JPH10192769A - 処理装置および処理方法 - Google Patents
処理装置および処理方法Info
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- JPH10192769A JPH10192769A JP35099496A JP35099496A JPH10192769A JP H10192769 A JPH10192769 A JP H10192769A JP 35099496 A JP35099496 A JP 35099496A JP 35099496 A JP35099496 A JP 35099496A JP H10192769 A JPH10192769 A JP H10192769A
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- processing
- processed
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板の張り出し部分の撓みを規制して
被処理基板を水平に維持し、均一な処理液の塗布を可能
とすること。 【解決手段】 内容器15の傾斜面15bには、複数本
の支持ピン17が立設されている。支持ピン17の頂部
は、基板Gを吸着する吸着面であるスピンチャック1の
上端面と同一の水平面内に位置していて、スピンチャッ
ク1に保持された基板Gの張り出し部分を支持して基板
Gの表面を水平に維持できるようになっている。この
後、スピンチャック1を上昇させて基板Gを支持ピン1
7から離間し、次いでスピンチャック1を回転させて現
像液を拡散・乾燥する。
被処理基板を水平に維持し、均一な処理液の塗布を可能
とすること。 【解決手段】 内容器15の傾斜面15bには、複数本
の支持ピン17が立設されている。支持ピン17の頂部
は、基板Gを吸着する吸着面であるスピンチャック1の
上端面と同一の水平面内に位置していて、スピンチャッ
ク1に保持された基板Gの張り出し部分を支持して基板
Gの表面を水平に維持できるようになっている。この
後、スピンチャック1を上昇させて基板Gを支持ピン1
7から離間し、次いでスピンチャック1を回転させて現
像液を拡散・乾燥する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばLCD(液
晶表示ディスプレイ)基板や半導体ウエハ等の被処理基
板の表面に現像液等の処理液を塗布する処理装置および
処理方法に関する。
晶表示ディスプレイ)基板や半導体ウエハ等の被処理基
板の表面に現像液等の処理液を塗布する処理装置および
処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、被処理基板であるLC
D基板(ガラス基板)上に例えばITO(Indium Tin
Oxide )の薄膜や電極パターン等を形成するために、半
導体製造工程において用いられるものと同様なフォトリ
ソグラフイ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォ
トレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が
施される。
D)装置の製造工程においては、被処理基板であるLC
D基板(ガラス基板)上に例えばITO(Indium Tin
Oxide )の薄膜や電極パターン等を形成するために、半
導体製造工程において用いられるものと同様なフォトリ
ソグラフイ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォ
トレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が
施される。
【0003】このような処理においては例えば矩形状の
LCD基板を、高速回転可能に形成されたスピンチャッ
ク上に保持させ、これを高速回転させながらフォトレジ
ストを塗布した後、露光装置にてパターンを露光し転写
する。その後、露光されたLCD基板と処理液例えば現
像液を供給する現像液供給ノズルとを対向転置して相対
移動させることによりLCD基板上に現像液を膜状に液
盛り状態とし、現像を所定時間実施する。そして、スピ
ンチャックを高速回転させながら脱イオン水又は純水等
の後処理液を供給して現像液を流し、現像を停止させ
る。
LCD基板を、高速回転可能に形成されたスピンチャッ
ク上に保持させ、これを高速回転させながらフォトレジ
ストを塗布した後、露光装置にてパターンを露光し転写
する。その後、露光されたLCD基板と処理液例えば現
像液を供給する現像液供給ノズルとを対向転置して相対
移動させることによりLCD基板上に現像液を膜状に液
盛り状態とし、現像を所定時間実施する。そして、スピ
ンチャックを高速回転させながら脱イオン水又は純水等
の後処理液を供給して現像液を流し、現像を停止させ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の処理工程では、被処理基板が大型になるほど、
図9に示すようにスピンチャック1から張り出す被処理
基板Gの張り出し量も大きくなり、張り出し部分が撓ん
で処理液が撓みの大きい周縁部に流れて被処理基板の表
面に処理液を均一に塗布することができなくなる、とい
う問題がある。
た従来の処理工程では、被処理基板が大型になるほど、
図9に示すようにスピンチャック1から張り出す被処理
基板Gの張り出し量も大きくなり、張り出し部分が撓ん
で処理液が撓みの大きい周縁部に流れて被処理基板の表
面に処理液を均一に塗布することができなくなる、とい
う問題がある。
【0005】この場合、スピンチャックを大型化すれば
前記張り出し量も小さくすることができるが、スピンチ
ャックは大型化するほど製造コストが高く、特にエア吸
引形のスピンチャックにおいてはエアの吸引量が増えて
被処理基板に塵埃が付着する可能性も高くなるという問
題がある。
前記張り出し量も小さくすることができるが、スピンチ
ャックは大型化するほど製造コストが高く、特にエア吸
引形のスピンチャックにおいてはエアの吸引量が増えて
被処理基板に塵埃が付着する可能性も高くなるという問
題がある。
【0006】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、スピンチャッ
クを大型化することなく被処理基板の表面を水平に維持
して均一な処理液の塗布を可能にする処理装置および処
理方法を提供することにある。 また、本発明の別の目
的は、被処理基板を回転させて処理液を振り切り乾燥す
る際にも、被処理基板の裏面に処理液が付着することの
ない被処理基板の処理装置および処理方法を提供するこ
とにある。
されたもので、その目的とするところは、スピンチャッ
クを大型化することなく被処理基板の表面を水平に維持
して均一な処理液の塗布を可能にする処理装置および処
理方法を提供することにある。 また、本発明の別の目
的は、被処理基板を回転させて処理液を振り切り乾燥す
る際にも、被処理基板の裏面に処理液が付着することの
ない被処理基板の処理装置および処理方法を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の処理装置は、被処理基板を回転可能に保
持する保持手段と、前記保持手段から張り出す前記被処
理基板の張り出し部分を支持して前記被処理基板の表面
を水平に維持する支持手段と、前記保持手段により保持
され、かつ前記支持手段により支持された被処理基板の
表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記保持手
段により保持された被処理基板を前記支持手段に対して
相対的に昇降させる昇降手段と、前記支持手段から相対
的に上昇された前記被処理基板を回転させる回転手段と
を具備する(請求項1)。
めに、本発明の処理装置は、被処理基板を回転可能に保
持する保持手段と、前記保持手段から張り出す前記被処
理基板の張り出し部分を支持して前記被処理基板の表面
を水平に維持する支持手段と、前記保持手段により保持
され、かつ前記支持手段により支持された被処理基板の
表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記保持手
