JPH10223590A - Substrate cleaning device and method - Google Patents

Substrate cleaning device and method

Info

Publication number
JPH10223590A
JPH10223590A JP9023979A JP2397997A JPH10223590A JP H10223590 A JPH10223590 A JP H10223590A JP 9023979 A JP9023979 A JP 9023979A JP 2397997 A JP2397997 A JP 2397997A JP H10223590 A JPH10223590 A JP H10223590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
water
cleaning
electrolytic
electrolytic ionic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP9023979A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Taniguchi
訓 谷口
Satoshi Suzuki
聡 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP9023979A priority Critical patent/JPH10223590A/en
Priority to KR1019970071214A priority patent/KR100276766B1/en
Publication of JPH10223590A publication Critical patent/JPH10223590A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the amount of used electrolytic ion water and to improve a cleaning efficiency by filling the electrolytic ion water on the upper surface of a substrate that is retained by a substrate-retaining means and retaining the state for a given time. SOLUTION: Nozzles N1 and N2 for supplying an electrolytic ion water toward the center on the upper surface of a substrate S are arranged at the upper part of a side pin 41. Then, an anion water is dripped onto the surface of the substrate S from the nozzle N1, and a three-way vale 47 is switched to the side of a circulation path 63 after a specific amount of time that is sufficient and required for covering the entire region of the surface of the substrate S with the anion water by a controller 100, thus filling the anion onto the substrate S. In this state, after standing by for a specific amount of time required for completing the washing of the substrate S by the anion water, a cation water is supplied from a nozzle N2 to the substrate S for a specific amount of time by a three-way valve 48, thus neutralizing the anion water.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレ
イパネル）用ガラス基板などの各種被処理基板に対して
洗浄処理を施すための基板洗浄装置および基板洗浄方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning apparatus for cleaning various substrates to be processed such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, and a glass substrate for a PDP (plasma display panel). It relates to a cleaning method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程に
おいては、半導体ウエハやガラス基板の洗浄工程が不可
欠となっている。たとえば、液晶表示装置用ガラス基板
を洗浄するための装置は、紫外線洗浄処理部、薬液洗浄
処理部、純水洗浄処理部、および乾燥処理部を備えてい
る。紫外線洗浄処理部は、基板表面に紫外線を照射する
ことによって、表面に存在している有機物を分解して除
去し、基板の表面の接触角を小さくして、基板表面を親
水性にするための処理である。この処理により、薬液洗
浄処理部におけるウエット洗浄の効果を高めることがで
きる。薬液洗浄処理部では、アルカリ性または酸性の薬
液によって基板の表面の洗浄が行われ、油脂成分が除去
され、基板の親水性が高められる。純水洗浄処理部は、
薬液洗浄処理後の基板をリンスするためのものであり、
乾燥処理部は、純水洗浄後の基板を乾燥させるためのも
のである。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a cleaning process of a semiconductor wafer or a glass substrate is indispensable. For example, an apparatus for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device includes an ultraviolet cleaning section, a chemical cleaning section, a pure water cleaning section, and a drying section. The UV cleaning section irradiates the substrate surface with ultraviolet light to decompose and remove organic substances present on the surface, reduce the contact angle of the substrate surface, and make the substrate surface hydrophilic. Processing. By this processing, the effect of wet cleaning in the chemical cleaning section can be enhanced. In the chemical liquid cleaning section, the surface of the substrate is cleaned with an alkaline or acidic chemical liquid to remove oil and fat components and increase the hydrophilicity of the substrate. The pure water cleaning section is
For rinsing the substrate after the chemical cleaning process,
The drying section is for drying the substrate after the pure water cleaning.

【０００３】上記の構成のうち、紫外線洗浄処理部は、
紫外線照射ランプを備えており、このランプのランニン
グコストが高いという問題がある。また、紫外線照射に
は、アルミニウム膜が形成された基板を処理する場合に
は、アルミニウム膜が酸化されやすいという問題もあ
る。また、アルカリ性または酸性の薬液による洗浄にお
いては、廃液処理にコストがかかるうえ、環境に対する
悪影響も考えられる。[0003] In the above configuration, the ultraviolet ray cleaning section includes:
An ultraviolet irradiation lamp is provided, and there is a problem that the running cost of this lamp is high. Further, the ultraviolet irradiation has a problem that the aluminum film is easily oxidized when the substrate on which the aluminum film is formed is processed. In addition, in the case of washing with an alkaline or acidic chemical solution, waste liquid treatment is costly and may have an adverse effect on the environment.

【０００４】これらの問題を解決するための他の洗浄方
法として、電解イオン水を用いる洗浄技術を適用するこ
とが考えられる。すなわち、水や微量の酸またはアルカ
リを添加した水溶液からなる電解液に直流電圧を印加す
ると、イオンの移動により、ｐＨの偏った陽イオン水お
よび陰イオン水が得られる。これらの電解イオン水は、
固体表面に付着した金属や微粒子などの汚染物質を効率
良く除去する働きがあることが知られている。As another cleaning method for solving these problems, it is conceivable to apply a cleaning technique using electrolytic ionized water. That is, when a DC voltage is applied to an electrolytic solution composed of water or an aqueous solution to which a small amount of an acid or an alkali is added, cation water and anion water having a biased pH are obtained due to the movement of ions. These electrolytic ionic waters
It is known that there is a function of efficiently removing contaminants such as metals and fine particles attached to a solid surface.

【０００５】このような電解イオン水を利用した基板洗
浄装置の典型例は、電解イオン水の槽に、複数枚の基板
を浸漬させる構成を有している。しかし、このような構
成では、電解イオン水の槽に電解イオン水を満たさなけ
ればならない。しかも、基板表面から除去された汚染物
質の槽中での濃度が高まれば、槽内の電解イオン水を廃
棄して、新たな電解イオン水で槽を満たす必要がある。
そのため、大量の電解イオン水を作成する必要があり、
電解イオン水の生成のために使用される電力量が大きく
なるなど、装置のランニングコストが嵩むという問題が
ある。[0005] A typical example of such a substrate cleaning apparatus using electrolytic ionized water has a configuration in which a plurality of substrates are immersed in a bath of electrolytic ionized water. However, in such a configuration, the electrolytic ionic water tank must be filled with electrolytic ionic water. Moreover, when the concentration of the contaminants removed from the substrate surface in the tank increases, it is necessary to discard the electrolytic ionic water in the tank and fill the tank with new electrolytic ionic water.
Therefore, it is necessary to create a large amount of electrolytic ion water,
There is a problem that the running cost of the apparatus increases, such as an increase in the amount of electric power used for generating electrolytic ionic water.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、上述の技術的課題を解決し、ランニングコストが低
く、かつ、洗浄効率の高い基板洗浄装置および基板洗浄
方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method with low running cost and high cleaning efficiency. .

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板をほ
ぼ水平に保持する基板保持手段と、電解液を電気分解し
て、陽イオン水と陰イオン水とを生成する電解イオン水
生成手段と、上記基板保持手段に保持された基板の上面
に上記陽イオン水および陰イオン水のうち少なくともい
ずれか一方の電解イオン水を供給する電解イオン水供給
手段と、上記基板保持手段に保持された基板の上面に上
記電解イオン水を液盛りし、この電解イオン水が基板の
上面に液盛りされた状態を所定時間だけ保持することに
より、基板の洗浄処理を行う電解イオン水洗浄処理部と
を備えたことを特徴とする基板洗浄装置である。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate holding means for holding a substrate substantially horizontally, and an electrolytic solution for electrolyzing the electrolytic solution. Electrolytic ionic water generating means for generating ionic water and anionic water; and supplying at least one of the cation water and the anionic water to the upper surface of the substrate held by the substrate holding means. Electrolyzed ionic water supply means, by pouring the electrolytic ionic water on the upper surface of the substrate held by the substrate holding means, and holding the electrolytic ionic water on the upper surface of the substrate for a predetermined time A substrate cleaning apparatus, comprising: an electrolytic ion water cleaning section for performing a substrate cleaning process.

