JPH10223397A - Plasma processor - Google Patents
Plasma processorInfo
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- JPH10223397A JPH10223397A JP9023835A JP2383597A JPH10223397A JP H10223397 A JPH10223397 A JP H10223397A JP 9023835 A JP9023835 A JP 9023835A JP 2383597 A JP2383597 A JP 2383597A JP H10223397 A JPH10223397 A JP H10223397A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関し、特に真空容器の一部を誘電体部品により構成
し、この誘電体部品を介して高周波電力を真空容器内に
導入し、発生したプラズマを用いて処理を行うプラズマ
処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus in which a part of a vacuum container is formed of a dielectric component, and high-frequency power is introduced into the vacuum container through the dielectric component to generate a plasma. The present invention relates to a plasma processing apparatus that performs a process using the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、被処理体のプラズマ処理にはプラ
ズマ処理装置が利用されている。一般的なプラズマ処理
装置は真空容器を具備しており、その内部に被処理体を
配置してプラズマを発生させる。2. Description of the Related Art Conventionally, a plasma processing apparatus has been used for plasma processing of an object to be processed. 2. Description of the Related Art A general plasma processing apparatus includes a vacuum container, in which an object to be processed is arranged to generate plasma.
【０００３】このようなプロセス処理装置では、真空容
器の温度を制御することが重要である。つまり、プラズ
マ処理装置では、発生したプラズマが真空容器の内部に
拡散し、被処理体の表面だけでなく真空容器の内面にも
接触する。すると、プラズマと真空容器の内面との相互
作用により、再現性の低下やパーティクルの発生が引き
起こされる。In such a processing apparatus, it is important to control the temperature of the vacuum vessel. That is, in the plasma processing apparatus, the generated plasma is diffused inside the vacuum vessel, and contacts not only the surface of the object to be processed but also the inner surface of the vacuum vessel. Then, the interaction between the plasma and the inner surface of the vacuum vessel causes a decrease in reproducibility and generation of particles.
【０００４】すなわち、プラズマ中で発生した活性種が
真空容器の内面を腐食すると、真空容器の内面材料であ
る金属がプラズマ中に放出され、汚染を引き起こすだけ
でなくプラズマ状態の変動も引き起こすこととなる。こ
れに対し、活性種による腐食から真空容器を保護するた
めに、プラズマ中の反応生成物を真空容器内に堆積させ
る方法もある。That is, when the active species generated in the plasma corrode the inner surface of the vacuum vessel, the metal which is the material of the inner surface of the vacuum vessel is released into the plasma, causing not only contamination but also fluctuation of the plasma state. Become. On the other hand, there is a method of depositing a reaction product in plasma in a vacuum vessel in order to protect the vacuum vessel from corrosion by active species.
【０００５】しかしながら、プラズマ中の活性種がチャ
ンバの内面に堆積すると、その表面状態が経時変化して
プラズマ消失過程が変化するため、本体プラズマの構成
まで変動することとなる。また、プラズマ処理を繰り返
すことにより、プラズマのオンオフが繰り返されて真空
容器内の温度が変化することになり、熱応力により堆積
物が剥離してゴミが発生することになる。特に、真空容
器の内面に石英等の誘電体が利用されている場合には、
プラズマの照射により温度が上昇するので、上述のよう
な問題が顕著となる。However, when active species in the plasma are deposited on the inner surface of the chamber, the surface state changes with time and the plasma disappearance process changes, so that the structure of the main body plasma also varies. Further, by repeating the plasma processing, the plasma is repeatedly turned on and off, so that the temperature inside the vacuum vessel changes, and the deposits are peeled off by thermal stress to generate dust. In particular, when a dielectric such as quartz is used for the inner surface of the vacuum vessel,
Since the temperature rises due to the plasma irradiation, the above-described problem becomes significant.
【０００６】上述のような課題を解決するため、従来の
プラズマ処理装置では、真空容器の内面温度を一定に維
持するための工夫がなされている。例えば、特開平５−
９４９７１号公報に記載された装置は、真空容器に加熱
機構を付加している。つまり、真空容器の側壁を中空構
造として内部に熱水を導入し、この熱水を循環制御する
ことにより真空容器の内面の温度をコントロールしてい
る。[0006] In order to solve the above-mentioned problems, in the conventional plasma processing apparatus, a device for maintaining a constant inner surface temperature of the vacuum vessel has been devised. For example, Japanese Patent Application Laid-Open
The apparatus described in Japanese Patent No. 94971 is provided with a heating mechanism in a vacuum vessel. That is, the side wall of the vacuum vessel is formed into a hollow structure, hot water is introduced into the inside, and the temperature of the inner surface of the vacuum vessel is controlled by controlling the circulation of the hot water.
【０００７】このような方式は、平行平板型のプラズマ
処理装置の様に真空容器が金属のみで形成されている場
合には有効であるが、マイクロ波を用いたプラズマ処理
装置や誘導結合型のプラズマ処理装置では、高周波電力
を真空容器の内部に導入するために石英等の誘電体部品
で大面積のウインドウが設けられている。これに対し、
特開昭６２−２１６３３３号公報には、マイクロ波型の
プラズマ処理装置において、誘電体部品に冷却板を接離
させることにより温度制御を行うことが開示されてい
る。[0007] Such a method is effective when the vacuum vessel is formed only of a metal, such as a parallel plate type plasma processing apparatus, but is not limited to a plasma processing apparatus using microwaves or an inductively coupled plasma processing apparatus. In a plasma processing apparatus, a large-area window is provided by a dielectric component such as quartz in order to introduce high-frequency power into a vacuum vessel. In contrast,
Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-216333 discloses that in a microwave type plasma processing apparatus, temperature control is performed by moving a cooling plate to and away from a dielectric component.
【０００８】これと類似したプラズマ処理装置を第一の
従来例として図３を参照して以下に説明する。なお、図
３はプラズマ処理装置の構造を示す模式図である。ま
ず、ここで例示するプラズマ処理装置１は、図３に示す
ように、真空容器としてチャンバ２を具備しており、そ
の上面が平板状の誘電体部品３で形成されている。この
誘電体部品３には、誘電体線路４が対向配置されてお
り、この誘電体線路４に高周波回路(図示せず)が接続さ
れることで、高周波放出機構が形成されている。前記誘
電体部品３に接触する位置にヒータ５が設けられてお
り、このヒータ５に駆動回路(図示せず)が接続されてい
る。A similar plasma processing apparatus will be described below as a first conventional example with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of the plasma processing apparatus. First, as shown in FIG. 3, the plasma processing apparatus 1 exemplified here includes a chamber 2 as a vacuum vessel, and the upper surface thereof is formed of a dielectric member 3 having a flat plate shape. A dielectric line 4 is opposed to the dielectric component 3, and a high-frequency circuit (not shown) is connected to the dielectric line 4 to form a high-frequency emission mechanism. A heater 5 is provided at a position in contact with the dielectric component 3, and a drive circuit (not shown) is connected to the heater 5.
