JPH10185846A - Ｘ線分析装置およびｘ線照射角設定方法 - Google Patents
Ｘ線分析装置およびｘ線照射角設定方法Info
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- JPH10185846A JPH10185846A JP9117228A JP11722897A JPH10185846A JP H10185846 A JPH10185846 A JP H10185846A JP 9117228 A JP9117228 A JP 9117228A JP 11722897 A JP11722897 A JP 11722897A JP H10185846 A JPH10185846 A JP H10185846A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被検物に対するＸ線照射角度を迅速かつ高精
度に設定できるＸ線分析装置およびＸ線照射角設定方法
を提供する。 【解決手段】 Ｘ線分析装置は、Ｘ線管１と、Ｘ線を単
色化する分光結晶２と、スリット３ａと、半導体ウエハ
などの被検物２０を支持する移動テーブル４と、Ｘ線ビ
ームＢ２のＸ線強度を検出する検出器１１と、移動テー
ブル４の３次元位置および角度を設定するテーブル制御
部５と、被検物２０からの散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線を検
出する検出器６などで構成される。スリット３ｂが被検
物２０と検出器１１との間に上下移動可能に設けられ、
検出器１１に入射するＸ線ビームＢ２の通過位置を規定
する。
度に設定できるＸ線分析装置およびＸ線照射角設定方法
を提供する。 【解決手段】 Ｘ線分析装置は、Ｘ線管１と、Ｘ線を単
色化する分光結晶２と、スリット３ａと、半導体ウエハ
などの被検物２０を支持する移動テーブル４と、Ｘ線ビ
ームＢ２のＸ線強度を検出する検出器１１と、移動テー
ブル４の３次元位置および角度を設定するテーブル制御
部５と、被検物２０からの散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線を検
出する検出器６などで構成される。スリット３ｂが被検
物２０と検出器１１との間に上下移動可能に設けられ、
検出器１１に入射するＸ線ビームＢ２の通過位置を規定
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体ウ
エハなどの被検物に励起Ｘ線を照射して、被検物から発
生する蛍光Ｘ線をエネルギー分散方式（ＥＤＸ，Energy
Dispersive X−ray spectrometer）などで分析した
り、Ｘ線反射率分析によって被検物の表面粗さ測定、表
面の膜厚測定、表面の密度測定などを行うＸ線分析装
置、および被検物に対するＸ線の照射角を設定するＸ線
照射角設定方法に関する。
エハなどの被検物に励起Ｘ線を照射して、被検物から発
生する蛍光Ｘ線をエネルギー分散方式（ＥＤＸ，Energy
Dispersive X−ray spectrometer）などで分析した
り、Ｘ線反射率分析によって被検物の表面粗さ測定、表
面の膜厚測定、表面の密度測定などを行うＸ線分析装
置、および被検物に対するＸ線の照射角を設定するＸ線
照射角設定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、たとえば光学的に平滑な平面を有
する半導体ウエハなどの被検物に、低い入射角度でＸ線
を照射することによって、被検物の表面に付着した試料
からの蛍光Ｘ線を検出する全反射蛍光Ｘ線分析装置（To
tal Reflection X−rayFluorescence）が知られてお
り、励起Ｘ線を被検物表面上で全反射させることによっ
て、被検物の表面近傍のみの情報を高Ｓ／Ｎ比で得るこ
とができる。
する半導体ウエハなどの被検物に、低い入射角度でＸ線
を照射することによって、被検物の表面に付着した試料
からの蛍光Ｘ線を検出する全反射蛍光Ｘ線分析装置（To
tal Reflection X−rayFluorescence）が知られてお
り、励起Ｘ線を被検物表面上で全反射させることによっ
て、被検物の表面近傍のみの情報を高Ｓ／Ｎ比で得るこ
とができる。
【０００３】さらに、Ｘ線発生源の対陰極から発生する
特性Ｘ線を、分光結晶とスリットなどから成る分光手段
によって単一の特性Ｘ線を分離してから、被検物に照射
するモノクロ全反射蛍光Ｘ線分析装置（特願平１−２７
２１２４号）が提案されており、励起Ｘ線の単色化によ
ってバックグランドノイズが低減されて微量元素の検出
限界が向上するため、特にＩＣ用の半導体ウエハ上の微
量金属汚染検出の分野で急速に普及している。
特性Ｘ線を、分光結晶とスリットなどから成る分光手段
によって単一の特性Ｘ線を分離してから、被検物に照射
するモノクロ全反射蛍光Ｘ線分析装置（特願平１−２７
２１２４号）が提案されており、励起Ｘ線の単色化によ
ってバックグランドノイズが低減されて微量元素の検出
限界が向上するため、特にＩＣ用の半導体ウエハ上の微
量金属汚染検出の分野で急速に普及している。
【０００４】図９は、従来の蛍光Ｘ線分析装置の一例を
示す構成図である。この蛍光Ｘ線分析装置は、Ｘ線ビー
ムＢ１を発生するためのＸ線管７１と、Ｘ線ビームＢ１
の中から単一の特性Ｘ線から成るＸ線ビームＢ２を分離
するための分光結晶７２と、他の特性Ｘ線を遮るための
コリメータ７３ａと、半導体ウエハなどの被検物７０を
支持するための移動テーブル７４と、Ｘ線ビームＢ２以
外の散乱Ｘ線を遮るためのコリメータ７３ｂと、Ｘ線ビ
ームＢ２のＸ線強度を計測するためのＸ線カウンタ８１
と、移動テーブル７４の３次元位置およびＸ線ビームＢ
２に対する角度を設定するためのテーブル制御部７５
と、被検物７０から発生する蛍光Ｘ線Ｂ３を検出するた
めの検出器７６と、検出器７６から出力される電荷パル
スの時間積分値を波高に持つ階段状の電圧パルスに変換
する前置増幅器７７と、前置増幅器７７から出力される
電圧パルスの立上がり幅に比例した波高を有するパルス
に波形整形するための比例増幅器７８と、比例増幅器７
８から出力される各波高値の計数率を測定する波高分析
器７９と、波高分析器７９やＸ線カウンタ８１で測定さ
れたデータを処理したり、テーブル制御部７５へ指令を
出すためのデータ処理器８０などで構成されている。Ｘ
線ビームＢ２は、被検物７０の表面に対して全反射する
角度、たとえば０．０６度程度の角度で入射することに
よって、被検物７０の表面近傍に関する情報、たとえば
微量付着物の成分情報を得ることができる。
示す構成図である。この蛍光Ｘ線分析装置は、Ｘ線ビー
ムＢ１を発生するためのＸ線管７１と、Ｘ線ビームＢ１
の中から単一の特性Ｘ線から成るＸ線ビームＢ２を分離
するための分光結晶７２と、他の特性Ｘ線を遮るための
コリメータ７３ａと、半導体ウエハなどの被検物７０を
支持するための移動テーブル７４と、Ｘ線ビームＢ２以
外の散乱Ｘ線を遮るためのコリメータ７３ｂと、Ｘ線ビ
ームＢ２のＸ線強度を計測するためのＸ線カウンタ８１
と、移動テーブル７４の３次元位置およびＸ線ビームＢ
２に対する角度を設定するためのテーブル制御部７５
と、被検物７０から発生する蛍光Ｘ線Ｂ３を検出するた
めの検出器７６と、検出器７６から出力される電荷パル
スの時間積分値を波高に持つ階段状の電圧パルスに変換
する前置増幅器７７と、前置増幅器７７から出力される
電圧パルスの立上がり幅に比例した波高を有するパルス
に波形整形するための比例増幅器７８と、比例増幅器７
８から出力される各波高値の計数率を測定する波高分析
器７９と、波高分析器７９やＸ線カウンタ８１で測定さ
れたデータを処理したり、テーブル制御部７５へ指令を
出すためのデータ処理器８０などで構成されている。Ｘ
線ビームＢ２は、被検物７０の表面に対して全反射する
角度、たとえば０．０６度程度の角度で入射することに
よって、被検物７０の表面近傍に関する情報、たとえば
微量付着物の成分情報を得ることができる。
【０００５】図９の蛍光Ｘ線分析装置において、被検物
７０に対するエネルギー線の照射角設定方法が、特願平
２−４００２３１号等で提案されている。
７０に対するエネルギー線の照射角設定方法が、特願平
２−４００２３１号等で提案されている。
【０００６】図１０は、図９の装置における照射角設定
方法を示す工程図である。先ず図１０（ａ）において、
Ｘ線管７１またはＸ線管７１と分光結晶７２などから成
るＸ線源８２から出射されたＸ線ビームＢ２が、Ｘ線カ
ウンタ８１に直接入射することによって、Ｘ線ビームＢ
２のＸ線強度を計測して、この初期強度値をデータ処理
器８０内のメモリ等に記憶する。このとき、被検物７０
はＸ線ビームＢ２を遮らない位置に設定され、さらにＸ
線源８２に向けて僅かに傾けておく。
方法を示す工程図である。先ず図１０（ａ）において、
Ｘ線管７１またはＸ線管７１と分光結晶７２などから成
るＸ線源８２から出射されたＸ線ビームＢ２が、Ｘ線カ
ウンタ８１に直接入射することによって、Ｘ線ビームＢ
２のＸ線強度を計測して、この初期強度値をデータ処理
器８０内のメモリ等に記憶する。このとき、被検物７０
はＸ線ビームＢ２を遮らない位置に設定され、さらにＸ
線源８２に向けて僅かに傾けておく。
【０００７】次に図１０（ｂ）において、データ処理器
８０からの指令に基づきテーブル制御部７５が移動テー
ブル７４を駆動して、被検物７０を徐々に上昇させなが
ら、Ｘ線カウンタ８１によってＸ線強度を計測する。被
検物７０がＸ線ビームＢ２を少しずつ遮って、Ｘ線カウ
ンタ８１が出力するＸ線強度が基準値、たとえば初期強
度値の半分に達した時点で、被検物７０の上昇を停止す
る。
８０からの指令に基づきテーブル制御部７５が移動テー
ブル７４を駆動して、被検物７０を徐々に上昇させなが
ら、Ｘ線カウンタ８１によってＸ線強度を計測する。被
検物７０がＸ線ビームＢ２を少しずつ遮って、Ｘ線カウ
ンタ８１が出力するＸ線強度が基準値、たとえば初期強
度値の半分に達した時点で、被検物７０の上昇を停止す
る。
【０００８】次に図１０（ｃ）において、今度はデータ
処理器８０からの指令に基づき、被検物７０の傾きを水
平に近づく方向に徐々に角変位させながら、Ｘ線強度を
計測して、Ｘ線カウンタ８１が出力する強度値が極大に
達した時点で、被検物７０の角変位を停止する。このと
きのＸ線強度の極大値が基準値より大きければ、被検物
７０はＸ線ビームＢ２に対して平行でないと判断し、次
の図１０（ｄ）において、図１０（ｂ）と同様に、被検
物７０を徐々に上昇させてＸ線強度が基準値になるよう
に、被検物７０の垂直位置を制御する。
処理器８０からの指令に基づき、被検物７０の傾きを水
平に近づく方向に徐々に角変位させながら、Ｘ線強度を
計測して、Ｘ線カウンタ８１が出力する強度値が極大に
達した時点で、被検物７０の角変位を停止する。このと
きのＸ線強度の極大値が基準値より大きければ、被検物
７０はＸ線ビームＢ２に対して平行でないと判断し、次
の図１０（ｄ）において、図１０（ｂ）と同様に、被検
物７０を徐々に上昇させてＸ線強度が基準値になるよう
に、被検物７０の垂直位置を制御する。
【０００９】次に図１０（ｅ）において、図１０（ｃ）
と同様に、被検物７０を徐々に角変位させて、Ｘ線強度
が極大値になるように制御する。
と同様に、被検物７０を徐々に角変位させて、Ｘ線強度
が極大値になるように制御する。
【００１０】こうして被検物７０の上昇および角変位を
繰返して、上昇操作による基準値と角変位操作による極
大値とが等しくなった時点で、Ｘ線ビームＢ２の進行方
向と被検物７０の検査面とが平行に設定される。その
後、Ｘ線ビームＢ２に対する入射角度が所定の全反射角
度になるように、テーブル制御部７５が移動テーブル７
４を駆動して、被検物７０に対するＸ線ビームの照射角
度の設定を完了する。
繰返して、上昇操作による基準値と角変位操作による極
大値とが等しくなった時点で、Ｘ線ビームＢ２の進行方
向と被検物７０の検査面とが平行に設定される。その
後、Ｘ線ビームＢ２に対する入射角度が所定の全反射角
度になるように、テーブル制御部７５が移動テーブル７
４を駆動して、被検物７０に対するＸ線ビームの照射角
度の設定を完了する。
【００１１】このように、励起Ｘ線ビームそのものを調
整に用いるため、正確な位置および角度調整が可能にな
るため、仮にＸ線ビーム軸が経時的に変動しても、調整
によってその変動誤差を吸収することができる。また、
被検物７０の周縁部が自重によって湾曲して下がったと
しても、蛍光Ｘ線を発生する中心付近は正しく調整され
る。さらに、被検物としてパターン形成済みの半導体ウ
エハを計測する場合、半導体ウエハの最上面に対して所
望の入射角度を設定することが可能になる。
整に用いるため、正確な位置および角度調整が可能にな
るため、仮にＸ線ビーム軸が経時的に変動しても、調整
によってその変動誤差を吸収することができる。また、
被検物７０の周縁部が自重によって湾曲して下がったと
しても、蛍光Ｘ線を発生する中心付近は正しく調整され
