起を成長させるように、
湿式めっきを実施する。そして、このめっき工程を、第
１の金属突起と第２の金属突起とが互いに接合するまで
実施する。
【００１１】この発明において、湿式めっきとしては、
電解めっきを適用することも、無電解めっきを適用する
こともできる。電解めっきを適用する場合、好ましく
は、実装部品を用意するとき、第１の配線導体に電気的
に接続される第１の給電用導体を形成することが行なわ
れ、かつ、配線基板を用意するとき、第２の配線導体に
電気的に接続される第２の給電用導体を形成することが
行なわれる。そして、これら第１および第２の給電用導
体が、電解めっきにおいてカソードとして用いられる。
電解めっきを適用することも、無電解めっきを適用する
こともできる。電解めっきを適用する場合、好ましく
は、実装部品を用意するとき、第１の配線導体に電気的
に接続される第１の給電用導体を形成することが行なわ
れ、かつ、配線基板を用意するとき、第２の配線導体に
電気的に接続される第２の給電用導体を形成することが
行なわれる。そして、これら第１および第２の給電用導
体が、電解めっきにおいてカソードとして用いられる。
【００１２】上述した第１および第２の給電用導体の金
属突起以外の部分は、好ましくは、めっき工程の後に除
去される。また、なお好ましくは、実装部品を用意する
とき、第１の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第１の開口を有する第１のマスクを第１の給電用導体上
に形成することが行なわれ、かつ、配線基板を用意する
とき、第２の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第２の開口を有する第２のマスクを第２の給電用導体上
に形成することが行なわれる。そして、実装部品を配線
基板に対して位置決めする工程において、第１のマスク
と第２のマスクとの間に、めっき液の流通を許容する隙
間を形成するように、実装部品が配線基板に対して位置
決めされる。これら第１および第２のマスクは、めっき
工程の後に除去される。
属突起以外の部分は、好ましくは、めっき工程の後に除
去される。また、なお好ましくは、実装部品を用意する
とき、第１の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第１の開口を有する第１のマスクを第１の給電用導体上
に形成することが行なわれ、かつ、配線基板を用意する
とき、第２の金属突起を成長させるべき空間を規定する
第２の開口を有する第２のマスクを第２の給電用導体上
に形成することが行なわれる。そして、実装部品を配線
基板に対して位置決めする工程において、第１のマスク
と第２のマスクとの間に、めっき液の流通を許容する隙
間を形成するように、実装部品が配線基板に対して位置
決めされる。これら第１および第２のマスクは、めっき
工程の後に除去される。
【００１３】また、実装部品または配線基板を用意する
とき、上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を
形成するため、第１および第２のマスクの少なくとも一
方上にスペーサを形成しておいてもよい。湿式めっきと
して、無電解めっきを適用する場合、好ましくは、実装
部品を用意するとき、第１の金属突起を成長させるべき
空間を規定する第１の開口を有する第１のマスクを第１
の配線導体上に形成することが行なわれ、かつ、配線基
板を用意するとき、第２の金属突起を成長させるべき空
間を規定する第２の開口を有する第２のマスクを第２の
配線導体上に形成することが行なわれる。そして、実装
部品を配線基板に対して位置決めする工程において、第
１のマスクと第２のマスクとの間に、めっき液の流通を
許容する隙間を形成するように、実装部品が配線基板に
対して位置決めされ、その状態で、無電解めっきが実施
される。
とき、上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を
形成するため、第１および第２のマスクの少なくとも一
方上にスペーサを形成しておいてもよい。湿式めっきと
して、無電解めっきを適用する場合、好ましくは、実装
部品を用意するとき、第１の金属突起を成長させるべき
空間を規定する第１の開口を有する第１のマスクを第１
の配線導体上に形成することが行なわれ、かつ、配線基
板を用意するとき、第２の金属突起を成長させるべき空
間を規定する第２の開口を有する第２のマスクを第２の
配線導体上に形成することが行なわれる。そして、実装
部品を配線基板に対して位置決めする工程において、第
１のマスクと第２のマスクとの間に、めっき液の流通を
許容する隙間を形成するように、実装部品が配線基板に
対して位置決めされ、その状態で、無電解めっきが実施
される。
【００１４】上述のように無電解めっきを適用する場合
においても、実装部品または配線基板を用意するとき、
上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を形成す
るため、第１および第２のマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておいてもよい。この発明は、特に、
実装部品が半導体素子であるとき、有利に適用される。
においても、実装部品または配線基板を用意するとき、
上述したようなめっき液の流通を許容する隙間を形成す
るため、第１および第２のマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておいてもよい。この発明は、特に、
実装部品が半導体素子であるとき、有利に適用される。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１には、この発明の一実施形態
