JPH1022219A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH1022219A
JPH1022219A JP8195531A JP19553196A JPH1022219A JP H1022219 A JPH1022219 A JP H1022219A JP 8195531 A JP8195531 A JP 8195531A JP 19553196 A JP19553196 A JP 19553196A JP H1022219 A JPH1022219 A JP H1022219A
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optical system
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクと感光基板の非走査方向の相対的な位
置ずれを正確に検出できる投影露光装置を提供するこ
と、及び小型軽量で、安定した動作精度を有する投影露
光装置を提供すること。 【解決手段】 少なくとも保持手段(24)の移動のス
トローク分の長さをもって保持手段(24)の移動の方
向に延設された長尺ミラー(62,66)を固定部(1
6)に対して固定する。そして、長尺ミラー(62,6
6)に対するマスク(10)及び感光基板(14)の位
置に基づいて、計測手段(48,50,64,68)に
よって、保持手段(24)の移動の方向(X軸方向)と
直交する方向(Y軸方向)におけるマスク(10)と感
光基板(14)との相対的な位置ずれ量(△Y)を計測
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクと感光基板
とを投影光学系に対して所定方向に移動させることによ
ってマスク上のパターンを感光基板上に投影露光する投
影露光装置に関し、特に、マスクと感光基板との相対的
な位置ずれ量を計測する技術に関する。
【0002】
【従来技術】図7は、従来の投影露光装置の構成を示
す。この投影露光装置は、マスク110のパターンを投
影光学系112を介してガラスプレート(感光基板)1
14上に等倍で投影するものである。図7において、マ
スク110とガラスプレート114とが移動(走査)す
る方向をX軸とし、マスク110の平面内でX軸と直交
する方向をY軸とし、マスク110の法線方向(投影光
学系12の光軸方向)をZ軸とする。投影光学系112
は、コの字型の架台116の中央に固定されている。架
台116の端部には、超高圧水銀ランプ等よりなる光源
およびフライアイレンズ等からなる照明光学系118が
固定されており、照明光学系118から射出された光に
よってマスク110の所定形状領域を均一な照度で照明
するようになっている。
【0003】マスク110及びガラスプレート114
は、XY平面とほぼ平行になるように、マスクステージ
120及びプレートステージ122上にそれぞれ保持さ
れている。また、マスクステージ120及びプレートス
テージ122は、共通のキャリッジ124によって一体
的に保持されている。マスクステージ120の下方に
は、2つのY方向微動アクチュエータ126,128
が、キャリッジ124に固定された状態で配置されてお
り、これら2つのY方向微動アクチュエータ126,1
28によってマスクステージ120のY軸方向の位置を
調整できるようになっている。マスクステージ120の
投影光学系112側の端部には、X方向微動アクチュエ
ータ130がキャリッジ124に固定された状態で配置
されており、このX方向微動アクチュエータ130によ
ってマスクステージ120のX軸方向の位置を調整でき
るようになっている。
【0004】一方、プレートステージ122は、走査露
光中におけるプレート114の露光領域が投影光学系1
12を介したマスク110のパターン結像面とほぼ一致
するように、Z軸方向に適宜移動可能であるとともに、
X軸周りおよびY軸周りにチルト(傾斜)可能に構成さ
れている。すなわち、プレートステージ122をZ軸方
向に移動させることによって、結像状態を調整し、更
に、ガラスプレート114のレベリングを行う(X軸周
り及びY軸周りにチルトさせる)。このような調整動作
により、ガラスプレート114の厚みムラや、傾き、う
ねり等を補正することができる。
【0005】キャリッジ124は、ガイド部材132
a,132bに沿ってX軸方向にスライド可能に構成さ
れている。そして、照明系118から射出される照明光
に対して、キャリッジ124をX軸方向に移動すること
によって、マスク110とガラスプレート114とが投
影光学系112(照明光)に対して同期して走査され、
その走査に従ってマスク110上に形成されたパターン
が徐々にガラスプレート114上に転写される。そし
て、一度の走査により、マスク110に形成されたパタ
ーン領域の全体がガラスプレート114上に投影露光
(転写)される。
【0006】次に、上記のような投影露光装置におけ
る、マスク110とガラスプレート114の位置合わせ
機構について説明する。マスクステージ120及びプレ
ートステージ124の底部には、Y方向微動アクチュエ
ータ126,128にそれぞれ対応する位置に、移動鏡
136a,136b,138a,138bが固定されて
いる。移動鏡136a,136bは、キャリッジ124
に固定された差動タイプのレーザ干渉計140から射出
されるレーザ光を反射するように構成されている。すな
わち、レーザ干渉計140から射出されたレーザ光は、
分岐光学系144によって2つの光束に分割され、それ
