JPH1020513A - 有機電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長時間に亘り繰り返し使用しても摩耗が少な
い上に耐トナーフィルミング性の劣化が起こりにくく、
優れた電子写真特性を維持する有機電子写真感光体を提
供する。 【解決手段】 導電性基体上に感光層を設けた有機電子
写真感光体であって、中心線平均粗さＲａ値が０．０１
〜０．１５μｍである表面に、研磨粒子がＡｌ₂Ｏ₃３μ
ｍの研摩紙を荷重５００ｇで２０００回往復させる研磨
試験を行った場合、該研磨試験後の中心線平均粗さＲａ
値が０．１７μｍ以下となる物質で形成された表面を有
する有機電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関し、より詳しくは、長時間にわたり繰り返し使用して
も電子写真特性及び耐トナーフィルミング性の劣化が起
こりにくく、種々の電子写真分野に好適に利用できる有
機電子写真感光体（ＯＰＣ）に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の電子写真分野においては、積層型
の有機電子写真感光体、即ち、感光層が、露光により電
荷を発生させる電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷を輸送する
電荷輸送層（ＣＴＬ）との少なくとも２層を有する積層
型の有機電子写真感光体や、感光層が電荷発生物質及び
電荷輸送物質をバインダー樹脂に分散させた単一層から
なる単層型の有機電子写真感光体が提案され利用されて
いる。

【０００３】一方、有機電子写真感光体には、適応され
る電子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、光
学特性を備えていることが要求される。特に、繰り返し
使用される感光体には、その感光体の表面層、即ち基体
（通常は導電性基板）より最も離れて位置する層には、
コロナ帯電、トナー現像、紙への転写、クリーニング処
理等の際に、電気的、機械的外力が直接に加えられるた
め、それらに対する耐久性が要求される。具体的には、
摩擦による表面の摩耗や傷の発生、高温下においてのコ
ロナ帯電時に発生するオゾンによる表面の劣化などに対
する耐久性が要求される。そこで、このような要求に対
応するために、上記積層型の有機電子写真感光体の電荷
輸送層や単層型有機電子写真感光体の感光層のバインダ
ー樹脂としては、電荷輸送物質との相溶性がよく、しか
も機械強度が高いビスフェノールＡあるいはビスフェノ
ールＺを原料とするポリカーボネート樹脂が広く利用さ
れてきた。しかしながら、このビスフェノールＡやビス
フェノールＺを原料とするポリカーボネート樹脂をもっ
てしても上記要求を満足させるには不十分である。

【０００４】すなわち、ビスフェノールＡやビスフェノ
ールＺを原料とするポリカーボネート樹脂は、溶媒に溶
解させて感光層を形成するための塗工液を調製する際
に、塗工液が白化又はゲル化し、塗工、乾燥後の感光層
が結晶化を起こすことがある。この結晶化を起こした部
分では、光減衰がなく、電荷は残留電位となって残り、
画質上ディフェクトとなって出現する。

【０００５】また、ビスフェノールＡやビスフェノール
Ｚを原料とするポリカーボネート樹脂を用いた感光体は
その表面硬度不足から、摩耗や傷の発生が起こり耐久性
に劣る。

【０００６】これらの問題を解決すべく、剛直成分であ
るビフェノール骨格の導入（特開平４−１７９９６１号
公報）、及び特定の架橋構造の導入（特開平４−２９１
３４８号公報）等が提案されている。これらの樹脂の使
用により、電子写真感光体の摩耗量、膜削れ量などはあ
る程度改善された。しかしながら、これらの樹脂をもっ
てしても耐摩耗性に課題があり、使用初期の特性が良好
でも、印刷等を繰り返すことで有機電子写真感光体が摩
耗を受け、その結果電子写真特性の悪化や、感光体表面
にトナーが固着する、いわゆるトナーフィルミングなど
の現象が起きてくる。従来、この電子写真特性の悪化な
どの現象は、単純な摩耗量、膜削れ量の増加が原因と考
えられてきた。しかしながら、同程度の摩耗量でありな
がら、電子写真特性、トナーフィルミングなどの劣化具
合が全く異なる例が数多く起こっていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
基づいてなされたものであり、バインダー樹脂としてビ
スフェノールＡやビスフェノールＺやビフェノールを原
料とするポリカーボネート、及び特定構造の架橋ポリカ
ーボネートを用いた有機電子写真感光体に認められる上
記の問題点を解決し、電荷輸送物質との相溶性が良い上
に、溶媒に溶解しても白化又はゲル化を起こさず、か
つ、高い表面硬度及び耐摩耗性を有するポリカーボネー
トを用いて作製され、長期間に亘って優れた電子写真特
性及び耐トナーフィルミング性を維持する有機電子写真
感光体を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記問題
点を解決すべく、有機電子写真感光体の摩耗現象を詳細
に解析し、電子写真特性及び耐トナーフィルミング性の
劣化の原因となる因子を究明し、かつその因子を定量化
する方法を見出すべく研究を重ねた。その結果、有機電
子写真感光体の電子写真特性及び耐トナーフィルミング
性の劣化には、摩耗量のみならず、摩耗後の表面粗さが
大きな要因となることを見出した。また、電子写真特性
及び耐トナーフィルミング性の劣化に影響する摩耗によ
る表面粗さを定量化する方法としては、特定の摩耗試験
を行い、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に準拠して中心線平均粗
さＲａ値を測定する方法が有効であることも見出した。
本発明者らは、これらの知見に基づき、本発明を完成す
るに至った。

【０００９】即ち、本発明は、導電性基体上に感光層を
設けた有機電子写真感光体において、中心線平均粗さＲ
ａ値が０．０１〜０．１５μｍである表面に、研磨粒子
がＡｌ₂Ｏ₃３μｍの研摩紙を荷重５００ｇで２０００回
往復させる研磨試験を行った場合、該研磨試験後の中心
線平均粗さＲａ値が０．１７μｍ以下となる物質で形成
された表面を有することを特徴とする有機電子写真感光
体を提供するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明においては、中心線平均粗
さＲａ値の測定はＪＩＳ Ｂ ０６０１に準拠して行っ
た。

【００１１】本発明の有機電子写真感光体は、導電性基
体上に感光層を有し、上記特定の物質で形成された表面
層を有するものである限り、その構造に特に制限はな
く、単層型、積層型等の公知の種々の形式の有機電子写
真感光体はもとより、どのようなものとしてもよい。

【００１２】積層型有機電子写真感光体は、通常、感光
層が電荷発生物質を含有する少なくとも１層の電荷発生
層と、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する少な
くとも１層の電荷輸送層とを有するものであり、単層型
有機電子写真感光体は、通常、感光層が電荷発生物質、
電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する１層のみか
らなるものである。また、これらの感光層は、その表面
に表面保護層を有することもある。

【００１３】本発明において、感光層の表面を上記特定
の劣化試験後の中心線平均粗さＲａ値を０．１７μｍ以
下であるような物質で形成するためには、単層型有機電
子写真感光体の場合には感光層中のバインダー樹脂とし
て、積層型有機電子写真感光体の場合には表面層となる
電荷輸送層又は電荷発生層中のバインダー樹脂として、
また、表面保護層を有する積層型、単層型有機電子写真
感光体においては、この表面保護層として架橋ポリカー
ボネートを含有する層用いることが好適である。感光層
中のバインダー樹脂及び表面保護層の両方に架橋ポリカ
ーボネートを用いてもよい。

【００１４】架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂と
する有機電子写真感光体は、通常、導電性基体上に架橋
前の架橋性ポリカーボネート及び必要に応じて架橋剤や
ラジカル開始剤等を含有する感光層を形成した後、この
架橋性ポリカーボネートを架橋させることによって製造
される。表面保護層を有する有機電子写真感光体は、通
常、導電性基体上に感光層を形成した後、感光層上にこ
の架橋性ポリカーボネート及び必要に応じて架橋剤やラ
ジカル開始剤からなる層を形成し、次いでこの架橋性ポ
リカーボネートを架橋させることによって製造される。

【００１５】架橋性ポリカーボネートの架橋は、架橋剤
を用いるイオン機構による架橋反応及びラジカル機構に
よって行うことができる。

【００１６】イオン機構による架橋反応は、求核性基を
持つ架橋性ポリカーボネートと求電子性架橋剤の反応に
よる架橋、求電子性基を持つ架橋性ポリカーボネートと
求核性架橋剤の反応による架橋、ルイス酸により重合を
起こす反応基を持つ架橋性ポリカーボネートとルイス酸
性架橋剤による架橋、及び、求核性基をもつ架橋性ポリ
カーボネートと求電子性基を持つ架橋性ポリカーボネー
トとの反応による架橋が挙げられる。

【００１７】求核性基としては−ＯＨ（エポキシ基の開
環による生じる−ＯＨも含む）、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、
−ＮＨ₂、−ＮＲＨ、−ＮＲ₂等が挙げられる。求電子性
基としてはエポキシ基、ハロゲン基、カルボニル基、シ
アノ基、イソシアネート基、イミノ基、スルホン酸エス
テル基等が挙げられる。ルイス酸により重合反応を起こ
す反応基としては、エポキシ基、カルボニル基、ビニル
基などが挙げられる。

【００１８】求核性架橋剤としては、脂肪族ポリアミ
ン、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテト
ラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンジ
アミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス−アミノプ
ロピルピペラジン、ジシアンジアミド、ポリオキシプロ
ピレンジアミン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジア
ミノジシクロヘキシルメタン、４，４′−ジアミノジシ
クロヘキシルメタン、イソホロンジアミン等、芳香族ア
ミン、例えば、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフ
ェニルスルホン、フェニレンジアミン、トルイレンジア
ミン、キシリレンジアミン等、３級アミン、例えばジメ
チルアミノメチルフェノール、更に、ケチミン、イミダ
ゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂など
が挙げられる。

【００１９】求電子性架橋剤としては、酸無水物、例え
ば、無水マレイン酸、無水ドデセニルこはく酸、無水ク
ロレンディック酸、無水セバシン酸、無水フタル酸、無
水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、シクロペンタ
ン・テトラカルボン酸二水和物、ヘキサヒドロ無水フタ
ル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラメチレ
ン無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル
・テトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒ
ドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ
無水フタル酸、無水メチルナジック酸等、イソシアナー
ト、ブロックイソシアナート、エポキシ樹脂、例えば、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：通
常、１５０〜４０００）、ノボラック型エポキシ樹脂
（エポキシ当量：通常、１５０〜４０００）、多塩基酸
のグリシジルエステル、多価アルコールのグリシジルエ
ーテル、多価アミンのグリシジル付加体等のグリシジル
型樹脂等）、及びジシクロペンタジエンジオキシド、ビ
ニルシクロヘキセンジオキシド等の非グリシジル型樹脂
などが挙げられる。

【００２０】ルイス酸性架橋剤としては、ハロゲン化ホ
ウ素錯化合物、例えば、３フッ化ホウ素・モノメチルア
ミン錯化合物、３フッ化ホウ素・トリエタノールアミン
錯化合物、３フッ化ホウ素・ピペリジン錯化合物、３フ
ッ化ホウ素・ｎ−ブチルエーテル錯化合物、３フッ化ホ
ウ素・アミン錯化合物などが挙げられる。

