JPH1019727A - エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材 - Google Patents
エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材Info
- Publication number
- JPH1019727A JPH1019727A JP8171386A JP17138696A JPH1019727A JP H1019727 A JPH1019727 A JP H1019727A JP 8171386 A JP8171386 A JP 8171386A JP 17138696 A JP17138696 A JP 17138696A JP H1019727 A JPH1019727 A JP H1019727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- change
- quartz glass
- optical member
- glass optical
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 石英ガラスをはじめとした紫外光学材料を用
いたレンズの耐用年数、耐用積算パルス数、照射許容エ
ネルギ−密度等が明確に示されていなかった。 【解決手段】 石英ガラス光学部材中の水素濃度と透過
率変化との相関、及び照射する光のエネルギー密度と透
過率変化との相関を求め、これらの相関から透過率変化
量と石英ガラス光学部材中の水素濃度と照射する光のエ
ネルギー密度との関係式を求め、これにより特定波長に
おける透過率変化を求める。
いたレンズの耐用年数、耐用積算パルス数、照射許容エ
ネルギ−密度等が明確に示されていなかった。 【解決手段】 石英ガラス光学部材中の水素濃度と透過
率変化との相関、及び照射する光のエネルギー密度と透
過率変化との相関を求め、これらの相関から透過率変化
量と石英ガラス光学部材中の水素濃度と照射する光のエ
ネルギー密度との関係式を求め、これにより特定波長に
おける透過率変化を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学素材、特に、Ｋ
ｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
−ザリソグラフィー投影レンズ・照明系レンズ、エキシ
マレ−ザ加工機等の光学系レンズの劣化予測及び耐用パ
ルス数の予測法に関する。エキシマレ−ザ光学系に使用
される合成石英ガラス、光学結晶材料等のエキシマレ−
ザ照射による劣化を原因とする、透過率変化、屈折率変
化、面変化を実験式を用い、簡易にしかも正確に、また
は安全係数つまり誤差成分を考慮して予測可能とする事
を特徴とする。
ｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
−ザリソグラフィー投影レンズ・照明系レンズ、エキシ
マレ−ザ加工機等の光学系レンズの劣化予測及び耐用パ
ルス数の予測法に関する。エキシマレ−ザ光学系に使用
される合成石英ガラス、光学結晶材料等のエキシマレ−
ザ照射による劣化を原因とする、透過率変化、屈折率変
化、面変化を実験式を用い、簡易にしかも正確に、また
は安全係数つまり誤差成分を考慮して予測可能とする事
を特徴とする。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン等のウエハ上に集積回路
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィー技術
においては、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられ
る。このステッパーの光源は、近年のＬＳＩの高集積化
に伴ってｇ線からｉ線へと短波長化が進み、そして、さ
らなるＬＳＩの高集積化に伴い、ステッパーの光源はＫ
ｒＦやＡｒＦエキシマレーザーへと移行している。この
ようなエキシマレーザーステッパーの照明系あるいは投
影レンズには、もはや一般光学ガラスは使用できず、石
英ガラスや蛍石などの光学素材に限定される。
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィー技術
においては、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられ
る。このステッパーの光源は、近年のＬＳＩの高集積化
に伴ってｇ線からｉ線へと短波長化が進み、そして、さ
らなるＬＳＩの高集積化に伴い、ステッパーの光源はＫ
ｒＦやＡｒＦエキシマレーザーへと移行している。この
ようなエキシマレーザーステッパーの照明系あるいは投
影レンズには、もはや一般光学ガラスは使用できず、石
英ガラスや蛍石などの光学素材に限定される。
【０００３】このようなエキシマレーザーステッパーの
照明系あるいは投影レンズに用いられる石英ガラス、蛍
石においても、その内部透過率は０．９９８ｃｍ-1ある
いは０．９９９ｃｍ-1以上が要求される。したがって、
紫外光領域での上記光学素材の高透過率化を目指した開
発が進められている。さらに、エキシマレ−ザの短波長
性、閃光性に起因する、照射による光学材料の経年変化
いわゆるソ−ラリゼ−ション、コンパクションが大きな
問題となる。この様な光学的な劣化が進行すると、結像
性能に影響を及ぼす。
照明系あるいは投影レンズに用いられる石英ガラス、蛍
石においても、その内部透過率は０．９９８ｃｍ-1ある
いは０．９９９ｃｍ-1以上が要求される。したがって、
紫外光領域での上記光学素材の高透過率化を目指した開
発が進められている。さらに、エキシマレ−ザの短波長
性、閃光性に起因する、照射による光学材料の経年変化
いわゆるソ−ラリゼ−ション、コンパクションが大きな
問題となる。この様な光学的な劣化が進行すると、結像
性能に影響を及ぼす。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】まず、エキシマレ−ザ
光学材料である石英ガラス、及びその他の光学材料の劣
化が、何に起因するかを、精密に実験的に調べる必要が
ある。従来、これらは、断片的または定性的に調べられ
た文献などのデ−タは若干研究されているが、厳密な定
量性を有する予測式は示された事はない。
