JPH1020483A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH1020483A JPH1020483A JP8169667A JP16966796A JPH1020483A JP H1020483 A JPH1020483 A JP H1020483A JP 8169667 A JP8169667 A JP 8169667A JP 16966796 A JP16966796 A JP 16966796A JP H1020483 A JPH1020483 A JP H1020483A
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- resin
- resin layer
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- insulating resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁樹脂層上に形成したボンディングパッドに
ワイヤボンディングする際、ワイヤボンディング接続不
良を起こさないで、且つ絶縁樹脂層とモールド樹脂との
剥離が発生しない絶縁樹脂層を形成する感光性樹脂組成
物を提供することを目的とする。 【解決手段】エポキシ基の少なくとも一つ以上がアクリ
ル変性もしくはメタクリル変性したエポキシ樹脂化合物
と、光重合性モノマーと、光重合開始剤と、フィラー
と、硬化剤と、有機溶剤とからなる感光性樹脂にメトキ
シメチルメラミンを添加し、前記メトキシメチルメラミ
ンの添加量が前記エポキシ樹脂化合物に対し０．１当量
〜１．９当量であることを特徴とする感光性樹脂組成物
である。
ワイヤボンディングする際、ワイヤボンディング接続不
良を起こさないで、且つ絶縁樹脂層とモールド樹脂との
剥離が発生しない絶縁樹脂層を形成する感光性樹脂組成
物を提供することを目的とする。 【解決手段】エポキシ基の少なくとも一つ以上がアクリ
ル変性もしくはメタクリル変性したエポキシ樹脂化合物
と、光重合性モノマーと、光重合開始剤と、フィラー
と、硬化剤と、有機溶剤とからなる感光性樹脂にメトキ
シメチルメラミンを添加し、前記メトキシメチルメラミ
ンの添加量が前記エポキシ樹脂化合物に対し０．１当量
〜１．９当量であることを特徴とする感光性樹脂組成物
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は配線層と絶縁樹脂層
とを交互にビルドアップして形成してなる多層配線板及
び半導体装置において、その絶縁樹脂層を形成している
感光性樹脂組成物に関する。
とを交互にビルドアップして形成してなる多層配線板及
び半導体装置において、その絶縁樹脂層を形成している
感光性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップをプリント配線板などの外
部回路表面に接続する、いわゆる、表面実装タイプの代
表的な装置として、クワッド・フラットパッケージ（以
下、ＱＦＰと称する）がある。
部回路表面に接続する、いわゆる、表面実装タイプの代
表的な装置として、クワッド・フラットパッケージ（以
下、ＱＦＰと称する）がある。
【０００３】ＱＦＰはパッケージの内部で半導体チップ
１１とリードフレームのインナーリード１２とをワイヤ
ボンディング等により接続し、半導体チップを合む領域
を樹脂にてモールドしてパッケージ１４とし、その四辺
からリードフレームのアウターリードを引き出し、前記
アウターリードをガルウイング状に形成し、外部回路と
接続する方式の半導体パッケージであり、最も広く普及
している（図２参照）。
１１とリードフレームのインナーリード１２とをワイヤ
ボンディング等により接続し、半導体チップを合む領域
を樹脂にてモールドしてパッケージ１４とし、その四辺
からリードフレームのアウターリードを引き出し、前記
アウターリードをガルウイング状に形成し、外部回路と
接続する方式の半導体パッケージであり、最も広く普及
している（図２参照）。
【０００４】昨今、新規な表面実装接続用装置として、
ＢＧＡ型のチップキャリアが普及しつつある。前記装置
の一例として、特開昭５９ー１７２７５８号公報に例示
