JPH03209841A - Tab用テープキャリアの製造方法 - Google Patents
Tab用テープキャリアの製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
B (Tape Automated Bonding
)法に用いるテープキャリアおよびその製造方法、特に
リード部のキャリアテープとは反対の面にバンプを設け
たTAB用テープキャリアおよびその製造方法に関する
。
された方式で、テープキャリア上で半導体素子の実装を
行うものである。TAB用テープキャリアは例えば第6
図に示すように、可視性絶縁フィルム1に、半導体素子
(図示せず)を装着するデバイスホール3および位置合
わせ等のための送り孔(パイロットホール)4を打ち抜
き加工により形成し、絶縁フィルム1に銅箔を接着剤に
より接着した後、フォトエツチングにより所定の配線パ
ターンをもつリード部2aを形成したものである。絶縁
フィルム1は一般に、厚さ70ないし125μm、幅3
5mm(または70 mm、 140 ++ou等)の
有機ポリイミドフィルム、ガラス強化エポキシフィルム
等の絶縁フィルムが用いられ、銅箔には厚さ18ないし
35μmの圧延銅箔、電解銅箔等が用いられている。
で、テープキャリアのインナーリード部は半導体素子上
の微小電極に加熱圧着して接続される。この接続のため
には、半導体素子の表面のアルミニウム電極上の一部に
突起電極、いわゆるバンプを形成させておき、これをテ
ープキャリアのインナーリード部に加熱圧着して接合す
る方法と、テープキャリアのインナーリード部の先端に
バンプを形成させる方法がある。従来前者が主に用いら
れたが、最近では後者を用いる傾向にある。
成させるには、別の適当な基板、例えばガラス板上に、
電気めっき等によりバンプを形成し、テープキャリアの
インナーリード部に転写する方法が、転写バンプ法とし
てよく知られている。
プを積層形成しておき、テープキャリアの絶縁フィルム
上に転写する方法が、特開昭63291427号によっ
て知られている。バンプは接着性のある金属、例えば金
で構成される。インナーリード上のバンプと半導体素子
の電極との接合が充分行われるためには、ハンプは所定
の厚さをもつことが必要とされる。
形成させる方法としては、所要の部分に金またはハンダ
の塩の溶液を塗布し、その熱分解によりバンプを形成さ
せる方法が、特開昭6334933号に記載されている
。
プの貼付面とは反対の面に設けられており、貼付面に設
けるものと比較して製造し易いという利点を有する。
きによる損傷、端子間の短絡が起きるだけでなく、バン
プ形成のために工程が複雑化し、半導体素子のコストが
上昇する欠点がある。このために最近は、上述のように
テープキャリアのインナーリード部の先端にバンプを形
成させる方法を多用する傾向にある。
ンプを形成させるためのいわゆる転写バンプ法は、別の
基板上にバンプを形成する際と、これをテープキャリア
上に転写する際の、二つの工程の位置精度に大きな問題
があり、導体部ピッチP(第6図)が150μm以下の
インナーリードは実現できなかった。これを改良するも
のとして上記特開昭6:3−291427号の方法が提
案されたが、電導性の別の支持体にエツチング等で凹部
を作り、そこにバンプ部を電気めっきで形成させ、仮支
持体を介してテープキャリア上に転写するという、複雑
な工程を必要としている。また所定の厚さのバンプを全
部金で形成しているので、材料費が高い。
用いない利点があるが、金またはハンダの塩の加熱分解
により充分な厚さを持つハンプを形成させるには、高温
かつ長時間の処理を要した。
用テープキャリアにおいては、半導体素子がデバイスホ
ールの反対側に位置するのでバンプの重量によってイン
ナーリードが変形すると、ボンディング作業を難しくす
る。
かつ充分な接合が得られる厚さのバンプを有する、TA
B用テープキャリアを提供することである。
いで、所定の厚さを持つバンプを先端に設けた、微細化
された(例えばピッチ150μm以下の)インナーリー
ド部を有するTAB用テープキャリアの製造方法を提供
することである。
加工の費用が低順で、また高温の処理を用いないで、充
分な厚さを持つバンプをインナーリード部の先端部に形
成したTAB用テープキャリアの製造方法を提供するこ
とである。
ャリアのインナーリード部のキャリアテープ貼付面とは
反対の面に設けられるバンプを、インナーリード部上の
厚さ10ないし50μmの銅または銅合金より成る第1
のめっき層と、第1のめつき層上の厚さ0.1ないし5
.0μmの金またはパラジウムの第2のめっき層で形成
するようにした。
プを設けたTAB用テープキャリアの製造方法は、下記
工程から成る。
さ10ないし50μmの銅または銅合金めっき層を形成
する工程 (3)銅または銅合金めっき層の上を厚さ0.1ないし
5.0μmのリードパターンの形状を有する金またはパ
