JPH10193520A - 積層体、多層基板、及びこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電特性、耐湿性、耐熱性、耐久性及び密着
性などの諸特性に優れ、かつ、簡易な方法により多層化
することができる積層体を提供すること、及びこのよう
な諸特性に優れた多層基板を提供すること。 【解決手段】 熱可塑性樹脂（Ａ）からなる誘電層の少
なくとも片面に、該熱可塑性樹脂（Ａ）よりもガラス転
移温度が低く、かつ、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹
脂（Ｂ）からなる接着層が積層され、さらに、該接着層
の上に導電層が積層されていることを特徴とする積層
体、及びその製造方法。該積層体を２層以上積層してな
る多層基板、及び該積層体を２層以上積み重ね、側鎖に
極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）のガラス転移温度以
上であって、熱可塑性樹脂（Ａ）のガラス転移温度より
も低い温度で加熱・加圧して、溶融圧着させることを特
徴とする多層基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱可塑性樹脂から
なる誘電層の上に接着層を介して導電層が形成された積
層体、該積層体を多層に積層してなる多層基板、及びこ
れらの製造方法に関するものである。本発明の積層体及
び多層基板は、誘電特性、耐熱性、低吸水性、耐久性、
及び密着性に優れており、電気・電子機器分野における
多層回路基板などの用途に有用である。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体実装技術における高密度化
及び高速化の要求に対応して、配線ピッチの高密度化が
図られているが、それに伴って、回路基板に関する技術
は、従来のガラスクロス含浸銅張積層板方式から、マル
チチップモジュール（ＭＣＭ）や高密度実装基板のビル
ドアップ方式やフィルムラミネート多層板方式などによ
る多層基板の開発に向けられてきている。例えば、特開
平８−１８６３７６号公報には、熱硬化性ポリイミドフ
ィルムの両面に熱可塑性ポリイミドからなる接着層を設
け、その片面に銅配線を形成した積層体を、４層以上重
ねて、加熱溶融圧着して多層板を製造する方法が開示さ
れている。しかしながら、この方法では、誘電層となる
フィルムを形成する熱硬化性ポリイミドの誘電特性、耐
湿性、及び耐久性が充分ではないという問題があった。
特開昭６２−２９１９１号公報には、エチレンとノルボ
ルネン系モノマーとを付加共重合させた熱可塑性ノルボ
ルネン系樹脂からなる基板に、銅箔を積層した積層体が
開示されている。しかしながら、この積層体は、基板と
銅箔との密着性が充分ではなく、しかも多層化が困難で
ある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、誘電
特性、耐湿性、耐熱性、耐久性、及び密着性などの諸特
性に優れ、かつ、簡易な方法により多層化することがで
きる積層体を提供することにある。本発明の他の目的
は、誘電特性、耐湿性、耐熱性、耐久性、及び密着性な
どの諸特性に優れ、かつ、簡易な方法により製造するこ
とができる多層基板を提供することにある。さらに、本
発明の目的は、上記の積層体及び多層基板の製造方法を
提供することにある。本発明者らは、上記目的を達成す
るために鋭意研究を行った結果、熱可塑性ノルボルネ
ン系樹脂からなる誘電層の上に、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が誘電層の熱可塑性ノルボルネン系樹脂よりも低
く、かつ、側鎖に極性基を有する熱可塑性ノルボルネン
系樹脂からなる接着層、及び金属等からなる導電層が
形成された積層体が、誘電特性、耐湿性（低吸水性）、
耐熱性、熱安定性、及び各層間の密着性に優れているこ
とを見いだした。また、この積層体を２層以上積み重ね
て、熱可塑性ノルボルネン系樹脂のＴｇと極性基含有熱
可塑性ノルボルネン系樹脂のＴｇとの間の温度で加熱溶
融圧着することにより、前記の如き諸特性に優れた多層
基板を容易に製造できることを見いだした。このような
２種の熱可塑性樹脂を用いた積層体及び多層基板の製造
技術は、本発明者らが初めて見いだしたものであり、熱
可塑性ノルボルネン系樹脂に限定されず、広範な種類の
熱可塑性樹脂に適用可能である。本発明は、これらの知
見に基づいて完成するに至ったものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、熱可塑性樹脂（Ａ）からなる誘電層の少なくとも片
面に、該熱可塑性樹脂（Ａ）よりもガラス転移温度が低
く、かつ、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）か
らなる接着層が積層され、さらに、該接着層の上に導電
層が積層されていることを特徴とする積層体が提供され
る。また、本発明によれば、前記の積層体が２層以上積
層された多層構造を有することを特徴とする多層基板が
提供される。

【０００５】さらに、本発明によれば、前記の積層体を
２層以上積み重ね、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂
（Ｂ）のガラス転移温度以上であって、熱可塑性樹脂
（Ａ）のガラス転移温度よりも低い温度で加熱・加圧し
て、溶融圧着させることを特徴とする多層基板の製造方
法が提供される。

【０００６】前記の積層体としては、熱可塑性樹脂
（Ａ）からなる誘電層の両面に、側鎖に極性基を有する
熱可塑性樹脂（Ｂ）からなる接着層が積層され、一方の
接着層の上のみに導電層が積層された構成のものが好ま
しい。また、熱可塑性樹脂（Ａ）及び側鎖に極性基を有
する熱可塑性樹脂（Ｂ）は、いずれも熱可塑性ノルボル
ネン系樹脂であることが好ましい。さらに、多層基板
は、前記の積層体を２〜２０段に積み重ねてなるものが
好ましい。多層基板の製造に際しては、一般に、積層体
の導電層の上に、他の積層体の接着層を重ねて、各積層
体間を加熱溶融圧着させる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。１．積層体 本発明の積層体は、以下の誘電層、接着層、及び導電層
とからなる。 （１）誘電層 （１−１）熱可塑性樹脂（Ａ） 本発明の積層体で使用される誘電層は、熱可塑性樹脂
（Ａ）からなることを特徴とする。熱可塑性樹脂（Ａ）
は、誘電層として使用可能なものであれば特に限定され
ないが、誘電特性、低吸水性、耐熱性、耐久性、及び密
着性の各特性を高度にバランスさせる上で、熱可塑性ノ
ルボルネン系樹脂（ａ）が好適である。 （１−１−１）熱可塑性ノルボルンネン系樹脂（ａ） 熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ａ）としては、格別な制
限はなく、ノルボルネン系モノマー、あるいはノルボル
ネン系モノマーとその他のオレフィン系モノマーを
（共）重合したものを用いることができる。

【０００８】＜モノマー＞ノルボルネン系モノマーとし
ては、ノルボルネン環を有するノルボルネン系モノマー
であれば格別な制限はなく、例えば、環上に側鎖を有す
るノルボルネン系モノマー（ｍ−１）や環上に側鎖を有
さないノルボルネン系モノマー（ｍ−２）などが使用さ
れる。環上の側鎖の炭素原子数は、格別制限されない
が、通常１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましく
は１〜６である。側鎖としては、例えば、アルキル基、
アルケニル基、アルキリデン基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキレン基、アシルオキシアルキレン基などが挙
げられ、これらの中でも、アルキル基、アルケニル基、
アルキリデン基が耐湿性を高度に高める上で好適であ
る。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｎ−ヘキシル基など
が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基などが挙げられる。アルキリデン基としては、例
えば、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、
イソプロピリデン基、ブチリデン基などが挙げられる。
環上に側鎖を有するノルボルネン系モノマー（ｍ−１）
としては、例えば、式（１）で表されるモノマーを挙げ
ることができる。

【０００９】

【化１】

【００１０】式（１）中の各符号の意味は、下記のとお
りである。ａ、ｂ、及びｃは、それぞれ独立して、０、
１または２であり、通常、０または１である。Ｒ¹〜Ｒ
²⁰は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、ハロゲ
ン原子、水酸基、エステル基（例えば、アルキルエステ
ル基）、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミド
基、シリル基、または極性基（すなわち、ハロゲン原
子、水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、ア
ミド基、イミド基、またはシリル基）で置換された炭化
水素基である。ただし、Ｒ¹〜Ｒ²⁰の少なくとも一つが
炭化水素基または極性基で置換された炭化水素基であ
る。また、Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰は、２つ以上が互いに結合して、
単環または多環を形成していてもよく、この単環または
多環は、炭素−炭素二重結合を有していても、芳香環を
形成してもよい。Ｒ¹⁷とＲ¹⁸とで、またはＲ¹⁹とＲ²⁰と
で、アルキリデン基を形成していてもよい。さらに、Ｒ
¹⁸とＲ¹⁹とが互いに結合して、Ｒ¹⁸及びＲ¹⁹のそれぞれ
が結合している２個の炭素原子間に炭素−炭素二重結合
を形成していてもよい。

【００１１】式（１）中のハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げる
ことができる。炭化水素基としては、例えば、炭素原子
数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜
６のアルキル基、炭素原子数が２〜２０、好ましくは２
〜１０、より好ましくは２〜６のアルケニル基、及び炭
素原子数３〜１５、好ましくは３〜８、より好ましくは
５〜６のシクロアルキル基などを挙げることができる。
極性基が置換した炭化水素基としては、例えば、炭素原
子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１
〜６のハロゲン化アルキル基を挙げることができる。炭
化水素基としては、極性基で置換されないものが、低吸
水性が高度に求められる用途では好適である。

