JPH10223502A

JPH10223502A - 面積ビーム形状検出システムとそれを具備した荷電粒子線描画装置と電子線描画装置およびその電子線描画方法

Info

Publication number: JPH10223502A
Application number: JP9021270A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Someta; 恭宏染田; Hiroyuki Ito; 博之伊藤; Yoshinori Nakayama; 義則中山; Yasuko Goto; 泰子後藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-02-04
Filing date: 1997-02-04
Publication date: 1998-08-21
Anticipated expiration: 2017-02-04
Also published as: JP2959710B2

Abstract

(57)【要約】【課題】面積ビーム像の検出を高精度に行うことがで
きない。【解決手段】面積ビーム１０２の面積より大きな面積
で直方体の試料マーク１０４と、試料マーク上および角
を含む周辺で面積ビームを二次元走査させる走査制御部
１０３と、二次元走査中の面積ビームの試料マークから
の反射量もしくは透過量を測定する測定部１０５と、測
定結果を微分処理して面積ビームの形状を検出する形状
検出部１０６とを少なくとも有することを特徴とする面
積ビーム形状検出システム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造に用いられる一括図形照射法による電子線描画装置な
ど、面積ビームを用いる技術に係り、特に、精度の高い
面積ビームを用いることを可能とする面積ビーム形状検
出システムとそれを具備した荷電粒子線描画装置と電子
線描画装置およびその電子線描画方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】荷電粒子線描画装置、例えば、半導体素
子等の製造に用いられる電子線描画装置などにおいて
は、電子線（ビーム）が用いられているが、電子線描画
装置の解像度及び描画精度の向上に伴い、そのビームの
校正精度もより一層の向上が要求されている。このビー
ムの校正精度を向上させるために様々な技術が考案され
ている。その一つに、ビームの形状を検出する技術があ
る。特に、一括図形照射法による電子線描画装置におい
ては、面積ビームを用いており、その面積ビームの拡大
縮小（倍率変更）や回転、あるいは面積ビーム同士の接
続等が必要であり、ビーム校正においてビームの形状が
検出できると、その校正が容易になる場合が多い。

【０００３】従来、このようなビーム形状の検出は、微
小ドットマーク上をビーム（電子ビーム）で二次元走査
し、その透過電子もしくは反射電子を検出することによ
って行われている。そして、これらのドットマークは、
一般に、軽元素上に重金属を形成することによって作成
されている。このような技術は、例えば、「Journal of
Vacuum Science and Technology B, Vol.11, No.6, No
v/Dec 1993 P.2346〜2351」などに示されている。この
技術では、シリコン基板上の金ドットマークを二次元走
査し、その反射電子を検出することによってビームの形
状を検出し、面積ビームの位置補正を行っている。

【０００４】しかし、この技術では、ビームの形状の検
出精度に限界がある。つまり、検出精度を上げるために
微細パタンを検出しようとすると取得画像のコントラス
トが落ちる。すなわち、ビーム検出の解像性は微小ドッ
トの大きさとほぼ等しく、微小ドットが小さければ小さ
いほど、より細かなパタンまで検出できるが、以下のよ
うに、検出信号のコントラストは小さくなる。

