JPH10216500A - 真空容器及びこれを用いた成膜装置 - Google Patents
真空容器及びこれを用いた成膜装置Info
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- JPH10216500A JPH10216500A JP9026544A JP2654497A JPH10216500A JP H10216500 A JPH10216500 A JP H10216500A JP 9026544 A JP9026544 A JP 9026544A JP 2654497 A JP2654497 A JP 2654497A JP H10216500 A JPH10216500 A JP H10216500A
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- peripheral wall
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空容器外部へのガス漏れ防止と十分な冷却効
果を有することを課題とする。 【解決手段】内部にウェハ(19)が配置される、内側が非
溶接構造の円筒状の容器本体(11)と、この容器本体(11)
の外周壁に該外周壁を選択的に削ることによって形成さ
れた冷却用の水路(13)と、この水路(13)に冷却水を導
入，排出する水路入口管(15)及び水路出口管(16)と、前
記容器本体(11)に設けられたガス導入口(23)及びガス排
出口(27)とを具備することを特徴とする真空容器。
果を有することを課題とする。 【解決手段】内部にウェハ(19)が配置される、内側が非
溶接構造の円筒状の容器本体(11)と、この容器本体(11)
の外周壁に該外周壁を選択的に削ることによって形成さ
れた冷却用の水路(13)と、この水路(13)に冷却水を導
入，排出する水路入口管(15)及び水路出口管(16)と、前
記容器本体(11)に設けられたガス導入口(23)及びガス排
出口(27)とを具備することを特徴とする真空容器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、容器本体に改良を
施した真空容器及びこれを用いた成膜装置気相成長成膜
装置に関する。
施した真空容器及びこれを用いた成膜装置気相成長成膜
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハ等の被処理物に例えば蒸着
を行なう際、例えば図１に示すような真空容器１が用い
られている。ここで、真空容器１は、ステンレス製のパ
イプ２と、このパイプ２の外周壁に巻き付けるように設
けられた冷却用のステンレス製の配管３と、パイプ２の
上端部及び下端部に取り付けられた環状のフランジ４と
から構成されている。ここで、前記配管３は溶接（溶接
部５）によりパイプ２の外周壁に固定され、フランジ４
もパイプ２の内側に沿って周状に溶接（溶接部６）する
ことにより固定されている。
を行なう際、例えば図１に示すような真空容器１が用い
られている。ここで、真空容器１は、ステンレス製のパ
イプ２と、このパイプ２の外周壁に巻き付けるように設
けられた冷却用のステンレス製の配管３と、パイプ２の
上端部及び下端部に取り付けられた環状のフランジ４と
から構成されている。ここで、前記配管３は溶接（溶接
部５）によりパイプ２の外周壁に固定され、フランジ４
もパイプ２の内側に沿って周状に溶接（溶接部６）する
ことにより固定されている。
【０００３】ところで、図１の真空容器の場合、チャン
バ１の内側が溶接部６によりフランジ４と溶接された構
成となっている。従って、かかるチャンバ１を用いてウ
ェハ等を処理する際、真空容器１内に材料ガスを流すた
め、材料ガスが腐食性の高いガスであると、経時変化と
共に溶接部６が劣化する恐れがある。また、図１の真空
容器は、パイプ２の外周壁に冷却用の配管３を巻き付
け、この配管３に冷却水を流すことによりパイプ２を冷
却する構成であるため、配管３がパイプ２に一部しか接
っしておらず、パイプ２を十分に冷却することができな
い。
バ１の内側が溶接部６によりフランジ４と溶接された構
成となっている。従って、かかるチャンバ１を用いてウ
ェハ等を処理する際、真空容器１内に材料ガスを流すた
め、材料ガスが腐食性の高いガスであると、経時変化と
共に溶接部６が劣化する恐れがある。また、図１の真空
容器は、パイプ２の外周壁に冷却用の配管３を巻き付
け、この配管３に冷却水を流すことによりパイプ２を冷
却する構成であるため、配管３がパイプ２に一部しか接
っしておらず、パイプ２を十分に冷却することができな
い。
【０００４】また、従来、図２に示すような真空容器７
が知られている。この真空容器７は冷却効果を高めるた
めにパイプ８を二重壁構造とし、その空洞部９に冷却水
を溜め込むことを特徴とする。なお、フランジ４のパイ
プ８への固定は、図１の場合と同様、溶接により行なっ
ている。しかし、図２の真空容器の場合も、図１の真空
容器と同様、溶接部の劣化の恐れがある。また、冷却部
の溜め込み方式は、冷却水がパイプ８に対し均等な流れ
を与えず、パイプ８の冷却が不十分であるとともに、冷
却水が真空容器７内に漏れる危険性がある。
が知られている。この真空容器７は冷却効果を高めるた
めにパイプ８を二重壁構造とし、その空洞部９に冷却水
を溜め込むことを特徴とする。なお、フランジ４のパイ
プ８への固定は、図１の場合と同様、溶接により行なっ
ている。しかし、図２の真空容器の場合も、図１の真空
容器と同様、溶接部の劣化の恐れがある。また、冷却部
の溜め込み方式は、冷却水がパイプ８に対し均等な流れ
を与えず、パイプ８の冷却が不十分であるとともに、冷
却水が真空容器７内に漏れる危険性がある。
【０００５】更に、図１又は図２の真空容器も、気相成