による電子装置２１の製造方法が断面図で図解的に示さ
れている。製造されようとする電子装置２１は、図１
（６）に示すように、実装部品２２が配線基板２３上に
実装された構造を有している。ここで、実装部品２２
は、たとえば、チップ状の形態をなす半導体素子であ
る。
による電子装置２１の製造方法が断面図で図解的に示さ
れている。製造されようとする電子装置２１は、図１
（６）に示すように、実装部品２２が配線基板２３上に
実装された構造を有している。ここで、実装部品２２
は、たとえば、チップ状の形態をなす半導体素子であ
る。
【００１６】簡単に言えば、図１において、（１）およ
び（２）に示した各工程を順次経て、実装部品２２側の
構造物を得、他方、（３）および（４）に示した各工程
を順次経て、配線基板２３側の構造物を得、次いで、こ
れら実装部品２２側の構造物および配線基板２３側の構
造物を用いて、（５）に示した工程を実施して、（６）
に示した電子装置２１を製造する。
び（２）に示した各工程を順次経て、実装部品２２側の
構造物を得、他方、（３）および（４）に示した各工程
を順次経て、配線基板２３側の構造物を得、次いで、こ
れら実装部品２２側の構造物および配線基板２３側の構
造物を用いて、（５）に示した工程を実施して、（６）
に示した電子装置２１を製造する。
【００１７】より詳細には、実装部品２２側の構造物を
製造するため、まず、図１（１）に示すように、たとえ
ばＧａＡｓからなる基体２４が用意され、この基体２４
上には、絶縁膜２５を介して、たとえばＡｕからなる配
線導体２６が形成される。配線導体２６の形成に次い
で、たとえばＳｉ3 Ｎ4 からなる表面保護膜２７が形成
され、この表面保護膜２７には、配線導体２６の一部を
露出させる開口２８が形成される。
製造するため、まず、図１（１）に示すように、たとえ
ばＧａＡｓからなる基体２４が用意され、この基体２４
上には、絶縁膜２５を介して、たとえばＡｕからなる配
線導体２６が形成される。配線導体２６の形成に次い
で、たとえばＳｉ3 Ｎ4 からなる表面保護膜２７が形成
され、この表面保護膜２７には、配線導体２６の一部を
露出させる開口２８が形成される。
【００１８】次いで、表面保護膜２７を覆うように、た
とえば、膜厚約１．５μｍのレジスト膜２９が形成され
る。レジスト膜２９には、前述の開口２８に対応する位
置に、たとえば、５０μｍ角の開口３０が形成される。
次に、図１（２）に示すように、配線導体２６およびレ
ジスト膜２９を覆って、給電用導体３１が形成される。
給電用導体３１は、配線導体２６に電気的に接続されて
いる。給電用導体３１は、たとえば、スパッタリングデ
ポジション等により形成された、膜厚約１００ｎｍのＡ
ｕ層によって構成される。
とえば、膜厚約１．５μｍのレジスト膜２９が形成され
る。レジスト膜２９には、前述の開口２８に対応する位
置に、たとえば、５０μｍ角の開口３０が形成される。
次に、図１（２）に示すように、配線導体２６およびレ
ジスト膜２９を覆って、給電用導体３１が形成される。
給電用導体３１は、配線導体２６に電気的に接続されて
いる。給電用導体３１は、たとえば、スパッタリングデ
ポジション等により形成された、膜厚約１００ｎｍのＡ
ｕ層によって構成される。
【００１９】次いで、給電用導体３１上には、たとえば
レジスト材からなるマスク３２が形成される。マスク３
２は、たとえば、約１０μｍの膜厚を有していて、前述
した開口３０に対応する位置に、開口３０と同じ大きさ
の、たとえば５０μｍ角の開口３３を形成するように、
パターニングされる。次いで、マスク３２上には、たと
えば、約５μｍの膜厚を有し、樹脂のような絶縁性物質
からなるスペーサ３４が、局所的に形成される。
レジスト材からなるマスク３２が形成される。マスク３
２は、たとえば、約１０μｍの膜厚を有していて、前述
した開口３０に対応する位置に、開口３０と同じ大きさ
の、たとえば５０μｍ角の開口３３を形成するように、
パターニングされる。次いで、マスク３２上には、たと
えば、約５μｍの膜厚を有し、樹脂のような絶縁性物質
からなるスペーサ３４が、局所的に形成される。
【００２０】このようにして、実装部品２２側の構造物
が完成される。他方、配線基板２３側の構造物を製造す
るため、図１（３）に示すように、まず、たとえばアル
ミナのような絶縁性のセラミックからなる基体３５が用
意され、この基体３５上には、たとえばＡｕからなる配
線導体３６が形成される。配線導体３６の形成に次い
で、たとえば、膜厚約１．５μｍのレジスト膜３７が形
成される。レジスト膜３７には、前述のレジスト膜２９
の開口３０と同じ大きさの、たとえば５０μｍ角の開口
３８が形成される。
が完成される。他方、配線基板２３側の構造物を製造す
るため、図１（３）に示すように、まず、たとえばアル
ミナのような絶縁性のセラミックからなる基体３５が用
意され、この基体３５上には、たとえばＡｕからなる配
線導体３６が形成される。配線導体３６の形成に次い
で、たとえば、膜厚約１．５μｍのレジスト膜３７が形
成される。レジスト膜３７には、前述のレジスト膜２９
の開口３０と同じ大きさの、たとえば５０μｍ角の開口
３８が形成される。
【００２１】次に、図１（４）に示すように、配線導体
３６およびレジスト膜３７を覆って、給電用導体３９が
形成される。給電用導体３９は、配線導体３６に電気的
に接続されている。給電用導体３９は、たとえば、スパ
ッタリングデポジション等により形成された、膜厚約１
００ｎｍのＡｕ層によって構成される。次いで、給電用
導体３９上には、たとえばレジスト材からなるマスク４
０が形成される。マスク４０は、好ましくは、前述した
マスク３２と実質的に同じ膜厚であって、たとえば、約
１０μｍの膜厚を有していて、前述した開口３８に対応
する位置に、開口３８と同じ大きさの、たとえば５０μ
ｍ角の開口４１を形成するように、パターニングされ
る。