【０００５】検出信号のコントラストＣは、ビーム面積
をＳ０、微小ドット面積をＳ１、マーク下地（シリコン
等の軽元素）の電子反射率をｒ０、マーク（金等の重元
素）の電子反射率をｒ１とすると、Ｃ＝（Ｓ１×ｒ１)÷(Ｓ０×ｒ０) ＝（ビームの部分の検出信号）÷（ビームのない部分の検出信号）で定義される。細かなパタンを検出すべく、ドット面積
Ｓ１を小さくすると、上述の式「Ｓ１÷Ｓ０」からコン
トラストＣが小さくなり、ビームがノイズに埋まりやす
くなる。つまりビームが見えにくくなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、従来の技術では、面積ビームのより細かなパタン
を検出するためには、検出信号のコントラストの低下を
避けることができない点である。本発明の目的は、これ
ら従来技術の課題を解決し、面積ビームの形状の検出
を、高精細に行うことを可能とし、面積ビームの校正を
高精度化でき、高精細な描画を可能とし、電子線描画装
置の性能を向上することが可能な面積ビーム形状検出シ
ステムとそれを具備した荷電粒子線描画装置と電子線描
画装置およびその電子線描画方法を提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の面積ビーム形状検出システムは、（１）面
積ビーム１０２の面積より大きな面積の上面および直角
の端面を有する試料マーク１０４と、この試料マーク１
０４上および周辺で面積ビームを二次元走査させる走査
制御部１０３と、二次元走査中の面積ビーム１０２の試
料マーク１０４からの反射量もしくは透過量を測定する
測定部１０５と、この測定部１０５の測定結果に基づき
面積ビーム１０２の形状の検出を行う形状検出部１０６
とを少なくとも具備することを特徴とする。また、
（２）上記（１）に記載の面積ビーム形状検出システム
において、試料マーク１０４は直方体からなることを特
徴とする。また、（３）上記（１）もしくは（２）のい
ずれかに記載の面積ビーム形状検出システムにおいて、
形状検出部１０６は、測定部１０５で測定した試料マー
ク１０４からの面積ビーム１０２の反射量もしくは透過
量を二次元走査方向のそれぞれについて微分して面積ビ
ーム１０２の形状を検出することを特徴とする。また、
（４）上記（１）もしくは（２）のいずれかに記載の面
積ビーム形状検出システムにおいて、形状検出部１０６
は、測定部１０５で測定した試料マーク１０４からの面
積ビーム１０２の反射量もしくは透過量をフィルタリン
グ処理して面積ビーム１０２の形状を検出することを特
徴とする。また、（５）上記（１）から（４）のいずれ
かに記載の面積ビーム形状検出システムにおいて、形状
検出部１０６で検出した面積ビーム１０２の形状を画像
表示する表示制御部１０７を有することを特徴とする。
また、（６）本発明の荷電粒子線装置は、上記（１）か
ら（５）のいずれかに記載の面積ビーム形状検出システ
ムにより検出した面積ビーム１０の形状に基づき、面積
ビーム１０の位置を補正する手段（制御計算機１８）を
具備し、この位置を補正した面積ビーム１０を放射する
ことを特徴とする。また、（７）本発明の電子線描画装
置は、上記（１）から（５）のいずれかに記載の面積ビ
ーム形状検出システムにより検出した面積ビーム１０の
形状に基づき、面積ビーム１０の位置を補正する手段
（制御計算機１８）を具備し、この位置を補正した面積
ビーム１０で、ウェハー上に半導体パターンを描画する
ことを特徴とする。また、（８）本発明の電子線描画装
置の電子線描画方法は、上記（１）から（５）のいずれ
かに記載の面積ビーム形状検出システムにより、電子銃
１より放射した電子ビームを成形した面積ビーム１０の
形状を検出する処理（ステップ６０１〜６０４）と、こ
のようにして検出した面積ビーム１０の形状に基づき、
面積ビーム１０の位置を補正する処理（ステップ６０
５）と、この位置を補正した面積ビーム１０を用いてウ
ェハー上へ半導体パターンを描画する処理（ステップ６
０６）とを少なくとも含むことを特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面により詳細に説明する。図１は、本発明の面積ビーム
形状検出システムの本発明に係る構成の一実施例を示す
ブロック図である。本図１において、１０１はＣＰＵ
（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Mem
ory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を具備して
コンピュータ処理により本発明に係る面積ビーム形状検
出システムの全体動作制御を行なう処理部、１０２は図
示していない電子銃から放射されて成形された面積ビー
ム、以下、本発明に係り、１０３は走査制御部、１０４
は試料マーク、１０５は測定部、１０６は形状検出部、
１０７は表示制御部である。

【０００９】試料マーク１０４は板状の直方体からな
り、直角の角を持ち、かつ面積ビーム１０２が照射され
る上面は面積ビーム１０２よりも大きな面積を有する。
このような構成により、本例の面積ビーム形状検出シス
テムでは、以下のようにして、面積ビーム１０２の形状
の検出を行なう。まず、走査制御部１０３により、面積
ビーム１０２を試料マーク１０４上および角を含むその
周辺を二次元走査させる。次に、測定部１０５により、
二次元走査する面積ビーム１０２の試料マーク１０４か
らの反射電子量もしくは透過電子量を測定する。そし
て、形状検出部１０６により、測定部１０５の測定結果
に基づく画像を得、さらに、この画像データに対して微
分処理やフィルタリング処理を行ない、面積ビーム像を
取得する。このようにして形状検出部１０６で取得した
面積ビーム像を表示制御部１０８により、ＣＲＴ（Cath
ode Ray Tube）等に画像表示する。

