JPH10217115A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
- Publication number
- JPH10217115A JPH10217115A JP9021252A JP2125297A JPH10217115A JP H10217115 A JPH10217115 A JP H10217115A JP 9021252 A JP9021252 A JP 9021252A JP 2125297 A JP2125297 A JP 2125297A JP H10217115 A JPH10217115 A JP H10217115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction
- back plate
- polished
- semiconductor wafer
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manipulator (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】大小いずれの被研磨材も保持することができ、
また、複数の被研磨材を保持することができる研磨装置
を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ１を吸着保持する吸着保持
部１０と、研磨部９０とを備え、吸着保持部１０は、半
導体ウェーハ１を吸引する複数の吸引部１３を有する。
また、複数の被研磨材を保持することができる研磨装置
を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ１を吸着保持する吸着保持
部１０と、研磨部９０とを備え、吸着保持部１０は、半
導体ウェーハ１を吸引する複数の吸引部１３を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、板状の被研磨材を
研磨する研磨装置に係わり、特に、大小いずれの被研磨
材も保持することができ、また、複数の被研磨材を保持
することができる研磨装置に関する。
研磨する研磨装置に係わり、特に、大小いずれの被研磨
材も保持することができ、また、複数の被研磨材を保持
することができる研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料に回路を形成したいわゆる半
導体チップを製造する過程では、半導体ウェーハの表面
を研磨する工程がある。この工程では、従来、次のよう
な研磨装置が用いられる。研磨装置は、図４に示すよう
に半導体ウェーハ１の裏面を吸着保持する吸着保持部１
１０と、半導体ウェーハ１の表面を研磨する研磨部１９
０とを備えている。
導体チップを製造する過程では、半導体ウェーハの表面
を研磨する工程がある。この工程では、従来、次のよう
な研磨装置が用いられる。研磨装置は、図４に示すよう
に半導体ウェーハ１の裏面を吸着保持する吸着保持部１
１０と、半導体ウェーハ１の表面を研磨する研磨部１９
０とを備えている。
【０００３】また、本出願人の出願、特願平８−３３６
７１５（本件出願時未公開）によれば、吸着保持部１１
０は、基盤１１１と、半導体ウェーハ１の裏面が吸着さ
れる背面板１１２とを有している。背面板１１２は、柔
軟で弾力を有する材料からなり、その表面１１２ａ側
に、半導体ウェーハ１の裏面を吸着する多数の吸着凹部
１１２ｄを有すると共に、多数の通気孔１１２ｃを有し
ている。
７１５（本件出願時未公開）によれば、吸着保持部１１
０は、基盤１１１と、半導体ウェーハ１の裏面が吸着さ
れる背面板１１２とを有している。背面板１１２は、柔
軟で弾力を有する材料からなり、その表面１１２ａ側
に、半導体ウェーハ１の裏面を吸着する多数の吸着凹部
１１２ｄを有すると共に、多数の通気孔１１２ｃを有し
ている。
【０００４】基盤１１１は、通気孔１１２ｃを通じて半
導体ウェーハ１を吸引する空間である一個の吸引部１１
３を有している。従って、半導体ウェーハ１を吸着保持
部１１０に吸着保持させる際には、吸引部１１３からの
吸引により半導体ウェーハ１を吸引して、半導体ウェー
ハ１を各部均等に背面板１１２に押し付けて、各吸着凹
部１１２ｄの内部空間の空気を押し出し、吸着凹部１１
２ｄの内部空間を負圧とする。これにより、半導体ウェ
ーハ１の各部を均等に吸着させ、半導体ウェーハ１の姿
勢を高精度に保持する。
導体ウェーハ１を吸引する空間である一個の吸引部１１
３を有している。従って、半導体ウェーハ１を吸着保持
部１１０に吸着保持させる際には、吸引部１１３からの
吸引により半導体ウェーハ１を吸引して、半導体ウェー
ハ１を各部均等に背面板１１２に押し付けて、各吸着凹
部１１２ｄの内部空間の空気を押し出し、吸着凹部１１