ぞれの光が移動鏡136a,136bに導かれる。移動
鏡136a,136bで反射したレーザ光は、分岐光学
系144を介してレーザ干渉計140に入射する。そし
て、干渉計140では、移動鏡136a,136bから
の2つの反射光を合成し、これら2つの光の干渉状態に
基づいて、Y方向微動アクチュエータ126が設置され
た位置における、マスク110とガラスプレート114
との非走査方向(Y軸方向)の相対位置ずれを検出す
る。
【0007】一方、移動鏡138a,138bは、キャ
リッジ124に固定された差動タイプのレーザ干渉計1
42から射出されるレーザ光を反射するように構成され
ている。すなわち、レーザ干渉計142から射出された
レーザ光を、分岐光学系146によって2つの光束に分
割し、それぞれの光を移動鏡138a,138bに導
く。移動鏡138a,138bで反射したレーザ光は、
分岐光学系146を介してレーザ干渉計142に入射す
る。そして、干渉計142では、移動鏡138a,13
8bからの2つの反射光を合成し、これら2つの光の干
渉状態に基づいて、Y方向微動アクチュエータ128が
設置された位置における、マスク110とガラスプレー
ト114との非走査方向(Y軸方向)の相対位置ずれを
検出する。
【0008】このように、レーザ干渉計140及びレー
ザ干渉計142によって、X軸方向に一定の間隔を持っ
た2点(126,128)におけるマスク110とガラ
スプレート114とのY軸方向の相対位置ずれを検出す
ることができる。また、レーザ干渉計140とレーザ干
渉計142との検出結果の差により、マスク110とガ
ラスプレート114との法線周り(Z軸周りの回転方
向)の相対位置ずれを検出することができる。マスク1
10とガラスプレート114とのY軸方向又は法線周り
の位置ずれ量が検出されると、Y方向微動アクチュエー
タ126,128を駆動して、そのずれ量を補正する。
なお、レーザ干渉計140及び142は、キャリッジ1
24に固設された光源からの光束を利用しているので、
検出されたY軸方向の相対位置ずれは、キャリッジ12
4の姿勢変化の影響を含まないことになる。すなわち、
キャリッジ124がX軸周りに変位した場合には、レー
ザ干渉計140,142の光源及び分岐光学系144,
146もキャリッジ124と共に変位するため、この様
な状況でのマスク110とガラスプレート114のY軸
方向のずれ量は検出されない。
【0009】マスクステージ120とプレートステージ
122のX軸方向の端部には、X方向微動アクチュエー
タ130の対応する位置に、反射鏡148と反射鏡15
0がそれぞれ設置されている。これらの反射鏡148,
150は、それぞれレーザ干渉計152,154からの
レーザ光を反射するように配置構成されている。レーザ
干渉計152は、測長タイプの干渉計であり、光源から
射出されたレーザ光束を、マスクステージ120に固定
された反射鏡148と、架台116に固設された固定鏡
(不図示)とに導いている。そして、反射鏡148から
の反射光を固定鏡からの反射光と干渉(合成)させて受
光し、これら2つの光の干渉状態に基づいて、マスク1
10のX軸方向の位置を検出するようになっている。
【0010】一方、レーザ干渉計154も測長タイプの
干渉計であり、架台116や投影光学系114のような
固定系に固設された光源から射出されたレーザ光束を、
プレートステージ122に固定された反射鏡150と上
述した固定鏡(不図示)とに導いている。そして、反射
鏡150からの反射光を固定鏡からの反射光と干渉させ
て受光し、これら2つの光の干渉状態に基づいて、ガラ
スプレート114のX軸方向の位置を検出するようにな
っている。
【0011】また、レーザ干渉計152とレーザ干渉計
154との検出結果の差により、マスク110とガラス
プレート114とのX軸方向の相対位置ずれを検出する
ことができる。すなわち、レーザ干渉計152によって
計測されるマスク110のX軸方向の位置と、レーザ干
渉計154によって計測されるガラスプレート114の
X軸方向の位置の相対的な差を求める。ここで、レーザ
干渉計152および154はともに固定系に固設された
光源を利用しているので、キャリッジ124のピッチン
グ方向(Y軸周りの回転方向)の姿勢変化、すなわちキ
ャリッジ124のピッチング量を含めたマスク110と
ガラスプレート114との走査方向(X軸方向)の相対
位置ずれを検出することができる。なお、プレートステ
ージ122側に配置されたレーザ干渉計154の出力
は、走査制御するためのキャリッジ駆動制御用コントロ
ーラ(図示せず)にフィードバックされ、走査露光中に
ガラスプレート114の全領域において露光量が均一に
なるように、投影光学系112に対するキャリッジ12
4の速度制御を行う。
【0012】キャリッジ124の上面には、X軸方向に
延びた長尺状の反射鏡156が固定設置されており、レ
ーザ干渉計158から射出されるレーザ光を反射するよ
うになっている。レーザ干渉計158は、キャリッジ1
24のローリング方向(X軸周りの回転方向)の姿勢変
化を検出する差動タイプの干渉計である。この干渉計シ
ステムにおいては、架台116に固設された光源から射
出されたレーザ光束を2つの光束に分割し、各レーザ光
束を反射鏡156上のZ軸方向に離れた2点に導いてい
る。そして、反射鏡156で反射したレーザ光束を合成
しその干渉光を受光することによって、キャリッジ12
4全体のX軸周りの回転量、すなわちローリング量が検
出される。この装置においては、干渉計158によって
検出されたローリング量に基づいて、投影光学系112