る。さらに、被検物としてパターン形成済みの半導体ウ
エハを計測する場合、半導体ウエハの最上面に対して所
望の入射角度を設定することが可能になる。
【００１２】一方、こうした蛍光Ｘ線を用いた測定と別
に、Ｘ線を極低角度で照射し検査面で反射したＸ線の強
度を直接測定することによって、被検物の表面情報、た
とえば表面粗さ、膜厚、密度などを測定する手法も開発
されている。
に、Ｘ線を極低角度で照射し検査面で反射したＸ線の強
度を直接測定することによって、被検物の表面情報、た
とえば表面粗さ、膜厚、密度などを測定する手法も開発
されている。
【００１３】表面粗さ測定は、被検物の表面が荒くなる
ほどＸ線反射率が低下する性質を利用するものであり、
Ｘ線入射角を高精度で設定する必要がある。
ほどＸ線反射率が低下する性質を利用するものであり、
Ｘ線入射角を高精度で設定する必要がある。
【００１４】膜厚測定は、膜の表面で反射したＸ線と、
膜を通過して被検物表面で反射したＸ線との光路差によ
って生ずる干渉を利用して、Ｘ線入射角に応じて変化す
るＸ線反射率の周期を測定するものである。この測定に
おいてもＸ線入射角を高精度に設定する必要がある。
膜を通過して被検物表面で反射したＸ線との光路差によ
って生ずる干渉を利用して、Ｘ線入射角に応じて変化す
るＸ線反射率の周期を測定するものである。この測定に
おいてもＸ線入射角を高精度に設定する必要がある。
【００１５】密度測定は、被検物表面の臨界入射角を測
定することによって、表面の密度を特定するものであ
り、この測定においてもＸ線入射角を高精度に設定する
必要がある。
定することによって、表面の密度を特定するものであ
り、この測定においてもＸ線入射角を高精度に設定する
必要がある。
【００１６】このようなＸ線反射率測定では、Ｘ線の反
射方向にＸ線検出器を配置した装置構成となり、図９に
示す装置でも兼用することができる。
射方向にＸ線検出器を配置した装置構成となり、図９に
示す装置でも兼用することができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】図９の装置では、移動
テーブル７４の高さ調整と角度調整を交互に行いながら
Ｘ線カウンタ８１を用いてＸ線強度を計測しているた
め、計測に時間がかかるという課題がある。
テーブル７４の高さ調整と角度調整を交互に行いながら
Ｘ線カウンタ８１を用いてＸ線強度を計測しているた
め、計測に時間がかかるという課題がある。
【００１８】また、被検物７０の検査面が理想平面でな
く、反りや歪みによって変形している場合、実際の照射
点でのＸ線照射角度は移動テーブル７４の設定角度とず
れが生じ、変形誤差を含むことになる。特に、被検物７
０の表面粗さ測定や膜厚測定、密度測定等においては、
Ｘ線反射率の角度依存性が重要な測定項目であり、Ｘ線
照射角度に僅かでも誤差があると測定結果が大きく左右
される。
く、反りや歪みによって変形している場合、実際の照射
点でのＸ線照射角度は移動テーブル７４の設定角度とず
れが生じ、変形誤差を含むことになる。特に、被検物７
０の表面粗さ測定や膜厚測定、密度測定等においては、
Ｘ線反射率の角度依存性が重要な測定項目であり、Ｘ線
照射角度に僅かでも誤差があると測定結果が大きく左右
される。
【００１９】本発明の目的は、被検物に対するＸ線照射
角度を迅速かつ高精度に設定できるＸ線分析装置および
Ｘ線照射角設定方法を提供することである。
角度を迅速かつ高精度に設定できるＸ線分析装置および
Ｘ線照射角設定方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、被検物の検査
面に対して所定角度でＸ線ビームを照射するためのＸ線
ビーム照射手段と、検査面で反射したＸ線ビームの強度
を検出するための第１Ｘ線検出手段と、被検物とＸ線ビ
ーム検出手段との間に設けられ、Ｘ線ビーム検出手段に
入射するＸ線ビームの通過位置を規定するためのスリッ
トと、該スリットの位置を制御するためのスリット制御
手段と、被検物を支持し、検査面の３次元位置および前
記Ｘ線ビームに対する角度を制御する被検物支持手段
と、検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面からの散
乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２Ｘ線
検出手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置であ
る。
面に対して所定角度でＸ線ビームを照射するためのＸ線
ビーム照射手段と、検査面で反射したＸ線ビームの強度
を検出するための第１Ｘ線検出手段と、被検物とＸ線ビ
ーム検出手段との間に設けられ、Ｘ線ビーム検出手段に
入射するＸ線ビームの通過位置を規定するためのスリッ
トと、該スリットの位置を制御するためのスリット制御
手段と、被検物を支持し、検査面の３次元位置および前
記Ｘ線ビームに対する角度を制御する被検物支持手段
と、検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面からの散
乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２Ｘ線
検出手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置であ
る。
【００２１】本発明に従えば、入射Ｘ線ビームの位置お
よび方向が特定され、被検物での照射位置が特定される
と、所定のＸ線照射角度に設定した場合に反射Ｘ線ビー
ムの軸が一意的に決定されるという原理を利用するもの
であり、反射Ｘ線ビームが通過すべき位置にスリットを
精度良く位置決めしておいて、このスリットを通過する
Ｘ線の強度が最大になるように検査面の３次元位置およ
び角度を調整することによって、所望のＸ線照射角度に
設定することができる。この場合、被検物に反りなどの
変形があっても、検査面のＸ線照射位置での反射条件を
正しく設定できるため、被検物の変形誤差を排除でき
る。
よび方向が特定され、被検物での照射位置が特定される
と、所定のＸ線照射角度に設定した場合に反射Ｘ線ビー
ムの軸が一意的に決定されるという原理を利用するもの
であり、反射Ｘ線ビームが通過すべき位置にスリットを
精度良く位置決めしておいて、このスリットを通過する
Ｘ線の強度が最大になるように検査面の３次元位置およ
び角度を調整することによって、所望のＸ線照射角度に
設定することができる。この場合、被検物に反りなどの
変形があっても、検査面のＸ線照射位置での反射条件を
正しく設定できるため、被検物の変形誤差を排除でき
る。
【００２２】また、検査点のほぼ真上付近に設けられた
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
【００２３】また本発明は、被検物の検査面に対して所
定角度でＸ線ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手
段と、検査面上を直進したＸ線ビームの強度分布および
位置、ならびに検査面で反射したＸ線ビームの強度分布
および位置を検出するための第１Ｘ線検出手段と、被検
物を支持し、検査面の３次元位置および前記Ｘ線ビーム
に対する入射角度およびねじれ角を制御する被検物支持
手段と、検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面から
の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２
Ｘ線検出手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置
である。
定角度でＸ線ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手
段と、検査面上を直進したＸ線ビームの強度分布および
位置、ならびに検査面で反射したＸ線ビームの強度分布
および位置を検出するための第１Ｘ線検出手段と、被検
物を支持し、検査面の３次元位置および前記Ｘ線ビーム
に対する入射角度およびねじれ角を制御する被検物支持
手段と、検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面から
の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２
Ｘ線検出手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置
である。
【００２４】本発明に従えば、直進Ｘ線ビームおよび反
射Ｘ線ビームの各通過位置を検出することによって、Ｘ
線ビームに対する検査面の入射角度を特定できる。さら
に、直進Ｘ線ビームおよび反射Ｘ線ビームの各強度分布
を検出し相互に比較することによって、Ｘ線ビームに対
する検査面のねじれ角を特定できる。なお、ねじれ角と
は、直交座標系においてＸＹ面と平行にセットされた検
査面に対して入射Ｘ線ビームおよび反射Ｘ線ビームがＹ
Ｚ面内で進行する場合、検査面がＹ軸回りで若干傾斜し
て、反射Ｘ線ビームがＹＺ面から外れた状態になり、こ
のとき検査面のＹ軸回りの傾斜角で定義される。
射Ｘ線ビームの各通過位置を検出することによって、Ｘ
線ビームに対する検査面の入射角度を特定できる。さら
に、直進Ｘ線ビームおよび反射Ｘ線ビームの各強度分布
を検出し相互に比較することによって、Ｘ線ビームに対
する検査面のねじれ角を特定できる。なお、ねじれ角と
は、直交座標系においてＸＹ面と平行にセットされた検
査面に対して入射Ｘ線ビームおよび反射Ｘ線ビームがＹ
Ｚ面内で進行する場合、検査面がＹ軸回りで若干傾斜し
て、反射Ｘ線ビームがＹＺ面から外れた状態になり、こ
のとき検査面のＹ軸回りの傾斜角で定義される。
【００２５】こうして検査面の入射角度が所望の値にな
り、かつ検査面のねじれ角がゼロになるように、検査面
の３次元位置および角度を調整することによって、所望
のＸ線照射角度に設定することができる。この場合、被
検物に反りなどの変形があっても、検査面のＸ線照射位
置での反射条件を正しく設定できるため、被検物の変形
誤差を排除できる。
り、かつ検査面のねじれ角がゼロになるように、検査面
の３次元位置および角度を調整することによって、所望
のＸ線照射角度に設定することができる。この場合、被
検物に反りなどの変形があっても、検査面のＸ線照射位
置での反射条件を正しく設定できるため、被検物の変形
誤差を排除できる。
【００２６】また、検査点のほぼ真上付近に設けられた
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
【００２７】また本発明は、被検物の検査面に対して所
定角度でＸ線ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手
段と、検査面上を直進したＸ線ビームの通過位置を規定
する第１開口および検査面で反射したＸ線ビームの通過
位置を規定する第２開口が形成されたスリットと、第１
開口または第２開口を通過したＸ線ビームの強度を検出
するための第１Ｘ線検出手段と、被検物を支持し、検査
面の３次元位置および前記Ｘ線ビームに対する角度を制
御する被検物支持手段と、検査点のほぼ真上付近に設け
られ、検査面からの散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検
出するための第２Ｘ線検出手段とを備えることを特徴と
するＸ線分析装置である。
定角度でＸ線ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手
段と、検査面上を直進したＸ線ビームの通過位置を規定
する第１開口および検査面で反射したＸ線ビームの通過
位置を規定する第２開口が形成されたスリットと、第１
開口または第２開口を通過したＸ線ビームの強度を検出
するための第１Ｘ線検出手段と、被検物を支持し、検査
面の３次元位置および前記Ｘ線ビームに対する角度を制
御する被検物支持手段と、検査点のほぼ真上付近に設け
られ、検査面からの散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検
出するための第２Ｘ線検出手段とを備えることを特徴と
するＸ線分析装置である。
【００２８】本発明に従えば、スリットの第１開口およ
び第２開口の位置ならびに検査点からスリットまでの距
離を所望のＸ線照射条件に適合するように予め設定して
おいて、第１Ｘ線検出手段の検出信号に基づいて、直進
Ｘ線ビームが第１開口を通過することを確認し、さらに
検査面の位置および角度の調整の際に反射Ｘ線ビームが
第２開口を通過することを確認することによって、Ｘ線
ビームが検査面に対して適正な角度および位置で入射し
ているか否かを迅速に判断できる。
び第２開口の位置ならびに検査点からスリットまでの距
離を所望のＸ線照射条件に適合するように予め設定して
おいて、第１Ｘ線検出手段の検出信号に基づいて、直進
Ｘ線ビームが第１開口を通過することを確認し、さらに