【０００８】上記の構成によれば、基板の上面に電解イ
オン水を液盛りし、その状態を所定時間だけ保持するこ
とにより、電解イオン水の作用により、基板の洗浄処理
が達成される。したがって、基板を電解イオン水中に浸
漬する従来の洗浄装置に比較して、電解イオン水の使用
液量を低減でき、その結果、電解イオン水生成部におけ
る使用電力量を低減できる。また、大きな浸漬槽が不要
であるので、装置の構成が簡単に、かつ、小型になる。[0008] According to the above configuration, the substrate is cleaned by the action of the electrolytic ionic water by pouring the electrolytic ionic water on the upper surface of the substrate and maintaining the state for a predetermined time. Therefore, compared to a conventional cleaning device in which a substrate is immersed in electrolytic ionized water, the amount of liquid used for electrolytic ionized water can be reduced, and as a result, the amount of power used in the electrolytic ionized water generator can be reduced. Further, since a large immersion tank is not required, the configuration of the apparatus is simple and small.

【０００９】さらに、アンモニア過水などのアルカリ性
洗浄液や硫酸過水などの酸性洗浄液を用いる場合に比較
して、純水などによる流水置換によって、電解イオン水
を容易に洗い流すことができる。しかも、自然環境に廃
液した場合に、自然に中和されるので、自然や人体に与
える影響が少ない。また、アルカリ性洗浄液や酸性洗浄
液よりも酸化還元電位が高く、酸化還元力が大きいの
で、異物の除去やシリコン膜のエッチングの能力が高
い。しかも、電解イオン水のコストは安いので、装置の
ランニングコストを低く抑えることができる。Furthermore, compared with the case of using an alkaline cleaning solution such as ammonia-hydrogen peroxide or an acidic cleaning solution such as sulfuric acid-hydrogen peroxide, the electrolytic ionic water can be easily washed away by running water replacement with pure water or the like. In addition, when the waste liquid is discharged into the natural environment, it is neutralized naturally, and thus has little effect on nature and the human body. Further, since the oxidation-reduction potential is higher and the oxidation-reduction power is higher than that of the alkaline cleaning liquid or the acidic cleaning liquid, the ability of removing foreign substances and etching the silicon film is high. In addition, since the cost of electrolytic ionic water is low, the running cost of the apparatus can be kept low.

【００１０】また、純水のみで流水洗浄する場合に比較
すると、電解イオン水の分子が作る集団（クラスタ）が
純水のクラスタよりも小さいので、表面張力が小さく、
微細ホールに進入しやすい。そのため、微細部の洗浄能
力が高いという利点がある。さらに、紫外線を照射する
ことによって基板上の有機物を分解し、基板の接触角を
低下させる従来技術に比較して、装置の構成が簡単にな
り、紫外線照射ランプ等の高価な部品も必要としないの
で、装置コストおよびそのランニングコストの低減を図
ることができる。そのうえ、紫外線による人体への影響
を抑えることができる。[0010] Also, compared with the case of washing with running water with pure water alone, the group formed by the molecules of electrolytic ionic water is smaller than the cluster of pure water, so that the surface tension is small.
Easy to enter fine holes. Therefore, there is an advantage that the cleaning ability of the fine part is high. Furthermore, compared to the prior art in which the organic matter on the substrate is decomposed by irradiating ultraviolet rays to reduce the contact angle of the substrate, the configuration of the device is simplified, and expensive components such as an ultraviolet irradiation lamp are not required. Therefore, it is possible to reduce the apparatus cost and its running cost. In addition, the effect of the ultraviolet rays on the human body can be suppressed.

【００１１】請求項２記載の発明は、基板をほぼ水平に
保持する基板保持手段と、電解液を電気分解して、陽イ
オン水と陰イオン水とを生成する電解イオン水生成手段
と、上記基板保持手段に保持された基板の上面に上記陽
イオン水および陰イオン水のうち少なくともいずれか一
方の電解イオン水を供給する電解イオン水供給手段と、
上記基板保持手段に保持された基板の上面に、この基板
の上面が電解イオン水によって覆われた状態が保持され
るのに必要かつ充分な流量で、電解イオン水を上記電解
イオン水供給手段から供給することにより、基板の洗浄
処理を行う電解イオン水洗浄処理部とを備えたことを特
徴とする基板洗浄装置である。The invention according to claim 2 is a substrate holding means for holding a substrate substantially horizontally, an electrolytic ionic water generating means for electrolyzing an electrolytic solution to generate cation water and anionic water, and Electrolytic ionic water supply means for supplying electrolytic ionic water of at least one of the cationic water and anionic water to the upper surface of the substrate held by the substrate holding means,
On the upper surface of the substrate held by the substrate holding means, at a flow rate necessary and sufficient to maintain a state in which the upper surface of the substrate is covered with electrolytic ionic water, electrolytic ionic water is supplied from the electrolytic ionic water supply means. A substrate cleaning apparatus comprising: an electrolytic ionized water cleaning section for performing a substrate cleaning process by supplying the substrate.

【００１２】この構成では、基板の上面に、電解イオン
水によって基板の上面が覆われた状態が保持されるのに
必要かつ充分な流量で電解イオン水が供給される。これ
により、少流量で電解イオン水を供給しつつ、基板の洗
浄を行える。したがって、電解イオン水中に基板を浸漬
する従来技術に比較して、電解イオン水の使用量を格段
に少なくすることができる。その他、請求項１記載の発
明と同様な効果を達成できる。In this configuration, the electrolytic ionic water is supplied at a flow rate necessary and sufficient to maintain the state in which the upper surface of the substrate is covered with the electrolytic ionic water on the upper surface of the substrate. Thus, the substrate can be cleaned while supplying the electrolytic ion water at a small flow rate. Therefore, the amount of electrolytic ionic water used can be significantly reduced as compared with the prior art in which a substrate is immersed in electrolytic ionic water. In addition, the same effect as the first aspect can be achieved.

【００１３】請求項３記載の発明は、上記電解イオン水
供給手段は、陽イオン水と陰イオン水とを選択的に切り
換えて基板に供給するものであることを特徴とする請求
項１または２記載の基板洗浄装置である。この構成によ
り、基板表面から除去すべき異物の種類に応じて、陽イ
オン水または陰イオン水を選択できるから、それぞれの
電解イオン水の作用に応じて、効率的に基板を洗浄する
ことができる。According to a third aspect of the present invention, the electrolytic ionic water supply means selectively switches between cation water and anion water and supplies the water to the substrate. It is a board | substrate washing | cleaning apparatus of description. According to this configuration, cation water or anion water can be selected according to the type of foreign matter to be removed from the substrate surface, so that the substrate can be efficiently cleaned according to the action of each electrolytic ionic water. .

【００１４】請求項４記載の発明は、上記電解イオン水
供給手段は、陽イオン水または陰イオン水のうち、いず
れか一方を基板に供給した後に、他方を基板に供給する
ものであることを特徴とする請求項１または２記載の基
板洗浄装置である。この構成によれば、陽イオン水また
は陰イオン水のいずれか一方の電解イオン水により基板
の洗浄を行った後に、他方の電解イオン水を基板に供給
することにより、電解イオン水が迅速に中和される。こ
れにより、次の工程の処理へ迅速に移行することができ
るので、全体の処理時間を短縮できる。According to a fourth aspect of the present invention, the electrolytic ionic water supply means supplies either one of cation water or anion water to the substrate and then supplies the other to the substrate. 3. The apparatus for cleaning a substrate according to claim 1, wherein: According to this configuration, after cleaning the substrate with either electrolytic ionic water or anionic aqueous electrolytic water, the other electrolytic ionic water is supplied to the substrate, so that the electrolytic ionic water is quickly immersed. Be summed up. As a result, it is possible to quickly shift to the processing of the next step, so that the overall processing time can be reduced.

【００１５】請求項５記載の発明は、所定圧力に加圧さ
れた洗浄液を基板に供給し、その圧力の作用によって基
板を洗浄する高圧洗浄部と、超音波振動が付与された純
水を基板に供給し、その振動の作用によって基板を洗浄
する超音波洗浄部とをさらに備えたことを特徴とする請
求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a high-pressure cleaning section for supplying a cleaning liquid pressurized to a predetermined pressure to a substrate and cleaning the substrate by the action of the pressure, and a method for supplying pure water to which ultrasonic vibration is applied to the substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising: an ultrasonic cleaning unit that supplies the liquid to the substrate and cleans the substrate by the action of the vibration.