【００１０】このように本例の面積ビーム形状検出シス
テムでは、従来のドットマークを用いたビームの検出に
対し、直角の角を持ち、かつ、検出される面積ビーム１
０２より大きな試料マーク１０４を用いる。そして、検
出信号に対し、ｘ，ｙについて微分、または適切なフィ
ルタリング処理を施すことによって、所望の面積ビーム
形状を得る。このことにより、従来のドットマークを用
いたビームの検出において問題となっていたコントラス
トの低下を防ぎ、かつ高精度な面積ビームの検出が可能
となる。以下、このような面積ビーム検出システムを具
備した電子線描画装置について説明する。

【００１１】図２は、本発明の面積ビーム検出システム
を具備した電子線描画装置の本発明に係る構成の一実施
例を示すブロック図である。本図２において、１は電子
ビーム（電子線）を放射する電子銃、２，５は第１，第
２転写マスク、３，４は第１，第２転写レンズ，６，７
は第１，第２縮小レンズ、８，９は第１，第２対物レン
ズ、１０は各マスク（２，５）と各種レンズ（３，４，
６〜９）により形成される面積ビーム、１１は本発明の
試料マークとしての面積マーク、１２は面積ビーム１０
の面積マーク１１からの反射電子、１３は反射電子１２
を検出する反射電子検出器、１８はＣＰＵ（Central Pr
ocessing Unit）を具備してコンピュータ処理により電
子線描画装置の全体の動作制御および本発明に係る面積
ビーム形状検出システムとしての動作制御を行なう制御
計算機、１９は面積ビーム１０を偏向させる偏向器、２
０はレンズ・偏向器電源、２７は面積マーク１１を透過
した面積ビーム１０を検出するファラデーカップ、２８
は反射電子検出器１３からの検出結果を受信する反射検
出回路、２９はファラデーカップ２７からの検出結果を
受信する透過検出回路である。

【００１２】本例では、制御計算機１８が、図１におけ
る形状検出部１０６と表示制御部１０７の機能を具備
し、反射電子検出器１３と反射検出回路２８、および、
ファラデーカップ２７と透過検出回路２９により、図１
における測定部１０５を構成し、また、制御計算機１８
とレンズ・偏向器電源２０および偏向器１９により図１
の走査制御部１０３を構成している。以下、このような
構成の電子線描画装置の本発明に係る動作を説明する。

【００１３】電子銃１より放射され、各種レンズやマス
ク（絞り）２〜９によって成形された面積ビーム１０
は、ターゲット面上に結像され、偏向器１９によりこの
ターゲット面に設置された面積マーク１１上を二次元走
査させる。尚、各レンズおよび偏向器１９の動作は、レ
ンズ・偏向器電源２０を介して、制御計算機１８によっ
て制御されている。この面積ビーム１０の走査によって
得られた反射電子１２は、反射電子検出器１３によって
検出される。そして、検出された反射電子は、反射電子
検出回路２８および制御計算機１８によって処理され
る。

【００１４】以下、このような面積ビーム１０の走査、
および、この走査によって得られる反射電子１２を用い
た、反射電子検出回路２８および制御計算機１８による
面積ビーム１０の形状検出動作の詳細を、図３，図４に
より示す。図３は、図２における電子線描画装置の本発
明に係る面積ビームの第１の検出動作例を示す説明図で
ある。図３において、１４はシリコン基板、１５は本発
明の試料マークとしてのタングステンマーク、１６はタ
ングステンマークの角、１７は面積ビーム、２６は面積
ビーム１７の走査軌跡である。

【００１５】このように本例では、図２における面積マ
ーク１１として、シリコン基板１４上に作成されたタン
グステンマーク１５を使用している。本例の面積ビーム
形状検出技術では、面積ビーム１７の検出分解能は、タ
ングステンマークの角１６によって決定されるので、タ
ングステンマークの角１６の丸みはなるべく小さいこと
が望ましく、直角（９０°）とする。また、面積ビーム
１７の走査は、走査軌跡２６で示すように、タングステ
ンマーク１５上に全く無い場所から、タングステンマー
クの角１６を通り、そして、完全にタングステンマーク
１５上にかかる範囲にて行う。