検査面の位置および角度の調整の際に反射Ｘ線ビームが
第２開口を通過することを確認することによって、Ｘ線
ビームが検査面に対して適正な角度および位置で入射し
ているか否かを迅速に判断できる。
【００２９】この場合、被検物に反りなどの変形があっ
ても、第１開口および第２開口を通過したＸ線強度を監
視するだけで検査面のＸ線照射条件を正しく設定できる
ため、被検物の変形誤差を解消する調整作業を簡単に行
うことができる。
ても、第１開口および第２開口を通過したＸ線強度を監
視するだけで検査面のＸ線照射条件を正しく設定できる
ため、被検物の変形誤差を解消する調整作業を簡単に行
うことができる。
【００３０】また、検査点のほぼ真上付近に設けられた
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
【００３１】また本発明は、被検物の検査面に対するＸ
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、検査面で反射するＸ線ビームの通過位置を規定する
ためのスリットを配置し、検査点からスリットまでの水
平距離をＬとし、測定時の照射角度をφとして、スリッ
トの高さＨをＬ×ｔａｎ２φに設定する工程と、検査面
で反射したＸ線ビームが前記スリットを通過するよう
に、被検物の角度を反射平面内で調整する工程とを含む
ことを特徴とするＸ線照射角設定方法である。
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、検査面で反射するＸ線ビームの通過位置を規定する
ためのスリットを配置し、検査点からスリットまでの水
平距離をＬとし、測定時の照射角度をφとして、スリッ
トの高さＨをＬ×ｔａｎ２φに設定する工程と、検査面
で反射したＸ線ビームが前記スリットを通過するよう
に、被検物の角度を反射平面内で調整する工程とを含む
ことを特徴とするＸ線照射角設定方法である。
【００３２】本発明に従えば、検査点からスリットまで
の水平距離Ｌおよび測定時の照射角度φに基づいて反射
Ｘ線の光軸を特定し、その光軸と一致するようにスリッ
トの高さＨを設定した後、検査面で反射したＸ線ビーム
がスリットを通過するように、被検物の角度を反射平面
内で調整することによって、所望のＸ線照射角度に設定
することができる。なお、照射角度φが小さい場合は、
ｔａｎ２φ≒２φで近似しても構わない。
の水平距離Ｌおよび測定時の照射角度φに基づいて反射
Ｘ線の光軸を特定し、その光軸と一致するようにスリッ
トの高さＨを設定した後、検査面で反射したＸ線ビーム
がスリットを通過するように、被検物の角度を反射平面
内で調整することによって、所望のＸ線照射角度に設定
することができる。なお、照射角度φが小さい場合は、
ｔａｎ２φ≒２φで近似しても構わない。
【００３３】この場合、被検物に反りなどの変形があっ
ても、検査面のＸ線照射位置での反射条件を正しく設定
でき、変形誤差を排除できる。
ても、検査面のＸ線照射位置での反射条件を正しく設定
でき、変形誤差を排除できる。
【００３４】また本発明は、被検物の検査面に対するＸ
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、被検物をＸ線ビームの進行方向に対して略垂直方向
に移動させながら、被検物が遮るＸ線ビームの強度変化
を検出して、被検物の高さを設定する工程と、入射Ｘ線
ビームに対する被検物の角度を反射平面内で調整し、所
定の照射角度に設定する工程と、検査面で反射するＸ線
ビームの通過位置を規定するためのスリットを配置し、
検査点からスリットまでの水平距離をＬとし、測定時の
照射角度をφとして、スリットの高さＨをＬ×ｔａｎ２
φに設定する工程と、検査点のほぼ真上付近に、検査面
からの散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検出するＸ線検
出手段を配置し、Ｘ線検出手段からの信号が最大となる
ように被検物の高さを調整する工程と、検査面で反射し
たＸ線ビームが前記スリットを通過するように、被検物
の角度を反射平面内で調整する工程とを含むことを特徴
とするＸ線照射角設定方法である。
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、被検物をＸ線ビームの進行方向に対して略垂直方向
に移動させながら、被検物が遮るＸ線ビームの強度変化
を検出して、被検物の高さを設定する工程と、入射Ｘ線
ビームに対する被検物の角度を反射平面内で調整し、所
定の照射角度に設定する工程と、検査面で反射するＸ線
ビームの通過位置を規定するためのスリットを配置し、
検査点からスリットまでの水平距離をＬとし、測定時の
照射角度をφとして、スリットの高さＨをＬ×ｔａｎ２
φに設定する工程と、検査点のほぼ真上付近に、検査面
からの散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線の強度を検出するＸ線検
出手段を配置し、Ｘ線検出手段からの信号が最大となる
ように被検物の高さを調整する工程と、検査面で反射し
たＸ線ビームが前記スリットを通過するように、被検物
の角度を反射平面内で調整する工程とを含むことを特徴
とするＸ線照射角設定方法である。
【００３５】本発明に従えば、被検物をＸ線ビームの進
行方向に対して略垂直方向に移動させながら、被検物が
遮るＸ線ビームの強度変化を検出することによって被検
物の高さを設定でき、次に被検物の角度を調整してＸ線
照射角度を調整する。この段階で被検物の検査面が理想
平面であれば、照射角度設定が終了する。
行方向に対して略垂直方向に移動させながら、被検物が
遮るＸ線ビームの強度変化を検出することによって被検
物の高さを設定でき、次に被検物の角度を調整してＸ線
照射角度を調整する。この段階で被検物の検査面が理想
平面であれば、照射角度設定が終了する。
【００３６】一方、被検物に反り変形があると、その分
だけＸ線照射角度も照射位置も所望の測定条件から外れ
ることになる。その対策として、検査点からスリットま
での水平距離Ｌおよび測定時の照射角度φに基づいて反
射Ｘ線光軸を特定し、その光軸と一致するようにスリッ
トの高さＨを設定した後、検査点のほぼ真上付近に配置
されたＸ線検出手段からの信号を監視しながら、被検物
の高さを調整することによって、被検物での照射位置が
前後に移動して、該照射位置を検査点に一致させること
ができる。次に、検査面で反射したＸ線ビームがスリッ
トを通過するように、被検物の角度を反射平面内で調整
することによって、所望のＸ線照射角度に設定すること
ができる。なお、照射角度φが小さい場合は、ｔａｎ２
φ≒２φで近似しても構わない。
だけＸ線照射角度も照射位置も所望の測定条件から外れ
ることになる。その対策として、検査点からスリットま
での水平距離Ｌおよび測定時の照射角度φに基づいて反
射Ｘ線光軸を特定し、その光軸と一致するようにスリッ
トの高さＨを設定した後、検査点のほぼ真上付近に配置
されたＸ線検出手段からの信号を監視しながら、被検物
の高さを調整することによって、被検物での照射位置が
前後に移動して、該照射位置を検査点に一致させること
ができる。次に、検査面で反射したＸ線ビームがスリッ
トを通過するように、被検物の角度を反射平面内で調整
することによって、所望のＸ線照射角度に設定すること
ができる。なお、照射角度φが小さい場合は、ｔａｎ２
φ≒２φで近似しても構わない。
【００３７】さらに、こうした調整によってＸ線照射位
置のずれが残る場合には、被検物の高さ調整および角度
調整を何回か繰り返すことによって収束させる。
置のずれが残る場合には、被検物の高さ調整および角度
調整を何回か繰り返すことによって収束させる。
【００３８】こうして被検物に反りなどの変形があって
も、検査面のＸ線照射位置での反射条件を正しく設定で
き、変形誤差を排除できる。
も、検査面のＸ線照射位置での反射条件を正しく設定で
き、変形誤差を排除できる。
【００３９】また本発明は、被検物の検査面に対するＸ
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、検査面上を直進したＸ線ビームの強度分布および位
置を検出する工程と、入射Ｘ線ビームに対する被検物の
角度を反射平面内で調整し、所定の入射角度に設定する
工程と、検査面で反射したＸ線ビームの強度分布および
位置を検出する工程と、反射Ｘ線ビームの強度分布が直
進Ｘ線ビームの強度分布と一致するように、入射Ｘ線ビ
ームに対する被検物のねじれ角を調整する工程とを含む
ことを特徴とするＸ線照射角設定方法である。
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、検査面上を直進したＸ線ビームの強度分布および位
置を検出する工程と、入射Ｘ線ビームに対する被検物の
角度を反射平面内で調整し、所定の入射角度に設定する
工程と、検査面で反射したＸ線ビームの強度分布および
位置を検出する工程と、反射Ｘ線ビームの強度分布が直
進Ｘ線ビームの強度分布と一致するように、入射Ｘ線ビ
ームに対する被検物のねじれ角を調整する工程とを含む
ことを特徴とするＸ線照射角設定方法である。
【００４０】本発明に従えば、直進Ｘ線ビームおよび反
射Ｘ線ビームの各通過位置を検出することによって、Ｘ
線ビームに対する検査面の入射角度を特定できる。さら
に、直進Ｘ線ビームおよび反射Ｘ線ビームの各強度分布
を検出し相互に比較することによって、Ｘ線ビームに対
する検査面のねじれ角を特定できる。
射Ｘ線ビームの各通過位置を検出することによって、Ｘ
線ビームに対する検査面の入射角度を特定できる。さら
に、直進Ｘ線ビームおよび反射Ｘ線ビームの各強度分布
を検出し相互に比較することによって、Ｘ線ビームに対
する検査面のねじれ角を特定できる。
【００４１】こうして検査面の入射角度が所望の値にな
り、かつ検査面のねじれ角がゼロになるように、検査面
の３次元位置および角度を調整することによって、所望
のＸ線照射角度に設定することができる。この場合、被
検物に反りなどの変形があっても、検査面のＸ線照射位
置での反射条件を正しく設定できるため、被検物の変形
誤差を排除できる。
り、かつ検査面のねじれ角がゼロになるように、検査面
の３次元位置および角度を調整することによって、所望
のＸ線照射角度に設定することができる。この場合、被
検物に反りなどの変形があっても、検査面のＸ線照射位
置での反射条件を正しく設定できるため、被検物の変形
誤差を排除できる。
【００４２】また、検査点のほぼ真上付近に設けられた
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
第２Ｘ線検出手段からの信号を監視することによって、
被検物のＸ線照射位置を精度良く設定することができ
る。
【００４３】また本発明は、被検物の検査面に対するＸ
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、検査面上を直進したＸ線ビームの通過位置を規定す
る第１開口および検査面で反射したＸ線ビームの通過位
置を規定する第２開口が形成されたスリットを配置し、
検査点からスリットまでの水平距離をＬとし、測定時の
入射角度をφとして、第２開口の高さＨをＬ×ｔａｎ２
φに設定する工程と、検査面で反射したＸ線ビームが第
２開口を通過するように、被検物の入射角度を反射平面
内で調整する工程とを含むことを特徴とするＸ線照射角
設定方法である。
線ビームの照射角を設定するＸ線照射角設定方法におい
て、検査面上を直進したＸ線ビームの通過位置を規定す
る第１開口および検査面で反射したＸ線ビームの通過位
置を規定する第２開口が形成されたスリットを配置し、
検査点からスリットまでの水平距離をＬとし、測定時の
入射角度をφとして、第２開口の高さＨをＬ×ｔａｎ２
φに設定する工程と、検査面で反射したＸ線ビームが第
２開口を通過するように、被検物の入射角度を反射平面
内で調整する工程とを含むことを特徴とするＸ線照射角
設定方法である。
【００４４】本発明に従えば、スリットの第１開口およ
び第２開口の位置ならびに検査点からスリットまでの距
離を所望のＸ線照射条件Ｈ＝Ｌ×ｔａｎ２φに適合する
ように予め設定しておいて、直進Ｘ線ビームが第１開口
を通過することを確認した上で、反射Ｘ線ビームが第２
開口を通過するように検査面の位置調整および角度調整
を行うことによって、Ｘ線ビームが検査面に対して適正
な角度および位置で入射しているか否かを迅速に設定で
きる。なお、照射角度φが小さい場合は、ｔａｎ２φ≒
２φで近似しても構わない。
び第２開口の位置ならびに検査点からスリットまでの距
離を所望のＸ線照射条件Ｈ＝Ｌ×ｔａｎ２φに適合する
ように予め設定しておいて、直進Ｘ線ビームが第１開口
を通過することを確認した上で、反射Ｘ線ビームが第２
開口を通過するように検査面の位置調整および角度調整
を行うことによって、Ｘ線ビームが検査面に対して適正
な角度および位置で入射しているか否かを迅速に設定で
きる。なお、照射角度φが小さい場合は、ｔａｎ２φ≒