【００１６】この構成によれば、高圧洗浄液による基板
の洗浄と、超音波振動が付与された純水による基板の洗
浄とを行うことができるから、基板上の微細な異物を効
果的に除去できる。請求項６記載の発明は、基板の表面
をスクラブして洗浄するスクラブ洗浄部をさらに備えた
ことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置である。According to this structure, the substrate can be cleaned with the high-pressure cleaning liquid and the substrate can be cleaned with pure water to which ultrasonic vibration has been applied, so that fine foreign substances on the substrate can be effectively removed. . The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a scrub cleaning unit for scrubbing and cleaning the surface of the substrate.

【００１７】この構成によれば、基板をスクラブ洗浄す
ることによって、基板上の比較的大きな異物を効果的に
除去できる。請求項７記載の発明は、上記基板保持手段
から基板を受け渡され、上記スクラブ洗浄部、上記高圧
洗浄部、および上記超音波洗浄部の順に、基板を搬送す
る基板搬送手段を備えたことを特徴とする請求項６記載
の基板洗浄装置である。According to this configuration, by scrub-cleaning the substrate, relatively large foreign substances on the substrate can be effectively removed. According to a seventh aspect of the present invention, the apparatus further includes a substrate transfer unit that receives the substrate from the substrate holding unit and transfers the substrate in the order of the scrub cleaning unit, the high-pressure cleaning unit, and the ultrasonic cleaning unit. 7. The substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein:

【００１８】この構成によれば、複数種類の洗浄処理の
順序が適切に定められているので、効率良く基板を洗浄
することができる。請求項８記載の発明は、電解液を電
気分解して陽イオン水と陰イオン水とを生成する電解イ
オン水生成工程と、ほぼ水平に保持された基板の上面に
上記陽イオン水および陰イオン水のうち少なくともいず
れか一方の電解イオン水を供給する電解イオン水供給工
程と、上記基板保持手段に保持された基板の上面に電解
イオン水を液盛りし、この基板の上面に電解イオン水が
液盛りされた状態を所定時間だけ保持することにより、
基板の洗浄処理を行う電解イオン水洗浄処理工程とを含
むことを特徴とする基板洗浄方法である。According to this configuration, the order of the plurality of types of cleaning processing is appropriately determined, so that the substrate can be efficiently cleaned. The invention according to claim 8 provides an electrolytic ionic water generating step of electrolyzing an electrolytic solution to generate cation water and anionic water, and the step of forming the cation water and the anion on the upper surface of the substrate held substantially horizontally. An electrolytic ionic water supply step of supplying at least one of electrolytic ionic water out of water, and an electrolytic ionic water is poured on the upper surface of the substrate held by the substrate holding means, and the electrolytic ionic water is provided on the upper surface of the substrate. By holding the liquid level for a predetermined time,
A substrate cleaning method for performing a substrate cleaning process.

【００１９】この方法により、請求項１の発明と同様な
効果が達成される。請求項９記載の発明は、電解液を電
気分解して陽イオン水と陰イオン水とを生成する電解イ
オン水生成工程と、上記基板保持手段に保持された基板
の上面に、この基板の上面が上記陽イオン水および陰イ
オン水のうち少なくともいずれか一方の電解イオン水に
よって覆われた状態を保持するのに必要かつ充分な流量
で、電解イオン水を供給することにより、基板の洗浄処
理を行う電解イオン水洗浄処理工程とを含むことを特徴
とする基板洗浄方法である。According to this method, the same effect as that of the first aspect is achieved. According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an electrolytic ionic water generating step of electrolyzing an electrolytic solution to generate cationic water and anionic water, and an upper surface of the substrate held on the substrate holding means. By supplying electrolytic ionic water at a flow rate necessary and sufficient to maintain the state of being covered with at least one of the cationic water and the anionic water, the substrate cleaning treatment can be performed. And a step of performing electrolytic ion water cleaning treatment.

【００２０】この方法により、請求項２の発明と同様な
効果が達成される。請求項１０記載の発明は、上記電解
イオン水供給工程は、陽イオン水と陰イオン水とを選択
的に切り換えて基板に供給する工程を含むことを特徴と
する請求項８または９記載の基板洗浄方法である。この
方法により、請求項３の発明と同様な効果が達成され
る。According to this method, an effect similar to that of the second aspect of the invention is achieved. The invention according to claim 10 is characterized in that the step of supplying electrolytic ionic water includes a step of selectively switching between cation water and anion water to supply the water to the substrate. This is a cleaning method. According to this method, the same effect as the third aspect of the invention is achieved.

【００２１】請求項１１記載の発明は、上記電解イオン
水供給工程は、陽イオン水または陰イオン水のうち、い
ずれか一方を基板に供給した後に、他方を基板に供給す
る工程を含むことを特徴とする請求項８または９に記載
の基板洗浄方法である。この方法により、請求項４の発
明と同様な効果が達成される。請求項１２記載の発明
は、所定圧力に加圧された洗浄液を基板に供給し、その
圧力の作用によって基板を洗浄する高圧洗浄工程と、超
音波振動が付与された純水を基板に供給し、その振動の
作用によって基板を洗浄する超音波洗浄工程とをさらに
含むことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに
記載の基板洗浄方法である。The eleventh aspect of the present invention is that the step of supplying electrolytic ionic water includes the step of supplying either one of cation water or anion water to the substrate and then supplying the other to the substrate. The method for cleaning a substrate according to claim 8 or 9, wherein: According to this method, the same effect as the invention of claim 4 is achieved. According to a twelfth aspect of the present invention, a cleaning liquid pressurized to a predetermined pressure is supplied to a substrate, and a high-pressure cleaning step of cleaning the substrate by the action of the pressure, and pure water to which ultrasonic vibration is applied is supplied to the substrate. 12. The substrate cleaning method according to claim 8, further comprising an ultrasonic cleaning step of cleaning the substrate by the action of the vibration.

【００２２】この方法により、請求項５の発明と同様な
効果が達成される。請求項１３記載の発明は、基板の表
面をスクラブして洗浄するスクラブ洗浄工程をさらに含
むことを特徴とする請求項１２記載の基板洗浄方法であ
る。この方法により、請求項６の発明と同様な効果が達
成される。請求項１４記載の発明は、上記電解イオン水
洗浄処理工程の後に、上記スクラブ洗浄工程、上記高圧
洗浄工程、および上記超音波洗浄工程が、この順で行わ
れることを特徴とする請求項１３記載の基板洗浄方法で
ある。According to this method, an effect similar to that of the fifth aspect is achieved. The invention according to claim 13 is the substrate cleaning method according to claim 12, further comprising a scrub cleaning step of scrubbing and cleaning the surface of the substrate. According to this method, the same effect as the invention of claim 6 is achieved. The invention according to claim 14 is characterized in that the scrub cleaning step, the high-pressure cleaning step, and the ultrasonic cleaning step are performed in this order after the electrolytic ion water cleaning processing step. Is a method for cleaning a substrate.

【００２３】この方法により、請求項７の発明と同様な
効果が達成される。According to this method, the same effect as that of the seventh aspect is achieved.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の全体の構成を示
す斜視図である。また、図２は、図１の構成の簡略化し
た平面図である。この基板洗浄装置は、装置の前側にイ
ンデクサ部１を有し、装置の後ろ側に洗浄処理部２を有
し、インデクサ部１と洗浄処理部２との間に搬送部３を
有している。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a simplified plan view of the configuration of FIG. This substrate cleaning apparatus has an indexer section 1 on the front side of the apparatus, has a cleaning section 2 on the rear side of the apparatus, and has a transport section 3 between the indexer section 1 and the cleaning section 2. .

【００２５】インデクサ部１は、基板を複数枚、たとえ
ば２５枚収納可能なカセット４をそれぞれ載置すること
ができる複数のカセット載置部１１を有している。この
複数のカセット載置部１１は装置の左右方向に沿って一
直線状に配列されている。洗浄処理部２は、基板の両面
を洗浄するブラシモジュール２１と、基板を回転させな
がら基板表面を洗浄するスピン部２２とがインデンクサ
部１から一定間隔だけ離間した状態で、カセット４の配
列方向とほぼ平行に対向配列されている。また、ブラシ
モジュール２１の上方には、基板の表面を電解イオン水
によって洗浄するための電解イオン水洗浄部２３が配置
されている。The indexer section 1 has a plurality of cassette mounting sections 11 on which a plurality of substrates, for example, a cassette 4 capable of storing 25 substrates can be mounted. The plurality of cassette mounting sections 11 are arranged in a straight line along the left-right direction of the apparatus. The cleaning unit 2 includes a brush module 21 for cleaning both surfaces of the substrate, and a spin unit 22 for cleaning the substrate surface while rotating the substrate. The spinning unit 22 is separated from the indexer unit 1 by a certain distance. They are arranged substantially parallel and opposed to each other. An electrolytic ionic water cleaning unit 23 for cleaning the surface of the substrate with electrolytic ionic water is disposed above the brush module 21.