【０００９】前記チャンバ２の内部には保持台６が配置
されており、この保持台６上に被処理体７が載置され
る。前記チャンバ２は、ガスボンベ(図示せず)が配管さ
れており、このガスボンベには、例えば、塩素ガス等の
反応ガスが所定の気圧で封入されている。A holding table 6 is disposed inside the chamber 2, and a workpiece 7 is placed on the holding table 6. The chamber 2 is provided with a gas cylinder (not shown), and a reaction gas such as a chlorine gas is sealed in the gas cylinder at a predetermined pressure.
【００１０】上述のような構造のプラズマ処理装置１で
は、高周波電力であるマイクロ波を誘電体線路４により
伝送し、誘電体部品３を通してチャンバ２中に導入す
る。このとき、誘電体線路４に導入されたマイクロ波は
線路内で拡散し、導入側とは反対の端部で反射されて入
射波と干渉することにより定材波を形成する。このマイ
クロ波は誘電体線路４から徐々にしみ出し、誘電体部品
３を透過してチャンバ２の内部に導入されるので、この
チャンバ２内の反応ガスが励起されてプラズマが発生す
る。In the plasma processing apparatus 1 having the above-described structure, microwaves, which are high-frequency power, are transmitted by the dielectric line 4 and introduced into the chamber 2 through the dielectric component 3. At this time, the microwave introduced into the dielectric line 4 diffuses in the line, is reflected at the end opposite to the introduction side, and interferes with the incident wave to form a constant wave. The microwave gradually seeps out of the dielectric line 4 and penetrates through the dielectric component 3 and is introduced into the chamber 2, so that the reaction gas in the chamber 2 is excited to generate plasma.
【００１１】このとき、誘電体部品３の内面の温度をチ
ャンバ２と同一にするため、ヒータ５を発熱させて誘電
体部品３の温度を調整する。同様な構造は、容量結合型
のアンテナを使用したプラズマ処理装置でも実施されて
いる。このようなプラズマ処理装置１１では、図４に示
すように、誘電体部品３上に高周波を放出するアンテナ
１２が直接に設置されており、このアンテナ１２に高周
波電源１３が接続されることで高周波放出機構１４が形
成されている。このプラズマ処理装置１１でも、誘電体
部品３にヒータ５が設けられており、このヒータ５によ
り誘電体部品３の温度を制御する。At this time, in order to make the temperature of the inner surface of the dielectric component 3 the same as that of the chamber 2, the heater 5 is heated to adjust the temperature of the dielectric component 3. A similar structure is implemented in a plasma processing apparatus using a capacitively coupled antenna. In such a plasma processing apparatus 11, as shown in FIG. 4, an antenna 12 for emitting a high frequency is directly installed on the dielectric component 3, and a high frequency power supply 13 is connected to the antenna 12 so that the high frequency power is supplied. A release mechanism 14 is formed. Also in this plasma processing apparatus 11, a heater 5 is provided on the dielectric component 3, and the heater 5 controls the temperature of the dielectric component 3.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】前述した特開昭６２−
２１６３３号公報のプラズマ処理装置では、誘電体部品
の温度を制御するために冷却板を接離させる構造となっ
ており、上述したプラズマ処理装置１，１１では、誘電
体部品３と接触する位置にヒータ５を設けている。Problems to be Solved by the Invention
The plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent No. 21633 has a structure in which a cooling plate is brought into contact with and separated from the substrate in order to control the temperature of the dielectric component. A heater 5 is provided.
【００１３】しかし、実際には上述のような構造で石英
ウインドウの内面をチャンバと同一に制御することは困
難である。まず、第一の課題は、温度の制御性が低いこ
とである。However, in practice, it is difficult to control the inner surface of the quartz window in the same manner as the chamber with the above structure. First, the first problem is that the temperature controllability is low.
【００１４】特開昭６２−２１６３３号公報のプラズマ
処理装置では、マイクロ波透過用の石英ウインドウに冷
却板を接離させて温度制御を行っているが、上記公報の
装置では、石英ウインドウの中央部のみに冷却板を接触
させている。このように石英ウインドウの外面の一部に
冷却板を接触させても、常にプラズマに曝されて熱量が
流入する石英ウインドウの内面の温度を一定に維持する
ことは困難である。In the plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-21633, a cooling plate is brought into contact with and separated from a quartz window for transmitting microwaves to control the temperature. The cooling plate is in contact only with the part. As described above, even if the cooling plate is brought into contact with a part of the outer surface of the quartz window, it is difficult to constantly maintain the temperature of the inner surface of the quartz window, which is always exposed to plasma and into which heat flows.
【００１５】特に、石英は熱抵抗が大きく、上記公報の
装置の場合は石英の板厚が１２ｍｍもあるため、上述の
ような構造で石英ウインドウの全域を良好に温度制御す
ることは極めて困難である。例えば、冷却板を石英ウイ
ンドウと同一のサイズとし、石英ウインドウの外面の全
域に冷却板を接触させることは可能であるが、その場合
でも冷却板の接離で石英ウインドウを所望の温度に制御
することは困難である。In particular, since quartz has a large thermal resistance and the thickness of the quartz plate is as large as 12 mm in the case of the apparatus disclosed in the above-mentioned publication, it is extremely difficult to control the temperature of the entire quartz window satisfactorily with the above structure. is there. For example, it is possible to make the cooling plate the same size as the quartz window and to make the cooling plate contact the entire area of the outer surface of the quartz window. It is difficult.
【００１６】その点、前述したプラズマ処理装置１，１
１のように、誘電体部品３に接触する位置にヒータ５を
設けた構造では、電力の調節によりヒータ５の温度を制
御することは容易である。しかし、前述したプラズマ処
理装置１，１１のように、ヒータ５を誘電体部品３の端
部に接触する位置に配置したのでは、誘電体部品３の全
域を良好に温度制御することは困難であり、誘電体部品
３の全域にヒータ５を設けるとマイクロ波の透過が困難
となる。In this regard, the above-described plasma processing apparatuses 1 and 1
In the structure in which the heater 5 is provided at a position in contact with the dielectric component 3 as in 1, it is easy to control the temperature of the heater 5 by adjusting the power. However, if the heater 5 is disposed at a position in contact with the end of the dielectric component 3 as in the plasma processing apparatuses 1 and 11 described above, it is difficult to control the temperature of the entire dielectric component 3 satisfactorily. If the heater 5 is provided in the whole area of the dielectric component 3, it becomes difficult to transmit microwaves.
【００１７】また、前述のように石英ウインドウに冷却
板を接触させる構造では、石英ウインドウを冷却するこ
とはできるが加熱することはできず、誘電体部品３にヒ
ータ５を設けた構造では、誘電体部品３を加熱すること
はできるが冷却することができない。Further, in the structure in which the cooling plate is brought into contact with the quartz window as described above, the quartz window can be cooled but cannot be heated. The body part 3 can be heated but cannot be cooled.