光学材料である石英ガラス、及びその他の光学材料の劣
化が、何に起因するかを、精密に実験的に調べる必要が
ある。従来、これらは、断片的または定性的に調べられ
た文献などのデ−タは若干研究されているが、厳密な定
量性を有する予測式は示された事はない。
【０００５】ところで、エキシマレ−ザを光源とした、
エキシマレ−ザステッパ、加工機等の製品の光学系の寿
命予測を行うには、レンズ材料のエキシマレ−ザ照射に
よる厳密な予測式が必要である。しかし、信頼のおける
予測式がなかったため、レンズの耐用年数、耐用積算パ
ルス数、照射許容エネルギ−密度等が明確に示されてい
なかった。
エキシマレ−ザステッパ、加工機等の製品の光学系の寿
命予測を行うには、レンズ材料のエキシマレ−ザ照射に
よる厳密な予測式が必要である。しかし、信頼のおける
予測式がなかったため、レンズの耐用年数、耐用積算パ
ルス数、照射許容エネルギ−密度等が明確に示されてい
なかった。
【０００６】特に、１０ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓｅ以下
のエネルギ−で照射して用いられる石英ガラス部材の劣
化を調べるためには、実エネルギ−密度で照射して、透
過率、屈折率、面変化等の物性変化を確認する事が最も
望ましい。しかし、照射エネルギ−密度が低い領域で
は、照射パルス当たりの各物性変化が微小であるため、
変化率を確認するには、照射パルス数を増やさねばなら
ない。しかし、実際には人的、経済的、時間的にも制約
があり、一つのサンプルを、数年間も実験し続ける事は
困難である。また、高価石英ガラス製の光学レンズなど
は、十数年その性能を保証する事も必要とされている。
のエネルギ−で照射して用いられる石英ガラス部材の劣
化を調べるためには、実エネルギ−密度で照射して、透
過率、屈折率、面変化等の物性変化を確認する事が最も
望ましい。しかし、照射エネルギ−密度が低い領域で
は、照射パルス当たりの各物性変化が微小であるため、
変化率を確認するには、照射パルス数を増やさねばなら
ない。しかし、実際には人的、経済的、時間的にも制約
があり、一つのサンプルを、数年間も実験し続ける事は
困難である。また、高価石英ガラス製の光学レンズなど
は、十数年その性能を保証する事も必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
長年に渡り石英ガラスをはじめとした紫外光学材料の透
過率、屈折率、面変化に関して鋭意研究している。課題
を達成するには、様々な条件にて、エキシマ照射を行
い、その際測定した透過率、屈折率、面変化等の実験デ
−タを得る。
長年に渡り石英ガラスをはじめとした紫外光学材料の透
過率、屈折率、面変化に関して鋭意研究している。課題
を達成するには、様々な条件にて、エキシマ照射を行
い、その際測定した透過率、屈折率、面変化等の実験デ
−タを得る。
【０００８】次に、得られた実験デ−タを、統計的手
法、理論的手法を用いて、吸収係数、屈折率変化
量、面変化量の変化の関係式を算出する事が必要であ
る。本特許では、エキシマレ−ザ光学材料の劣化つまり
吸収係数、屈折率変化量、面変化量の変化の予測
式及び予測方法を提供する。
法、理論的手法を用いて、吸収係数、屈折率変化
量、面変化量の変化の関係式を算出する事が必要であ
る。本特許では、エキシマレ−ザ光学材料の劣化つまり
吸収係数、屈折率変化量、面変化量の変化の予測
式及び予測方法を提供する。
【０００９】
【作用】光学材料のエキシマレ−ザ照射による劣化、つ
まり吸収係数、屈折率変化量、面変化量の変化の
予測式の算出法の一例を以下に記す。以下の記述は、光
源はＫｒＦエキシマレ−ザ、光学材料として石英ガラス
に関する、実験、予測式の算出法に関する。
まり吸収係数、屈折率変化量、面変化量の変化の
予測式の算出法の一例を以下に記す。以下の記述は、光
源はＫｒＦエキシマレ−ザ、光学材料として石英ガラス
に関する、実験、予測式の算出法に関する。
【００１０】エキシマレ−ザ照射実験の光学系及び測定
系を図１に示す。 吸収係数の変化に付いて述べる。 まず、照射エネルギ−密度依存性を調査した。他の条件
を一定とし、かつ同一サンプルで実験を行った。図２に
照射エネルギ−密度依存性を示す。積算パルス数３Ｅ６
パルス時の、照射エネルギ−密度（ｍＪ／ｃｍ2 ｐｅｒ
ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４００，８００
で依存性を求めた。
系を図１に示す。 吸収係数の変化に付いて述べる。 まず、照射エネルギ−密度依存性を調査した。他の条件
を一定とし、かつ同一サンプルで実験を行った。図２に
照射エネルギ−密度依存性を示す。積算パルス数３Ｅ６
パルス時の、照射エネルギ−密度（ｍＪ／ｃｍ2 ｐｅｒ
ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４００，８００
で依存性を求めた。
【００１１】最小２乗法にて算出した依存式は ２４８．３ｎｍ吸収係数（／ｃｍ）＝Ｋ×Ｅ1.75 であった。エネルギ−密度依存性は、１．７５±０．２
（３σ）であった。一般的に、ＫｒＦエキシマレ−ザで
誘起される吸収帯生成の原因は、２光子吸収過程で生成
したＥ’センタ−（２１５ｎｍ帯）、酸素関連欠陥（２
６０ｎｍ帯）、を主因とした複合ピ−クである。複合ピ
−クのため、２４８．３ｎｍでは、エネルギ−２乗則か
らややずれると思われる。
（３σ）であった。一般的に、ＫｒＦエキシマレ−ザで
誘起される吸収帯生成の原因は、２光子吸収過程で生成
したＥ’センタ−（２１５ｎｍ帯）、酸素関連欠陥（２
６０ｎｍ帯）、を主因とした複合ピ−クである。複合ピ
−クのため、２４８．３ｎｍでは、エネルギ−２乗則か
らややずれると思われる。
【００１２】次に、積算パルス数依存性を調べた。結果
を図３に示す。照射エネルギ−密度（ｍＪ／ｃｍ2 ｐｅ
ｒ ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４００，８０
０で、それぞれ最小２乗法により依存性を求めた。図中
の、５Ｅ６等の表示は、５×１０6を意味する。以降、
図中ではこの様な略号を用いて表示する。 ２４８．３ｎｍ吸収係数（／ｃｍ）＝Ｋ×Ｐ0.998 積算パルス数依存性は、０．９９８±０．１（３σ）で
あった。
を図３に示す。照射エネルギ−密度（ｍＪ／ｃｍ2 ｐｅ