【００２１】上記のうち、求核性基と求電子性架橋剤の
全ての組み合わせ、求電子性基と求核性架橋剤の全ての
組み合わせ、及びルイス酸による重合反応を起こす反応
基とルイス酸性架橋剤の全ての組み合わせによりイオン
架橋ポリカーボネートが生成可能であるが、中でも好ま
しい組み合わせは以下の通りである。 （１）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＮＨ
₂又は−ＮＨＲ₂を持つもので、求電子性架橋剤がエポキ
シ樹脂； （２）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＣＯ
₂Ｈ又は−（ＣＯ）₂Ｏを持つもので、求電子性架橋剤が
エポキシ樹脂； （３）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＯＨ
を持つものであり、求電子性架橋剤がエポキシ樹脂； （４）架橋性ポリカーボネートが求核性基として−ＳＨ
を持つものであり、求電子性架橋剤がエポキシ樹脂； （５）架橋性ポリカーボネートが求電子性基としてエポ
キシ基を有するものであり、求核性架橋剤が脂肪族ポリ
アミン； （６）架橋性ポリカーボネートがルイス酸により重合反
応を起こす反応基としてエポキシ基を有するものであ
り、ルイス酸性架橋剤がハロゲン化ホウ素。

【００２２】本発明者らは、本発明の上記の特定の耐摩
耗特性をもつ物質を得るためには、特に、（１）〜
（６）の架橋性ポリカーボネートとして、下記一般式
（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）及び下記一般式
（ＩＶ）で表される繰り返し単位（ＩＶ）からなり、塩
化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２
０℃における還元粘度が０．１〜２０．０ｄｌ／ｇであ
る架橋性ポリカーボネートを用いることが好ましいこと
を見出した。

【００２３】

【化７】 ［式中、Ｒ¹及びＲ²は各々独立にハロゲン原子、炭素数
１〜６のアルキル基、炭素数５〜１１のシクロアルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基
を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−
ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ³Ｒ⁴−（Ｒ³及びＲ⁴は各々
独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜
６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置
換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の１，１−
シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アル
キレン基又は下記式（ａ）

【００２４】

【化８】 （式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基
を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｗ
は

【００２５】

【化９】 を表し、ＦＧは

【００２６】

【化１０】 （式中、ｈは０〜４の整数を表し、Ｒ⁷及びＲ⁸は各々独
立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基を表す。）
を表し、Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立にハロゲン原子、炭素数
１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルキルオキシ
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基
又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基を表し、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは各々独立に０〜４の
整数を表し、但しｄ＋ｅ＝１〜８、ｄ＋ｆ＝０〜４、ｅ
＋ｇ＝０〜４であり、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は各々独立にハロゲ
ン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルオキシ基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリールオキシ基を表し、ｉ、ｊ、ｋ及びｌは各々独
立に０〜３の整数を表し、但しｉ＋ｊ＝１〜６、ｉ＋ｋ
＝０〜３、ｊ＋ｌ＝０〜３である。］ 上記の架橋性ポリカーボネートとしては、直鎖状、環状
のいずれであってもよく、更に、合成時に末端停止剤や
分岐剤等を用いることにより、ポリマー末端に特殊な末
端構造や特殊な分岐構造が導入されているものであって
もよい。

【００２７】この架橋性ポリカーボネートの塩化メチレ
ンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃にお
ける還元粘度は０．１〜２０．０ｄｌ／ｇ、好ましくは
０．２〜２ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．５〜２ｄｌ／
ｇである。還元粘度が０．１ｄｌ／ｇ未満の架橋性ポリ
カーボネートを用いると、架橋後であっても得られる架
橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有する層
の表面硬度が不足し、有機電子写真感光体表面が摩耗し
やすくなり、また、上記劣化試験後のＲａ値が０．１７
μｍ以下である物質からなる層を形成できなくなること
がある。一方、還元粘度が２０．０ｄｌ／ｇを超える架
橋性ポリカーボネートを用いると、架橋性ポリカーボネ
ートの溶液粘度が上昇し、塗工液の塗布による有機電子
写真感光体の製造が困難になることがある。

【００２８】上記の一般式（Ｉ）及び（ＩＶ）で表され
る繰り返し単位からなる架橋性ポリカーボネート中、繰
り返し単位（Ｉ）及び（ＩＶ）の合計モルに対する繰り
返し単位（ＩＶ）の割合としては、通常、１〜９０モル
％、好ましくは１〜３０モル％、より好ましくは１０〜
３０モル％の範囲にあることが望ましい。繰り返し単位
（ＩＶ）の割合が１モル％未満であると、この架橋性ポ
リカーボネートの架橋物を含有する層の耐久性の向上が
不十分となったり、上記劣化試験後のＲａ値が０．１７
μｍ以下である物質からなる層を形成できなくなること
があり、９０モル％を超えるとやはり架橋ポリカーボネ
ートを含有する層が脆くなり、やはり耐久性が悪くなる
ことがある。

【００２９】上記架橋性ポリカーボネートのうち、通
常、繰り返し単位（Ｉ）と、Ｗが一般式（Ｖ）で表され
るものである繰り返し単位（ＩＶ）からなるもの、即
ち、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）及び下
記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩ）から
なる架橋性ポリカーボネート、

【００３０】

【化１１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、ａ、ｂ、Ｙ、ＦＧ、Ｒ⁵、Ｒ⁶、ｄ、
ｅ、ｆ及びｇは、上記と同じ意味を有する。）及び繰り
返し単位（Ｉ）と、Ｗが一般式（ＶＩ）で表されるもの
である繰り返し単位（Ｖ）からなるもの、即ち、一般式
（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）及び下記一般式
（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩＩ）からなる
架橋性ポリカーボネート

【００３１】

【化１２】 ［式中、Ｒ¹、Ｒ²、ａ、ｂ、Ｙ、ＦＧ、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、
ｉ、ｊ、ｋ及びｌは、上記と同じ意味を有する。）が好
適に用いられる。

【００３２】上記一般式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁹
及びＲ¹⁰が表すハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、特に塩素原
子が好ましい。

【００３３】上記一般式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰が表す炭素数１〜６
のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ
−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げ
られ、特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基が好
ましい。

【００３４】上記一般式中のＲ¹及びＲ²が表す炭素数５
〜１１のシクロアルキル基としては、例えばシクロペン
チル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基が挙げ
られる。

【００３５】上記一般式中のＲ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁹及びＲ¹⁰が
表す炭素数１〜４のアルキルオキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒ
ｔ−ブトキシ基及びイソブトキシ基が挙げられ、特にメ
トキシ基、エトキシ基、イロプロポキシ基及びｔｅｒｔ
−ブトキシ基が好ましい。

【００３６】上記一般式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰が表す炭素数６〜１
２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチ
ル基及びビフェニリル基が挙げられ、特にフェニル基が
好ましい。

【００３７】上記一般式中のＲ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁹及びＲ¹⁰が
表す炭素数６〜１２のアリールオキシ基としては、例え
ば、フェノキシ基、ナフトキシ基及びビフェニロキシ基
が挙げられ、特にフェノキシ基が好ましい。

【００３８】上記炭素数６〜１２のアリール基及びアリ
ールオキシ基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数
１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキルオキシ
基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数６〜１２のア
リールオキシ基等が挙げられ、特に炭素数１〜４のアル
キル基、アルコキシル基及び炭素数６〜１２のアリール
基が好ましい。

【００３９】また、置換基Ｒ¹からＲ¹⁰は各々異なって
いてもよいし、その２つ以上が同種であってもよい。

【００４０】本発明においてバインダー樹脂として好適
に用いられる架橋ポリカーボネートの架橋前の架橋性ポ
リカーボネートは、例えば、２価フェノール類に、炭酸
エステル形成性化合物を反応させることにより合成する
ことができる。合成方式としては例えば、炭酸エステル
形成性化合物としてホスゲン等を用い、適当な酸結合剤
の存在下に上記２価フェノール類と重縮合させるか、あ
るいは炭酸エステル形成性化合物としてビスアリールカ
ーボネートを用い、エステル交換反応を行う方式が挙げ
られる。２価フェノール類としては、特に制限はなく、
公知のものを含む化合物から各々１種又は２種以上を任
意に選択して用いることができる。

【００４１】例えば、上記の一般式（Ｉ）及び（ＩＶ）
で表される繰り返し単位からなり、本発明に好適に用い
られる上記架橋性ポリカーボネートは、２価フェノール
類として下記一般式（ＶＩＩ）

【００４２】

【化１３】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、ａ、ｂ及びＹは、上記と同じ意味を
有する。）で表される２価フェノール（ＶＩＩ）、並び
に、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される２価フェノール
（ＶＩＩＩ）及び／又は下記一般式（ＩＸ）で表される
２価フェノール（ＩＸ）

【００４３】

【化１４】 （式中、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、ＦＧ、ｄ、ｅ、ｆ、
ｇ、ｉ、ｊ、ｋ及びｌは、上記と同じ意味を有する。）
を用いて製造される。

【００４４】一般式（ＶＩＩ）で表される２価フェノー
ル類（ＶＩＩ）の具体例としては、例えば、４，４′−
ジヒドロキシビフェニル、３，３′−ジフルオロ−４，
４′−ジヒドロキシビフェニル、４，４′−ジヒドロキ
シ−３，３′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒド
ロキシ−２，２′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジ
ヒドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル等
の４，４′−ジヒドロキシビフェニル類；ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（別名：ビスフェノールＡ）、２，２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニル
メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，
１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４
−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパ
ン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェ
ニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチル−５−ｔｅｒｔ−
ペンチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラフルオ
ロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジクロ
ロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラ
クロロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジ
ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テ
トラブロモビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−ブ
ロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，
１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−ヒ
ドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３−フ
ェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等の
ビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−フルオロ
−４−ヒドロキシフェニル）エーテル等のビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル類；ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド等のビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホン、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホン等のビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン類；４，４′−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン；９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）フルオレン、９−（４−ヒドロキシフェニル）−９
−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン
等の９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニルフルオレン
類などが挙げられる。

【００４５】中でも好適に用いられる２価フェノール類
は、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニ
ル）プロパン、４，４′−ジヒドロキシビフェニル及び
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホンであり、特に
２，２ービス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンが好
適に用いられる。

【００４６】これらの２価フェノール類は、１種単独で
用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

【００４７】上記一般式（ＩＶ）で表される２価フェノ
ールとしては、例えば、３，３′−ジグリシジル−４，
４′−ジヒドロキシ−５，５′−ジフェニルビフェニ
ル、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジヒドロキシビフ
ェニル、３，３′−ジグリシジル−４，４′−ジヒドロ
キシビフェニル、３，３′−ジグリシジル−４，４′−
ジヒドロキシ−５，５′−ジメチルビフェニル、３，
３′−ジグリシジル−４，４′−ジヒドロキシ−５，
５′−ジメトキシビフェニル、３，３′−ジグリシジル
−４，４′−ジヒドロキシ−５，５′−ジクロロビフェ
ニル、３，３′−ジエポキシ−４，４′−ジヒドロキシ
ビフェニル、３，３′−ジビニル−４，４′−ジヒドロ
キシビフェニル、３，３′−ジアリル−４，４′−ジヒ
ドロキシビフェニル、３，６−ジグリシジル−２，７−
ジヒドロキシナフタレン、３，６−ジアリル−２，７−
ジヒドロキシナフタレン、３，６−ジビニル−２，７−
ジヒドロキシナフタレン、１，８−ジアリル−２，７−
ジヒドロキシナフタレン、１，８−ジグリシジル−２，
７−ジヒドロキシナフタレン、３，８−ジアリル−２，
７−ジヒドロキシナフタレン、３，８−ジグリシジル−
２，７−ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。