段により保持された被処理基板を前記支持手段に対して
相対的に昇降させる昇降手段と、前記支持手段から相対
的に上昇された前記被処理基板を回転させる回転手段と
を具備する(請求項1)。
【0008】また、前記支持手段の支持部先端に洗浄液
を流出する洗浄液流出部を設けたことを特徴とする(請
求項2)。
を流出する洗浄液流出部を設けたことを特徴とする(請
求項2)。
【0009】また、前記支持手段の支持部先端に向けて
乾燥用の気体を吹き付ける乾燥手段を設けたことを特徴
とする(請求項3)。
乾燥用の気体を吹き付ける乾燥手段を設けたことを特徴
とする(請求項3)。
【0010】また、前記被処理基板の表面に後処理液を
供給すると同時に、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供
給する手段を設けたことを特徴とする(請求項4)。
供給すると同時に、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供
給する手段を設けたことを特徴とする(請求項4)。
【0011】また、本発明の処理方法は、(a)被処理
基板を保持手段により保持すると共に、前記保持手段か
ら張り出す前記被処理基板の張り出し部分を支持手段に
より支持して前記被処理基板の表面を水平に維持した状
態で、前記被処理基板の表面に処理液を塗布する工程
と、(b)前記保持手段により保持された被処理基板を
前記支持手段に対して相対的に上昇させる工程と、
(c)前記(b)工程の後に、前記保持部材を回転させ
て前記被処理基板を振り切り乾燥する工程とを具備する
(請求項5)。
基板を保持手段により保持すると共に、前記保持手段か
ら張り出す前記被処理基板の張り出し部分を支持手段に
より支持して前記被処理基板の表面を水平に維持した状
態で、前記被処理基板の表面に処理液を塗布する工程
と、(b)前記保持手段により保持された被処理基板を
前記支持手段に対して相対的に上昇させる工程と、
(c)前記(b)工程の後に、前記保持部材を回転させ
て前記被処理基板を振り切り乾燥する工程とを具備する
(請求項5)。
【0012】また、前記(c)工程の後に、前記被処理
基板の表面に後処理液を供給すると共に、前記被処理基
板の裏面に洗浄液を供給する工程をさらに具備すること
を特徴とする(請求項6)。
基板の表面に後処理液を供給すると共に、前記被処理基
板の裏面に洗浄液を供給する工程をさらに具備すること
を特徴とする(請求項6)。
【0013】また、前記(c)工程の最中に、前記支持
手段の支持先端部より洗浄液を流出することを特徴とす
る(請求項7)。
手段の支持先端部より洗浄液を流出することを特徴とす
る(請求項7)。
【0014】また、前記支持手段の支持先端部より洗浄
液を流出した後に、前記支持先端部に乾燥用の気体を吹
き付けることを特徴とする(請求項8)。
液を流出した後に、前記支持先端部に乾燥用の気体を吹
き付けることを特徴とする(請求項8)。
【0015】本発明によれば、保持手段から張り出す基
板の張り出し部分を支持手段で支持するようにしたの
で、被処理基板が大型になって保持手段からの張り出し
量が大きくなっても、被処理基板の表面を水平に維持し
て処理液を均一に塗布することができる。
板の張り出し部分を支持手段で支持するようにしたの
で、被処理基板が大型になって保持手段からの張り出し
量が大きくなっても、被処理基板の表面を水平に維持し
て処理液を均一に塗布することができる。
【0016】また、処理液の回転振り切り時に支持手段
の支持先端部を洗浄液の流出によって洗浄することによ
り、支持手段に処理液が付着することがなく、次に処理
される被処理基板の裏面に処理液を付着させることもな
い。
の支持先端部を洗浄液の流出によって洗浄することによ
り、支持手段に処理液が付着することがなく、次に処理
される被処理基板の裏面に処理液を付着させることもな
い。
【0017】さらに、乾燥手段を設けたものは、速やか
に支持手段を乾燥させて洗浄液が次に処理される被処理
基板に付着することを防止する。
に支持手段を乾燥させて洗浄液が次に処理される被処理
基板に付着することを防止する。
【0018】また、処理液の振り切り乾燥後に前記被処
理基板の表面に後処理液を供給すると同時に、前記被処
理基板の裏面を洗浄液で洗浄するようにしたものは、被
処理基板の裏面に処理液が付着することを防止できる。
理基板の表面に後処理液を供給すると同時に、前記被処
理基板の裏面を洗浄液で洗浄するようにしたものは、被
処理基板の裏面に処理液が付着することを防止できる。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明の好適な一実施形態を図面
に従って説明する。なお、以下の説明では、被処理基板
として矩形状のLCD基板を例に挙げ、このLCD基板
に露光パターンを形成するための塗布・現像システムを
例に挙げて説明するが、被処理基板であれば前記のLC
D基板に限らず半導体ウェハ等の他の被処理基板にも適
用が可能で、かつ、前記のような処理装置、方法に限ら
ずあらゆる処理装置、処理方法にも適用が可能である。
に従って説明する。なお、以下の説明では、被処理基板
として矩形状のLCD基板を例に挙げ、このLCD基板
に露光パターンを形成するための塗布・現像システムを
例に挙げて説明するが、被処理基板であれば前記のLC
D基板に限らず半導体ウェハ等の他の被処理基板にも適
用が可能で、かつ、前記のような処理装置、方法に限ら
ずあらゆる処理装置、処理方法にも適用が可能である。
【0020】最初に、本発明の処理装置が適用される塗
布・現像システムの全体構成について説明する。
布・現像システムの全体構成について説明する。
【0021】図1は本発明の処理装置が適用されるLC
D基板(以下、基板と記載)の塗布・現像システムの全
体構成図である。この塗布・現像システムは、基板Gに
前処理を施して隣接する露光装置89に受渡し、露光装
置89で所定のパターンが露光された基板Gを受け取っ
て現像,洗浄をするものである。
D基板(以下、基板と記載)の塗布・現像システムの全
体構成図である。この塗布・現像システムは、基板Gに
前処理を施して隣接する露光装置89に受渡し、露光装
置89で所定のパターンが露光された基板Gを受け取っ
て現像,洗浄をするものである。
【0022】この塗布・現像システムの構成を更に詳細
に説明する。
に説明する。
【0023】塗布・現像システムは、一方側(図面の左
側)に設けられた基板Gを搬入・搬出するローダ部A
と、この基板Gにブラシ洗浄,ジェット水洗浄,アドヒ
ージョン処理,冷却処理,フォトレジスト処理,レジス
ト除去処理等の処理を施す第1処理部Bと、中継部Cを
介して第1処理部Bに連設されるとともに受渡し部Eを
介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するため
の露光装置89に連設可能で、基板Gの加熱処理,現像
・洗浄処理等の処理を行う第2処理部Dとで主に構成さ
れている。
側)に設けられた基板Gを搬入・搬出するローダ部A
と、この基板Gにブラシ洗浄,ジェット水洗浄,アドヒ
ージョン処理,冷却処理,フォトレジスト処理,レジス
ト除去処理等の処理を施す第1処理部Bと、中継部Cを
介して第1処理部Bに連設されるとともに受渡し部Eを
介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するため
の露光装置89に連設可能で、基板Gの加熱処理,現像
・洗浄処理等の処理を行う第2処理部Dとで主に構成さ
れている。
【0024】第1処理部Bおよび第2処理部Dには、各
処理装置81〜88との間で基板Gの授受を行う搬送ア
ーム機構74a,74bが設けられている。この搬送ア
ーム機構74a,74bは、搬送路75a,75bに沿
った水平方向(X,Y方向)および垂直方向(Z方向)
に移動自在で、かつ、垂直軸(Z軸)を中心に回転自在
なアームを有している。
処理装置81〜88との間で基板Gの授受を行う搬送ア
ーム機構74a,74bが設けられている。この搬送ア
ーム機構74a,74bは、搬送路75a,75bに沿
った水平方向(X,Y方向)および垂直方向(Z方向)
に移動自在で、かつ、垂直軸(Z軸)を中心に回転自在
なアームを有している。
【0025】上記ロータ部Aは、未処理の基板Gを収納