ｒ ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４００，８０
０で、それぞれ最小２乗法により依存性を求めた。図中
の、５Ｅ６等の表示は、５×１０6を意味する。以降、
図中ではこの様な略号を用いて表示する。 ２４８．３ｎｍ吸収係数（／ｃｍ）＝Ｋ×Ｐ0.998 積算パルス数依存性は、０．９９８±０．１（３σ）で
あった。
【００１３】この依存性は、吸収係数（／ｃｍ）約〜
０．２迄成立する。さらに、溶存Ｈ2濃度（ｍｏｌｅ．
／ｃｍ3）依存性をもとめた。照射エネルギ−密度４０
０（ｍＪ／ｃｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ）、積算パルス数
３Ｅ６パルス照射後の溶存Ｈ2濃度と２４８．３ｎｍ吸
収係数（／ｃｍ）の関係を調べた。結果を図４に示す。
これより最小２乗法にて、依存式を求めた。 ２４８．３ｎｍ吸収係数（／ｃｍ）＝Ｋ×Ｈ-1.03627 相関係数ｒ＝０．９２ ここでＨ：溶存Ｈ2濃度（ｍｏｌｅ．／ｃｍ3） 相関係数ｒ＝０．９２が示すように、石英ガラスのＫｒ
Ｆエキシマレ−ザ耐性−吸収生成−を決定する主因は、
溶存するＨ2分子濃度であると考える。
０．２迄成立する。さらに、溶存Ｈ2濃度（ｍｏｌｅ．
／ｃｍ3）依存性をもとめた。照射エネルギ−密度４０
０（ｍＪ／ｃｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ）、積算パルス数
３Ｅ６パルス照射後の溶存Ｈ2濃度と２４８．３ｎｍ吸
収係数（／ｃｍ）の関係を調べた。結果を図４に示す。
これより最小２乗法にて、依存式を求めた。 ２４８．３ｎｍ吸収係数（／ｃｍ）＝Ｋ×Ｈ-1.03627 相関係数ｒ＝０．９２ ここでＨ：溶存Ｈ2濃度（ｍｏｌｅ．／ｃｍ3） 相関係数ｒ＝０．９２が示すように、石英ガラスのＫｒ
Ｆエキシマレ−ザ耐性−吸収生成−を決定する主因は、
溶存するＨ2分子濃度であると考える。
【００１４】以上より、エネルギ−密度依存性、積算パ
ルス数依存性、溶存Ｈ2濃度依存性の３式より吸収係数
の予測式を算出した。
ルス数依存性、溶存Ｈ2濃度依存性の３式より吸収係数
の予測式を算出した。
【００１５】
【数１】
【００１６】定数は、ｋ1：３８３９６．２、ａ：１．
７５±０．２（３σ） ｂ：０．９９８±０．１（３σ）、ｃ：−１．０３６２
７±０．１（３σ） である。 屈折率変化に付いて述べる。ここで、屈折率変化とは
６３２．８ｎｍ（Ｈｅ−Ｎｅレ−ザ波長）での屈折率変
化を指す。また、測定はオイルオンプレ−ト法を用いた
縞走査型干渉計で測定される値の事である。記号は△ｎ
でしめす。石英ガラスのエキシマレ−ザ照射誘起によ
り、屈折率は上昇する。
７５±０．２（３σ） ｂ：０．９９８±０．１（３σ）、ｃ：−１．０３６２
７±０．１（３σ） である。 屈折率変化に付いて述べる。ここで、屈折率変化とは
６３２．８ｎｍ（Ｈｅ−Ｎｅレ−ザ波長）での屈折率変
化を指す。また、測定はオイルオンプレ−ト法を用いた
縞走査型干渉計で測定される値の事である。記号は△ｎ
でしめす。石英ガラスのエキシマレ−ザ照射誘起によ
り、屈折率は上昇する。
【００１７】まず、照射エネルギ−密度依存性を調査し
た。他の条件を一定としかつ同一サンプルで実験を行っ
た。図５に照射エネルギ−密度依存性を示す。積算パル
ス数３Ｅ６パルス時の、照射エネルギ−密度（ｍＪ／ｃ
ｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４０
０，８００で依存性を求めた。最小２乗法にて算出した
依存式は △ｎ（６３２．８ｎｍ）＝Ｋ×Ｅ0.965 であった。
た。他の条件を一定としかつ同一サンプルで実験を行っ
た。図５に照射エネルギ−密度依存性を示す。積算パル
ス数３Ｅ６パルス時の、照射エネルギ−密度（ｍＪ／ｃ
ｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４０
０，８００で依存性を求めた。最小２乗法にて算出した
依存式は △ｎ（６３２．８ｎｍ）＝Ｋ×Ｅ0.965 であった。
【００１８】エネルギ−密度依存性は、０．９６５±
０．１（３σ）であった。この事は、ＫｒＦエキシマレ
−ザ照射誘起の屈折率変化−コンパクション−が２光子
過程ではない事を示す。次に、積算パルス数依存性を調
べた。結果を図６に示す。照射エネルギ−密度（ｍＪ／
ｃｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４
００，８００で、それぞれ最小２乗法により依存性を求
めた。 △ｎ（６３２．８ｎｍ）＝Ｋ×Ｐ0.49 積算パルス数依存性は、０．４９±０．１（３σ）であ
った。
０．１（３σ）であった。この事は、ＫｒＦエキシマレ
−ザ照射誘起の屈折率変化−コンパクション−が２光子
過程ではない事を示す。次に、積算パルス数依存性を調
べた。結果を図６に示す。照射エネルギ−密度（ｍＪ／
ｃｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ）５０，１００，２００，４
００，８００で、それぞれ最小２乗法により依存性を求
めた。 △ｎ（６３２．８ｎｍ）＝Ｋ×Ｐ0.49 積算パルス数依存性は、０．４９±０．１（３σ）であ
った。
【００１９】この依存性は、△ｎ（６３２．８ｎｍ）変
化が約〜１×１０4迄成立する。以上より、エネルギ−
密度依存性、積算パルス数依存性の２式より屈折率変化
の予測式を算出した。
化が約〜１×１０4迄成立する。以上より、エネルギ−
密度依存性、積算パルス数依存性の２式より屈折率変化
の予測式を算出した。
【００２０】
【数２】
【００２１】各定数は、ｋ2＝６．１×１０-12、ｄ＝
０．９６５±０．１（３σ） ｅ＝０．４９±０．１（３σ）である。２４８．３ｎｍ
の△ｎを求めるには、波長分散性を考慮した計算で算出
できる。他の波長についても同様である。石英ガラスの
エキシマレ−ザ照射誘起の屈折率上昇は、コンパクショ
ン（緻密化）と呼ばれる現象であると考える。上記の式
は、屈折率上昇が、励起光源がＫｒＦエキシマでは、ド
−ズ量のほぼ０．５乗の依存性を持つ事を示す。これ
は、ＳｉＯ2の本質的な欠陥生成に起因する事を意味す
ると考える。
０．９６５±０．１（３σ） ｅ＝０．４９±０．１（３σ）である。２４８．３ｎｍ
の△ｎを求めるには、波長分散性を考慮した計算で算出