【００１２】環上に側鎖を有するノルボルネン系モノマ
ー（ｍ−１）の具体例としては、例えば、６−メチルビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジメ
チルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、１−メ
チルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、６−エ
チルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、６−ｎ
−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、６
−イソブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、７−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、などのビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン誘
導体；ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２，５−ジエン
などのビシクロ［２．２．１］ヘプトジエン誘導体；テ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３，８−
ドデカジエンなどのテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３，８−ドデカジエン誘導体；８−
メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−エチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−プロピルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−ブチテルトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−イソブチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］
−３−ドデセン、８−シクロヘキシルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、５，１０−ジメチルテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８，９−ジメチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、１１，１２−ジ
メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、２，７，９−トリメチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９−
エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９−イソブチル−
２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、９，１１，１２−トリメチル
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシク
ロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９
−イソブチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、５，
８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン
−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−エチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８−エチリデン−９−イソプロピルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデン
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシク
ロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８
−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プ
ロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピ
リデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピリデ
ンテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−
ドデセン、８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−イソプロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプ
ロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピ
リデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−クロロテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−ブロモテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、８−フルオロテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８，
９−ジクロロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、などのテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン誘導体；１２−メ
チルヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０
^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン、１２−エチルヘキ
サシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０
^9,14］−４−ヘプタデセン、１２−イソブチルヘキサシ
クロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］
−４−ヘプタデセン、１，６，１０−トリメチル−１２
−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１
^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン、などのヘ
キサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０
^9,14］−４−ヘプタデセン誘導体；１５−メチルオクタ
シクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．
１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン、１５−エ
チルオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１
^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン、な
どのオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１
^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン誘導
体；１，３−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１
^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン、１，６−ジ
メチルペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０
^9,14］−４−ヘキサデセン、１５，１６−ジメチルペン
タシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−
ヘキサデセン、などのペンタシクロ［６．６．１．１
^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン誘導体；ヘプ
タシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．
０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセン、などのヘプタ
シクロ−５−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−
５−ヘンエイコセン誘導体；２−メチルトリシクロ
［４．３．０．１^2,5］−３−デセン、５−メチルトリ
シクロ［４．３．０．１^2,5］−３−デセン、などのト
リシクロ［４．３．０．１^2,5］−３−デセン誘導体；
１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１^2,5］−３−
ウンデセン、などのトリシクロ［４．４．０．１^2,5］
−３−ウンデセン誘導体；１，３−ジメチルペンタシク
ロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタ
デセン、１，６−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．
１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、１４，１
５−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、などのペンタシ
クロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペン
タデセン誘導体；などのジエン化合物；メチル置換ペン
タシクロ［７．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３
−ペンタデセン、などのペンタシクロ［７．４．０．１
^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ペンタデセン誘導体；ジ
メチル置換ヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．
１^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４−エイコセ
ン、などのヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．
１^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４−エイコセン
誘導体；トリメチル置換ノナシクロ［１０．９．１．１
^4,7．１^13,20．１^15,18．０^3,8．０^2,10．０^12,21．０
^14,19］−５−ペンタコセン、などのノナシクロ［１
０．９．１．１^4,7．１^13,20．１^15,18．０^3,8．
０^2,10．０^12,21．０^14,19］−５−ペンタコセン誘導
体；１１−メチルペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．
１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン、１１−エチル−
ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］
−３−ヘキサデセン、１０，１１−ジメチル−ペンタシ
クロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−５−ヘ
キサデセン、などのペンタシクロ［８．４．０．
１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン誘導体；
１５−メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１
^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセ
ン、トリメチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．
１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコ
セン、などのヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１
^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセ
ン誘導体；などのノナシクロ［１０．１０．１．
１^5,8．１^14,21．１^16,19．０^2,11．０^4,9．０^13,22．
０^15,20］−６−ヘキサコセン誘導体；メチル置換ペン
タシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４，
１１−ペンタデカジエン、メチル置換ペンタシクロ
［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４，１１−ペ
ンタデカジエン、メチル置換ペンタシクロ［６．５．
１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４，１１−ペンタデカジ
エン、トリメチル置換ペンタシクロ［４．７．０．１
^2,5．０^8,13．１^9,12］−３−ペンタデセン、メチル置
換ペンタシクロ［４．７．０．１^2,5．０^8,13．
１^9,12］−３，１０−ペンタデカジエン、メチル置換ペ
ンタシクロ［４．７．０．１^2,5．０^8,13．１^9,12］−
３，１０−ペンタデカジエン、メチル置換ペンタシクロ
［４．７．０．１^2,5．０^8,13．１^9,12］−３，１０−
ペンタデカジエン、メチル置換ヘプタシクロ［７．８．
０．１^3,6．０^2,7．１^10,17．０^11,16．１^12,15］−４
−エイコセン、トリメチル置換ヘプタシクロ［７．８．
０．１^3,6．０^2,7．１^10,17．０^11,16．１^12,15］−４
−エイコセン、テトラメチル置換ヘプタシクロ［７．
８．０．１^3,6．０^2,7．１^10,17．０^11,16．１^12,15］
−４−エイコセン、（すなわち、ジシクロペンタジエ
ン）、２，３−ジヒドロジシクロペンタジエン、５−フ
ェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（す
なわち、５−フェニル−２−ノルボルネン）、５−メチ
ル−５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２
−エン、５−ベンジル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト
−２−エン、５−トリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−２−エン、５−（エチルフェニル）−ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−（イソプロピル
フェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−フ
ェニル−テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］
−３−ドデセン、８−ベンジル−テトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−トリル
−テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−
ドデセン、８−（エチルフェニル）−テトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
（イソプロピルフェニル）−テトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８，９−ジフェ
ニル−テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−（ビフェニル）−テトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
（β−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−（α−ナフチ
ル）−テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−（アントラセニル）−テトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、１１
−フェニル−ヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,14］−４ヘプタデセン、６−（α−ナフチ
ル）−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５
−（アントラセニル）−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、５−（ビフェニル）−ビシクロ［２．
２．１］−ヘプト−２−エン、５−（β−ナフチル）−
ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６−
ジフェニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、９−（２−ノルボルネン−５−イル）−カルバゾー
ル、１，４−メタノ−８−メチル−１，４，４ａ，９ａ
−テトラヒドロフルオレン、１，４−メタノ−８−クロ
ロ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン、
１，４−メタノ−８−ブロモ−１，４，４ａ，９ａ−テ
トラヒドロフルオレン等の１，４−メタノ−１，４，４
ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン類；１，４−メタノ
−９−フェニル−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロカ
ルバゾール等の１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−
テトラヒドロカルバゾール類；１，４−メタノ−１，
４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセ
ン類；シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物にシ
クロペンタジエンをさらに付加した化合物、１１，１２
−ベンゾ−ペンタシクロ［６，５，１，１^3,6．０^2,7．
０^9,13］−４−ペンタデセン、１１，１２−ベンゾ−ペ
ンタシクロ［６，６，１，１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４
−ヘキサデセン、１４，１５−ベンゾ−ヘプタシクロ
［８．７．０．１^2,9．１^4,7．１^11,17．０^3,8．０
^12,16］−５−エイコセン、シクロペンタジエン−アセ
ナフチレン付加物などが挙げられる。

【００１３】これらの中でも、好ましいモノマーとして
は、例えば、６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト
−２−エン、５，６−ジメチルビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、１−メチルビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、６−エチルビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、６−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、６−イソブチルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、７−メチルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、などのビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン誘導体；８−メチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
エチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−プロピルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ブチテルト
ラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−イソブチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ヘキシルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−シクロヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ステアリルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、５，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、２，１０−ジメチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８，９−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エチル−９−メチ
ルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−
ドデセン、１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、２，７，９
−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、９−エチル−２，７−ジメチル
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、９−イソブチル−２，７−ジメチルテトラシク
ロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
９，１１，１２−トリメチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９−エチル−１
１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９−イソブチル−１
１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、５，８，９，１０−
テトラメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−メチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８−エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エチリ
デン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−
ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピ
リデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．
１^{2, 5}．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデ
ン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデン
−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピリデンテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプ
ロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピリデン
−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピリデ
ン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−クロロテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ブロモ
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８，９−ジクロロテト
ラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、などのテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン誘導体；などが挙げられる。環
上に側鎖を有さないノルボルネン系モノマー（ｍ−２）
としては、例えば、式（２）で表されるモノマーを挙げ
ることができる。

【００１４】

【化２】

【００１５】式（２）中の各符号の意味は、下記のとお
りである。ｄ、ｅ、及びｆは、それぞれ独立して、０、
１または２であり、通常、０または１である。Ｒ²¹〜Ｒ
²⁴は、水素原子であるか、あるいはＲ²¹〜Ｒ²⁴の２つ以
上が互いに結合して単環または多環を形成していてもよ
く、この単環または多環は、炭素−炭素二重結合を有し
ていても、芳香環を形成してもよい。また、Ｒ²²とＲ²³
とが互いに結合して、Ｒ²²及びＲ²³のそれぞれが結合し
ている２個の炭素原子間に炭素−炭素二重結合を形成し
ていてもよい。

【００１６】環上に側鎖を有さないノルボルネン系モノ
マー（ｍ−２）の具体例としては、例えば、ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、テトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、ヘキサシク
ロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13 ．０^2,7．０^9,14］−
４−ヘプタデセン、オクタシクロ［８．８．０．
１^2,9．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−
５−ドコセン、ペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０
^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン、ヘプタシクロ
［８．７．０．１^2,9．１^4,7．１^11,17．０^3,8．０
^12,16］−５−エイコセン、トリシクロ［４．３．０．
１^2,5］−３−デセン、トリシクロ［４．４．０．
１^2,5］−３−ウンデセン、ペンタシクロ［６．５．
１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、ペン
タシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４，
１０−ペンタデカジエン、ペンタシクロ［７．４．０．
１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ペンタデセン、ヘプタ
シクロ［８．７．０．１^3,6．１^10,17．１^12,15．
０^2,7．０^11,16］−４−エイコセン、ノナシクロ［１
０．９．１．１^4,7．１^13,20．１^15,18．０^3,8．
０^2,10．０^12,21．０^14,19］−５−ペンタコセン、ペン
タシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３
−ヘキサデセン、ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．
１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコ
セン、ノナシクロ［１０．１０．１．１^5,8．１^14,21．
１^16,19．０^2,11．０^4,9．０^13,22．０^15,20］−６−ヘ
キサコセン、ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,13］−４，１１−ペンタデカジエン、ペン
タシクロ［４．７．０．１^2,5．０^8,13．１^9,12］−
３，１０−ペンタデカジエン、トリシクロ［４．３．
０．１^2,5］−３，７−デカジエン、１，４−メタノ−
１，４，４ａ，４ｂ，５，８，８ａ，９ａ−オクタヒド
ロフルオレン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−
テトラヒドロフルオレン、１，４−メタノ−１，４，４
ａ，９ａ−テトラヒドロジベンゾフラン、１，４−メタ
ノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロカルバゾール、
１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘ
キサヒドロアントラセン、７，１０−メタノ−６ｂ，
７，１０，１０ａ−テトラヒドロフルオランセン、等が
挙げられる。 これらの中でも、好ましいモノマーとし
ては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３
−ドデセン、ヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１
^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン、オクタシ
クロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．１^13,16．
０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン、ペンタシクロ［６．
６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン、
１，４−メタノ−１，４，４ａ，４ｂ，５，８，８ａ，
９ａ−オクタヒドロフルオレン、１，４−メタノ−１，
４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン、などが挙げ
られる。特に耐熱性に優れる熱可塑性ノルボルネン系樹
脂としては、上記環上に側鎖を有さないノルボルンネン
系モノマー（ｍ−２）由来の結合単位の含有量が多いも
のが好ましく、その含有量は、通常５０モル％超過であ
り、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重
量％以上である。

【００１７】その他のオレフィン系モノマーとしては、
例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペン
テン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−
メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、
４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−
１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル
−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデ
セン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オク
タデセン、１−エイコセンなどの炭素数２〜２０のエチ
レンまたはα−オレフィン；シクロブテン、シクロペン
テン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテ
ン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチ
ル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，
５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−
インデンなどのシクロオレフィンなどが挙げられる。