ラジウムめっき層で被覆する工程 (4)金またはパラジウムめっき層をマスクとして箔を
エッチする工程 以下に各工程の詳細を説明する。
る銅または銅合金の箔は、ポリイミド等の絶縁フィルム
上に接着剤を介して接着される。
銅合金箔にはバンプ形成前にエツチングによりパターン
の全部または一部を形成しておいてもよいが、後述のよ
うにバンプ形成後にパターンを形成させる方が好ましい
。
0μmの銅または銅合金めっき層を形成する工程 銅または銅合金箔のインナーリード部の先端部に相当す
る位置すなわちバンプ形成部分を残して、ゴム等のマス
クで覆い、マスク開口部に銅または銅合金のめっきを施
す。銅または銅合金めっきの厚さは10ないし50μm
の範囲から選ばれる。
隔、テープキャリアで製造される半導体素子の種類等に
より決定する。例えば厚さ35μmの銅箔に対しては2
0ないし30μmの範囲、厚さ18μmの銅箔に対して
は10ないし20μmの範囲が一般に好適である。10
μm以下の厚さでは、半導体素子と接合するときの加圧
の効果が減少する。厚さが50μmを超えると、インナ
ーリード先端が重くなるため、リードの変形が生じ易く
なり、また半導体素子を加圧により接合する際にバンプ
が傾いて、接合が悪くなる。めっきには、無電解めっき
を用いてもよいが、電気めっきが好ましい。
5.0μmのリードパターンの形状を有する金またはパ
ラジウムめっき層で被覆する工程 銅または銅合金めっき後、前記マスクを取り外し、層上
にレジストインクの塗布によって予め形成された開口部
を有するフォトレジストを介して、厚さ0.1ないし5
.0μmの金またはパラジウムめっきを施す。当然、バ
ンプ形成部は金またはパラジウムめっきをされる。
銅または銅合金箔をエツチングにより除去してインナー
リードを形成させる工程 上記(3)のめっき工程で用いたフォトレジスト層0 を除去し、金またはパラジウムめっき層をマスクとして
、エツチングにより所定のパターン(前記開口部のパタ
ーン)に従いインナーリード部をキャリアフィルム上に
形成させる。
合金の箔の上に、厚さ10ないし50μmのスポット状
の銅または銅合金のめっき層を形成し、その層の上をさ
らに厚さ0.1ないし5.0μmの金またはパラジウム
めっき層で被覆して、バンプを形成したので、バンプは
全体で約10μmないし55μmの厚さを有し、インナ
ーリードの変形を防ぐ厚さに構成されている。しかも表
面は金またはパラジウムから成るので、半導体素子と加
圧により容易に接合することができる。
めるに過ぎないので、バンプ形成に要する材料のコスト
が大幅に低減される。銅または銅合金および金またはパ
ラジウムのめっきはいずれも30°C前後の温度、高い
場合でも100°C程度の1 温度で行われるので、リード部間の絶縁を悪化させるこ
ともない。
上にエポキシ接着剤を介して厚さ35μmの圧延銅箔が
接着されたものに、所要の部分にバンプを形成し、所定
のパターンを有するインナーリード部を形成した。詳細
は下記の通りである。
着された銅箔の表面のインナーリード部2a(先端部2
bを含む)以外をフォトレジスト5で覆い、インナーリ
ード部先端部2bに開口部6aを有するゴムマスク6で
覆って、開口部6aから先端部2b上に厚さ20μmの
銅めっきを行った。ゴムマスク6を外して、銅箔および
銅めっき上にレジスト5の開口部を利用して厚さ5μm
の金めつきを行った。この状態でのキャリアフィルムの
第1図X−xに沿った拡大新面図を第2図に示す。第2
図に示される通り、絶縁フィル2 ム1はデバイスホール3の部分を含め銅箔2で覆われ、
銅箔2のインナーリード部先端部分に相当する位置に銅
めっき層22と金めっき層23が形成されている。金め
つき層23はバンプ部を含め銅箔2のレジスト開口部に
相当する部分(2a)全体に形成される。銅箔2のレジ
スト開口部以外の部分はフォトレジスト5で覆われてお
り、この部分は金めつき層23を有しない。
23をマスクとして常用の塩化第二鉄エツチング液(塩
化第二銅エツチング液でもよい)で銅箔2をエッチした
。こうして、所定のパターンを有するインナーリード部
2aを形成した。
2と金めっき層23より成るバンプ21が形成されてい
る。この状態での平面図を第3図に、断面図を第4図に
示す。第2図においてフォトレジスト5のみで覆われて
いた部分は、フォトレジスト5を除いて銅箔2をエッチ
したので、第4図ではこの部分に銅箔2は存在しない。
ンプ21に、第5図に示すように半導体素子7の端子部
(図示せず)を接合した。本発明により製造されたTA
B用テープキャリアのバンプ21は、半導体素子7の端
子部と実用的に充分な強度で接合することができた。半
導体素子7は表面に100μmX100μmの端子部を
有し、端子部は厚さ1.5μmのアルミニウム蒸着膜の
上に厚さ0.05μmのチタン層を被覆し、さらに2μ
mの金めつきが施されたものである。500°Cの加熱
器具を用いて半導体素子7の端子部とバンプ21とを拡
散接合した。接合後、半導体素子7はインナーリード2