長成膜装置の一構成としてに用いた場合、パイプの冷却
が十分でないため、容器内に導入されたガスが比較的温
度が高いパイプ内壁で反応してパーティクルが発生し、
これが被処理物に悪影響を及ぼすおそれがある。
長成膜装置の一構成としてに用いた場合、パイプの冷却
が十分でないため、容器内に導入されたガスが比較的温
度が高いパイプ内壁で反応してパーティクルが発生し、
これが被処理物に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情を考
慮してなされたもので、第一に、内側が非溶接構造の円
筒状の容器本体を用いることにより容器本体の劣化を防
止するとともに、この容器本体の外周壁に該外周壁を選
択的に削ることによって形成される冷却用の水路を設
け、この水路に冷却水を流すことにより、十分な冷却効
果を有する真空容器を提供することを目的とする。第
二、こうした真空容器を用いることにより、パーティク
ルの悪影響もなく良好な環境中で被処理物を処理しえる
気相成長成膜装置を提供することを目的とする。
慮してなされたもので、第一に、内側が非溶接構造の円
筒状の容器本体を用いることにより容器本体の劣化を防
止するとともに、この容器本体の外周壁に該外周壁を選
択的に削ることによって形成される冷却用の水路を設
け、この水路に冷却水を流すことにより、十分な冷却効
果を有する真空容器を提供することを目的とする。第
二、こうした真空容器を用いることにより、パーティク
ルの悪影響もなく良好な環境中で被処理物を処理しえる
気相成長成膜装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、内部
に被処理物が配置される、内側が非溶接構造の円筒状の
容器本体と、この容器本体の外周壁に該外周壁を選択的
に削ることによって形成された冷却用の水路と、この水
路に冷却水を導入，排出する水路入口管及び水路出口管
と、前記容器本体に設けられたガス導入口及びガス排出
口とを具備することを特徴とする真空容器である。
に被処理物が配置される、内側が非溶接構造の円筒状の
容器本体と、この容器本体の外周壁に該外周壁を選択的
に削ることによって形成された冷却用の水路と、この水
路に冷却水を導入，排出する水路入口管及び水路出口管
と、前記容器本体に設けられたガス導入口及びガス排出
口とを具備することを特徴とする真空容器である。
【０００８】本願第２の発明は、請求項１記載の真空容
器と、前記容器本体内に配置されて前記被処理物を載置
するホルダーと、このホルダーを駆動する駆動系とを具
備することを特徴とする気相成長成膜装置である。
器と、前記容器本体内に配置されて前記被処理物を載置
するホルダーと、このホルダーを駆動する駆動系とを具
備することを特徴とする気相成長成膜装置である。
【０００９】本発明において、内側に溶接箇所が全くな
い容器本体を用いると、容器本体内にたとえ腐食性が高
いガスが存在しても、経時変化と共に容器本体内が劣化
することなく、ガスが外部へ漏れることもない。また、
容器本体の外周壁に該外周壁を選択的に削ることによっ
て形成される冷却用の水路を設け、水路入口管から冷却
水を水路へ導入し水路出口管から排出することにより、
水路の容器本体に接触する面積が従来（図１）の場合と
十分とれ、また水路を冷却水が均等に流れ、十分な冷却
効果を有する。
い容器本体を用いると、容器本体内にたとえ腐食性が高
いガスが存在しても、経時変化と共に容器本体内が劣化
することなく、ガスが外部へ漏れることもない。また、
容器本体の外周壁に該外周壁を選択的に削ることによっ
て形成される冷却用の水路を設け、水路入口管から冷却
水を水路へ導入し水路出口管から排出することにより、
水路の容器本体に接触する面積が従来（図１）の場合と
十分とれ、また水路を冷却水が均等に流れ、十分な冷却
効果を有する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係る気
相成長装置についてを図３を参照して説明する。図中の
付番11は、内側に溶接箇所が全くないステンレス製の円
筒状の容器本体である。この容器本体11の上部端，下部
端には、環状のフランジ11ａ，11ｂが容器本体11と一体
となって取り付けられている。前記容器本体11の外周壁
には、該外周壁を例えばステンレス製インゴットより削
り出して多数の段付き加工が施され、容器本体11とステ
ンレス製の筒状の押え板12により螺旋状の冷却用の水路
13が構成されている。なお、前記押え板12は水路13の外
側で前記容器本体11と溶接部14で溶接されている。前記
容器本体11の最下段，最上段に位置する前記水路13に
は、夫々水路入口管15，水路出口管16が連結されてい
る。ここで、水路入口管15，水路出口管16は水路13の外
側で前記容器本体11と溶接部17で溶接されている。つま
り、ウェハを処理する際は、水路入口管15から冷却水を
導入して容器本体11の最下段側の水路13へ送り、容器本
体11の外周の水路13に沿って回りながら徐々に上方向に
送り、水路出口管16から排出するものである。
相成長装置についてを図３を参照して説明する。図中の
付番11は、内側に溶接箇所が全くないステンレス製の円
筒状の容器本体である。この容器本体11の上部端，下部
端には、環状のフランジ11ａ，11ｂが容器本体11と一体
となって取り付けられている。前記容器本体11の外周壁
には、該外周壁を例えばステンレス製インゴットより削
り出して多数の段付き加工が施され、容器本体11とステ
ンレス製の筒状の押え板12により螺旋状の冷却用の水路
13が構成されている。なお、前記押え板12は水路13の外
側で前記容器本体11と溶接部14で溶接されている。前記
容器本体11の最下段，最上段に位置する前記水路13に
は、夫々水路入口管15，水路出口管16が連結されてい