【００１８】＜重合方法＞ノルボルネン系モノマーの重
合方法は、格別な制限はなく、一般に公知の方法から適
宜選択することができる。具体的な重合方法としては、
例えば、開環重合法及び付加重合法を挙げることができ
るが、Ｔｇの高い熱可塑性ノルボルネン系樹脂を得るに
は、付加重合法が好適である。ノルボルネン系モノマー
の開環重合体（開環共重合体を含む）は、開環重合触媒
を用いた公知の重合方法により得ることができる。開環
重合触媒としては、例えば、ルテニウム、ロジウム、パ
ラジウム、オスミウム、イリジウム、及び白金などから
選ばれる金属のハロゲン化物、硝酸塩またはアセチルア
セトン化合物と、還元剤とからなる触媒；あるいは、チ
タン、バナジウム、ジルコニウム、タングステン、及び
モリブデンから選ばれる金属のハロゲン化物またはアセ
チルアセトン化合物と、有機アルミニウム化合物とから
なる触媒を用いることができる。上記触媒系に、第三成
分を加えて、重合活性や開環重合の選択性を高めること
ができる。具体例としては、分子状酸素、アルコール、
エーテル、過酸化物、カルボン酸、酸無水物、酸クロリ
ド、エステル、ケトン、含窒素化合物、含硫黄化合物、
含ハロゲン化合物、分子状ヨウ素、その他のルイス酸な
どが挙げられる。含窒素化合物としては、脂肪族または
芳香族第三級アミンが好ましく、具体例としては、トリ
エチルアミン、ジメチルアニリン、トリ−ｎ−ブチルア
ミン、ピリジン、α−ピコリンなどが挙げられる。

【００１９】開環重合は、溶媒を用いなくても可能であ
るが、不活性有機溶媒中でも実施することができる。溶
剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素、ｎ−ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環族
炭化水素、スチレンジクロリド、ジクロルエタン、ジク
ロルエチレン、テトラクロルエタン、クロルベンゼン、
ジクロルベンゼン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン
化炭化水素などが挙げられる。重合温度は、通常−５０
℃〜１００℃、好ましくは−３０℃〜８０℃、より好ま
しくは−２０℃〜６０℃であり、重合圧力は、通常、０
〜５０ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは０〜２０ｋｇ／ｃｍ²で
ある。

【００２０】開環重合後に、開環重合体を水素添加する
ことができる。開環重合体は、ノルボルネン環の開環に
より、その主鎖に炭素−炭素二重結合が形成される。ま
た、ノルボルネン系モノマーとして、アルケニル基やア
ルキリデン基などの炭素−炭素二重結合を有する置換基
を有するものを用いた場合には、これらの炭素−炭素二
重結合が残存する。開環重合体は、炭素−炭素二重結合
が残存しているものであってもよいが、耐熱性、耐候性
などの観点から、少なくとも主鎖の炭素−炭素二重結合
を水素添加したものであることが好ましい。水素添加物
は、常法に従って、開環重合体を水素添加触媒の存在下
に、水素により水素化する方法により得ることができ
る。水素添加触媒としては、遷移金属化合物とアルキル
金属化合物の組み合わせからなる触媒、例えば、酢酸コ
バルト／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルア
セトナート／トリイソブチルアルミニウム、チタノセン
ジクロリド／ｎ−ブチルリチウム、ジルコノセンジクロ
リド／ｓｅｃ−ブチルリチウム、テトラブトキシチタネ
ート／ジメチルマグネシウム等の組み合わせが挙げられ
る。

【００２１】水素添加反応は、通常、不活性有機溶媒中
で、開環重合体を−２０℃〜１２０℃、好ましくは０〜
１００℃、より好ましくは２０〜８０℃の温度で、０．
１〜５０ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは０．５〜３０ｋｇ／
ｃｍ²、より好ましくは１〜２０ｋｇ／ｃｍ²の水素圧力
の条件で行う。側鎖に炭素−炭素二重結合がある場合、
主鎖の炭素−炭素二重結合の水素添加と同時に水素添加
される。多環構造中に芳香環がある場合、そのまま残存
させてもよいが、芳香環を水素添加する場合には、例え
ば、水素添加温度を１５０〜２５０℃程度の高温にす
る。水素添加率は任意であるが、できるだけ高いことが
望ましい。ノルボルネン系モノマーの付加重合法、ある
いはノルボルネン系モノマーとその他のオレフィン系モ
ノマーとの付加共重合法としては、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ
ａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，３５８，５６７−５８８
（１９８８）、特開平３−２０５４０８号公報、特開平
４−６３８０７号公報、特開平５−２６２８２１号公
報、ＷＯ９５／１４０４８号公報などに開示されている
触媒や重合方法などを採用することができる。

【００２２】触媒としては、周期律表第ＶＩＩＩ族に属
する遷移金属が主成分となるものが用いられる。周期律
表第ＶＩＩＩ族に属する遷移金属としては、例えば、
鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、白金等を挙げることができる。これらの中で
も、コバルト、ニッケル、パラジウムなどが好ましい。
以下に、かかる遷移金属を主成分とする触媒の具体例を
示す。鉄化合物としては、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（Ｉ
ＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩ）、鉄（ＩＩ）アセチルアセトナ
ート、フェロセンなどが挙げられる。コバルト化合物と
しては、酢酸コバルト（ＩＩ）、コバルト（ＩＩ）アセ
チルアセトナート、コバルト（ＩＩ）テトラフルオロボ
レート、塩化コバルト、コバルト（ＩＩ）ベンゾエート
などが挙げられる。ニッケル化合物としては、酢酸ニッ
ケル、ニッケルアセチルアセトネート、炭酸ニッケル、
塩化ニッケル、ニッケルエチルヘキサノエート、ニッケ
ロセン、ＮｉＣｌ₂（ＰＰｈ₃ ）₂（Ｐｈ＝フェニル
基）、ビスアリルニッケル、酸化ニッケルなどが挙げら
れる。パラジウム化合物としては、塩化パラジウム、臭
化パラジウム、酸化パラジウム、ＰｄＣｌ₂（ＰＰｈ
₃ ）₂、ＰｄＣｌ₂（ＰｈＣＮ）₂、ＰｄＣｌ₂（ＣＨ₃Ｃ
Ｎ）₂、［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄］［ＢＦ₄］₂、［Ｐｄ
（Ｃ₂Ｈ₅ＣＮ）₄］［ＢＦ₄］₂、パパラジウムアセチル
アセトナート、酢酸パラジウムなどが挙げられる。これ
らの中でも、塩化パラジウム、ニッケルアセチルアセト
ナート、ＰｄＣｌ₂（ＰｈＣＮ）₂、［Ｐｄ（ＣＨ₃Ｃ
Ｎ）₄］［ＢＦ₄］₂などが特に好ましい。

【００２３】これらの触媒は、それぞれ単独で、あるい
は２種以上を組み合わせて用いられる。触媒の使用量
は、重合条件等により適宜選択されればよいが、全重合
モノマー量に対するモル比で、通常１／１，０００，０
００〜１／１０、好ましくは、１／１００，０００〜１
／１００である。付加重合に際し、必要に応じて、助触
媒を用いてもよい。助触媒としては、例えば、アルミノ
キサンが好ましく、メチルアルミノキサンが特に好まし
い。助触媒は、単独でも、２種以上を組み合わせてもよ
く、また、その使用量は、助触媒の種類等により適宜選
択される。助触媒としてアルミノキサンを使用する場
合、その使用量は、アルミノキサン中のアルミニウムと
触媒中の遷移金属の比、すなわち、アルミニウム／遷移
金属の比（モル比）で、通常１〜１００，０００、好ま
しくは５〜１０，０００の範囲である。

【００２４】重合反応は、溶媒を用いずに塊状重合で行
ってもよいし、また、有機溶媒等の溶媒中で行ってもよ
い。溶媒としては、重合反応に不活性なものであれば格
別な制限はないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素類；ｎ−ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン
などの脂環族炭化水素；スチレンジクロリド、ジクロル
エタン、ジクロルエチレン、テトラクロルエタン、クロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼン、トリクロルベンゼンな
どのハロゲン化炭化水素類；ニトロメタン、ニトロベン
ゼン、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどの含窒素炭
化水素類；などが挙げられる。重合温度は、通常−５０
℃〜２５０℃、好ましくは−３０℃〜２００℃、より好
ましくは−２０℃〜１５０℃の範囲であり、重合圧力
は、通常、０〜５０ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは０〜２０
ｋｇ／ｃｍ²の範囲である。重合時間は、重合条件によ
り適宜選択されるが、通常３０分〜２０時間、好ましく
は１〜１０時間の範囲である。

【００２５】（１−２）その他の熱可塑性樹脂（Ａ） 熱可塑性ノルボルネン系樹脂以外の熱可塑性樹脂として
は、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレ
ンテレフタレエートなどのポリエステル；ポリエチレン
やポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリアミド、
ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリアリルスルホ
ン、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレ
ン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリ
イミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリアセタール、ポ
リフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポ
リスチレン、ポリスルフォン、ポリビニルアルコール、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニリデン
フロライド、ポリメチルペンテンなどが挙げられる。こ
れらの熱可塑性樹脂は、それぞれ単独で、あるいは２種
以上を組み合わせて用いられる。

【００２６】（１−３）熱可塑性樹脂（Ａ）の物性 本発明において、誘電層として使用される熱可塑性樹脂
（Ａ）のＴｇは、接着層として使用される側鎖に極性基
を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）のＴｇよりも高いことが必
要である。熱可塑性樹脂（Ａ）と極性基含有熱可塑性樹
脂（Ｂ）との間のＴｇ差は、本発明の積層体の使用目
的、あるいは該積層体を多層化させる場合の加熱融着圧
着条件等により適宜選択されるが、通常３０℃以上、好
ましくは４０℃以上、より好ましくは５０℃以上の差が
あるのが好適である。

【００２７】熱可塑性樹脂（Ａ）のＴｇは、使用目的に
応じて適宜選択されればよいが、ハンダ耐熱性等の耐熱
性に優れるのが好ましく、通常１００〜５００℃、好ま
しくは１５０〜４５０℃、より好ましくは２００〜４０
０℃、最も好ましくは２５０〜３８０℃の範囲である。
熱可塑性樹脂（Ａ）の分子量は、格別な制限はないが、
トルエンを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換
算の数平均分子量（Ｍｎ）で、５００〜５００，００
０、好ましくは１，０００〜３００，０００、より好ま
しくは２，０００〜２００，０００の範囲である。熱可
塑性樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）がこの範囲にあるとき
に、機械的強度や成形加工性が高度にバランスされ好適
である。これらの熱可塑性樹脂（Ａ）は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて用いられる。

