JPH10215143A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

Info

Publication number
JPH10215143A
JPH10215143A JP9017988A JP1798897A JPH10215143A JP H10215143 A JPH10215143 A JP H10215143A JP 9017988 A JP9017988 A JP 9017988A JP 1798897 A JP1798897 A JP 1798897A JP H10215143 A JPH10215143 A JP H10215143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
mounting
elements
wave element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9017988A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiichi Fukiharu
栄一 吹春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9017988A priority Critical patent/JPH10215143A/ja
Priority to DE69836235T priority patent/DE69836235T2/de
Priority to EP98101209A priority patent/EP0856944B1/en
Priority to US09/015,827 priority patent/US6075307A/en
Publication of JPH10215143A publication Critical patent/JPH10215143A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/0585Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H2009/0019Surface acoustic wave multichip

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 1つの実装容器内に複数の弾性表面波素子を
実装した弾性表面波装置では、素子を個々に実装する必
要があって実装工程数が増大し、かつ各素子間に確保す
るスペースによって実装密度が低下される。また、1つ
の素板に複数の素子を構成する場合には設計の自由度が
低下される。 【解決手段】 複数の弾性表面波素子1を、その弾性表
面波素板11の対向する側面において接着材15により
接着して一体化した上で実装容器2に実装する。各弾性
表面波素子1を1つの弾性表面波素子を実装するのと同
様に取り扱うことができ、弾性表面波素子1の実装工数
を削減し、かつ隣接する弾性表面波素子間に実装のため
のスペースを確保する必要がなく、実装密度が向上す
る。異なる種類の弾性表面波素板を一体化して1つの弾
性表面波素子として取り扱うことも可能であり、設計の
自由度を高めることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置に閑
し、特に複数の弾性表面波素子を同一の容器内に実装し
た構成の有する弾性表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に弾性表面波装置は、弾性表面波素
板の表面に弾性表面波パターンが形成された弾性表面波
素子を備えており、この弾性表面波素子を実装容器内に
マウントし、かつ弾性表面波パターンに対しては電気ワ
イヤ等で電気接続を行う構成がとられている。この弾性
表面波素子を実装する構成としては、例えば、図4に示
す特開平3−72708号公報に記載されている構成が
一般的である。ここでは1つの弾性表面波素子1を基板
31上に搭載し、基板31に設けた入出力端子パターン
32やアースパターン33に対してボンディングワイヤ
34により電気接続し、しかる上で基板31上に気密構
造のキャップ35を被着した構成とされている。したが
って、複数の弾性表面波素子を実装する必要がある場合
には弾性表面波素子と同じ数の基板とキャップを用意
し、それぞれに実装を行う構成がとられている。また、
1個の実装容器に複数の弾性表面波素子を実装した弾性
表面波装置も提案されており、その場合には、複数の弾
性表面波素子を個々に実装容器内にマウントする構成が
とられている。なお、複数の弾性表面波素子を実装する
場合には、1つの弾性表面波素板上に複数の弾性表面波
素子パターンを一体的に形成する構成も提案されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように、複数の弾
性表面波素子を1つの実装容器に実装する場合に、前記
したように、同一の弾性表面波素板に複数の弾性表面波
素子を一体的に形成すれば、実装に際して1つの弾性表
面波素体をマウントすればよいため、その実装を容易に
行うことができる。しかしながら、この場合には、複数
の弾性表面波素子は、その素板としての圧電材料は同一
のものに制限されるため、設計の自由度が狭くなり、任
意の特性の弾性表面波装置を得ることが難しくなるとい
う問題がある。これに対し、個々の弾性表面波素子を個
別に実装する構成では、前記した問題は生じないが、前
記したように複数回の実装作業が必要であり、その作業
性が悪くなる。
【0004】一方、1つの実装容器内に複数の弾性表面
波素子を実装する際には、図5に示すような構成がとら
れる。すなわち、実装容器2に2個の弾性表面波素子1
が所要の間隔(スペース)Aで離されてそれぞれマウン
トされており、その周囲にはシームリング23が配設さ
れる。そして、実装容器2に設けられているボンディン
グパッド21と、弾性表面波素子1の弾性表面波パター
ン12のボンディングパッド部13a,13bとがボン
ディングワイヤ22によって電気接続が行われる。この
構成では、個々の弾性表面波素子11をマウントするた
めのツールが、先に実装された素子に対して接触、ある
いは干渉しないようにするための余裕として、前記した
スペースAが要求されることになるため、このスペース