を基準としたマスク110とガラスプレート114との
Y軸方向の相対的なずれ量を演算によって求める。そし
て、Y方向微動アクチュエータ126,128を適宜駆
動することによってそのずれ量を補正する。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の投
影露光装置においては、マスク110とガラスプレート
114のY軸方向の位置ずれを計測するレーザ干渉計1
40,142、及びその分岐光学系144,146が、
キャリッジ124上に固設されている。このため、ガイ
ド部材132a,132bの真直度に誤差等により、キ
ャリッジ124が変形していると、分岐光学系144と
分岐光学系146との間に相対変位を生じてしまう。そ
の結果、レーザ干渉計140と142によって計測され
た値、すなわち、マスク110とガラスプレート114
とのY軸方向の相対位置ずれ量に誤差が含まれることに
なる。
【0014】また、レーザ干渉計140と142をキャ
リッジ124上に設置しているため、キャリッジ124
の駆動力を大きくする必要がある。更に、キャリッジ1
24上に長尺状の反射鏡156が固設されているため、
キャリッジ124の重量が増し、キャリッジの駆動力を
更に大きくしなければならない。その結果、駆動系が大
型化すると共に、キャリッジ124の走査精度(等速制
御)の向上を図ること困難となる。
【0015】本発明は上記のような状況に鑑みて成され
たものであり、マスクと感光基板の非走査方向の相対的
な位置ずれを正確に検出できる投影露光装置を提供する
ことを目的とする。また、小型軽量で、安定した動作精
度を有する投影露光装置を提供することを他の目的とす
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明においては、マスク(10)上のパターン
を所定形状の照明領域で照明する照明光学系(18)
と、マスク(10)上のパターンを感光基板(14)上
に投影する投影光学系(12)と、マスク(10)と感
光基板(14)とを一体で保持する保持手段(24)
と、投影光学系(12)を固定する固定部(16)とを
有し、保持手段(24)を投影光学系(12)に対して
所定方向(X軸方向)に移動させることによってマスク
(10)上のパターンを投影光学系(12)を介して感
光基板(14)上に投影露光する投影露光装置におい
て、固定部(16)に対して固定され、少なくとも保持
手段(24)の移動のストローク分の長さをもって当該
移動の方向に延設された長尺ミラー(62,66)と;
この長尺ミラー(62,66)に対するマスク(10)
及び感光基板(14)の位置に基づいて、移動の方向
(X軸方向)と直交する方向(Y軸方向)におけるマス
ク(10)と感光基板(14)との相対的な位置ずれ量
(△Y)を計測する計測手段(48,50,64,6
8)とを備えている。上記のような発明において、計測
手段(48,50,64,68)は、長尺ミラー(6
2,66)に対するマスク(10)及び感光基板(1
4)の位置に基づいて、保持手段(24)の移動の方向
(X軸方向)を軸とする回転方向のずれ量(△Xθ)を
更に計測することができる。
【0017】上記のような本発明において、例えば、マ
スク(10)を保持手段(24)に対して保持するマス
クステージ(20)と、感光基板(14)を保持手段
(24)に対して保持する基板ステージ(22)とを更
に備える。また、計測手段(48,50,64,68)
は、計測用の光を射出する手段(48,50)と;マス
クステージ(20)と基板ステージ(22)にそれぞれ
固定され、計測用の光の少なくとも一部を長尺ミラー
(62,66)に導くた分岐光学系(64,68)とを
有する。そして、長尺ミラー(62,66)で反射され
た計測用の光を用いてマスク(10)と感光基板(1
4)との相対的な位置ずれ(△Y)を計測する。
【0018】上記のような分岐光学系(64,68)と
しては、計測用の光の一部を長尺ミラー(62,66)
に導く偏光ビームスプリッタ(64,68)と、当該偏
光ビームスプリッタ(64,68)を透過した計測用の
光を反射する基準ミラー(65)とを用いて構成するこ
とができる。そして、計測手段(48,50)は、長尺
ミラー(62,66)からの反射光と基準ミラー(6
5)からの反射光の干渉状態に基づいてマスク(10)
と感光基板(14)との相対的な位置ずれ(△Y)を計
測する。
【0019】また、上記の分岐光学系の他の態様として
は、計測用の光を反射して長尺ミラー(62、66)に
導く台形ミラー(70)と;固定部(16)に対して固
定され、台形ミラー(70)及び長尺ミラー(62,6
6)で反射した光が入射する基準ミラー(72)とを用
いて構成することができる。そして、計測手段(69)
は、基準ミラー(72)から台形ミラー(70)を介し
て、マスク(10)側と感光基板(14)側とから戻る
2つの光の干渉状態に基づいてマスク(10)と感光基
板(14)との相対的な位置ずれ(△Y)を計測する。
【0020】また、上記の分岐光学系の更に他の態様と
しては、計測用の光を反射して長尺ミラー(62,6
6)に導くとともに、当該長尺ミラー(62,66)か
らの反射光を反射するペンタプリズム(82)を用いて
構成することができる。そして、計測手段(81)は、
ペンタプリズム(82)で反射して、マスク(10)側
と感光基板側(14)とから戻る2つの光の干渉状態に
基づいてマスク(10)と感光基板(14)との相対的
な位置ずれ(△Y)を計測する。
【0021】
【作用】上記のような本発明においては、計測用の光を