【００２６】電解イオン水洗浄部２３とブラシモジュー
ル２１との間には、プッシャピンなどで構成された後述
のエレベータ機構が設けられており、電解イオン水によ
る洗浄処理を受けた後の基板は、このエレベータ機構に
よってブラシモジュール２１へと下降するようになって
いる。ブラシモジュール２１は、基板をスピン部２２に
向けてローラ搬送しながら、基板の両面または裏面のみ
をブラシ洗浄するものである。ローラ搬送の終点付近に
は、基板を持ち上げるためのプッシャピンが設けられて
おり、このプッシャピンからシャトル搬送ハンド５に基
板が受け渡されるようになっている。シャトル搬送ハン
ド５は、ブラシモジュール２１の払い出し部２１ｂで受
け取った基板をスピン部２２に搬入するためのものであ
る。An elevator mechanism described later, which is constituted by a pusher pin or the like, is provided between the electrolytic ionic water washing section 23 and the brush module 21. The elevator mechanism descends to the brush module 21. The brush module 21 brush-cleans both surfaces or only the back surface of the substrate while transporting the substrate by a roller toward the spin unit 22. A pusher pin for lifting the substrate is provided near the end point of the roller transport, and the substrate is transferred to the shuttle transport hand 5 from the pusher pin. The shuttle transport hand 5 is for transporting the substrate received by the payout unit 21 b of the brush module 21 to the spin unit 22.

【００２７】スピン部２２は、自公転ブラシ２２ａによ
る基板のブラシ洗浄処理、超音波ノズル２２ｂから超音
波振動が与えられた純水を基板表面にシャワー状に吐出
する超音波シャワー洗浄処理、および純水ノズル２２ｃ
による純水リンス処理をこの順序で行い、基板表面を洗
浄する。これに引き続いて、スピン部２２内で基板を高
速回転させることにより、水分を振り切り、基板を乾燥
させる。The spin section 22 includes a brush cleaning process of the substrate by the self-revolving brush 22a, an ultrasonic shower cleaning process of discharging pure water to which ultrasonic vibration is applied from the ultrasonic nozzle 22b into a shower surface, and Water nozzle 22c
Is performed in this order to clean the substrate surface. Subsequently, the substrate is rotated at a high speed in the spin section 22 to shake off the water and dry the substrate.

【００２８】搬送部３は、カセット載置部１１の配列方
向に沿って形成された直線状の搬送路６を有している。
この搬送路６に沿って往復直線走行が可能であるよう
に、搬送ロボット３３が配置されている。搬送ロボット
３３は、鉛直軸まわりに回動自在な第１アーム３６と、
この第１アーム３６の先端に鉛直軸まわりの回動が自在
であるように設けられた第２アーム３７と、この第２ア
ーム３７の先端に鉛直軸まわりの回動が自在であるよう
に設けられたハンド３８とを有している。ハンド３８の
先端付近には、複数の吸着孔（図示せず）が設けられて
おり、基板の下面を吸着して保持することができるよう
になっている。第１アーム３６は、昇降機構（図示せ
ず）によって昇降可能とされており、これにより、第１
アーム３６、第２アーム３７およびハンド３８は、一体
的に昇降することができる。The transport section 3 has a linear transport path 6 formed along the direction in which the cassette mounting sections 11 are arranged.
The transfer robot 33 is arranged so as to be able to reciprocate linearly along the transfer path 6. The transfer robot 33 includes a first arm 36 rotatable around a vertical axis,
A second arm 37 is provided at the tip of the first arm 36 so as to be freely rotatable around a vertical axis, and is provided at a tip of the second arm 37 so as to be freely rotatable around a vertical axis. And a hand 38 that is provided. A plurality of suction holes (not shown) are provided near the tip of the hand 38 so that the lower surface of the substrate can be sucked and held. The first arm 36 can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown).
The arm 36, the second arm 37, and the hand 38 can move up and down integrally.

【００２９】この構成により、搬送部３は、インデクサ
部１の任意のカセット４にアクセスして、１枚の基板を
そのカセット４から搬出したり、１枚の基板をそのカセ
ット４に搬入したりすることができる。また、搬送部３
は、電解イオン水洗浄部２３に、その入り口２３ａか
ら、未処理の基板を搬入したり、スピン部２２における
処理が終了した基板を、このスピン部２２から搬出した
りすることができる。With this configuration, the transport unit 3 accesses an arbitrary cassette 4 of the indexer unit 1 and carries out one substrate from the cassette 4 or carries one substrate into the cassette 4. can do. The transport unit 3
The unloaded substrate can be loaded into the electrolytic ionized water cleaning unit 23 through the entrance 23a, or the substrate after the processing in the spin unit 22 can be unloaded from the spin unit 22.

【００３０】図３は、電解イオン水洗浄部２３に関連す
る構成を説明するための系統図である。電解イオン水洗
浄部２３は、基板Ｓを処理高さにおいて保持するための
複数のサイドピン４１を備えている。このサイドピン４
１よりも下方には、イオン水洗浄処理が行われた後の基
板をローラ搬送するための複数のローラ４２が、ブラシ
モジュール２１内に設けられている。このローラ４２と
サイドピン４１との間で基板を昇降するためのエレベー
タ機構を構成する複数のプッシャピン４３が備えられて
いる。サイドピン４１は、基板Ｓに対して近接／離反す
る方向に変位可能であり、基板Ｓの縁部を支持すること
ができるものであって、サイドピン駆動機構４４によっ
て駆動される。プッシャピン４３は、複数のローラ４２
の間に設けられており、プッシャピン駆動機構４５によ
って、上下方向に昇降される。FIG. 3 is a system diagram for explaining a configuration related to the electrolytic ion water washing section 23. The electrolytic ionic water cleaning unit 23 includes a plurality of side pins 41 for holding the substrate S at the processing height. This side pin 4
Below the roller 1, a plurality of rollers 42 for transporting the substrate after the ion water cleaning process is performed are provided in the brush module 21. A plurality of pusher pins 43 constituting an elevator mechanism for elevating the substrate between the rollers 42 and the side pins 41 are provided. The side pins 41 can be displaced in a direction approaching / separating from the substrate S, can support an edge of the substrate S, and are driven by a side pin driving mechanism 44. The pusher pin 43 includes a plurality of rollers 42.
The pusher pin drive mechanism 45 vertically moves up and down.

【００３１】サイドピン４１の上方には、基板Ｓの上面
の中央に向けて電解イオン水を供給するためのノズルＮ
１およびＮ２が配置されている。ノズルＮ１は、陰イオ
ン（ＯＨ- ）水を供給するためのものであり、ノズルＮ
２は、陽イオン（Ｈ+ ）水を供給するためのものであ
る。これらのノズルＮ１およびＮ２には、それぞれ、三
方弁４７，４８を介して、電解槽４６から、陰イオン水
および陽イオン水が供給されるようになっている。Above the side pins 41, a nozzle N for supplying electrolytic ionic water toward the center of the upper surface of the substrate S
1 and N2 are arranged. The nozzle N1 is for supplying anionic (OH − ) water, and the nozzle N1
Numeral 2 is for supplying cation (H + ) water. Anion water and cation water are supplied to the nozzles N1 and N2 from the electrolytic tank 46 via three-way valves 47 and 48, respectively.