Aによって実装容器2内における実装密度が低下され、
弾性表面波装置の小型化を図ることが難しくなるという
問題が生じる。
【0005】本発明の目的は、実装の作業性を改善する
とともに、実装密度を高め、かつ設計の自由度を高める
ことが可能な弾性表面波装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、1つの実装容
器に実装する複数の弾性表面波素子の各弾性表面波素板
を、それぞれの対向する側面において接着して一体化し
たことを特徴とする。すなわち、一体化する弾性表面波
素子は、各弾性表面波素板の対向する側面を接着剤によ
り接着する。あるいは、一体化する弾性表面波素子は、
各弾性表面波素板の対向する側面を密接させ、かつこの
密接部分の表面に弾性表面波吸音材を塗布し、かつ裏面
において粘着性のテープを貼り付けた構成とする。
【0007】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態の弾
性表面波装置の内部構造の平面図であり、図2(a),
(b)は実装されている弾性表面波素子の平面図と正面
図である。これらの図において、2個の弾性表面波素子
1は、それぞれニオプ酸リチウム、タンタル酸リチウ
ム、水晶、四ホウ酸リチウム等の個々の圧電基材からな
る弾性表面波素板11の表面に、アルミニウム等の金属
薄膜を所要のパターンに形成した弾性表面波パターン1
2が形成されたものである。この弾性表面波パターン1
2は実装容器との電気的接続を取るためのボンディング
パッド部13a,13bと、弾性表面波を励振する交叉
指状電極部14a,14bとが互いに対をなした構成と
される。
【0008】その上で各弾性表面波素子1は矩形の実装
容器2内に実装したときに隣接方向に対向されるそれぞ
れの弾性表面波素板11の側面が接着剤15によって接
着され、両者は一体化されている。そして、各弾性表面
波素子1はこのような一体化により1つの弾性表面波素
子として構成され、その状態で実装容器2にマウントさ
れ、実装容器2に設けられているボンディングパッド2
1と、個々の弾性表面波パターンのボンディングパッド
部13a,13bとがボンディングワイヤ22によって
電気接続されている。なお、マウントされた弾性表面波
素子1の周囲にはシームリング23が配設される。
【0009】このように、2個の弾性表面波素子1を接
着剤15によって一体化した上で実装容器2内に実装す
ることで、そのマウントに際しての作業は1個の弾性表
面波素子を実装する場合と同じであり、実装作業を簡略
化することが可能となる。また、その一方で、接着され
た個々の弾性表面波素子1は、異なる弾性表面波素板を
用いての構成が可能であるため、設計に制約を受けるこ
とはなく、設計自由度が向上される。さらに、一体化さ
れた2個の弾性表面波素子1の間には、接着剤の厚さに
相当する間隔が生じているのみであるため、両素子間に
無駄なスペースが生じることはなく、実装密度を向上す
ることが可能となる。なお、両素子は接着されて一体化
されるため、個別に実装を行う際のツールによる干渉を
避けるためのスペースが不要であることは言うまでもな
い。
【0010】ここで、弾性表面波装置の外部入力端子に
入力された入力信号は、実装容器2のボンディングパッ
ド21からボンディングワイヤ22を介して弾性表面波
パターン12のボンディングパッド部13aに伝えら
れ、交叉指状電極部14aで、そのパターン形状に応じ
た弾性表面波に変換される。この弾性表面波は対向する
交叉指状電極部14bに達し、そのパターン形状に応じ
た電気信号に変換され、弾性表面波パターンのボンディ
ングパッド部13bからボンディングワイヤ22を介し
て実装容器2の他のボンディングパツド21に伝えら
れ、弾性表面波装置外部出力端子から出力される。
【0011】図3は本発明の第2の実施形態における弾
性表面波素子の平面図と正面図である。なお、図2の素
子と等価な部分には同一符号を付してある。2個の弾性
表面波素子1は、それぞれ個々の圧電基板等からなる弾
性表面波素板11の表面に、アルミニウム等の金属薄膜
を所要のパターンに形成した弾性表面波パターン12が
形成されている。この弾性表面波パターン12は実装容
器との電気的接続を取るためのボンディングパッド部1
3a,13dと、弾性表面波を励振する交叉指状電極部
14a,14bとで構成される。その上で各弾性表面波
素子1は実装容器内に実装したときに隣接方向に対向さ
れるそれぞれの弾性表面波素板11の側面が密接され、
その状態でこの密接領域の上面、すなわち前記弾性表面
波パターン12が存在する面にはシリコン系の吸音材1
6が塗布されており、これと反対側の下面には幅広の粘
着性テープ17が貼り付けられている。これによって、
2個の弾性表面波素板11は各側面が密接された状態で
一体化されることになる。
【0012】なお、この実施形態においても、各弾性表
面波素子1は、一体化により1つの弾性表面波素子とし
て構成された上で、図1に示したと同様にその状態で実
装容器にマウントされ、実装容器のボンディングパッド
と、個々の弾性表面波パターンのボンディングパッド部
とがボンディングワイヤによって電気接続されることに
なる。そして、その動作は前記第1の実施形態の場合と
同様となる。
【0013】この実施形態によれば、2個の弾性表面波
素子1を粘着テープ17と吸音材16によって一体化し
た上で実装容器に実装することで、そのマウントに際し
ての作業は1個の弾性表面波素子を実装する場合と同じ
であり、実装作業を簡略化することが可能となる。ま
た、その一方で、一体化された個々の弾性表面波素子
は、異なる弾性表面波素板での構成が可能であるため、
設計に制約を受けることはなく、設計自由度が向上され
る。さらに、一体化された2個の弾性表面波素子1は密
接されているため、前記第1の実施形態のような接着剤
も不要となり、素子間の間隔を零として実装密度を向上
することが可能となる。なお、両素子は体化されている
ため、個別に実装を行う際のツールによる干渉を避ける
ためのスペースが不要であることは言うまでもない。な
お、この実施形態では、両弾性表面波素板の密接間での
衝突による衝撃は吸音材によって吸収され、弾性表面波
に影響を与えることはない。また、この吸音材としては