る。ここで、水路入口管15，水路出口管16は水路13の外
側で前記容器本体11と溶接部17で溶接されている。つま
り、ウェハを処理する際は、水路入口管15から冷却水を
導入して容器本体11の最下段側の水路13へ送り、容器本
体11の外周の水路13に沿って回りながら徐々に上方向に
送り、水路出口管16から排出するものである。
【００１１】前記容器本体11の任意の側壁には、容器本
体11内のホルダー18上にウェハ19を出し入れするウェハ
出入口20が設けられている。前記ホルダー18の内部には
ヒータ21が配置され、ホルダー18の下部はホルダー18を
回転させる駆動系22が連結されている。前記フランジ11
ａには容器本体11内に反応ガスを導入するガス導入口23
が設けられ、前記フランジ11ａにＯリング24を介してス
テンレス製の上蓋25が設けられている。また、容器本体
11のフランジ11ｂには、Ｏリング26を介して排気口27が
形成されたステンレス製の下蓋28が設けられている。
体11内のホルダー18上にウェハ19を出し入れするウェハ
出入口20が設けられている。前記ホルダー18の内部には
ヒータ21が配置され、ホルダー18の下部はホルダー18を
回転させる駆動系22が連結されている。前記フランジ11
ａには容器本体11内に反応ガスを導入するガス導入口23
が設けられ、前記フランジ11ａにＯリング24を介してス
テンレス製の上蓋25が設けられている。また、容器本体
11のフランジ11ｂには、Ｏリング26を介して排気口27が
形成されたステンレス製の下蓋28が設けられている。
【００１２】上記実施例に係る気相成長成膜装置によれ
ば、内側に溶接箇所が全くないステンレス製の円筒状の
容器本体11を用いているため、腐食性の高いガス例えば
シラン，アルシン，塩素等が容器本体11内に存在して
も、経時変化と共に容器本体11内が劣化することなく、
外部へ漏れること心配がない。また、容器本体11の外周
壁には、該外周壁を削り出すことにより多数の段付き加
工が施され、容器本体11とステンレス製の押え板12によ
り冷却用の水路13が構成されているため、水路13の容器
本体11に接触する面積が従来（図１）と比べ十分とれ、
また従来（図２）と比べ冷却水が水路13を均等に流れる
ため、十分な冷却効果を有する。更に、上記構成の真空
容器を用いて気相成長を行なうことにより、容器本体11
を十分に冷却できるため、従来のようにパーティクルが
導入ガスに起因して容器本体11の内壁に在留することな
く、これがウェハに悪影響を及ぼすことを回避できる。
ウェハに均一な膜堆積を行なうことができる。
ば、内側に溶接箇所が全くないステンレス製の円筒状の
容器本体11を用いているため、腐食性の高いガス例えば
シラン，アルシン，塩素等が容器本体11内に存在して
も、経時変化と共に容器本体11内が劣化することなく、
外部へ漏れること心配がない。また、容器本体11の外周
壁には、該外周壁を削り出すことにより多数の段付き加
工が施され、容器本体11とステンレス製の押え板12によ
り冷却用の水路13が構成されているため、水路13の容器
本体11に接触する面積が従来（図１）と比べ十分とれ、
また従来（図２）と比べ冷却水が水路13を均等に流れる
ため、十分な冷却効果を有する。更に、上記構成の真空
容器を用いて気相成長を行なうことにより、容器本体11
を十分に冷却できるため、従来のようにパーティクルが
導入ガスに起因して容器本体11の内壁に在留することな
く、これがウェハに悪影響を及ぼすことを回避できる。
ウェハに均一な膜堆積を行なうことができる。
【００１３】なお、上記実施例では、容器本体の外周壁
を例えばステンレス製インゴットより削り出して多数の
段付き加工が施して筒状の押え板とにより冷却用の水路
を形成する場合につて述べたが、段付き加工は他の手段
を用いてもよい。また、押え板は筒状である場合に限ら
ず、図４に示すような多数のリング状の押え板41を図５
に示すように容器本体11の外周部の段差加工部を塞ぐよ
うに溶接で設けてもよい。
を例えばステンレス製インゴットより削り出して多数の
段付き加工が施して筒状の押え板とにより冷却用の水路
を形成する場合につて述べたが、段付き加工は他の手段
を用いてもよい。また、押え板は筒状である場合に限ら
ず、図４に示すような多数のリング状の押え板41を図５
に示すように容器本体11の外周部の段差加工部を塞ぐよ
うに溶接で設けてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、第一
に、内側が非溶接構造の円筒状の容器本体を用いること
により、容器本体の劣化を防止するとともに、この容器
本体の外周壁に該外周壁を選択的に削ることによって形
成される冷却用の水路を設け、水路に冷却水を流すこと
により、十分な冷却効果を有する真空容器を提供するこ
とを目的とする。第二に、こうした真空容器を用いるこ
とにより、パーティクルの悪影響もなく良好な環境中で
被処理物を処理しえる気相成長成膜装置を提供できる。
に、内側が非溶接構造の円筒状の容器本体を用いること
により、容器本体の劣化を防止するとともに、この容器
本体の外周壁に該外周壁を選択的に削ることによって形
成される冷却用の水路を設け、水路に冷却水を流すこと
により、十分な冷却効果を有する真空容器を提供するこ
とを目的とする。第二に、こうした真空容器を用いるこ
とにより、パーティクルの悪影響もなく良好な環境中で
被処理物を処理しえる気相成長成膜装置を提供できる。
【図１】従来の真空容器の断面図。
【図２】従来の他の真空容器の断面図。
【図３】本発明の一実施例に係る気相成長成膜装置の断
面図。
面図。
【図４】図３の気相成長成膜装置に用いられた押え板と
異なる別な押え板の斜視図。
異なる別な押え板の斜視図。
【図５】図４の押え板を用いた気相成長装置の要部の説
明図。
明図。