されるような外部回路に直接的表面取付けがでさるリー
ドレス・チップキャリアに関するものがあげられる。
ＢＧＡ型のチップキャリアが普及しつつある。前記装置
の一例として、特開昭５９ー１７２７５８号公報に例示
されるような外部回路に直接的表面取付けがでさるリー
ドレス・チップキャリアに関するものがあげられる。
【０００５】さらに、複数のチップを搭載したり、ある
いは電気特性を考慮して、より設計の自由度を持たせる
ために基板上に絶縁樹脂層と導体パターン層を交互に積
層した多層配線層を形成することが一般的である。
いは電気特性を考慮して、より設計の自由度を持たせる
ために基板上に絶縁樹脂層と導体パターン層を交互に積
層した多層配線層を形成することが一般的である。
【０００６】ＱＦＰに対してのＢＧＡの利点は、特に実
装密度の向上であり、ＱＦＰを取り付けるのに必要な外
部回路基板の実質的面積よりも、ＢＧＡを取りつけるの
に必要な前記面積が大幅に小さくなる点にある。
装密度の向上であり、ＱＦＰを取り付けるのに必要な外
部回路基板の実質的面積よりも、ＢＧＡを取りつけるの
に必要な前記面積が大幅に小さくなる点にある。
【０００７】また、第二の利点としては、外部回路基板
への接続の容易さがあげられる。ＱＦＰのアウターリー
ドピッチが狭くなるにつれて、ダムバーを切断する技術
や外部回路基板へ半田付けする技術が困難になってきて
おり、半田バンプを面状に配置したＢＧＡの方が容易に
外部回路基板へ接続が可能である。
への接続の容易さがあげられる。ＱＦＰのアウターリー
ドピッチが狭くなるにつれて、ダムバーを切断する技術
や外部回路基板へ半田付けする技術が困難になってきて
おり、半田バンプを面状に配置したＢＧＡの方が容易に
外部回路基板へ接続が可能である。
【０００８】一般的なＢＧＡ型の半導体装置は、プリン
ト配線板用の銅張積層板（ビスマレイミド・トリアジン
系樹脂、いわゆるＢＴレジン系樹脂等からなる絶縁性基
板の両面に、銅箔を貼り合わせたもの）をベース基板と
し、片面には絶縁樹脂層、導体パターン層を交互に積層
し、最上層には半導体チップ搭載部とワイヤボンディン
グパッド部を、また、ベース基板反対面には半田パッド
を形成している。
ト配線板用の銅張積層板（ビスマレイミド・トリアジン
系樹脂、いわゆるＢＴレジン系樹脂等からなる絶縁性基
板の両面に、銅箔を貼り合わせたもの）をベース基板と
し、片面には絶縁樹脂層、導体パターン層を交互に積層
し、最上層には半導体チップ搭載部とワイヤボンディン
グパッド部を、また、ベース基板反対面には半田パッド
を形成している。
【０００９】ここで、多層配線層の形成方法をより詳細
に説明する。ベース基板上面の導体層をフォトエッチン
グ法によりパターニング加工した後、感光性樹脂溶液を
コーティングして感光性絶縁樹脂層を形成し、露光、現
像を行い、上下間の導体層を導通させるためのバイアホ
ール形成孔を有する絶縁樹脂層を形成する。次に、めっ
きによって前記絶縁樹脂層上に導体層と前記バイアホー
ルを形成する。さらに、フォトエッチング法によりパタ
ーニング加工し、配線パターンを形成する。多層化が必
要な場合は、同様の工程を繰り返す。
に説明する。ベース基板上面の導体層をフォトエッチン
グ法によりパターニング加工した後、感光性樹脂溶液を
コーティングして感光性絶縁樹脂層を形成し、露光、現
像を行い、上下間の導体層を導通させるためのバイアホ
ール形成孔を有する絶縁樹脂層を形成する。次に、めっ
きによって前記絶縁樹脂層上に導体層と前記バイアホー
ルを形成する。さらに、フォトエッチング法によりパタ
ーニング加工し、配線パターンを形成する。多層化が必
要な場合は、同様の工程を繰り返す。
【００１０】これら多層配線板に半導体チップを搭載
し、ワイヤボンディング接合を行った後、モールド樹脂
を用い、半導体装置上面部を封止する。下面において
は、半田電極パッド上に半田ボールを配し、リフロー炉
によって、半田バンプを形成する。
し、ワイヤボンディング接合を行った後、モールド樹脂
を用い、半導体装置上面部を封止する。下面において
は、半田電極パッド上に半田ボールを配し、リフロー炉
によって、半田バンプを形成する。
【００１１】上記の絶縁樹脂層に用いられる従来の感光
性樹脂組成物は、その多くがネガタイプであり、主な組