３６およびレジスト膜３７を覆って、給電用導体３９が
形成される。給電用導体３９は、配線導体３６に電気的
に接続されている。給電用導体３９は、たとえば、スパ
ッタリングデポジション等により形成された、膜厚約１
００ｎｍのＡｕ層によって構成される。次いで、給電用
導体３９上には、たとえばレジスト材からなるマスク４
０が形成される。マスク４０は、好ましくは、前述した
マスク３２と実質的に同じ膜厚であって、たとえば、約
１０μｍの膜厚を有していて、前述した開口３８に対応
する位置に、開口３８と同じ大きさの、たとえば５０μ
ｍ角の開口４１を形成するように、パターニングされ
る。
【００２２】このようにして、配線基板２３側の構造物
が完成される。次に、図１（５）に示すように、実装部
品２２側の開口３３の中心と配線基板２３側の開口４１
の中心とが、基体２４および３５の延びる方向に対して
平行な方向において一致するようにアライメントを行な
った後、スペーサ３４をマスク４０に接触させた状態
で、実装部品２２を配線基板２３に対して位置決めす
る。この段階において、配線導体２６と配線導体３６と
は所定の間隔を隔てて対向しており、また、スペーサ３
４によって、マスク３２とマスク４０との間に隙間４２
が形成される。
が完成される。次に、図１（５）に示すように、実装部
品２２側の開口３３の中心と配線基板２３側の開口４１
の中心とが、基体２４および３５の延びる方向に対して
平行な方向において一致するようにアライメントを行な
った後、スペーサ３４をマスク４０に接触させた状態
で、実装部品２２を配線基板２３に対して位置決めす
る。この段階において、配線導体２６と配線導体３６と
は所定の間隔を隔てて対向しており、また、スペーサ３
４によって、マスク３２とマスク４０との間に隙間４２
が形成される。
【００２３】次に、上述の状態を保持しながら、実装部
品２２および配線基板２３が電解めっき液中に浸漬さ
れ、給電用導体３１および３９をカソードとして電解め
っきが実施される。このとき、上述した隙間４２を通っ
て、めっき液がマスク３２および４０にそれぞれ形成さ
れた開口３３および４１内にも流通する。めっき液は、
好ましくは、たとえばスターラーによって攪拌され、あ
るいは、ポンプによって循環される。めっき液として
は、たとえば、温度６５℃のＡｕ電解めっき液が用いら
れる。
品２２および配線基板２３が電解めっき液中に浸漬さ
れ、給電用導体３１および３９をカソードとして電解め
っきが実施される。このとき、上述した隙間４２を通っ
て、めっき液がマスク３２および４０にそれぞれ形成さ
れた開口３３および４１内にも流通する。めっき液は、
好ましくは、たとえばスターラーによって攪拌され、あ
るいは、ポンプによって循環される。めっき液として
は、たとえば、温度６５℃のＡｕ電解めっき液が用いら
れる。
【００２４】このめっき工程において、マスク３２に形
成された開口３３によって規定された空間内において、
配線導体２６側の給電用導体３１上にめっき金属が析出
し、第１の金属突起４３が成長するとともに、マスク４
０に形成された開口４１によって規定された空間内にお
いて、配線導体３６側の給電用導体３９上にめっき金属
が析出し、第２の金属突起４４が成長する。
成された開口３３によって規定された空間内において、
配線導体２６側の給電用導体３１上にめっき金属が析出
し、第１の金属突起４３が成長するとともに、マスク４
０に形成された開口４１によって規定された空間内にお
いて、配線導体３６側の給電用導体３９上にめっき金属
が析出し、第２の金属突起４４が成長する。
【００２５】上述しためっき工程は、第１の金属突起４
３と第２の金属突起４４とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図１（５）では、第１およ
び第２の金属突起４３および４４が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第１
および第２の金属突起４３および４４をもって、バンプ
電極４５が形成される。なお、第１の金属突起４３と第
２の金属突起４４とが互いに接合した時点は、たとえ
ば、給電用導体３１と給電用導体３９との間での電気的
導通状態を監視することによって、知ることができる。
３と第２の金属突起４４とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図１（５）では、第１およ
び第２の金属突起４３および４４が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第１
および第２の金属突起４３および４４をもって、バンプ
電極４５が形成される。なお、第１の金属突起４３と第
２の金属突起４４とが互いに接合した時点は、たとえ
ば、給電用導体３１と給電用導体３９との間での電気的
導通状態を監視することによって、知ることができる。
【００２６】次に、マスク３２および４０が、たとえ
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去され、次い
で、給電用導体３１および３９の金属突起以外の部分す
なわちバンプ電極４５から露出した部分が、たとえば、
ＫＩエッチング液によってエッチング除去される。さら
に、レジスト膜２９および３７が、たとえば、アセトン
等の有機溶剤によって剥離除去される。
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去され、次い
で、給電用導体３１および３９の金属突起以外の部分す
なわちバンプ電極４５から露出した部分が、たとえば、
ＫＩエッチング液によってエッチング除去される。さら
に、レジスト膜２９および３７が、たとえば、アセトン
等の有機溶剤によって剥離除去される。
【００２７】このようにして、図１（６）に示すよう