長尺ミラー(62,66)に対して投射し、これら長尺
ミラー(62,66)からの反射光に基づいて、移動の
方向(X軸方向)と直交する方向(Y軸方向)における
マスク(10)と感光基板(14)との相対的な位置ず
れ量(△Y)を計測している。ここで、長尺ミラー(6
2,66)は、マスク(10)や感光基板(14)の保
持手段で(24)でなく、固定部(16)に対して固定
されているため、従来のように長尺ミラー(62,6
6)や分岐光学系を保持手段(24)上に設置する必要
がないため、保持手段(24)を軽量化することができ
る。また、マスク(10)と感光基板(14)の相対的
な位置を調整するアクチュエータ等の駆動系の小型化が
実現できると共に、走査露光時の定速性も高まり、安定
した露光ができる。
【0022】また、保持手段(24)の移動の方向(X
軸方向)を軸とする回転方向のずれ量(△Xθ)を計測
することができる。すなわち、保持手段(24)の姿勢
変化や保持手段(24)内の局所的な変形に起因する相
対位置ずれを含んだマスク(10)と感光基板(14)
との相対的な位置ずれを検出することができる。このた
め、保持手段(24)の案内面の真直度不良等により保
持手段(24)自体が変形した場合であっても、投影光
学系(12)を基準とし、マスク(10)と感光基板
(14)との位置を正確に検出、且つ補正することがで
きる。その結果、保持手段(24)の機械系の案内精度
(運動性能)のみならず、保持手段(24)自体の変形
に依存することなく、投影光学系(12)に対するマス
ク(10)と感光基板(14)との位置関係を一定に保
ち、安定した高い露光精度(転写精度)を確保すること
ができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に示した実施例に基づいて説明する。本実施例は、
走査型の投影露光装置に本発明を適用したものである。
【0024】
【実施例】図1は、実施例にかかる投影露光装置の構成
を示す。この投影露光装置は、マスク10のパターンを
投影光学系12を介してガラスプレート(感光基板)1
4上に等倍で投影するものである。図1において、マス
ク10とガラスプレート14とが走査される方向をX軸
とし、マスク10の平面内でX軸と直行する方向をY軸
とし、マスク10の法線方向(投影光学系12の光軸方
向)をZ軸とする。投影光学系12は、コの字型の架台
16の中央に固定されている。架台16の端部には、超
高圧水銀ランプ等よりなる光源およびフライアイレンズ
等からなる照明光学系18が固定されており、この照明
光学系18から射出された照明光によってマスク10の
所定形状領域を均一な照度で照明するようになってい
る。
【0025】マスク10及びガラスプレート14は、X
Y平面とほぼ平行になるように、マスクステージ20及
びプレートステージ22上にそれぞれ保持されている。
また、マスクステージ20及びプレートステージ22
は、共通のキャリッジ24によって一体的に保持されて
いる。マスクステージ20の下方には、2つのY方向微
動アクチュエータ26,28が、キャリッジ24に固定
された状態で配置されており、これら2つのY方向微動
アクチュエータ26,28によってマスクステージ20
のY軸方向の位置を調整できるようになっている。マス
クステージ20の投影光学系12側の端部には、X方向
微動アクチュエータ30がキャリッジ24に固定された
状態で配置されており、このX方向微動アクチュエータ
30によってマスクステージ20のX軸方向の位置を調
整できるようになっている。
【0026】一方、プレートステージ22は、走査露光
中におけるプレート14の露光領域が投影光学系12を
介したマスク10のパターン結像面とほぼ一致するよう
に、Z軸方向に適宜移動可能であるとともに、X軸周り
およびY軸周りにチルト(傾斜)可能に構成されてい
る。すなわち、プレートステージ22をZ軸方向に移動
させることによって、結像状態を調整し、更に、ガラス
プレート14のレベリングを行う(X軸周り及びY軸周
りにチルトさせる)。このような調整動作により、ガラ
スプレート14の厚みムラや、傾き、うねり等を補正す
ることができる。
【0027】キャリッジ24は、駆動系36によって、
ガイド部材32a,32bに沿ってX軸方向にスライド
可能に構成されている。そして、照明光学系18から射
出される照明光に対して、キャリッジ24をX軸方向に
移動することによって、マスク10とガラスプレート1
4とが投影光学系12(照明光)に対して同期して走査
され、その走査に従ってマスク10上に形成されたパタ
ーンが徐々にガラスプレート14上に転写される。そし
て、一度の走査により、マスク10に形成されたパター
ン領域の全体がガラスプレート14上に投影露光(転
写)される。
【0028】次に、上記のような投影露光装置におけ
る、マスク10とガラスプレート14の位置合わせ機構
について、図1に加えて図2及び図3を参照して説明す
る。マスク10とガラスプレート14の位置は、架台1
6に固定された6つのレーザ干渉計(40,42,4
4,46,48,50)を用いて計測される。
【0029】レーザ干渉計40,42は、マスクステー
ジ20の投影光学系12側の側部に設置された反射鏡5
4,56に対して計測用のレーザ光を射出する。反射鏡
54,56は、Y軸方向に所定の間隔をもって配置さ
れ、各々の反射面がYZ平面に平行になるように配置さ
れている。レーザ干渉計40,42は、反射鏡54,5
6からの反射光に基づいてマスク10のX軸方向の位置
を計測する。また、レーザ干渉計40,42の計測値か