【００１８】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、高周波電力を透過させる誘電体部品を真
空容器の少なくとも一部として形成した構造において、
誘電体部品の内面の温度を良好に制御することを目的と
する。The present invention has been made in view of the above problems, and has a structure in which a dielectric component that transmits high-frequency power is formed as at least a part of a vacuum vessel.
An object of the present invention is to properly control the temperature of the inner surface of a dielectric component.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理体が内
部に配置される真空容器の少なくとも一部を誘電体部品
により形成して高周波放出機構を連結し、該高周波放出
機構が放出する高周波電力を前記誘電体部品から前記真
空容器の内部に導入し、該真空容器の内部にプラズマを
発生させて前記被処理体を処理するプラズマ処理装置に
おいて、前記誘電体部品の外面の全域に温度制御された
絶縁性の液体が接触している。または、絶縁性の液体を
前記誘電体部品の外面の全域と接触する位置に保持する
液体保持容器を設け、該液体保持容器内の液体を温度制
御する温度調整手段を設けた。According to the present invention, at least a part of a vacuum container in which an object to be processed is disposed is formed of a dielectric component, and a high-frequency emission mechanism is connected to the vacuum vessel. In a plasma processing apparatus for introducing high-frequency power from the dielectric component to the inside of the vacuum container and generating plasma inside the vacuum container to process the object to be processed, a temperature is applied to the entire area of the outer surface of the dielectric component. A controlled insulating liquid is in contact. Alternatively, a liquid holding container for holding the insulating liquid at a position in contact with the entire outer surface of the dielectric component is provided, and a temperature adjusting means for controlling the temperature of the liquid in the liquid holding container is provided.
【００２０】従って、誘電体部品の外面の全域に接触す
る絶縁性の液体が温度調整手段により温度制御されるの
で、誘電体部品の全体が高効率に温度制御される。Therefore, the temperature of the insulating liquid in contact with the entire area of the outer surface of the dielectric component is controlled by the temperature adjusting means, so that the temperature of the entire dielectric component is controlled with high efficiency.
【００２１】なお、本発明で云う誘電体部品の外面と
は、誘電体部品の真空容器の外側に露出している部分の
表面を意味しており、真空容器の内側に位置する部分の
面や、真空容器の構造部品に接合されている部分の面は
含まない。The outer surface of the dielectric component as referred to in the present invention means the surface of the portion of the dielectric component exposed outside the vacuum vessel, such as the surface of the portion located inside the vacuum vessel. Does not include the surface of the portion joined to the structural components of the vacuum vessel.
【００２２】また、絶縁性の液体は、誘電体部品などを
腐食することなく熱量を良好に交換する媒体であれば良
く、例えば、芳香族の炭化水素系の合成油が利用でき、
特に、温度制御として加熱も行う場合にはシリコンオイ
ルが好適である。このシリコンオイルとしては、ジメチ
ルシロキサンやフェニルポリシロキサンなどが利用でき
るが、循環の抵抗となる粘度を考慮するとジメチルシロ
キサンが好適である。The insulating liquid may be any medium capable of exchanging heat without corroding dielectric parts and the like. For example, an aromatic hydrocarbon synthetic oil can be used.
In particular, when heating is also performed as temperature control, silicone oil is preferable. As the silicone oil, dimethylsiloxane, phenylpolysiloxane, or the like can be used, but dimethylsiloxane is preferable in consideration of the viscosity that causes circulation resistance.
【００２３】温度調整手段の温度制御により液体を自然
循環させることも可能であるが、誘電体部品の温度を良
好に制御するためには液体を強制的に循環させる液体循
環手段を設けることが好適である。このような液体循環
手段としては、歯車ポンプやスクリューポンプなど、液
体を強制的に循環させる各種装置を許容する。Although it is possible to circulate the liquid naturally by controlling the temperature of the temperature adjusting means, it is preferable to provide a liquid circulating means for forcibly circulating the liquid in order to properly control the temperature of the dielectric component. It is. As such a liquid circulating means, various devices for forcibly circulating the liquid, such as a gear pump and a screw pump, are allowed.
【００２４】温度調整手段としては、液体の温度を制御
するものであれば良く、例えば、液体を加熱する加熱装
置や液体を冷却する冷却装置を許容する。特に、これら
の両方を具備すれば、誘電体部品を加熱も冷却もできる
ので好適である。As the temperature adjusting means, any means for controlling the temperature of the liquid may be used. For example, a heating device for heating the liquid and a cooling device for cooling the liquid are allowed. In particular, it is preferable to provide both of them, since the dielectric component can be heated and cooled.
【００２５】このように制御する液体の温度は、プラズ
マ処理の目的や液体および誘電体部品の熱伝導率など各
種条件を考慮して設定されるが、半導体素子の作成に利
用される１０10〜１０12個／cm3程度の密度のプラズマ
の場合、真空容器内に位置する石英等の誘電体部品がプ
ラズマに加熱されて１００〜３００℃の範囲まで温度上
昇する。すなわち、プラズマのオンオフが繰り返される
プラズマ処理装置では、誘竃体部品の温度が１００℃以
上、望ましくは２００℃以上３００℃以下となるように
設定することが好適である。The temperature of the liquid to be controlled in this way, but is set in consideration of various conditions such as the thermal conductivity of the object or liquid and dielectric components of the plasma treatment, 10 of 10 to be utilized to create the semiconductor element In the case of a plasma having a density of about 10 12 / cm 3, a dielectric component such as quartz located in a vacuum vessel is heated by the plasma and the temperature rises to a range of 100 to 300 ° C. That is, in a plasma processing apparatus in which the plasma is repeatedly turned on and off, it is preferable to set the temperature of the suction tube component to 100 ° C. or higher, preferably 200 ° C. to 300 ° C.
【００２６】このように誘電体部品の温度を所定範囲に
制御するためには、誘電体部品の温度を測定する温度測
定手段を設け、その測定された温度に対応して温度調整
手段を動作制御する動作制御手段を設け、誘電体部品の
温度に対応して液体の温度をフィードバック制御するこ
とが好適である。As described above, in order to control the temperature of the dielectric component within a predetermined range, a temperature measuring means for measuring the temperature of the dielectric component is provided, and the operation of the temperature adjusting means is controlled in accordance with the measured temperature. It is preferable to provide an operation control unit that performs feedback control of the temperature of the liquid in accordance with the temperature of the dielectric component.
【００２７】特に、誘電体部品の温度制御の目的が真空
容器の内部でのプラズマ処理を良好に実行させることで
あることを考慮すると、上述のような温度測定手段は、
誘電体部品の内面の温度を測定することが好適である。
なお、このような温度測定手段としては、熱電対などの
温度センサや蛍光温度計などを許容する。In particular, considering that the purpose of controlling the temperature of the dielectric component is to make the plasma processing inside the vacuum vessel satisfactorily performed, the temperature measuring means as described above is used.