に、互いに対向する配線導体２６と配線導体３６とがバ
ンプ電極４５を介して電気的に接続された状態で、実装
部品２２を配線基板２３上に実装した構造を有する、電
子装置２１が得られる。ここで、バンプ電極４５の形成
と実装部品２２の配線基板２３への実装との双方が同時
に達成されることに注目すべきである。しかも、これら
バンプ電極４５の形成および実装部品２２の配線基板２
３への実装は、強い熱衝撃や機械的圧力の加わらない工
程を経て達成されることができる。したがって、実装に
よる実装部品２２の性能劣化や表面保護膜２７でのクラ
ック等の発生を確実に防止することができる。
に、互いに対向する配線導体２６と配線導体３６とがバ
ンプ電極４５を介して電気的に接続された状態で、実装
部品２２を配線基板２３上に実装した構造を有する、電
子装置２１が得られる。ここで、バンプ電極４５の形成
と実装部品２２の配線基板２３への実装との双方が同時
に達成されることに注目すべきである。しかも、これら
バンプ電極４５の形成および実装部品２２の配線基板２
３への実装は、強い熱衝撃や機械的圧力の加わらない工
程を経て達成されることができる。したがって、実装に
よる実装部品２２の性能劣化や表面保護膜２７でのクラ
ック等の発生を確実に防止することができる。
【００２８】なお、給電用導体３１および３９は、前述
のように、金属突起以外の部分において除去されたが、
電子装置２１が完成したとき、給電用導体３１および／
または３９が、そのまま、実装部品２２および／または
配線基板２３における導電経路として用いられる場合に
は、除去されることなく残されてもよい。また、実装部
品２２に形成された配線導体２６の一部および／または
配線基板２３に形成された配線導体３６の一部が、給電
用導体として機能し得る態様で形成されている場合に
は、給電用導体を特別に形成する必要はない。
のように、金属突起以外の部分において除去されたが、
電子装置２１が完成したとき、給電用導体３１および／
または３９が、そのまま、実装部品２２および／または
配線基板２３における導電経路として用いられる場合に
は、除去されることなく残されてもよい。また、実装部
品２２に形成された配線導体２６の一部および／または
配線基板２３に形成された配線導体３６の一部が、給電
用導体として機能し得る態様で形成されている場合に
は、給電用導体を特別に形成する必要はない。
【００２９】上述した実施形態では、バンプ電極４５
は、電解めっきにより形成されたが、以下に説明する実
施形態のように、無電解めっきにより形成されてもよ
い。図２には、この発明の他の実施形態による電子装置
２１ａの製造方法が断面図で図解的に示されている。図
２において、図１に示した要素に相当する要素には同様
の参照符号を付し、重複する説明を省略することがあ
る。
は、電解めっきにより形成されたが、以下に説明する実
施形態のように、無電解めっきにより形成されてもよ
い。図２には、この発明の他の実施形態による電子装置
２１ａの製造方法が断面図で図解的に示されている。図
２において、図１に示した要素に相当する要素には同様
の参照符号を付し、重複する説明を省略することがあ
る。
【００３０】この実施形態において製造されようとする
電子装置２１ａは、図２（４）に示すように、実装部品
２２ａが配線基板２３ａ上に実装された構造を有してい
る。ここで、実装部品２２ａも、たとえば、チップ状の
形態をなす半導体素子である。簡単に言えば、図２にお
いて、（１）に示した工程を経て、実装部品２２ａ側の
構造物を製造し、他方、（２）に示した工程を経て、配
線基板２３ａ側の構造物を製造し、次いで、これら実装
部品２２ａ側の構造物および配線基板２３ａ側の構造物
を用いて、（３）に示した工程を実施して、（４）に示
した電子装置２１ａを製造する。
電子装置２１ａは、図２（４）に示すように、実装部品
２２ａが配線基板２３ａ上に実装された構造を有してい
る。ここで、実装部品２２ａも、たとえば、チップ状の
形態をなす半導体素子である。簡単に言えば、図２にお
いて、（１）に示した工程を経て、実装部品２２ａ側の
構造物を製造し、他方、（２）に示した工程を経て、配
線基板２３ａ側の構造物を製造し、次いで、これら実装
部品２２ａ側の構造物および配線基板２３ａ側の構造物
を用いて、（３）に示した工程を実施して、（４）に示
した電子装置２１ａを製造する。
【００３１】より詳細には、図２（１）に示すように、
実装部品２２ａ側の構造物を製造するため、まず、たと
えばＧａＡｓからなる基体２４が用意され、この基体２
４上には、絶縁膜２５を介して、たとえばＡｕからなる
配線導体２６が形成される。配線導体２６の形成に次い
で、たとえばＳｉ3 Ｎ4 からなる表面保護膜２７が形成
され、この表面保護膜２７には、配線導体２６の一部を
露出させる開口２８が形成される。
実装部品２２ａ側の構造物を製造するため、まず、たと
えばＧａＡｓからなる基体２４が用意され、この基体２
４上には、絶縁膜２５を介して、たとえばＡｕからなる
配線導体２６が形成される。配線導体２６の形成に次い
で、たとえばＳｉ3 Ｎ4 からなる表面保護膜２７が形成
され、この表面保護膜２７には、配線導体２６の一部を
露出させる開口２８が形成される。
【００３２】次いで、表面保護膜２７を覆うように、た
とえばレジスト材からなるマスク３２が形成される。マ
スク３２は、たとえば、約５μｍの膜厚を有していて、
前述した開口２８に対応する位置に、たとえば５０μｍ
角の開口３３を形成するように、パターニングされる。
次いで、マスク３２上には、たとえば、約５μｍの膜厚
を有し、樹脂のような絶縁性物質からなるスペーサ３４
が、局所的に形成される。
とえばレジスト材からなるマスク３２が形成される。マ
スク３２は、たとえば、約５μｍの膜厚を有していて、
前述した開口２８に対応する位置に、たとえば５０μｍ
角の開口３３を形成するように、パターニングされる。