できる。他の波長についても同様である。石英ガラスの
エキシマレ−ザ照射誘起の屈折率上昇は、コンパクショ
ン（緻密化）と呼ばれる現象であると考える。上記の式
は、屈折率上昇が、励起光源がＫｒＦエキシマでは、ド
−ズ量のほぼ０．５乗の依存性を持つ事を示す。これ
は、ＳｉＯ2の本質的な欠陥生成に起因する事を意味す
ると考える。
【００２２】また、ＫｒＦエキシマレ−ザでは、石英ガ
ラス中の溶存水素分子濃度との依存性が少ないが、Ａｒ
Ｆエキシマレ−ザでは、これを考慮し、予測式の含ませ
る必要がある。 面変化に付いて述べる。ここで、面変化とは、光学部
品のエキシマレ−ザ照射部分の面の形状変化の事を意味
する。
ラス中の溶存水素分子濃度との依存性が少ないが、Ａｒ
Ｆエキシマレ−ザでは、これを考慮し、予測式の含ませ
る必要がある。 面変化に付いて述べる。ここで、面変化とは、光学部
品のエキシマレ−ザ照射部分の面の形状変化の事を意味
する。
【００２３】屈折率変化同様、コンパクション−緻密化
−によるＳｉＯ2構造の収縮−高密度化による体積収縮
現象−であると考える。つまり面は凹む方向に変化す
る。エキシマレ−ザ照射誘起屈折率上昇量とレ−ザ入射
面の相関関係を調べた。その結果を図７に示す。また、
相関係数ｒ＝０．９１３、さらに、最小２乗法により得
られた式を以下に示す。
−によるＳｉＯ2構造の収縮−高密度化による体積収縮
現象−であると考える。つまり面は凹む方向に変化す
る。エキシマレ−ザ照射誘起屈折率上昇量とレ−ザ入射
面の相関関係を調べた。その結果を図７に示す。また、
相関係数ｒ＝０．９１３、さらに、最小２乗法により得
られた式を以下に示す。
【００２４】
【数３】
【００２５】定数は、ｋ3＝４７０３である。ここまで
述べてきたように、式（１）、（２）、（３）を求め、
エキシマレ−ザを光源に用いる製品の使用条件−照射エ
ネルギ−密度、パルス数−及び要求される仕様、つまり
吸収、屈折率変化、面変化とを比較する事で、製品の寿
命予測が可能となる。
述べてきたように、式（１）、（２）、（３）を求め、
エキシマレ−ザを光源に用いる製品の使用条件−照射エ
ネルギ−密度、パルス数−及び要求される仕様、つまり
吸収、屈折率変化、面変化とを比較する事で、製品の寿
命予測が可能となる。
【００２６】補足すると、ここで述べた予測式は、変化
の直線領域でのみ成立する。精密光学製品の場合仕様が
厳しいつまり物性変化量が微小の為ほとんどの場合式
（１）、（２）、（３）の様な手法で予測可能である。
また、変化の挙動が明らかに直線でない場合は、最適な
カ−ブフィッティングを行えば、依存式を求める事は可
能である。
の直線領域でのみ成立する。精密光学製品の場合仕様が
厳しいつまり物性変化量が微小の為ほとんどの場合式
（１）、（２）、（３）の様な手法で予測可能である。
また、変化の挙動が明らかに直線でない場合は、最適な
カ−ブフィッティングを行えば、依存式を求める事は可
能である。
【００２７】さらに、吸収などはその飽和量の照射エネ
ルギ−、パルス数依存性などを算出する事で、予測可能
である。ところで、安全係数を考慮するためには、測定
誤差、カ−ブフィッティング誤差等を求め、これらの
（２乗和）1/2を算出し、予測式に代入する事が必要と
なる。
ルギ−、パルス数依存性などを算出する事で、予測可能
である。ところで、安全係数を考慮するためには、測定
誤差、カ−ブフィッティング誤差等を求め、これらの
（２乗和）1/2を算出し、予測式に代入する事が必要と
なる。
【００２８】
【実施の形態】光学素材である高純度石英ガラスインゴ
ットは、原料として高純度の四塩化ケイ素を用い、石英
ガラス製バーナーにて酸素ガス及び水素ガスを混合・燃
焼させ、中心部から原料ガスをキャリアガス（通常酸素
ガスまたは水素ガス）で希釈して噴出させ、ターゲット
上に堆積、溶融して合成した。これにより、直径１８０
ｍｍ、長さ５５０ｍｍの石英ガラスインゴットを得た。
ットは、原料として高純度の四塩化ケイ素を用い、石英
ガラス製バーナーにて酸素ガス及び水素ガスを混合・燃
焼させ、中心部から原料ガスをキャリアガス（通常酸素
ガスまたは水素ガス）で希釈して噴出させ、ターゲット
上に堆積、溶融して合成した。これにより、直径１８０
ｍｍ、長さ５５０ｍｍの石英ガラスインゴットを得た。
【００２９】
【実施例１】前記、石英ガラスインゴットから切り出し
てＫｒＦエキシマレ−ザステッパ用光学レンズ部品を作
製し、一部物性測定用サンプルも作製した。そのサンプ
ルを、本発明により得られるエキシマレ−ザ耐性評価の
ための照射実験を行い（数１）、（数２）、（数３）を
得た。
てＫｒＦエキシマレ−ザステッパ用光学レンズ部品を作
製し、一部物性測定用サンプルも作製した。そのサンプ
ルを、本発明により得られるエキシマレ−ザ耐性評価の
ための照射実験を行い（数１）、（数２）、（数３）を
得た。
【００３０】この光学石英ガラス部材のＨ2濃度は、５
×１０17 ｍｏｌｅ．／ｃｍであった。ＫｒＦエキシマ
レ−ザステッパ光学系の一部である、このレンズ部品に
要求される仕様は、吸収係数：１％／ｃｍ以下、屈折率
変化量△ｎ（６３２．８ｎｍ）：１×１０-5以下、面変
化（片面）：０．０４μｍ以下である。
×１０17 ｍｏｌｅ．／ｃｍであった。ＫｒＦエキシマ
レ−ザステッパ光学系の一部である、このレンズ部品に
要求される仕様は、吸収係数：１％／ｃｍ以下、屈折率
変化量△ｎ（６３２．８ｎｍ）：１×１０-5以下、面変
化（片面）：０．０４μｍ以下である。
【００３１】精密な光学用レンズでは、少なくとも上記
以内の物性変化でなくては、光学性能に影響を及ぼすと
考える。また、このレンズの使用条件は、５ｍＪ／ｃｍ
2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数５００Ｈｚ、一
日当たりの照射パルス数は１×１０7パルスである。そ
して、上記式にて算出した石英ガラス光学部品の５年後
の予測値と実際の物性変化量とを比較した。
以内の物性変化でなくては、光学性能に影響を及ぼすと
考える。また、このレンズの使用条件は、５ｍＪ／ｃｍ
2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数５００Ｈｚ、一
日当たりの照射パルス数は１×１０7パルスである。そ
して、上記式にて算出した石英ガラス光学部品の５年後
の予測値と実際の物性変化量とを比較した。
【００３２】その結果を、表１に示す。吸収、△ｎ、凹