らマスク10のZ軸周りの変位量を計測できるようにな
っている。すなわち、レーザ干渉計40によって計測さ
れる反射鏡54の位置(マスク10の位置)と、レーザ
干渉計42によって計測される反射鏡56の位置(マス
ク10の位置)との相対的な変位量に基づいて、マスク
10のZ軸周りの変位量を求めることができる。
【0030】レーザ干渉計44,46は、プレートステ
ージ22の投影光学系12側の側部に設置された反射鏡
58,60に対して計測用のレーザ光を射出する。反射
鏡58,60は、Y軸方向に所定の隔をもって配置さ
れ、各々の反射面がYZ平面に平行になるように配置さ
れている。レーザ干渉計44,46は、反射鏡58,6
0からの反射光に基づいてガラスプレート14のX軸方
向の位置を計測する。また、レーザ干渉計44,46の
計測値からガラスプレート14のZ軸周りの変位量を計
測できるようになっている。すなわち、レーザ干渉計4
4によって計測される反射鏡58の位置(ガラスプレー
ト14の位置)と、レーザ干渉計46によって計測され
る反射鏡60の位置(ガラスプレート14の位置)との
相対的な変位に基づいて、ガラスプレート14のZ軸周
りの変位量を求めることができる。
【0031】レーザ干渉計48は、マスク10のY軸方
向の位置を計測するものであり、マスクステージ20に
固定された分岐光学系64を介して、一端が架台16の
天井部に固定された長尺状の反射鏡62に対し計測用の
レーザ光を照射する。反射鏡62は、少なくともキャリ
ッジ24の移動ストローク分の長さを有し、一端が架台
16に固定された状態で他端がマスクステージ20側に
延びている。また、反射鏡62の反射面(底面)は、Y
軸に垂直(XZ平面に平行)になるように配置されてい
る。分岐光学系64は、レーザ干渉計48から射出され
るレーザ光を反射鏡62の反射面に対して垂直に導くよ
うに構成されている。レーザ干渉計48においては、反
射鏡62からの反射光を受光し、反射鏡62に対するマ
スク10のY軸方向の位置を計測する。すなわち、投影
光学系12を含む固定側(架台16)を基準としたマス
ク10のY軸方向の変位を計測する。
【0032】レーザ干渉計50は、ガラスプレート14
のY軸方向の位置を計測するものであり、プレートステ
ージ22に固定された分岐光学系68を介して、一端が
架台16の天井部に固定された長尺状の反射鏡66に対
し計測用のレーザ光を照射する。反射鏡66は、上述し
た反射鏡62と同様に、少なくともキャリッジ24の移
動ストローク分の長さを有し、一端が架台16に固定さ
れた状態で他端がプレートステージ22側に延びてい
る。また、反射鏡66の反射面はY軸に垂直(XZ平面
に平行)な方向を向いている。分岐光学系68は、レー
ザ干渉計50から射出されたレーザ光を反射鏡66の反
射面(底面)に対して垂直に導くように構成されてい
る。レーザ干渉計50においては、反射鏡66からの反
射光を受光し、反射鏡66に対するガラスプレート14
のY軸方向の位置を計測する。すなわち、投影光学系1
2を含む固定側(架台16)を基準としたガラスプレー
ト14のY軸方向の変位を計測する。
【0033】レーザ干渉計48及び50から出力される
レーザ光を反射ミラー62,66に導く分岐光学系6
4,68としては、例えば、偏光ビームスプリッタ(6
4)を使用することができる。図3は、マスク10とガ
ラスプレート14とのY軸方向のずれを計測する本発明
の第1実施例にかかる干渉計システムの構成を示す。マ
スクステージ20に設置された偏光ビームスプリッタ6
4の後方には、基準ミラー65が設置されており、偏光
ビームスプリッタ64を透過した光を反射するようにな
っている。本実施例においては、レーザ干渉計48から
射出された光の一部は、偏光ビームスプリッタ64にお
いて反射ミラー62側に導かれ、その他の光は偏光ビー
ムスプリッタ64を透過して基準ミラー65に入射す
る。
【0034】レーザ干渉計48においては、反射ミラー
62で反射した光と、基準ミラー65で反射した光の光
路長の差から、反射ミラー62に対するマスク10のY
軸方向の位置を計測する。すなわち、反射ミラー62に
対してマスク10がY軸方向に変位すると、偏光ビーム
スプリッタ64から反射ミラー62までの光路長が変化
し、反射ミラー62から戻る光と基準ミラー65から戻
る光との間に相対的な光路長の差が生じる。従って、レ
ーザ干渉計48に受光される光の干渉状態に基づいてマ
スク10のY軸方向の位置を計測することができる。な
お、プレートステージ22に設置された分岐光学系68
も上記分岐光学系(64,65)と同じ構成であり、こ
こでは重複した説明を省略する。
【0035】本実施例においては、上記のような6つの
レーザ干渉計(40,42,44,46,48,50)
の計測値に基づいて、マスク10とガラスプレート14
のX軸方向、Y軸方向,X軸周りの回転方向(Xθ方
向)、Y軸周りの回転方向(Yθ方向)及びZ軸周りの
回転方向(Zθ方向)の相対的なずれ量△x,△y,△
xθ,△yθ,△zθをそれぞれ検出することができ
る。詳述すると、マスク10側においては、レーザ干渉
計40の計測値MX1とレーザ干渉計42の計測値MX
2とに基づいて、例えば、これらの平均値をとって、マ
スク10のX軸方向の位置MXを求める。また、レーザ
干渉計40の計測値MX1と、レーザ干渉計42の計測
値MX2との差からマスク10のZθ方向の変位量MZ
θが求まる。更に、レーザ干渉計48の計測値からマス
ク10のY軸方向の位置MYが求まる。
【0036】一方、ガラスプレート14側において、レ
ーザ干渉計44の計測値PX1と、レーザ干渉計46の