It is preferable to measure the temperature of the inner surface of the dielectric component.
As such a temperature measuring means, a temperature sensor such as a thermocouple, a fluorescent thermometer, or the like is allowed.
【００２８】温度測定手段は、プラズマ照射の直接的な
影響を避けるために、測定対象である誘電体部品に凹部
を形成してプラズマが照射される内面近傍に配置し、誘
電体部品の内面の温度を良好に反映した温度を測定する
ことが好適である。また、高周波による撹乱を防止する
ためには、光ファイバ式の蛍光温度計を利用することが
好適である。動作制御手段としては、適正なプログラム
が実装されたマイクロプロセッサなどを許容する。In order to avoid the direct influence of the plasma irradiation, the temperature measuring means forms a concave portion in the dielectric component to be measured and is disposed near the inner surface of the dielectric component to be irradiated with the plasma. It is preferable to measure a temperature that well reflects the temperature. In order to prevent disturbance due to high frequency, it is preferable to use an optical fiber type fluorescence thermometer. As the operation control means, a microprocessor or the like in which an appropriate program is mounted is allowed.
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１を参
照して以下に説明する。なお、図１は本実施の形態のプ
ラズマ処理装置を示す模式的な断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic sectional view showing the plasma processing apparatus of the present embodiment.
【００３０】本実施の形態のプラズマ処理装置２１も、
前述したプラズマ処理装置１と同様に、真空容器である
チャンバ２の上面が平板状の誘電体部品３で形成されて
おり、これに高周波放出機構の誘電体線路４が対向配置
されている。しかし、本実施の形態のプラズマ処理装置
２１では、前記誘電体部品３と前記誘電体線路４との間
隙の部分が密閉されており、この部分が液体保持容器で
あるオイル保持部２２として形成されている。The plasma processing apparatus 21 of the present embodiment also
As in the case of the plasma processing apparatus 1 described above, the upper surface of the chamber 2 which is a vacuum vessel is formed of a plate-shaped dielectric part 3, and a dielectric line 4 of a high-frequency emission mechanism is opposed to the dielectric part 3. However, in the plasma processing apparatus 21 of the present embodiment, a portion of the gap between the dielectric component 3 and the dielectric line 4 is sealed, and this portion is formed as an oil holding portion 22 which is a liquid holding container. ing.
【００３１】このオイル保持部２２には、入口２３と出
口２４とが形成されており、これらに液体循環手段であ
るオイル循環機２５と温度調整手段であるオイル温調機
２６とが順番に配管されている。これらも所定の容器を
具備しており、前記オイル保持部２２とともに絶縁性の
液体として絶縁オイル２７が充填されている。An inlet 23 and an outlet 24 are formed in the oil holding section 22, and an oil circulator 25 as a liquid circulating means and an oil temperature controller 26 as a temperature adjusting means are sequentially piped to these. Have been. These also have a predetermined container, and are filled with an insulating oil 27 as an insulating liquid together with the oil holding portion 22.
【００３２】前記オイル循環機２５は、例えば、歯車ポ
ンプからなり、前記絶縁オイル２７を前記オイル温調機
２６と前記オイル保持部２２とに強制的に循環させる。
前記オイル温調機２６には、加熱装置２８と冷却装置２
９とが内蔵されており、前記絶縁オイル２７の温度を制
御する。The oil circulator 25 is, for example, a gear pump, and forcibly circulates the insulating oil 27 between the oil temperature controller 26 and the oil holder 22.
The oil temperature controller 26 includes a heating device 28 and a cooling device 2.
9 for controlling the temperature of the insulating oil 27.
【００３３】前記誘電体部品３には、側面から内面の近
傍まで凹穴が形成されており、この凹穴の内部に温度測
定手段である熱電対等の温度センサ３０が配置されてい
る。この温度センサ３０は動作制御手段であるマイクロ
プロセッサ３１に接続されており、このマイクロプロセ
ッサ３１が、前記オイル温調機２６に接続されている。A concave hole is formed in the dielectric component 3 from the side surface to the vicinity of the inner surface, and a temperature sensor 30 such as a thermocouple as temperature measuring means is disposed inside the concave hole. The temperature sensor 30 is connected to a microprocessor 31 as operation control means, and the microprocessor 31 is connected to the oil temperature controller 26.
【００３４】前記マイクロプロセッサ３１は、適正なプ
ログラムがソフトウェアとして事前にインストールされ
ており、これに対応した処理動作として、前記温度セン
サ２８が測定する前記誘電体部品３の内面の温度に対応
して前記オイル温調機２６を動作制御する。The microprocessor 31 has a proper program installed in advance as software, and performs a corresponding processing operation in accordance with the temperature of the inner surface of the dielectric component 3 measured by the temperature sensor 28. The operation of the oil temperature controller 26 is controlled.
【００３５】なお、このオイル温調機２６は前記オイル
保持部２２の入口２３の近傍に配置されており、前記温
度センサ３０は前記オイル保持部２２の出口２４の近傍
に配置されている。The oil temperature controller 26 is arranged near the inlet 23 of the oil holder 22, and the temperature sensor 30 is arranged near the outlet 24 of the oil holder 22.
【００３６】上述のような構成において、本実施の形態
のプラズマ処理装置２１も、前述したプラズマ処理装置
１と同様に被処理体７をプラズマ処理する。つまり、高
周波電力であるマイクロ波を誘電体線路４により伝送
し、誘電体部品３を通してチャンバ２中に導入する。こ
のとき、誘電体線路４に導入されたマイクロ波は線路内
で拡散し、導入側とは反対の端部で反射されて入射波と
干渉することにより定材波を形成する。このマイクロ波
は誘電体線路４から徐々にしみ出し、誘電体部品３を透
過してチャンバ２の内部に導入されるので、このチャン
バ２内の反応ガスが励起されてプラズマが発生する。In the configuration described above, the plasma processing apparatus 21 of the present embodiment also performs the plasma processing on the processing target 7 in the same manner as the above-described plasma processing apparatus 1. That is, microwaves as high-frequency power are transmitted by the dielectric line 4 and introduced into the chamber 2 through the dielectric component 3. At this time, the microwave introduced into the dielectric line 4 diffuses in the line, is reflected at the end opposite to the introduction side, and interferes with the incident wave to form a constant wave. The microwave gradually seeps out of the dielectric line 4 and penetrates through the dielectric component 3 and is introduced into the chamber 2, so that the reaction gas in the chamber 2 is excited to generate plasma.