接着剤を用いても同様の効果を得ることができる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数の弾
性表面波素子を、その側面において一体化した上で実装
容器に実装した構成とすることで、複数の弾性表面波素
板を1つの弾性表面波素子を実装するのと同様に取り扱
うことができ、弾性表面波素子の実装工数を削減し、実
装を容易に行うことが可能となる。また、複数の弾性表
面波素子間にスペースを確保する必要がなく、実装密度
を高めることができ、弾性表面波装置の小型化が実現で
きるという効果も得られる。さらに、異なる弾性表面波
素板を一体化して1つの弾性表面波素子として取り扱う
ことも可能であり、設計の自由度を高めることも可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の弾性表面波装置の内
部構成を示す平面図である。
【図2】図1で用いられる弾性表面波素子の平面図と正
面図である。
【図3】本発明の第2の実施形態における弾性表面波素
子の平面図と正面図である。
【図4】従来の単一実装型の弾性表面波装置の構成を示
す図である。
【図5】従来の複数実装型の弾性表面波装置の構成を示
す図である。
【符号の説明】 1 弾性表面波素子 11 弾性表面波素板 12 弾性表面波パターン 13a,13b ボンディングパッド 14a,14b 交叉指状電極 15 接着剤 16 吸音材 17 粘着テープ 2 実装容器 21 ボンディングパッド部 22 ボンディングワイヤ 23 シームリング

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 弾性表面波素板の表面に弾性表面波パタ
    ーンが形成され、それぞれが独立して構成された複数の
    弾性表面波素子を1つの実装容器に実装した構成の弾性
    表面波装置において、前記各弾性表面波素子の各弾性表
    面波素板を、それぞれの対向する側面において接着して
    一体化したことを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項2】 一体化する弾性表面波素子は、各弾性表
    面波素板の対向する側面を接着剤により接着する請求項
    1の弾性表面波装置。
  3. 【請求項3】 一体化する弾性表面波素子は、各弾性表
    面波素板の対向する側面を密接させ、かつこの密接部分
    の表面に弾性表面波吸音材を塗布し、かつ裏面において
    粘着性のテープを貼り付けてなる請求項1の弾性表面波
    装置。
  4. 【請求項4】 弾性表面波素子の弾性表面波素板は、ニ
    オプ酸リチウム、タンタル酸リチウム、水晶、四ホウ酸
    リチウムのいずれかの圧電材料で構成される請求項1な
    いし3のいずれかの弾性表面波装置。
  5. 【請求項5】 一体化される弾性表面波素板の圧電材料
    が異なる材料である請求項4の弾性表面波装置。
JP9017988A 1997-01-31 1997-01-31 弾性表面波装置 Pending JPH10215143A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9017988A JPH10215143A (ja) 1997-01-31 1997-01-31 弾性表面波装置
DE69836235T DE69836235T2 (de) 1997-01-31 1998-01-23 Akustisches Oberflächenwellenssystem
EP98101209A EP0856944B1 (en) 1997-01-31 1998-01-23 Surface acoustic wave system
US09/015,827 US6075307A (en) 1997-01-31 1998-01-29 Surface acoustic wave system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9017988A JPH10215143A (ja) 1997-01-31 1997-01-31 弾性表面波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10215143A true JPH10215143A (ja) 1998-08-11

Family

ID=11959113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9017988A Pending JPH10215143A (ja) 1997-01-31 1997-01-31 弾性表面波装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6075307A (ja)
EP (1) EP0856944B1 (ja)
JP (1) JPH10215143A (ja)
DE (1) DE69836235T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261583A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kinseki Ltd 弾性表面波装置
JP2008028842A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス及びその製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040007940A1 (en) * 2002-07-15 2004-01-15 Asia Pacific Microsystems, Inc. Thin film acoustic wave device and the manufacturing method thereof
WO2005088836A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
US8508100B2 (en) * 2008-11-04 2013-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and methods for manufacturing the same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3701147A (en) * 1969-01-22 1972-10-24 Us Navy Surface wave devices for signal processing