【００２８】（１−３）配合剤 本発明の誘電層は、上記熱可塑性樹脂（Ａ）成分以外
に、必要に応じて、各種配合剤を添加することができ
る。各種配合剤としては、例えば、架橋剤、架橋助剤、
難燃剤、その他のポリマー成分、その他の配合剤などが
挙げられる。

【００２９】＜架橋剤＞架橋剤としては、特に限定され
ないが、一般的には、有機過酸化物が用いられる。有機
過酸化物としては、例えば、メチルエチルケトンパーオ
キシド、シクロヘキサノンパ−オキシドなどのケトンパ
ーオキシド類；１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス
（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタンなどのパーオキシケタ
ール類；ｔ−ブチルハイドロパーオキシド、２，５−ジ
メチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキシドなど
のハイドロパーオキシド類；ジクミルパーオキシド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３，α，α′−ビス（ｔ−ブチルパーオ
キシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼンなどのジアルキルパ
ーオキシド類：オクタノイルパーオキシド、イソブチリ
ルパーオキシドなどのジアシルパーオキシド類；パーオ
キシジカーボネートなどのパーオキシエステル類；が挙
げられる。これらの中でも、硬化後の樹脂の性能から、
ジアルキルパーオキシドが好ましく、アルキル基の種類
は、成形温度によって変えるのがよい。

【００３０】また、架橋剤として、光によりラジカルを
発生する光架橋剤を用いることができる。光架橋剤とし
ては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
イソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル系
化合物；ベンゾフェノン、メチルオルソベンゾイルベン
ゾエート、４，４′−ジクロロベンゾフェノン等のベン
ゾフェノン系化合物；ジベンジル、ベンジルメチルケタ
ール等のベンジル系化合物；２，２−ジエトキシアセト
フェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノ
ン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロピオフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、
２，２−ジエトキシアセトフェノン、４′−フェノキシ
−２，２−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン
系化合物；２−クロロチオキサントン、２−メチルチオ
キサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のチオ
キサントン系化合物；２−エチルアントラキノン、２−
クロロアントラキノン、ナフトキノン等のアントラキノ
ン系化合物；２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェ
ノン、４′−ドデシル−２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロピオフェノン等のプロピオフェノン系化合物；オクテ
ン酸コバルト、ナフテン酸コバルト、オクテン酸マンガ
ン、ナフテン酸マンガン等の有機酸金属塩；等の光架橋
剤を挙げることができる。これらの架橋剤は、それぞれ
単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。架橋剤の配合量は、熱可塑性樹脂（Ａ）１００
重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好まし
くは０．００１〜１５重量部、より好ましくは０．１〜
１０重量部、最も好ましくは０．５〜５重量部の範囲で
ある。架橋剤の配合量がこの範囲にあるときに、架橋性
及び架橋物の電気特性、耐水性などの特性が高度にバラ
ンスされ好適である。

【００３１】＜架橋助剤＞本発明においては、架橋助剤
を使用することにより、架橋性及び配合剤の分散性をさ
らに高めることができるので好適である。本発明で使用
する架橋助剤は、特に限定されるものではないが、特開
昭６２−３４９２４号公報等に開示されている公知のも
のでよく、例えば、キノンジオキシム、ベンゾキノンジ
オキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム・ニト
ロソ系架橋助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマレイミ
ド等のマレイミド系架橋助剤；ジアリルフタレート、ト
リアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等
のアリル系架橋助剤；エチレングリコールジメタクリレ
ート、トリメチロールプロパントリメタクリレート等の
メタクリレート系架橋助剤；ビニルトルエン、エチルビ
ニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系架橋助
剤；等が例示される。これらの中でも、アリル系架橋助
剤、メタクリレート系架橋助剤が、均一に分散させやす
く好ましい。架橋助剤の添加量は、架橋剤の種類により
適宜選択されるが、架橋剤１重量部に対して、通常０．
１〜１０重量部、好ましくは０．２〜５重量部である。
架橋助剤の添加量は、少なすぎると架橋が起こりにく
く、添加量が多すぎると、架橋した樹脂の電気特性、耐
水性、耐湿性等が低下するおそれが生じる。

【００３２】＜難燃剤＞難燃剤としては、特に制約はな
いが、架橋剤によって分解、変性、変質しないものが好
ましく、通常、ハロゲン系難燃剤が用いられる。ハロゲ
ン系難燃剤としては、塩素系及び臭素系の種々の難燃剤
が使用可能であるが、難燃化効果、成形時の耐熱性、樹
脂への分散性、樹脂の物性への影響等の面から、ヘキサ
ブロモベンゼン、ペンタブロモエチルベンゼン、ヘキサ
ブロモビフェニル、デカブロモジフェニル、ヘキサブロ
モジフェニルオキサイド、オクタブロモジフェニルオキ
サイド、デカブロモジフェニルオキサイド、ペンタブロ
モシクロヘキサン、テトラブロモビスフェノールＡ、及
びその誘導体［例えば、テトラブロモビスフェノールＡ
−ビス（ヒドロキシエチルエーテル）、テトラブロモビ
スフェノールＡ−ビス（２，３−ジブロモプロピルエー
テル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（ブロモ
エチルエーテル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビ
ス（アリルエーテル）等］、テトラブロモビスフェノー
ルＳ、及びその誘導体［例えば、テトラブロモビスフェ
ノールＳ−ビス（ヒドロキシエチルエーテル）、テトラ
ブロモビスフェノールＳ−ビス（２，３−ジブロモプロ
ピルエーテル）等］、ハロゲン化ビスフェノールエポキ
シ樹脂、テトラブロモ無水フタル酸、及びその誘導体
［例えば、テトラブロモフタルイミド、エチレンビステ
トラブロモフタルイミド等］、エチレンビス（５，６−
ジブロモノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミ
ド）、トリス−（２，３−ジブロモプロピル−１）−イ
ソシアヌレート、ヘキサクロロシクロペンタジエンのデ
ィールス・アルダー反応の付加物、トリブロモフェニル
グリシジルエーテル、トリブロモフェニルアクリレー
ト、エチレンビストリブロモフェニルエーテル、エチレ
ンビスペンタブロモフェニルエーテル、テトラデカブロ
モジフェノキシベンゼン、臭素化ポリスチレン、臭素化
ポリフェニレンオキサイド、臭素化エポキシ樹脂、臭素
化ポリカーボネート、ポリペンタブロモベンジルアクリ
レート、オクタブロモナフタレン、ヘキサブロモシクロ
ドデカン、ビス（トリブロモフェニル）フマルアミド、
Ｎ−メチルヘキサブロモジフェニルアミン等を使用する
のが好ましい。これらの難燃剤は、それぞれ単独で、あ
るいは２種以上を組み合わせて用いることができる。難
燃剤の添加量は、熱可塑性樹脂（Ａ）１００重量部に対
して、通常３〜１５０重量部、好ましくは１０〜１４０
重量部、特に好ましくは１５〜１２０重量部である。難
燃剤の難燃化効果をより効果的に発揮させるために、難
燃助剤として、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アン
チモン、アンチモン酸ナトリウム、三塩化アンチモン等
のアンチモン系化合物を用いることができる。これらの
難燃助剤は、難燃剤１００重量部に対して、通常１〜３
０重量部、好ましくは２〜２０重量部の割合で使用す
る。

【００３３】＜その他のポリマー成分＞その他のポリマ
ー成分としては、例えば、ゴム質重合体を配合すること
ができる。ゴム質重合体は、ガラス転移温度が０℃以下
の重合体であって、通常のゴム状重合体及び熱可塑性エ
ラストマーが含まれる。ゴム質重合体のムーニー粘度
（ＭＬ₁₊₄，１００℃）は、使用目的に応じて適宜選択
され、通常５〜２００である。ゴム状重合体としては、
例えば、エチレン−α−オレフィン系ゴム質重合体；エ
チレン−α−オレフィン−ポリエン共重合体ゴム；エチ
レン−メチルメタクリレート、エテレン−ブチルアクリ
レートなどのエチレンと不飽和カルボン酸エステルとの
共重合体；エチレン−酢酸ビニルなどのエチレンと脂肪
酸ビニルとの共重合体；アクリル酸エチル、アクリル酸
ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸２−エチルヘ
キシル、アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸アルキル
エステルの重合体；ポリブタジエン、ポリソプレン、ス
チレン−ブタジエンまたはスチレン−イソプレンのラン
ダム共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合
体、ブタジエン−イソプレン共重合体、ブタジエン−
（メタ）アクリル酸アルキルエステル共重合体、ブタジ
エン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル−アクリロ
ニトリル共重合体、ブタジエン−（メタ）アクリル酸ア
ルキルエステル−アクリロニトリル−スチレン共重合体
などのジエン系ゴム；ブチレン−イソプレン共重合体な
どが挙げられる。

【００３４】熱可塑性エラストマーとしては、例えば、
スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水素化スチレ
ン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレ
ンブロック共重合体、水素化スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体などの芳香族ビニル−共役ジエン系ブロッ
ク共重合体、低結晶性ポリブタジエン樹脂、エチレン−
プロピレンエラストマー、スチレングラフトエチレン−
プロピレンエラストマー、熱可塑性ポリエステルエラス
トマー、エチレン系アイオノマー樹脂などを挙げること
ができる。これらの熱可塑性エラストマーのうち、好ま
しくは、水素化スチレン−ブタジエンブロック共重合
体、水素化スチレン−イソプレンブロック共重合体など
であり、具体的には、特開平２−１３３４０６号公報、
特開平２−３０５８１４号公報、特開平３−７２５１２
号公報、特開平３−７４４０９号公報などに記載されて
いるものを挙げることができる。これらのその他のポリ
マー成分は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み
合わせて用いることができ、その配合量は、本発明の目
的を損なわない範囲で適宜選択される。

【００３５】＜その他の配合剤＞その他の配合剤として
は、例えば、耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、ス
リップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染
料、顔料、天然油、合成油、ワックス、有機または無機
の充填剤などを挙げることができる。これらのその他の
配合剤は、適量添加することができる。具体的には、例
えば、テトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタ
ン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオン酸アルキルエステル、２，２′−オ
キザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］などのフェ
ノール系酸化防止剤；トリスノニルフェニルホスファイ
ト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブリルフェニル）ホスフ
ァイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホ
スファイト等のリン系安定剤；ステアリン酸亜鉛、ステ
アリン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カ
ルシウム等の脂肪酸金属塩；グリセリンモノステアレー
ト、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレ
ート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタ
エリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトール
トリステアレート等の多価アルコール脂肪酸エステル；
合成ハイドロタルサイト；アミン系の帯電防止剤；シラ
ンカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミ
ニウム系カップリング剤、ジルコアルミネートカップリ
ング剤等のカップリング剤；可塑剤；顔料や染料などの
着色剤；などを挙げることができる。