【００３７】そして、本実施の形態のプラズマ処理装置
２１では、上述のようにプラズマ処理を実行する場合、
オイル温調機２６が絶縁オイル２７の温度をオイル温調
機２６が制御し、この温度制御された絶縁オイル２７を
オイル循環機２５がオイル保持部２２に循環させる。こ
のオイル保持部２２では絶縁オイル２７が誘電体部品３
の外面の全域に接触しているので、誘電体部品３の温度
が全体的に良好に調整される。このため、誘電体部品３
の内面の温度がチャンバ２と同一に維持されるので、プ
ラズマ処理を均一な特性で実行することができる。In the plasma processing apparatus 21 of the present embodiment, when performing the plasma processing as described above,
The oil temperature controller 26 controls the temperature of the insulating oil 27. The oil temperature controller 26 circulates the temperature-controlled insulating oil 27 through the oil holding unit 22. In this oil holding part 22, the insulating oil 27
Is in contact with the entire area of the outer surface, the temperature of the dielectric component 3 is properly adjusted as a whole. For this reason, the dielectric component 3
Is maintained at the same temperature as that of the chamber 2, so that the plasma processing can be performed with uniform characteristics.
【００３８】より詳細には、プラズマ処理の最中に誘電
体部品３の内面の温度が変化することを軽減できるの
で、ガスの吸着と脱離のサイクルを抑制してプラズマ処
理のプロセスを安定させることができる。すなわち、プ
ラズマの照射に関わらず、誘電体部品の温度を均一かつ
一定に制御することができ、表面温度により支配される
ガスの吸着脱離課程を安定させることができる。More specifically, since the change in the temperature of the inner surface of the dielectric component 3 during the plasma processing can be reduced, the cycles of gas adsorption and desorption are suppressed, and the plasma processing process is stabilized. be able to. That is, regardless of the plasma irradiation, the temperature of the dielectric component can be controlled to be uniform and constant, and the gas adsorption / desorption process controlled by the surface temperature can be stabilized.
【００３９】また、誘電体部品３の内面のデポジットが
温度変化により剥離することも防止されるので、パーテ
ィクルの発生を防止した状態でプラズマ処理を良好に実
行することができる。In addition, since the deposit on the inner surface of the dielectric component 3 is prevented from peeling off due to a change in temperature, the plasma processing can be favorably performed in a state where the generation of particles is prevented.
【００４０】さらに、本実施の形態のプラズマ処理装置
２１では、オイル温調機２６が加熱装置２８と冷却装置
２９との両方を具備しているので、絶縁オイル２７の温
度を自在に制御することができ、各種のプラズマ処理を
良好に実行することができる。Further, in the plasma processing apparatus 21 of the present embodiment, since the oil temperature controller 26 has both the heating device 28 and the cooling device 29, the temperature of the insulating oil 27 can be freely controlled. And various plasma treatments can be performed favorably.
【００４１】また、誘電体部品３の内面の温度が温度セ
ンサ３０により測定され、このように測定された温度に
対応してマイクロプロセッサ３１によりオイル温調機２
６が動作制御されるので、誘電体部品３の内面を所望の
温度に良好にフィードバック制御することができる。The temperature of the inner surface of the dielectric component 3 is measured by the temperature sensor 30, and the microprocessor 31 responds to the measured temperature by the microprocessor 31.
Since the operation of the element 6 is controlled, the inner surface of the dielectric component 3 can be satisfactorily feedback controlled to a desired temperature.
【００４２】しかも、オイル温調機２６がオイル保持部
２２の入口２３の近傍に配置されているので、温度制御
された絶縁オイル２７を誘電体部品３の位置に迅速に供
給することができる。また、温度センサ３０がオイル保
持部２２の出口２４の近傍に配置されているので、絶縁
オイル２７により制御された誘電体部品３の最終的な温
度を良好に測定することができる。Further, since the oil temperature controller 26 is arranged near the inlet 23 of the oil holding part 22, the insulating oil 27 whose temperature is controlled can be quickly supplied to the position of the dielectric component 3. Further, since the temperature sensor 30 is disposed near the outlet 24 of the oil holding unit 22, the final temperature of the dielectric component 3 controlled by the insulating oil 27 can be measured well.
【００４３】ここで、上述のようなプラズマ処理装置２
１の各部の具体例を以下に説明する。まず、誘電体部品
３としては、機械的強度と耐熱性に優れる石英板を用い
る。この誘電体部品３は、チャンバ２の構造壁としての
役割も果たしているので、１〜１．５ｃｍ程度の板厚が
必要である。誘電体線路４としては、ポリテトラフルオ
ロエチレンの樹脂板が用いられる。ポリテトラフルオロ
エチレンは加工が容易で耐熱性も高いので、誘電体線路
４を形成するのに適している。Here, the plasma processing apparatus 2 as described above
A specific example of each unit of 1 will be described below. First, a quartz plate having excellent mechanical strength and heat resistance is used as the dielectric component 3. Since the dielectric component 3 also serves as a structural wall of the chamber 2, a thickness of about 1 to 1.5 cm is required. As the dielectric line 4, a resin plate of polytetrafluoroethylene is used. Since polytetrafluoroethylene is easy to process and has high heat resistance, it is suitable for forming the dielectric line 4.
【００４４】プラズマ処理のマイクロ波としては、２．
４５ＧＨｚの周波数が用いられる。絶縁オイル２７とし
ては、芳香族の炭化水素系の合成油が利用できるが、こ
こでは加熱の場合も想定されるので、シリコンオイルが
好適である。つまり、シリコンオイルは、温度変化によ
る変質や経時劣化も少なく、誘電体部品３などを腐食す
ることもなく、熱伝導率や粘度も適当である。シリコン
オイルとしては、ジメチルシロキサンやフェニルポリシ
ロキサンが知られているが、現在、変圧器に広く用いら
れるジメチルシロキサンが、粘度の点で循環方式に適し
ている。As microwaves for plasma processing,
A frequency of 45 GHz is used. As the insulating oil 27, an aromatic hydrocarbon-based synthetic oil can be used. However, since a case of heating is also assumed here, a silicone oil is preferable. In other words, the silicone oil is less likely to be deteriorated or deteriorated with time due to a temperature change, does not corrode the dielectric component 3 and the like, and has an appropriate heat conductivity and viscosity. As silicone oil, dimethylsiloxane and phenylpolysiloxane are known, but dimethylsiloxane widely used in transformers at present is suitable for a circulation system in terms of viscosity.
【００４５】上述のように構成したプラズマ処理装置２
１において、プラズマ処理により被処理体７の表面から
レジストを剥離させることを想定する。その場合、例え
ば、チャンバ２内に反応ガスとして酸素ガスを導入し、
そのガス圧力を１Ｔｏｒｒと設定する。このとき、マイ
クロ波の電力を１ｋＷとすると、プラズマが照射される
誘電体部品３の真空側の内面の温度は、オイル温調機２
６による温度調整を行わないと１５０℃に達する。The plasma processing apparatus 2 configured as described above
In 1, it is assumed that the resist is removed from the surface of the processing target 7 by the plasma processing. In that case, for example, oxygen gas is introduced into the chamber 2 as a reaction gas,
The gas pressure is set to 1 Torr. At this time, assuming that the power of the microwave is 1 kW, the temperature of the vacuum-side inner surface of the dielectric component 3 to which the plasma is irradiated becomes the oil temperature controller 2.