【００４８】なお、ＦＧ基中のエポキシ基、−ＮＲ
⁷Ｒ⁸、−ＳＨ、−ＯＨ、−ＣＯ₂Ｈは、ポリカーボネー
ト合成後の高分子反応によって導入することもできる。
例えば、上記架橋性ポリカーボネートのうち、ＦＧが

【００４９】

【化１５】 （式中、ｈは上記と同じ意味を有する。）であるもの
は、上記一般式ＦＧ中のエポキシ基の部分が炭素・炭素
二重結合である２価フェノール類を用いて下記一般式
（Ｘ）で表される繰り返し単位（Ｘ）及び／又は下記一
般式（ＸＩ）で表される繰り返し単位（ＸＩ）

【００５０】

【化１６】 （式中、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、
ｉ、ｊ、ｋ及びｌは、上記と同じ意味を有する。）から
なるポリカーボネートを前駆体として、メタクロロ過安
息香酸を用いる酸化反応により製造してもよい。例え
ば、具体的には、二重結合に対して、過剰量のメタクロ
ロ過安息香酸を塩化メチレン中、室温下で、例えば一昼
夜ほど反応させることにより得ることができる。

【００５１】上記一般式（Ｘ）及び（ＸＩ）の繰り返し
単位（Ｘ）及び（ＸＩ）となる炭素・炭素二重結合を有
する２価フェノール類としては、例えば、３，３′−ジ
アリル−４，４′−ジヒドロキシ−５，５′−ジフェニ
ルビフェニル、３，３′−ジビニル−４，４′−ジヒド
ロキシビフェニル、３，３′−ジアリル−４，４′−ジ
ヒドロキシビフェニル、３，３′−ジビニル−４，４′
−ジヒドロキシ−５，５′−ジメトキシビフェニル、
３，６−ジアリル−２，７−ジヒドロキシナフタレン、
３，６−ジビニル−２，７−ジヒドロキシナフタレン、
１，８−ジアリル−２，７−ジヒドロキシナフタレン、
３，８−ジアリル−２，７−ジヒドロキシナフタレン等
が挙げられる。

【００５２】これらの２価フェノール類は１種単独で用
いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

【００５３】また、原料としての上記２価フェノール類
以外にも、必要に応じ、分岐剤、末端停止剤を用いても
よい。

【００５４】分岐剤としては、３価以上のフェノール又
はカルボン酸を用いることができる。

【００５５】分岐剤の例としては、フロログリシン、ピ
ロガロール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、２，４−
ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−３−ヘプテン、１，３，
５−トリス（２−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，
３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、２，２−ビス（４，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシル）プロパン、２，４−ビス｛２−
（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル｝フェノー
ル、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジ
ル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロ
パン、テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
テトラキス（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピ
ル）フェノキシ）メタン、１，４−ビス（４′、４″−
ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、２，４−
ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸、
３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−
ビス（４−ヒドロキシアリール）オキシインドール、５
−クロロイサチン、５，７−ジクロロイサチン、５−ブ
ロモイサチン等が挙げられる。

【００５６】この中で好ましく用いられるのは、フロロ
グリシン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン等である。

【００５７】末端停止剤としては、一価のカルボン酸及
びその誘導体、一価のフェノールを用いることができ
る。

【００５８】具体的な例としては、フェノール、α−ナ
フトール、β−ナフトール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，
４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キ
シレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、ｐ−エチルフェノール，ｐ−プロピルフェノー
ル、ｐ−ブチルフェノール、ｐ−ぺンチルフェノール、
ｐ−ヘキシルフェノール、ｐ−ヘプチルフェノール、ｐ
−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−デ
シルフェノール、ｐ−ウンデシルフェノール、ｐ−ドデ
シルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール、２，６−ジメチル−ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ペンチル−
４−メチルフェノール、３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノール、２−メチル−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフ
ェノール、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール、２，
４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−フェ
ニルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
フェニルフェノール、２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチル−４
−メチルフェノール、ｏ−アニソール、ｍ−アニソー
ル、ｐ−アニソール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロ
ロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェ
ノール、ｍ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノー
ル、ｐ−エトキシフェノール、ｏ−アミノフェノール、
ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｐ−シ
アノフェノール、ｐ−ニトロフェノール、３−メチル−
６−イソプロピルフェノール、２−メチル−５−イソプ
ロピルフェノール、パーフルオロブタン酸、パーフルオ
ロぺンタン酸、パーフルオロヘキサン酸、パーフルオロ
ヘプタン酸、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロノ
ナン酸、パーフルオロデカン酸、パーフルオロウンデカ
ン酸、パーフルオロドデカン酸、パーフルオロトリデカ
ン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パーフルオロぺン
タデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パーフルオ
ロオクタデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオぺンタン
酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ
−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ
オクタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロノナン酸、２
Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフ
ルオロウンデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデカ
ン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロトリデカン酸、２Ｈ，
２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２
Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２
Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロオクタン酸、２Ｈ，２
Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２Ｈ，
３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，５Ｈ
−パーフルオペンタン酸、２Ｈ，２Ｈ，６Ｈ−パーフル
オロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ，７Ｈ−パーフルオロヘプ
タン酸、２Ｈ，２Ｈ，８Ｈ−パーフルオロオクタン酸、
２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２
Ｈ，１０Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１１
Ｈ−パーフルオロウンデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１２Ｈ−
パーフルオロドデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１３Ｈ−パーフ
ルオロウンデカン酸、又はこれらの酸ハロゲン化物、ｐ
−（パーフルオロペンチル）フェノール、ｐ−（パーフ
ルオロヘキシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロヘプ
チル）フェノール、ｐ−（パーフルオロオクチル）フェ
ノール、ｐ−（パーフルオロノニル）フェノール、ｐ−
（パーフルオロデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオ
ロウンデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロドデシ
ル）フェノール、ｐ−（パーフルオロトリデシル）フェ
ノール、ｐ−（パーフルオロテトラデシル）フェノー
ル、ｐ−（パーフルオロペンタデシル）フェノール、ｐ
−（パーフルオロブチルオキシ）フェノール、ｐ−（パ
ーフルオロペンチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフ
ルオロヘキシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオ
ロヘプチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロオ
クチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロノニル
オキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロデシルオキ
シ）フェノール、ｐ−（パーフルオロウンデシルオキ
シ）フェノール、ｐ−（パーフルオロドデシルオキシ）
フェノール、ｐ−（パーフルオロトリデシルオキシ）フ
ェノール、ｐ−（パーフルオロテトラデシルオキシ）フ
ェノール、ｐ−（パーフルオロペンタデシルオキシ）フ
ェノール、４−パーフルオロオクチル−２，３，５，６
−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロノニル
−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パ
ーフルオロデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフ
ェノール、４−パーフルオロウンデシル−２，３，５，
６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロドデ
シル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４
−パーフルオロトリデシル−２，３，５，６−テトラフ
ルオロフェノール、４−パーフルオロテトラデシル−
２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パー
フルオロペンタデシル−２，３，５，６−テトラフルオ
ロフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェ
ノール、３−メチル−４−パーフルオロノニルフェノー
ル、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオ
キシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２
−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パ
ーフルオロノニルオキシ）−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２
−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシルオキシ）−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）
フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウ
ンデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１
Ｈ，１Ｈ−パーフルオロドデシルオキシ）−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェ
ノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキシカ
ルボニル）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロペンチルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パ
ーフルオロヘキシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，
１Ｈ−パーフルオロヘプチルオキシ）フェノール、ｐ−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）フェノー
ル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロノニルオキシ）フ
ェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシルオキ
シ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウン
デシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロドデシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ
−パーフルオロトリデシルオキシ）フェノール、ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸パーフルオロペンチル、ｐ−ヒドロキ
シ安息香酸パーフルオロヘキシル、ｐ−ヒドロキシ安息
香酸パーフルオロヘプチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パ
ーフルオロオクチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフル
オロノニル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロデシ
ル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロウンデシル、
ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロドデシル、（ｐ−
ヒドロキシベンジル）パーフルオロヘキサン、（ｐ−ヒ
ドロキシベンジル）パーフルオロヘプタン、（ｐ−ヒド
ロキシベンジル）パーフルオロオクタン、（ｐ−ヒドロ
キシベンジル）パーフルオロノナン、（ｐ−ヒドロキシ
ベンジル）パーフルオロデカン、（ｐ−ヒドロキシベン
ジル）パーフルオロウンデカン、（ｐ−ヒドロキシベン
ジル）パーフルオロドデカン等が挙げられる。

【００５９】この中で好ましく用いられるのは、ｐ−
（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、ｐ−フェニルフェノ
ール、ｐ−（パーフロオロノニルフェニル）フェノー
ル、ｐ−（パーフルオロキシルフェニル）フェノール、
ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノール、１−
（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデカン、ｐ−
（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロトリデシルオキシ）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）
フェノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキ
シカルボニル）フェノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パ
ーフルオロドデシル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ
オクチルオキシ）フェノール、２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パー
フルオロノナン酸等が挙げられる。

【００６０】末端停止剤及び分岐剤は、上記の２価フェ
ノール類に共存させて使用するが、その方法としては、
上記２種又は３種の原料化合物と最初から共存させて反
応を行い高分子量化する方法、２価フェノール類からな
るオリゴマーを作った後、高分子量化する際に両方とも
共存させ高分子量化する方法、２価フェノール類からな
るオリゴマーを作った後、先にオリゴマーに末端停止剤
を共存させてオリゴマーと反応させ、次に分岐剤を共存
させ高分子量化する方法、２価フェノール類からなるオ
リゴマーを作った後、先にオリゴマーに分岐剤を共存さ
せてオリゴマーと反応させ、次に末端停止剤を共存させ
高分子量化する方法等、各種の方法を採用することがで
きる。

【００６１】炭酸エステル形成性化合物として前記ホス
ゲンをはじめとする各種のジハロゲン化カルボニル、ク
ロロホルメート等のハロホルメート類、炭酸エステル化
合物などを用い、酸結合剤の存在下に重縮合を行う反応
は、通常、溶媒中で行われる。ホスゲン等のガス状の炭
酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系
に吹き込む方法が好適に採用できる。

【００６２】炭酸エステル形成性化合物の使用割合は、
反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜調整すればよ
い。

【００６３】前記酸結合剤としては、例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、
ピリジン等の有機塩基或いはこれらの混合物などが用い
られる。

【００６４】酸結合剤の使用割合も、反応の化学量論比
（当量）を考慮して適宜定めればよい。具体的には、使
用する２価フェノール類の合計モル数（通常１モルは２
当量に相当）に対して２当量若しくはこれより過剰量、
好ましくは２〜１０当量の酸結合剤を用いることが好ま
しい。

【００６５】前記溶媒としては、公知のポリカーボネー
トの製造に使用されるものなど各種の溶媒を１種単独で
或いは混合溶媒として使用すればよい。代表的な例とし
ては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素溶媒、
塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンをはじめ
とするハロゲン化炭化水素溶媒などが挙げられる。互い
に混ざり合わない２種の溶媒を用いて界面重縮合反応を
行ってもよい。

【００６６】また、重縮合反応を促進するために、トリ
エチルアミン等の第三級アミン又は第四級アンモニウム
塩などの触媒を添加して反応を行うことが望ましい。ま
た、所望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファ
イドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。反応は、
通常、０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温
度で行われる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧のいずれ
でも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応系の自圧
程度で好適に行い得る。反応時間は、反応温度等によっ
て左右されるが、通常０．５分間〜１０時間、好ましく
は１分間〜２時間程度である。