等するカセットC1と、処理済みの基板Gを収容するカ
セットC2を載置するカセット載置台71と、このカセ
ット載置台71上のカセットC1,C2との問で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向に移動自在で、かつ、垂直軸(Z軸)を中心に角度θ
だけ回転して第1処理部Bの搬送アーム機構74との間
で基板Gの授受が可能な基板搬出入ピンセット機構72
とで構成されている。
等するカセットC1と、処理済みの基板Gを収容するカ
セットC2を載置するカセット載置台71と、このカセ
ット載置台71上のカセットC1,C2との問で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向に移動自在で、かつ、垂直軸(Z軸)を中心に角度θ
だけ回転して第1処理部Bの搬送アーム機構74との間
で基板Gの授受が可能な基板搬出入ピンセット機構72
とで構成されている。
【0026】上記第1処理部Bは、基板Gをブラシ洗浄
するブラシ洗浄装置81と、基板Gを高圧ジェット水で
洗浄するジェット水流洗浄装置82と、基板Gの表面を
疎水化処理するアドヒージョン処理装置83と、このア
ドヒージョン処理装置83の下に基板Gを所定温度に冷
却する冷却処理装置84と、基板Gの表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布装置85と、基板Gの端部のレ
ジストを除去するレジスト除去装置86とから構成され
ている。
するブラシ洗浄装置81と、基板Gを高圧ジェット水で
洗浄するジェット水流洗浄装置82と、基板Gの表面を
疎水化処理するアドヒージョン処理装置83と、このア
ドヒージョン処理装置83の下に基板Gを所定温度に冷
却する冷却処理装置84と、基板Gの表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布装置85と、基板Gの端部のレ
ジストを除去するレジスト除去装置86とから構成され
ている。
【0027】上記したブラシ洗浄装置81と、基板Gを
高圧ジェット水で洗浄するジェット水流洗浄装置82
と、アドヒージョン処理装置83と、冷却処理装置84
とは搬送路75aの一方の側に設けられ、レジスト塗布
装置85と、レジスト除去装置86とは搬送路75aの
他方の側に設けられている。
高圧ジェット水で洗浄するジェット水流洗浄装置82
と、アドヒージョン処理装置83と、冷却処理装置84
とは搬送路75aの一方の側に設けられ、レジスト塗布
装置85と、レジスト除去装置86とは搬送路75aの
他方の側に設けられている。
【0028】上記第2処理部Dは、レジスト液塗布の後
で基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う
加熱処理装置87と、本発明の処理装置である現像装置
88とから構成されている。加熱処理装置87は搬送路
75bの一方の側に配置され、現像装置88は搬送路7
5bの他方の側に配置されている。
で基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う
加熱処理装置87と、本発明の処理装置である現像装置
88とから構成されている。加熱処理装置87は搬送路
75bの一方の側に配置され、現像装置88は搬送路7
5bの他方の側に配置されている。
【0029】上記のように構成される塗布・現像システ
ムでは、カセットC1内に収容された未処理の基板Gは
ロータ部Aの搬出入ピンセット機構72によって取出さ
れた後、第1処理部Bの搬送アーム機構74aに受け渡
され、ブラシ洗浄装置81内に搬送される。このブラシ
洗浄装置81内にてブラシ洗浄された基板Gは引き続い
て乾燥される。なお、プロセスに応じてジェット水洗浄
装置82内にて高圧ジェット水により洗浄させるように
してもよい。この後、基板Gは、アドヒージョン処理装
置83にて疎水化処理が施され、冷却処理装置84にて
冷却された後、レジスト塗布装置85にてフォトレジス
トすなわち感光膜が塗布形成される。レジスト除去装置
86では、基板Gの端部のレジストが除去される。
ムでは、カセットC1内に収容された未処理の基板Gは
ロータ部Aの搬出入ピンセット機構72によって取出さ
れた後、第1処理部Bの搬送アーム機構74aに受け渡
され、ブラシ洗浄装置81内に搬送される。このブラシ
洗浄装置81内にてブラシ洗浄された基板Gは引き続い
て乾燥される。なお、プロセスに応じてジェット水洗浄
装置82内にて高圧ジェット水により洗浄させるように
してもよい。この後、基板Gは、アドヒージョン処理装
置83にて疎水化処理が施され、冷却処理装置84にて
冷却された後、レジスト塗布装置85にてフォトレジス
トすなわち感光膜が塗布形成される。レジスト除去装置
86では、基板Gの端部のレジストが除去される。
【0030】フォトレジストが塗布形成された基板G
は、中継部Cを介して第2処理部Dの搬送アーム機構7
4bに受け渡される。第2処理部Dでは、基板Gは加熱
処理装置87にて加熱されてベーキング処理が施され
る。この後、基板Gは受渡し部Eを介して露光装置89
に受け渡され、この露光装置89にて所定のパターンが
露光される。そして、露光後の基板Gは本発明に係る現
像装置88内へ搬送され、ここで現像液を塗布されて現
像された後に洗浄液により現像液が洗い流され、現像処
理を完了する。現像処理された処理済みの基板Gはロー
タ部AのカセットC2に収容された後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。
は、中継部Cを介して第2処理部Dの搬送アーム機構7
4bに受け渡される。第2処理部Dでは、基板Gは加熱
処理装置87にて加熱されてベーキング処理が施され
る。この後、基板Gは受渡し部Eを介して露光装置89
に受け渡され、この露光装置89にて所定のパターンが
露光される。そして、露光後の基板Gは本発明に係る現
像装置88内へ搬送され、ここで現像液を塗布されて現
像された後に洗浄液により現像液が洗い流され、現像処
理を完了する。現像処理された処理済みの基板Gはロー
タ部AのカセットC2に収容された後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。
【0031】次に、本発明を適用した上記現像装置88
について説明する。図2はこの現像装置88の断面図で
ある。
について説明する。図2はこの現像装置88の断面図で
ある。
【0032】この現像装置88は、方形状の基板Gを図
示しない真空装置によって吸着保持するとともに中空状
の軸3を中心に水平面内で回転可能とする保持手段例え
ばスピンチャック1と、このスピンチャック1を昇降さ
せる昇降手段例えば昇降シリンダ4と、スピンチャック
1を水平面内で回転させる回転手段例えば駆動モータ2
と、スピンチャック1を取囲むように配置される処理容
器10と、基板G上に処理液としての現像液を供給する
現像液供給ノズル20と、基板G上に脱イオン水又は純
水等の後処理液を供給する後処理供給ノズル30とを備
えている。
示しない真空装置によって吸着保持するとともに中空状
の軸3を中心に水平面内で回転可能とする保持手段例え
ばスピンチャック1と、このスピンチャック1を昇降さ
せる昇降手段例えば昇降シリンダ4と、スピンチャック
1を水平面内で回転させる回転手段例えば駆動モータ2
と、スピンチャック1を取囲むように配置される処理容
器10と、基板G上に処理液としての現像液を供給する
現像液供給ノズル20と、基板G上に脱イオン水又は純
水等の後処理液を供給する後処理供給ノズル30とを備
えている。
【0033】スピンチャック1の表面は、真空吸着によ
り例えば最大500×400mmの矩形状の基板Gを保
持し得るように構成されている。なお、最近では、65
0×830mmの矩形状の基板Gも保持可能なスピンチ
ャック1も開発されており、さらにはこのスピンチャッ
ク1では、730×860mmの矩形状の基板Gも保持
可能である。
り例えば最大500×400mmの矩形状の基板Gを保
持し得るように構成されている。なお、最近では、65
0×830mmの矩形状の基板Gも保持可能なスピンチ
ャック1も開発されており、さらにはこのスピンチャッ
ク1では、730×860mmの矩形状の基板Gも保持
可能である。
【0034】また、スピンチャック1は回転軸3に設け