計測値PX2とに基づいて、例えば、これらの平均値を
とって、ガラスプレート14のX軸方向の位置PXが求
まる。また、レーザ干渉計44の計測値PX1と、レー
ザ干渉計46の計測値PX2との差からガラスプレート
14のZθ方向の変位量PZθが求まる。更に、レーザ
干渉計50の計測値からガラスプレート14のY軸方向
の位置PYが求まる。
【0037】そして、上記のように求められたマスク1
0のX軸方向の位置MXと、ガラスプレート14のX軸
方向の位置PXとの差から、キャリッジ24のピッチン
グ(Y軸周りの回転)を含むマスク10とガラスプレー
ト14のX軸方向の相対的なずれ量△Xが求まる。ま
た、マスク10のY軸方向の位置MYと、ガラスプレー
ト14のY軸方向の位置PYとの差から、キャリッジ2
4のローリング(X軸周りの回転)を含むマスク10と
ガラスプレート14のY軸方向のずれ量△Yが求まる。
更に、マスク10のZθ方向の位置MZθとガラスプレ
ート14のZθ方向の位置PZθとから、マスク10と
ガラスプレート14とのZ軸周りの相対的なずれ量△Z
θが求まる。
【0038】次に、上記実施例の全体的な動作について
説明する。まず、マスク10とガラスプレート14の双
方に形成されたマークを図示しない顕微鏡で観察し、マ
スク10とガラスプレート14との初期アライメントを
行う。そして、この状態で、各レーザ干渉計(40,4
2,44,46,48,50)の計測値を0に設定す
る、所謂キャリブレーションを行う。次に、駆動系36
によってキャリッジ24をX軸方向に駆動して走査露光
を開始する。走査露光中は、各レーザ干渉計(40,4
2,44,46,48,50)により、上記のような手
順により、マスク10とガラスプレート14との相対的
な位置ずれ量△X,△Y,△Zθを求める。次に、これ
らの位置ずれ量△X,△Y,△Zθに基づき、マスクス
テージ20上に設けた微動アクチュエータ26,28,
30の駆動量(調整量)を演算によって求める。そし
て、これらの微動アクチュエータ26,28,30によ
って、マスク10とガラスプレート14とのX軸方向、
Y軸方向およびZ軸周りの回転方向の位置調整をフィー
ドバック制御によって行う。
【0039】上記のような本実施例においては、反射ミ
ラー62,66が、架台16に対して固定されているた
め、キャリッジ24の姿勢変化やキャリッジ24内の局
所的な変形に起因する相対位置ずれを含んだマスク10
とガラスプレート14との相対的な位置ずれを検出する
ことができる。このため、キャリッジ24のガイド部材
32a、32bの真直度不良等によりキャリッジ24自
体が変形した場合であっても、投影光学系12を基準と
し、マスク10とガラスプレート14との位置を正確に
検出、且つ補正することができる。その結果、キャリッ
ジ24の機械系の案内精度(運動性能)のみならず、キ
ャリッジ24自体の変形に依存することなく、投影光学
系12に対するマスク10とガラスプレート14との位
置関係を一定に保ち、安定した高い露光精度(転写精
度)を確保することができる。
【0040】また、従来のように反射ミラー62,66
や分岐光学系64,68をキャリッジ24上に設置する
必要がなく、キャリッジ24を軽量化することができ
る。これにより、駆動系36の小型化が実現できると共
に、走査露光時の定速性も高まり、安定した露光ができ
る。
【0041】図4〜図6は、マスク10とガラスプレー
ト14とのY軸方向の相対的な位置ずれ△Yを計測する
干渉計システムの他の実施例(第2〜第4実施例)を示
す。なお、上記第1実施例(図1,図2及び図3)の構
成要素と同一又は対応する構成要素については同一の符
号を付し、重複した説明は省略する。
【0042】図4に示す干渉計システムは、レーザ干渉
計69と、マスクステージ20に設置された台形ミラー
70と、架台16等を含む固定部に設置された基準ミラ
ー72とを備えている。なお、図示しないが、プレート
14側にも同様の台形ミラーと基準ミラーとが設けられ
ている。レーザ干渉計69は、一本のレーザ光を2本に
分割し、それぞれの光束をマスク10側とガラスプレー
ト14側に導くようになっている。マスク10側におい
て、レーザ干渉計69から射出された一方の光束は、台
形ミラー70で反射して反射ミラー62に導かれる。そ
して、反射ミラー62で反射した光は、再び台形ミラー
70で反射して基準ミラー72に入射する。このような
動作は、ガラスプレート14側でも同じである。レーザ
干渉計69では、マスク10側とガラスプレート14側
からそれぞれ戻った光束を合成し、両光束の干渉状態を
観察し、マスク10とガラスプレート14のY軸方向の
相対的な位置ずれ量△Yを計測する。
【0043】図5は、マスク10とガラスプレート14
のY軸方向の相対的な位置ずれを計測する本発明の第3
実施例にかかる干渉計システムのうち、マスク10側の
構成を示す。本実施例の干渉計システムは、レーザ干渉
計48と、レーザ干渉計48から射出された光を分岐す
る偏光ビームスプリッタ74と、偏光ビームスプリッタ
74を透過した光の波長を変えるλ/4板76と、マス
クステージ20に設置された基準ミラー78と、偏光ビ
ームスプリッタ74の下方に配置されたコーナーキュー
ブ80とを備えている。本実施例は、2本の光線束を利
用する所謂2光線干渉計であり、偏光ビームスプリッタ
74の反射面から基準ミラー78の反射面までの距離
と、偏光ビームスプリッタ74の反射面から反射ミラー
62までの距離が等しくなるように配置されている。
【0044】本実施例においては、反射ミラー62に対