２ｄの内部空間を負圧とする。これにより、半導体ウェ
ーハ１の各部を均等に吸着させ、半導体ウェーハ１の姿
勢を高精度に保持する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うな吸引部１１３のように半導体ウェーハ１等の被研磨
材を吸引する吸引部を有する研磨装置では、吸引部の大
きさに対応する大きさの被研磨材しか吸引することがで
きない。即ち、吸引部より小さな被研磨材では、吸引部
の周縁部が開放されてしまうため、吸引することが難し
い。また、吸引部より遙に大きな被研磨材では、被研磨
材の周縁部を吸引することができない。
うな吸引部１１３のように半導体ウェーハ１等の被研磨
材を吸引する吸引部を有する研磨装置では、吸引部の大
きさに対応する大きさの被研磨材しか吸引することがで
きない。即ち、吸引部より小さな被研磨材では、吸引部
の周縁部が開放されてしまうため、吸引することが難し
い。また、吸引部より遙に大きな被研磨材では、被研磨
材の周縁部を吸引することができない。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、大小いずれの被研磨材も保持することがで
き、また、複数の被研磨材を保持することができる研磨
装置を提供することを目的とする。
たもので、大小いずれの被研磨材も保持することがで
き、また、複数の被研磨材を保持することができる研磨
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明の研磨装置は、板状
の被研磨材を保持する保持部と、前記被研磨材を研磨す
る研磨部とを備え、前記保持部は、前記被研磨材を吸引
する吸引部を有する研磨装置において、前記吸引部が複
数設けられていることを特徴とする。また、前記保持部
は、前記吸引部を有する基盤と、該基盤に重ねられた背
面板とを備え、前記背面板は、その表面からその裏面へ
貫通された多数の通気孔と、前記被研磨材を吸着する多
数の吸着凹部とを有する構成とすることにより、吸引部
の吸引により、被研磨材を吸引して、背面板の多数の吸
着凹部に吸着させて保持させることができ、作業の簡略
化を図ることができる。
の被研磨材を保持する保持部と、前記被研磨材を研磨す
る研磨部とを備え、前記保持部は、前記被研磨材を吸引
する吸引部を有する研磨装置において、前記吸引部が複
数設けられていることを特徴とする。また、前記保持部
は、前記吸引部を有する基盤と、該基盤に重ねられた背
面板とを備え、前記背面板は、その表面からその裏面へ
貫通された多数の通気孔と、前記被研磨材を吸着する多
数の吸着凹部とを有する構成とすることにより、吸引部
の吸引により、被研磨材を吸引して、背面板の多数の吸
着凹部に吸着させて保持させることができ、作業の簡略
化を図ることができる。
【０００８】また、前記吸引部を、通気性を有する多孔
部とすることにより、背面板は、各吸引部の表面によっ
ても支持されるので、吸引時や研磨時の背面板の変形を
簡易に防止することができ、引いては、半導体ウェーハ
の変形を防止できる。
部とすることにより、背面板は、各吸引部の表面によっ
ても支持されるので、吸引時や研磨時の背面板の変形を
簡易に防止することができ、引いては、半導体ウェーハ
の変形を防止できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る研磨装置の好ましい実施の形態について詳説する。図
１に示すように、研磨装置１００は、薄板状の被研磨材
としての半導体ウェーハ１を吸着させて保持する吸着保
持部１０（上記保持部に対応）と、吸着保持部１０を半
導体ウェーハ１の表面１ａに沿う方向に旋回自在且つそ
の図３中旋回軸ＣＴ１方向に移動自在でその圧力を調整
自在な図示しない吸着保持部駆動部と、図１の半導体ウ
ェーハ１を研磨する研磨部９０と、研磨部９０を半導体
ウェーハ１の表面１ａに沿う方向に旋回させる図示しな
い研磨部駆動部とを備えている。
る研磨装置の好ましい実施の形態について詳説する。図
１に示すように、研磨装置１００は、薄板状の被研磨材
としての半導体ウェーハ１を吸着させて保持する吸着保
持部１０（上記保持部に対応）と、吸着保持部１０を半
導体ウェーハ１の表面１ａに沿う方向に旋回自在且つそ
の図３中旋回軸ＣＴ１方向に移動自在でその圧力を調整
自在な図示しない吸着保持部駆動部と、図１の半導体ウ
ェーハ１を研磨する研磨部９０と、研磨部９０を半導体
ウェーハ１の表面１ａに沿う方向に旋回させる図示しな
い研磨部駆動部とを備えている。
【００１０】吸着保持部１０は、吸引部１３を有する円
盤状の基盤１１と、基盤１１の表面に重ねられた背面板
１２と、吸引部１３から空気を吸引する空気ポンプなど
の吸引装置１５と、半導体ウェーハ１の表面１ａ側に砥