られた通路46及びこの通路46に接続された排気管4
7を介して図示しない真空ポンプに接続されて、真空ポ
ンプの駆動により真空引きされてスピンチャック1上に
基板Gを真空吸着によって保持することができるように
構成されている。
られた通路46及びこの通路46に接続された排気管4
7を介して図示しない真空ポンプに接続されて、真空ポ
ンプの駆動により真空引きされてスピンチャック1上に
基板Gを真空吸着によって保持することができるように
構成されている。
【0035】スピンチャック1を回転自在に取り付ける
回転軸3にはスプライン軸受7が外嵌されている。この
スプライン軸受7には従動プーリ41が装着され、この
従動プーリ41と回転手段である駆動モータ2の回転軸
2aに取り付けられたプーリ42との間にはベルト43
が掛け渡されている。従って、駆動モータ2が駆動する
と、駆動モータ2の回転軸2aの回転は、プーリ42,
ベルト43および従動プーリ41を介してスプライン軸
受7に伝達され、回転軸3を回転させる。
回転軸3にはスプライン軸受7が外嵌されている。この
スプライン軸受7には従動プーリ41が装着され、この
従動プーリ41と回転手段である駆動モータ2の回転軸
2aに取り付けられたプーリ42との間にはベルト43
が掛け渡されている。従って、駆動モータ2が駆動する
と、駆動モータ2の回転軸2aの回転は、プーリ42,
ベルト43および従動プーリ41を介してスプライン軸
受7に伝達され、回転軸3を回転させる。
【0036】前記したスプライン軸受7は、処理室10
内に配置された固定カラー5の内周面に、ベアリング5
a及びラビリンスシール5bを介して回転可能に装着さ
れる回転内筒6の内周面に嵌着されている。
内に配置された固定カラー5の内周面に、ベアリング5
a及びラビリンスシール5bを介して回転可能に装着さ
れる回転内筒6の内周面に嵌着されている。
【0037】また、回転軸3の下端部は処理容器10の
下部側に位置し、前記下端部に対向して昇降手段である
昇降シリンダ4が配置されている。昇降シリンダ4はベ
ース11に固定された昇降駆動室49に取り付けられ、
昇降シリンダ4の昇降自在なピストンロッド48には、
回転軸3の下端部に連結された可動カラー8が取り付け
られている。この可動カラー8のフランジ部8aにはス
ライドシャフト44,44が取り付けられ、このスライ
ドシャフト44,44が昇降駆動室49に取り付けられ
たガイド部45,45を挿通することにより、可動カラ
ー8は鉛直上下方向にスムースに昇降することができる
ようになっている。
下部側に位置し、前記下端部に対向して昇降手段である
昇降シリンダ4が配置されている。昇降シリンダ4はベ
ース11に固定された昇降駆動室49に取り付けられ、
昇降シリンダ4の昇降自在なピストンロッド48には、
回転軸3の下端部に連結された可動カラー8が取り付け
られている。この可動カラー8のフランジ部8aにはス
ライドシャフト44,44が取り付けられ、このスライ
ドシャフト44,44が昇降駆動室49に取り付けられ
たガイド部45,45を挿通することにより、可動カラ
ー8は鉛直上下方向にスムースに昇降することができる
ようになっている。
【0038】処理容器10は、ベース部11に設けられ
た排気口12に連通する排気通路12aと、ベース部1
1に設置された固定カラー5の取付穴13bを有する下
部容器13と、この下部容器13の外周に位置し、底面
が傾斜する周溝14aを有する容器基部14と、容器基
部14の周溝14a内に垂下する垂下片15aの上端か
らスピンチャック1に保持される基板Gの裏面側に向か
って上向きに傾斜する傾斜面15bを有する内容器15
と、この内容器15の外周側に位置し、図示しない昇降
手投によって容器基部14の周溝14a内に出没可能に
突出する筒状の第1の外容器16aと、この第1の外容
器16aの上昇に伴って内容器15の外側上方に突出す
る筒状の第2の外容器16bとで構成されている。
た排気口12に連通する排気通路12aと、ベース部1
1に設置された固定カラー5の取付穴13bを有する下
部容器13と、この下部容器13の外周に位置し、底面
が傾斜する周溝14aを有する容器基部14と、容器基
部14の周溝14a内に垂下する垂下片15aの上端か
らスピンチャック1に保持される基板Gの裏面側に向か
って上向きに傾斜する傾斜面15bを有する内容器15
と、この内容器15の外周側に位置し、図示しない昇降
手投によって容器基部14の周溝14a内に出没可能に
突出する筒状の第1の外容器16aと、この第1の外容
器16aの上昇に伴って内容器15の外側上方に突出す
る筒状の第2の外容器16bとで構成されている。
【0039】この場合、上記排気口12及び排気通路1
3aは図面上では1箇所設けられているが、例えば同心
上に2箇所設けられており、この排気口12に図示しな
い排気装置を介設する排気管12aが接続されている.
また、上記容器基部14の周溝14aにおける最下部側
の底部に、排液管14cを接続する排液口14bが設け
られている。なお、基板Gの大きさによっては、排気管
12a、排気通路13aの数を4か所、6か所とさらに
増やしても構わない。
3aは図面上では1箇所設けられているが、例えば同心
上に2箇所設けられており、この排気口12に図示しな
い排気装置を介設する排気管12aが接続されている.
また、上記容器基部14の周溝14aにおける最下部側
の底部に、排液管14cを接続する排液口14bが設け
られている。なお、基板Gの大きさによっては、排気管
12a、排気通路13aの数を4か所、6か所とさらに
増やしても構わない。
【0040】なお、処理室10内に搬入される基板Gの
表面に現像液を塗布する場合、現像液が飛散して基板G
上に再付着するのを防止するために排気側及び排液側を
吸引する必要があるが、この際、基板Gの周囲に乱流が
生じないように考慮する必要がある。そのため、この実
施形態では、基板Gの表面と第2の外容器16bの開口
端との寸法Aを10〜20mm、基抜Gの長片側周辺と第
2の外容器16bの側璧16cとの寸法Bを15〜75
mm、基板Gの裏面と内容器15の傾斜面15bの頂面と
の寸法Cを10〜25mmとしている。なお、上記寸法
は、基板Gの大きさ等によって、例えば寸法Aを100
〜250mmとするように所定の寸法とすることができ
る。
表面に現像液を塗布する場合、現像液が飛散して基板G
上に再付着するのを防止するために排気側及び排液側を
吸引する必要があるが、この際、基板Gの周囲に乱流が
生じないように考慮する必要がある。そのため、この実
施形態では、基板Gの表面と第2の外容器16bの開口
端との寸法Aを10〜20mm、基抜Gの長片側周辺と第
2の外容器16bの側璧16cとの寸法Bを15〜75
mm、基板Gの裏面と内容器15の傾斜面15bの頂面と
の寸法Cを10〜25mmとしている。なお、上記寸法
は、基板Gの大きさ等によって、例えば寸法Aを100
〜250mmとするように所定の寸法とすることができ
る。
【0041】上記のように構成される処理容器10内に
基板Gを搬入するには、まず、図1の外容器16aと第
2の外容器16bを下降させた状態でスピンチャック1
を上昇させる。次に、図示しない搬送アームによって搬
送された基板Gをスピンチャック1上に吸着保持させた
後、スピンチャック1を下降させて基板Gを処理室10
内に搬入することができる。そして、第1及び第2の外
容器16a,16bを上昇させた状態で、基板Gの現像
処理を施すことができる。
基板Gを搬入するには、まず、図1の外容器16aと第
2の外容器16bを下降させた状態でスピンチャック1
を上昇させる。次に、図示しない搬送アームによって搬
送された基板Gをスピンチャック1上に吸着保持させた
後、スピンチャック1を下降させて基板Gを処理室10
内に搬入することができる。そして、第1及び第2の外
容器16a,16bを上昇させた状態で、基板Gの現像
処理を施すことができる。
【0042】現像液供給ノズル20は、図3に示すよう
に、基板Gの一辺(短辺)よりも長く形成され、両端が
閉塞された例えば塩化ビニル製のパイプ状の現像液収容
体21と、この現像液収容体21の長手方向に沿って均
等間隔で列設された細孔22とで溝成されている。この
現像液供給ノズル20の現像液収容体21の両側端部に
は、処理液である現像液を収容する現像液収容タンク2