【００３２】電解槽４６は、負電極５１および正電極５
２と、負電極５１が浸漬される陰極槽部５３と、正電極
５２が浸漬される陽極槽部５４と、陰極槽部５３および
陽極槽部５４を区画しているイオン隔膜５５とを有して
いる。負電極５１と正電極５２との間には、正電極５２
側の電位が高くなるように電位差が与えられる。陰極槽
部５３には、アルカリ性水槽５７から、ポンプ５９、オ
ートダンパ６１およびフィルタ７５を介してアルカリ性
水が供給されている。また、陽極槽部５４には、酸性水
槽５８から、ポンプ６０、オートダンパ６２およびフィ
ルタ７６を介して酸性水が供給されている。オートダン
パ６１，６２は、たとえばダイヤフラムポンプからなる
ポンプ５９，６０により生じる脈動を緩和する。The electrolytic cell 46 includes a negative electrode 51 and a positive electrode 5.
2, a cathode cell section 53 in which the negative electrode 51 is immersed, an anode cell section 54 in which the positive electrode 52 is immersed, and an ion diaphragm 55 dividing the cathode cell section 53 and the anode cell section 54. ing. A positive electrode 52 is provided between the negative electrode 51 and the positive electrode 52.
The potential difference is applied so that the potential on the side becomes higher. The alkaline water is supplied from the alkaline water tank 57 to the cathode tank section 53 via the pump 59, the auto damper 61 and the filter 75. Further, acidic water is supplied to the anode tank 54 from an acidic water tank 58 via a pump 60, an auto damper 62 and a filter 76. The automatic dampers 61 and 62 reduce pulsation generated by the pumps 59 and 60 including, for example, diaphragm pumps.

【００３３】このような構成により、電解槽４６におい
ては、電解液の電気分解が起こり、Ｈ2 ガスが生じる陰
極槽部５３では陰イオン（ＯＨ- ）が生成され、Ｏ2 ガ
スが生じる陽極槽部５４では陽イオン（Ｈ+ ）が生成さ
れる。これにより、陰極槽部５３で陰イオンを多量に含
んだ陰イオン水が生成され、陽極槽部５４では陽イオン
を多量に含んだ陽イオン水が生成される。With such a configuration, in the electrolytic cell 46, electrolysis of the electrolytic solution occurs, and in the cathode cell section 53 where H 2 gas is generated, anions (OH − ) are generated and an anode cell where O 2 gas is generated. In the part 54, cations (H + ) are generated. As a result, anion water containing a large amount of anions is generated in the cathode cell section 53, and cation water containing a large amount of cations is generated in the anode cell section 54.

【００３４】陰極槽部５３内の陰イオン水は、ポンプ５
９の働きによって、三方弁４７へと圧送される。三方弁
４７は、ノズルＮ１またはアルカリ性水槽５７に結合さ
れた循環路６３のいずれかに陰イオン水を供給する。し
たがって、三方弁４７の切り換えにより、基板Ｓの表面
に、必要な時間だけ陰イオン水を供給することができ
る。The anion water in the cathode chamber 53 is supplied to the pump 5
By the action of 9, the pressure is fed to the three-way valve 47. The three-way valve 47 supplies anionic water to either the nozzle N1 or the circulation path 63 connected to the alkaline water tank 57. Therefore, by switching the three-way valve 47, anion water can be supplied to the surface of the substrate S for a required time.

【００３５】陽極槽部５４内の陽イオン水も同様に、ポ
ンプ６０の働きによって、三方弁４８へと圧送される。
この三方弁４８は、ノズルＮ２または酸性水槽５８に結
合された循環路６４のいずれかに陽イオン水を供給す
る。これにより、三方弁４８の切り換えにより、基板Ｓ
の表面に、必要な時間だけ陽イオン水を供給することが
できる。Similarly, the cation water in the anode tank 54 is pumped to the three-way valve 48 by the action of the pump 60.
The three-way valve 48 supplies cationic water to either the nozzle N2 or the circulation path 64 connected to the acidic water tank 58. Thus, by switching the three-way valve 48, the substrate S
Surface can be supplied with cationic water only for the required time.

【００３６】三方弁４７，４８は、コントローラ１００
によって制御されるようになっており、陰イオン水およ
び陽イオン水のうちのいずれか一方のみが選択的に基板
Ｓに供給されるように切り換え制御される。また、循環
路６３，６４を介して陰イオン水および陽イオン水を循
環させることにより、各電解イオン水のイオン濃度を基
板Ｓの洗浄処理に必要な値まで高めることができる。The three-way valves 47 and 48 are connected to the controller 100
The switching is controlled so that only one of the anion water and the cation water is selectively supplied to the substrate S. In addition, by circulating the anion water and the cation water through the circulation paths 63 and 64, the ion concentration of each electrolytic ionic water can be increased to a value required for the cleaning treatment of the substrate S.

【００３７】陰イオン水および陽イオン水を生成するも
ととなる電解液は、純水に電解質としての塩化アンモニ
ウムを混合することによって得られる。すなわち、塩化
アンモニウム供給ユニット６５から弁６６および流量計
６７を介して調合ユニット６９に塩化アンモニウムが供
給される。そして、調合ユニット６９において、純水に
塩化アンモニウムが混合される。こうして得られた電解
液は、ポンプ７０の働きによって、流量調整弁７１およ
び流量計７３を介してアルカリ性水槽５７に供給される
とともに、弁７２および流量計７４を介して酸性水槽５
８に供給される。The electrolyte from which anion water and cation water are formed can be obtained by mixing pure water with ammonium chloride as an electrolyte. That is, ammonium chloride is supplied from the ammonium chloride supply unit 65 to the blending unit 69 via the valve 66 and the flow meter 67. Then, in the blending unit 69, ammonium chloride is mixed with the pure water. The electrolytic solution thus obtained is supplied to the alkaline water tank 57 via the flow control valve 71 and the flow meter 73 by the function of the pump 70, and is supplied to the acidic water tank 5 via the valve 72 and the flow meter 74.
8 is supplied.

【００３８】図４は、電解イオン水洗浄部２３における
洗浄処理の流れを説明するための図である。搬送ロボッ
ト３３（図１参照）は、基板Ｓを入り口２３ａから搬入
し、サイドピン４１に載せた後、退避する。その後、コ
ントローラ１００の制御の下、たとえば、三方弁４７が
ノズルＮ１側に開放される。これにより、図４(a) に示
すように、ノズルＮ１から陰イオン水が滴下され、基板
Ｓの表面に陰イオン水が溜まっていく。コントローラ１
００は、基板Ｓの表面の全域がくまなく陰イオン水によ
って覆われるのに必要充分な所定時間の経過後に、三方
弁４７を循環路６３側に切り換える。これにより、基板
Ｓには、陰イオン水が液盛りされることになる。FIG. 4 is a diagram for explaining the flow of the cleaning process in the electrolytic ion water cleaning section 23. The transfer robot 33 (see FIG. 1) loads the substrate S from the entrance 23a, places it on the side pins 41, and then retreats. Thereafter, under the control of the controller 100, for example, the three-way valve 47 is opened to the nozzle N1 side. Thereby, as shown in FIG. 4A, anionic water is dropped from the nozzle N1, and anionic water accumulates on the surface of the substrate S. Controller 1
At 00, the three-way valve 47 is switched to the circulation path 63 after a lapse of a predetermined time necessary and sufficient to cover the entire surface of the substrate S with the anion water. As a result, the substrate S is filled with the anion water.

【００３９】基板Ｓに陰イオン水が液盛りされた状態
で、この陰イオン水による基板の洗浄が完了するのに要
する所定時間（たとえば６０秒）が待機される（図４
(b) ）。その後、三方弁４８が所定時間だけノズルＮ２
側に開かれ、このノズルＮ２から陽イオン水が基板Ｓに
供給される（図４(c) ）。これにより、基板Ｓの洗浄に
用いられた陰イオン水が速やかに中和される。With the substrate S filled with anion water, a predetermined time (for example, 60 seconds) required for completing the cleaning of the substrate with the anion water is waited (FIG. 4).
(b)). Thereafter, the three-way valve 48 sets the nozzle N2 for a predetermined time.
The nozzle is opened to the side, and cation water is supplied to the substrate S from the nozzle N2 (FIG. 4 (c)). Thereby, the anion water used for cleaning the substrate S is quickly neutralized.

【００４０】その後、図４(d) に示すように、プッシャ
ピン４３が上昇し、基板Ｓをサイドピン４１よりも上方
に押し上げる。次いで、図４(e) に示すように、サイド
ピン４１が基板Ｓから退避し、その後、プッシャピン４
３が下降する。プッシャピン４３の下降の過程で、図４
(f) に示すように、陰イオン水による洗浄が完了した基
板Ｓは、ローラ４２に移載される。このとき、搬送ロボ
ット３３はサイドピン４１に、次に処理すべき基板Ｓ１
を載置する。Thereafter, as shown in FIG. 4D, the pusher pins 43 move upward, and push the substrate S upward above the side pins 41. Next, as shown in FIG. 4E, the side pins 41 are retracted from the substrate S, and thereafter, the pusher pins 4
3 falls. In the process of lowering the pusher pin 43, FIG.
As shown in (f), the substrate S that has been washed with anion water is transferred to the roller 42. At this time, the transfer robot 33 places the substrate S1 to be processed next on the side pin 41.
Is placed.