The temperature reaches 150 ° C. without performing the temperature adjustment according to 6.
【００４６】上述のような場合、例えば、従来例のヒー
タ加熱式のプラズマ処理装置１ならば、誘電体部品３の
内面に±７０℃の温度分布が発生する。しかし、本実施
の形態のプラズマ処理装置２１では、オイル温調機２６
により１００℃以上、望ましくは１５０℃±１０℃の温
度コントロールを実施することにより、誘電体部品３の
内面の全域を１５０℃±１０℃の温度に維持することが
できる。In the above case, for example, in the case of the conventional plasma processing apparatus 1 of the heater heating type, a temperature distribution of ± 70 ° C. is generated on the inner surface of the dielectric component 3. However, in the plasma processing apparatus 21 of the present embodiment, the oil temperature controller 26
By performing the temperature control of 100 ° C. or more, preferably 150 ° C. ± 10 ° C., the entire area of the inner surface of the dielectric component 3 can be maintained at a temperature of 150 ° C. ± 10 ° C.
【００４７】つまり、従来では±７０℃であった誘電体
部品３の内面の温度分布を±２０℃の範囲に改善できる
こととなり、従来では処理中の温度が１００℃の範囲で
変化したものを３０℃の変動範囲に低減することができ
る。In other words, the temperature distribution on the inner surface of the dielectric component 3, which was conventionally ± 70 ° C., can be improved to ± 20 ° C. ° C variation range.
【００４８】このため、本実施の形態のプラズマ処理装
置２１では、プラズマ処理の特性を安定させることがで
き、被処理体７を良好にプラズマ処理することができ
る。さらに、誘電体部品３の内面に付着したデポジット
が温度の不均一により剥離することも防止できるので、
パーティクルの発生による被処理体７の汚染も防止する
ことができる。Therefore, in the plasma processing apparatus 21 of the present embodiment, the characteristics of the plasma processing can be stabilized, and the object 7 can be satisfactorily plasma-processed. Further, since the deposit attached to the inner surface of the dielectric component 3 can be prevented from peeling due to uneven temperature,
Contamination of the processing target 7 due to generation of particles can also be prevented.
【００４９】つぎに、本発明の実施の第二の形態を図２
を参照して以下に説明する。なお、図２はプラズマ処理
装置を示す模式的な断面図である。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described below with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic sectional view showing a plasma processing apparatus.
【００５０】本実施の形態のプラズマ処理装置４１は、
前述した第二の従来例のプラズマ処理装置１１と同様
に、誘電体部品３の外面にアンテナ１２が設けられてい
るが、前述した実施の第一の形態のプラズマ処理装置２
１と同様に、この部分がオイル保持部２２として形成さ
れている。そして、このオイル保持部２２にオイル循環
機２５とオイル温調機２６とが配管されており、誘電体
部品３の凹穴の内部に配置された温度センサ３０が、オ
イル温調機２６を動作制御するマイクロプロセッサ３１
に接続されている。The plasma processing apparatus 41 of the present embodiment
An antenna 12 is provided on the outer surface of the dielectric component 3 as in the above-described plasma processing apparatus 11 of the second conventional example, but the plasma processing apparatus 2 of the first embodiment described above is provided.
This portion is formed as an oil holding portion 22 as in the case of FIG. An oil circulator 25 and an oil temperature controller 26 are piped to the oil holding portion 22, and a temperature sensor 30 disposed inside the concave hole of the dielectric component 3 operates the oil temperature controller 26. Microprocessor 31 to control
It is connected to the.
【００５１】上述のような構成において、本実施の形態
のプラズマ処理装置４１も、前述したプラズマ処理装置
１１と同様にプラズマ処理を実行することができ、前述
したプラズマ処理装置２１と同様に誘電体部品３の温度
を制御することができるので、プラズマ処理を安定して
実行することができる。In the above-described configuration, the plasma processing apparatus 41 of the present embodiment can perform the plasma processing in the same manner as the plasma processing apparatus 11 described above. Since the temperature of the component 3 can be controlled, the plasma processing can be executed stably.
【００５２】ここで、上述のようなプラズマ処理装置４
１の各部の具体例を以下に説明する。なお、前述したプ
ラズマ処理装置２１と同一の部分は説明を省略する。ま
ず、上述の高周波には、１３．５６ＭＨｚの周波数が用
いられる。アンテナ１２としては、銅製の板が用いられ
る。銅板は、加工が容易で耐熱性も高いので、プラズマ
処理装置４１のアンテナ１２を形成するのに適してい
る。Here, the plasma processing apparatus 4 as described above
A specific example of each unit of 1 will be described below. The description of the same parts as those of the plasma processing apparatus 21 will be omitted. First, a frequency of 13.56 MHz is used as the high frequency. As the antenna 12, a copper plate is used. The copper plate is suitable for forming the antenna 12 of the plasma processing apparatus 41 because it is easy to process and has high heat resistance.
【００５３】上述のように構成したプラズマ処理装置４
１において、プラズマ処理として被処理体７の表面のシ
リコンのエッチングを想定する。その場合、チャンバ２
内に反応ガスとして塩素ガスを導入し、そのガス圧力を
２０ｍＴｏｒｒに設定する。被処理体７に５ＭＨｚの高
周波で１００Ｗのバイアス電圧を印加する。アンテナに
導入する高周波の電力を２ｋＷととした場合、誘電体部
品３の温調を行わないと、プラズマに照射される真空側
の表面は１７０℃に達する。The plasma processing apparatus 4 configured as described above
In 1, etching of silicon on the surface of the processing target 7 is assumed as the plasma processing. In that case, chamber 2
A chlorine gas is introduced therein as a reaction gas, and the gas pressure is set to 20 mTorr. A bias voltage of 100 W is applied to the object 7 at a high frequency of 5 MHz. When the high-frequency power introduced into the antenna is 2 kW, the surface of the vacuum side irradiated with plasma reaches 170 ° C. unless the temperature of the dielectric component 3 is adjusted.
【００５４】このような場合、ヒータ加熱式の従来のプ
ラズマ処理装置１１では、誘電体部品３の内面に±９０
℃の温度分布が発生し、処理中の温度が１３０℃の範囲
で変化した。しかし、本実施の形態のプラズマ処理装置
４１では、オイル温調機２６により１５０℃以上、望ま
しくは１８０℃±１０℃の温度コントロールを実施する
ことにより、誘電体部品３の内面の温度分布が±３０℃
の範囲に改善され、処理中の温度変化を３０℃の範囲に
抑えることができる。In such a case, in the conventional plasma processing apparatus 11 of the heater heating type, the inner surface of the dielectric
A temperature distribution of ° C. occurred, and the temperature during processing varied in the range of 130 ° C. However, in the plasma processing apparatus 41 of the present embodiment, the temperature distribution of the inner surface of the dielectric component 3 is controlled by controlling the temperature at 150 ° C. or more, preferably 180 ° C. ± 10 ° C. by the oil temperature controller 26. 30 ° C
And the temperature change during processing can be suppressed to the range of 30 ° C.