3に接続する現像液供給配管24が接続されていて、現
像液収容タンク23内に導入される圧送用窒素ガス(N
2 )によって現像液が現像液供給ノズル20内に供給さ
れ、細孔22から基板Gの表面にカーテン状に滲み出る
ようにして供給されるようになっている。 また、現像
液収容体21の一端には、支持アーム25が突出してお
り、この支持アーム25にボールネジにて形成される移
動手段26の移動軸26aが係合され、例えばステップ
モータ26bによって正逆回転される移動軸26aによ
って現像液供給ノズル20が基板Gの長辺方向に相対移
動し得るように構成されている。なお、ステップモータ
26bに代えて、例えばサーボモータを用いることが可
能である。
に、基板Gの一辺(短辺)よりも長く形成され、両端が
閉塞された例えば塩化ビニル製のパイプ状の現像液収容
体21と、この現像液収容体21の長手方向に沿って均
等間隔で列設された細孔22とで溝成されている。この
現像液供給ノズル20の現像液収容体21の両側端部に
は、処理液である現像液を収容する現像液収容タンク2
3に接続する現像液供給配管24が接続されていて、現
像液収容タンク23内に導入される圧送用窒素ガス(N
2 )によって現像液が現像液供給ノズル20内に供給さ
れ、細孔22から基板Gの表面にカーテン状に滲み出る
ようにして供給されるようになっている。 また、現像
液収容体21の一端には、支持アーム25が突出してお
り、この支持アーム25にボールネジにて形成される移
動手段26の移動軸26aが係合され、例えばステップ
モータ26bによって正逆回転される移動軸26aによ
って現像液供給ノズル20が基板Gの長辺方向に相対移
動し得るように構成されている。なお、ステップモータ
26bに代えて、例えばサーボモータを用いることが可
能である。
【0043】また、現像液供給ノズル20の他端には案
内アーム27が突出しており、この案内アーム27は、
移動軸26aと平行に設けられた案内レール28に摺動
可能に装着されて、現像液供給ノズル20の移動を円滑
に行えるようにしている。この場合、上記ステッピング
モータ26bは制御部9からの信号によって正逆いずれ
かの回転及び回転時間が決定され、現像液供給ノズル2
0を基板Gの長辺側の端部付近に配置した後、現像液供
給ノズル20を端部まで戻した後、ステッピングモータ
26aを逆回転させて現像液供給ノズル20を基板Gの
他端まで移動することができるようになっている。
内アーム27が突出しており、この案内アーム27は、
移動軸26aと平行に設けられた案内レール28に摺動
可能に装着されて、現像液供給ノズル20の移動を円滑
に行えるようにしている。この場合、上記ステッピング
モータ26bは制御部9からの信号によって正逆いずれ
かの回転及び回転時間が決定され、現像液供給ノズル2
0を基板Gの長辺側の端部付近に配置した後、現像液供
給ノズル20を端部まで戻した後、ステッピングモータ
26aを逆回転させて現像液供給ノズル20を基板Gの
他端まで移動することができるようになっている。
【0044】なお、この場合、図に示すように、現像液
供給ノズル20の支持アーム25と案内アーム27にそ
れぞれ取付けられた発光部29aと受光部29bとから
なる光学式のセンサ29を設けておけば、このセンサ2
9によって基板Gの端部に現像液供給ノズル20が移動
したことを検出することができ、この検出信号を制御部
9に伝達することによって、現像液供給ノズル20の移
動を停止させることができる。
供給ノズル20の支持アーム25と案内アーム27にそ
れぞれ取付けられた発光部29aと受光部29bとから
なる光学式のセンサ29を設けておけば、このセンサ2
9によって基板Gの端部に現像液供給ノズル20が移動
したことを検出することができ、この検出信号を制御部
9に伝達することによって、現像液供給ノズル20の移
動を停止させることができる。
【0045】上記後処理液供給ノズル30は、上部にリ
ンス液供給管31が接続され、裏面の2箇所に後処理液
噴射用噴頭32が設けられている。後処理液供給ノズル
30は、移動軸26a及び案内レール28と平行に配置
された搬送レール33に沿って移動する移動アーム34
によってスピンチャック1にて保持された基板Gの上方
に移動し得るように構成されている。
ンス液供給管31が接続され、裏面の2箇所に後処理液
噴射用噴頭32が設けられている。後処理液供給ノズル
30は、移動軸26a及び案内レール28と平行に配置
された搬送レール33に沿って移動する移動アーム34
によってスピンチャック1にて保持された基板Gの上方
に移動し得るように構成されている。
【0046】なお、この実施形態では、スピンチャック
1を上昇させて回転させた状態で後処理液を供給するよ
うにしているため、図2で示すように、後処理液供給ノ
ズル30は現像液供給ノズル20よりも高い位置に設け
られている。
1を上昇させて回転させた状態で後処理液を供給するよ
うにしているため、図2で示すように、後処理液供給ノ
ズル30は現像液供給ノズル20よりも高い位置に設け
られている。
【0047】次に、スピンチャック1に保持された基板
Gがスピンチャック1から張り出す張り出し部分を支持
する支持手段について説明する。
Gがスピンチャック1から張り出す張り出し部分を支持
する支持手段について説明する。
【0048】この実施形態において支持手段は、固定部
である内容器15の傾斜面15bに立設された複数本例
えば4本の支持ピン17である。この支持ピン17は、
基板Gの裏面に傷を付けることがないような部材例えば
樹脂、ゴム、軟質の金属(例えば真鍮、アルミ)等で形
成されているとともに、基板Gの裏面に傷を付けること
がないような形状例えば頂部が球面状に形成されてい
る。
である内容器15の傾斜面15bに立設された複数本例
えば4本の支持ピン17である。この支持ピン17は、
基板Gの裏面に傷を付けることがないような部材例えば
樹脂、ゴム、軟質の金属(例えば真鍮、アルミ)等で形
成されているとともに、基板Gの裏面に傷を付けること
がないような形状例えば頂部が球面状に形成されてい
る。
【0049】また、支持ピン17の頂部は、基板Gを吸
着する吸着面であるスピンチャック1の上端面と同一の
水平面内に位置していて、スピンチャック1に保持され
た基板Gの張り出し部分を支持して基板Gの表面を水平
に維持できるようになっている。
着する吸着面であるスピンチャック1の上端面と同一の
水平面内に位置していて、スピンチャック1に保持され
た基板Gの張り出し部分を支持して基板Gの表面を水平
に維持できるようになっている。
【0050】ところで、スピンチャック1に保持された
基板Gの張り出し部分の撓みは、スピンチャック1から
の距離に比例し、スピンチャック1からの距離が大きい
基板Gの周縁部分で最大となる。そのため、支持ピン1
7は、基板Gの周縁に沿って設ければよいが、支持ピン
17と支持ピン17との間、支持ピン17とスピンチャ
ック1との間でも撓みが生じることから、前記周縁部よ
りやや内側(スピンチャック1側)に、均等間隔で設け
ることが好ましい。しかし、支持ピン17を他の位置に
設けることも勿論可能である。
基板Gの張り出し部分の撓みは、スピンチャック1から
の距離に比例し、スピンチャック1からの距離が大きい
基板Gの周縁部分で最大となる。そのため、支持ピン1
7は、基板Gの周縁に沿って設ければよいが、支持ピン
17と支持ピン17との間、支持ピン17とスピンチャ
ック1との間でも撓みが生じることから、前記周縁部よ
りやや内側(スピンチャック1側)に、均等間隔で設け
ることが好ましい。しかし、支持ピン17を他の位置に
設けることも勿論可能である。
【0051】また、後述する現像液の振り切り乾燥時に
飛散する現像液が支持ピン17に付着すると、次に処理
を行う基板Gの裏面に現像液が付着するおそれがある。
そこで、この実施形態では、図5に示すように、現像液
の振り切り乾燥時に支持ピン17を洗浄する洗浄手段5
0を設けている。この洗浄手段50は、支持ピン17の
基部側から頂部まで貫通する洗浄液の流通孔51と、支
持ピン17に洗浄液供給管52を介して洗浄液を供給す
る洗浄液供給部53と、洗浄液供給管52の途中に設け
られ、制御部9からの制御信号により切り換えられる切
換弁54aおよび支持ピン17の頂部から流出される洗
浄液の流量を調整する流量調整弁54bとから構成され
ている。
