JPH10209773A - 増幅回路装置 - Google Patents

増幅回路装置

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JPH10209773A
JPH10209773A JP10012084A JP1208498A JPH10209773A JP H10209773 A JPH10209773 A JP H10209773A JP 10012084 A JP10012084 A JP 10012084A JP 1208498 A JP1208498 A JP 1208498A JP H10209773 A JPH10209773 A JP H10209773A
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electrode
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イゴール スーチノフ ビアチェスラフ
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 より優れた雑音特性を有するシングルエンド
入力/差分出力RF増幅回路を提供する。 【解決手段】 トランジスタ201及び202は、ミラ
ー効果を回避するためにカスコード構成で接続されてい
る。トランジスタ202及び203は、それぞれのベー
スが、共通電源によって駆動されている。接地から各出
力端子221及び222への主電流路は、本来雑音を伴
わないものである。変換コンダクタンス増幅器として機
能するトランジスタ201は、多少雑音を生成するもの
の、インダクタ210の適用によって軽減される。トラ
ンジスタ304は、電流路から出力端子222へ電流を
供給する電源である。相補形出力を有するトランジスタ
202及び203によって、出力端子221及び222
では、差分出力が実行される。他の実施の形態におい
て、トランジスタ202のコレクタ電極とベース電極を
またいでキャパシタが接続されており、更なる利得の段
階が提供されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、増幅回路装置に関
し、特にシングルエンド入力信号を差分出力信号に変換
する増幅回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、信号処理回路、特に無線受信器等
のための信号処理回路においては、差分入力信号が必要
とされる。多くの電子工学的利用において、シングルエ
ンド信号から差分信号への変換が必要とされるのは一般
的なことであり、この変換により、信号はどのような信
号処理回路においても適切に処理される。このような変
換は、一般的に図4に示されるような増幅回路において
実行される。
【0003】図4は、1組のエミッタ結合トランジスタ
からなるシングルエンド入力/差分出力増幅回路を示し
ている。電源115は、npnトランジスタ107及び
108のエミッタ電極からトランジスタ110及び11
1それぞれを介して電流を引き入れる。
【0004】周知のように、トランジスタ107のベー
ス電極への信号入力の増加は、トランジスタ107のコ
レクタ電極から流れる電流の増加、及びトランジスタ1
08のコレクタ電極から流れる電流の減少の原因とな
る。一方、トランジスタ107のベース電極への信号入
力が減少するときは、反対の結果が生じる。トランジス
タ107及びトランジスタ108からのコレクタ電流
は、出力端子101及び102において、差分出力信号
を形成する。出力信号は、電源115が定電流源として
適用されている場合は均衡化される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図4に示されている増
幅回路においては、適度な線形性及び均衡化された出力
とが提供されるが、該回路の雑音特性は劣悪であるとい
う欠点がある。この雑音特性は、レジスタ110及び1
11による熱雑音によるところが大きく、レジスタ11
0及び111は、電流路に直接雑音を生じさせる。電源
115もまた雑音を発生させる原因となっている。これ
は、電源115とレジスタ110及び111との接点に
おいてかなり大きな電圧の振れが生じるからである。ま
た、トランジスタ107及び108のベース抵抗が直列
配置されているためにかなり大きな雑音が出力端子10
1及び102において生じる。
【0006】通常、シングルエンド信号から差分信号へ
の変換増幅段階は、信号処理のための素入力信号を用意
するために使われるため、この増幅回路における雑音値
の減少は、他での雑音値の減少よりもさらに大きな効果
をもたらす。
【0007】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、より優れた雑音特性を有するシングルエンド入力/
差分出力増幅回路を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1のトラン
ジスタと第2のトランジスタとを有する増幅回路装置に
おいて、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトラン
ジスタはそれぞれの制御電極が互いに接続し、また電源
に接続され、入力電圧信号としての前記第1のトランジ
スタの第2主電極における駆動電流信号は、前記第1の
トランジスタ及び前記第2のトランジスタにおけるそれ
ぞれの第1主電極から実質的相補形電流信号を出力させ
ることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る増幅回路の実
施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0010】図1は、本発明に係る、第1の実施の形態
としてのシングルエンド入力/差分出力増幅回路を示し
ている。図1において、増幅回路は、npn二極性トラ
ンジスタ201、202及び203を有し、トランジス
タ201及び202はカスコード構成で接続され、トラ
ンジスタ202はまたトランジスタ203とベース結合
されている。負帰還インンダクタ210は、トランジス