【００３６】有機または無機の充填剤としては、例え
ば、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マ
グネシウム、軽石粉、軽石バルーン、塩基性炭酸マグネ
シウム、ドワマイト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウ
ム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレ
ー、マイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスフレー
ク、ガラスビーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイ
ト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫
化モリブデン、ボロン繊維、炭化ケイ素繊維、ポリエチ
レン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポ
リアミド繊維などを例示できる。これらの配合剤は、そ
れぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて配合す
ることができる。配合割合は、それぞれの機能及び使用
目的に応じて適宜定めることができるが、少ないほど好
ましい。

【００３７】（１−５）誘電層 本発明の誘電層は、上記成分［熱可塑性樹脂（Ａ）単
独、あるいは熱可塑性樹脂（Ａ）と各種配合剤との組み
合わせ］を成形したものが用いられ、通常、フィルムま
たはプリプレグとして用いられる。

【００３８】（フィルム）フィルム成形法としては、常
法に従えばよく、格別な限定はなく、例えば、溶融成形
法や溶液流延法などの方法が用いられ、これらの中で
も、電気的に良好な物性のフィルムが得やすい点で、溶
液流延法が好適である。溶液流延法は、常法にしたがっ
て行うことができ、例えば、各成分を溶媒に溶解または
微分散させた液状組成物を、適当なキャリヤー（支持
体）上に流延し、次いで、溶媒を乾燥除去することで行
うことができる。キャリヤーとしては、格別な制限はな
く、一般的な溶液流延法で用いられるものが使用され、
例えば、ガラス板、金属ドラム、スチールベルト、ポリ
エステルフィルム、ＰＶＣフィルム、フッ素樹脂ベル
ト、金属箔などの平板、ベルトまたはロールなどを挙げ
ることができる。

【００３９】溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；シクロヘキサン
などの脂環式炭化水素類；酢酸ブチルなどのエステル
類；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエー
テル類；メタノール、エタノール、イソプロパノールな
どのアルコール類；メチルエチルケトンなどのケトン
類；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、二塩化
エチレンなどのハロゲン化溶媒；など用いることができ
る。これらの溶媒は、それぞれ単独で、あるいは２種以
上を組み合わせて用いることができる。

【００４０】溶媒中の熱可塑性樹脂（Ａ）の濃度は、製
造するフィルム厚に応じて適宜選択されるが、通常０．
１〜６０重量％、好ましくは１〜５０重量％、より好ま
しくは５〜４５重量％の範囲である。熱可塑性樹脂
（Ａ）の濃度がこの範囲にあるときに、フィルムの厚さ
の調整が容易で、かつ製膜性にも優れ好適である。熱可
塑性樹脂（Ａ）または熱可塑性樹脂（Ａ）と各種配合剤
とを均一に溶解または分散させた液状組成物をキャリヤ
ー上に流延する方法としては、特に限定されず、例え
ば、バーコーター、Ｔダイ、バー付きＴダイ、ドクター
ナイフ、メイア・バー、ロール・コート、ダイ・コート
などを用いて行うことができる。液状組成物の流延は、
スプレー、ハケ、ロール、スピンコート、デッピングな
どで塗布することにより行ってもよい。１回の塗布で所
望の膜厚が得られない場合は、繰り返し塗布することが
できる。

【００４１】溶媒の乾燥除去法には、格別な制限はな
く、常法に従ってできるが、残留溶媒濃度が５重量％以
下、好ましくは２重量％以下、より好ましくは１重量％
以下、最も好ましくは０．５重量％以下にするには、通
常、２段階以上に分けて乾燥させることが望ましい。ま
ず、第１段階の乾燥としては、平板またはロール上のフ
ィルムを、室温〜１００℃、好ましくは室温〜８０℃の
温度範囲で、残留溶媒温度が１０重量％以下、好ましく
は５重量％以下になるまで乾燥する。この場合、乾燥温
度が高すぎると、溶媒の揮発に際し、フィルムが発泡す
る。次いで、平板またはロールからフィルムを剥離した
後、第２段階の乾燥として、室温から６０℃以上、好ま
しくは７０℃から熱可塑性樹脂（Ａ）のＴｇまでの温度
範囲に昇温させ、残留溶媒濃度が２重量％以下、好まし
くは１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下に
なるまで乾燥する。乾燥温度が低すぎると乾燥が進ま
ず、温度が高すぎると発泡しやすくなる。第１段階の乾
燥を行い、乾燥終了後にシートを平板またはロールから
剥離し、第２段階の乾燥を行っても、あるいは第１段階
の乾燥後、一旦冷却してシートを平板またはロールから
剥離し、第２段階の乾燥を行ってもよい。溶媒の乾燥
は、必要に応じて、減圧で行うことができる。

【００４２】溶融成形法でシートを作製する場合は、Ｔ
ダイを用いた方法やインフレーション法などの溶融押出
法、カレンダー法、熱プレス法、射出成形法などがあ
る。中でも、厚さムラが小さく、１０〜５００μｍ程度
の厚さに加工し易く、かつ、レターデーションの絶対値
及びそのバラツキを小さくできるＴダイを用いた溶融押
出法が好ましい。溶融成形法の条件は、同程度のＴｇを
有する光学材料に用いられる一般的な条件と同様であ
り、例えば、Ｔダイを用いる溶融押出法では、樹脂温度
２４０〜３００℃程度で、引き取りロールの温度を１０
０〜１５０℃程度の比較的高温として、樹脂シートを徐
冷できる条件を選択することが好ましい。ダイライン等
の表面の欠陥を小さくするためには、ダイには、滞留部
が極力少なくなるような構造が必要であり、ダイの内部
やリップにキズ等が極力ないものを用いることが好まし
い。フィルムの厚さは、通常０．５μｍ〜５ｍｍ、好ま
しくは１μｍ〜２ｍｍ、より好ましくは５μｍ〜０．５
ｍｍの範囲である。フィルムの厚さがこの範囲であると
きに、溶媒の乾燥が容易となり、しかもフィルムの外観
性にも優れ好適である。

【００４３】＜プリプレグ＞プリプレグとしては、トル
エン、シクロヘキサン、キシレン等の溶媒中に熱可塑性
樹脂（Ａ）または熱可塑性樹脂（Ａ）と各種配合剤を均
一に溶解ないしは分散させ、次いで、補強基材を含浸さ
せた後、乾燥させて溶媒を除去して製造される。一般
に、プリプレグは、５０〜５００μｍ程度の厚さになる
ようにすることが好ましい。溶媒としては、前記の如き
ものを使用することができる。溶媒の使用量は、固形分
濃度が、通常１〜９０重量％、好ましくは５〜８５重量
％、より好ましくは１０〜８０重量％、最も好ましくは
２０〜８０重量％になるように調整される。補強基材と
しては、例えば、紙基材（リンター紙、クラフト紙な
ど）、ガラス基材（ガラスクロス、ガラスマット、ガラ
スペーパークオーツファイバーなど）及び合成樹脂繊維
基材（ポリエステル繊維、アラミド繊維など）を用いる
ことができる。これらの補強基材は、シランカップリン
グ剤などの処理剤で表面処理されていてもよい。これら
の補強基材は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組
み合わせて用いることができる。補強基材に対する熱可
塑性樹脂（Ａ）の量は、使用目的に応じて適宜選択され
るが、補強基材に対して、通常１〜９０重量％、好まし
くは１０〜６０重量％の範囲である。

【００４４】（２）接着層 本発明の積層体の接着層は、側鎖に極性基を有し、か
つ、上記誘電層に用いられる熱可塑性樹脂（Ａ）のＴｇ
よりも低いＴｇを有する熱可塑性樹脂（Ｂ）から形成さ
れる。

【００４５】（２−１）側鎖に極性基を有する熱可塑性
樹脂（Ｂ） 側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）の好ましい側
鎖の極性基としては、例えば、少なくとも一種のヘテロ
原子またはヘテロ原子を含む原子団を有する置換基が挙
げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫
黄原子、窒素原子、ハロゲン原子などが挙げられ、これ
らの中でも、酸素原子と窒素原子が好ましく、酸素原子
がより好ましい。極性基の具体例としては、例えば、ヒ
ドロキシル基、エポキシ基、オキシ基、カルボキシル
基、カルボニル基、エステル基、シリルオキシ基などの
酸素原子含有極性基；スルフィド基、ジスルフィド基、
スルホニル基、スルフィニル基、チオカルボニル基など
の硫黄原子含有極性基；アミノ基、イミノ基、ニトリル
基、アンモニウム基、アミド基、イミド基、ヒドラゾ
基、アゾ基、ジアゾ基などの窒素原子含有極性基；クロ
ル基、ブロモ基などのハロゲン原子等が挙げられる。こ
れらの中でも、酸素原子含有極性基が好ましく、ヒドロ
キシル基、エポキシ基、カルボキシル基、及びシリルオ
キシ基が特に好ましい。側鎖に極性基を有する熱可塑性
樹脂（Ｂ）の熱可塑性樹脂としては、前記熱可塑性樹脂
（Ａ）と同様なものが挙げられ、耐吸水性、電気特性、
耐熱性、及び密着性を高度にバランスさせるためには、
熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ｂ）が好適である。

【００４６】（２−１−１）側鎖に極性基を有する熱可
塑性ノルボルンネン系樹脂（ｂ） 側鎖に極性基を有する熱可塑性ノルボルネン系樹脂
（ｂ）としては、格別な制限はなく、例えば、極性基含
有ノルボルネン系モノマーを重合（共重合を含む）した
もの（ｂ−ｉ）、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を極性基
含有不飽和化合物でグラフト変性したもの（ｂ−ｉｉ）
などが用いられる。これらの中でも、誘電特性、密着
性、耐吸水性、及び耐久性などの特性を高度にバランス
させるのに好適な分子量や極性基含有量を有する極性基
含有熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ｂ）を得るには、グ
ラフト変性方法が好適である。

【００４７】（ｂ−ｉ）極性基含有ノルボルネン系モノ
マーの重合体 極性基含有ノルボルネン系モノマーの重合体（共重合体
を含む）は、常法に従って製造することができ、例え
ば、特開平７―１９６７３６号公報に従って、極性基含
有ノルボルネン系モノマーを重合して得ることができ
る。