次いで、マスク３２上には、たとえば、約５μｍの膜厚
を有し、樹脂のような絶縁性物質からなるスペーサ３４
が、局所的に形成される。
【００３３】このようにして、実装部品２２ａ側の構造
物が完成される。なお、開口３３内の配線導体２６上
に、たとえばＮｉ−ＰやＮｉ−Ｂ等のバリア金属層、お
よびたとえば置換型フラッシュＡｕ等の被着層を、順
次、無電解めっきにより形成してもよい。他方、図２
（２）に示すように、配線基板２３ａ側の構造物を製造
するため、まず、たとえばアルミナのような絶縁性のセ
ラミックからなる基体３５が用意され、この基体３５上
には、たとえばＡｕからなる配線導体３６が形成され
る。
物が完成される。なお、開口３３内の配線導体２６上
に、たとえばＮｉ−ＰやＮｉ−Ｂ等のバリア金属層、お
よびたとえば置換型フラッシュＡｕ等の被着層を、順
次、無電解めっきにより形成してもよい。他方、図２
（２）に示すように、配線基板２３ａ側の構造物を製造
するため、まず、たとえばアルミナのような絶縁性のセ
ラミックからなる基体３５が用意され、この基体３５上
には、たとえばＡｕからなる配線導体３６が形成され
る。
【００３４】配線導体３６の形成に次いで、たとえばレ
ジスト材からなるマスク４０が形成される。マスク４０
は、好ましくは、前述したマスク３２と実質的に同じ膜
厚であって、たとえば、約５μｍの膜厚を有していて、
前述した開口３３と同じ大きさの、たとえば５０μｍ角
の開口４１を形成するように、パターニングされる。こ
のようにして、配線基板２３ａ側の構造物が完成され
る。
ジスト材からなるマスク４０が形成される。マスク４０
は、好ましくは、前述したマスク３２と実質的に同じ膜
厚であって、たとえば、約５μｍの膜厚を有していて、
前述した開口３３と同じ大きさの、たとえば５０μｍ角
の開口４１を形成するように、パターニングされる。こ
のようにして、配線基板２３ａ側の構造物が完成され
る。
【００３５】なお、開口４１内の配線導体３６上に、た
とえばＮｉ−ＰやＮｉ−Ｂ等のバリア金属層、およびた
とえば置換型フラッシュＡｕ等の被着層を、順次、無電
解めっきにより形成してもよい。次に、図２（３）に示
すように、実装部品２２ａ側の開口３３の中心と配線基
板２３ａ側の開口４１の中心とが、基体２４および３５
の延びる方向に対して平行な方向において一致するよう
にアライメントを行なった後、スペーサ３４をマスク４
０に接触させた状態で、実装部品２２ａを配線基板２３
ａに対して位置決めする。この段階において、配線導体
２６と配線導体３６とは所定の間隔を隔てて対向してお
り、また、スペーサ３４によって、マスク３２とマスク
４０との間に隙間４２が形成される。
とえばＮｉ−ＰやＮｉ−Ｂ等のバリア金属層、およびた
とえば置換型フラッシュＡｕ等の被着層を、順次、無電
解めっきにより形成してもよい。次に、図２（３）に示
すように、実装部品２２ａ側の開口３３の中心と配線基
板２３ａ側の開口４１の中心とが、基体２４および３５
の延びる方向に対して平行な方向において一致するよう
にアライメントを行なった後、スペーサ３４をマスク４
０に接触させた状態で、実装部品２２ａを配線基板２３
ａに対して位置決めする。この段階において、配線導体
２６と配線導体３６とは所定の間隔を隔てて対向してお
り、また、スペーサ３４によって、マスク３２とマスク
４０との間に隙間４２が形成される。
【００３６】次に、上述の状態を保持しながら、実装部
品２２ａおよび配線基板２３ａが無電解めっき液中に浸
漬され、無電解めっきが実施される。このとき、上述し
た隙間４２を通って、めっき液がマスク３２および４０
にそれぞれ形成された開口３３および４１内にも流通す
る。この無電解めっきにおいて、たとえば、自己触媒型
のＡｕ無電解めっきが実施される。
品２２ａおよび配線基板２３ａが無電解めっき液中に浸
漬され、無電解めっきが実施される。このとき、上述し
た隙間４２を通って、めっき液がマスク３２および４０
にそれぞれ形成された開口３３および４１内にも流通す
る。この無電解めっきにおいて、たとえば、自己触媒型
のＡｕ無電解めっきが実施される。
【００３７】このめっき工程において、マスク３２に形
成された開口３３によって規定された空間内において、
配線導体２６上にめっき金属が析出し、第１の金属突起
４３が成長するとともに、マスク４０に形成された開口
４１によって規定された空間内において、配線導体３６
上にめっき金属が析出し、第２の金属突起４４が成長す
る。
成された開口３３によって規定された空間内において、
配線導体２６上にめっき金属が析出し、第１の金属突起
４３が成長するとともに、マスク４０に形成された開口
４１によって規定された空間内において、配線導体３６
上にめっき金属が析出し、第２の金属突起４４が成長す
る。
【００３８】上述しためっき工程は、第１の金属突起４
３と第２の金属突起４４とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図２（３）では、第１およ
び第２の金属突起４３および４４が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第１
および第２の金属突起４３および４４をもって、バンプ
電極４５が形成される。この実施形態においても、第１
の金属突起４３と第２の金属突起４４とが互いに接合し
た時点は、たとえば、給電用導体３１と給電用導体３９
との間での電気的導通状態を監視することによって、知
ることができる。
３と第２の金属突起４４とが、それぞれ成長して、互い
に接合するまで実施される。図２（３）では、第１およ
び第２の金属突起４３および４４が互いに接合した状態
が示されていて、このような接合を達成したとき、第１
および第２の金属突起４３および４４をもって、バンプ
電極４５が形成される。この実施形態においても、第１