【００６７】また、まず２価フェノール類からなる反応
原料の一部と炭酸エステル形成性物質とを反応させてオ
リゴマーを生成せしめ、次いで残りの反応原料を添加し
て重縮合を完結させる２段階法を用いることもできる。
このような２段階法によれば、反応の制御が容易であ
り、精度の高い分子量コントロールを行うことができ
る。

【００６８】後者の２価フェノール類とビスアリールカ
ーボネートとのエステル交換法に用いられるビスアリー
ルカーボネートとしては、例えば、ジフェニルカーボネ
ート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−ト
リルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネー
ト、ジナフチルカーボネート等が挙げられる。

【００６９】このエステル交換法の反応形式としては、
溶融重縮合法、固相重縮合法などが好適である。溶融重
縮合法を行う場合は、２価フェノール類とビスアリール
カーボネートとを混合し、減圧下で高温において溶融状
態で反応させる。反応は、通常１５０〜３５０℃、好ま
しくは２００〜３００℃の範囲の温度において行われ
る。固相重縮合法を行う場合は、２価フェノール類とビ
スアリールカボネートとを混合し、固相状態のまま、生
成架橋性ポリカーボネートの融点以下の温度に加熱して
重縮合を行う。いずれの場合においても、反応の最終段
階で減圧度を好ましくは１ｍｍＨｇ以下にして、エステ
ル交換反応により生成した上記ビスアリールカーボネー
トから由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応
時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通
常１〜４時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの
不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望
に応じて前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加し
て反応を行ってもよい。

【００７０】得られる架橋性ポリカーボネートの還元粘
度を前記の範囲にするには、例えば、前記反応条件の選
択、前記分岐剤や末端停止剤の使用量の調節など、各種
の方法によってなすことができる。また、場合により、
得られた架橋性ポリカーボネートに適宜物理的処理（混
合、分画など）及び／又は化学的処理（ポリマー反応、
架橋処理、部分分解処理など）を施して、所定の還元粘
度の架橋性ポリカーボネートとして取得することもでき
る。

【００７１】架橋剤の使用量は、上記架橋性ポリカーボ
ネート１重量部に対し、通常、０．０１〜１．０重量
部、好ましくは０．０５〜０．５重量部とすることが好
ましい。架橋剤の使用量が０．０１重量部未満では架橋
が十分に進行せず、１．０重量部を超えると、未反応の
架橋剤が架橋ポリカーボネートの耐摩耗性や有機電子写
真感光体の電子写真特性に悪影響を及ぼすことがある。

【００７２】また、必要に応じて、フェノール系、トリ
フェニルホスフェート系、三級アミン系、イミダゾール
系、ポリメルカプタン系等の硬化促進剤などを添加する
こともできる。

【００７３】このイオン機構による架橋性ポリカーボネ
ートの架橋反応は、架橋性ポリカーボネートを含有する
感光層材料を導電性基体上に塗工した後、或は、架橋性
ポリカーボネートを含有する表面保護層材料を感光層上
に塗工した後、架橋剤に関する公知文献（大成社、架橋
剤ハンドブック、２４４−２５７頁、１９８１、等）、
ポリカーボネートに関する公知文献（日刊工業社、プラ
スチック材料口座［５］、ポリカーボネート樹脂、３９
〜４３頁、等）、エポキシ樹脂に関する公知文献（接着
の技術、１４、３、１〜３３頁、１９９４、等）などに
記載された方法に準拠して行うことができる。

【００７４】例えば、架橋反応条件は、上記架橋性ポリ
カーボネート、架橋剤等の組み合わせ等で異なるが、架
橋温度が５０℃〜２５０℃、好ましくは１００〜２００
℃、架橋時間が５０時間以内、好ましくは１〜１０時間
となる組み合わせを選択することが好ましい。架橋温度
が５０℃未満であると、樹脂溶液の保存安定性が悪くな
り、２５０℃を超えると加熱により電荷発生物質、電荷
輸送物質等が劣化し、電子写真特性に悪影響を与えるこ
とがある。また、架橋時間が５０時間を超えると、電荷
発生物質、電荷輸送物質等の加熱による劣化が進行する
と共に、有機電子写真感光体の生産性が悪くなる。

【００７５】一方、ラジカル機構による架橋反応として
は、ビニル基を持つ架橋性ポリカーボネートの架橋反応
が挙げられる。

【００７６】ビニル基を持つ架橋性ポリカーボネートの
ラジカル機構による架橋は、熱的に行うこともできる
し、光化学反応的に行うこともできる。熱による架橋反
応は、ラジカル開始剤の共存下で、必要に応じて架橋剤
を加えて、加熱することにより容易に達成される。ラジ
カル開始剤としては、５０〜１００℃での半減期が１〜
１０時間のものがプロセス上から好ましく、例えばベン
ゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキサイ
ド、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、オクタノイルパ
ーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、アセチルパ
ーオキサイド、シクロヘキサンパーオキサイド等のパー
オキサイド類、アゾビスイソブチルニトリル、アゾビス
イソバレロニトリル等のアゾ化合物が挙げられる。ま
た、架橋剤としてはジアリルフタレート、ジアリルアミ
ン塩酸塩、ジアリルエーテル等のジアリル化合物、トリ
メチロールプロパントリアクリレート、エチレンジメタ
クリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート
等の多官能アクリレートが挙げられる。架橋剤の使用量
は上記架橋性ポリカーボネート１重量部に対し、通常、
０．０１〜１．０重量部、好ましくは０．０５〜０．５
重量部とすることが好ましい。

【００７７】架橋性ポリカーボネートを熱的に架橋反応
させる場合は、架橋性ポリカーボネートを含有する感光
層材料を導電性基体上に塗工した後、５０〜１５０℃、
好ましくは７０〜１５０℃で加熱する。５０℃未満では
熱架橋反応が十分に進行しないことがある。また、１５
０℃を超えると導電性基体や感光層中のポリカーボネー
ト以外の構成成分が劣化することがある。加熱時間は通
常５分〜１０時間、好ましくは１０分〜５時間の範囲で
ある。

【００７８】架橋反応を紫外光線の照射により行う場合
には、光ラジカル開始剤の他に、好ましくは架橋剤の共
存下で、上記塗工後、紫外線照射することにより行われ
る。ここで使用する架橋剤としては、ポリアリル化合
物、多官能性アクリレート、ポリメルカプタン及び多官
能アジド化合物等が挙げられる。

【００７９】ポリアリル化合物としては、例えばジアリ
ルフタレート、ジアリルアミン塩酸塩、ジアリルエーテ
ル等のジアリル化合物が挙げられ、多官能アクリレート
としては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレ
ート、エチレングリコールジメタクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート等が挙げられる。ポリ
メルカプタンとしては、例えばペンタエリスリトールテ
トラ（３−メルカプトプロピオネート）、１，４−ジメ
ルカプトヘキサン等が挙げられる。多官能アジド化合物
としては熱安定性が比較的良好な芳香族系アジドが好ま
しく使用され、例えば４，４′−ジアジドベンザルアセ
トン、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）シクロヘキ
サノン、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メ
チルシクロヘキサノン、ジ［４−（４′−アジドフェニ
ル）ブタジエニル］ケトン、４，４′−ジアジドカルコ
ン、４，４′−ジアジドスチルベン−２，２′−ジスル
ホン酸等が挙げられる。これら架橋剤の使用量は上記架
橋性ポリカーボネート１重量部に対し、通常、０．０１
〜１．０重量部、好ましくは０．０５〜０．５重量部と
することが好ましい。上記架橋剤のうちポリアリル化合
物、多官能アクリレート及びポリメルカプタンを使用す
る光架橋反応においては、光ラジカル開始剤の共存が好
ましい。

【００８０】光ラジカル開始剤としては、例えばベンゾ
フェノン、ミヒラーズケトン等のベンゾフェノン系化合
物、ベンジル、フェニルメトキシジケトン等のジケトン
系化合物、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルジメチ
ルケタール等のベンゾイン系化合物、２，４−ジエチル
チオキサントン等のチオキサントン系化合物、２−メチ
ルアントラキノン、カンファーキノン等のキノン系化合
物等が好ましく使用される。また、必要に応じて上記開
始剤以外の光架橋反応促進剤、例えばＮ，Ｎ−ジエチル
アミノベンゼン誘導体等を併用することもできる。

【００８１】照射源としては水銀灯、中圧水銀灯、高圧
水銀灯、メチルハライドランプ等が好ましく使用され
る。光源のパワーは１ｍＷ／ｃｍ²〜１ｋＷ／ｃｍ²の範
囲であり、照射時間は、光源のパワー及び光反応速度に
依存し、通常１秒〜１時間、好ましくは１秒〜１０分間
である。

【００８２】本発明の有機電子写真感光体は、感光層中
のバインダー樹脂材料として架橋性ポリカーボネートを
用い、上記の架橋反応を行うことによって好適に製造す
ることができる。

【００８３】本発明の有機電子写真感光体に用いられる
導電性基体の材料としては、公知のものなど各種のもの
を使用することができ、具体的にはアルミニウム、ニッ
ケル、クロム、パラジウム、チタン、金、銀、銅、亜
鉛、ステンレス、モリブデン、インジウム、白金、真
鍮、酸化鉛、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ若しくは
グラファイトの板、ドラム及びシート、並びに蒸着、ス
パッタリング、塗布等によりコーティングするなどして
導電処理したガラス、布、紙若しくはプラスチックのフ
ィルム、シート及びシームレスベルト、アルミニウム等
の金属箔を積層したプラスチックフィルム、シート及び
シームレスベルト、並びに金属板のフィルム状シート及
びシームレスベルト、並びに電極酸化などにより金属酸
化処理した金属ドラムなどを使用することができる。

【００８４】積層型有機電子写真感光体の電荷発生層は
少なくとも電荷発生物質を含むものであり、この電荷発
生層はその下地となる基板上に真空蒸着、スパッタ法、
ＣＶＤ法等により電荷発生物質の層を形成せしめるか、
又はその下地となる層上に電荷発生物質をバインダー樹
脂を用いて結着してなる層を形成せしめることによって
得ることができる。バインダー樹脂を用いる電荷発生層
の形成方法としては公知の方法等、各種の方法を使用す
ることができるが、通常、例えば、電荷発生物質をバイ
ンダー樹脂と共に適当な溶媒により分散若しくは溶解し
た塗工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥せし
める方法が好適に用いられる。

【００８５】前記電荷発生物質としては、公知のものな
ど各種のものを使用することができ、具体的には、非晶
質セレン、三方晶セレン等のセレン単体、テルル単体、
セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金等のセレンの合
金、Ａｓ₂Ｓｅ₃等のセレン還元化合物若しくはセレン含
有組成物、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化アンチモ
ン、硫化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅ等の合金、第１２族及び第
１６族元素からなる無機材料、酸化チタン等の酸化物系
半導体、アモルファスシリコンなどのシリコン系材料等
の各種の無機材料、τ型無金属フタロシアニン、χ型無
金属フタロシアニン等の無金属フタロシアニン顔料、α
型銅フタロシアニン、β型銅フタロシアニン、γ型銅フ
タロシアニン、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型銅フタロシ
アニン、Ａ型チタニルフタロシアニン、Ｂ型チタニルフ
タロシアニン、Ｃ型チタニルフタロシアニン、Ｄ型チタ
ニルフタロシアニン、Ｅ型チタニルフタロシアニン、Ｆ
型チタニルフタロシアニン、Ｈ型チタニルフタロシアニ
ン、Ｇ型チタニルフタロシアニン、Ｋ型チタニルフタロ
シアニン、Ｌ型チタニルフタロシアニン、Ｍ型チタニル
フタロシアニン、Ｎ型チタニルフタロシアニン、Ｙ型チ
タニルフタロシアニン、オキソチタニウムフタロシアニ
ン、Ｘ線回折図におけるブラック角２θが２７．３±
０．２度に強い回折ピークを示すチタニルフタロシアニ
ンなどの金属フタロシアニン顔料、シアニン染料、アン
トラセン顔料、ビスアゾ顔料、ピレン顔料、多環キノン
顔料、キナクリドン顔料、インジゴ顔料、ぺリレン顔
料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料、ポリビニル
カルバゾール、スクェアリウム顔料、アントアントロン
顔料、ベンズイミダゾール顔料、アゾ顔料、チオインジ
ゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、キノリン顔料、
レーキ顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリ
フェニルメタン顔料、アズレニウム染料、スクウェアリ
ウム染料、トリアリールメタン染料、キサンチン染料、
チアジン染料などが挙げられる。