してマスクステージ20がY軸方向に変位すると、反射
ミラー62から戻る反射光の光路長が変化する。そし
て、反射ミラー62から戻る光と、一定(固定)の光路
長を有する基準ミラー78から戻る反射光との間に光路
長差が生じ、レーザ干渉計48では戻った光の干渉状態
からマスク10のY軸方向の位置を検出するようになっ
ている。なお、必ずしも2本の光線束を用いたシステム
とする必要はなく、1本の光束を用いて計測を行うこと
もできる。また、プレートステージ22側の構成につい
ても同様であるため、重複した説明を省略する。
【0045】図6は、マスク10とガラスプレート14
のY軸方向の相対的な位置ずれを計測する本発明の第4
実施例にかかる干渉計システムを示す。本実施例の干渉
計システムは、レーザ干渉計81と、マスクステージ2
0に設置されたペンタプリズム82とを備えている。な
お、図示しないが、プレート14側にも同様のペンタプ
リズムが設けられている。レーザ干渉計81は、一本の
レーザ光を2本に分割し、それぞれの光束をマスク10
側とガラスプレート14側のペンタプリズム(82)に
導くようになっている。マスク10側において、レーザ
干渉計81から射出された一方の光束は、ペンタプリズ
ム82で反射して反射ミラー62に導かれる。そして、
反射ミラー62で反射した光は、再びペンタプリズム8
2で反射してレーザ干渉計81に戻る。レーザ干渉計8
1では、マスク10側とガラスプレート14側からそれ
ぞれ戻った光束を合成し、両光束の干渉状態を観察し、
マスク10とガラスプレート14のY軸方向の相対的な
位置ずれ量△Yを計測する。
【0046】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれの実施例に何ら限定されるものではな
く、特許請求の範囲によって示された発明の思想の範囲
内で、種々の設計変更が可能である。上記実施例におい
ては、長尺状の反射鏡62,66を架台16に固定して
いるが、投影光学系12を含む固定側の他の箇所に設置
しても良く、例えば、投影光学系12に設置することも
可能である。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、固
定部(16)に設置された長尺ミラー(62,66)に
対して計測用の光を投射し、これら長尺ミラー(62,
66)からの反射光に基づいて、移動の方向(X軸方
向)と直交する方向(Y軸方向)におけるマスク(1
0)と感光基板(14)との相対的な位置ずれ量(△
Y)を計測しているため、保持手段(24)の機械系の
案内精度(運動性能)のみならず、保持手段(24)自
体の変形に依存することなく、投影光学系(12)に対
するマスク(10)と感光基板(14)との位置関係を
一定に保ち、安定した高い露光精度(転写精度)を確保
することができる。また、保持手段(24)を駆動する
駆動系の小型化が実現できると共に、走査露光時の定速
性も高まり、安定した露光ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施例にかかる等倍正立像タ
イプの投影露光装置を示す斜視図である。
【図2】図2は、図1に示す投影露光装置の側面を概略
的に示す側面図である。
【図3】図3は、本発明の第1実施例にかかる干渉計シ
ステムの概略構成(配置)を示す正面図である。
【図4】図4は、本発明の第2実施例にかかる干渉計シ
ステムの概略構成(配置)を示す正面図である。
【図5】図5は、本発明の第3実施例にかかる干渉計シ
ステムの概略構成(配置)を示す正面図である。
【図6】図6は、本発明の第4実施例にかかる干渉計シ
ステムの概略構成(配置)を示す正面図である。
【図7】図7は、従来の投影露光装置の構成を示す斜視
図である。
【符号の説明】
10・・・マスク 12・・・投影光学系 14・・・ガラスプレート 16・・・架台 18・・・照明系 20・・・マスクステージ 22・・・プレートステージ 24・・・キャリッジ 40,42,44,46,48,50,69,81・・
・レーザ干渉計 62,66・・・反射鏡 64,68・・・分岐光学系 70・・・台形ミラー 72・・・基準ミラー 74・・・偏光ビームスプリッタ 82・・・ペンタプリズム

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マスク上のパターンを所定形状の照明領域
    で照明する照明光学系と、前記マスク上のパターンを感
    光基板上に投影する投影光学系と、前記マスクと前記感
    光基板とを一体で保持する保持手段と、前記投影光学系
    を固定する固定部とを有し、前記保持手段を前記投影光
    学系に対して所定方向に移動させることによって前記マ
    スク上のパターンを前記投影光学系を介して前記感光基
    板上に投影露光する投影露光装置において、 前記固定部に対して固定され、少なくとも前記保持手段
    の前記移動のストローク分の長さをもって当該移動の方
    向に延設された長尺ミラーと;前記長尺ミラーに対する
    前記マスク及び前記感光基板の位置に基づいて、前記移
    動の方向と直交する方向における前記マスクと前記感光
    基板との相対的な位置ずれ量を計測する計測手段とを備
    えたことを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】前記計測手段は、前記長尺ミラーに対する
    前記マスク及び前記感光基板の位置に基づいて、前記保
    持手段の前記移動の方向を軸とする回転方向のずれ量を