飛散する現像液が支持ピン17に付着すると、次に処理
を行う基板Gの裏面に現像液が付着するおそれがある。
そこで、この実施形態では、図5に示すように、現像液
の振り切り乾燥時に支持ピン17を洗浄する洗浄手段5
0を設けている。この洗浄手段50は、支持ピン17の
基部側から頂部まで貫通する洗浄液の流通孔51と、支
持ピン17に洗浄液供給管52を介して洗浄液を供給す
る洗浄液供給部53と、洗浄液供給管52の途中に設け
られ、制御部9からの制御信号により切り換えられる切
換弁54aおよび支持ピン17の頂部から流出される洗
浄液の流量を調整する流量調整弁54bとから構成され
ている。
【0052】制御部9は、例えば現像液の振り切り乾燥
のために基板Gの回転を開始させると同時に切換弁54
aを作動させて支持ピン17の頂部から洗浄液を流出さ
せる。そして、現像液の振り切り回転の停止とともに、
切換弁54aを前記とは逆作動させて支持ピン17の頂
部からの洗浄液の流出を停止させる。
のために基板Gの回転を開始させると同時に切換弁54
aを作動させて支持ピン17の頂部から洗浄液を流出さ
せる。そして、現像液の振り切り回転の停止とともに、
切換弁54aを前記とは逆作動させて支持ピン17の頂
部からの洗浄液の流出を停止させる。
【0053】流通穴51は支持ピン17の頂部に開口し
ているので、支持ピン17の頂部から流出した洗浄液
は、支持ピン17の外周面に沿って流れ、支持ピン17
の全体を洗浄する。そのため、基板Gを回転させて現像
液を振り切っても、支持ピン17の頂部から流出する洗
浄液が支持ピン17への処理液の付着を防止し、次に処
理される基板Gの裏面ヘ現像液を付着させるおそれもな
い。
ているので、支持ピン17の頂部から流出した洗浄液
は、支持ピン17の外周面に沿って流れ、支持ピン17
の全体を洗浄する。そのため、基板Gを回転させて現像
液を振り切っても、支持ピン17の頂部から流出する洗
浄液が支持ピン17への処理液の付着を防止し、次に処
理される基板Gの裏面ヘ現像液を付着させるおそれもな
い。
【0054】また、支持ピン17を洗浄した後に、その
ままの状態で次の基板Gの処理を行うと、支持ピン17
の頂部に残留した洗浄液が基板Gの裏面に付着して、い
わゆるウォーターマークを残すことがある。そこで、こ
の実施形態では、図2および図4に示すように、洗浄液
の流出を停止させた支持ピン17に対し乾燥用の気体を
吹き付ける乾燥手段55を設けている。この乾燥手段5
5は、図6に示すように支持ピン17に窒素(N2 )ガ
スやアルゴン(Ar)ガス等の不活性ガスを吹き付ける
ノズル56と、ガスタンク等の不活性ガス供給源57
と、この不活性ガス供給源57からノズル56に不活性
ガスを供給する供給管59と、この供給管59の途中部
位に設けられ、制御部9の制御信号によって弁体の開閉
を行い、不活性ガスの供給または停止を行う切換弁58
とから構成される。ノズル56は、支持ピン17の頂部
に向けられていて、支持ピン17の頂部に不活性ガスを
吹き付けられるようになっている。
ままの状態で次の基板Gの処理を行うと、支持ピン17
の頂部に残留した洗浄液が基板Gの裏面に付着して、い
わゆるウォーターマークを残すことがある。そこで、こ
の実施形態では、図2および図4に示すように、洗浄液
の流出を停止させた支持ピン17に対し乾燥用の気体を
吹き付ける乾燥手段55を設けている。この乾燥手段5
5は、図6に示すように支持ピン17に窒素(N2 )ガ
スやアルゴン(Ar)ガス等の不活性ガスを吹き付ける
ノズル56と、ガスタンク等の不活性ガス供給源57
と、この不活性ガス供給源57からノズル56に不活性
ガスを供給する供給管59と、この供給管59の途中部
位に設けられ、制御部9の制御信号によって弁体の開閉
を行い、不活性ガスの供給または停止を行う切換弁58
とから構成される。ノズル56は、支持ピン17の頂部
に向けられていて、支持ピン17の頂部に不活性ガスを
吹き付けられるようになっている。
【0055】なお、図4では噴射口を二つ有する二股の
ノズル56を2か所に設けているが、各支持ピン17ご
とにノズル56を設けてもよい。
ノズル56を2か所に設けているが、各支持ピン17ご
とにノズル56を設けてもよい。
【0056】次に、基板Gの裏面に洗浄液を噴射して前
記裏面に現像液が付着しないようにする基板裏面の洗浄
手段について説明する。
記裏面に現像液が付着しないようにする基板裏面の洗浄
手段について説明する。
【0057】基板Gの表面に塗布された現像液は、基板
Gを回転させることにより振り切られるが、このとき飛
散した現像液の一部が基板Gの裏面に付着するおそれが
ある。そこで、この実施形態では、図2に示すように現
像液の振り切り回転の後、洗浄液の供給による現像液の
洗浄とともに基板Gの裏面側にも洗浄液を噴射する洗浄
液噴射手段60が設けられている。
Gを回転させることにより振り切られるが、このとき飛
散した現像液の一部が基板Gの裏面に付着するおそれが
ある。そこで、この実施形態では、図2に示すように現
像液の振り切り回転の後、洗浄液の供給による現像液の
洗浄とともに基板Gの裏面側にも洗浄液を噴射する洗浄
液噴射手段60が設けられている。
【0058】この実施形態において洗浄液噴射手段60
は、スピンチャック1に保持された基板Gの下方位置に
配置された洗浄液噴射ノズル61と、この洗浄液噴射ノ
ズル61に洗浄液供給管64を介して洗浄液を供給する
洗浄液の供給源62と、洗浄液供給管64の途中部位に
設けられ、制御部9の制御信号により弁が開閉される切
換弁63とから構成される。洗浄液噴射ノズル61は、
図4に示すようにスピンチャック1の周囲に均等間隔で
複数個例えば8個設けられている。なお、各洗浄液噴射
ノズル61に洗浄液を供給する洗浄液供給源62は、洗
浄液と後処理液とが同質のものである場合には、後処理
液供給ノズル30に後処理液を供給する後処理液供給源
と同じであってもよい。また、各洗浄液噴射ノズル61
の基板Gに対する噴射角をそれぞれ異ならせて固定的に
設けてもよく、あるいは、図示しないノズル角度調整機
構を設けて各洗浄液噴射ノズル61の噴射角を可変にし
得るように構成してもよい。
は、スピンチャック1に保持された基板Gの下方位置に
配置された洗浄液噴射ノズル61と、この洗浄液噴射ノ
ズル61に洗浄液供給管64を介して洗浄液を供給する
洗浄液の供給源62と、洗浄液供給管64の途中部位に
設けられ、制御部9の制御信号により弁が開閉される切
換弁63とから構成される。洗浄液噴射ノズル61は、
図4に示すようにスピンチャック1の周囲に均等間隔で
複数個例えば8個設けられている。なお、各洗浄液噴射
ノズル61に洗浄液を供給する洗浄液供給源62は、洗
浄液と後処理液とが同質のものである場合には、後処理
液供給ノズル30に後処理液を供給する後処理液供給源
と同じであってもよい。また、各洗浄液噴射ノズル61
の基板Gに対する噴射角をそれぞれ異ならせて固定的に
設けてもよく、あるいは、図示しないノズル角度調整機
構を設けて各洗浄液噴射ノズル61の噴射角を可変にし
得るように構成してもよい。
【0059】次に、このように構成された現像装置88
における基板Gの処理の手順を、図8に従って説明す
る。
における基板Gの処理の手順を、図8に従って説明す
る。
【0060】図8は処理手順の説明図に係り、基板Gが
現像装置88に搬入されてから一連の処理が行われるま
での過程を概略図で示したものである。
現像装置88に搬入されてから一連の処理が行われるま
での過程を概略図で示したものである。
【0061】搬送アーム機構74bにより現像装置88
に搬入された基板Gは、昇降駆動シリンダ4の駆動によ
り上昇した状態にあるスピンチャック1上に載置され、
吸着されて保持される(図8(a) で示す状態)。
に搬入された基板Gは、昇降駆動シリンダ4の駆動によ
り上昇した状態にあるスピンチャック1上に載置され、
吸着されて保持される(図8(a) で示す状態)。
【0062】スピンチャック1に基板Gが保持される
と、昇降駆動シリンダ4が駆動してスピンチャック1を
下降させる。これにより、スピンチャック1から張り出
す基板Gの張り出し部分は、支持ピン17によって支持
されて表面が水平に維持される(図8(b) で示す状
態)。
と、昇降駆動シリンダ4が駆動してスピンチャック1を
下降させる。これにより、スピンチャック1から張り出