【００１６】この面積ビーム１７の走査に伴う反射電子
１２を反射電子検出器１３で検出する。そして、このよ
うにして反射電子検出器１３で検出した反射電子信号
を、図２における反射検出回路２８で受信してその量を
測定し、その測定量を、制御計算機１８により、ｘ，ｙ
方向に微分することによって、ビーム形状が得られる。
すなわち、走査位置（ｘ，ｙ）における反射電子信号の
強度をＩ（ｘ，ｙ）とすると、ビーム形状信号Ｄ（ｘ，
ｙ）は、次の式によって取得できる。Ｄ(ｘ，ｙ)＝∂²I(ｘ，ｙ)／∂x∂y

【００１７】このような面積ビームの検出動作およびそ
の結果を図４に具体的に示す。図４は、図２における電
子線描画装置による面積ビームの形状検出動作の具体例
を示す説明図である。本例は、特に図３で示した一括図
形ビームの形状検出動作を示すもので、図４（ａ）は、
検出に用いた一括図形ビーム（面積ビーム）、図４
（ｂ）は、取得した画像（検出画像）、図４（ｃ）は、
微分処理後の画像（面積ビーム像）を示している。

【００１８】図３に示すタングステンマーク１５上を、
図４（ａ）に示すパターンを持つ面積ビーム（一括図形
ビーム）２１を用い二次元走査する。そして、図２の制
御計算機１８において、図４（ｂ）に示す検出画像２２
を取得し、さらに、ｘ，ｙに微分処理することによっ
て、図４（ｃ）に示す面積ビーム像２３を得ることがで
きる。この結果、従来は０．２５μｍであったビーム検
出分解能が、本実施例では０．１μｍに向上した。さら
に検出コントラストも約１から５に向上した。

【００１９】さらに、このような面積ビームの検出結果
に基づき、図２の電子線描画装置では、制御計算機１８
により一括図形ビームの描画位置の補正を行なう。その
結果、従来、０．０３μｍであった一括図形描画の位置
精度が、０．０２μｍに向上し、より精度の高い半導体
パターンをウェハー上に描画することが可能となった。
尚、本実施例では、面積マークとして、シリコン基板１
４上のタングステンマーク１５を用いたが、次の図５を
用いて説明するように、その他のマーク材質を用いても
同様の効果を得ることができる。また、本実施例では、
本発明によるビーム形状の検出技術を電子線描画装置に
適用したが、収束イオンビームもしくはその他の荷電粒
子線装置に適用した場合にも同様の効果を得ることがで
きる。

【００２０】図５は、図２における電子線描画装置の本
発明に係る面積ビームの第２の検出動作例を示す説明図
である。図３においては、シリコン基板１４上に設けら
れたタングステンマーク１５を図２における面積マーク
１１として、面積ビーム形状の計測を行ったが、本例で
はナイフエッジを試料マークとして用いて面積ビームの
形状計測を行う。すなわち、図２の電子線描画装置にお
ける面積マーク１１として、ナイフエッジ２４を搭載す
る。

【００２１】ビームの検出精度は、ナイフエッジの角２
５によって決まるので、ナイフエッジの角２５の丸みは
なるべく小さいことが望ましい。本例のナイフエッジ２
４は９０度の角を持ち、かつ、ｘ，ｙ両方向の向きを持
つ。ビームの走査および信号処理動作は図３で説明した
ものに準じる。すなわち、ビームの走査は、走査軌跡２
６で示すように、面積ビーム１７がナイフエッジ２４上
に全く無い場所から、そのナイフエッジの角２５を通っ
て完全にナイフエッジ２４上にかかる範囲にて行う。

【００２２】この走査中に、ナイフエッジ２４の透過電
子をファラデーカップ２７によって検出する。この検出
信号は図２の透過検出回路２９に送られその量が測定さ
れ、そして、この透過電子の測定結果に基づき、制御計
算機１８により、図３におけるタングステンマーク１５
を用いた場合と同様に、図４（ａ）〜（ｃ）で示すよう
にして、面積ビームの形状を高精度に検出する。さら
に、この検出結果に基づき、制御計算機１８により、面
積ビーム１１の位置を補正する。その結果、従来０．２
５μｍであったビーム検出分解能が、本実施例では０．
０８μｍに向上した。さらに、検出コントラストも約１
から５に向上した。そして、本例の技術を用いて一括図
形ビームの描画位置の補正を行った結果、従来、０．０
３μｍであった一括図形描画位置精度が０．０１８μｍ
に向上した。