成は、 （１）主たる樹脂マトリックスを形成するベース樹脂。
その種類は、電気絶縁性、耐熱性や低価格という点から
エポキシ樹脂化合物が一般的に選ばれる。 （２）露光により、樹脂マトリックスのパターンを形成
するためのパターン形成剤。たとえば、光重合によって
樹脂マトリックスの一部を形成する光重合性モノマー。
また、ベース樹脂（１）自体にパターン形成能力を持た
せる場合もある。 （３）露光により、パターン形成剤（光重合性モノマ
ー）にパターンを形成させるべく、重合を開始させる光
重合開始剤。 （４）形成した樹脂マトリックスパターンを最終工程に
て、熱硬化させて、耐熱性、耐薬品性をもたせるための
硬化剤。 （５）機械的強度等を付与させるためのフィラー。 （６）適切な膜厚に塗布する目的で、粘度を調整するた
めの有機溶剤からなる。
性樹脂組成物は、その多くがネガタイプであり、主な組
成は、 （１）主たる樹脂マトリックスを形成するベース樹脂。
その種類は、電気絶縁性、耐熱性や低価格という点から
エポキシ樹脂化合物が一般的に選ばれる。 （２）露光により、樹脂マトリックスのパターンを形成
するためのパターン形成剤。たとえば、光重合によって
樹脂マトリックスの一部を形成する光重合性モノマー。
また、ベース樹脂（１）自体にパターン形成能力を持た
せる場合もある。 （３）露光により、パターン形成剤（光重合性モノマ
ー）にパターンを形成させるべく、重合を開始させる光
重合開始剤。 （４）形成した樹脂マトリックスパターンを最終工程に
て、熱硬化させて、耐熱性、耐薬品性をもたせるための
硬化剤。 （５）機械的強度等を付与させるためのフィラー。 （６）適切な膜厚に塗布する目的で、粘度を調整するた
めの有機溶剤からなる。
【００１２】上記のような感光性樹脂組成物で絶縁樹脂
層を形成したＢＧＡ型の半導体装置では、以下にあげる
間題点を有する。
層を形成したＢＧＡ型の半導体装置では、以下にあげる
間題点を有する。
【００１３】従来の感光性樹脂組成物で形成した絶縁樹
脂層のガラス転移点は１３０℃〜１７０℃であり、その
上に形成したボンディングパッドにワイヤボンディング
する際、ワイヤボンディング時の加熱による絶縁樹脂層
の軟化のため、ワイヤボンディング接続不良が起こり易
いという間題点がある。
脂層のガラス転移点は１３０℃〜１７０℃であり、その
上に形成したボンディングパッドにワイヤボンディング
する際、ワイヤボンディング時の加熱による絶縁樹脂層
の軟化のため、ワイヤボンディング接続不良が起こり易
いという間題点がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の間題
点を解決しようとするものであり、絶縁樹脂層上に形成
したボンディングパッドにワイヤボンディングする際、
ワイヤボンディング接続不良を起こさないで、且つ絶縁
樹脂層とモールド樹脂との剥離が発生しない、信頼性の
高い半導体装置を提供することを目的とする。
点を解決しようとするものであり、絶縁樹脂層上に形成
したボンディングパッドにワイヤボンディングする際、
ワイヤボンディング接続不良を起こさないで、且つ絶縁
樹脂層とモールド樹脂との剥離が発生しない、信頼性の
高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、多層配線
板を構成する絶縁樹脂層がエポキシ基の少なくとも一つ
以上がアクリル変性もしくはメタクリル変性したエポキ
シ樹脂化合物と、光重合性モノマーと、光重合開始剤
と、フィラーと、硬化剤と、有機溶剤とからなる感光性
樹脂において、該感光性樹脂にメトキシメチルメラミン
を添加したことを特徴とする感光性樹脂組成物としたも
のである。
を達成するために、まず請求項１においては、多層配線
板を構成する絶縁樹脂層がエポキシ基の少なくとも一つ
以上がアクリル変性もしくはメタクリル変性したエポキ
シ樹脂化合物と、光重合性モノマーと、光重合開始剤
と、フィラーと、硬化剤と、有機溶剤とからなる感光性
樹脂において、該感光性樹脂にメトキシメチルメラミン
を添加したことを特徴とする感光性樹脂組成物としたも
のである。
【００１６】また、請求項２においては、前記メトキシ
メチルメラミンの添加量を前記エポキシ樹脂化合物に対
し０．１当量〜１．９当量にした感光性樹脂組成物とし
たものである。