タ201のエミッタ電極と接地電位との間に接続されて
いる。無線周波数におけるトランジスタ201の共通電
流利得βの複雑な特性により、インンダクタ210は、
トランジスタ201のベースエミッタ回路において直列
負帰還を実行する。
【0011】入力端子220は、トランジスタ201の
ベース電極に接続されており、入力信号として電圧信号
が入力される。トランジスタ201は、変換コンダクタ
ンス増幅器として機能しており、入力電圧をトランジス
タ202のエミッタ電極に供給される出力電流に変換す
る。
【0012】トランジスタ202及び203は、相補形
コレクタ電流を有しており、トランジスタ201におけ
るコレクタ電流の変化は、電源211からトランジスタ
202と203のベース電極間、及びコレクタ電極間に
供給される電流において変化を生じさせる。トランジス
タ202及び203は、トランジスタ201の電源によ
って駆動しているため、ごく僅かなレベルではあるが雑
音を発生する。しかし図1に示される増幅回路の実践に
よると、このような増幅回路の雑音値は、カスコード回
路を単独に適用した場合とほぼ同じであることが明らか
にされている。また該増幅回路は、十分に均衡な出力を
有していることが明らかにされている。
【0013】カスコード回路はそれ自体が優良な雑音特
性を持っていることで知られている。図1によると、こ
のような優良な雑音特性が発生するのは、トランジスタ
202がトランジスタ201のコレクタが振れるのを防
ぎ、ほぼ完全にミラー効果を回避するからだということ
が明らかである。
【0014】インダクタ210は非雑音素子であり、特
定の周波数領域において周波数に無関係の負帰還を実行
する。この周波数領域は、インダクタ210の値及び所
望の周波数におけるトランジスタ201のベースエミッ
タ抵抗に左右される。またインダクタ210の値は増幅
回路の利得及び線形性に影響を及ぼす。レジスタをイン
ダクタ210の代わりに使用することもできるが、イン
ダクタ210を使用する方が増幅回路においてより多く
の線形特性及び優良な雑音特性を得ることができる。
【0015】インダクタ210は、全体もしくは一部分
において、IC実装の寄生インダクタンス、及び/もし
くはボンディングワイヤー、及び/もしくは、接続ピン
によって構成することができる。
【0016】低雑音適用において使用されるトランジス
タは通常、広域のエミッタ領域を以て作られる。このよ
うなトランジスタは、エミッタ領域の小さいトランジス
タに比べて、ベースエミッタ抵抗は低く、従って雑音の
発生も少ない。
【0017】トランジスタ201、202及び203
は、広域エミッタ領域を有するトランジスタであること
が望ましく、また、トランジスタ201のエミッタ領域
がトランジスタ202及び203のそれよりも大きいこ
とがより望ましい。トランジスタ201のサイズは、特
に増幅回路の特性を決定する要素として重要である。エ
ミッタ領域の大きいトランジスタは、入力インピーダン
スが低くなるため優良な雑音特性を得ることができる。
しかし、エミッタ領域の大きいトランジスタは寄生容量
も高く、従って、リーク及び低電流密度による利得βの
低減が生じる。
【0018】トランジスタ201に送られる電流のレベ
ルはまたトランジスタ201の動作に影響を及ぼし、従
って、増幅回路の特性にも影響を及ぼす。トランジスタ
201を低バイアス電流で作動させることによって優良
な雑音特性を得ることは可能だが、同時に高バイアス電
流を適用した場合に比べて、利得βは低くなってしま
う。従って、トランジスタ201及びトランジスタ20
1の作動電流は、雑音特性を優先するか利得を優先する
かによって、雑音特性と利得との間の交換条件となって
しまう。動力効率要素もまた増幅回路構成に組み込まれ
ている作動電流に影響を及ぼす可能性がある。
【0019】高周波数では、トランジスタ202及び2
03の動作は寄生容量によって変化してしまう。この寄
生容量は、トランジスタ202と203のベースエミッ
タ及びベースコレクタ両接合部の間に存在する。トラン
ジスタ202のエミッタ電極及びベース電極間ではリー
クが起こり、トランジスタ202と203の間で不均衡
が生じる。
【0020】このような不備は、トランジスタ202の
エミッタ領域をトランジスタ203のエミッタ領域より
も大きくすることによって解消することができる。広域
のエミッタ領域を有するトランジスタ202は、低い電
流密度を有することになり、よって、利得βも低くな
る。これにより、トランジスタ202のベースには更に
余分の電流が送り込まれ、寄生容量における電流損が補
われることになる。
【0021】利得βが周波数に左右されるため、トラン
ジスタ202及び203に使用されるエミッタ領域は、
増幅回路が動作する周波数に左右され、またトランジス
タ202及び203を駆動するバイアス電流に左右され
る。
【0022】図2は、本発明に係る第2の実施の形態と
してのより改良された増幅回路を示している。図1と同
様の部分には同様の符号が与えられる。
【0023】図2に示される増幅回路は、図1に示され
る増幅回路にレジスタ330及び端子340における基
準電位を適用したものである。レジスタ330は、トラ
ンジスタ202及び203に対して少量でも常にほぼ一
定の電流を送ることができるように、高い値であること
が望ましい。トランジスタ201における独立バイアス
は、基準電位端子341とレジスタ331によって得ら
れ、またトランジスタ304における独立バイアスは、
基準電位端子342とレジスタ332によって得られ
る。トランジスタ201及び304における独立バイア
スは、出力端子221及び222での信号の均衡化にお
ける制御を可能とする。図2によると、キャパシタ31
1は、トランジスタ304をまたいで接続され、キャパ
シタ311の存在は、トランジスタ203のエミッタ端
子にac接地を提供する。しかしキャパシタ310は、
dc入力信号の影響を受けているトランジスタ201に
おけるバイアスを防止するための障壁キャパシタであ
る。
【0024】図3は、本発明に係る第3の実施の形態と
しての増幅回路を示している。図2と同様の部分には同
様の符号が与えられている。
【0025】図3によると、トランジスタ202をまた