【００５５】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態ではオイル温調機２６に加熱
装置２８と冷却装置２９との両方を設けて各種のプラズ
マ処理に対応できることを例示したが、特定のプラズマ
処理のみ実行するような場合には加熱装置２８と冷却装
置２９との一方のみを設けることも可能である。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but allows various modifications without departing from the gist of the invention. For example, in the above embodiment, the oil temperature controller 26 is provided with both the heating device 28 and the cooling device 29 so as to be able to cope with various types of plasma processing. It is also possible to provide only one of the cooling device 28 and the cooling device 29.
【００５６】また、上記形態では温度センサ３０で測定
する誘電体部品３の温度に対応してマイクロプロセッサ
３１によりオイル温調機２６の動作を制御することを例
示したが、例えば、誘電体部品３に許容される温度の範
囲が大きいような場合には、オイル温調機２６のみで絶
縁オイル２７の温度を一定に制御することも可能であ
る。In the above embodiment, the operation of the oil temperature controller 26 is controlled by the microprocessor 31 in accordance with the temperature of the dielectric component 3 measured by the temperature sensor 30. In a case where the temperature range allowed for the oil is large, the temperature of the insulating oil 27 can be controlled to be constant only by the oil temperature controller 26.
【００５７】また、温度センサ３０で測定する誘電体部
品３の内面の温度に対応してマイクロプロセッサ３１に
よりオイル温調機２６とともにオイル循環機２５の動作
も制御し、より良好に誘電体部品３の温度を制御するよ
うなことも可能である。The operation of the oil circulator 25 together with the oil temperature controller 26 is controlled by the microprocessor 31 in accordance with the temperature of the inner surface of the dielectric component 3 measured by the temperature sensor 30. Can be controlled.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.
【００５９】請求項１記載の発明は、被処理体が内部に
配置される真空容器の少なくとも一部を誘電体部品によ
り形成して高周波放出機構を連結し、該高周波放出機構
が放出する高周波電力を前記誘電体部品から前記真空容
器の内部に導入し、該真空容器の内部にプラズマを発生
させて前記被処理体を処理するプラズマ処理装置におい
て、前記誘電体部品の外面の全域に温度制御された絶縁
性の液体が接触していることにより、温度制御された液
体が誘電体部品の外面の全域に接触するので、誘電体部
品と液体とで熱交換を高効率に実行することができ、誘
電体部品の内面の全域の温度を良好に制御することがで
き、プラズマ処理を均一な特性で実行することができ
る。According to the first aspect of the present invention, at least a part of the vacuum container in which the object to be processed is disposed is formed of a dielectric component, and the high frequency emission mechanism is connected to the high frequency power emitted by the high frequency emission mechanism. Is introduced from the dielectric component into the inside of the vacuum vessel, and plasma is generated inside the vacuum vessel to process the object to be processed.In the plasma processing apparatus, the temperature is controlled over the entire outer surface of the dielectric component. Since the insulating liquid is in contact with the liquid, the temperature-controlled liquid contacts the entire outer surface of the dielectric component, so that heat exchange between the dielectric component and the liquid can be performed with high efficiency, The temperature of the entire inner surface of the dielectric component can be controlled well, and the plasma processing can be performed with uniform characteristics.
【００６０】請求項２記載の発明は、被処理体が内部に
配置される真空容器の少なくとも一部を誘電体部品によ
り形成して高周波放出機構を連結し、該高周波放出機構
が放出する高周波電力を前記誘電体部品から前記真空容
器の内部に導入し、該真空容器の内部にプラズマを発生
させて前記被処理体を処理するプラズマ処理装置におい
て、絶縁性の液体を前記誘電体部品の外面の全域と接触
する位置に保持する液体保持容器を設け、該液体保持容
器内の液体を温度制御する温度調整手段を設けたことに
より、液体保持容器の内部に絶縁性の液体を充填した状
態では、誘電体部品の外面の全域に接触する絶縁性の液
体を温度調整手段により温度制御することができるの
で、誘電体部品と液体とで熱交換を高効率に実行するこ
とができ、誘電体部品の内面の全域の温度を良好に制御
することができ、プラズマ処理を均一な特性で実行する
ことができる。According to a second aspect of the present invention, at least a part of the vacuum vessel in which the object to be processed is disposed is formed of a dielectric component, and the high frequency emission mechanism is connected to the high frequency power emitted by the high frequency emission mechanism. Is introduced from the dielectric component into the inside of the vacuum container, and a plasma is generated inside the vacuum container to process the object to be processed. In the plasma processing apparatus, an insulating liquid is applied to the outer surface of the dielectric component. By providing a liquid holding container for holding at a position in contact with the entire area, and by providing a temperature adjusting means for controlling the temperature of the liquid in the liquid holding container, in a state where the inside of the liquid holding container is filled with an insulating liquid, Since the temperature of the insulating liquid in contact with the entire outer surface of the dielectric component can be controlled by the temperature adjusting means, heat exchange between the dielectric component and the liquid can be performed with high efficiency, and the dielectric portion can be controlled. Of the temperature of the whole area of the inner surface can be satisfactorily controlled, it is possible to perform a plasma treatment with uniform characteristics.
【００６１】請求項３記載の発明は、請求項２記載のプ
ラズマ処理装置であって、液体を液体保持容器と温度調
整手段とに強制的に循環させる液体循環手段を設けたこ
とにより、温度制御された液体を誘電体部品の位置に大
量に供給できるので、より高効率に誘電体部品と液体と
の熱交換を実行することができ、誘電体部品の温度を精
度よく制御することができ、さらにプラズマ処理の特性
を向上させることができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided the plasma processing apparatus according to the second aspect, wherein a liquid circulating means for forcibly circulating the liquid to the liquid holding container and the temperature adjusting means is provided to control the temperature. Since a large amount of the liquid can be supplied to the position of the dielectric component, heat exchange between the dielectric component and the liquid can be performed with higher efficiency, and the temperature of the dielectric component can be accurately controlled, Further, the characteristics of the plasma processing can be improved.
【００６２】請求項４記載の発明は、請求項１ないし３
の何れか一記載のプラズマ処理装置であって、誘電体部
品の温度を測定する温度測定手段を設け、その測定され
た温度に対応して温度調整手段を動作制御する動作制御
手段を設けたことにより、誘電体部品の温度に対応して
液体の温度がフィードバック制御されるので、より正確
に誘電体部品の温度を制御することができ、さらにプラ
ズマ処理の特性を向上させることができる。The invention according to claim 4 is the invention according to claims 1 to 3.