液を供給する図２の砥液供給装置１６とを備えている。
基盤１１は、基盤本体１１Ａと、背面板１２を介して半
導体ウェーハ１を吸引する四個の前記吸引部１３とから
なり、基盤本体１１Ａは、その表面側に陥没形成され、
断面円形の四個の多孔部配置用凹部１１ａと、図１に示
すように各多孔部配置用凹部１１ａの底部１１ｂに形成
され、吸引装置１５に接続された吸気孔１１ｃと、基盤
本体１１Ａの表面を成し、背面板１２を介して半導体ウ
ェーハ１を支持する被研磨材支持領域１１ｄと、図２の
砥液供給装置１６が接続され砥液を供給する４個の砥液
供給孔１１ｅとを有している。
盤状の基盤１１と、基盤１１の表面に重ねられた背面板
１２と、吸引部１３から空気を吸引する空気ポンプなど
の吸引装置１５と、半導体ウェーハ１の表面１ａ側に砥
液を供給する図２の砥液供給装置１６とを備えている。
基盤１１は、基盤本体１１Ａと、背面板１２を介して半
導体ウェーハ１を吸引する四個の前記吸引部１３とから
なり、基盤本体１１Ａは、その表面側に陥没形成され、
断面円形の四個の多孔部配置用凹部１１ａと、図１に示
すように各多孔部配置用凹部１１ａの底部１１ｂに形成
され、吸引装置１５に接続された吸気孔１１ｃと、基盤
本体１１Ａの表面を成し、背面板１２を介して半導体ウ
ェーハ１を支持する被研磨材支持領域１１ｄと、図２の
砥液供給装置１６が接続され砥液を供給する４個の砥液
供給孔１１ｅとを有している。
【００１１】四個の多孔部配置用凹部１１ａは、旋回軸
ＣＴ１を中心として、等距離、等間隔に巡り設けられて
おり、四個の砥液供給孔１１ｅは、各多孔部配置用凹部
１１ａの間にそれぞれ配置されている。吸引部１３は、
各多孔部配置用凹部１１ａに嵌め合わされ、図１に示す
ように多数の通気孔を内在させて通気性を有する多孔性
材料などの多孔部からなっており、吸引部１３の表面１
３ａは、背面板１２を支持するように被研磨材支持領域
１１ｄに一致する平面上にある。
ＣＴ１を中心として、等距離、等間隔に巡り設けられて
おり、四個の砥液供給孔１１ｅは、各多孔部配置用凹部
１１ａの間にそれぞれ配置されている。吸引部１３は、
各多孔部配置用凹部１１ａに嵌め合わされ、図１に示す
ように多数の通気孔を内在させて通気性を有する多孔性
材料などの多孔部からなっており、吸引部１３の表面１
３ａは、背面板１２を支持するように被研磨材支持領域
１１ｄに一致する平面上にある。
【００１２】図１の背面板１２は、例えば、ポリウレタ
ン、セルロースアセテート、ポリエステル等の柔軟で弾
力を有する材料からなり、その表面１２ａからその裏面
１２ｂへ貫通された多数の通気孔１２ｃと、表面１２ａ
側にだけ開放された多数の吸着凹部１２ｄとを有する。
また、表面１２ａは、被研磨材支持領域１１ｄに平行な
平坦面である。
ン、セルロースアセテート、ポリエステル等の柔軟で弾
力を有する材料からなり、その表面１２ａからその裏面
１２ｂへ貫通された多数の通気孔１２ｃと、表面１２ａ
側にだけ開放された多数の吸着凹部１２ｄとを有する。
また、表面１２ａは、被研磨材支持領域１１ｄに平行な
平坦面である。
【００１３】以下に研磨装置１００を用いた研磨方法に
ついて説明する。ここでは、図３に示すように基盤１１
の表面の半径程度の直径を有する半導体ウェーハ１を、
図２の各吸引部１３毎に四枚、図３の吸着保持部１０に
吸着させる場合を例にして説明する。四枚の半導体ウェ
ーハ１を各吸引部１３毎に背面板１２に配置し、吸引装
置１５を起動する。これにより、図１の各吸引部１３に
内在される多数の通気孔を通じて背面板１２の多数の通
気孔１２ｃの空気が吸引される。よって、半導体ウェー
ハ１は、背面板１２の各通気孔１２ｃにおいて、均等に
吸引力を受け、背面板１２の多数の吸着凹部１２ｄに均
等に押し付けられる。すると、各吸着凹部１２ｄは、そ
れぞれ一旦その内部空間の容積を減じるように弾性変形
して、内部空間内の空気が押し出される。
ついて説明する。ここでは、図３に示すように基盤１１
の表面の半径程度の直径を有する半導体ウェーハ１を、
図２の各吸引部１３毎に四枚、図３の吸着保持部１０に
吸着させる場合を例にして説明する。四枚の半導体ウェ
ーハ１を各吸引部１３毎に背面板１２に配置し、吸引装
置１５を起動する。これにより、図１の各吸引部１３に
内在される多数の通気孔を通じて背面板１２の多数の通
気孔１２ｃの空気が吸引される。よって、半導体ウェー
ハ１は、背面板１２の各通気孔１２ｃにおいて、均等に
吸引力を受け、背面板１２の多数の吸着凹部１２ｄに均
等に押し付けられる。すると、各吸着凹部１２ｄは、そ
れぞれ一旦その内部空間の容積を減じるように弾性変形
して、内部空間内の空気が押し出される。
【００１４】そこで、吸引装置１５を停止すると、背面
板１２は、それ自体の弾性力により、各吸着凹部１２ｄ
の内部空間の容積を復元させようとするので、各吸着凹