【００８６】例えば、下記一般式で表されるような化合
物が好適に用いられる。

【００８７】

【化１７】 ［式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は各々独立にピロール環
上の２個の炭素原子と共に、置換基を有していてもよい
芳香族炭化水素環若しくは複素環を形成することができ
る原子団を表し、Ｍは２個の水素原子又は配位子を有し
ていてもよい金属原子若しくは金属化合物を表す。］

【００８８】

【化１８】 ［式中、Ａｒ⁶は芳香族系炭化水素環又は複素環を含ん
でいてもよい共役系を有するｔ価の残基を表し、ｔは１
以上の正数であり、Ｃｐは芳香族系水酸基を有するカッ
プラー残基を表し、ｔが２以上の場合は、各々のＣｐは
同一であっても異なっていてもよい。］

【００８９】

【化１９】 ［式中、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴及びＸ⁵は、各々独立に、酸素原
子、硫黄原子、セレン原子を表し、Ｒ^P及びＲ^Qは炭素数
１〜１２のアルキル基若しくはアリール基を表し、Ｘ²
若しくはＸ³とＲ^P及びＸ⁴若しくはＸ⁵とＲ^Qとで置換基
を有していてもよい複素環を形成していてもよい。］ フルオレン系ジスアゾ顔料としては、以下のような例が
ある。

【００９０】

【化２０】

【００９１】

【化２１】

【００９２】

【化２２】 ペリレン系顔料としては、以下のような例がある。

【００９３】

【化２３】

【００９４】

【化２４】 多環キノン顔料としては、以下のような例がある。

【００９５】

【化２５】 アントアントロン顔料としては、以下のような例があ
る。

【００９６】

【化２６】 ジベンズピレンキノン顔料としては、以下のような例が
ある。

【００９７】

【化２７】 ピラントロン顔料としては、以下のような例がある。

【００９８】

【化２８】 これらの顔料を単独または２種以上を混合して用いるこ
ともできる。

【００９９】電荷発生層の厚さは、０．０１〜２．０μ
ｍが好ましく、０．１〜０．８μｍがより好ましい。
０．０１μｍ未満であると、電荷発生層を均一に形成す
ることが困難であり、２．０μｍを超えると、電子写真
特性が低下する傾向がある。

【０１００】前記電荷発生層に用いられるバインダー樹
脂としては、特に制限はなく、公知のものなど各種のも
のを使用できる。具体的には、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリビニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリアクリロニトリル、ボリカーボネート、ポ
リウレタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミ
ド、ポリケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹
脂、ポリエステル、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合
体、メタクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン−ブタジ
エン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フ
ェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッ
ド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カ
ゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセル
ロース、ニトロセルロース、カルボキシ−メチルセルロ
ース、塩化ビニリデン系ポリマーラテックス、アクリロ
ニトリル−ブタジエン共重合体、ビニルトルエン−スチ
レン共重合体、大豆油変性アルキッド樹脂、ニトロ化ポ
リスチレン、ポリメチルスチレン、ポリイソプレン、ポ
リチオカーボネート、ポリアリレート、ポリハロアリレ
ート、ポリアリルエーテル、ポリビニルアクリレート、
メラミン樹脂、ポリエーテル樹脂、ベンゾグアナミン樹
脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート
樹脂、ポリエステルアクリレート等の熱硬化性樹脂を使
用することができる。

【０１０１】上記電荷発生層におけるバインダー樹脂材
料としてＦＧ基を有する上記の架橋性ポリカーボネート
を上記架橋剤とともに使用することもできる。

【０１０２】次に、電荷輸送層は、下地となる層（例え
ば電荷発生層）上に、電荷輸送物質をバインダー樹脂で
結着してなる層を形成することによって得ることができ
る。

【０１０３】この電荷輸送層の形成方法としては、公知
の方法等の各種の方式を使用することができるが、通
常、上記電荷輸送物質を上記架橋前の架橋性ポリカーボ
ネート及び、必要に応じ、架橋反応に必要な架橋剤又は
ラジカル開始剤等と共に適当な溶媒に分散若しくは溶解
した塗工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥及
び架橋性ポリカーボネートを架橋させる方式などが使用
される。電荷輸送層形成に用いられる電荷輸送物質と架
橋性ポリカーボネートとの配合割合は、好ましくは重量
で２０：８０〜８０：２０、更に好ましくは３０：７０
〜７０：３０である。

【０１０４】この電荷輸送層の形成において、上記架橋
性ポリカーボネートは１種単独で用いることもできる
し、また、２種以上を混合して用いることもできる。ま
た、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、前記電荷発
生層に用いられるバインダー樹脂として挙げたような他
の樹脂を上記架橋性ポリカーボネートと併用することも
できる。

【０１０５】電荷輸送物質としては、公知のものなど各
種のものを使用することができる。例えば、カルバゾー
ル化合物、インドール化合物、イミダゾール化合物、オ
キサゾール化合物、ピラゾール化合物、オキサジアゾー
ル化合物、ピラゾリン化合物、チアジアゾール化合物、
アニリン化合物、ヒドラゾン化合物、芳香族アミン化合
物、脂肪族アミン化合物、スチルべン化合物、フルオレ
ノン化合物、キノン化合物、キノジメタン化合物、チア
ゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾロン化合
物、イミダゾリジン化合物、ビスイミダゾリジン化合
物、オキサゾロン化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベ
ンズイミダゾール化合物、キナゾリン化合物、ベンゾフ
ラン化合物、アクリジン化合物、フェナジン化合物、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９
−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾール樹脂、あるいはこれらを
主鎖、側鎖に有する重合体が用いられ、好ましくは下記
一般式で表されるような化合物が用いられる。

【０１０６】

【化２９】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は各々独立に、炭素数
１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７
〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６
〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化
水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、
複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式
基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ²とＡｒ³及びＡｒ³とＡ
ｒ¹で環を形成していてもよい。］

【０１０７】

【化３０】 ［式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C及びＲ^Dは各々独立に、シアノ
基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロ
キシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ア
リールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０
の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の
置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の
置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、
置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式
基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表
し、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは各々独立に、０〜５の整数であ
る。］

【０１０８】

【化３１】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成してもよい。Ｒ
^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｒ^Eはエチレン基又はエテニレン基を表
し、Ｅは０〜４の整数である。］

【０１０９】

【化３２】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成してもよい。Ｒ
^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｒ^F及びＲ^Gは各々独立に、水素原子、炭
素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｅは
０〜４の整数である。］

【０１１０】

【化３３】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は各々
独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置
換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換
のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換
の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式
基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ⁶とＡｒ⁷は各
々独立に、炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキ
レン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリ
ール化合物、多環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物
又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ¹
とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を形成してもよい。］

【０１１１】

【化３４】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は各々独立に、
水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³と
Ａｒ⁴は環を形成してもよい。Ｒ^H及びＲ^Iは各々独立
に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｅ及びＦは各々独立に０〜４の整数であ
る。］

【０１１２】

【化３５】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は各々独立に、
水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³と
Ａｒ⁴は環を形成してもよい。Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cは各々独
立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシ
ル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキル
アミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭
素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素
数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素
数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式
炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｅ、Ｆ及びＧは各々独立に０〜４の整数
である。Ｘ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、
−ＣＲ^JＲ^K−、−ＳｉＲ^JＲ^K−、−ＮＲ ^J−又は−ＰＲ^J
−（式中、Ｒ^J及びＲ^Kは各々独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラル
キルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の
アルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のア
ラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のア
リール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又
は縮合多環系複素環式基を表す。）を表す。］

【０１１３】

【化３６】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成してもよい。Ｒ
^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａは０〜５の整数である。］

【０１１４】

【化３７】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は各々
独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置
換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換
のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換
の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式
基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^A及びＲ^Bは各々
独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ア
シル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、
炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭
素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭
素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環
式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水
素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複
素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を
形成してもよい。Ｆ及びＥは各々独立に０〜４の整数で
ある。］

【０１１５】

【化３８】 ［式中、Ａｒ¹は水素原子、炭素数１〜１０の置換若し
くは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しく
は無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しく
は無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しく
は無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系
複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^A、Ｒ^B
及びＲ^Cは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カル
ボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、ア
ミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラル
キルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の
アルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のア
ラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のア
リール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又
は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、Ａ、Ｂ
及びＣは各々独立に０〜５の整数である。］

【０１１６】

【化３９】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は、各々独立に、水素
原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ｒ^A及びＲ^Cは各々独立に、シ
アノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒ
ドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ
基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１
〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜
１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜
１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水
素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複
素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基
を表し、Ｒ^B′は水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、
カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ
基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、
アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無
置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置
換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置
換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置
換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環
式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、
Ｅは０〜４の整数、Ｈは０〜３の整数である。］

【０１１７】

【化４０】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、水素
原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。］

【０１１８】

【化４１】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は各々独立に、水素原
子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。］

【０１１９】

【化４２】 ［式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C、Ｒ^D、Ｒ^H及びＲ^Iは各々独立
に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｉ及びＪは各々独立に
０〜５の整数である。］

【０１２０】

【化４３】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は各々独立に、
水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ａｒ⁶は炭素数１〜６の置
換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の
置換若しくは無置換のアリール化合物、多環式炭化水
素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素、複素環
化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系複素環化合
物の２価残基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は
環を形成してもよく、ｎは０又は１である。］

【０１２１】

【化４４】 ［式中、Ｒ^L、Ｒ^M、Ｒ^N及びＲ^Oは各々独立に、水素原
子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表す。］ 具体的には次に示すような化合物が用いられる。

【０１２２】

【化４５】

【０１２３】

【化４６】

【０１２４】

【化４７】

【０１２５】

【化４８】

【０１２６】

【化４９】

【０１２７】

【化５０】

【０１２８】

【化５１】

【０１２９】

【化５２】

【０１３０】

【化５３】

【０１３１】

【化５４】

【０１３２】

【化５５】

【０１３３】

【化５６】

【０１３４】

【化５７】

【０１３５】

【化５８】

【０１３６】

【化５９】

【０１３７】

【化６０】

【０１３８】

【化６１】

【０１３９】

【化６２】

【０１４０】

【化６３】

【０１４１】

【化６４】

【０１４２】

【化６５】

【０１４３】

【化６６】

【０１４４】

【化６７】

【０１４５】

【化６８】

【０１４６】

【化６９】

【０１４７】

【化７０】

【０１４８】

【化７１】

【０１４９】

【化７２】

【０１５０】

【化７３】

【０１５１】

【化７４】

【０１５２】

【化７５】

【０１５３】

【化７６】

【０１５４】

【化７７】

【０１５５】

【化７８】

【０１５６】

【化７９】

【０１５７】

【化８０】

【０１５８】

【化８１】

【０１５９】

【化８２】

【０１６０】

【化８３】

【０１６１】

【化８４】

【０１６２】

【化８５】

【０１６３】

【化８６】

【０１６４】

【化８７】

【０１６５】

【化８８】

【０１６６】

【化８９】

【０１６７】

【化９０】 上記電荷輸送物質は単独で又は２種以上を混合して用い
ることができる。電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍが
好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。５μｍ未満
であると、初期電位が低くなり、１００μｍを超える
と、電子写真特性が低下する傾向がある。