JPS5242626B2 (ja) * 1973-06-01 1977-10-25
JPS53145595A (en) * 1977-05-25 1978-12-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Elastic surface wave oscillator
GB2100521B (en) * 1981-05-13 1984-09-12 Plessey Co Plc Electrical device package
JPS5943826A (ja) * 1982-09-04 1984-03-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 高靭性電縫鋼管の製造方法
JPS6142943A (ja) * 1984-08-06 1986-03-01 Clarion Co Ltd 複合半導体装置の製造方法
JPS6194409A (ja) * 1984-10-15 1986-05-13 Clarion Co Ltd 弾性表面波素子の素子分離構造
JPS62105514A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 弾性表面波フイルタバンク
US4931752A (en) * 1987-09-30 1990-06-05 Hewlett-Packard Company Polyimide damper for surface acoustic wave device
JP2894616B2 (ja) * 1988-10-31 1999-05-24 株式会社日立製作所 弾性表面波装置及びこれを用いた機器
JPH0314823A (ja) * 1989-06-13 1991-01-23 Teijin Ltd 重合体成形物
JPH03293808A (ja) * 1990-04-11 1991-12-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JPH066175A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品
US5471178A (en) * 1994-02-03 1995-11-28 Motorola, Inc. Ladder filter and method for producing conjugately matched impedance
JP3308759B2 (ja) * 1995-04-10 2002-07-29 日本電気株式会社 弾性表面波装置
EP0742598B1 (en) * 1995-05-08 2000-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a composite substrate and a piezoelectric device using the substrate
TW438155U (en) * 1995-07-27 2001-05-28 Daishinku Corp Multi-mode piezoelectric filter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261583A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kinseki Ltd 弾性表面波装置
JP2008028842A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69836235D1 (de) 2006-12-07
EP0856944A3 (en) 2000-08-16
DE69836235T2 (de) 2007-10-04
EP0856944A2 (en) 1998-08-05
EP0856944B1 (en) 2006-10-25
US6075307A (en) 2000-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4737742A (en) Unit carrying surface acoustic wave devices
JP3308759B2 (ja) 弾性表面波装置
US5949305A (en) Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein
JP2001094390A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JPH10215143A (ja) 弾性表面波装置
JPH0818390A (ja) 弾性表面波装置
JPS583413B2 (ja) 弾性表面波装置
JP3389530B2 (ja) 半導体装置
JP4084188B2 (ja) 弾性表面波装置
JP3372065B2 (ja) 弾性表面波装置
JP3317926B2 (ja) 弾性表面波装置
JPS58146119A (ja) 圧電材料応用素子
JPS62199108A (ja) 複合弾性表面波デバイス
JPH05251980A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその実装構造
JP2003037473A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH026669Y2 (ja)
JPH03104409A (ja) 弾性表面波デバイス
JP2002324864A (ja) 電子部品装置
JP2001257221A (ja) 電子デバイスの製造方法
JP2000124766A (ja) 弾性表面波装置
KR100241966B1 (ko) 탄성표면파소자의 조립구조
JPH07231239A (ja) 弾性表面波装置
JP2000315933A (ja) 多段結合型弾性表面波フィルタ
JP2017126937A (ja) 弾性表面波素子、弾性表面波デバイス、及び弾性表面波デバイスの製造方法
JP2005064821A (ja) 表面弾性波素子の実装構造