【００４８】（ｂ−ｉ−１）極性基含有ノルボルネン系
モノマー 極性基含有ノルボルネン系モノマーとしては、例えば、
８−メチル−８−カルボキシメチルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル
−８−カルボキシエチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カル
ボキシｎ−プロピルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^{7,1 0}］−３−ドデセン、８−メチル−８−カ
ルボキシイソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^{7,1 0}］−３−ドデセン、８−メチル−８−カル
ボキシｎ−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシ
ｓｅｃ−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7
,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシｔ
−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］
−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシシクロヘ
キシルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^{7 ,10}］−
３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシ（４′−ｔ
−ブチルシクロヘキシル）テトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カ
ルボキシメンチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシ
ボルニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］
−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシイソボル
ニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^{7,1 0} ］−
３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシアダマンチ
ルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^{7,1 0}］−３−
ドデセン、８−メチル−８−カルボキシビシクロ［２．
２．１］−２−ヘプチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カル
ボキシテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデシルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシト
リシクロ［５．２．１．０^2,6］−８−デシルテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−カルボキシペンタシクロ［６．５．
１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデシルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−メチル−８−カルボキシトリシクロ［６．２．
１．０^2,7］−９−ウンデシルテトラシクロ［４．４．
０．１^{2 ,5}．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８
−カルボキシペンタシクロ［６．６．１．１^3,6 ．０
^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデシルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、５−メチル
−５−カルボキシメチルビシクロ［２．２．１］−２−
ヘプテン、５−メチル−５−カルボキシシクロヘキシル
ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−
５−カルボキシ（４′−ｔ−ブチルシクロヘキシル）ビ
シクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５
−カルボキシメンチルビシクロ［２．２．１］−２−ヘ
プテン、５−メチル−５−カルボキシボルニルビシクロ
［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カル
ボキシアダマンチルビシクロ［２．２．１］−２−ヘプ
テン、５−メチル−５−カルボキシビシクロ［２．２．
１］−２−ヘプチルビシクロ［２．２．１］−２−ヘプ
テン、５−メチル−２−カルボキシテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデシルビシクロ
［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カル
ボキシトリシクロ［５．２．１．０^2,6］−８−デシル
−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル
−５−カルボキシペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデシルビシクロ［２．
２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カルボキシ
トリシクロ［６．２．１．０^2,7］−９−ウンデシルビ
シクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５
−カルボキシペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデシルビシクロ［２．
２．１］−２−ヘプテンなどを挙げることができる。

【００４９】（ｂ−ｉ−２）触媒及び重合方法 付加重合に用いる重合触媒は、配位子を４個有するパラ
ジウム（ＩＩ）塩、好ましくはテトラキスハイドロカル
ビルニトリルパラジウム（ＩＩ）塩、［Ｐｄ（Ｒ−Ｃ
Ｎ）₄］Ｘ（Ｒは炭素数１〜８の１価の炭化水素基、Ｘ
は２個の１価の陰イオンまたは１個の２価の陰イオンを
表す）、より好ましくはテトラキスアセトニトリルパラ
ジウム（ＩＩ）塩である。また、この塩を構成する陰イ
オンとしては、例えば、ＢＦ₄イオン、ハロゲンイオ
ン、硝酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、アリール
スルホン酸イオン、ＰＦ₆イオンから選ばれる２個のイ
オン、硫酸イオン等があり、特にＢＦ₄イオンが好まし
い。配位子を４個有するパラジウム（ＩＩ）塩として
は、例えば、［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄（ＢＦ₄)₂］、［Ｐ
ｄ（ＣＨ₃ＣＨ₂ＣＮ）₄（ＢＦ₄）₂］、［Ｐｄ（ＣＨ₃Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂ＣＮ）₄（ＢＦ₄）₂］、［Ｐｄ（Ｃ₆Ｈ₅ＣＮ）₄
（ＢＦ₄）₂］、［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄（ＰＦ₆）₂］、
［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄（ＮＯ₃）₂］、［Ｐｄ（ＣＨ₃Ｃ
Ｎ）₄Ｆ₂］、［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄Ｃｌ₂］、［Ｐｄ
（ＣＨ₃ＣＮ）₄Ｂｒ₂］、［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄Ｓ
Ｏ₄］、［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄（ｐ−ＣＨ₃−Ｃ₆Ｈ₄ＳＯ
₃）₂］などが挙げられ、中でも［Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）
₄（ＢＦ₄)₂］であるテトラキスアセトニトリルパラジウ
ムジテトラフルオロボレートが好ましい。例えば、［Ｐ
ｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄ ＢＦ₄）₂］は、パラジウムとＮＯＢ
Ｆ₄をアセトニトリルの存在下に酸化することにより得
られる（Ｒ．Ｆ．Ｓｃｈｒａｍｍ ｅｔａｌ．Ｊ．ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．８９８（１９６
８））。これらの配位子を４個有するパラジウム（Ｉ
Ｉ）塩の使用割合は、極性基含有ノルボルネン系モノマ
ー１００重量部に対して、通常、０．０１〜１０重量部
である。

【００５０】本発明において、空気中の水分、酸素や温
度に感受性のある化合物を用いる場合は乾燥した不活性
気体に置換した環境下で重合することが好ましく、通
常、乾燥窒素で置換した環境下で重合する。本発明にお
いては、極性基含有ノルボルネン系モノマーを不活性有
機溶媒中で重合することが好ましい。不活性有機溶媒と
しては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの
芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂
肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、デカリン、などの脂環族炭化水素、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、テトラクロロ
エタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロ
ロベンゼン、などのハロゲン化炭化水素、ニトロメタ
ン、ニトロベンゼン、ニトロトルエン、などのニトロ化
炭化水素などが挙げられ、これらの２種以上を混合して
使用してもよい。

【００５１】不活性有機溶媒の使用割合は、極性基含有
ノルボルネン系モノマー１００重量部に対して、通常、
１００〜１０００重量部である。本発明の重合体を得る
ための重合反応は、発熱反応であるので、必要に応じて
冷却しながら反応することが好ましい。一般には、−２
０〜１００℃の任意の温度に保ちながら反応させる。ま
た、重合時の圧力は、特に限定されないが、通常、０〜
５０Ｋｇ／ｃｍ² の任意の圧力にすることが好ましい。
反応開始後、、モノマーの消費に応じて、さらにモノマ
ーを追加してもよく、特に、高分子量の重合体を得るた
めには、モノマーを重合中に追加することが好ましい。
本発明において、適当な分子量まで重合した任意の時点
で、重合反応を停止させる。重合反応を停止させる方法
は、特に限定されないが、例えば、反応溶液を多量の溶
媒で希釈したり、水、アンモニア、アミンなどの触媒失
活成分を添加したり、遠心分離、ろ過などにより触媒を
除去したりすることにより重合を停止することができ
る。重合体の回収方法は、特に限定されないが、一般に
は、重合触媒残渣を除去した重合液を、重合体の貧溶
媒、例えばイソプロピルアルコール、アセトンなどと混
合して重合体を凝固させる。

【００５２】（ｂ−ｉｉ）グラフト変性 極性基含有不飽和化合物のグラフト変性に用いる熱可塑
性ノルボルネン系樹脂としては、前記熱可塑性ノルボル
ネン系樹脂（ａ）と同様なものを用いることができ、好
ましくは、環上に側鎖を有するノルボルネン系モノマー
（ｍ−１）と環上に側鎖を有さないノルボルネン系モノ
マー（ｍ−２）とを共重合したものである。ただし、本
発明において、誘電特性、密着性、耐吸水性、及び耐久
性を高度にバランスさせる上では、誘電層として前記熱
可塑性ノルボルネン系樹脂（ａ）を用い、かつ、接着層
として熱可塑性ノルボルネン系樹脂のグラフト変性体
（ｂ−ｉｉ）を用いるのが好ましい。その場合、誘電層
に用いる熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ａ）としては、
前記環上に側鎖を有さないノルボルネン系モノマー（ｍ
−２）及び／または前記環上に側鎖を有するノルボルネ
ン系モノマー（ｍ−１）中の側鎖の炭素数が１〜４のノ
ルボルネン系モノマー由来の結合単位が多いもの、通常
５０モル％超過、好ましくは７０モル％以上、より好ま
しくは９０モル％以上のものが望ましく、接着層に用い
るグラフト変性熱可塑性ノルボルネン系樹脂としては、
前記環上に側鎖を有するノルボルネン系モノマー（ｍ−
１）中の側鎖の炭素数が５〜１０、好ましくは５または
６のノルボルネン系モノマー由来の結合単位が多いも
の、通常５０モル％超過、好ましくは７０モル％以上、
より好ましくは９０モル％以上のものを用いることが望
ましい。

【００５３】＜グラフト変性＞ （１）グラフトモノマー 本発明に使用されるグラフトモノマーとしては、不飽和
エポキシ化合物及び不飽和カルボン酸化合物を代表的な
ものとして挙げることができる。不飽和エポキシ化合物
としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジ
ルメタクリレート、ｐ−スチリルカルボン酸グリシジル
等の不飽和カルボン酸のグリシジルエステル類；エンド
−シス−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボン酸、エンド−シス−ビシクロ［２，
２，１］ヘプト−５−エン−２−メチル−２，３−ジカ
ルボン酸等の不飽和ポリカルボン酸のモノグリシジルエ
ステルあるいはポリグリシジルエステル類；アリルグリ
シジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテ
ル、ｏ−アリルフェノールのグリシジルエーテル、ｍ−
アリルフェノールのグリシジルエーテル、ｐ−アリルフ
ェノールのグリシジルエーテル等の不飽和グリシジルエ
ーテル類；２−（ｏ−ビニルフェニル）エチレンオキシ
ド、２−（ｐ−ビニルフェニル）エチレンオキシド、２
−（ｏ−アリルフェニル）エチレンオキシド、２−（ｐ
−アリルフェニル）エチレンオキシド、２−（ｏ−ビニ
ルフェニル）プロピレンオキシド、２−（ｐ−ビニルフ
ェニル）プロピレンオキシド、２−（ｏ−アリルフェニ
ル）プロピレンオキシド、２−（ｐ−アリルフェニル）
プロピレンオキシド、ｐ−グリシジルスチレン、３，４
−エポキシ−１−ブテン、３，４−エポキシ−３−メチ
ル−１−ブテン、３，４−エポキシ−１−ペンテン、
３，４−エポキシ−３−メチル−１−ペンテン、５，６
−エポキシ−１−ヘキセン、ビニルシクロヘキセンモノ
オキシド、アリル−２，３−エポキシシクロペンチルエ
ーテル等が挙げられる。これらの中でも、アリルグリシ
ジルエステル類及びアリルグリシジルエーテル類が好ま
しく、アリルグリシジルエーテル類が特に好ましい。