メチルメラミンの添加量を前記エポキシ樹脂化合物に対
し０．１当量〜１．９当量にした感光性樹脂組成物とし
たものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】多層配線板及び半導体装置の絶縁
樹脂層に使用される本発明の感光性樹脂組成物及びその
使用例について詳細に説明する。本発明の感光性樹脂組
成物は、エポキシ基の少なくとも一つ以上がアクリル変
性もしくはメタクリル変性したエポキシ樹脂化合物と、
光重合性モノマーと、光重合開始剤と、無機フィラー
と、硬化剤と、有機溶剤とからなる感光性樹脂にメトキ
シメチルメラミンを添加したものである。
樹脂層に使用される本発明の感光性樹脂組成物及びその
使用例について詳細に説明する。本発明の感光性樹脂組
成物は、エポキシ基の少なくとも一つ以上がアクリル変
性もしくはメタクリル変性したエポキシ樹脂化合物と、
光重合性モノマーと、光重合開始剤と、無機フィラー
と、硬化剤と、有機溶剤とからなる感光性樹脂にメトキ
シメチルメラミンを添加したものである。
【００１８】ここで、メトキシメチルメラミンを添加す
ることは、メトキシメチルメラミンのメトキシ基とバイ
ンダー樹脂のカルボキシル基が脱アルコール反応により
マトリクスを形成すると思われ、結果として高Ｔｇ化が
達成できる。この際、前記感光性樹脂に添加するメトキ
シメチルメラミンの添加量は前記エポキシ樹脂化合物に
対し、０．１当量〜１．９当量、好ましくは０．５〜
１．５当量とした。添加量が１．９当量より多いと添加
の効果が薄れるばかりでなく、メトキシメラミンが相分
離してワイヤボンディング時に悪影響を与える。０．１
当量より少ないと添加の効果があらわれない。
ることは、メトキシメチルメラミンのメトキシ基とバイ
ンダー樹脂のカルボキシル基が脱アルコール反応により
マトリクスを形成すると思われ、結果として高Ｔｇ化が
達成できる。この際、前記感光性樹脂に添加するメトキ
シメチルメラミンの添加量は前記エポキシ樹脂化合物に
対し、０．１当量〜１．９当量、好ましくは０．５〜
１．５当量とした。添加量が１．９当量より多いと添加
の効果が薄れるばかりでなく、メトキシメラミンが相分
離してワイヤボンディング時に悪影響を与える。０．１
当量より少ないと添加の効果があらわれない。
【００１９】さらに、メトキシメチルメラミンを添加し
た感光性樹脂組成物で形成した絶縁樹脂層では、ガラス
転移温度（ＤＭＡ：動的粘弾性分折法にて測定）を１８
０℃〜２７０℃に向上させることができる（無添加系で
は１３０℃〜１５０℃である）。これは、ワイヤボンデ
ィング時において、ボンディングパッドの下地絶縁樹脂
層が軟化せず、安定したワイヤボンディングが行えるよ
うになる。
た感光性樹脂組成物で形成した絶縁樹脂層では、ガラス
転移温度（ＤＭＡ：動的粘弾性分折法にて測定）を１８
０℃〜２７０℃に向上させることができる（無添加系で
は１３０℃〜１５０℃である）。これは、ワイヤボンデ
ィング時において、ボンディングパッドの下地絶縁樹脂
層が軟化せず、安定したワイヤボンディングが行えるよ
うになる。
【００２０】ここで、エポキシ樹脂化合物としては、ビ
スフェノール型エポキシ、ノボラックあるいはクレゾー
ル型エポキシ等があげられ、化合物中のエポキシ基の少
なくとも一つがアクリル変性もしくはメタクリル変性さ
れている。
スフェノール型エポキシ、ノボラックあるいはクレゾー
ル型エポキシ等があげられ、化合物中のエポキシ基の少
なくとも一つがアクリル変性もしくはメタクリル変性さ
れている。
【００２１】また、光重合性モノマーとしては、末端エ
チレン基を少なくとも２個以上を有するアクリル系モノ
マーで、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エ
チレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート等があるが、好ま
しくは４以上の官能基を有するアクリル系モノマーで、
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート等、特に
好ましくは５乃至６の官能基を有するアクリル系モノマ