２φで近似しても構わない。
【００４５】この場合、被検物に反りなどの変形があっ
ても、検査面のＸ線照射位置での反射条件を正しく設定
でき、変形誤差を排除できる。
ても、検査面のＸ線照射位置での反射条件を正しく設定
でき、変形誤差を排除できる。
【００４６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態を
示す構成図である。Ｘ線分析装置は、Ｘ線ビームＢ１を
発生するためのＸ線管１と、Ｘ線ビームＢ１の中から単
一の特性Ｘ線から成るＸ線ビームＢ２を分離するための
分光結晶２と、他の特性Ｘ線を遮るためのスリット３ａ
と、半導体ウエハなどの被検物２０を支持するための移
動テーブル４と、Ｘ線ビームＢ２のＸ線強度を検出する
検出器１１と、移動テーブル４の３次元位置およびＸ線
ビームＢ２に対する角度を設定するためのテーブル制御
部５と、被検物２０から発生する蛍光Ｘ線Ｂ３を検出す
る検出器６などで構成される。検出器６には、受光角度
を規定する絞り３ｃが配置される。
示す構成図である。Ｘ線分析装置は、Ｘ線ビームＢ１を
発生するためのＸ線管１と、Ｘ線ビームＢ１の中から単
一の特性Ｘ線から成るＸ線ビームＢ２を分離するための
分光結晶２と、他の特性Ｘ線を遮るためのスリット３ａ
と、半導体ウエハなどの被検物２０を支持するための移
動テーブル４と、Ｘ線ビームＢ２のＸ線強度を検出する
検出器１１と、移動テーブル４の３次元位置およびＸ線
ビームＢ２に対する角度を設定するためのテーブル制御
部５と、被検物２０から発生する蛍光Ｘ線Ｂ３を検出す
る検出器６などで構成される。検出器６には、受光角度
を規定する絞り３ｃが配置される。
【００４７】さらに、スリット３ｂが被検物２０と検出
器１１との間に設けられ、検出器１１に入射するＸ線ビ
ームＢ２の通過位置を規定する。このスリット３ｂは上
下移動可能であり、データ処理部１０からの指令によっ
てスリット制御部１２がスリット３ｂの位置を調整す
る。また、スリット３ｂは、検査点を中心とした円弧上
を円運動するように移動しても構わない。
器１１との間に設けられ、検出器１１に入射するＸ線ビ
ームＢ２の通過位置を規定する。このスリット３ｂは上
下移動可能であり、データ処理部１０からの指令によっ
てスリット制御部１２がスリット３ｂの位置を調整す
る。また、スリット３ｂは、検査点を中心とした円弧上
を円運動するように移動しても構わない。
【００４８】次に信号処理系に関して、検出器６からの
信号を増幅する前置増幅器７と、前置増幅器７から出力
される電荷パルスの立上がり幅に比例した波高を有する
パルスに波形整形するための比例増幅器８と、比例増幅
器８から出力される各波高値の計数率を測定する波高分
析器９と、波高分析器９や検出器１１で測定されたデー
タを処理したり、テーブル制御部５へ指令を出すための
データ処理器１０などが設けられる。
信号を増幅する前置増幅器７と、前置増幅器７から出力
される電荷パルスの立上がり幅に比例した波高を有する
パルスに波形整形するための比例増幅器８と、比例増幅
器８から出力される各波高値の計数率を測定する波高分
析器９と、波高分析器９や検出器１１で測定されたデー
タを処理したり、テーブル制御部５へ指令を出すための
データ処理器１０などが設けられる。
【００４９】ここでは全反射蛍光Ｘ線分析とＸ線反射率
測定とを兼用する構成例を示しており、検出器６として
半導体検出器が使用される。また、Ｘ線反射率測定だけ
を行う構成例では、検出器６としてシンチレーションカ
ウンタ、プロポーショナルカウンタ、イオンチェンバ、
ＧＭカウンタ、半導体検出器などが使用でき、上述のよ
うなエネルギー分析用信号処理系は不要となる。
測定とを兼用する構成例を示しており、検出器６として
半導体検出器が使用される。また、Ｘ線反射率測定だけ
を行う構成例では、検出器６としてシンチレーションカ
ウンタ、プロポーショナルカウンタ、イオンチェンバ、
ＧＭカウンタ、半導体検出器などが使用でき、上述のよ
うなエネルギー分析用信号処理系は不要となる。
【００５０】検出器１１は、１次Ｘ線と反射Ｘ線の強度
を測定するもので、シンチレーションカウンタ、プロポ
ーショナルカウンタ、イオンチェンバ、ＧＭカウンタ、
半導体検出器などが使用できる。また、スリット３ｂは
検出器１１に予め内蔵されているコリメータで代用する
ことも可能であり、この場合はスリット制御部１２によ
って検出器１１全体の位置が制御される。
を測定するもので、シンチレーションカウンタ、プロポ
ーショナルカウンタ、イオンチェンバ、ＧＭカウンタ、
半導体検出器などが使用できる。また、スリット３ｂは
検出器１１に予め内蔵されているコリメータで代用する
ことも可能であり、この場合はスリット制御部１２によ
って検出器１１全体の位置が制御される。
【００５１】Ｘ線管１は固定陽極型や回転陽極型のもの
が使用できる。分光結晶２は、単一の結晶であっても、
２つ以上の結晶の組合せでもよく、また分析内容がＸ線
の単色化を必要としない場合は省略することも可能であ
る。
が使用できる。分光結晶２は、単一の結晶であっても、
２つ以上の結晶の組合せでもよく、また分析内容がＸ線
の単色化を必要としない場合は省略することも可能であ
る。
【００５２】Ｘ線ビームＢ２は、被検物２０の表面に対
して全反射する角度、たとえば０．０６度程度の角度で
入射する。このとき蛍光Ｘ線Ｂ３のエネルギースペクト
ルを分析することによって、被検物２０の表面近傍に関
する情報、たとえば微量付着物の成分情報を得ることが
できる。また、検出器１１からの強度信号から被検物２
０のＸ線反射率を測定することによって、被検物２０の
表面粗さ、膜厚、密度等を検定できる。
して全反射する角度、たとえば０．０６度程度の角度で
入射する。このとき蛍光Ｘ線Ｂ３のエネルギースペクト
ルを分析することによって、被検物２０の表面近傍に関
する情報、たとえば微量付着物の成分情報を得ることが
できる。また、検出器１１からの強度信号から被検物２
０のＸ線反射率を測定することによって、被検物２０の
表面粗さ、膜厚、密度等を検定できる。
【００５３】図２は、第１実施形態に係るＸ線照射角設
定方法を示す工程図である。先ず最初に、被検物２０を
図１の移動テーブル４の上にセットして、Ｘ線ビームＢ
２が被検物２０に当たらないように移動テーブル４の高
さを調整する。ここでは、Ｘ線ビームＢ２が水平方向
（図２中１点鎖線）に進行する例を示す。次に、検出器
１１の信号が最大になるように、スリット３ｂの高さを
調整し、この位置を基準高さＨ０とする。
定方法を示す工程図である。先ず最初に、被検物２０を
図１の移動テーブル４の上にセットして、Ｘ線ビームＢ
２が被検物２０に当たらないように移動テーブル４の高
さを調整する。ここでは、Ｘ線ビームＢ２が水平方向
（図２中１点鎖線）に進行する例を示す。次に、検出器
１１の信号が最大になるように、スリット３ｂの高さを
調整し、この位置を基準高さＨ０とする。
【００５４】次に、図１０に示した手順と同様に、被検
物２０が遮るＸ線ビームの強度変化を検出することによ
って、被検物２０および移動テーブル４の３次元位置お
よび角度を調整して、図１０（ｅ）に示すように、Ｘ線
ビームＢ２の進行方向と被検物２０の検査面とが平行に
なる状態に設定する。次に、被検物２０をＸ線ビームＢ
２の進行方向に対して略垂直方向に移動させながら、被
検物２０が遮るＸ線ビームＢ２の強度変化を検出して、
図２（ａ）に示すように、被検物２０がＸ線ビームＢ２
に接触する寸前の高さに設定する。なお図２では、被検
物２０が上に凹の変形を有する例を図示している。
物２０が遮るＸ線ビームの強度変化を検出することによ
って、被検物２０および移動テーブル４の３次元位置お
よび角度を調整して、図１０（ｅ）に示すように、Ｘ線
ビームＢ２の進行方向と被検物２０の検査面とが平行に
なる状態に設定する。次に、被検物２０をＸ線ビームＢ
２の進行方向に対して略垂直方向に移動させながら、被
検物２０が遮るＸ線ビームＢ２の強度変化を検出して、
図２（ａ）に示すように、被検物２０がＸ線ビームＢ２
に接触する寸前の高さに設定する。なお図２では、被検
物２０が上に凹の変形を有する例を図示している。
【００５５】次に図２（ｂ）に示すように、移動テーブ
ル４を傾斜させて、Ｘ線ビームＢ２に対する入射角度を
所望の角度φに設定する。この角度φは、被検物２０の
検査面をＸ線入射方向から見て、変形による遮蔽部分が
無いように充分大きな角度であり、かつ充分な反射Ｘ線
強度を確保できるように極低角度であり、たとえば被検
物２０がシリコンウエハであるとき、角度φは０．０５
度〜０．３度の範囲が好ましい。
ル４を傾斜させて、Ｘ線ビームＢ２に対する入射角度を
所望の角度φに設定する。この角度φは、被検物２０の
検査面をＸ線入射方向から見て、変形による遮蔽部分が
無いように充分大きな角度であり、かつ充分な反射Ｘ線
強度を確保できるように極低角度であり、たとえば被検
物２０がシリコンウエハであるとき、角度φは０．０５
度〜０．３度の範囲が好ましい。
【００５６】この状態で被検物２０の検査面が理想平面
（図中破線）であれば、Ｘ線照射角度の設定は終了す
る。しかし、一般には多かれ少なかれ反り等の変形があ
るため、図２（ｂ）に示すように、Ｘ線ビームＢ２が検
査面に当たる位置が水平方向に変位し、Ｘ線入射角度も
角度φからずれることになる。
（図中破線）であれば、Ｘ線照射角度の設定は終了す
る。しかし、一般には多かれ少なかれ反り等の変形があ
るため、図２（ｂ）に示すように、Ｘ線ビームＢ２が検
査面に当たる位置が水平方向に変位し、Ｘ線入射角度も
角度φからずれることになる。
【００５７】その対策として、検査面２０で反射するＸ
線ビームＢ２の通過位置を規定するためのスリット３ｂ
を上方へ移動し、検査点からスリット３ｂまでの水平距
離をＬとし、測定時の照射角度をφとして、スリット３
ｂの高さＨをＬ×ｔａｎ２φに設定する。このスリット
３ｂの位置は、Ｘ線入射角度が角度φとなるときの正反
射軸が通過する位置である。なお、照射角度φが小さい
場合は、ｔａｎ２φ≒２φで近似できる。
線ビームＢ２の通過位置を規定するためのスリット３ｂ
を上方へ移動し、検査点からスリット３ｂまでの水平距
離をＬとし、測定時の照射角度をφとして、スリット３
ｂの高さＨをＬ×ｔａｎ２φに設定する。このスリット
３ｂの位置は、Ｘ線入射角度が角度φとなるときの正反
射軸が通過する位置である。なお、照射角度φが小さい
場合は、ｔａｎ２φ≒２φで近似できる。
【００５８】次に、Ｘ線ビームＢ２の照射位置を検査点
Ｏに一致させるために、検査点Ｏのほぼ真上付近に設置
された検出器６が正反射以外の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線
を検出しながら、その検出強度が最大になるように被検
物２０の高さを調整する。この状態で、図２（ｃ）に示
すように、検査面でのＸ線照射位置が検出器６の受光中
心軸上に設定された検査点Ｏと一致することになる。ま
た、このときの移動量をΔｚとする。
Ｏに一致させるために、検査点Ｏのほぼ真上付近に設置
された検出器６が正反射以外の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線
を検出しながら、その検出強度が最大になるように被検
物２０の高さを調整する。この状態で、図２（ｃ）に示
すように、検査面でのＸ線照射位置が検出器６の受光中
心軸上に設定された検査点Ｏと一致することになる。ま
た、このときの移動量をΔｚとする。
【００５９】図２（ｃ）に示す状態では、被検物２０の
変形によってＸ線入射角度が角度φからずれているた
め、反射Ｘ線軸はスリット３ｂを通過できない。そこ
で、図２（ｄ）に示すように、反射Ｘ線がスリット３ｂ
を通過するように、被検物２０を検査点Ｏを中心に角変
位させて、スリット３ｂ後段に設けられた検出器１１で
の検出強度が最大になるように検査面の角度を調整す
る。このときの角変位量をΔωとする。
変形によってＸ線入射角度が角度φからずれているた
め、反射Ｘ線軸はスリット３ｂを通過できない。そこ
で、図２（ｄ）に示すように、反射Ｘ線がスリット３ｂ
を通過するように、被検物２０を検査点Ｏを中心に角変
位させて、スリット３ｂ後段に設けられた検出器１１で
の検出強度が最大になるように検査面の角度を調整す
る。このときの角変位量をΔωとする。
【００６０】ここで、被検物２０の変形量が大きいと、
被検物２０の角度調整によってＸ線照射位置にずれが生
ずることもあるため、再度、検出器６を用いた高さ調整
と検出器１１を用いた角度調整とを行って、移動量Δｚ
および角変位量Δωが規定値を下回るように何回か繰り
返して収束させる。なお、こうした調整を短時間で収束
させるには、最初に設定する被検物２０の高さおよび角
度をできる限り収束値に近づけることが望ましく、別
途、光を用いた測定系を設けても構わない。
被検物２０の角度調整によってＸ線照射位置にずれが生
ずることもあるため、再度、検出器６を用いた高さ調整
と検出器１１を用いた角度調整とを行って、移動量Δｚ
および角変位量Δωが規定値を下回るように何回か繰り