【００５４】不飽和カルボン酸化合物としては、不飽和
カルボン酸またはその誘導体を使用することができる。
このような不飽和カルボン酸の例としては、アクリル
酸、マレイン酸、フマール酸、テトラヒドロフタル酸、
イタコン酸、シトラコン酸、クロトン酸、イソクロトン
酸、ナジック酸（エンドシス−ビシクロ［２，２，１］
ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸）を挙げるこ
とができる。さらに、上記の不飽和カルボン酸の誘導体
としては、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸
ハライド、不飽和カルボン酸アミド、不飽和カルボン酸
イミド及び不飽和カルボン酸のエステル化合物などを挙
げることができる。このような誘導体の具体的な例とし
ては、塩化マレニル、マレイミド、無水マレイン酸、無
水シトラコン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸ジ
メチル、グリシジルマレエートなどを挙げることができ
る。これらの中でも、不飽和ジカルボン酸またはその酸
無水物が好ましく、さらにマレイン酸、ナジック酸また
はこれらの酸無水物が特に好ましい。これらのグラフト
モノマーは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み
合わせて用いることができる。

【００５５】グラフト変性ノルボルネン系樹脂は、上記
のようなグラフトモノマーとノルボルネン系重合体と
を、従来公知の種々の方法を採用してグラフト変性する
ことにより製造することができる。例えば、（１）ノル
ボルネン系重合体を溶融させ、グラフトモノマーを添加
してグラフト重合させる方法、あるいは（２）ノルボル
ネン系重合体を溶媒に溶解させてからグラフトモノマー
を添加してグラフト共重合させる方法などがある。さら
に、変性ノルボルネン系重合体を製造する方法として
は、未変性ノルボルネン系重合体を所望のグラフト変性
率になるようにグラフトモノマーを配合して変性する方
法、予め高グラフト変性率のグラフト変性ノルボルネン
系重合体を調製し、この高変性率のノルボルネン系重合
体を未変性ノルボルネン系重合体で希釈して、所望の変
性率のグラフト変性ノルボルネン系重合体を製造する方
法などがある。本発明においては、いずれの製造方法を
も採用することができる。

【００５６】（２）ラジカル開始剤 このような反応は、前記グラフトモノマーを効率よくグ
ラフト共重合させるためには、通常ラジカル開始剤の存
在下に実施することが好ましい。ラジカル開始剤として
は、例えば、有機パーオキシド、有機パーエステルなど
が好ましく使用される。このようなラジカル開始剤の具
体的な例としては、ベンゾイルパーオキシド、ジクロル
ベンゾイルパーオキシド、ジクミルパーオキシド、ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（パーオキシドベンゾエート）ヘキシン−
３，１，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプ
ロピル）ベンゼン、ラウロイルパーオキシド、ｔｅｒｔ
−ブチルパーアセテート、２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、２，
５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエート、ｔ
ｅｒｔ−ブチルパーフェニルアセテート、ｔｅｒｔ−ブ
チルパーイソブチレ−ト、ｔｅｒｔ−ブチルパー−ｓｅ
ｃ−オクトエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーピパレート、
クミルパーピパレート及びｔｅｒｔ−ブチルパージエチ
ルアセテートを挙げることができる。本発明では、ラジ
カル開始剤としてアゾ化合物を使用することもできる。
アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニト
リル、及びジメチルアゾイソブチレートを挙げることが
できる。

【００５７】これらの中でも、ラジカル開始剤として、
ベンゾイルパーオキシド、ジクミルパーオキシド、ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド）ヘキシン
−３、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキサン、１，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシイソプロピル）ベンゼン等のジアルキル
パーオキシドが好ましく用いられる。これらのラジカル
開始剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合
わせて用いることができる。ラジカル開始剤の使用割合
は、未変性ノルボルネン系重合体１００重量部に対し
て、通常０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１
〜５重量部、より好ましくは０．１〜２．５重量部の範
囲である。グラフト変性反応は、特に限定はなく、常法
に従って行うことができる。反応温度が、通常０〜４０
０℃、好ましくは６０〜３５０℃で、反応時間が、通常
１分〜２４時間、好ましくは３０分〜１０時間の範囲で
ある。

【００５８】（３）変性ノルボルネン系重合体 本発明の変性ノルボルネン系重合体のグラフト変性率
は、使用目的に応じて適宜選択されるが、重合体中の総
モノマー単位数を基準として、通常０．１〜１００モル
％、好ましくは１〜５０モル％、より好ましくは５〜３
０モル％の範囲である。変性ノルボルネン系重合体のグ
ラフト変性率がこの範囲にあるときに、誘電率と金属層
との引剥強度が高度にバランスされ好適である。グラフ
ト変性率は、下式（１）で表される。 グラフト変性率（モル％）＝（Ｘ／Ｙ）×１００ （１） Ｘ：グラフトモノマー変性残基全モル数（ ¹Ｈ−ＮＭＲ
で測定する。） Ｙ：ポリマーの総モノマー単位数（ポリマーの重量平均
分子量／モノマーの平均分子量）

【００５９】（２−１−２）物性 側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）の側鎖の極性
基量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、樹脂
（Ｂ）中の総モノマー繰り返し単位に対して、通常１〜
５０ｍｏｌ％、好ましくは２〜２０ｍｏｌ％、より好ま
しくは５〜１０ｍｏｌ％が望ましい。側鎖に極性基を有
する熱可塑性樹脂（Ｂ）の側鎖の極性基含有量が、この
範囲であるときに、耐湿性や誘電層や導電層との密着性
が高度にバランスされ好適である。側鎖に極性基を有す
る熱可塑性樹脂（Ｂ）のＴｇは、前記熱可塑性樹脂
（Ａ）のＴｇよりも低い温度範囲の中で使用目的に応じ
て適宜選択されるが、ハンダ耐熱性等の耐熱性に優れる
のが好ましく、通常５０〜４００℃、好ましくは１００
〜３５０℃、より好ましくは１５０〜３００℃の範囲で
ある。側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）の分子
量は、格別な制限はないが、トルエンを溶媒とするゲル
・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）に
より測定したポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）
で、５００〜５００，０００、好ましくは１，０００〜
３００，０００、より好ましくは２，０００〜２００，
０００の範囲である。極性基含有熱可塑性ノルボルネン
系樹脂（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）がこの範囲にある
ときに、機械的強度や成形加工性が高度にバランスされ
好適である。

【００６０】（２−２）接着層 本発明の接着層は、上記側鎖に極性基を有する熱可塑性
樹脂（Ｂ）をそれぞれ単独で、あるいは２種以上を組み
合わせて成形したものが用いられる。

【００６１】（２−２−１）配合剤 本発明の接着層を形成する上記熱可塑性樹脂（Ｂ）に
は、必要に応じて、各種配合剤を添加することができ
る。各種配合剤としては、格別な限定はなく、一般的な
粘接着剤分野で通常用いられる配合剤を使用することが
でき、具体的には、前記誘電層に添加する各種配合剤以
外に、粘着付与剤などを用いることができる。粘着付与
樹脂としては、粘着剤組成物で一般に用いられるものが
格別な制限なく用いられ、例えば、ロジン；不均化ロジ
ン、二量化ロジンなどの変性ロジン類；グリコール、グ
リセリン、ペンタエリスリトール等の多価アルコール
と、ロジンまたは変性ロジン類とのエステル化合物；テ
ルペン系樹脂；脂肪族系、芳香族系、脂環族系もしくは
脂肪族−芳香族共重合系の炭化水素樹脂、またはこれら
の水素化物；フェノール樹脂；クマロン−インデン樹脂
などが挙げられる。特に好ましい粘着付与樹脂は、脂肪
族または脂肪族−芳香族共重合系の炭化水素樹脂であ
る。これらの粘着付与樹脂は、それぞれ単独で、あるい
は２種以上を組み合わせて用いることができ、その使用
量は、極性基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）１００重量部に対
して、通常１〜３００重量部、好ましくは１０〜２５０
重量部、より好ましくは５０〜２００重量部の範囲であ
る。

【００６２】（２−２−２）積層 接着層の積層は、誘電層表面の少なくとも片面に行う
が、多層基板を形成する上では誘電層の両面に接着層を
積層し、その内の一面に導電層を積層させるのが好適で
ある。接着層の積層方法としては、薄膜化した接着層を
誘電層フィルム上に圧着する方法や、極性基含有熱可塑
性樹脂（Ｂ）を有機溶媒に溶解させた溶液を誘電層フィ
ルム上に塗布して、溶剤を除去する方法などが挙げられ
るが、接着層の平滑性や密着性などを考慮して、好まし
くは、以下に示す塗布方法を用いる。塗布方法として
は、誘電層の熱可塑性樹脂（Ａ）を溶解させず、接着層
の極性基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）を良好に溶解させる有
機溶媒を用いて、該極性基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）の固
形分濃度を１〜１０重量％に溶解させ、スピンコート、
カーテンコート法等を用いて行うことができる。かかる
溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン
などの芳香族炭化水素類；シクロヘキサンなどの脂環式
炭化水素類；酢酸ブチルなどのエステル類；テトラヒド
ロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル類；メタノ
ール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール
類；メチルエチルケトンなどのケトン類；塩化メチレ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、二塩化エチレンなどの
ハロゲン化溶媒；などを挙げることができる。これらの
溶媒は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いることができる。

【００６３】（２−２−３）厚さ 本発明に用いる接着層の厚さは、通常、誘電層の１／５
以下で、通常２μｍ〜０．２ｍｍ、好ましくは４μｍ〜
０．１ｍｍ、より好ましくは５μｍ〜４０μｍである。
接着層の厚さがこの範囲であるときに、誘電特性や各層
との密着性が高度にバランスされ好適である。

【００６４】（３）導電層 （３−１）材料 本発明に使用される導電層としては、格別な限定はな
く、一般のエレクトロニクス分野で用いられるものが使
用される。好適な材料としては、ａ）高導電率であっ
て、温度依存性が少ない、ｂ）マイグレーションがな
い、ｃ）熱サイクルに耐えうる、ｄ）最外層表面の場合
はハンダ付けが可能等の条件を備える金属が用いられ
る。金属材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａ
ｌ、Ｗなどが挙げられ、コスト面から通常Ｃｕが用いら
れる。 （３−２）膜厚 導電層の膜厚は、使用目的に応じて適宜選択されるが、
通常１〜１０μｍ、好ましくは４〜６μｍ程度である。
配線幅は、銅ペーストや銀ペースト印刷の場合は１００
μｍ程度、銅の無電界メッキ等の場合は４０〜６０μｍ
程度である。導電層のフィルムへの密着性を向上させる
目的で、クロム蒸着等の下地処理を施すのが好ましい。
導電層とハンダとの密着性を向上させる目的で、導電層
上にクロムやＮｉ蒸着を施すのが好ましい。ＭＣＭなど
のより高密度配線ピッチを要求する用途の場合、配線幅
は１０〜２０μｍまで短縮し、膜厚を１５μｍ程度まで
厚くするのが好ましい。 （３−３）膜形成方法 導電膜の形成方法としては、薄膜形成方法として公知の
乾式プロセス技術や湿式プロセス技術などが用いられ
る。