11…容器本体、 11ａ，11ｂ…フランジ、 12，41…押え板、 13…冷却用の水路、 15…水路入口管、 16…水路出口管、 18…ホルダー、 19…ウェハ、 20…ウェハ出入口、 22…駆動系、 23…ガス導入口、 25…上蓋、 27…ガス排出口、 28…下蓋。
Claims (2)
- 【請求項１】 内部に被処理物が配置される、内側が非
溶接構造の円筒状の容器本体と、この容器本体の外周壁
に該外周壁を選択的に削ることによって形成された冷却
用の水路と、この水路に冷却水を導入，排出する水路入
口管及び水路出口管と、前記容器本体に設けられたガス
導入口及びガス排出口とを具備することを特徴とする真
空容器。 - 【請求項２】 請求項１記載の真空容器と、前記容器本
体内に配置されて前記被処理物を載置するホルダーと、
このホルダーを駆動する駆動系とを具備することを特徴
とする気相成長成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9026544A JP3002649B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 真空容器及びこれを用いた成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9026544A JP3002649B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 真空容器及びこれを用いた成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10216500A true JPH10216500A (ja) | 1998-08-18 |
| JP3002649B2 JP3002649B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=12196459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9026544A Expired - Fee Related JP3002649B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 真空容器及びこれを用いた成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3002649B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235226A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Kyocera Corp | 真空チャンバ装置と真空ステージ装置 |
| WO2007026479A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 真空処理用チャンバ |
| JP2008098497A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉の水冷ジャケット及びその製造方法 |
| JP2008153505A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Nhk Spring Co Ltd | 熱処理装置用冷却装置及びその製造方法 |
| JP2013007064A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Ulvac Japan Ltd | 真空容器 |
| CN113280676A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-20 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种新型水冷热屏结构及其制备工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453446U (ja) * | 1990-09-14 | 1992-05-07 | ||
| JPH058130U (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | 株式会社トヤマ | 超高真空容器 |
| JPH0623259A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-01 | Ebara Corp | 真空容器 |
| JPH07273095A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 減圧容器 |
| JPH08107072A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP9026544A patent/JP3002649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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| CN113280676A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-20 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种新型水冷热屏结构及其制备工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3002649B2 (ja) | 2000-01-24 |
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