【０１６８】導電性基体と感光層との間に通常使用され
るような公知の下引き層を設けることができる。下引き
層としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、チタン酸、ジルコン酸、ランタン鉛、チタンブラッ
ク、シリカ、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、酸化錫、
酸化インジウム、酸化珪素等の微粒子、ポリアミド樹
脂、フェノール樹脂、カゼイン、メラミン樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、セ
ルロース、ニトロセルロース、ポリビニルアルコール、
ポリビニルブチラール樹脂等の成分を使用することがで
きる。これらの微粒子や樹脂を単独で又は２種以上混合
して使用することができる。特に微粒子を用いると、微
粒子に樹脂が吸着され、平滑な皮膜を得ることができる
ため、微粒子と樹脂を併用することが望ましい。また、
下引き層には前記バインダー樹脂を用いることができ
る。また、ＦＧ基を有する上記の架橋性ポリカーボネー
トも用いることもできる。

【０１６９】下引き層の厚さは、通常０．０１〜１０．
０μｍ、好ましくは０．０１〜１．０μｍである。この
厚さが０．０１μｍ未満であると、下引き層を均一に形
成することが困難になり、１０．０μｍを超えると、電
子写真特性が低下することがある。

【０１７０】また、導電性基体と感光層との間に通常使
用されているような公知のブロッキング層を設けること
ができる。ブロッキング層には前記バインダー樹脂を用
いることができる。ブロッキング層の厚さは、通常０．
０１〜２０．０μｍ、好ましくは、０．１〜１０．０μ
ｍである。この厚さが０．０１μｍ未満であると、ブロ
ッキング層を均一に形成することが困難になり、２０．
０μｍを超えると、電子写真特性が低下することがあ
る。

【０１７１】本発明の有機電子写真感光体には、感光層
の上に表面保護層を積層してもよい。表面保護層の膜厚
は０．０１〜２０μｍが可能であり、より好ましくは
０．１〜１０μｍである。表面保護層には前記バインダ
ー樹脂を用いることができる。特に、ＦＧ基を有する上
記の架橋性ポリカーボネートの架橋物が好適である。表
面保護層は、前記の電荷発生物質、電荷輸送物質、添加
剤、金属及びその酸化物、窒化物、塩、合金、カーボン
などの導電材料を含有してもよい。

【０１７２】更に、本発明の有機電子写真感光体には、
その性能を向上させるために電荷発生層、電荷輸送層に
結合剤、可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制
御剤、電子写真感度を改良するための分光感度増感剤
（増感染料）、分光感度増感剤とは別に、繰り返し使用
に対しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感度の低
下を防止する目的の種々の化学物質、酸化防止剤、界面
活性剤、カール防止剤、レベリング剤等などの添加剤を
添加することができる。

【０１７３】結合剤の具体的な例としては、シリコーン
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹
脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポ
リイソプレン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹
脂、ポリクロロプレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹
脂、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、尿
素樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、ホルマール樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢
酸ビニル／塩化ビニル共重合体、ポリエステルカーボネ
ート樹脂等が挙げられる。また、熱及び／又は光硬化性
樹脂も使用できる。いずれにしても、電気絶縁性で通常
の状態で皮膜を形成しうる樹脂であれば、特に制限はな
い。

【０１７４】結合剤は電荷輸送物質に対して、５〜２０
０重量％添加することが好ましく、１０〜１００重量％
がより好ましい。５重量％未満では感光層の皮膜が不均
一となりやすく、画質が劣る傾向がある。２０重量％を
超えると、感度が低下し、残留電位が高くなる傾向があ
る。

【０１７５】可塑剤の具体的な例としては、ビフェニ
ル、塩化ビフェニル、ｏ−ターフェニル、ハロゲン化パ
ラフィン、ジメチルナフタリン、ジメチルフタレート、
ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエチレ
ングリコールフタレート、トリフェニルフォスフェー
ト、ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジ
ブチルセバケート、ラウリル酸ブチル、メチルフタリー
ルエチルグリコレート、ジメチルグリコールフタレー
ト、メチルナフタレン、ベンゾフェノン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、各種フルオロ炭化水素等が挙げられ
る。

【０１７６】硬化触媒の具体的な例としては、メタンス
ルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフ
タレンジスルホン酸等が挙げられる。

【０１７７】流動付与剤としては、モダフロー、アクロ
ナール４Ｆ等が挙げられる。

【０１７８】ピンホール制御剤としては、ベンゾイン、
ジメチルフタレート等が挙げられる。

【０１７９】可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホー
ル制御剤は、前記電荷輸送物質に対して、５重量％以下
で用いることが好ましい。

【０１８０】増感染料の具体的な例としては、メチルバ
イオレット、クリスタルバイオレット、ナイトブルー、
ビクトリアブルー等で代表されるトリフェニルメタン系
染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ローダミン３Ｒ、
アクリジンオレンジ、フラペオシン等に代表されるアク
リジン染料、メチレンブルー、メチレングリーン等に代
表されるチアジン染料、カプリブルー、メルドラブルー
等に代表されるオキサジン染料、その他シアニン染料、
メロシアニン染料、スチリル染料、ピリリュウム塩染
料、チオピリリュウム塩染料等が挙げられる。

【０１８１】感光層には感度の向上、残留電位〜反復使
用時の疲労低減等を目的として、電子受容性物質を加え
ることができる。

【０１８２】電子受容性物質としては、無水コハク酸、
無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、無水フタル
酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタ
ル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フタル
酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロ
ベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３，５−トリニ
トロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピクリルク
ロライド、キノンクロルイミド、クロラニル、ブロマニ
ル、ベンゾキノン、２，３−ジクロロベンゾキノン、ジ
クロロジシアノパラベンゾキノン、ナフトキノン、ジフ
ェノキノン、トロポキノン、アントラキノン、１−クロ
ロアントラキノン、ジニトロトロアントラキノン、４−
ニトロベンゾフェノン、４，４−ニトロベンゾフェノ
ン、４−ニトロベンザルマロンジニトリル、α−シアノ
−β−（ｐ−シアノフェニル）アクリル酸エチル、９−
アントラセニルメチルマロンジニトリル、１−シアノ−
（ｐ−ニトロフェニル）−２−（ｐ−クロロフェニル）
エチレン、２，７−ジニトロフルオレノン、２，４，７
−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニ
トロフルオレノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメ
チレンマロノニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニ
リデン−［ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピク
リン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、
３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、
５−ニトロサリチル酸、３，５−ジニトロサリチル酸、
フタル酸、メリット酸など、電子親和力が大きい化合物
がある。

【０１８３】この電子受容性物質は、電荷輸送層、電荷
発生層のいずれに加えてもよく、電荷輸送物質又は電荷
発生物質に対して通常０．０１〜２００重量％、より好
ましくは０．１〜５０重量％配合される。

【０１８４】また、表面性の改良のために、四フッ化エ
チレン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、四フッ化エチ
レン六フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ
化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂及びそ
れらの共重合体、フッ素系グラフトポリマーを用いても
よい。

【０１８５】これらの表面改質剤は前記バインダー樹脂
に対して０．１〜６０重量％、より好ましくは５〜４０
重量％配合される。０．１重量％より少ないと耐摩耗
性、表面耐久性、表面エネルギー低下等の表面改質が十
分でなく、６０重量％より多いと電子写真特性が悪くな
ることがある。

【０１８６】酸化防止剤としては、ヒンダードフェノー
ル系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、ヒンダー
ドアミン系酸化防止剤、スルフィド系酸化防止剤、有機
リン酸系酸化防止剤などが挙げられる。

【０１８７】これらの酸化防止剤は電荷輸送物質に対し
て通常０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜
２重量％配合される。

【０１８８】ヒンダードフェノール系酸化防止剤として
は、以下の例がある。

【０１８９】

【化９１】

【０１９０】

【化９２】

【０１９１】

【化９３】 芳香族アミン系酸化防止剤としては以下のような例があ
る。

【０１９２】

【化９４】 ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、以下のような
例がある。

【０１９３】

【化９５】 スルフィド系酸化防止剤としては以下のような例があ
る。

【０１９４】

【化９６】 有機リン酸系酸化防止剤としては以下のような例があ
る。

【０１９５】

【化９７】 ヒンダードフェノール構造単位とヒンダードアミン構造
単位を分子内に有する酸化防止剤としては以下のような
例がある。

【０１９６】

【化９８】 これら添加剤は１種単独で用いてもよいし、あるいは、
２種類以上を混合するなどして併用してもよい。これら
の添加剤は表面保護層、下引き層、ブロッキング層に添
加してもよい。

【０１９７】前記電荷発生層、電荷輸送層の形成の際に
使用する前記溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系
溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセロソルブ等
のエステル、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムア
ミド等を挙げることができる。

【０１９８】これらの溶媒は、１種単独で使用してもよ
く、或いは、２種以上を混合溶媒として用いてもよい。

【０１９９】電荷輸送層を形成する方法としては、前記
電荷輸送物質、添加剤、架橋性ポリカーボネート、及び
必要に応じ架橋剤又はラジカル開始剤などを溶剤に分
散、又は溶解した溶液を所定の下地となる基体、層上に
浸漬塗工法、静電塗工法、粉体塗工法、スプレー塗工
法、ロール塗工法、アプリケーター塗工法、スプレーコ
ーター塗工法、バーコーター塗工法、ロールコーター塗
工法、ディップコーター塗工法、ドクターブレード塗工
法、ワイヤーバー塗工法、ナイフコーター塗工法、アト
ライター塗工法、スピナー塗工法、ビード塗工法、ブレ
ード塗工法、カーテン塗工法などの塗工法を用いて塗工
し、乾燥及び架橋性ポリカーボネートの架橋反応を行っ
て形成することができる。

【０２００】その分散又は溶解法としては、ボールミ
ル、超音波、ペイントシェーカー、レッドデビル、サン
ドミル、ミキサー、アトライターなどを用いることがで
きる。

【０２０１】架橋反応は減圧から加圧の如何なる圧力下
でも行い得るが、好ましくは減圧又は常圧下で行われ
る。架橋反応の条件は、前記したとおりである。

【０２０２】単層型有機電子写真感光体の感光層の形成
は、前記電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、バイン
ダー樹脂材料である架橋性ポリカーボネート、及び必要
に応じ架橋剤又はラジカル開始剤などを溶剤に分散、又
は溶解した溶液を所定の下地となる基体上に塗布し、乾
燥及び架橋性樹脂を架橋させることによって行われる。
塗布方法、架橋方法、添加剤等は上記と同様である。ま
た、上記と同様に表面保護層、下引き層、ブロッキング
層を設けてもよい。

【０２０３】単層型感光体の膜厚は通常５〜１００μｍ
が好ましく、８〜５０μｍがより好ましい。５μｍ未満
であると、初期電位が低くなりやすく、１００μｍを超
えると電子写真特性が低下する傾向がある。