返して収束させる。なお、こうした調整を短時間で収束
させるには、最初に設定する被検物２０の高さおよび角
度をできる限り収束値に近づけることが望ましく、別
途、光を用いた測定系を設けても構わない。
【００６１】こうして２つの検出器６、１１からのの検
出強度が最大になるように被検物の３次元位置および角
度を調整することによって、反り変形が生じた被検物で
あってもＸ線入射角度を高精度かつ迅速に設定すること
ができる。
出強度が最大になるように被検物の３次元位置および角
度を調整することによって、反り変形が生じた被検物で
あってもＸ線入射角度を高精度かつ迅速に設定すること
ができる。
【００６２】図３は、本発明の第２実施形態を示す構成
図である。図３のＸ線分析装置は、図１の構成と同様で
あるが、後段のスリット３ｂおよびスリット制御部１２
が省略され、検出器１１がＸ線の通過位置および強度分
布を検出できる１次元センサまたは２次元センサで構成
される点が相違する。移動テーブル４は、被検物２０の
検査面の３次元位置とＸ線ビームＢ２の入射角度および
ねじれ角とが調整可能に構成される。なお、理解容易の
ために第１実施形態と重複する説明を省く。
図である。図３のＸ線分析装置は、図１の構成と同様で
あるが、後段のスリット３ｂおよびスリット制御部１２
が省略され、検出器１１がＸ線の通過位置および強度分
布を検出できる１次元センサまたは２次元センサで構成
される点が相違する。移動テーブル４は、被検物２０の
検査面の３次元位置とＸ線ビームＢ２の入射角度および
ねじれ角とが調整可能に構成される。なお、理解容易の
ために第１実施形態と重複する説明を省く。
【００６３】図４は、検出器１１として１次元センサを
使用した場合のＸ線ビームＢ２の通過位置および強度分
布を示す説明図である。検出器１１は、複数の受光部が
直線的に一定ピッチで配置されて構成された１次元セン
サ、たとえばＣＣＤセンサ、または、受光されたＸ線光
子毎に受光位置信号を発生する１次元センサ、たとえば
位置敏感比例計数管（Position Sensitive Proportiona
l Counter）などが使用できる。
使用した場合のＸ線ビームＢ２の通過位置および強度分
布を示す説明図である。検出器１１は、複数の受光部が
直線的に一定ピッチで配置されて構成された１次元セン
サ、たとえばＣＣＤセンサ、または、受光されたＸ線光
子毎に受光位置信号を発生する１次元センサ、たとえば
位置敏感比例計数管（Position Sensitive Proportiona
l Counter）などが使用できる。
【００６４】検出器１１は位置検出方向が垂直となるよ
うに設置される。Ｘ線ビームＢ２が被検物２０の上をそ
のまま通過すると、検出器１１の下部に直接到達して直
接ビームＢ２ａとして検出される。Ｘ線ビームＢ２はス
リット３ａによって水平なスリット状に整形されている
ため、直接ビームＢ２ａは検出器１１によって急峻なピ
ーク像として検出される。データ処理器１０は、検出器
１１の検出信号を解析して、たとえば強度分布のピーク
位置や全体の平均位置を直接ビームＢ２ａの中心位置と
して検出する。
うに設置される。Ｘ線ビームＢ２が被検物２０の上をそ
のまま通過すると、検出器１１の下部に直接到達して直
接ビームＢ２ａとして検出される。Ｘ線ビームＢ２はス
リット３ａによって水平なスリット状に整形されている
ため、直接ビームＢ２ａは検出器１１によって急峻なピ
ーク像として検出される。データ処理器１０は、検出器
１１の検出信号を解析して、たとえば強度分布のピーク
位置や全体の平均位置を直接ビームＢ２ａの中心位置と
して検出する。
【００６５】一方、Ｘ線ビームＢ２が検査面で反射する
ように被検物２０の位置調整および角度調整を行った場
合は、検出器１１の上部に到達して反射ビームＢ２ｂと
して検出される。このときＸ線ビームＢ２の長手方向と
検査面とが平行、すなわちねじれ角がゼロの場合は、反
射ビームＢ２ｂの長手方向も水平に保たれる。しかし、
被検物２０の反りや変形によって一定のねじれ角が存在
する場合には、反射ビームＢ２ｂの長手方向がねじれ角
の２倍だけ傾斜することになる。データ処理器１０は、
検出器１１の検出信号を解析して、たとえば強度分布の
ピーク位置や全体の平均位置を反射ビームＢ２ｂの中心
位置として検出するとともに、反射ビームＢ２ｂの傾斜
による強度分布の広がりをたとえば半値全幅（ＦＷＨ
Ｍ）として検出して、半値全幅と反射ビームＢ２ｂのね
じれ角との関連付けを行う。
ように被検物２０の位置調整および角度調整を行った場
合は、検出器１１の上部に到達して反射ビームＢ２ｂと
して検出される。このときＸ線ビームＢ２の長手方向と
検査面とが平行、すなわちねじれ角がゼロの場合は、反
射ビームＢ２ｂの長手方向も水平に保たれる。しかし、
被検物２０の反りや変形によって一定のねじれ角が存在
する場合には、反射ビームＢ２ｂの長手方向がねじれ角
の２倍だけ傾斜することになる。データ処理器１０は、
検出器１１の検出信号を解析して、たとえば強度分布の
ピーク位置や全体の平均位置を反射ビームＢ２ｂの中心
位置として検出するとともに、反射ビームＢ２ｂの傾斜
による強度分布の広がりをたとえば半値全幅（ＦＷＨ
Ｍ）として検出して、半値全幅と反射ビームＢ２ｂのね
じれ角との関連付けを行う。
【００６６】次に直接ビームＢ２ａの中心位置から反射
ビームＢ２ｂの中心位置までの高さＨ、検査点から検出
器１１までの水平距離Ｌ、およびＸ線ビームＢ２の入射
角度φが、Ｈ＝Ｌ×ｔａｎ２φの関係式を満足するよう
に、被検物２０の位置調整および角度調整を行うことに
よって、所望のＸ線照射角度に設定できる。なお、角度
φが小さい場合は、ｔａｎ２φ≒２φで近似できる。
ビームＢ２ｂの中心位置までの高さＨ、検査点から検出
器１１までの水平距離Ｌ、およびＸ線ビームＢ２の入射
角度φが、Ｈ＝Ｌ×ｔａｎ２φの関係式を満足するよう
に、被検物２０の位置調整および角度調整を行うことに
よって、所望のＸ線照射角度に設定できる。なお、角度
φが小さい場合は、ｔａｎ２φ≒２φで近似できる。
【００６７】さらに、検査面のねじれ角に関して、反射
ビームＢ２ｂの検出信号の強度分布が最も急峻になり、
たとえば半値全幅が最小となるように、被検物２０の位
置調整および角度調整を行う。
ビームＢ２ｂの検出信号の強度分布が最も急峻になり、
たとえば半値全幅が最小となるように、被検物２０の位
置調整および角度調整を行う。
【００６８】次に、Ｘ線ビームＢ２の照射位置を検査点
に一致させるために、検査点のほぼ真上付近に設置され
た検出器６が正反射以外の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線を検
出しながら、その検出強度が最大になるように被検物２
０の高さを調整する。
に一致させるために、検査点のほぼ真上付近に設置され
た検出器６が正反射以外の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線を検
出しながら、その検出強度が最大になるように被検物２
０の高さを調整する。
【００６９】こうしてＸ線ビームＢ２の入射角度φおよ
びねじれ角に関する条件が共に成立し、かつＸ線ビーム
Ｂ２の照射位置が所望の検査点に一致するように、被検
物２０の位置調整および角度調整を繰り返して、所望の
Ｘ線照射条件に収束させることができる。
びねじれ角に関する条件が共に成立し、かつＸ線ビーム
Ｂ２の照射位置が所望の検査点に一致するように、被検
物２０の位置調整および角度調整を繰り返して、所望の
Ｘ線照射条件に収束させることができる。
【００７０】図５は、検出器１１として２次元センサを
使用した場合のＸ線ビームＢ２の通過位置を示す説明図
である。検出器１１は、複数の受光部がマトリクス状に
一定ピッチで配置されて構成された２次元センサ、たと
えばＣＣＤセンサ、または、受光されたＸ線光子毎に受
光位置信号を発生する２次元センサ、たとえば位置敏感
比例計数管などが使用できる。
使用した場合のＸ線ビームＢ２の通過位置を示す説明図
である。検出器１１は、複数の受光部がマトリクス状に
一定ピッチで配置されて構成された２次元センサ、たと
えばＣＣＤセンサ、または、受光されたＸ線光子毎に受
光位置信号を発生する２次元センサ、たとえば位置敏感
比例計数管などが使用できる。
【００７１】検出器１１は位置検出方向が水平および垂
直となるように設置される。Ｘ線ビームＢ２が被検物２
０の上をそのまま通過すると、検出器１１の下部に直接
到達して直接ビームＢ２ａとして検出される。図４での
説明と同様に、データ処理器１０は、検出器１１の検出
信号を解析して、たとえば強度分布のピーク位置や全体
の平均位置を直接ビームＢ２ａの中心位置として検出す
る。
直となるように設置される。Ｘ線ビームＢ２が被検物２
０の上をそのまま通過すると、検出器１１の下部に直接
到達して直接ビームＢ２ａとして検出される。図４での
説明と同様に、データ処理器１０は、検出器１１の検出
信号を解析して、たとえば強度分布のピーク位置や全体
の平均位置を直接ビームＢ２ａの中心位置として検出す
る。
【００７２】一方、Ｘ線ビームＢ２が検査面で反射する
場合は、検出器１１の上部に到達して反射ビームＢ２ｂ
として検出される。このとき、被検物２０の反りや変形
によって一定のねじれ角が存在する場合には、反射ビー
ムＢ２ｂの長手方向が傾斜することになる。データ処理
器１０は、検出器１１の検出信号を２次元的に解析し
て、たとえば強度分布のピーク位置や全体の平均位置を
反射ビームＢ２ｂの中心位置として検出するとともに、
反射ビームＢ２ｂの強度分布の傾斜角とねじれ角との関
連付けを行う。ここで強度分布の傾斜角はねじれ角βの
２倍として表れるため、逆に傾斜角の半分だけ被検物２
０のねじれ角を補正すればよい。
場合は、検出器１１の上部に到達して反射ビームＢ２ｂ
として検出される。このとき、被検物２０の反りや変形
によって一定のねじれ角が存在する場合には、反射ビー
ムＢ２ｂの長手方向が傾斜することになる。データ処理
器１０は、検出器１１の検出信号を２次元的に解析し
て、たとえば強度分布のピーク位置や全体の平均位置を
反射ビームＢ２ｂの中心位置として検出するとともに、
反射ビームＢ２ｂの強度分布の傾斜角とねじれ角との関
連付けを行う。ここで強度分布の傾斜角はねじれ角βの
２倍として表れるため、逆に傾斜角の半分だけ被検物２
０のねじれ角を補正すればよい。
【００７３】次に図４での説明と同様に、Ｈ＝Ｌ×ｔａ
ｎ２φの条件と反射ビームＢ２ｂの強度分布の傾斜角が
ゼロとなる条件の両方を満足し、かつＸ線ビームＢ２の
照射位置が所望の検査点に一致するように、被検物２０
の位置調整および角度調整を繰り返して、所望のＸ線照
射条件に収束させることができる。
ｎ２φの条件と反射ビームＢ２ｂの強度分布の傾斜角が
ゼロとなる条件の両方を満足し、かつＸ線ビームＢ２の
照射位置が所望の検査点に一致するように、被検物２０
の位置調整および角度調整を繰り返して、所望のＸ線照
射条件に収束させることができる。
【００７４】図６は、検出器１１として２つの１次元セ
ンサを使用した場合のＸ線ビームＢ２の通過位置および
強度分布を示す説明図である。検出器１１は、複数の受
光部が直線的に一定ピッチで配置された１次元センサ１
１ａ、１１ｂで構成されており、２つの１次元センサ１
１ａ、１１ｂは間隔ｄで並列配置され、たとえばＣＣＤ
センサや位置敏感比例計数管などが使用できる。
ンサを使用した場合のＸ線ビームＢ２の通過位置および
強度分布を示す説明図である。検出器１１は、複数の受
光部が直線的に一定ピッチで配置された１次元センサ１
１ａ、１１ｂで構成されており、２つの１次元センサ１
１ａ、１１ｂは間隔ｄで並列配置され、たとえばＣＣＤ
センサや位置敏感比例計数管などが使用できる。
【００７５】検出器１１は位置検出方向が垂直となるよ
うに設置される。Ｘ線ビームＢ２が被検物２０の上をそ
のまま通過すると、１次元センサ１１ａ、１１ｂの下部
に直接到達して直接ビームＢ２ａとして検出される。図
４での説明と同様に、データ処理器１０は、１次元セン
サ１１ａ、１１ｂの検出信号を解析して、たとえば強度
分布のピーク位置や全体の平均位置を直接ビームＢ２ａ
の中心位置として検出する。
うに設置される。Ｘ線ビームＢ２が被検物２０の上をそ
のまま通過すると、１次元センサ１１ａ、１１ｂの下部
に直接到達して直接ビームＢ２ａとして検出される。図
４での説明と同様に、データ処理器１０は、１次元セン
サ１１ａ、１１ｂの検出信号を解析して、たとえば強度
分布のピーク位置や全体の平均位置を直接ビームＢ２ａ
の中心位置として検出する。
【００７６】一方、Ｘ線ビームＢ２が検査面で反射する
場合は、１次元センサ１１ａ、１１ｂの上部に到達して
反射ビームＢ２ｂとして検出される。このとき、被検物
２０の反りや変形によって一定のねじれ角が存在する場
合には、反射ビームＢ２ｂの長手方向が傾斜した状態と
なり、１次元センサ１１ａ、１１ｂが間隔ｄで設置され
ているため、反射ビームＢ２ｂの検出位置が互いに相違
する。データ処理器１０は、１次元センサ１１ａ、１１