ーである、ジペンタエリスリトールペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等があ
げられる。
チレン基を少なくとも２個以上を有するアクリル系モノ
マーで、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エ
チレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート等があるが、好ま
しくは４以上の官能基を有するアクリル系モノマーで、
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート等、特に
好ましくは５乃至６の官能基を有するアクリル系モノマ
ーである、ジペンタエリスリトールペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等があ
げられる。
【００２２】また、光重合開始剤としては、ジアゾ化合
吻、アジド化合物、アセトフェノンベンジルジメチルケ
タール、ベンゾフェノン系化合物等があげられる。
吻、アジド化合物、アセトフェノンベンジルジメチルケ
タール、ベンゾフェノン系化合物等があげられる。
【００２３】また、硬化剤としては、ベンジルジメチル
アミン、イミダゾール類は２−メチルイミダゾール、２
−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ
−６−（２−ウンデシル−１−イミダゾリルエチル）−
１，３，５−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールトリメリテート、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾールトリメリテート、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールトリメリテ
ート等、その他にジシアンジアミド、第３アミン塩、イ
ミダゾール塩、アミンイミド等を例示することができ
る。
アミン、イミダゾール類は２−メチルイミダゾール、２
−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ
−６−（２−ウンデシル−１−イミダゾリルエチル）−
１，３，５−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールトリメリテート、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾールトリメリテート、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールトリメリテ
ート等、その他にジシアンジアミド、第３アミン塩、イ
ミダゾール塩、アミンイミド等を例示することができ
る。
【００２４】また、有機溶剤としては、ブチルセルソル
ブ、エチルセルソルブ、カルビトール、石油ソルベン
ト、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジグライ
ム、トルエン、キシレン、エチルセルソルブアセテート
等をあげることができる。また、これらを二種以上混合
した混合溶媒を用いてもよい。
ブ、エチルセルソルブ、カルビトール、石油ソルベン
ト、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジグライ
ム、トルエン、キシレン、エチルセルソルブアセテート
等をあげることができる。また、これらを二種以上混合
した混合溶媒を用いてもよい。
【００２５】また、感光性樹脂に無機フィラーを添加す
ることは、樹脂の収縮を抑えるために好ましい。樹脂が
収縮すると、基板から剥離する恐れがある。無機フィラ
ーの例としては、シリカ、タルク、硫酸バリウム等を例
示することができる。
ることは、樹脂の収縮を抑えるために好ましい。樹脂が
収縮すると、基板から剥離する恐れがある。無機フィラ
ーの例としては、シリカ、タルク、硫酸バリウム等を例
示することができる。
【００２６】次に、本発明の感光性樹脂組成物を多層配
線板及び半導体装置に適用した例について説明する。プ
リント配線板用の銅張積層板（ビスマレイミド・トリア
ジン系樹脂、いわゆる、ＢＴレジン系樹脂等からなる絶