す基板Gの張り出し部分は、支持ピン17によって支持
されて表面が水平に維持される(図8(b) で示す状
態)。
【0063】次いで、基板Gの短辺の張り出し部分上方
位置に例えば、細孔22が端縁より5mm程度内側に位置
するように現像液供給ノズル20を対向配置した後、現
像液供給ノズル20から現像液を基板G上に供給しなが
ら、現像液供給ノズル20を基板Gの一端縁まで移動し
て戻し、基板Gの表面に現象液を塗布する。
位置に例えば、細孔22が端縁より5mm程度内側に位置
するように現像液供給ノズル20を対向配置した後、現
像液供給ノズル20から現像液を基板G上に供給しなが
ら、現像液供給ノズル20を基板Gの一端縁まで移動し
て戻し、基板Gの表面に現象液を塗布する。
【0064】そして、現像液供給ノズル20を基板Gの
他端位置まで移動して基板G表面の全面に現像液を塗布
した後、現像液の供給を停止して現像液供給ノズル20
をそのまま待機させるか、元の待機位置に復帰させる
(図8(c) で示す状態)。
他端位置まで移動して基板G表面の全面に現像液を塗布
した後、現像液の供給を停止して現像液供給ノズル20
をそのまま待機させるか、元の待機位置に復帰させる
(図8(c) で示す状態)。
【0065】次に、スピンチャック1を上昇させて基板
Gを支持ピン17から離間し、次いでスピンチャック1
を例えば10rpm、周期3秒程度で回転させて基板G
上に塗布された現像液を遠心力によって外方へ拡散す
る。そして、スピンチャック1を200rpm程度で連
続回転させながら現像液を均一に拡げる。このとき、支
持ピン17の頂部からは洗浄液を流出させておき、支持
ピン17に現像液が付着しないようにする(図8(d) で
示す状態)。
Gを支持ピン17から離間し、次いでスピンチャック1
を例えば10rpm、周期3秒程度で回転させて基板G
上に塗布された現像液を遠心力によって外方へ拡散す
る。そして、スピンチャック1を200rpm程度で連
続回転させながら現像液を均一に拡げる。このとき、支
持ピン17の頂部からは洗浄液を流出させておき、支持
ピン17に現像液が付着しないようにする(図8(d) で
示す状態)。
【0066】次いで、基板G上に後処理液供拾ノズル3
0を移動し、基板Gを回転させた状態で後処理液供給ノ
ズル30から洗浄液を基板G上に供給して現像を停止さ
せる。また、洗浄液の供給と同時に洗浄液噴射ノズル6
0から洗浄液を基板Gの裏面に向けて噴射させて、基板
Gの裏面側に付着した現像液を洗い落とす(図8(e)で
示す状態)。
0を移動し、基板Gを回転させた状態で後処理液供給ノ
ズル30から洗浄液を基板G上に供給して現像を停止さ
せる。また、洗浄液の供給と同時に洗浄液噴射ノズル6
0から洗浄液を基板Gの裏面に向けて噴射させて、基板
Gの裏面側に付着した現像液を洗い落とす(図8(e)で
示す状態)。
【0067】この後、後処理液供給ノズル30からの洗
浄液の供給を停止させると同時に洗浄液噴射ノズル60
からの洗浄液の噴射も停止させ、所定時間基板Gを回転
させて洗浄液を振り切り乾燥させる。このとき、支持ピ
ン17の頂部からの洗浄液の流出も停止させ、吹き付け
るノズル56から乾燥用の気体が支持ピン17に向けて
吹き付けられ、支持ピン17の乾燥が行われる(図8
(f) で示す状態)。
浄液の供給を停止させると同時に洗浄液噴射ノズル60
からの洗浄液の噴射も停止させ、所定時間基板Gを回転
させて洗浄液を振り切り乾燥させる。このとき、支持ピ
ン17の頂部からの洗浄液の流出も停止させ、吹き付け
るノズル56から乾燥用の気体が支持ピン17に向けて
吹き付けられ、支持ピン17の乾燥が行われる(図8
(f) で示す状態)。
【0068】以上の処理が終了した後は、基板Gがスピ
ンチャック1から取り外され、搬送アーム機構74aに
よって現像装置88から搬出される(図8(g) で示す状
態)。 以下、次の基板Gが搬送アーム機構74aによ
って現像装置88に搬入され、上記手順が繰り返され
る。
ンチャック1から取り外され、搬送アーム機構74aに
よって現像装置88から搬出される(図8(g) で示す状
態)。 以下、次の基板Gが搬送アーム機構74aによ
って現像装置88に搬入され、上記手順が繰り返され
る。
【0069】本発明の好適な実施形態について説明して
きたが、本発明は上記の実施形態により何ら限定される
ものではない。
きたが、本発明は上記の実施形態により何ら限定される
ものではない。
【0070】例えば、上記の説明では支持ピン17が現
像装置88の固定部(傾斜面15b)に固定され、スピ
ンチャック1を昇降シリンダ4で昇降させるものとして
説明したが、支持ピン17を昇降手段により昇降自在に
し、スピンチャック1を固定(但し、回転は自在)とす
ることも可能である。
像装置88の固定部(傾斜面15b)に固定され、スピ
ンチャック1を昇降シリンダ4で昇降させるものとして
説明したが、支持ピン17を昇降手段により昇降自在に
し、スピンチャック1を固定(但し、回転は自在)とす
ることも可能である。
【0071】また、本発明は現像装置に限らず、例えば
レジスト塗布装置や洗浄装置にも適用可能である。例え
ば洗浄装置においては、洗浄ブラシで被処理基板を洗浄
する際に被処理基板の表面を水平に維持する支持手段を
用いることができる。
レジスト塗布装置や洗浄装置にも適用可能である。例え
ば洗浄装置においては、洗浄ブラシで被処理基板を洗浄
する際に被処理基板の表面を水平に維持する支持手段を
用いることができる。
【0072】さらに、被処理基板は上記のLCD基板に
限るものでなく、半導体ウエハ、ガラス基板、CD基
板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等で
も可能である。
限るものでなく、半導体ウエハ、ガラス基板、CD基
板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等で
も可能である。
【0073】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、以下のような効果を奏する。
で、以下のような効果を奏する。
【0074】 請求項1に記載の処理装置によれば、
支持手段が保持手段に保持された被処理基板の張り出し
部分を支持するので、被処理基板の張り出し部分の撓み
を規制して被処理基板を水平に維持し、均一な処理液の
塗布が可能になる。
支持手段が保持手段に保持された被処理基板の張り出し
部分を支持するので、被処理基板の張り出し部分の撓み
を規制して被処理基板を水平に維持し、均一な処理液の
塗布が可能になる。
【0075】 請求項2に記載の処理装置によれば、
現像液の振り切り回転時に支持手段を洗浄液で洗浄する
ことにより、支持手段に現像液が付着することがなく、
被処理基板への現像液の付着を防止できる。
現像液の振り切り回転時に支持手段を洗浄液で洗浄する
ことにより、支持手段に現像液が付着することがなく、
被処理基板への現像液の付着を防止できる。
【0076】 請求項3に記載の処理装置によれば、
乾燥手段を設けたものは、支持手段の洗浄後に支持手段
を乾燥させて洗浄液の被処理基板への付着を防止するこ
とができる。
乾燥手段を設けたものは、支持手段の洗浄後に支持手段
を乾燥させて洗浄液の被処理基板への付着を防止するこ
とができる。
【0077】 請求項4に記載の処理装置によれば、
被処理基板の表面への後処理液の供給と同時に裏面に洗
浄液を供給することにより、被処理基板の裏面に現像液
が付着しないようにすることができる。
被処理基板の表面への後処理液の供給と同時に裏面に洗
浄液を供給することにより、被処理基板の裏面に現像液
が付着しないようにすることができる。
【0078】 請求項5に記載の処理方法によれば、
保持手段に保持された被処理基板の張り出し部分を支持
して被処理基板を水平に維持するので、均一な処理液の
塗布が可能になる。
保持手段に保持された被処理基板の張り出し部分を支持
して被処理基板を水平に維持するので、均一な処理液の
塗布が可能になる。
【0079】 請求項6に記載の処理方法によれば、
洗浄液が被処理基板の裏面を洗浄して被処理基板の裏面
に現像液が付着しないようにすることができる。
洗浄液が被処理基板の裏面を洗浄して被処理基板の裏面
に現像液が付着しないようにすることができる。
【0080】 請求項7に記載の処理方法によれば、