ｂの検出信号を解析して、たとえば強度分布のピーク位
置や全体の平均位置を反射ビームＢ２ｂの中心位置とし
て検出し、１次元センサ１１ａにおける直接ビームＢ２
ａから反射ビームＢ２ｂまでの高さＨ１と、１次元セン
サ１１ｂにおける直接ビームＢ２ａから反射ビームＢ２
ｂまでの高さＨ２とを算出する。ここで、反射ビームＢ
２ｂの中心高さＨはＨ１とＨ２の平均（＝（Ｈ１＋Ｈ
２）／２）として計算でき、反射ビームＢ２ｂの傾斜角
２βはＡｒｃｔａｎ（（Ｈ２−Ｈ１）／２）として計算
できる。
場合は、１次元センサ１１ａ、１１ｂの上部に到達して
反射ビームＢ２ｂとして検出される。このとき、被検物
２０の反りや変形によって一定のねじれ角が存在する場
合には、反射ビームＢ２ｂの長手方向が傾斜した状態と
なり、１次元センサ１１ａ、１１ｂが間隔ｄで設置され
ているため、反射ビームＢ２ｂの検出位置が互いに相違
する。データ処理器１０は、１次元センサ１１ａ、１１
ｂの検出信号を解析して、たとえば強度分布のピーク位
置や全体の平均位置を反射ビームＢ２ｂの中心位置とし
て検出し、１次元センサ１１ａにおける直接ビームＢ２
ａから反射ビームＢ２ｂまでの高さＨ１と、１次元セン
サ１１ｂにおける直接ビームＢ２ａから反射ビームＢ２
ｂまでの高さＨ２とを算出する。ここで、反射ビームＢ
２ｂの中心高さＨはＨ１とＨ２の平均（＝（Ｈ１＋Ｈ
２）／２）として計算でき、反射ビームＢ２ｂの傾斜角
２βはＡｒｃｔａｎ（（Ｈ２−Ｈ１）／２）として計算
できる。
【００７７】次に図４での説明と同様に、Ｈ＝Ｌ×ｔａ
ｎ２φの条件と反射ビームＢ２ｂの強度分布の傾斜角が
ゼロとなる条件の両方を満足し、かつＸ線ビームＢ２の
照射位置が所望の検査点に一致するように、被検物２０
の位置調整および角度調整を繰り返して、所望のＸ線照
射条件に収束させることができる。
ｎ２φの条件と反射ビームＢ２ｂの強度分布の傾斜角が
ゼロとなる条件の両方を満足し、かつＸ線ビームＢ２の
照射位置が所望の検査点に一致するように、被検物２０
の位置調整および角度調整を繰り返して、所望のＸ線照
射条件に収束させることができる。
【００７８】図７は、本発明の第３実施形態を示す構成
図である。図７のＸ線分析装置は、図１の構成と同様で
あるが、後段のスリット３ｂに２つの開口Ｑ１、Ｑ２が
形成され、スリット制御部１２が省略される点が相違す
る。なお、理解容易のために第１実施形態と重複する説
明を省く。
図である。図７のＸ線分析装置は、図１の構成と同様で
あるが、後段のスリット３ｂに２つの開口Ｑ１、Ｑ２が
形成され、スリット制御部１２が省略される点が相違す
る。なお、理解容易のために第１実施形態と重複する説
明を省く。
【００７９】検出器１１は、開口Ｑ１、Ｑ２を通過した
Ｘ線ビームＢ２の強度を検出するもので、ここでは開口
Ｑ１、Ｑ２を１つの検出器で兼用する例を示すが、開口
Ｑ１、Ｑ２ごとに２つの検出器を別々に設けてもよい。
Ｘ線ビームＢ２の強度を検出するもので、ここでは開口
Ｑ１、Ｑ２を１つの検出器で兼用する例を示すが、開口
Ｑ１、Ｑ２ごとに２つの検出器を別々に設けてもよい。
【００８０】図８は、第３実施形態に係るＸ線照射角設
定方法を示す工程図である。先ず最初に、被検物２０を
図７の移動テーブル４の上にセットして、Ｘ線ビームＢ
２が被検物２０に当たらないように移動テーブル４の高
さを調整する。ここでは、Ｘ線ビームＢ２が水平方向
（図８中１点鎖線）に進行する例を示す。次に、Ｘ線ビ
ームＢ２が下側の開口Ｑ１を通過して、検出器１１の信
号が最大になるようにスリット３ｂの高さを調整し、こ
の位置を基準高さＨ０とする。
定方法を示す工程図である。先ず最初に、被検物２０を
図７の移動テーブル４の上にセットして、Ｘ線ビームＢ
２が被検物２０に当たらないように移動テーブル４の高
さを調整する。ここでは、Ｘ線ビームＢ２が水平方向
（図８中１点鎖線）に進行する例を示す。次に、Ｘ線ビ
ームＢ２が下側の開口Ｑ１を通過して、検出器１１の信
号が最大になるようにスリット３ｂの高さを調整し、こ
の位置を基準高さＨ０とする。
【００８１】次に、図１０に示した手順と同様に、被検
物２０が遮るＸ線ビームの強度変化を検出することによ
って、被検物２０および移動テーブル４の３次元位置お
よび角度を調整して、図１０（ｅ）に示すように、Ｘ線
ビームＢ２の進行方向と被検物２０の検査面とが平行に
なる状態に設定する。次に、被検物２０をＸ線ビームＢ
２の進行方向に対して略垂直方向に移動させながら、被
検物２０が遮るＸ線ビームＢ２の強度変化を検出して、
図８（ａ）に示すように、被検物２０がＸ線ビームＢ２
に接触する寸前の高さに設定する。なお図８では、被検
物２０が上に凹の変形を有する例を図示している。
物２０が遮るＸ線ビームの強度変化を検出することによ
って、被検物２０および移動テーブル４の３次元位置お
よび角度を調整して、図１０（ｅ）に示すように、Ｘ線
ビームＢ２の進行方向と被検物２０の検査面とが平行に
なる状態に設定する。次に、被検物２０をＸ線ビームＢ
２の進行方向に対して略垂直方向に移動させながら、被
検物２０が遮るＸ線ビームＢ２の強度変化を検出して、
図８（ａ）に示すように、被検物２０がＸ線ビームＢ２
に接触する寸前の高さに設定する。なお図８では、被検
物２０が上に凹の変形を有する例を図示している。
【００８２】次に図８（ｂ）に示すように、移動テーブ
ル４を傾斜させて、Ｘ線ビームＢ２に対する入射角度を
所望の角度φに設定する。この角度φは、被検物２０の
検査面をＸ線入射方向から見て、変形による遮蔽部分が
無いように充分大きな角度であり、かつ充分な反射Ｘ線
強度を確保できるように極低角度であり、たとえば被検
物２０がシリコンウエハであるとき、角度φは０．０５
度〜０．３度の範囲が好ましい。
ル４を傾斜させて、Ｘ線ビームＢ２に対する入射角度を
所望の角度φに設定する。この角度φは、被検物２０の
検査面をＸ線入射方向から見て、変形による遮蔽部分が
無いように充分大きな角度であり、かつ充分な反射Ｘ線
強度を確保できるように極低角度であり、たとえば被検
物２０がシリコンウエハであるとき、角度φは０．０５
度〜０．３度の範囲が好ましい。
【００８３】この状態で被検物２０の検査面が理想平面
（図中破線）であれば、Ｘ線照射角度の設定は終了す
る。しかし、一般には多かれ少なかれ反り等の変形があ
るため、図８（ｂ）に示すように、Ｘ線ビームＢ２が検
査面に当たる位置が水平方向に変位し、Ｘ線入射角度も
角度φからずれることになる。
（図中破線）であれば、Ｘ線照射角度の設定は終了す
る。しかし、一般には多かれ少なかれ反り等の変形があ
るため、図８（ｂ）に示すように、Ｘ線ビームＢ２が検
査面に当たる位置が水平方向に変位し、Ｘ線入射角度も
角度φからずれることになる。
【００８４】ここで、上側の開口Ｑ２が検査面２０で反
射するＸ線ビームＢ２の通過位置を規定するように形成
され、検査点からスリット３ｂまでの水平距離をＬと
し、測定時の照射角度をφとして、開口Ｑ２の高さＨを
Ｌ×ｔａｎ２φに設定している。この開口Ｑ２の位置
は、Ｘ線入射角度が角度φとなるときの正反射軸が通過
する位置である。なお、照射角度φが小さい場合は、ｔ
ａｎ２φ≒２φで近似できる。
射するＸ線ビームＢ２の通過位置を規定するように形成
され、検査点からスリット３ｂまでの水平距離をＬと
し、測定時の照射角度をφとして、開口Ｑ２の高さＨを
Ｌ×ｔａｎ２φに設定している。この開口Ｑ２の位置
は、Ｘ線入射角度が角度φとなるときの正反射軸が通過
する位置である。なお、照射角度φが小さい場合は、ｔ
ａｎ２φ≒２φで近似できる。
【００８５】次に、Ｘ線ビームＢ２の照射位置を検査点
Ｏに一致させるために、検査点Ｏのほぼ真上付近に設置
された検出器６が正反射以外の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線
を検出しながら、その検出強度が最大になるように被検
物２０の高さを調整する。この状態で、図８（ｃ）に示
すように、検査面でのＸ線照射位置が検出器６の受光中
心軸上に設定された検査点Ｏと一致することになる。ま
た、このときの移動量をΔｚとする。
Ｏに一致させるために、検査点Ｏのほぼ真上付近に設置
された検出器６が正反射以外の散乱Ｘ線または蛍光Ｘ線
を検出しながら、その検出強度が最大になるように被検
物２０の高さを調整する。この状態で、図８（ｃ）に示
すように、検査面でのＸ線照射位置が検出器６の受光中
心軸上に設定された検査点Ｏと一致することになる。ま
た、このときの移動量をΔｚとする。
【００８６】図８（ｃ）に示す状態では、被検物２０の
変形によってＸ線入射角度が角度φからずれているた
め、反射Ｘ線軸は開口Ｑ２を通過できない。そこで、図
８（ｄ）に示すように、反射Ｘ線が開口Ｑ２を通過する
ように、被検物２０を検査点Ｏを中心に角変位させて、
スリット３ｂ後段に設けられた検出器１１での検出強度
が最大になるように検査面の角度を調整する。このとき
の角変位量をΔωとする。
変形によってＸ線入射角度が角度φからずれているた
め、反射Ｘ線軸は開口Ｑ２を通過できない。そこで、図
８（ｄ）に示すように、反射Ｘ線が開口Ｑ２を通過する
ように、被検物２０を検査点Ｏを中心に角変位させて、
スリット３ｂ後段に設けられた検出器１１での検出強度
が最大になるように検査面の角度を調整する。このとき
の角変位量をΔωとする。
【００８７】ここで、被検物２０の変形量が大きいと、
被検物２０の角度調整によってＸ線照射位置にずれが生
ずることもあるため、再度、検出器６を用いた高さ調整
と検出器１１を用いた角度調整とを行って、移動量Δｚ
および角変位量Δωが規定値を下回るように何回か繰り
返して収束させる。なお、こうした調整を短時間で収束
させるには、最初に設定する被検物２０の高さおよび角
度をできる限り収束値に近づけることが望ましく、別
途、光を用いた測定系を設けても構わない。
被検物２０の角度調整によってＸ線照射位置にずれが生
ずることもあるため、再度、検出器６を用いた高さ調整
と検出器１１を用いた角度調整とを行って、移動量Δｚ
および角変位量Δωが規定値を下回るように何回か繰り
返して収束させる。なお、こうした調整を短時間で収束
させるには、最初に設定する被検物２０の高さおよび角
度をできる限り収束値に近づけることが望ましく、別
途、光を用いた測定系を設けても構わない。
【００８８】こうして２つの検出器６、１１からのの検
出強度が最大になるように被検物の３次元位置および角
度を調整することによって、反り変形が生じた被検物で
あってもＸ線入射角度を高精度かつ迅速に設定すること
ができる。
出強度が最大になるように被検物の３次元位置および角
度を調整することによって、反り変形が生じた被検物で
あってもＸ線入射角度を高精度かつ迅速に設定すること
ができる。
【００８９】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、反
り等の変形が生じた被検物であっても、Ｘ線照射角度を
迅速かつ高精度に設定することができる。
り等の変形が生じた被検物であっても、Ｘ線照射角度を
迅速かつ高精度に設定することができる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明に係るＸ線照射角設定方法を示す工程図
である。
である。
【図３】本発明の第２実施形態を示す構成図である。
【図４】検出器１１として１次元センサを使用した場合
のＸ線ビームＢ２の通過位置および強度分布を示す説明
図である。
のＸ線ビームＢ２の通過位置および強度分布を示す説明
図である。
【図５】検出器１１として２次元センサを使用した場合
のＸ線ビームＢ２の通過位置を示す説明図である。
のＸ線ビームＢ２の通過位置を示す説明図である。
【図６】検出器１１として２つの１次元センサを使用し
た場合のＸ線ビームＢ２の通過位置および強度分布を示
す説明図である。
た場合のＸ線ビームＢ２の通過位置および強度分布を示
す説明図である。
【図７】本発明の第３実施形態を示す構成図である。
【図８】第３実施形態に係るＸ線照射角設定方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図９】従来の蛍光Ｘ線分析装置の一例を示す構成図で
ある。
ある。
【図１０】図９の装置における照射角設定方法を示す工
程図である。
程図である。
１ Ｘ線管 ２ 分光結晶 ３ａ、３ｂ、３ｃ スリット ４ 移動テーブル ５ テーブル制御部 ６、１１ 検出器 ７ 前置増幅器 ８ 比例増幅器 ９ 波高分析器 １０ データ処理器 ２０ 被検物
Claims (7)
- 【請求項１】 被検物の検査面に対して所定角度でＸ線
ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手段と、 検査面で反射したＸ線ビームの強度を検出するための第
１Ｘ線検出手段と、 被検物とＸ線ビーム検出手段との間に設けられ、Ｘ線ビ
ーム検出手段に入射するＸ線ビームの通過位置を規定す
るためのスリットと、 該スリットの位置を制御するためのスリット制御手段
と、 被検物を支持し、検査面の３次元位置および前記Ｘ線ビ