縁性基板５の両面に、銅箔を貼り合わせたもの）をベー
ス基板とし、まず、絶縁性基板５上の銅箔をフォトプロ
セスによりパターニング加工し、第１導体配線層３ｃを
形成する。さらに、前記感光性樹脂組成物をコーティン
グして感光性絶縁樹脂層を形成し、露光、現像を行い、
上下間の導体層を導通させるためのバイアホール形成孔
を有する絶縁樹脂層１を形成する。次に、めっきによっ
て、絶縁樹脂層１上に第２導体層とバイアホールを形成
する。さらに、パターニング加工して第２導体配線層２
を形成し、多層配線板を作製する（図１参照）。さら
に、多層化が必要な場合は、同様の工程を繰り返す。
線板及び半導体装置に適用した例について説明する。プ
リント配線板用の銅張積層板（ビスマレイミド・トリア
ジン系樹脂、いわゆる、ＢＴレジン系樹脂等からなる絶
縁性基板５の両面に、銅箔を貼り合わせたもの）をベー
ス基板とし、まず、絶縁性基板５上の銅箔をフォトプロ
セスによりパターニング加工し、第１導体配線層３ｃを
形成する。さらに、前記感光性樹脂組成物をコーティン
グして感光性絶縁樹脂層を形成し、露光、現像を行い、
上下間の導体層を導通させるためのバイアホール形成孔
を有する絶縁樹脂層１を形成する。次に、めっきによっ
て、絶縁樹脂層１上に第２導体層とバイアホールを形成
する。さらに、パターニング加工して第２導体配線層２
を形成し、多層配線板を作製する（図１参照）。さら
に、多層化が必要な場合は、同様の工程を繰り返す。
【００２７】最後に、これら多層配線板に半導体チップ
６を搭載し、金ワイヤ７によりワイヤボンディング接合
を行った後、モールド樹脂８により、半導体装置上面部
を封止する。下面においては、半田電極パッド４上に半
田ボールを配し、リフロー炉によって、半田バンプ９を
形成し、半導体装置が完成する（図１参照）。
６を搭載し、金ワイヤ７によりワイヤボンディング接合
を行った後、モールド樹脂８により、半導体装置上面部
を封止する。下面においては、半田電極パッド４上に半
田ボールを配し、リフロー炉によって、半田バンプ９を
形成し、半導体装置が完成する（図１参照）。
【００２８】
【実施例】以下、本発明における感光性樹脂組成物につ
いて、実施例に従い説明する。
いて、実施例に従い説明する。
【００２９】〈実施例１〉酸価４２．６のノボラック型
エポキシアクリレート樹脂１６．５ｇに対して、光重合
性モノマーとしてＴＭＡ−Ａ（共栄社化学（株）製）を
１．３ｇ、光重合開始剤としてベンジルジメチルケター
ルを１．１ｇ加え、無機フィラーとして平均粒径１．０
μｍのシリカ３ｇを加え、さらに、メトキシメチルメラ
ミンとしてニカラックＭＳ２１（三洋ケミカル（株）
製）を１当量（１．４７ｇ）加え、十分に混練して感光
性樹脂組成物を作製した。塗布前に硬化剤として、２−
エチル−４−メチルイミダゾールを０．２５ｇ加え感光
性樹脂組成物（Ａ）とした。
エポキシアクリレート樹脂１６．５ｇに対して、光重合
性モノマーとしてＴＭＡ−Ａ（共栄社化学（株）製）を
１．３ｇ、光重合開始剤としてベンジルジメチルケター
ルを１．１ｇ加え、無機フィラーとして平均粒径１．０
μｍのシリカ３ｇを加え、さらに、メトキシメチルメラ
ミンとしてニカラックＭＳ２１（三洋ケミカル（株）
製）を１当量（１．４７ｇ）加え、十分に混練して感光
性樹脂組成物を作製した。塗布前に硬化剤として、２−
エチル−４−メチルイミダゾールを０．２５ｇ加え感光
性樹脂組成物（Ａ）とした。
【００３０】次に、上記感光性樹脂組成物（Ａ）をポリ
イミド上にスクリーン印刷し、９０℃、３０分間のプリ
ベークを行った。放冷後、１５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量
で露光を行い、続いて１５０度℃、６０分間のポストベ
ークを行った。
イミド上にスクリーン印刷し、９０℃、３０分間のプリ
ベークを行った。放冷後、１５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量
で露光を行い、続いて１５０度℃、６０分間のポストベ
ークを行った。
【００３１】その後、このフィルムをポリイミド上から
引き剥がし、１０×２０ｍｍに断裁してから、動的粘弾
性測定装置（機種名；ＲＨＥＯＬＯＧＲＡＰＨ ＳＯＬ