【０２０４】単層型有機電子写真感光体製造に用いられ
る電荷発生物質：架橋性ポリカーボネートの重量による
割合は、好ましくは１：９９〜３０：７０、更に好まし
くは３：９７〜１５：８５である。また、電荷輸送物
質：架橋性ポリカーボネートの重量による割合は、好ま
しくは１０：９０〜８０：２０、更に好ましくは３０：
７０〜７０：３０である。

【０２０５】また、本発明の目的達成を阻害しない範囲
で、他の樹脂を上記架橋性ポリカーボネートと併用する
ことも可能である。

【０２０６】また、感光層中のバインダー樹脂として上
記のＦＧ基を有する架橋性ポリカーボネート以外の樹脂
を用い、表面保護層の形成のみに上記の架橋性ポリカー
ボネートを用いてもよい。

【０２０７】表面保護層の形成方法としては、公知の方
法等の各種の方式を使用することができるが、通常、上
記架橋前の架橋性ポリカーボネート及び、必要に応じ、
架橋反応に必要な架橋剤又はラジカル開始剤、添加剤、
導電材料等と共に適当な溶媒に分散若しくは溶解した塗
工液を、感光層上に塗布し、乾燥及び架橋性ポリカーボ
ネートを架橋させる方式などが使用される。表面保護層
の形成において、上記架橋性ポリカーボネートは１種単
独で用いることもできるし、また、２種以上を混合して
用いることもできる。また、本発明の目的達成を阻害し
ない範囲で、前記電荷発生層に用いられるバインダー樹
脂として挙げたような他の樹脂を上記架橋性ポリカーボ
ネートと併用することもできる。表面保護層の好ましい
厚みは先に記載したとおりであり、表面保護層の形成に
用いられる溶媒、塗工方法、硬化方法などは、先に電荷
輸送層の形成方法について説明したと同様である。

【０２０８】このようにして得られる本発明の有機電子
写真感光体は高い表面硬度及び耐摩耗性を有し、長期間
にわたって優れた電子写真特性及び耐トナーフィルミン
グ性を維持するものであり、複写機（モノクロ、マルチ
カラー、フルカラー；アナログ、デジタル）、プリンタ
ー（レーザー、ＬＥＤ、液晶シャッター）、ＦＡＸ、製
版機等の各種の電子写真分野に好適に利用することがで
きる。

【０２０９】本発明の有機電子写真感光体を使用するに
あたって、帯電器は、コロナ放電（コロトロン、スコト
ロン）、接触帯電（帯電ロール、帯電ブラシ）などが用
いられる。露光は、ハロゲンランプ、蛍光灯、レーザー
（半導体、Ｈｅ−Ｎｅ）、ＬＥＤ、感光体内部露光方式
で行われる。現像工程はカスケード現像、二成分磁気ブ
ラシ現像、一成分絶縁トナー現像、一成分導電トナー現
像などの乾式現像方式や湿式現像方式などが用いられ
る。転写工程はコロナ転写、ローラ転写、ベルト転写な
どの静電転写法、圧力転写法、粘着転写法が用いられ
る。定着は、熱ローラ定着、ラジアント・フラッシュ定
着、オーブン定着、圧力定着などが用いられる。クリー
ニング・除電には、ブラシクリーナー、磁気ブラシクリ
ーナー、静電ブラシクリーナー、磁気ローラクリーナ
ー、ブレードクリーナーなどが用いられる。

【０２１０】

【実施例】以下、本発明の実施例及びその比較例によっ
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。

【０２１１】合成例１ （ビフェニル型架橋性ポリカーボネート（ＰＣ−１）の
合成）水１リットルに５％Ｐｄ／Ｃ（１００ｇ）を入
れ、ＮａＯＨ（２００ｇ）を溶かした水（１リットル）
を加えた。ここに４−ブロモ−２−フェニルフェノール
（４５６ｇ、１．８３モル）を溶解したメタノール１リ
ットルを加え、３時間還流した。メタノールを蒸留して
除き、触媒を濾過した後、塩酸で中和し、塩化メチレン
による抽出を行った。有機層を水で洗い、濃縮し、メタ
ルバスにて約３３０℃で蒸留した。これをトルエン：シ
クロヘキサン−１：３（重量比）混合液より再結晶し
て、下記式Ａの化合物の前駆体を得た（６６ｇ、収率２
１％） 得られた前駆体をＮａＯＨ（３０ｇ）のメタノール溶液
（５００ｍｌ）に溶解し、アリルブロマイド（５０．４
ｇ）をゆっくり加えた後、５時間還流を行った。得られ
た溶液を減圧乾固した後、塩化メチレンに再溶解し、
０．１規定の塩酸で洗浄した後、水で２回洗浄した。有
機層を分取し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶剤を
蒸留で留去し、そのまま窒素気流下２００℃で５時間加
熱することにより、式Ａの化合物（６５ｇ）を得た。

【０２１２】

【化９９】 ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン７４
ｇを６重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液５５０ｍｌ
に溶解した溶液と塩化メチレン２５０ｍｌとを混合して
撹拌しながら、冷却下、該溶液中にホスゲンガスを９５
０ｍｌ／分の割合で１５分間吹き込んだ。次いで、この
反応液を静置して有機層を分離し、分子末端がクロロホ
ルメート基であるビスフェノールＡ（２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン）のポリカーボネート
オリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。

【０２１３】上記オリゴマーの塩化メチレン溶液に塩化
メチレンを加えて全量を４５０ｍｌとした後、８重量％
濃度の水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌと混合し、こ
れに式Ａの化合物３２．１ｇ及び分子量調節剤であるｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール３．０ｇを加えた。次い
で、この混合液を激しく撹拌しながら、触媒として７重
量％濃度のトリエチルアミン水溶液を２ｍｌ加え、２８
℃において撹拌下で１．５時間反応を行った。反応終了
後、反応生成物を塩化メチレン１リットルで希釈し、次
いで水１．５リットルで２回洗浄した。得られた溶液を
氷浴し、５１．６ｇのメタクロロ過安息香酸を数回に分
け、ゆっくり添加した。全量加えられた後、室温に戻
し、２４時間撹拌を継続した。続いてこれを０．０１規
定ＮａＯＨ水溶液で洗い、０．０１規定塩酸１リットル
で１回、水１リットルで２回の順で洗浄し、有機層をメ
タノール中に投入し、析出したポリマーを濾過、乾燥
し、１０３ｇのポリカーボネート（ＰＣ−１）を得た。

【０２１４】このようにして得られたポリカーボネート
の塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液
の２０℃における還元粘度［η_sp／ｃ］は０．７５ｄｌ
／ｇであった。還元粘度の測定は、（株）離合社製、自
動粘度測定装置ＶＭＲ−０４２を用い、自動粘度用ウッ
ベローデ改良型粘度計（ＲＭ型）で測定した。

【０２１５】得られたポリカーボネート（ＰＣ−１）の
ＩＲスペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ^-1、１５９
０ｃｍ^-1、８３０ｃｍ^-1にベンゼン環の吸収、１７３０
ｃｍ ^-1にカーボネート基による吸収、１１３０ｃｍ^-1に
エポキシ基に由来する吸収が見られ、カーボネート結合
及びエポキシ基を有することが認められた。得られたポ
リカーボネート（ＰＣ−１）の共重合組成は¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ分析により決定した。これらの分析結果より、ポリカ
ーボネート（ＰＣ−１）は下記の繰り返し単位を下記の
組成で含有することがわかった。

【０２１６】

【化１００】 合成例２ （ナフタレン型架橋性ポリカーボネート（ＰＣ−２）の
合成）合成例１において、式Ａの化合物を下記式Ｂ

【０２１７】

【化１０１】 の化合物２５．２ｇに変更し、メタクロロ過安息香酸と
の反応を行わず、ＮａＯＨ水溶液での洗浄を行わない以
外は、合成例１と同様の操作で下記の構造からなるポリ
カーボネート（ＰＣ−２）（［η_sp／ｃ］＝０．７７ｄ
ｌ／ｇ）１０２ｇを得た。

【０２１８】なお、式Ｂの化合物の合成は、式Ａの化合
物の合成法において、１段目の反応で得られる前駆体の
代わりに２，７−ナフタレンジオール（スガイ化学工業
（株）社製）３２ｇを用いた以外は式Ａの化合物の合成
法と同様の操作で行った。

【０２１９】このポリカーボネート（ＰＣ−２）のＩＲ
スペクトル分析の結果は、３０３０ｃｍ^-1、１５９０ｃ
ｍ^-1、８３０ｃｍ^-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ
^-1にカーボネート基による吸収、９１０ｃｍ^-1、９９０
ｃｍ^-1にビニル基に由来する吸収が見られ、カーボネー
ト結合及びエポキシ基を有することが認められた。得ら
れたポリカーボネート（ＰＣ−２）の共重合組成は¹Ｈ
−ＮＭＲ分析により決定した。これらの分析結果より、
ポリカーボネート（ＰＣ−２）は下記の繰り返し単位を
下記の組成で含有することがわかった。

【０２２０】

【化１０２】 合成例３ （ビフェニル型架橋性ポリカーボネート（ＰＣ−３）の
合成）合成例１において、式Ａの化合物を３，３′−ジ
ヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル２２．７ｇ
に変更し、メタクロロ過安息香酸との反応を行わず、Ｎ
ａＯＨ水溶液での洗浄を行わない以外は合成例１と同様
の操作で、下記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ
−３）（［η_sp／ｃ］＝０．７７ｄｌ／ｇ）１０２ｇを
得た。このポリカーボネート（ＰＣ−３）のＩＲスペク
トル分析の結果は、３０３０ｃｍ^-1、１５９０ｃｍ^-1、
８３０ｃｍ^-1にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ^-1にカ
ーボネート基による吸収、３３００ｃｍ^-1にアミノ基に
由来する吸収が見られ、カーボネート結合及びアミノ基
を有することが認められた。得られたポリカーボネート
（ＰＣ−３）の共重合組成は¹Ｈ−ＮＭＲ分析により決
定した。これらの分析結果より、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ−３）は下記の繰り返し単位を下記の組成で含有する
ことがわかった。

【０２２１】

【化１０３】 合成例４ （ナフタレン型架橋性ポリカーボネート（ＰＣ−４）の
合成）合成例１において、式Ａの化合物を式Ｂの化合物
２５．２ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作で下
記の構造からなるポリカーボネート（ＰＣ−４）（［η
_sp／ｃ］＝０．７９ｄｌ／ｇ）１０５ｇを得た。このポ
リカーボネート（ＰＣ−４）のＩＲスペクトル分析の結
果は、３０３０ｃｍ^-1、１５９０ｃｍ^-1、８３０ｃｍ^-1
にベンゼン環の吸収、１７３０ｃｍ^-1にカーボネート基
による吸収、１１３０ｃｍ^-1にエポキシ基に由来する吸
収が見られ、カーボネート結合及びエポキシ基を有する
ことが認められた。得られたポリカーボネート（ＰＣ−
４）の共重合組成は¹Ｈ−ＮＭＲ分析により決定した。
これらの分析結果より、ポリカーボネート（ＰＣ−４）
は下記の繰り返し単位を下記の組成で含有することがわ
かった。

【０２２２】

【化１０４】 実施例１ （ビフェニル型−イオン架橋タイプ）電荷輸送物質とし
て１−フェニル−１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
ン−６−カルボキシアルデヒド−１′，１′−ジフェニ
ルヒドラゾン（Ｃ−１）を用い、バインダー樹脂材料と
して（ＰＣ−１）、架橋剤としてキシリレンジアミン
（ＭＸＤＡ）を用い、（Ｃ−１）：（ＰＣ−１）：ＭＸ
ＤＡ：塩化メチレン＝１：１：０．２：８（重量比）の
溶液を調製し、塗工液とした。この塗工液は１ケ月放置
しても、白濁、ゲルの発生などは見られなかった。