【００４１】こうして、電解イオン水洗浄部２３におい
ては、基板Ｓが１枚ずつ陰イオン水によって洗浄され、
この洗浄に使用される陰イオン水の量は、必要充分な量
に制限される。なお、基板Ｓ上の陰イオン水を陽イオン
水で中和する必要は必ずしもない。そこで、図４(b) の
状態で、たとえば４０秒だけ待機した後、プッシャピン
４３に基板Ｓを受け渡すようにしてもよい。この場合、
図４(d) の状態から図４(f) の状態に移行するまでに、
たとえば、２０秒の時間を要するとすれば、基板Ｓの上
面は、合計で６０秒間にわたって陰イオン水による洗浄
作用を受けることになる。この場合には、図３および図
４において、ノズルＮ２、三方弁４８は不要となり、陽
イオン水は、循環路６４にのみ供給される。Thus, in the electrolytic ionic water washing section 23, the substrates S are washed one by one with anionic water.
The amount of anion water used for this washing is limited to a necessary and sufficient amount. It is not always necessary to neutralize the anion water on the substrate S with the cation water. Therefore, the substrate S may be transferred to the pusher pin 43 after waiting for, for example, 40 seconds in the state of FIG. in this case,
Before the state shown in FIG. 4D changes to the state shown in FIG.
For example, assuming that a time of 20 seconds is required, the upper surface of the substrate S is subjected to the cleaning action by the anion water for a total of 60 seconds. In this case, in FIGS. 3 and 4, the nozzle N2 and the three-way valve 48 become unnecessary, and the cation water is supplied only to the circulation path 64.

【００４２】図５は、ブラシモジュール２１の構成を概
説するための概念図である。ローラ４２によってローラ
搬送されてくる基板Ｓは、基板Ｓの搬送路の上方および
下方に配置された複数の洗浄ノズル８０および複数のス
クラブブラシ８１からなる両面ブラシ装置８２によるス
クラブ洗浄を受け、比較的大きな異物が除去される。こ
のスクラブ洗浄後の基板Ｓの上面には、高圧スプレーノ
ズル８３から所定圧力に加圧された洗浄液、たとえば純
水がスプレーされ、さらに、Ｄソニック洗浄ノズル８４
からは超音波振動が付与された純水が供給される。これ
により、電解イオン水が洗浄液、たとえば純水に置換さ
れるとともに高圧スプレーによって異物が除去される。
さらに、超音波洗浄による物理的洗浄が行われる。こう
して、基板Ｓ上の微細な異物が除去される。FIG. 5 is a conceptual diagram schematically illustrating the configuration of the brush module 21. The substrate S conveyed by the rollers 42 is subjected to scrub cleaning by a double-sided brush device 82 including a plurality of cleaning nozzles 80 and a plurality of scrub brushes 81 disposed above and below the transfer path of the substrate S. Large foreign matter is removed. A cleaning liquid pressurized to a predetermined pressure, for example, pure water is sprayed from a high-pressure spray nozzle 83 onto the upper surface of the substrate S after the scrub cleaning.
Supplies pure water to which ultrasonic vibration has been applied. As a result, the electrolytic ionic water is replaced with a cleaning liquid, for example, pure water, and foreign matter is removed by high-pressure spray.
Further, physical cleaning by ultrasonic cleaning is performed. Thus, fine foreign matter on the substrate S is removed.

【００４３】その後、払い出し部２１ｂに達した基板Ｓ
は、複数のプッシャピン８５によって持ち上げられ、シ
ャトル搬送ハンド５（図１および図２参照）に受け渡さ
れる。両面ブラシ装置８２によるスクラブ洗浄を受けた
基板Ｓに対して、高圧スプレーノズル８３およびＤソニ
ック洗浄ノズル８４による各処理を順に施すために、ブ
ラシモジュール２１には、払い出し部２１ｂに向かって
基板を搬送するための複数のローラ８６が設けられてい
る。払い出し部２１ｂに設けられたプッシャピン８５
は、ローラ８６の間の位置で昇降するようになってい
る。Thereafter, the substrate S which has reached the payout portion 21b is
Is lifted by a plurality of pusher pins 85 and transferred to the shuttle transport hand 5 (see FIGS. 1 and 2). In order to sequentially perform each processing by the high-pressure spray nozzle 83 and the D-sonic cleaning nozzle 84 on the substrate S that has been scrub-cleaned by the double-sided brush device 82, the brush module 21 transports the substrate toward the payout unit 21b. A plurality of rollers 86 are provided. Pusher pin 85 provided in payout section 21b
Is moved up and down at a position between the rollers 86.

【００４４】以上のようにこの実施形態の基板洗浄装置
によれば、電解イオン水洗浄部２３は、基板Ｓに陰イオ
ン水を液盛りすることによって、この陰イオン水による
洗浄を達成している。そのため、少量の陰イオン水で充
分な処理を効率的に行うことができるので、電解イオン
水の供給量を少なくすることができる。これにより、装
置のランニングコストを少なくすることができる。As described above, according to the substrate cleaning apparatus of this embodiment, the electrolytic ionic water cleaning section 23 achieves the cleaning with the anionic water by filling the substrate S with the anionic water. . Therefore, sufficient treatment can be efficiently performed with a small amount of anion water, so that the supply amount of electrolytic ion water can be reduced. Thereby, the running cost of the apparatus can be reduced.

【００４５】電解イオン水の消費量についての、本件発
明者による試算例を次に示す。たとえば、液晶表示装置
用ガラス基板をローラ搬送しながら、基板の上面に電解
イオン水を連続スプレーして洗浄を行う連続枚葉方式を
採用することが考えられる。この場合、電解イオン水
は、たとえば、約２７リットル／分となる。ガラス基板
を６０秒／枚の速さで処理するように搬送するとすれ
ば、基板１枚当たりの電解イオン水消費量は、約２７リ
ットル／枚である。The following is an example of a trial calculation by the present inventor for the consumption of electrolytic ion water. For example, it is conceivable to adopt a continuous single-wafer method in which electrolytic ionized water is continuously sprayed on the upper surface of the glass substrate for cleaning while the glass substrate for a liquid crystal display device is transported by a roller. In this case, the electrolytic ionized water is, for example, about 27 liters / minute. Assuming that the glass substrate is transported so as to be processed at a speed of 60 seconds / sheet, the consumption of electrolytic ionic water per substrate is about 27 liters / sheet.

【００４６】これに対して、同様なガラス基板を本実施
形態の装置で処理する場合には、電解イオン水の供給量
は、たとえば、約０．３リットル／分となる。したがっ
て、同様に、６０秒で１枚のガラス基板を処理するとす
れば、基板１枚当たりの電解イオン水消費量は、約０．
３リットル／枚となる。したがって、連続枚葉方式の場
合に比較して、電解イオン水の使用量を約１／９０に低
減できる。浸漬式の場合に比較して電解イオン水の使用
量が著しく低減される点については、説明の必要はない
であろう。On the other hand, when a similar glass substrate is treated by the apparatus of the present embodiment, the supply amount of electrolytic ionic water is, for example, about 0.3 liter / minute. Accordingly, similarly, if one glass substrate is processed in 60 seconds, the consumption of electrolytic ionic water per substrate is about 0.5.
It will be 3 liters / sheet. Therefore, the amount of electrolytic ion water used can be reduced to about 1/90 as compared with the case of the continuous single-wafer method. It will not be necessary to explain that the amount of electrolytic ion water used is significantly reduced as compared with the immersion type.

【００４７】この発明の１つの実施形態について説明し
たが、この発明は上記の実施形態に限定されるものでは
ない。たとえば、上述の実施形態では、所定時間だけ陰
イオン水を供給し、基板表面に陰イオン水が行き渡った
ところで陰イオン水の供給を停止しているが、電解イオ
ン水を、基板表面を電解イオン水で覆うのに必要充分な
少流量で連続的に基板の表面に供給するようにしても、
電解イオン水の使用量を効果的に低減できる。Although one embodiment of the present invention has been described, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the anion water is supplied only for a predetermined time, and the supply of the anion water is stopped when the anion water spreads over the substrate surface. Even if it is continuously supplied to the surface of the substrate at a small flow rate necessary and sufficient to cover with water,
The amount of electrolytic ion water used can be effectively reduced.