いで接続されるキャパシタ440によって、さらに追加
の増幅段階が提供されている。出力端子421及び42
2は、レジスタ433及び434の効により、電力出力
よりも電圧出力を示している。出力端子421における
ac電圧は、トランジスタ202及び203の共通ベー
スに帰還される。キャパシタ440によって誘導される
利得は、非反転出力端子422において現れる。これ
は、トランジスタ203の開いているpn接合部が、キ
ャパシタ440によって発生するac電流に対して低い
インピーダンスを与え、その一方で、トランジスタ20
1、インダクタ210、キャパシタ310及び入力端子
220によって構成される増幅回路入力段階によって形
成される電源が、高いインピーダンスを与えるからであ
る。
【0026】従って、出力端子422における信号は、
端子421における信号よりも大きくなり、増幅回路
は、出力端子421及び422において不均衡な出力を
与えることになる。しかし、これは、出力端子が次の段
階における差分入力に対して信号を与えることを考慮す
れば、大して重要なことではない。
【0027】さらに雑音値を改善するには、レジスタ4
33及び434を負帰還インダクタと入れ換えてもよ
い。
【0028】また図3によると、トランジスタ201及
び304のバイアスは、端子451に適用される独立の
レジスタ431、432及び端子451における1つの
基準電位の適用によって実行される。
【0029】本実施の形態は、npn二極性レジスタに
ついてのみ説明がなされているが、本発明はこれに限定
されるものではなく、同様に、pnp二極性トランジス
タまたは、電界効果トランジスタでも実現が可能であ
る。上述のコレクタ電極及びエミッタ電極は、pnp二
極性トランジスタもしくは電界効果トランジスタの第1
及び第2の主電極としてのエミッタ電極及びコレクタ電
極と、またはソース電極及びドレイン電極と、またはド
レイン電極及びソース電極と交換が可能である。
【0030】
【発明の効果】上記の説明のように、本発明に係る増幅
回路において、トランジスタ201及び202はカスコ
ード構成で接続され、該カスコード構成により優良な雑
音特性を得ることができる。このような優良な雑音特性
が発生するのは、トランジスタ202がトランジスタ2
01のコレクタが振れるのを防ぎ、ミラー効果をほとん
ど回避するからである。また、変換コンダクタンス増幅
器として機能するトランジスタ201は、多少の雑音を
生成するが、これはインダクタ210の適用によって軽
減される。従って、雑音の少ない増幅回路を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る増幅回路の基本概念を具体化する
第1の実施の形態としての増幅回路を示す図である。
【図2】本発明に係る第2の実施の形態としての増幅回
路を示す図である。
【図3】本発明に係る第3の実施の形態としての増幅回
路を示す図である。
【図4】従来の増幅回路を示す図である。
【符号の説明】
101、102、221、222、421、422
出力端子 107、108、201、202、203、304
トランジスタ 115、211 電源 110、111、330、331、332、 430、431、432、433、434 レジスタ 210 インダクタ 220 入力端子 310、311、440 キャパシタ 340、341、342、450、451 基準電位
端子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年2月6日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のトランジスタと第2のトランジス
    タとを有する増幅回路装置において、 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタはそ
    れぞれの制御電極が互いに接続し、また電源に接続さ
    れ、 入力電圧信号としての前記第1のトランジスタの第2主
    電極における駆動電流信号は、前記第1のトランジスタ
    及び前記第2のトランジスタにおけるそれぞれの第1主
    電極から実質的相補形電流信号を出力させることを特徴
    とする増幅回路装置。
  2. 【請求項2】 第3のトランジスタが、制御電極で入力
    電圧信号を受信するために設置され、前記第3のトラン
    ジスタの第1主電極は、前記第1のトランジスタの第2
    主電極と電気接続され、該構成により入力電圧信号から
    駆動電流信号を提供することを特徴とする請求項1記載
    の増幅回路装置。
  3. 【請求項3】 前記第3のトランジスタの制御電極は、
    第1の基準電位及びレジスタによってバイアスされ、該
    制御電極は第1のキャパシタを介して入力電圧信号を受
    信することを特徴とする請求項2記載の増幅回路装置。
  4. 【請求項4】 前記第3のトランジスタの第2主電極と
    接地電位のと間にインンダクタが接続されていることを
    特徴とする請求項2または3に記載の増幅回路装置。
  5. 【請求項5】 前記インンダクタは、その一部分が少な
    くともボンディングワイヤー、接続ピン、及びIC実装
    のいずれか1要素によって構成されることを特徴とする
    請求項4記載の増幅回路装置。
  6. 【請求項6】 前記第2のトランジスタは、第4のトラ
    ンジスタによって電流バイアスされていることを特徴と
    する請求項1から5のいずれかに記載の増幅回路装置。
  7. 【請求項7】 第5のトランジスタは、制御電極が電源
    と接続され、第2主電極が接地電位と電気接続され、第
    1主電極が前記第2のトランジスタの第2主電極に電気
    接続され、該構成により前記第2のトランジスタをバイ
    アスすることを特徴とする請求項6記載の増幅回路装
    置。
  8. 【請求項8】 前記第2のトランジスタの第1主電極
    は、第2のキャパシタによってac接地されていること
    を特徴とする請求項7記載の増幅回路装置。
  9. 【請求項9】 前記第1のトランジスタ及び前記第2の