【０２２３】アルミニウム製導電性基板（５０ｍｍ×５
０ｍｍの平板、及びφ１６８ｍｍ×３６０ｍｍの円筒状
の２種）上に、オキソチタニウムフタロシアニン：ブチ
ラール樹脂：塩化メチレン＝１：１：３８（重量比）の
分散液を浸漬塗工法により塗布し、オキソチタニウムフ
タロシアニンの層（約０．５μｍ）を電荷発生層として
形成した。その電荷発生層上に上記塗工液を浸漬塗工法
により塗布し、乾燥後引き続き１５０℃、１０時間の条
件で架橋反応を行い、約２０μｍの電荷輸送層を形成
し、積層型有機電子写真感光体を作製した。塗布から架
橋に至る過程で電荷輸送層が結晶化することはなかっ
た。

【０２２４】得られた有機電子写真感光体の劣化試験後
の表面の中心線平均粗さＲａ値、及び電子写真特性の評
価は、上記平板状の有機電子写真感光体を用いて行っ
た。

【０２２５】劣化試験は、スガ摩耗試験機ＮＵＳ−ＩＳ
Ｏ−３型（スガ試験機（株）製）を用いて行った。試験
条件は、５００ｇの荷重をかけた摩耗試験紙（スガ試験
機（株）製、Ａｌ₂Ｏ₃、３μｍ研摩紙）上で上記積層型
有機電子写真感光体のサンプルを２０００回往復運動さ
せ、その重量減少量及び表面の中心線平均粗さＲａ値の
測定（ＪＩＳ−Ｂ−０６０１準拠、（株）東京精密製、
表面粗さ形状測定機サーフコム５７５Ａ使用）、及び劣
化試験前後の電子写真特性（静電気帯電試験装置ＥＰＡ
−８１００（株式会社川口電機製作所製）を用い、−６
ｋＶのコロナ放電を行い、初期表面電位（Ｖ₀）、光照
射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（Ｖ_R）、半減露光
量（Ｅ_1/2）を測定）を測定することにより評価した。
結果を表１及び表２に示す。

【０２２６】また、得られた有機電子写真感光体の実機
の使用を繰り返した際の耐トナーフィルミング性劣化具
合の評価は、上記円筒状の有機電子写真感光体を用いて
行った。

【０２２７】評価は、市販の複写機（カールソン方式、
有機電子写真感光体使用、円筒状ドラム使用（φ１６８
ｍｍ×３６０ｍｍ、アルミニウム製）、コロナ帯電方式
（電圧−８００Ｖ）、ブレードクリーニング方式（ウレ
タン製ブレード、ブレード圧１ｋｇ／ｃｍ²）、２成分
系現像剤（スチレンアクリルトナー、フェライトキャリ
アー使用））に、上記有機電子写真感光体を搭載した試
験機を用い、２２〜２７℃、湿度１０〜３０％の条件下
でテストパターンの複写をＡ４サイズ縦置きで３万枚ま
で繰り返し、得られた有機電子写真感光体に目視可能な
黒点（トナーフィルミングを起こし、トナー成分が有機
電子写真感光体に付着したもの）が、１０ｍｍ×１０ｍ
ｍの中にいくつ存在するか観測し、評価を行った。得ら
れた結果を表３に示す。

【０２２８】実施例２ （ナフタレン型−ラジカル架橋タイプ）実施例１で用い
た（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−２）を用い、ＭＸＤ
Ａの代わりにアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）
を用い、乾燥後の条件を１２０℃、１時間に変更した以
外は、実施例１と同様の材料配合割合及び操作で積層型
有機電子写真感光体を作製した。

【０２２９】得られた有機電子写真感光体につき、実施
例１と同様の方法で劣化試験、劣化試験前後の電子写真
特性試験、及び耐トナーフィルミング性の試験を行っ
た。結果を表３に示す。

【０２３０】なお、本実施例で調製した塗工液は、１ケ
月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られなかっ
た。

【０２３１】実施例３ （ビフェニル型−イオン架橋タイプ）実施例１で用いた
（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−３）を用い、ＭＸＤＡ
の代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ
当量：１３００）を用いた以外は実施例１と同様の材料
配合割合及び操作で積層型有機電子写真感光体を作製し
た。

【０２３２】得られた有機電子写真感光体につき、実施
例１と同様の方法で劣化試験、劣化試験前後の電子写真
特性試験、及び耐トナーフィルミング性の試験を行っ
た。結果を表３に示す。

【０２３３】なお、本実施例で調製した塗工液は、１ケ
月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られなかっ
た。

【０２３４】実施例４ （ナフタレン型−イオン架橋タイプ）実施例１で用いた
（ＰＣ−１）の代わりに（ＰＣ−４）を用いた以外は、
実施例１と同様の材料配合割合及び操作で積層型有機電
子写真感光体を作製した。

【０２３５】得られた有機電子写真感光体につき、実施
例１と同様の方法で劣化試験、劣化試験前後の電子写真
特性試験、及び耐トナーフィルミング性の試験を行っ
た。結果を表３に示す。

【０２３６】なお、本実施例で調製した塗工液は、１ケ
月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られなかっ
た。

【０２３７】比較例１ 特開平４−２９１３４８号公報記載の実施例の架橋前の
ポリカーボネートを製造するまでの方法に従い、下記の
操作でポリカーボネート（ＰＣ−５）を合成した。

【０２３８】攪拌機、温度計、ガス導入管及び還流冷却
器を備えた三つ口丸底フラスコに、乾燥窒素ガスを流し
ながら、４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液５
３．７部、水２３０．８部、３，３′−ジアリルビスフ
ェノールＡ３１．４部、ビスフェノールＺ２７．３部を
仕込んで溶解した。この溶液を氷浴で２０℃に冷却し、
撹拌しながらホスゲンガス２６．２部を１時間かけて徐
々に導入した。その後４８．５重量％の水酸化ナトリウ
ム水溶液８．４部を加え、更に反応停止剤としてｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール０．６１部を加えた後、３０
℃で１時間重合反応を続けた。反応収量後、塩化メチレ
ン層を分離して塩酸酸性にした後、水洗を繰り返し、溶
存塩類を除去した。その後、塩化メチレンを蒸発して固
体を得た。得られた固体は、下記の繰り返し単位及び共
重合組成を有するものであった。

【０２３９】

【化１０５】 （ＰＣ−５）：（Ｃ−１）：ペンタエリスリトールテト
ラキス（３−メルカプトプロピオネート）（架橋剤）：
イルガキュアー９０７（架橋剤：チバ・ガイギー社
製）：塩化メチレン＝１：１：０．１：０．０１：８
（重量比）の溶液を調製し、電荷輸送層形成用の塗工液
とした。以下、この塗工液塗布後の乾燥まで実施例１と
同様の操作を行った。乾燥後、８０ｗ／ｃｍ²の照射エ
ネルギーを持つ高圧水銀灯により５秒間照射し、架橋し
た積層型有機電子写真感光体を作製した。

【０２４０】得られた有機電子写真感光体につき、実施
例１と同様の方法で劣化試験、劣化試験前後の電子写真
特性試験、及び耐トナーフィルミング性の試験を行っ
た。結果を表３に示す。

【０２４１】なお、本実施例で調製した塗工液は、１ケ
月放置しても、白濁、ゲルの発生などは見られなかっ
た。

【０２４２】

【表１】

【０２４３】

【表２】

【０２４４】

【表３】

【０２４５】

【発明の効果】本発明の有機電子写真感光体は、感光層
の表面が表面硬度が高く、耐摩耗性に優れるのみなら
ず、摩耗後も表面粗さの増加の極めて少ない物質で形成
されていることから、長期間に亘って優れた電子写真特
性及び耐トナーフィルミング性を維持するものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金丸 正実 千葉県袖ケ浦市上泉1280番地 出光興産株 式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基体上に感光層を設けた有機電子
   写真感光体において、中心線平均粗さＲａ値が０．０１
   〜０．１５μｍである表面に、研磨粒子がＡｌ₂Ｏ₃３μ
   ｍの研摩紙を荷重５００ｇで２０００回往復させる研磨
   試験を行った場合、該研磨試験後の中心線平均粗さＲａ
   値が０．１７μｍ以下となる物質で形成された表面を有
   することを特徴とする有機電子写真感光体。
2. 【請求項２】 感光層を形成している物質がバインダー
   樹脂として架橋ポリカーボネートを含有する請求項１記
   載の有機電子写真感光体。
3. 【請求項３】 感光層が、架橋ポリカーボネートを含有
   する表面保護層を有する請求項１記載の有機電子写真感
   光体。
4. 【請求項４】 架橋ポリカーボネートが、下記一般式
   （Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）及び下記一般式
   （ＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩ）からなり、塩
   化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２
   ０℃における還元粘度が０．５〜２０．０ｄｌ／ｇであ
   る架橋性ポリカーボネートの架橋物である請求項２又は
   ３記載の有機電子写真感光体。 【化１】 ［式中、Ｒ¹及びＲ²は各々独立にハロゲン原子、炭素数
   １〜６のアルキル基、炭素数５〜１１のシクロアルキル
   基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基
   を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−
   ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ³Ｒ⁴−（Ｒ³及びＲ⁴は各々
   独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜
   ６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置
   換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の１，１−
   シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アル
   キレン基又は下記式（ａ） 【化２】 （式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基
   を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｒ
   ⁵及びＲ⁶は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜６のア
   ルキル基、炭素数１〜４のアルキルオキシ基、炭素数６
   〜１２の置換若しくは無置換のアリール基又は炭素数６
   〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基を表
   し、ＦＧは 【化３】 （式中、ｈは０〜４の整数を表し、Ｒ⁷及びＲ⁸は各々独
   立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数
   ６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基を表す。）
   を表し、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは各々独立に０〜４の整数を
   表し、但しｄ＋ｅ＝１〜８、ｄ＋ｆ＝０〜４、ｅ＋ｇ＝
   ０〜４である。］
5. 【請求項５】 架橋ポリカーボネートが、下記一般式
   （Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）及び下記一般式
   （ＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ＩＩ）からなり塩
   化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２
   ０℃における還元粘度が０．１〜２０．０ｄｌ／ｇであ
   る架橋性ポリカーボネートの架橋物である請求項２又は
   ３記載の有機電子写真感光体。 【化４】 ［式中、Ｒ¹及びＲ²は各々独立にハロゲン原子、炭素数
   １〜６のアルキル基、炭素数５〜１１のシクロアルキル
   基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基
   を表し、Ｙは単結合或は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−
   ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ³Ｒ⁴−（Ｒ³及びＲ⁴は各々
   独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜
   ６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置
   換のアリール基である。）、炭素数５〜１１の１，１−
   シクロアルキリデン基、炭素数２〜１２のα，ω−アル
   キレン基又は下記式（ａ） 【化５】 （式中、ｃは０〜４の整数である。）で表される２価基
   を表し、ａ及びｂは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｒ
   ⁹及びＲ¹⁰は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜６の
   アルキル基、炭素数１〜４のアルキルオキシ基、炭素数
   ６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基又は炭素数
   ６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ基を表
   し、ＦＧは 【化６】 （式中、ｈは０〜４の整数を表し、Ｒ⁷及びＲ⁸は各々独
   立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数
   ６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基を表す。）
   を表し、ｉ、ｊ、ｋ及びｌは各々独立に０〜３の整数を
   表し、但しｉ＋ｊ＝１〜６、ｉ＋ｋ＝０〜３、ｊ＋ｌ＝
   ０〜３である。］