【００４８】また、上記の実施形態では、陰イオン水を
基板の洗浄のために用いているが、基板上の異物の種類
によっては、陽イオン水が用いられてもよい。一般に、
陽イオン水には、金属除去、有機物除去、表面酸化およ
び殺菌の各作用があり、陰イオン水には、微粒子除去お
よび表面酸化防止の各作用があるので、これらを考慮し
て、いずれの電解イオン水を用いるべきかを決めればよ
い。In the above embodiment, anionic water is used for cleaning the substrate, but cationic water may be used depending on the type of foreign matter on the substrate. In general,
Cation water has metal removal, organic matter removal, surface oxidation and sterilization effects, and anion water has fine particle removal and surface oxidation prevention effects. What is necessary is just to decide whether to use ionized water.

【００４９】さらに、上記の実施形態では、電解液とし
て、純水に塩化アンモニウムを添加した水溶液を用いて
いるが、純水を用いてもよい。ただし、電解質の添加に
より、電解イオン水の酸化還元電位を高めることができ
るので、上述の各作用を強く発揮させることができる。
たとえば、純水から得た陽イオン水では、金属が基板に
付着することを防止できるに過ぎないのに対して、電解
質を純水に添加した水溶液から得られた陽イオン水で
は、基板に付着した金属を除去できる。同様に、純水か
ら得た陰イオン水では、微粒子が基板に付着することを
防止できるにすぎないのに対して、電解質を純水に添加
した水溶液から得た陰イオン水は、基板に付着した微粒
子を除去する働きを持つことができる。Further, in the above embodiment, the aqueous solution obtained by adding ammonium chloride to pure water is used as the electrolytic solution, but pure water may be used. However, since the oxidation-reduction potential of the electrolytic ionic water can be increased by adding the electrolyte, each of the above-described actions can be strongly exerted.
For example, cationic water obtained from pure water can only prevent the metal from adhering to the substrate, whereas cationic water obtained from an aqueous solution obtained by adding an electrolyte to pure water adheres to the substrate. Metal can be removed. Similarly, anion water obtained from pure water can only prevent fine particles from adhering to the substrate, whereas anion water obtained from an aqueous solution obtained by adding an electrolyte to pure water adheres to the substrate. It can have a function of removing the generated fine particles.

【００５０】また、上記の実施形態では、液晶表示装置
用ガラス基板を洗浄する装置を例にとって説明したが、
この発明は、ＰＤＰ表示装置用ガラス基板や半導体ウエ
ハなどの他の種類の被処理基板に対しても広く適用する
ことができるものである。その他、特許請求の範囲に記
載された技術的事項の範囲で種々の設計変更を施すこと
が可能である。In the above embodiment, the apparatus for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device has been described as an example.
The present invention can be widely applied to other types of substrates to be processed such as a glass substrate for a PDP display device and a semiconductor wafer. In addition, it is possible to make various design changes within the technical scope described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】この発明の一実施形態の基板洗浄装置の構成を
示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】上記基板処理装置の簡略化した平面図である。FIG. 2 is a simplified plan view of the substrate processing apparatus.

【図３】電解イオン水洗浄部に関連する構成を示す系統
図である。FIG. 3 is a system diagram illustrating a configuration related to an electrolytic ionized water cleaning unit.

【図４】電解イオン水洗浄部による処理の流れを説明す
るための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a flow of processing by an electrolytic ionized water cleaning unit.

【図５】ブラシモジュールの構成を示す図解図である。FIG. 5 is an illustrative view showing a configuration of a brush module;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２１ ブラシモジュール ２３ 電解イオン水洗浄部 ４１ サイドピン（基板保持手段） ４２ ローラ ４３ プッシャピン ４７，４８ 三方弁 ４６ 電解槽 ５７ アルカリ性水槽 ５８ 酸性水槽 ５３ 陰極槽 ５４ 陽極槽 ５９，６０ ポンプ ８２ 両面ブラシ装置（スクラブ洗浄部） ８３ 高圧スプレーノズル（高圧洗浄部） ８４ Ｄソニック洗浄ノズル（超音波洗浄部） ８６ ローラ １００ コントローラ Ｓ 基板 Ｎ１，Ｎ２ ノズル Reference Signs List 21 brush module 23 electrolytic ionic water cleaning section 41 side pin (substrate holding means) 42 roller 43 pusher pin 47, 48 three-way valve 46 electrolytic tank 57 alkaline water tank 58 acid water tank 53 cathode tank 54 anode tank 59, 60 pump 82 double-sided brush device ( Scrub cleaning section) 83 High pressure spray nozzle (High pressure cleaning section) 84 D Sonic cleaning nozzle (Ultrasonic cleaning section) 86 Roller 100 Controller S Substrate N1, N2 nozzle