aとともに、封止レジン8で封止された。
めつき加工に要する費用は、金の材料費を含めて、デバ
イスホール1個当たり約30円であった。これに対し、
従来行われた半導体素子にバンプを形成する方法の場合
には、金めつきによるバンプ形成に素子1個当たり約1
10円を要し4 た。
厚さ1.5μmのパラジウムめっきを施した。実施例1
と同様、バンブ部に半導体素子を実用的に充分な強度で
接合することができた。
は反対の面に設けられるバンブ部を所定の厚さにしたの
で、インナーリード部の変形がなくなり、ボンディング
作業が容易になる。
を要する転写を用いないで、充分な厚さを持つハンプを
インナーリード先端に設けたTAB用テープキャリアを
製造することができる。
m以下の)インナーリードの先端にバンブを設けたTA
B用テープキャリアを製造することができる。
化合物の熱分解を利用するものでないので、高温の処理
を要しないから、ハンプ形成の工程でリード間の絶縁が
悪化することもない。
一実施例における、銅めっき前のキャリアフィルムの一
部分の平面図、第2図は同実施例における、金めつき後
のキャリアフィルムの一部分の断面図、第3図は同実施
例において製造されたTAB用テープキャリアの一部分
の平面図、第4図はその断面図、第5図はテープキャリ
アに半導体素子を接合した後の断面図、第6図は一般的
なTAB用テープキャリアの構造を示す平面図である。 符号の説明 1−・−m−−−・−絶縁フィルム 2・−・・−−−−−−一銅箔 2 a−−−−−−−インナーリード部2b−・−一−
−−・−インナーリード先端部6 3−−−一・−デバイスホール 4−−−−一一一−パイロットホール 5−・−・−フォトレジスト 6−−−−−・−ゴムマスク 6 a−−−−−−ゴムマスク開口部 7−−−−−−一半導体素子 8−−−−−〜−−−封止レジン 21−−−−−−バンブ 22−−−−−−−−一銅めっき層 23−−−−−−一金めっき層
Claims (2)
- (1)銅または銅合金の箔で構成されるインナーリード
部の先端部の、キャリアテープに貼付される面とは反対
の面にバンプを設けたTAB用テープキャリアにおいて
、 前記バンプは、前記箔上にめっきされた厚さ10ないし
50μmの銅または銅合金の第1のめっき層と、前記第
1のめっき層上にめっきされた0.1ないし5.0μm
の金またはパラジウムの第2のめっき層より構成される
ことを特徴とするTAB用テープキャリア。 - (2)銅または銅合金の箔で構成されるインナーリード
部の先端部の、キャリアテープに貼付される面とは反対
の面にバンプを設けたTAB用テープキャリアの製造方
法において、 キャリアテープ上に貼付された銅または銅合金の箔上に
、厚さ10ないし50μmのスポット状の銅または銅合
金の第1のめっき層を形成し、前記スポット状の第1の
めっき層を含んだ前記箔の上に厚さ0.1ないし5.0
μmのリードパターンの形状の金またはパラジウムの第
2のめっき層を形成し、 前記第2のめっき層をマスクとして前記箔の不要部を除
去することを特徴とする、 TAB用テープキャリアの製造方法。
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Cited By (1)
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JPS6015956A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 突起電極付リ−ドの製造方法 |
JPH0378235A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-03 | Toshiba Corp | リードフレーム |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2005159A patent/JP2705263B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US5989935A (en) * | 1996-11-19 | 1999-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Column grid array for semiconductor packaging and method |
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JP2705263B2 (ja) | 1998-01-28 |
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JPH05166961A (ja) | 半導体装置及びその実装方法 |
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