ＩＤ（株）東洋精機製作所製）にてｔａｎδのピーク温
度を測定したところ２６０℃であった。
引き剥がし、１０×２０ｍｍに断裁してから、動的粘弾
性測定装置（機種名；ＲＨＥＯＬＯＧＲＡＰＨ ＳＯＬ
ＩＤ（株）東洋精機製作所製）にてｔａｎδのピーク温
度を測定したところ２６０℃であった。
【００３２】〈実施例２〉酸価４２．６のノボラック型
エポキシアクリレート樹脂１６．５ｇに対して、光重合
性モノマーとしてＴＭＡ−Ａ（共栄社化学（株）製）を
１．３ｇ、光重合開始剤としてベンジルジメチルケター
ルを１．１ｇ加え、無機フィラーとして平均粒径１．０
μｍのシリカ３ｇを加え、さらに、メトキシメチルメラ
ミンとしてニカラックＭＳ２１（三洋ケミカル（株）
製）を２当量（２．９４ｇ）加え、十分に混練して感光
性樹脂組成物を作製した。塗布前に硬化剤として、２−
エチル−４−メチルイミダゾールを０．２５ｇ加え感光
性樹脂組成物（Ｂ）とした。
エポキシアクリレート樹脂１６．５ｇに対して、光重合
性モノマーとしてＴＭＡ−Ａ（共栄社化学（株）製）を
１．３ｇ、光重合開始剤としてベンジルジメチルケター
ルを１．１ｇ加え、無機フィラーとして平均粒径１．０
μｍのシリカ３ｇを加え、さらに、メトキシメチルメラ
ミンとしてニカラックＭＳ２１（三洋ケミカル（株）
製）を２当量（２．９４ｇ）加え、十分に混練して感光
性樹脂組成物を作製した。塗布前に硬化剤として、２−
エチル−４−メチルイミダゾールを０．２５ｇ加え感光
性樹脂組成物（Ｂ）とした。
【００３３】上記感光性樹脂組成物（Ｂ）を実施例１と
同様な方法で塗布し、ガラス転移点測定サンプルを作製
し、実施例１と同様な装置及び方法でガラス転移点を測
定したところ、２８５℃であったが、１７０℃に分離ピ
ークが現れた。メトキシメチルメラミンが過剰であるこ
とを示している。
同様な方法で塗布し、ガラス転移点測定サンプルを作製
し、実施例１と同様な装置及び方法でガラス転移点を測
定したところ、２８５℃であったが、１７０℃に分離ピ
ークが現れた。メトキシメチルメラミンが過剰であるこ
とを示している。
【００３４】〈比較例〉一方、実施例１と同じ方法で、
酸価４２．６のノボラック型エポキシアクリレート樹脂
１６．５ｇに対して、光重合性モノマーとしてＴＭＡ−
Ａ（共栄社化学（株）製）を１．３ｇ、光重合開始剤と
してベンジルジメチルケタールを１．１ｇ加え、無機フ
ィラーとして平均粒径１．０μｍのシリカ３ｇを加え、
十分に混練して、メトキシメチルメラミンを添加しない
系の感光性樹脂組成物を作製した。塗布前に硬化剤とし
て、２−エチル−４−メチルイミダゾールを０．２５ｇ
加え感光性樹脂組成物（Ｃ）とした。
酸価４２．６のノボラック型エポキシアクリレート樹脂
１６．５ｇに対して、光重合性モノマーとしてＴＭＡ−
Ａ（共栄社化学（株）製）を１．３ｇ、光重合開始剤と
してベンジルジメチルケタールを１．１ｇ加え、無機フ
ィラーとして平均粒径１．０μｍのシリカ３ｇを加え、
十分に混練して、メトキシメチルメラミンを添加しない
系の感光性樹脂組成物を作製した。塗布前に硬化剤とし
て、２−エチル−４−メチルイミダゾールを０．２５ｇ
加え感光性樹脂組成物（Ｃ）とした。
【００３５】上記感光性樹脂組成物（Ｃ）を実施例１と
同様な方法で塗布し、ガラス転移点測定サンプルを作製
し、実施例１と同様な装置及び方法でガラス転移点を測
定した結果、１６４℃であった。
同様な方法で塗布し、ガラス転移点測定サンプルを作製
し、実施例１と同様な装置及び方法でガラス転移点を測
定した結果、１６４℃であった。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明のメトキシメチル
メラミン樹脂を添加した感光性樹脂組成物により絶縁樹
脂層を形成したチップキャリアは、ワイヤボンディング
時の加熱によってもボンディングパッド下地の絶縁樹脂
層が軟化しないたいめ、極めて安定にワイヤボンディン
グができ、また、絶縁樹脂層とモールド樹脂との剥離が
起こらず、信頼性の高いチップチャリアを提供すること
ができる。
メラミン樹脂を添加した感光性樹脂組成物により絶縁樹
脂層を形成したチップキャリアは、ワイヤボンディング
時の加熱によってもボンディングパッド下地の絶縁樹脂
層が軟化しないたいめ、極めて安定にワイヤボンディン