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】基板をほぼ水平に保持する基板保持手段
と、 電解液を電気分解して、陽イオン水と陰イオン水とを生
成する電解イオン水生成手段と、 上記基板保持手段に保持された基板の上面に上記陽イオ
ン水および陰イオン水のうち少なくともいずれか一方の
電解イオン水を供給する電解イオン水供給手段と、 上記基板保持手段に保持された基板の上面に上記電解イ
オン水を液盛りし、この電解イオン水が基板の上面に液
盛りされた状態を所定時間だけ保持することにより、基
板の洗浄処理を行う電解イオン水洗浄処理部と、を備え
たことを特徴とする基板洗浄装置。1. A substrate holding means for holding a substrate substantially horizontally; an electrolytic ionic water generating means for electrolyzing an electrolytic solution to generate cation water and an anion water; Electrolytic ionic water supply means for supplying electrolytic ionic water of at least one of the cationic water and anionic water on the upper surface of the substrate, and the electrolytic ionic water on the upper surface of the substrate held by the substrate holding means. A substrate provided with an electrolytic ionic water cleaning unit for performing a cleaning process on the substrate by holding the state in which the electrolytic ionic water is immersed on the upper surface of the substrate for a predetermined time; Cleaning equipment. 【請求項２】基板をほぼ水平に保持する基板保持手段
と、 電解液を電気分解して、陽イオン水と陰イオン水とを生
成する電解イオン水生成手段と、 上記基板保持手段に保持された基板の上面に上記陽イオ
ン水および陰イオン水のうち少なくともいずれか一方の
電解イオン水を供給する電解イオン水供給手段と、 上記基板保持手段に保持された基板の上面に、この基板
の上面が電解イオン水によって覆われた状態が保持され
るのに必要かつ充分な流量で、電解イオン水を上記電解
イオン水供給手段から供給することにより、基板の洗浄
処理を行う電解イオン水洗浄処理部と、を備えたことを
特徴とする基板洗浄装置。2. A substrate holding means for holding a substrate substantially horizontally; an electrolytic ionic water generating means for electrolyzing an electrolytic solution to generate cation water and an anion water; Electrolytic ionic water supply means for supplying at least one of cation water and anion water to the upper surface of the substrate, and an upper surface of the substrate on the upper surface of the substrate held by the substrate holding means. An electrolytic ionic water cleaning section for performing a substrate cleaning process by supplying electrolytic ionic water from the electrolytic ionic water supply means at a flow rate necessary and sufficient to maintain the state covered with electrolytic ionic water. And a substrate cleaning apparatus comprising: 【請求項３】上記電解イオン水供給手段は、陽イオン水
と陰イオン水とを選択的に切り換えて基板に供給するも
のであることを特徴とする請求項１または２記載の基板
洗浄装置。3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the electrolytic ionic water supply means selectively switches between cation water and anion water and supplies the water to the substrate. 【請求項４】上記電解イオン水供給手段は、陽イオン水
または陰イオン水のうち、いずれか一方を基板に供給し
た後に、他方を基板に供給するものであることを特徴と
する請求項１または２記載の基板洗浄装置。4. The method according to claim 1, wherein the electrolytic ionic water supply means supplies one of cation water and anion water to the substrate and then supplies the other to the substrate. Or the substrate cleaning apparatus according to 2. 【請求項５】所定圧力に加圧された洗浄液を基板に供給
し、その圧力の作用によって基板を洗浄する高圧洗浄部
と、 超音波振動が付与された純水を基板に供給し、その振動
の作用によって基板を洗浄する超音波洗浄部と、をさら
に備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
に記載の基板処理装置。5. A high-pressure cleaning section for supplying a cleaning liquid pressurized to a predetermined pressure to a substrate and cleaning the substrate by the action of the pressure, and supplying pure water to which ultrasonic vibration has been applied to the substrate; The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising an ultrasonic cleaning unit that cleans the substrate by the action of (1). 【請求項６】基板の表面をスクラブして洗浄するスクラ
ブ洗浄部をさらに備えたことを特徴とする請求項５記載
の基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a scrub cleaning unit for scrubbing and cleaning the surface of the substrate. 【請求項７】上記基板保持手段から基板を受け渡され、
上記スクラブ洗浄部、上記高圧洗浄部、および上記超音
波洗浄部の順に、基板を搬送する基板搬送手段をさらに
備えたことを特徴とする請求項６記載の基板洗浄装置。7. A substrate is delivered from said substrate holding means,
7. The substrate cleaning apparatus according to claim 6, further comprising a substrate transport unit that transports the substrate in the order of the scrub cleaning unit, the high-pressure cleaning unit, and the ultrasonic cleaning unit. 【請求項８】電解液を電気分解して陽イオン水と陰イオ
ン水とを生成する電解イオン水生成工程と、 ほぼ水平に保持された基板の上面に上記陽イオン水およ
び陰イオン水のうち少なくともいずれか一方の電解イオ
ン水を供給する電解イオン水供給工程と、 上記基板保持手段に保持された基板の上面に電解イオン
水を液盛りし、この基板の上面に電解イオン水が液盛り
された状態を所定時間だけ保持することにより、基板の
洗浄処理を行う電解イオン水洗浄処理工程と、を含むこ
とを特徴とする基板洗浄方法。8. An electrolytic ionic water generating step of electrolyzing an electrolytic solution to generate cation water and anion water, and the step of forming the cation water and the anion water on the upper surface of the substrate held substantially horizontally. An electrolytic ionic water supply step of supplying at least one of electrolytic ionic water; and an electrolytic ionic water is liquid-filled on the upper surface of the substrate held by the substrate holding means, and the electrolytic ionic water is liquid-filled on the upper surface of the substrate. A substrate cleaning process for performing a substrate cleaning process by holding the substrate for a predetermined period of time. 【請求項９】電解液を電気分解して陽イオン水と陰イオ
ン水とを生成する電解イオン水生成工程と、 上記基板保持手段に保持された基板の上面に、この基板
の上面が上記陽イオン水および陰イオン水のうち少なく
ともいずれか一方の電解イオン水によって覆われた状態
を保持するのに必要かつ充分な流量で、電解イオン水を
供給することにより、基板の洗浄処理を行う電解イオン
水洗浄処理工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方
法。9. An electrolytic ionic water generating step of electrolyzing an electrolytic solution to generate cationic water and anionic water, and an upper surface of the substrate is placed on the upper surface of the substrate held by the substrate holding means. Electrolyte for cleaning a substrate by supplying electrolytic ionic water at a flow rate necessary and sufficient to maintain a state covered with electrolytic ionic water of at least one of ionic water and anionic water A substrate cleaning method, comprising: a water cleaning treatment step. 【請求項１０】上記電解イオン水供給工程は、陽イオン
水と陰イオン水とを選択的に切り換えて基板に供給する
工程を含むことを特徴とする請求項８または９記載の基
板洗浄方法。10. The substrate cleaning method according to claim 8, wherein the step of supplying electrolytic ionized water includes a step of selectively switching between cationic water and anionic water and supplying the water to the substrate. 【請求項１１】上記電解イオン水供給工程は、陽イオン
水または陰イオン水のうち、いずれか一方を基板に供給
した後に、他方を基板に供給する工程を含むことを特徴
とする請求項８または９に記載の基板洗浄方法。11. The method according to claim 8, wherein the step of supplying electrolytic ionic water includes the step of supplying one of cation water and anion water to the substrate and then supplying the other to the substrate. Or the substrate cleaning method according to 9 above. 【請求項１２】所定圧力に加圧された洗浄液を基板に供
給し、その圧力の作用によって基板を洗浄する高圧洗浄
工程と、 超音波振動が付与された純水を基板に供給し、その振動
の作用によって基板を洗浄する超音波洗浄工程と、をさ
らに含むことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれ
かに記載の基板洗浄方法。12. A high-pressure cleaning step of supplying a cleaning liquid pressurized to a predetermined pressure to a substrate and cleaning the substrate by the action of the pressure, and supplying pure water to which ultrasonic vibration has been applied to the substrate. 12. The method of cleaning a substrate according to claim 8, further comprising: an ultrasonic cleaning step of cleaning the substrate by the action of (1). 【請求項１３】基板の表面をスクラブして洗浄するスク
ラブ洗浄工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２
記載の基板洗浄方法。13. The method according to claim 12, further comprising a scrub cleaning step of scrubbing and cleaning the surface of the substrate.
The substrate cleaning method according to the above. 【請求項１４】上記電解イオン水洗浄処理工程の後に、
上記スクラブ洗浄工程、上記高圧洗浄工程、および上記
超音波洗浄工程が、この順で行われることを特徴とする
請求項１３記載の基板洗浄方法。14. After the electrolytic ion water washing step,
14. The substrate cleaning method according to claim 13, wherein the scrub cleaning step, the high-pressure cleaning step, and the ultrasonic cleaning step are performed in this order.
JP9023979A 1997-02-06 1997-02-06 Substrate cleaning device and method Abandoned JPH10223590A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9023979A JPH10223590A (en) 1997-02-06 1997-02-06 Substrate cleaning device and method
KR1019970071214A KR100276766B1 (en) 1997-02-06 1997-12-20 Substrate cleaning device and substrate cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9023979A JPH10223590A (en) 1997-02-06 1997-02-06 Substrate cleaning device and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10223590A true JPH10223590A (en) 1998-08-21

Family

ID=12125688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9023979A Abandoned JPH10223590A (en) 1997-02-06 1997-02-06 Substrate cleaning device and method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH10223590A (en)
KR (1) KR100276766B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503845A (en) * 1999-06-25 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション Method and system for cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
WO2023042490A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010004742A (en) * 1999-06-29 2001-01-15 김영환 Method of a CMP post-cleaning in a semiconductor device
KR101380392B1 (en) * 2012-05-25 2014-04-02 안종호 Apparatus for producing electrolytic used in watersemiconductor processing
WO2015037839A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 솔브레인나노텍 주식회사 Electrolyzed water supplying system
JP6914107B2 (en) * 2017-06-05 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 Boron film removal method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503845A (en) * 1999-06-25 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション Method and system for cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
JP4667687B2 (en) * 1999-06-25 2011-04-13 ラム リサーチ コーポレーション Method and system for cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma treatment
WO2023042490A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980070185A (en) 1998-10-26
KR100276766B1 (en) 2001-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006278392A (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning device
TW202011471A (en) Substrate processing device
KR100276766B1 (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
CN214976106U (en) Pre-cleaning equipment for silicon wafer
JP2005264245A (en) Wet treatment method and wet treatment apparatus for substrate
JP6969750B2 (en) Hydrogen carbonate water and cleaning method using it
JP2005133187A (en) Plating apparatus and plating method
KR20010039809A (en) nozzle device and wet processing equipment
JP3138901B2 (en) Substrate immersion processing equipment
US12020954B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20140084731A (en) Substrate treating apparatus
CN1198001A (en) Method and apparatus for wet treatment of semiconductor wafer
JP2009005747A (en) Washing apparatus
KR101194697B1 (en) Decive for cleaning buffer zone in wet station
JPH0254800A (en) Method and device for cleaning semiconductor substrate
KR101052821B1 (en) Substrate processing apparatus and method
KR20080015477A (en) Cleaning apparatus and method of cleaning
KR20160053451A (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP3874609B2 (en) Plating method
JPH10172947A (en) Single tank-type cleaning method and device therefor
WO2023120229A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP3450200B2 (en) Substrate processing equipment
WO2022180780A1 (en) Substrate holder storage method and plating device
JP2000005710A (en) Substrate washer
KR20080057088A (en) Wet cleaning equipmemt of wafer and wet cleaning method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040331

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20040518