の金属突起４３と第２の金属突起４４とが互いに接合し
た時点は、たとえば、給電用導体３１と給電用導体３９
との間での電気的導通状態を監視することによって、知
ることができる。
【００３９】次に、マスク３２および４０が、たとえ
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去される。こ
のようにして、図２（４）に示すように、互いに対向す
る配線導体２６と配線導体３６とがバンプ電極４５を介
して電気的に接続された状態で、実装部品２２ａを配線
基板２３ａ上に実装した構造を有する、電子装置２１ａ
が得られる。この実施形態においても、バンプ電極４５
の形成と実装部品２２ａの配線基板２３ａへの実装との
双方が同時に達成されることに注目すべきである。しか
も、これらバンプ電極４５の形成および実装部品２２ａ
の配線基板２３ａへの実装は、強い熱衝撃や機械的圧力
の加わらない工程を経て達成されることができる。した
がって、実装による実装部品２２ａの性能劣化や表面保
護膜２７でのクラック等の発生を確実に防止することが
できる。
ば、アセトン等の有機溶剤によって剥離除去される。こ
のようにして、図２（４）に示すように、互いに対向す
る配線導体２６と配線導体３６とがバンプ電極４５を介
して電気的に接続された状態で、実装部品２２ａを配線
基板２３ａ上に実装した構造を有する、電子装置２１ａ
が得られる。この実施形態においても、バンプ電極４５
の形成と実装部品２２ａの配線基板２３ａへの実装との
双方が同時に達成されることに注目すべきである。しか
も、これらバンプ電極４５の形成および実装部品２２ａ
の配線基板２３ａへの実装は、強い熱衝撃や機械的圧力
の加わらない工程を経て達成されることができる。した
がって、実装による実装部品２２ａの性能劣化や表面保
護膜２７でのクラック等の発生を確実に防止することが
できる。
【００４０】この実施形態によれば、無電解めっきを適
用するので、電解めっきにおいてカソードとして機能す
る給電用導体を必要としないことにも注目すべきであ
る。以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明
したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変
形が可能である。たとえば、図示した実施形態では、ス
ペーサ３４は、実装部品２２または２２ａ側のマスク３
２上に形成されたが、配線基板２３または２３ａ側のマ
スク４０上に形成されても、あるいは、マスク３２およ
び４０の双方上に形成されてもよい。また、このような
スペーサは、マスク３２または４０上に予め形成してお
くのではなく、別体として用意し、実装部品２２または
２２ａと配線基板２３または２３ａとを位置決めする段
階で、マスク３２とマスク４０との間に配置してもよ
く、さらには、スペーサを用いることなく、マスク３２
とマスク４０との間に、めっき液の流通を許容する隙間
を形成するようにしてもよい。
用するので、電解めっきにおいてカソードとして機能す
る給電用導体を必要としないことにも注目すべきであ
る。以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明
したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変
形が可能である。たとえば、図示した実施形態では、ス
ペーサ３４は、実装部品２２または２２ａ側のマスク３
２上に形成されたが、配線基板２３または２３ａ側のマ
スク４０上に形成されても、あるいは、マスク３２およ
び４０の双方上に形成されてもよい。また、このような
スペーサは、マスク３２または４０上に予め形成してお
くのではなく、別体として用意し、実装部品２２または
２２ａと配線基板２３または２３ａとを位置決めする段
階で、マスク３２とマスク４０との間に配置してもよ
く、さらには、スペーサを用いることなく、マスク３２
とマスク４０との間に、めっき液の流通を許容する隙間
を形成するようにしてもよい。
【００４１】また、図示した実施形態では、バンプ電極
４５となるめっき金属を析出させる領域を規定するため
のマスク３２および４０は、それぞれ、予め実装部品２
２または２２ａおよび配線基板２３および２３ａによっ
て保持された状態とされて、めっき工程が実施された
が、マスクを別体として用意し、実装部品２２または２
２ａと配線基板２３または２３ａとを位置決めする段階
で、このような別体としてのマスクを両者間に配置する
ようにしてもよい。この場合、マスクは、それ自身、め
っき液の流通を許容する通路を備えていてもよい。な
お、バンプ電極４５となるめっき金属を析出させるべき
領域を厳密に規定する必要がない場合には、上述のよう
なマスクがなくてもよい。
４５となるめっき金属を析出させる領域を規定するため
のマスク３２および４０は、それぞれ、予め実装部品２
２または２２ａおよび配線基板２３および２３ａによっ
て保持された状態とされて、めっき工程が実施された
が、マスクを別体として用意し、実装部品２２または２
２ａと配線基板２３または２３ａとを位置決めする段階
で、このような別体としてのマスクを両者間に配置する
ようにしてもよい。この場合、マスクは、それ自身、め
っき液の流通を許容する通路を備えていてもよい。な
お、バンプ電極４５となるめっき金属を析出させるべき
領域を厳密に規定する必要がない場合には、上述のよう
なマスクがなくてもよい。
【００４２】また、図示した実施形態では、実装部品２
２または２２ａは、半導体素子であったが、これに限ら
ず、その他の電子部品であってもよい。
２または２２ａは、半導体素子であったが、これに限ら
ず、その他の電子部品であってもよい。
【００４３】
【発明の効果】このように、この発明によれば、実装部
品に備える第１の配線導体と配線基板に備える第２の配