【００６５】＜乾式成膜プロセス技術＞乾式成膜プロセ
ス技術としては、例えば、ａ）物理蒸着（ＰＶＤ）、
ｂ）化学蒸着（ＣＶＤ）などの方法が用いられる。 ａ）物理蒸着法 物理蒸着法としては、真空蒸着（普通の真空蒸着、フラ
ッシュ蒸着、ガス散乱蒸着、電界蒸着、反応性蒸着
等）、イオンプレーティング蒸着（ＤＣイオンプレーテ
ィング、高周波イオンプレーティング、イオンビーム蒸
着、ＨＣＤ法、アーク放電型イオンプレーティング
等）、スパッタリング（ＤＣスパッタリング、高周波ス
パッタリング、マグネトロンスパッタリング、イオンビ
ームスパッタリング等）などが挙げられる。 ｂ）化学蒸着法 化学蒸着法としては、熱ＣＶＤ（熱ＣＶＤ、ＭＯＣＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤ（直流プラズマＣＶＤ、高周波Ｃ
ＶＤ、マイクロ波プラズマＣＶＤ）、光ＣＶＤ（エキシ
マレーザー励起、水銀ランプ励起、ＣＯ₂ レーザー励
起）、プラズマ重合（直流放電励起，マイクロ波励起，
高周波励起）などが挙げられる。 ＜湿式成膜プロセス＞湿式成膜プロセス技術としては、
ａ）電解めっき技術、ｂ）無電解めっき技術などの方法
が挙げられる。また、厚膜形成方法としては、スクリー
ン印刷法に代表される印刷法と、描画法が挙げられる。

【００６６】（３−４）導体配線パターン形成方法 接着剤層上に積層した導電層には、通常、配線パターン
が形成される。導電層の配線パターンを形成する方法と
しては、大きく分けて、ａ）全面に施された金属層か
ら、配線として必要な部分を残して、不要部分を除去し
ていくサブブトラクティブ法と、ｂ）配線パターン層を
後から無電解メッキなどによって形成していくアディテ
ィブ法に分けられる。 ａ）サブトラクティブ法 接着剤層全面に、真空蒸着、スパッタリング、無電解
めっき等によって金属膜を形成する。 配線回路パターンとして残したい部分に、エッチング
レジスト膜を塗布する。エッチング液を用いて不要部分
の金属膜を除去した後、レジスト膜を剥離して、配線パ
ターンを形成する。 ｂ）アディティブ法 金属膜の蒸着されていない接着剤層上の、配線パター
ンを形成したくない部分に、メッキレジスト膜をドライ
フィルムレジスト等を用いて塗布する。 無電解メッキ法等を用いて金属膜を形成した後、レジ
スト膜を剥離して配線パターンを形成する。 以上のような方法によって形成された配線パターンは、
ＭＣＭや高密度実装基板（ビルドアップ基板）に対応す
るために、配線ピッチはできる限り細く、配線ピッチも
狭く、配線密度もできる限り高密度であるのが好まし
い。具体的には、配線幅及び配線ピッチは、通常１００
μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２
０μｍ以下である。配線密度は、通常１０ｃｍ／ｃｍ²
以上、好ましくは５０ｃｍ／ｃｍ²以上、より好ましく
は１００ｃｍ／ｃｍ²以上である。

【００６７】２．多層基板 本発明の多層基板は、上記誘導層、接着層、及び導電層
を備えた積層体を２層以上積み重ね、加熱圧着して製造
される。加熱温度は、誘電層の熱可塑性樹脂（Ａ）のＴ
ｇと接着層の極性基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）のＴｇとの
間の温度で、通常、極性基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）のＴ
ｇ以上熱可塑性樹脂（Ａ）のＴｇ未満の温度、好ましく
は極性基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）のＴｇの５℃以上熱可
塑性樹脂（Ａ）の５℃以下の温度、より好ましくは極性
基含有熱可塑性樹脂（Ｂ）のＴｇの１０℃以上熱可塑性
樹脂（Ａ）の１０℃以下の温度である。通常は、１５０
〜３００℃程度である。加圧する圧力は、樹脂材料等に
より適宜選択されるが、通常１０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ
²、好ましくは２０〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ²、より好まし
くは３０〜８０ｋｇｆ／ｃｍ²程度である。

【００６８】

【実施例】以下に、実施例、及び比較例を挙げて、本発
明をより具体的に説明する。 （１）ガラス移転温度は、示差走査熱量法（ＤＳＣ法）
により測定した。 （２）分子量は、特に断りのない限り、トルエンを溶媒
とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー
（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。 （３）共重合比率は、¹Ｈ−ＮＭＲにより測定した。 （４）エポキシ基含有量は、¹Ｈ−ＮＭＲにより測定
し、前記式により算出した。 （５）密着性は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従って、ゴバン
目剥離強度試験を行い、評価した。 （６）耐久性は、９０℃、９５％湿度の条件で１０００
時間放置し、フクレ等の外観の異常及び銅の腐食や変色
等を観察した。 （７）耐熱性は、３００℃のハンダを１分間接触させて
後、外観を観察し、下記基準で判断した。 良好：剥離やフクレのないもの 不良：剥離またはフクレの見られるもの （８）誘電率は、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従って、１ＭＨ
ｚで測定した。 （９）吸水率は、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従って、試験片
を２４時間浸水した後に増加した質量の、浸水前の試験
片の質量に対する百分率を求めた。

【００６９】［製造例１］窒素置換した内容積３００ｍ
ｌのガラス製容器に、トルエン１００ｍｌとメチルアル
ミノキサン５．０ミリモル、及びニッケルビスアセチル
アセトナート２５マイクロモルを加えた。次に、２―ノ
ルボルネン３０ｇを添加して、５０℃で２時間重合反応
を行った。反応終了後、多量のメタノール中に注いでポ
リマーを析出させ、濾別洗浄後、減圧乾燥することによ
り、２５ｇのポリマーＡ（Ｍｎ＝７８，３００、Ｔｇ＝
３６８℃）を得た。

【００７０】［製造例２］窒素置換した内容積３００ｍ
ｌのガラス製容器に、トルエン１００ｍｌとメチルアル
ミノキサン５．０ミリモル、及びニッケルビスアセチル
アセトナート２５マイクロモルを加えた。次に、５―ブ
チルー２―ノルボルネン３０ｇを添加し、５０℃で２時
間重合反応を行った。反応終了後、多量のメタノール中
に注いでポリマーを析出させ、濾別洗浄後、減圧乾燥す
ることにより、１８ｇのポリマーＢ（Ｍｎ＝８１，６０
０、Ｔｇ＝２２０℃）を得た。得られたポリマーＢ１０
ｇ、５，６―エポキシー１―ヘキセン６ｇ、及びジクミ
ルパーオキシド１ｇをシクロヘキサン２５ｇ中に溶解
し、オートクレーブ中にて、１５０℃で６時間反応を行
った。得られた反応生成物溶液を５０ｇのイソプロピル
アルコール中に注ぎ、反応生成物を凝固させた。凝固し
たエポキシ基変性重合体を１００℃で２０時間真空乾燥
し、エポキシ変性のポリマーＣを１０ｇ得た。このポリ
マーＣのＭｎは８２，０００で、Ｔｇは２２１℃であっ
た。このポリマーＣの¹Ｈ−ＮＭＲにて測定したエポキ
シ基含有率は、ポリマーの繰り返し構造単位当たりで１
８．６モル％であった。

【００７１】［実施例１］製造例１により得られたポリ
マーＡ１０ｇをシクロヘキサン１００ｇに溶解させ、キ
ャスト製膜法により厚さ８０μｍのフィルムを形成し
た。得られたポリマーＡのフィルムの両側に、製造例２
により得られたポリマーＣをトルエンに１０重量％溶解
させた溶液をオーバーコートして厚さ１０μｍの接着層
を形成した。次いで、接着層の片面に、配線パターンを
形成するためのめっきレジスト膜をドライフィルムレジ
スト膜として塗布した後に、無電解銅メッキ法を用い
て、幅５０μｍ、厚さ５μｍの銅配線パターンを形成し
た。得られた積層体の誘電率、密着性、吸水性、耐熱性
及び耐久性を評価し、その結果を表１に示した。

【００７２】［実施例２］実施例１で得られた積層体を
５層重ね、その両側を特開平８−１８６３７６号公報に
記載される方法に従って製造したポリイミド４層構成フ
ィルム（銅配線／熱可塑性ポリイミド接着層／熱硬化性
ポリイミドフィルム／熱可塑性ポリイミドフィルム接着
層）２層でサンドイッチして、真空プレス（圧力５０ｋ
ｇ）により２５０℃で加熱・加圧することにより溶融圧
着して多層基板を得た。得られた７層多層基板の誘電
率、密着性、吸水性、耐熱性、及び耐久性を評価し、そ
の結果を表１に示した。

【００７３】［比較例１］実施例２と同様に製造した銅
ポリイミド４層構成フィルムのみを７層とした以外は、
実施例２と同様にして７層多層積層基板を作製し、実施
例２同様の方法で評価を行い、その結果を表１に示し
た。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば、誘電特性、耐湿性（耐
吸水性）、耐熱性、耐久性、密着性などの諸特性に優
れ、かつ簡易な方法により多層化することができる積層
体が提供される。また、本発明によれば、このような優
れた諸物性を有する積層体を複数枚積み重ねて加熱・加
圧して溶融圧着することにより、容易に多層基板を得る
ことができる。本発明は、電気・電子技術分野における
回路基板の形成などに特に有用である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱可塑性樹脂（Ａ）からなる誘電層の少
   なくとも片面に、該熱可塑性樹脂（Ａ）よりもガラス転
   移温度が低く、かつ、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹
   脂（Ｂ）からなる接着層が積層され、さらに、該接着層
   の上に導電層が積層されていることを特徴とする積層
   体。
2. 【請求項２】 熱可塑性樹脂（Ａ）からなる誘電層の両
   面に、該熱可塑性樹脂（Ａ）よりもガラス転移温度が低
   く、かつ、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）か
   らなる接着層が積層され、さらに、一方の接着層の上の
   みに導電層が積層されている請求項１記載の積層体。
3. 【請求項３】 熱可塑性樹脂（Ａ）からなる誘電層の少
   なくとも片面に、該熱可塑性樹脂（Ａ）よりもガラス転
   移温度が低く、かつ、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹
   脂（Ｂ）からなる接着層を積層し、次いで、該接着層の
   上に導電層を積層することを特徴とする積層体の製造方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１または２記載の積層体が２層以
   上積層された多層構造を有することを特徴とする多層基
   板。
5. 【請求項５】 請求項１または２記載の積層体を２層以
   上積み重ね、側鎖に極性基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）
   のガラス転移温度以上であって、熱可塑性樹脂（Ａ）の
   ガラス転移温度よりも低い温度で加熱・加圧して、溶融
   圧着させることを特徴とする多層基板の製造方法。