部１２ｄの内部空間は、負圧となる。この負圧により、
半導体ウェーハ１は、背面板１２の各吸着凹部１２ｄに
おいて吸着される。このように半導体ウェーハ１の各部
を、背面板１２に均等に吸着させることができるので、
吸着保持部１０への吸着作業が容易である。
板１２は、それ自体の弾性力により、各吸着凹部１２ｄ
の内部空間の容積を復元させようとするので、各吸着凹
部１２ｄの内部空間は、負圧となる。この負圧により、
半導体ウェーハ１は、背面板１２の各吸着凹部１２ｄに
おいて吸着される。このように半導体ウェーハ１の各部
を、背面板１２に均等に吸着させることができるので、
吸着保持部１０への吸着作業が容易である。
【００１５】また、背面板１２は、各吸引部１３の表面
１３ａによっても支持されるので、吸引時や研磨時の背
面板１２の変形を簡易に防止することができ、引いて
は、半導体ウェーハ１の変形を防止できる。そして、図
示しない吸着保持部駆動部と研磨部駆動部とを起動し
て、吸着保持部１０及び研磨部９０を旋回させると共
に、半導体ウェーハ１の表面１ａを研磨部９０に密着さ
せる。また、図２の砥液供給装置１６を起動して、砥液
供給孔１１ｅ、図１の背面板１２を介して、半導体ウェ
ーハ１の表面１ａに供給する。
１３ａによっても支持されるので、吸引時や研磨時の背
面板１２の変形を簡易に防止することができ、引いて
は、半導体ウェーハ１の変形を防止できる。そして、図
示しない吸着保持部駆動部と研磨部駆動部とを起動し
て、吸着保持部１０及び研磨部９０を旋回させると共
に、半導体ウェーハ１の表面１ａを研磨部９０に密着さ
せる。また、図２の砥液供給装置１６を起動して、砥液
供給孔１１ｅ、図１の背面板１２を介して、半導体ウェ
ーハ１の表面１ａに供給する。
【００１６】これにより、四枚の半導体ウェーハ１の研
磨を同時に行うことができる。また、上記実施形態で
は、図３に示すように各吸引部１３毎に複数の小径の半
導体ウェーハ１を背面板１２に吸着させたが、複数の吸
引部１３を覆う大径の半導体ウェーハ２の場合も、複数
の吸引部１３の吸引によって、各部均等に吸着させるこ
とができる。
磨を同時に行うことができる。また、上記実施形態で
は、図３に示すように各吸引部１３毎に複数の小径の半
導体ウェーハ１を背面板１２に吸着させたが、複数の吸
引部１３を覆う大径の半導体ウェーハ２の場合も、複数
の吸引部１３の吸引によって、各部均等に吸着させるこ
とができる。
【００１７】また、吸引部１３は、必ずしも多孔部であ
る必要はなく、背面板１２の裏面１２ｂ側が十分な強度
を有する構成であれば、空間だけでもよい。また、本発
明は、背面板１２を省くか或いは通気性を有する布等か
らなる背面板に代え、吸引部１３の吸引で半導体ウェー
ハ１又は２を保持する構成を含む。
る必要はなく、背面板１２の裏面１２ｂ側が十分な強度
を有する構成であれば、空間だけでもよい。また、本発
明は、背面板１２を省くか或いは通気性を有する布等か
らなる背面板に代え、吸引部１３の吸引で半導体ウェー
ハ１又は２を保持する構成を含む。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の研磨装置
は、複数の吸引部を覆う大きな被研磨材の場合には、複
数の吸引部によって、各部均等に吸引することができ、
吸引部に対応する大きさの小さな被研磨材の場合には、
各吸引部毎に配置して吸引することができる。また、後
者の場合には、複数の被研磨材を保持することができ
る。
は、複数の吸引部を覆う大きな被研磨材の場合には、複
数の吸引部によって、各部均等に吸引することができ、
吸引部に対応する大きさの小さな被研磨材の場合には、
各吸引部毎に配置して吸引することができる。また、後
者の場合には、複数の被研磨材を保持することができ
る。
【図１】本発明の研磨装置の吸着保持部を示す正面拡大
断面図
断面図
【図２】図１の研磨装置の吸着保持部の吸引部を示す平
面図
面図
【図３】図２の吸着保持部の正面断面図
【図４】従来の研磨装置の吸着保持部の一例を示す図
１…半導体ウェーハ（被研磨材） １０…吸着保持部（保持部） １３…吸引部 ９０…研磨部 １００…研磨装置
Claims (2)
- 【請求項１】 板状の被研磨材を保持する保持部と、前
記被研磨材を研磨する研磨部とを備え、 前記保持部は、前記被研磨材を吸引する吸引部を有する
研磨装置において、 前記吸引部が複数設けられていることを特徴とする研磨
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の研磨装置において、 前記保持部は、前記吸引部を有する基盤と、該基盤に重
ねられた背面板とを備え、 前記背面板は、その表面からその裏面へ貫通された多数
の通気孔と、前記被研磨材を吸着する多数の吸着凹部と
を有し、 前記吸引部は、通気性を有する多孔部であることを特徴
とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021252A JPH10217115A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021252A JPH10217115A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10217115A true JPH10217115A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12049898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9021252A Pending JPH10217115A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10217115A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035160A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hioki Ee Corp | 吸着台および球状体搭載装置 |
| CN113649949A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-16 | 上海致领半导体科技发展有限公司 | 一种用于半导体晶片抛光的多通路真空吸盘部件 |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP9021252A patent/JPH10217115A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035160A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hioki Ee Corp | 吸着台および球状体搭載装置 |
| CN113649949A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-16 | 上海致领半导体科技发展有限公司 | 一种用于半导体晶片抛光的多通路真空吸盘部件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002524281A (ja) | 基板を化学機械的に研磨するためのキャリアヘッド | |
| JP3816297B2 (ja) | 研磨装置 | |
| JP3602943B2 (ja) | 半導体ウエハの研削装置 | |
| JPH10217115A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2001121413A (ja) | 平板状の被加工材の保持方法 | |
| JP2010017786A (ja) | 保持治具 | |
| TWI700148B (zh) | 夾盤台、磨削裝置及磨削品的製造方法 | |
| JP2003165051A (ja) | ウェーハ研磨ヘッド | |
| US6913516B1 (en) | Dummy process and polishing-pad conditioning process for chemical mechanical polishing apparatus | |
| JPH07290355A (ja) | 研磨装置 | |
| JP4019349B2 (ja) | ワックスレスマウント式研磨装置 | |
| JPH11138429A (ja) | 研磨装置 | |
| JPH065569A (ja) | 半導体ウエハのチャック機構 | |
| JP7266369B2 (ja) | Ｃｍｐ装置及び方法 | |
| JP3050910B2 (ja) | 薄板状部材の保持装置 | |
| JPH0938858A (ja) | 薄片状部材研磨用真空チャック装置 | |
| JPH0992710A (ja) | 薄板状基板の研磨方法 | |
| JPH10178087A (ja) | ウェーハ吸着テーブル | |
| JPH0253558A (ja) | 吸着治具 | |
| JPH09234665A (ja) | 基板研磨装置および基板研磨方法 | |
| JPH0639869Y2 (ja) | 真空チャック | |
| JP2002141400A (ja) | ウエハキャリア | |
| JP3026677U (ja) | 半導体ウエハのユニバーサルチャックテーブル | |
| JPH0639709A (ja) | 半導体ウエハのチャック方法 | |
| JPH10270398A (ja) | ウェーハの研磨装置 |