グができ、また、絶縁樹脂層とモールド樹脂との剥離が
起こらず、信頼性の高いチップチャリアを提供すること
ができる。
【図１】本発明の感光性樹脂組成物に係わる絶縁樹脂層
を有するＢＧＡ型のチップキャリアの一実施例を示す断
面図である。
を有するＢＧＡ型のチップキャリアの一実施例を示す断
面図である。
【図２】従来のチップキャリア（ＱＦＰ）の説明図。
１………絶縁樹脂層 ２………第２導体配線層 ３ａ……スルーホール ３ｂ……バイアホール ３ｃ……第１導体配線層 ４………半田電極パッド ５………絶縁性基板 ６………半導体チップ ７………金ワイヤ ８………モールド樹脂 ９………半田バンプ １０………絶縁性周辺部位 １１………半導体チップ １２………インナリード １３………アウターリード １４………パッケージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ (72)発明者 米澤 正次 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 名取 恵子 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】多層配線板を構成する絶縁樹脂層がエポキ
シ基の少なくとも一つ以上がアクリル変性もしくはメタ
クリル変性したエポキシ樹脂化合物と、光重合性モノマ
ーと、光重合開始剤と、フィラーと、硬化剤と、有機溶
剤とからなる感光性樹脂において、該感光性樹脂にメト
キシメチルメラミンを添加したことを特徴とする感光性
樹脂組成物。 - 【請求項２】前記メトキシメチルメラミンの添加量が前
記エポキシ樹脂化合物に対し０．１当量〜１．９当量で
あることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8169667A JPH1020483A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8169667A JPH1020483A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1020483A true JPH1020483A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15890692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8169667A Pending JPH1020483A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1020483A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015218364A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びこれを用いた導電パターンの製造方法 |
| CN106415825A (zh) * | 2014-01-23 | 2017-02-15 | 株式会社电装 | 模塑封装 |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP8169667A patent/JPH1020483A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106415825A (zh) * | 2014-01-23 | 2017-02-15 | 株式会社电装 | 模塑封装 |
| US9601442B2 (en) | 2014-01-23 | 2017-03-21 | Denso Corporation | Half-mold type mold package |
| CN106415825B (zh) * | 2014-01-23 | 2019-04-19 | 株式会社电装 | 模塑封装 |
| JP2015218364A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びこれを用いた導電パターンの製造方法 |
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