線導体とを、互いに対向させながら、バンプ電極を介し
て電気的に接続した状態にある、実装部品の配線基板へ
の実装構造を有する電子装置を得るため、第１の配線導
体と第２の配線導体とが所定の間隔を隔てて対向するよ
うに、実装部品を配線基板に対して位置決めし、その状
態で、第１の配線導体側からめっき金属を析出させて第
１の金属突起を成長させるとともに、第２の配線導体側
からめっき金属を析出させて第２の金属突起を成長させ
るように、湿式めっきを実施するので、第１の金属突起
と第２の金属突起とが互いに接合したとき、これら第１
および第２の金属突起をもってバンプ電極が形成される
とともに、実装部品の配線基板への実装が達成される。
品に備える第１の配線導体と配線基板に備える第２の配
線導体とを、互いに対向させながら、バンプ電極を介し
て電気的に接続した状態にある、実装部品の配線基板へ
の実装構造を有する電子装置を得るため、第１の配線導
体と第２の配線導体とが所定の間隔を隔てて対向するよ
うに、実装部品を配線基板に対して位置決めし、その状
態で、第１の配線導体側からめっき金属を析出させて第
１の金属突起を成長させるとともに、第２の配線導体側
からめっき金属を析出させて第２の金属突起を成長させ
るように、湿式めっきを実施するので、第１の金属突起
と第２の金属突起とが互いに接合したとき、これら第１
および第２の金属突起をもってバンプ電極が形成される
とともに、実装部品の配線基板への実装が達成される。
【００４４】したがって、バンプ電極の形成と実装とが
同時に達成されるので、能率的であるばかりでなく、実
装にあたり、従来のように、強い熱衝撃や圧力が加わる
熱圧着によるボンディングを適用する必要がないので、
実装部品等に損傷を生じることを有利に防止できる。こ
の発明において、湿式めっきとして、電解めっきを適用
する場合、第１の配線導体に電気的に接続される第１の
給電用導体を形成するとともに、第２の配線導体に電気
的に接続される第２の給電用導体を形成するようにすれ
ば、これら第１および第２の給電用導体をカソードとし
て用いることにより、第１および第２の配線導体の形態
にかかわらず、電解めっきを実施することができる。
同時に達成されるので、能率的であるばかりでなく、実
装にあたり、従来のように、強い熱衝撃や圧力が加わる
熱圧着によるボンディングを適用する必要がないので、
実装部品等に損傷を生じることを有利に防止できる。こ
の発明において、湿式めっきとして、電解めっきを適用
する場合、第１の配線導体に電気的に接続される第１の
給電用導体を形成するとともに、第２の配線導体に電気
的に接続される第２の給電用導体を形成するようにすれ
ば、これら第１および第２の給電用導体をカソードとし
て用いることにより、第１および第２の配線導体の形態
にかかわらず、電解めっきを実施することができる。
【００４５】他方、この発明において、湿式めっきとし
て、無電解めっきを適用する場合には、第１および第２
の配線導体の形態にかかわらず、上述の給電用導体を形
成することなく、無電解めっきを実施することができ
る。また、バンプ電極となるめっき金属の析出によりも
たらされる金属突起を成長させるべき空間を規定するた
めのマスクが用いられると、バンプ電極を常に適正な形
態で形成することができる。
て、無電解めっきを適用する場合には、第１および第２
の配線導体の形態にかかわらず、上述の給電用導体を形
成することなく、無電解めっきを実施することができ
る。また、バンプ電極となるめっき金属の析出によりも
たらされる金属突起を成長させるべき空間を規定するた
めのマスクが用いられると、バンプ電極を常に適正な形
態で形成することができる。
【００４６】また、上述のようなマスクが実装部品およ
び配線基板の各側に予め形成されていると、実装部品を
配線基板に対して位置決めするだけで、マスクを、マス
クとして適正に機能するように、位置させることができ
る。また、上述したようなマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておけば、めっき液の流通を許容する
隙間を形成することが容易である。
び配線基板の各側に予め形成されていると、実装部品を
配線基板に対して位置決めするだけで、マスクを、マス
クとして適正に機能するように、位置させることができ
る。また、上述したようなマスクの少なくとも一方上に
スペーサを形成しておけば、めっき液の流通を許容する
隙間を形成することが容易である。
【図１】この発明の一実施形態による電子装置２１の製
造方法を説明するためのもので、電子装置２１を製造す
るための工程を図解的に順次示す断面図である。
造方法を説明するためのもので、電子装置２１を製造す
るための工程を図解的に順次示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施形態による電子装置２１ａ
の製造方法を説明するためのもので、電子装置２１ａを
製造するための工程を図解的に順次示す断面図である。
の製造方法を説明するためのもので、電子装置２１ａを
製造するための工程を図解的に順次示す断面図である。
【図３】従来の電子装置１の製造方法を説明するための
もので、電子装置１を製造するための工程を図解的に順
次示す断面図である。
もので、電子装置１を製造するための工程を図解的に順
次示す断面図である。
２１，２１ａ 電子装置 ２２，２２ａ 実装部品 ２３，２３ａ 配線基板 ２６，３６ 配線導体 ３１，３９ 給電用導体 ３２，４０ マスク ３３，４１ 開口 ３４ スペーサ ４２ 隙間 ４３，４４ 金属突起 ４５ バンプ電極
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の配線導体を形成した実装部品を用
意するとともに、第２の配線導体を形成した配線基板を