ームに対する角度を制御する被検物支持手段と、 検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面からの散乱Ｘ
線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２Ｘ線検出
手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項２】 被検物の検査面に対して所定角度でＸ線
ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手段と、 検査面上を直進したＸ線ビームの強度分布および位置、
ならびに検査面で反射したＸ線ビームの強度分布および
位置を検出するための第１Ｘ線検出手段と、 被検物を支持し、検査面の３次元位置および前記Ｘ線ビ
ームに対する入射角度およびねじれ角を制御する被検物
支持手段と、 検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面からの散乱Ｘ
線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２Ｘ線検出
手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項３】 被検物の検査面に対して所定角度でＸ線
ビームを照射するためのＸ線ビーム照射手段と、 検査面上を直進したＸ線ビームの通過位置を規定する第
１開口および検査面で反射したＸ線ビームの通過位置を
規定する第２開口が形成されたスリットと、 第１開口または第２開口を通過したＸ線ビームの強度を
検出するための第１Ｘ線検出手段と、 被検物を支持し、検査面の３次元位置および前記Ｘ線ビ
ームに対する角度を制御する被検物支持手段と、 検査点のほぼ真上付近に設けられ、検査面からの散乱Ｘ
線または蛍光Ｘ線の強度を検出するための第２Ｘ線検出
手段とを備えることを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項４】 被検物の検査面に対するＸ線ビームの照
射角を設定するＸ線照射角設定方法において、 検査面で反射するＸ線ビームの通過位置を規定するため
のスリットを配置し、検査点からスリットまでの水平距
離をＬとし、測定時の入射角度をφとして、スリットの
高さＨをＬ×ｔａｎ２φに設定する工程と、 検査面で反射したＸ線ビームが前記スリットを通過する
ように、被検物の角度を反射平面内で調整する工程とを
含むことを特徴とするＸ線照射角設定方法。 - 【請求項５】 被検物の検査面に対するＸ線ビームの照
射角を設定するＸ線照射角設定方法において、 被検物をＸ線ビームの進行方向に対して略垂直方向に移
動させながら、被検物が遮るＸ線ビームの強度変化を検
出して、被検物の高さを設定する工程と、 入射Ｘ線ビームに対する被検物の角度を反射平面内で調
整し、所定の入射角度に設定する工程と、 検査面で反射するＸ線ビームの通過位置を規定するため
のスリットを配置し、検査点からスリットまでの水平距
離をＬとし、測定時の入射角度をφとして、スリットの
高さＨをＬ×ｔａｎ２φに設定する工程と、 検査点のほぼ真上付近に、検査面からの散乱Ｘ線または
蛍光Ｘ線の強度を検出するＸ線検出手段を配置し、Ｘ線
検出手段からの信号が最大となるように被検物の高さを
調整する工程と、 検査面で反射したＸ線ビームが前記スリットを通過する
ように、被検物の角度を反射平面内で調整する工程とを
含むことを特徴とするＸ線照射角設定方法。 - 【請求項６】 被検物の検査面に対するＸ線ビームの照
射角を設定するＸ線照射角設定方法において、 検査面上を直進したＸ線ビームの強度分布および位置を
検出する工程と、 入射Ｘ線ビームに対する被検物の角度を反射平面内で調
整し、所定の入射角度に設定する工程と、 検査面で反射したＸ線ビームの強度分布および位置を検
出する工程と、 反射Ｘ線ビームの強度分布が直進Ｘ線ビームの強度分布
と一致するように、入射Ｘ線ビームに対する被検物のね
じれ角を調整する工程とを含むことを特徴とするＸ線照
射角設定方法。 - 【請求項７】 被検物の検査面に対するＸ線ビームの照
射角を設定するＸ線照射角設定方法において、 検査面上を直進したＸ線ビームの通過位置を規定する第
１開口および検査面で反射したＸ線ビームの通過位置を
規定する第２開口が形成されたスリットを配置し、検査
点からスリットまでの水平距離をＬとし、測定時の入射
角度をφとして、第２開口の高さＨをＬ×ｔａｎ２φに
設定する工程と、 検査面で反射したＸ線ビームが第２開口を通過するよう
に、被検物の入射角度を反射平面内で調整する工程とを
含むことを特徴とするＸ線照射角設定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9117228A JP2984232B2 (ja) | 1996-10-25 | 1997-05-07 | Ｘ線分析装置およびｘ線照射角設定方法 |
| US08/956,646 US5949847A (en) | 1996-10-25 | 1997-10-23 | X-ray analyzing apparatus and x-ray irradiation angle setting method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28425996 | 1996-10-25 | ||
| JP8-284259 | 1996-10-25 | ||
| JP9117228A JP2984232B2 (ja) | 1996-10-25 | 1997-05-07 | Ｘ線分析装置およびｘ線照射角設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10185846A true JPH10185846A (ja) | 1998-07-14 |
| JP2984232B2 JP2984232B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=26455379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9117228A Expired - Fee Related JP2984232B2 (ja) | 1996-10-25 | 1997-05-07 | Ｘ線分析装置およびｘ線照射角設定方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5949847A (ja) |
| JP (1) | JP2984232B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
| US6389102B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-05-14 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray array detector |
| JP2004191376A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | Ｘ線反射計用のビームセンタリング方法及び角度較正方法 |
| JP2004245840A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | 小角散乱測定を含むｘ線反射率測定 |
| US7103142B1 (en) | 2005-02-24 | 2006-09-05 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Material analysis using multiple X-ray reflectometry models |
| JP2010139482A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
| JP2011007811A (ja) * | 2003-10-20 | 2011-01-13 | Jordan Valley Semiconductors Ltd | サンプルの検査方法及び装置 |
| JP2014109579A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Anton Paar Gmbh | 中性子またはｘ線ビーム源から放射されるビームによって試料を検査する方法および装置 |
| WO2018101023A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社リガク | Ｘ線反射率測定装置 |
| CN110383053A (zh) * | 2017-01-03 | 2019-10-25 | 科磊股份有限公司 | 用于小角度x射线散射测量的x射线变焦镜头 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7062013B2 (en) * | 2001-04-12 | 2006-06-13 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy |
| US6507634B1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-01-14 | Therma-Wave, Inc. | System and method for X-ray reflectometry measurement of low density films |
| US6947521B2 (en) | 2003-06-17 | 2005-09-20 | Illinois Institute Of Technology | Imaging method based on attenuation, refraction and ultra-small-angle-scattering of x-rays |
| US7076025B2 (en) | 2004-05-19 | 2006-07-11 | Illinois Institute Of Technology | Method for detecting a mass density image of an object |
| US7068753B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-06-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Enhancement of X-ray reflectometry by measurement of diffuse reflections |
| US7120228B2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-10-10 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Combined X-ray reflectometer and diffractometer |
| US7330530B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-02-12 | Illinois Institute Of Technology | Diffraction enhanced imaging method using a line x-ray source |
| US7474732B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-01-06 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Calibration of X-ray reflectometry system |
| US7600916B2 (en) * | 2004-12-01 | 2009-10-13 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Target alignment for X-ray scattering measurements |
| US7076024B2 (en) * | 2004-12-01 | 2006-07-11 | Jordan Valley Applied Radiation, Ltd. | X-ray apparatus with dual monochromators |
| US7804934B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-28 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Accurate measurement of layer dimensions using XRF |