    更に計測することを特徴とする請求項1に記載の投影露
    光装置。
  3. 【請求項3】前記マスクを前記保持手段に対して保持す
    るマスクステージと、前記感光基板を前記保持手段に対
    して保持する基板ステージとを更に備えるとともに、 前記計測手段は、計測用の光を射出する手段と;前記マ
    スクステージと前記基板ステージにそれぞれ固定され、
    前記計測用の光の少なくとも一部を前記長尺ミラーに導
    くた分岐光学系とを有し、前記長尺ミラーで反射された
    前記計測用の光を用いて前記マスクと前記感光基板との
    相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項1
    又は2に記載の投影露光装置。
  4. 【請求項4】前記分岐光学系は、前記計測用の光の一部
    を前記長尺ミラーに導く偏光ビームスプリッタと、当該
    偏光ビームスプリッタを透過した前記計測用の光を反射
    する基準ミラーとを備え、 前記計測手段は、前記長尺ミラーからの反射光と前記基
    準ミラーからの反射光の干渉状態に基づいて前記マスク
    と前記感光基板との相対的な位置ずれを計測することを
    特徴とする請求項3に記載の投影露光装置。
  5. 【請求項5】前記分岐光学系は、前記計測用の光を反射
    して前記長尺ミラーに導く台形ミラーと;前記固定部に
    対して固定され、前記台形ミラー及び前記長尺ミラーで
    反射した光が入射する基準ミラーとを備え、 前記計測手段は、前記基準ミラーから前記台形ミラーを
    介して、前記マスク側と前記感光基板側とから戻る2つ
    の光の干渉状態に基づいて前記マスクと前記感光基板と
    の相対的な位置ずれを計測することを特徴とする請求項
    3に記載の投影露光装置。
  6. 【請求項6】前記分岐光学系は、前記計測用の光を反射
    して前記長尺ミラーに導くとともに、当該長尺ミラーか
    らの反射光を反射するペンタプリズムであり、 前記計測手段は、前記ペンタプリズムで反射して、前記
    マスク側と前記感光基板側とから戻る2つの光の干渉状
    態に基づいて前記マスクと前記感光基板との相対的な位
    置ずれを計測することを特徴とする請求項3に記載の投
    影露光装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1070012C (zh) * 1998-08-04 2001-08-22 国家科学技术委员会高技术研究发展中心 全数字vsb调制器
EP1285222A1 (en) * 2000-05-17 2003-02-26 Zygo Corporation Interferometric apparatus and method
KR100637639B1 (ko) * 1998-08-20 2006-10-23 가부시키가이샤 니콘 레이저 간섭계, 위치측정장치 및 측정방법, 노광장치, 및 그들의 제조방법
JP2007522668A (ja) * 2004-02-11 2007-08-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 製造物の位置決めシステム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4749867A (en) * 1985-04-30 1988-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPS61251025A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPH07249567A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Nikon Corp 露光装置
KR100363932B1 (ko) * 1994-04-12 2003-08-21 가부시키가이샤 니콘 주사형노광장치
JPH07326567A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Nikon Corp 等倍投影型露光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1070012C (zh) * 1998-08-04 2001-08-22 国家科学技术委员会高技术研究发展中心 全数字vsb调制器
KR100637639B1 (ko) * 1998-08-20 2006-10-23 가부시키가이샤 니콘 레이저 간섭계, 위치측정장치 및 측정방법, 노광장치, 및 그들의 제조방법
EP1285222A1 (en) * 2000-05-17 2003-02-26 Zygo Corporation Interferometric apparatus and method
EP1285222A4 (en) * 2000-05-17 2006-11-15 Zygo Corp INTERFEROMETRIC DEVICE AND INTERFEROMETRIC PROCEDURE
JP2007522668A (ja) * 2004-02-11 2007-08-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 製造物の位置決めシステム

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