用意し、 前記第１の配線導体と前記第２の配線導体とが所定の間
隔を隔てて対向するように、前記実装部品を前記配線基
板に対して位置決めし、 その状態で、前記第１の配線導体側からめっき金属を析
出させて第１の金属突起を成長させるとともに、前記第
２の配線導体側からめっき金属を析出させて第２の金属
突起を成長させるように、湿式めっきを実施する、各工
程を備え、 前記めっき工程は、前記第１の金属突起と前記第２の金
属突起とが互いに接合するまで実施される、電子装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記実装部品を用意する工程は、前記第
１の配線導体に電気的に接続される第１の給電用導体を
形成する工程を含み、 前記配線基板を用意する工程は、前記第２の配線導体に
電気的に接続される第２の給電用導体を形成する工程を
含み、 前記めっき工程は、前記第１および第２の給電用導体を
カソードとして電解めっきする工程を含む、請求項１に
記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記めっき工程の後に、前記第１および
第２の給電用導体の金属突起以外の部分を除去する工程
をさらに備える、請求項２に記載の電子装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記実装部品を用意する工程は、前記第
１の金属突起を成長させるべき空間を規定する第１の開
口を有する第１のマスクを前記第１の給電用導体上に形
成する工程を含み、 前記配線基板を用意する工程は、前記第２の金属突起を
成長させるべき空間を規定する第２の開口を有する第２
のマスクを前記第２の給電用導体上に形成する工程を含
み、 前記実装部品を前記配線基板に対して位置決めする工程
において、前記第１のマスクと前記第２のマスクとの間
に、めっき液の流通を許容する隙間を形成するように、
前記実装部品が前記配線基板に対して位置決めされ、 前記めっき工程の後に、前記第１および第２のマスクを
除去する工程をさらに備える、請求項２または３に記載
の電子装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記実装部品を用意する工程または前記
配線基板を用意する工程は、前記第１および第２のマス
クの少なくとも一方上に前記隙間を形成するためのスペ
ーサを形成する工程を含む、請求項４に記載の電子装置
の製造方法。 - 【請求項６】 前記実装部品を用意する工程は、前記第
１の金属突起を成長させるべき空間を規定する第１の開
口を有する第１のマスクを前記第１の配線導体上に形成
する工程を含み、 前記配線基板を用意する工程は、前記第２の金属突起を
成長させるべき空間を規定する第２の開口を有する第２
のマスクを前記第２の配線導体上に形成する工程を含
み、 前記実装部品を前記配線基板に対して位置決めする工程
において、前記第１のマスクと前記第２のマスクとの間
に、めっき液の流通を許容する隙間を形成するように、
前記実装部品が前記配線基板に対して位置決めされ、 前記めっき工程は、無電解めっきする工程を含む、請求
項１に記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記実装部品を用意する工程または前記
配線基板を用意する工程は、前記第１および第２のマス
クの少なくとも一方上に前記隙間を形成するためのスペ
ーサを形成する工程を含む、請求項６に記載の電子装置
の製造方法。 - 【請求項８】 前記実装部品は、半導体素子である、請
求項１ないし７のいずれかに記載の電子装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031534A JPH10229271A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031534A JPH10229271A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229271A true JPH10229271A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12333874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9031534A Pending JPH10229271A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10480094B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-11-19 | Iontra LLC | Electrochemical methods, devices and compositions |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP9031534A patent/JPH10229271A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10480094B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-11-19 | Iontra LLC | Electrochemical methods, devices and compositions |
| US10697083B2 (en) | 2016-07-13 | 2020-06-30 | Ionta LLC | Electrochemical methods, devices and compositions |
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