【００２３】上述の二つの例においては、取得画像を微
分処理することにより面積ビームの形状を取得していた
が、次の例では他の画像処理技術によるビーム形状の取
得例を示す。尚、使用する電子線描画装置および面積マ
ークは、上述の二つの例と同様である。本例において
は、図４（ｂ）に示された取得画像の各ピクセル(i,j)
に対し、以下のフィルタリング処理を加える。

【００２４】このフィルタリング処理によって上述の二
つの例と同様、面積マークを用いてビーム形状の検出を
行い、図４（ｃ）に示す面積ビーム像を得ることができ
る。その結果、従来０．２５μｍであったビーム検出分
解能が、本例では０．１μｍに向上した。さらに検出コ
ントラストも約１から５に向上した。そして、本技術を
用いて、一括図形ビームの描画位置の補正を行った結
果、従来０．０３μｍであった一括図形描画位置精度が
０．０２μｍに向上した。尚、本例の他、画像処理フィ
ルタとして、Ｒｏｂｅｒｔｓフィルタ等の微分フィルタ
や、その他の画像処理技術を用いても同様のビーム像検
出を行うことができる。

【００２５】次に、本発明の面積ビーム形状検出システ
ムを具備した図２における電子線描画装置による半導体
パターンの描画動作を説明する。図６は、図２における
電子線描画装置の本発明に係る動作例を示すフローチャ
ートである。まず、図４（ａ）に示す形状の面積ビーム
１０を、この面積ビーム１０よりも大きな面積を有する
板状の直方体からなる面積マーク１１に、外側からその
上まで、二次元走査させる（ステップ６０１）、その走
査に伴う面積ビーム１０の面積マーク１１からの反射電
子１２を、反射電子検出器１３および反射検出回路２８
で検出して測定し（ステップ６０２）、その測定結果に
基づき、制御計算機１８で、図４（ｂ）に示す画像を得
る（ステップ６０３）。

【００２６】さらに、制御計算機１８で、この画像に対
してフィルタリング処理、もしくは、微分処理すること
により、図４（ｃ）に示す面積ビーム像を得る（ステッ
プ６０４）。そして、このようにして得られた面積ビー
ム像に基づき、制御計算機１８では、レンズ・偏向器電
源２０を介してレンズ３，４，６〜９や偏向器１９等を
制御して、面積ビーム１０の位置補正を行なう（ステッ
プ６０５）。そして、位置補正した面積ビーム１０によ
り、ウェハー上に半導体パターンを描画する（ステップ
６０６）。

【００２７】以上、図１〜図６を用いて説明したよう
に、本実施例の面積ビーム形状検出システムおよびそれ
を具備した電子線描画装置では、従来はドットマークを
用いてビームの検出を行っていたのに対し、マークの構
造および信号処理技術を変更し、直角の角を持ち、か
つ、検出される面積ビームより大きなマークを用いて、
ビームの検出を行う。そして、その結果の検出信号に対
し、ｘ，ｙについて微分処理、もしくは適切なフィルタ
リング処理を施し、所望の面積ビーム形状を得る。この
ことにより、コントラストを低下させることなく、高精
度な面積ビームの形状検出が可能となる。そして、一括
図形照射法による電子線描画装置などで用いる面積ビー
ムの校正を高精度に行うことが可能となる。

【００２８】尚、本発明は、図１〜図６を用いて説明し
た実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能である。例えば、本実施
例では、面積ビームを移動させて試料マークに対して二
次元走査させているが、試料マークを移動することによ
り、面積ビームを試料マークに対して二次元走査させる
ことでも良い。また、本発明の試料マークの直方体と
は、正方形を含む長方形からなるものである。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、面積ビームのより細か
なパターンを、コントラストを低下させることなく検出
でき、面積ビームの形状の検出を、高精細に行うことを
可能とし、面積ビームの校正を高精度化でき、高精細な
描画を可能とし、電子線描画装置の性能を向上すること
が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の面積ビーム形状検出システムの本発明
に係る構成の一実施例を示すブロック図である。