支持手段に現像液が付着することがなく、被処理基板へ
の現像液の付着を防止できる。
支持手段に現像液が付着することがなく、被処理基板へ
の現像液の付着を防止できる。
【0081】 請求項8に記載の処理方法によれば、
支持手段の洗浄後に支持手段を乾燥させて洗浄液の被処
理基板への付着を防止することができる。
支持手段の洗浄後に支持手段を乾燥させて洗浄液の被処
理基板への付着を防止することができる。
【図1】本発明の処理装置が適用される塗布・現像シス
テムの全体構成図である。
テムの全体構成図である。
【図2】本発明の処理装置の一実施形態にかかり、その
断面図である。
断面図である。
【図3】処理液供給手段と、処理液供給手段の移動機構
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図4】支持ピンの配置例を示す平面図である。
【図5】支持ピンの洗浄手段の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図6】支持ピンの乾燥手段の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図7】基板の裏面を洗浄する洗浄手段の一例を示す説
明図である。
明図である。
【図8】本発明の処理方法の手順を示す説明図である。
【図9】本発明が解決しようとする従来の処理装置の問
題点を説明する図である。
題点を説明する図である。
G LCD基板(被処理基板) 1 スピンチャック(保持手段) 2 駆動モータ(回転手段) 4 昇降シリンダ(昇降手段) 10 処理室 17 支持ピン(支持手段) 20 現像液供給ノズル(処理液供給手段) 30 後処理液供給ノズル(後処理液供給手段) 50 支持ピンの洗浄手段 51 洗浄液流通孔 52 洗浄液供給管 53 洗浄液供給源 54a 切換弁 54b 流量調整弁 55 支持ピンの乾燥手段 56 不活性ガスの噴射ノズル 57 不活性ガスの供給源 57 切換弁 59 不活性ガスの供給管 60 洗浄液供給手段 61 洗浄液噴射ノズル 62 洗浄液の供給源 63 切換弁 64 洗浄液の供給管
Claims (8)
- 【請求項1】 被処理基板を回転可能に保持する保持手
段と、 前記保持手段から張り出す前記被処理基板の張り出し部
分を支持して前記被処理基板の表面を水平に維持する支
持手段と、 前記保持手段により保持され、かつ前記支持手段により
支持された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液
供給手段と、 前記保持手段により保持された被処理基板を前記支持手
段に対して相対的に昇降させる昇降手段と、 前記支持手段から相対的に上昇された前記被処理基板を
回転させる回転手段とを具備することを特徴とする処理
装置。 - 【請求項2】 前記支持手段の支持部先端に洗浄液を流
出する洗浄液流出部を設けたことを特徴とする請求項1
記載の処理装置。 - 【請求項3】 前記支持手段の支持部先端に向けて乾燥
用の気体を吹き付ける乾燥手段を設けたことを特徴とす
る請求項1または請求項2記載の処理装置。 - 【請求項4】 前記被処理基板の表面に後処理液を供給
すると同時に、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給す
る手段を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項3
のいずれか1項に記載の処理装置。 - 【請求項5】(a)被処理基板を保持手段により保持す
ると共に、前記保持手段から張り出す前記被処理基板の
張り出し部分を支持手段により支持して前記被処理基板
の表面を水平に維持した状態で、前記被処理基板の表面
に処理液を塗布する工程と、(b)前記保持手段により
保持された被処理基板を前記支持手段に対して相対的に
上昇させる工程と、(c)前記(b)工程の後に、前記
保持部材を回転させて前記被処理基板を振り切り乾燥す
る工程とを具備することを特徴とする処理方法。 - 【請求項6】 前記(c)工程の後に、前記被処理基板
の表面に後処理液を供給すると共に、前記被処理基板の
裏面に洗浄液を供給する工程をさらに具備することを特
徴とする請求項5記載の処理方法。 - 【請求項7】 前記(c)工程の最中に、前記支持手段
の支持先端部より洗浄液を流出することを特徴とする請
求項6記載の処理方法。 - 【請求項8】 前記支持手段の支持先端部より洗浄液を
流出した後に、前記支持先端部に乾燥用の気体を吹き付
けることを特徴とする請求項7記載の処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35099496A JP3152885B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 処理装置および処理方法 |
TW086119008A TW357389B (en) | 1996-12-27 | 1997-12-16 | Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed |
US08/993,021 US5945161A (en) | 1996-12-27 | 1997-12-18 | Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed |
SG1997004576A SG63789A1 (en) | 1996-12-27 | 1997-12-19 | Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed |
KR1019970074965A KR100558026B1 (ko) | 1996-12-27 | 1997-12-27 | 처리장치 및 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35099496A JP3152885B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 処理装置および処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10192769A true JPH10192769A (ja) | 1998-07-28 |
JP3152885B2 JP3152885B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=18414321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35099496A Expired - Fee Related JP3152885B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 処理装置および処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3152885B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000023376A (ko) * | 1998-09-24 | 2000-04-25 | 히가시 데쓰로 | 회전컵 및 도포장치 및 도포방법 |
JP2013192980A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 塗布装置および塗布方法 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35099496A patent/JP3152885B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20000023376A (ko) * | 1998-09-24 | 2000-04-25 | 히가시 데쓰로 | 회전컵 및 도포장치 및 도포방법 |
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---|---|
JP3152885B2 (ja) | 2001-04-03 |
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