ともに予測誤差は、１０％以内であった。
ともに予測誤差は、１０％以内であった。
【００３３】
【表１】
【００３４】さらに、耐用年数を求めるためには、（数
１）、（数２）、（数３）に各仕様及び使用条件を代入
しパルス数を算出すれば良い。 まず、吸収に付いて計算すると、Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ
（０．０１／（３８３９６×Ｅ1.75×
Ｈ-1.036271）））／０．９９８） 次に、屈折率に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ（△ｎ／（６．１×１０-12×Ｅ
0.965））／０．４９）） 次に、面変化に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（ＬＮ（（凹／４７０３）／（６．１×１０
-12×Ｅ0.965））／０．４９） それぞれの仕様値、使用エネルギ−代入し、耐用パルス
数を計算すると、吸収に関して３．５９×１０10、△ｎ
に関して２．０３×１０11パルス、凹（μｍ）について
は１．４６×１０11パルスであった。
１）、（数２）、（数３）に各仕様及び使用条件を代入
しパルス数を算出すれば良い。 まず、吸収に付いて計算すると、Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ
（０．０１／（３８３９６×Ｅ1.75×
Ｈ-1.036271）））／０．９９８） 次に、屈折率に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ（△ｎ／（６．１×１０-12×Ｅ
0.965））／０．４９）） 次に、面変化に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（ＬＮ（（凹／４７０３）／（６．１×１０
-12×Ｅ0.965））／０．４９） それぞれの仕様値、使用エネルギ−代入し、耐用パルス
数を計算すると、吸収に関して３．５９×１０10、△ｎ
に関して２．０３×１０11パルス、凹（μｍ）について
は１．４６×１０11パルスであった。
【００３５】これを、耐用年数に換算すると吸収に付い
ては、９．８年、△ｎでは５５．４年、凹では３９．９
年となる。レンズの耐用年数は、各仕様の最も短い項目
に依存するから、９．８年と予測できる。
ては、９．８年、△ｎでは５５．４年、凹では３９．９
年となる。レンズの耐用年数は、各仕様の最も短い項目
に依存するから、９．８年と予測できる。
【００３６】
【実施例２】前記、石英ガラスインゴットから切り出し
てＫｒＦエキシマレ−ザステッパ用光学レンズ部品を作
製し、一部サンプルも作製した。そのサンプルを、本発
明により得られるエキシマレ−ザ耐性評価のための照射
実験を行い（数１）、（数２）、（数３）を得た。
てＫｒＦエキシマレ−ザステッパ用光学レンズ部品を作
製し、一部サンプルも作製した。そのサンプルを、本発
明により得られるエキシマレ−ザ耐性評価のための照射
実験を行い（数１）、（数２）、（数３）を得た。
【００３７】ＫｒＦエキシマレ−ザステッパ光学系の一
部である、このレンズ部品に要求される仕様は、吸収係
数：０．２％／ｃｍ以下、屈折率変化量△ｎ（６３２．
８ｎｍ）：２×１０-6以下、面変化（片面）：０．０１
μｍ以下である。また、このレンズの使用条件は、１ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数５００
Ｈｚ、一日当たりの照射パルス数は１×１０7パルスで
ある。
部である、このレンズ部品に要求される仕様は、吸収係
数：０．２％／ｃｍ以下、屈折率変化量△ｎ（６３２．
８ｎｍ）：２×１０-6以下、面変化（片面）：０．０１
μｍ以下である。また、このレンズの使用条件は、１ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数５００
Ｈｚ、一日当たりの照射パルス数は１×１０7パルスで
ある。
【００３８】さらに、安全係数及び測定誤差を考慮した
耐用年数を求めるためには、（数１）、（数２）、（数
３）に各仕様及び使用条件及び各測定誤差を代入しパル
ス数を算出すれば良い。ここで測定誤差は全て１σであ
り、誤差要因が複数存在するときは（２乗和） 0.5を測
定誤差とすれば良い。
耐用年数を求めるためには、（数１）、（数２）、（数
３）に各仕様及び使用条件及び各測定誤差を代入しパル
ス数を算出すれば良い。ここで測定誤差は全て１σであ
り、誤差要因が複数存在するときは（２乗和） 0.5を測
定誤差とすれば良い。
【００３９】考慮する誤差要因について述べる。まず吸
収に関しては、透過率測定精度０．０１％、吸収緩
和の影響０．００２％、照射実験時の照射エネルギ−
密度誤差±１０％、照射ビ−ムプロファイルの影響±
１０％を吸収に換算するとそれぞれ０．０２％である。
これらの（２乗和）0.5を算出すると、１σでＡE＝±
０．０３％となる。また、溶存Ｈ2濃度の測定精度は１
σでＨE＝±２．５×１０17ｍｏｌｅ．／ｃｍである。
収に関しては、透過率測定精度０．０１％、吸収緩
和の影響０．００２％、照射実験時の照射エネルギ−
密度誤差±１０％、照射ビ−ムプロファイルの影響±
１０％を吸収に換算するとそれぞれ０．０２％である。
これらの（２乗和）0.5を算出すると、１σでＡE＝±
０．０３％となる。また、溶存Ｈ2濃度の測定精度は１
σでＨE＝±２．５×１０17ｍｏｌｅ．／ｃｍである。
【００４０】石英ガラスのエキシマレ−ザ照射誘起吸収
の緩和モデルは、−Ｂ×（ｔ＾０．５） Ｂは約０．４
ｔ：緩和時間で定義する事が出来ると考える。次に、
△ｎの測定精度は、１σで△ｎE＝±５×１０-7であ
る。また、表面形状凹の測定精度は１σで凹E＝±０．
００２μｍである。求めた誤差を用いて（数１）、（数
２）、（数３）を変形し耐用パルス数を求める式を得
た。
の緩和モデルは、−Ｂ×（ｔ＾０．５） Ｂは約０．４
ｔ：緩和時間で定義する事が出来ると考える。次に、
△ｎの測定精度は、１σで△ｎE＝±５×１０-7であ
る。また、表面形状凹の測定精度は１σで凹E＝±０．
００２μｍである。求めた誤差を用いて（数１）、（数
２）、（数３）を変形し耐用パルス数を求める式を得
た。