    トランジスタにおけるそれぞれの第1主電極は、それぞ
    れのレジスタを介して第2の基準電位と接続され、前記
    第1のトランジスタは、制御電極と第1主電極に帰還キ
    ャパシタを接続し、該構成により前記第2のトランジス
    タの第1主電極からの信号出力の利得を増加させること
    を特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の増幅回
    路装置。
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DE (1) DE69725277T2 (ja)
GB (1) GB2321150B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7528656B2 (en) 2006-06-15 2009-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Push-pull amplifier and method for low noise amplification

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204728B1 (en) * 1999-01-28 2001-03-20 Maxim Integrated Products, Inc. Radio frequency amplifier with reduced intermodulation distortion
US6586309B1 (en) * 2000-04-24 2003-07-01 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. High performance RF inductors and transformers using bonding technique
TWI225332B (en) * 2003-05-20 2004-12-11 Mediatek Inc Multi-band low noise amplifier
US6998952B2 (en) * 2003-12-05 2006-02-14 Freescale Semiconductor, Inc. Inductive device including bond wires
KR100856131B1 (ko) * 2006-01-18 2008-09-03 삼성전자주식회사 가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기
US7524731B2 (en) * 2006-09-29 2009-04-28 Freescale Semiconductor, Inc. Process of forming an electronic device including an inductor
WO2009044441A1 (ja) * 2007-10-01 2009-04-09 Fujitsu Limited シングル差動変換装置およびrf受信装置
JP2010148057A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Sharp Corp 電力増幅器、集積回路及び通信装置
KR101055850B1 (ko) 2009-04-21 2011-08-09 부산대학교 산학협력단 잡음과 왜곡 특성을 개선시키는 상보적 회로
TWI387198B (zh) * 2009-06-08 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 低雜訊放大器
CN110995172A (zh) * 2019-12-12 2020-04-10 重庆百瑞互联电子技术有限公司 一种低噪声放大器、射频前端电路、装置、设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3972003A (en) * 1974-08-09 1976-07-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High speed current detection amplifier circuit
US4049977A (en) * 1976-04-08 1977-09-20 Rca Corporation Phase-splitter
US4159489A (en) * 1976-09-30 1979-06-26 Honeywell Inc. Magnetic record reproducing system
US4485351A (en) * 1981-09-28 1984-11-27 Philips Kommunikations Industrie Ag Circuit for deriving of signals and counter cycle signals from one sided input signal
US4587442A (en) * 1983-12-01 1986-05-06 Motorola, Inc. Current threshold detector
DE3824556C2 (de) * 1988-07-20 1994-01-27 Telefunken Microelectron Symmetrische Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker
JP2782963B2 (ja) * 1991-02-15 1998-08-06 日本電気株式会社 増幅回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7528656B2 (en) 2006-06-15 2009-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Push-pull amplifier and method for low noise amplification

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