The plasma processing apparatus according to any one of the preceding claims, further comprising a temperature measuring means for measuring a temperature of the dielectric component, and an operation control means for controlling the operation of the temperature adjusting means in accordance with the measured temperature. Accordingly, the temperature of the liquid is feedback-controlled in accordance with the temperature of the dielectric component, so that the temperature of the dielectric component can be more accurately controlled, and the characteristics of the plasma processing can be further improved.
【００６３】請求項５記載の発明は、請求項４記載のプ
ラズマ処理装置であって、温度測定手段は、誘電体部品
の内面の温度を測定することにより、液体の温度のフィ
ードバック制御を誘電体部品の内面の温度に対応させる
ことができるので、より正確に誘電体部品の内面の温度
を制御することができ、さらにプラズマ処理の特性を向
上させることができる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the plasma processing apparatus according to the fourth aspect, wherein the temperature measuring means measures the temperature of the inner surface of the dielectric component to perform feedback control of the temperature of the liquid. Since it can correspond to the temperature of the inner surface of the component, the temperature of the inner surface of the dielectric component can be controlled more accurately, and the characteristics of the plasma processing can be further improved.
【００６４】請求項６記載の発明は、請求項１ないし３
の何れか一記載のプラズマ処理装置であって、温度調整
手段は、液体を加熱する加熱装置と冷却する冷却装置と
の両方を具備することにより、誘電体部品の温度を自在
に制御することができるので、各種のプラズマ処理を均
一な特性で実行することができる。The invention described in claim 6 is the first to third aspects of the present invention.
In the plasma processing apparatus according to any one of the above, the temperature adjusting means includes both a heating device that heats the liquid and a cooling device that cools the liquid, so that the temperature of the dielectric component can be freely controlled. Therefore, various types of plasma processing can be performed with uniform characteristics.
【００６５】請求項７記載の発明は、請求項１記載のプ
ラズマ処理装置であって、液体がシリコンオイルである
ことにより、誘電体部品を良好に温度制御することがで
きる。According to a seventh aspect of the present invention, in the plasma processing apparatus according to the first aspect, the temperature of the dielectric component can be favorably controlled by using the silicon oil as the liquid.
【図１】本発明の実施の第一の形態のプラズマ処理装置
を示す模式的な断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の第二の形態のプラズマ処理装置
を示す模式的な断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図３】一従来例のプラズマ処理装置を示す模式的な断
面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.
【図４】他の従来例のプラズマ処理装置を示す模式的な
断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another conventional plasma processing apparatus.
２ 真空容器であるチャンバ ３ 誘電体部品である石英ウインドウ ４ 高周波放出機構の一部である誘電体線路 ６ 保持台 ７ 被処理体 １２ アンテナ １３ 高周波電源 １４ 高周波放出機構 ２１ プラズマ処理装置 ２２ 液体保持容器であるオイル保持部 ２３ 入口 ２４ 出口 ２５ 液体循環手段であるオイル循環機 ２６ 温度制御手段であるオイル温調機 ２７ 絶縁性の液体である絶縁オイル ２８ 加熱装置 ２９ 冷却装置 ３０ 温度測定手段である温度センサ ３１ 動作制御手段であるマイクロプロセッサ ４１ プラズマ処理装置 Reference Signs List 2 Chamber which is a vacuum vessel 3 Quartz window which is a dielectric part 4 Dielectric line which is a part of high frequency emission mechanism 6 Holder 7 Workpiece 12 Antenna 13 High frequency power supply 14 High frequency emission mechanism 21 Plasma processing device 22 Liquid holding container Oil holding unit 23 inlet 24 outlet 25 oil circulator as liquid circulation means 26 oil temperature controller as temperature control means 27 insulating oil as insulating liquid 28 heating device 29 cooling device 30 temperature as temperature measurement means Sensor 31 Microprocessor as operation control means 41 Plasma processing apparatus
Claims (7)
少なくとも一部を誘電体部品により形成して高周波放出
機構を連結し、該高周波放出機構が放出する高周波電力
を前記誘電体部品から前記真空容器の内部に導入し、該
真空容器の内部にプラズマを発生させて前記被処理体を
処理するプラズマ処理装置において、 前記誘電体部品の外面の全域に温度制御された絶縁性の
液体が接触していることを特徴とするプラズマ処理装
置。At least a part of a vacuum container in which a target object is disposed is formed of a dielectric component, and a high-frequency emission mechanism is connected, and high-frequency power emitted by the high-frequency emission mechanism is transmitted from the dielectric component. Introducing the inside of the vacuum vessel, a plasma processing apparatus that generates plasma inside the vacuum vessel to process the object to be processed, wherein a temperature-controlled insulating liquid is applied to the entire outer surface of the dielectric component. A plasma processing apparatus which is in contact with the plasma processing apparatus.
少なくとも一部を誘電体部品により形成して高周波放出
機構を連結し、該高周波放出機構が放出する高周波電力
を前記誘電体部品から前記真空容器の内部に導入し、該
真空容器の内部にプラズマを発生させて前記被処理体を
処理するプラズマ処理装置において、 絶縁性の液体を前記誘電体部品の外面の全域と接触する
位置に保持する液体保持容器を設け、 該液体保持容器内の液体を温度制御する温度調整手段を
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。2. A high-frequency emission mechanism is connected by forming at least a part of a vacuum container in which an object to be processed is disposed by a dielectric component, and high-frequency power emitted by the high-frequency emission mechanism is transmitted from the dielectric component. In a plasma processing apparatus for processing the object by introducing plasma into the vacuum chamber and generating plasma inside the vacuum chamber, an insulating liquid is provided at a position where the insulating liquid contacts the entire outer surface of the dielectric component. A plasma processing apparatus, comprising: a liquid holding container for holding the liquid; and a temperature adjusting means for controlling the temperature of the liquid in the liquid holding container.
強制的に循環させる液体循環手段を設けたことを特徴と
する請求項２記載のプラズマ処理装置。3. The plasma processing apparatus according to claim 2, further comprising liquid circulating means for forcibly circulating the liquid to the liquid holding container and the temperature adjusting means.
段を設け、その測定された温度に対応して温度調整手段
を動作制御する動作制御手段を設けたことを特徴とする
請求項１ないし３の何れか一記載のプラズマ処理装置。4. The apparatus according to claim 1, further comprising a temperature measuring means for measuring a temperature of the dielectric component, and an operation control means for controlling an operation of the temperature adjusting means in accordance with the measured temperature. 3. The plasma processing apparatus according to any one of 3.
度を測定することを特徴とする請求項４記載のプラズマ
処理装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 4, wherein the temperature measuring means measures a temperature of an inner surface of the dielectric component.
置と冷却する冷却装置との両方を具備することを特徴と
する請求項１ないし３の何れか一記載のプラズマ処理装
置。6. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjusting means includes both a heating device for heating the liquid and a cooling device for cooling the liquid.
とする請求項１記載のプラズマ処理装置。7. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid is silicon oil.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023835A JP2923879B2 (en) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | Plasma processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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