| KR101374308B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2014-03-14 | 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드 | Ｘｒｆ를 사용한 층 치수의 정밀 측정법 |
| CN101405596B (zh) * | 2006-01-24 | 2012-07-04 | 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 | 使用具有多色分布的x射线束检测对象图像的***和方法 |
| US7481579B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-01-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Overlay metrology using X-rays |
| US20070274447A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Isaac Mazor | Automated selection of X-ray reflectometry measurement locations |
| EP2028250A4 (en) | 2006-06-08 | 2010-07-21 | Fujirebio Kk | luminescence enhancer |
| US7406153B2 (en) * | 2006-08-15 | 2008-07-29 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Control of X-ray beam spot size |
| IL180482A0 (en) * | 2007-01-01 | 2007-06-03 | Jordan Valley Semiconductors | Inspection of small features using x - ray fluorescence |
| US7469037B2 (en) * | 2007-04-03 | 2008-12-23 | Illinois Institute Of Technology | Method for detecting a mass density image of an object |
| US7680243B2 (en) * | 2007-09-06 | 2010-03-16 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | X-ray measurement of properties of nano-particles |
| US7712960B2 (en) * | 2008-02-26 | 2010-05-11 | Uchicago Argonne, Llc | Device for optimization of experimental parameters on synchrotron beam lines |
| CA2745370A1 (en) | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Brookhaven Science Associates | Systems and methods for detecting an image of an object using multi-beam imaging from an x-ray beam having a polychromatic distribution |
| CA2763367C (en) * | 2009-06-04 | 2016-09-13 | Nextray, Inc. | Strain matching of crystals and horizontally-spaced monochromator and analyzer crystal arrays in diffraction enhanced imaging systems and related methods |
| US8204174B2 (en) * | 2009-06-04 | 2012-06-19 | Nextray, Inc. | Systems and methods for detecting an image of an object by use of X-ray beams generated by multiple small area sources and by use of facing sides of adjacent monochromator crystals |
| US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| US8687766B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry |
| US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
| US8781070B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-07-15 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Detection of wafer-edge defects |
| US9390984B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray inspection of bumps on a semiconductor substrate |
| EP2762862B1 (en) * | 2013-01-30 | 2017-03-08 | Bruker AXS GmbH | XRF measurement apparatus for detecting contaminations on the bevel of a wafer |
| US9389192B2 (en) | 2013-03-24 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps |
| US9551677B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-01-24 | Bruker Jv Israel Ltd. | Angle calibration for grazing-incidence X-ray fluorescence (GIXRF) |
| US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
| US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
| US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
| JP6808693B2 (ja) * | 2018-08-16 | 2021-01-06 | 日本電子株式会社 | Ｘ線分析装置および計数率の補正方法 |
| CN111106027A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-05-05 | 武汉大学 | 一种soi顶层硅片的测量修饰*** |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03202760A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全反射螢光ｘ線分折装置 |
| US5220591A (en) * | 1989-10-19 | 1993-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Total reflection X-ray fluorescence apparatus |
| JP2891780B2 (ja) * | 1990-12-03 | 1999-05-17 | 株式会社テクノス | エネルギ線の照射角設定方法 |
| DE4244242A1 (de) * | 1992-12-24 | 1994-06-30 | Geesthacht Gkss Forschung | Verfahren zur Bestimmung des effektiven Einfallswinkels von aus einer Röntgenquelle austretender Röntgenstrahlung zur Analyse oberflächennaher Materialschichten |
| JP2954819B2 (ja) * | 1993-10-07 | 1999-09-27 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法 |
-
1997
- 1997-05-07 JP JP9117228A patent/JP2984232B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-23 US US08/956,646 patent/US5949847A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
| US6389102B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-05-14 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray array detector |
| JP2004191376A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | Ｘ線反射計用のビームセンタリング方法及び角度較正方法 |
| JP4519455B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2010-08-04 | ジョーダン・バレー・セミコンダクターズ・リミテッド | Ｘ線反射計用のビームセンタリング方法及び角度較正方法 |
| JP4512382B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2010-07-28 | ジョーダン・バレー・セミコンダクターズ・リミテッド | 小角散乱測定を含むｘ線反射率測定 |
| JP2004245840A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | 小角散乱測定を含むｘ線反射率測定 |
| JP2011007811A (ja) * | 2003-10-20 | 2011-01-13 | Jordan Valley Semiconductors Ltd | サンプルの検査方法及び装置 |
| US7103142B1 (en) | 2005-02-24 | 2006-09-05 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Material analysis using multiple X-ray reflectometry models |
| JP2010139482A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
| JP2014109579A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Anton Paar Gmbh | 中性子またはｘ線ビーム源から放射されるビームによって試料を検査する方法および装置 |
| WO2018101023A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社リガク | Ｘ線反射率測定装置 |
| KR20190087561A (ko) * | 2016-11-29 | 2019-07-24 | 가부시키가이샤 리가쿠 | X선 반사율 측정 장치 |
| US10598616B2 (en) | 2016-11-29 | 2020-03-24 | Rigaku Corporation | X-ray reflectometer |
| CN110383053A (zh) * | 2017-01-03 | 2019-10-25 | 科磊股份有限公司 | 用于小角度x射线散射测量的x射线变焦镜头 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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