【００４１】まず、吸収に付いて計算すると、 Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ（（０．００２−（ＡE／１０
０））／（３８３９６×Ｅ1.7 5×（Ｈ−Ｈ
E）-1.036271）））／０．９９８） 次に、屈折率に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ（（△ｎ−△ｎE）／（６．１×１
０-12×Ｅ0.965））／０．４９）） 次に、面変化に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（ＬＮ（（（凹−凹E）／４７０３）／
（６．１×１０-12×Ｅ0.965））／０．４９） それぞれの仕様値、使用エネルギ−代入し、耐用パルス
数を計算すると、吸収に関して８．１×１０10パルス、
△ｎに関して１．０×１０11パルス、凹（μｍ）につい
ては１．３×１０11パルスであった。
０））／（３８３９６×Ｅ1.7 5×（Ｈ−Ｈ
E）-1.036271）））／０．９９８） 次に、屈折率に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（（ＬＮ（（△ｎ−△ｎE）／（６．１×１
０-12×Ｅ0.965））／０．４９）） 次に、面変化に付いて示す。 Ｐ＝ＥＸＰ（ＬＮ（（（凹−凹E）／４７０３）／
（６．１×１０-12×Ｅ0.965））／０．４９） それぞれの仕様値、使用エネルギ−代入し、耐用パルス
数を計算すると、吸収に関して８．１×１０10パルス、
△ｎに関して１．０×１０11パルス、凹（μｍ）につい
ては１．３×１０11パルスであった。
【００４２】これを、耐用年数に換算すると吸収に付い
ては、２２．２年、△ｎでは２７．５年、凹では３５．
５年となる。レンズの耐用年数は、各仕様の最も短い項
目に依存するから、２２．２年と予測できる。
ては、２２．２年、△ｎでは２７．５年、凹では３５．
５年となる。レンズの耐用年数は、各仕様の最も短い項
目に依存するから、２２．２年と予測できる。
【００４３】
【発明の効果】本発明のエキシマレ−ザ耐久性の予測方
法及び予測式を用いる事で、石英ガラスをはじめとする
エキシマレ−ザ光学系に使用される光学部品の吸収、屈
折率変化、面変化量を簡便に予測可能となった。本発明
の手法を用いれば、歪量（複屈折量）等の物性変化の予
測にも適用可能である。
法及び予測式を用いる事で、石英ガラスをはじめとする
エキシマレ−ザ光学系に使用される光学部品の吸収、屈
折率変化、面変化量を簡便に予測可能となった。本発明
の手法を用いれば、歪量（複屈折量）等の物性変化の予
測にも適用可能である。
【００４４】また、エキシマレ−ザ光学系の寿命予測、
耐用年数の算出も可能となる。さらに、光学薄膜に関し
ても同様の寿命予測を行う事が可能である。
耐用年数の算出も可能となる。さらに、光学薄膜に関し
ても同様の寿命予測を行う事が可能である。
【図１】 エキシマ照射実験装置の概略図である。
【図２】 石英ガラスのＫｒＦエキシマレ−ザ照射によ
り誘起される２４８．３ｎｍ吸収のエネルギ−密度依存
性を示した図である。
り誘起される２４８．３ｎｍ吸収のエネルギ−密度依存
性を示した図である。
【図３】 石英ガラスのＫｒＦエキシマレ−ザ照射によ
り誘起される２４８．３ｎｍ吸収の積算パルス数依存性
を示した図である。
り誘起される２４８．３ｎｍ吸収の積算パルス数依存性
を示した図である。
【図４】 石英ガラスの同条件のＫｒＦエキシマレ−ザ
照射により誘起される２４８．３ｎｍ吸収の石英ガラス
中に溶存する水素分子濃度との依存性を示した図であ
る。
照射により誘起される２４８．３ｎｍ吸収の石英ガラス
中に溶存する水素分子濃度との依存性を示した図であ
る。
【図５】 石英ガラスのＫｒＦエキシマレ−ザ照射によ
り誘起される屈折率変化ののエネルギ−依存性を示した
図である。
り誘起される屈折率変化ののエネルギ−依存性を示した
図である。
【図６】 石英ガラスのＫｒＦエキシマレ−ザ照射によ
り誘起される屈折率変化の積算パルス数依存性を示した
図である。
り誘起される屈折率変化の積算パルス数依存性を示した
図である。
【図７】 石英ガラスのＫｒＦエキシマレ−ザ照射によ
り誘起される屈折率変化量と面変化量を示した図であ
る。
り誘起される屈折率変化量と面変化量を示した図であ
る。
１ エキシマレ−ザ ２ ビ−ム整形及びホモジナイザ−光学系 ３ 照射サンプル ４ レ−ザビ−ム ５ エネルギ−モニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｎ 33/38 Ｇ０１Ｎ 33/38
Claims (6)
- 【請求項１】０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓ
ｅの特定波長の光を照射して用いられる石英ガラス光学
部材の光照射による劣化を予測する試験方法において、
以下の工程からなることを特徴とする石英ガラス光学部
材の試験方法。 工程１：石英ガラス光学部材中の水素濃度と透過率変化
との相関、及び照射する光のエネルギー密度と透過率変
化との相関を求め、これらの相関から透過率変化量と石
英ガラス光学部材中の水素濃度と照射する光のエネルギ
ー密度との関係式を求める工程 工程２：石英ガラス光学部材に１０〜１００００ｍＪ／
ｃｍ2・ｐｕｌｓｅの光を照射したときの透過率変化を
測定する工程 工程３：工程２で得られる透過率変化量、水素濃度、エ
ネルギー密度をそれぞれ工程１で得られる関係式に代入
し、０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓｅの特定
波長における透過率変化を求める工程 - 【請求項２】請求項１に記載の石英ガラス光学部材の試
験方法により求められた０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2
・ｐｕｌｓｅの特定波長における透過率変化が１％以下
であることを特徴とする石英ガラス光学部材。 - 【請求項３】０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓ
ｅの特定波長の光を照射して用いられる石英ガラス光学
部材の光照射による劣化を予測する試験方法において、
以下の工程からなることを特徴とする石英ガラス光学部
材の試験方法。 工程１：石英ガラス光学部材中の水素濃度と透過率変化