【図２】本発明の面積ビーム検出システムを具備した電
子線描画装置の本発明に係る構成の一実施例を示すブロ
ック図である。

【図３】図２における電子線描画装置の本発明に係る面
積ビームの第１の検出動作例を示す説明図である。

【図４】図２における電子線描画装置による面積ビーム
の形状検出動作の具体例を示す説明図である。

【図５】図２における電子線描画装置の本発明に係る面
積ビームの第２の検出動作例を示す説明図である。

【図６】図２における電子線描画装置の本発明に係る動
作例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１：電子銃、２：第１転写マスク、３：第１転写レン
ズ、４：第２転写レンズ、５：第２転写マスク、６：第
１縮小レンズ、７：第２縮小レンズ、８：第１対物レン
ズ、９：第２対物レンズ、１０，１７：面積ビーム、１
１：面積マーク、１２：反射電子、１３：反射電子検出
器、１４：シリコン基板、１５：タングステンマーク、
１６：タングステンマークの角、１８：制御計算機、１
９：偏向器、２０：レンズ・偏向器制御電源、２１：面
積ビーム、２２：検出画像、２３：面積ビーム像、２
４：ナイフエッジ、２５：ナイフエッジの角、２６：走
査軌跡、２７：ファラデーカップ、２８：反射電子検出
回路、２９：透過電子検出回路、１０１：処理部、１０
２：面積ビーム、１０３：走査制御部、１０４：試料マ
ーク、１０５：測定部、１０６：形状検出部、１０７：
表示制御部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者後藤泰子東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マーク上を走査させた面積ビームの上記
マークからの反射量もしくは透過量に基づき、上記面積
ビームの形状を検出する面積ビーム形状検出システムで
あって、上記面積ビームの面積より大きな面積の上面お
よび直角の端面を有する試料マークと、該試料マーク上
および周辺で上記面積ビームを二次元走査させる走査制
御手段と、二次元走査中の上記面積ビームの上記試料マ
ークからの反射量もしくは透過量を測定する測定手段
と、該測定手段の測定結果に基づき上記面積ビームの形
状の検出を行う形状検出手段とを少なくとも具備するこ
とを特徴とする面積ビーム形状検出システム。
【請求項２】請求項１に記載の面積ビーム形状検出シ
ステムにおいて、上記試料マークは直方体からなること
を特徴とする面積ビーム形状検出システム。
【請求項３】請求項１、もしくは、請求項２のいずれ
かに記載の面積ビーム形状検出システムにおいて、上記
形状検出手段は、上記測定手段で測定した上記試料マー
クからの上記面積ビームの反射量もしくは透過量を二次
元走査方向のそれぞれについて微分して上記面積ビーム
の形状を検出する手段を具備することを特徴とする面積
ビーム形状検出システム。
【請求項４】請求項１、もしくは、請求項２のいずれ
かに記載の面積ビーム形状検出システムにおいて、上記
形状検出手段は、上記測定手段で測定した上記試料マー
クからの上記面積ビームの反射量もしくは透過量をフィ
ルタリング処理して上記面積ビームの形状を検出する手
段を具備することを特徴とする面積ビーム形状検出シス
テム。
【請求項５】請求項１から請求項４のいずれかに記載
の面積ビーム形状検出システムにおいて、上記形状検出
手段で検出した上記面積ビームの形状を画像表示する手
段を有することを特徴とする面積ビーム形状検出システ
ム。
【請求項６】請求項１から請求項５のいずれかに記載
の面積ビーム形状検出システムにより検出した面積ビー
ムの形状に基づき、上記面積ビームの位置を補正する手
段を具備し、該位置を補正した面積ビームを放射するこ
とを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】請求項１から請求項５のいずれかに記載
の面積ビーム形状検出システムにより検出した面積ビー
ムの形状に基づき、上記面積ビームの位置を補正する手
段を具備し、該位置を補正した面積ビームで、ウェハー
上に半導体パターンを描画することを特徴とする電子線
描画装置。
【請求項８】請求項１から請求項５のいずれかに記載
の面積ビーム形状検出システムにより、電子銃より放射
した電子ビームを成形した面積ビームの形状を検出する
ステップと、該検出した上記面積ビームの形状に基づ
き、上記面積ビームの位置を補正するステップと、該位
置を補正した上記面積ビームを用いてウェハー上へ半導
体パターンを描画するステップとを少なくとも含むこと
を特徴とする電子線描画方法。