との相関、及び照射する光のエネルギー密度と屈折率変
化との相関を求め、これらの相関から屈折率変化量と石
英ガラス光学部材中の水素濃度と照射する光のエネルギ
ー密度との関係式を求める工程 工程２：石英ガラス光学部材に１０〜１００００ｍＪ／
ｃｍ2・ｐｕｌｓｅの光を照射したときの屈折率変化を
測定する工程 工程３：工程２で得られる屈折率変化量、水素濃度、エ
ネルギー密度をそれぞれ工程１で得られる関係式に代入
し、０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓｅの特定
波長における屈折率変化を求める工程 - 【請求項４】請求項１に記載の石英ガラス光学部材の試
験方法により求められた０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2
・ｐｕｌｓｅの特定波長における屈折率変化が１×１０
-5以下であることを特徴とする石英ガラス光学部材。 - 【請求項５】０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓ
ｅの特定波長の光を照射して用いられる石英ガラス光学
部材の光照射による劣化を予測する試験方法において、
以下の工程からなることを特徴とする石英ガラス光学部
材の試験方法。 工程１：石英ガラス光学部材中の水素濃度と透過率変化
との相関、及び照射する光のエネルギー密度と面変化と
の相関を求め、これらの相関から面変化量と石英ガラス
光学部材中の水素濃度と照射する光のエネルギー密度と
の関係式を求める工程 工程２：石英ガラス光学部材に１０〜１００００ｍＪ／
ｃｍ2・ｐｕｌｓｅの光を照射したときの面変化を測定
する工程 工程３：工程２で得られる面変化量、水素濃度、エネル
ギー密度をそれぞれ工程１で得られる関係式に代入し、
０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓｅの特定波長
における面変化を求める工程 - 【請求項６】請求項１に記載の石英ガラス光学部材の試
験方法により求められた０．０１〜１００ｍＪ／ｃｍ2
・ｐｕｌｓｅの特定波長における面変化が０．０４μｍ
以下であることを特徴とする石英ガラス光学部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138696A JP3663753B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138696A JP3663753B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019727A true JPH1019727A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3663753B2 JP3663753B2 (ja) | 2005-06-22 |
Family
ID=15922210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17138696A Expired - Lifetime JP3663753B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3663753B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075607A (en) * | 1997-10-07 | 2000-06-13 | Nikon Corporation | Method for estimating durability of optical member against excimer laser irradiation and method for selecting silica glass optical member |
| DE10225842A1 (de) * | 2002-06-04 | 2003-12-24 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Strahlungsbeständigkeit eines optischen Materials |
| JP2005031076A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Carl-Zeiss-Stiftung | 合成石英ガラスのパルスレーザー耐性を定量的に決定する方法 |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP17138696A patent/JP3663753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075607A (en) * | 1997-10-07 | 2000-06-13 | Nikon Corporation | Method for estimating durability of optical member against excimer laser irradiation and method for selecting silica glass optical member |
| DE10225842A1 (de) * | 2002-06-04 | 2003-12-24 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Strahlungsbeständigkeit eines optischen Materials |
| US6734970B2 (en) | 2002-06-04 | 2004-05-11 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologuies Ag | Method and a device for determining the radiation-damage resistance of an optical material |
| JP2005031076A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Carl-Zeiss-Stiftung | 合成石英ガラスのパルスレーザー耐性を定量的に決定する方法 |
| JP4653430B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-03-16 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 合成石英ガラスのパルスレーザー耐性を定量的に決定する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3663753B2 (ja) | 2005-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Brunner et al. | Approximate models for resist processing effects | |
| US20190107776A1 (en) | Method and appliance for predicting the imaging result obtained with a mask when a lithography process is carried out | |
| US20050041226A1 (en) | Method and device for exposure control, method and device for exposure, and method of manufacture of device | |
| JP4104338B2 (ja) | ＡｒＦ露光装置用合成石英ガラス素材 | |
| JP3716574B2 (ja) | エキシマレーザ照射に対する光学部材の耐久性予測方法及び石英ガラス光学部材の選択方法 | |
| US20040095662A1 (en) | Adjustment method and apparatus of optical system, and exposure apparatus | |
| US6295841B1 (en) | Method pre-compaction of fused silica | |
| JPH1019727A (ja) | エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材 | |
| WO2003091175A1 (fr) | Verre de quartz synthetique pour element optique, dispositif de projection et procede de projection | |
| US20030167798A1 (en) | Optical members and methods for predicting the performance of optical members and optical systems | |
| Schermerhorn | Excimer laser damage testing of optical materials | |
| Milner et al. | Lithography process monitor using light diffracted from a latent image | |
| Triebel et al. | Evaluation of fused silica for DUV laser application by short-time diagnostics | |
| Schönfeld et al. | Measurement of initial absorption of fused silica at 193nm using laser induced deflection technique (LID) | |
| JP2016037443A (ja) | 光リソグラフィ用ガラス基板 | |
| JP3408574B2 (ja) | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 | |
| JP3158854B2 (ja) | 石英ガラス部材及びその評価方法 | |
| Engel et al. | Present and future industrial metrology needs for qualification of high-quality optical microlithography materials | |
| EP1491513A1 (en) | Synthetic quartz glass member and process for producing the same | |
| EP0866331A2 (en) | Apparatus and methods for assessing optical material resistance to deterioration | |
| JP2001023884A (ja) | 真空紫外光リソグラフィー装置、その製造方法、及びフッ化物結晶材料の検査方法 | |
| Sumitani et al. | In-situ measurements of VUV optical materials for F2 laser | |
| JP5058875B2 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、評価方法、および感度評価装置 | |
| Kasprowicz et al. | Evaluation of new mask materials for improved lithography performance | |
| Uebbing et al. | Modified fused silica for 157-nm mask substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050308 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050321 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080408 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170408 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |