JPH10182537A - アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH10182537A JPH10182537A JP9254773A JP25477397A JPH10182537A JP H10182537 A JPH10182537 A JP H10182537A JP 9254773 A JP9254773 A JP 9254773A JP 25477397 A JP25477397 A JP 25477397A JP H10182537 A JPH10182537 A JP H10182537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- group
- phenyl
- aromatic hydroxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D317/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D317/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D317/08—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3
- C07D317/10—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 not condensed with other rings
- C07D317/14—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 not condensed with other rings with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms
- C07D317/18—Radicals substituted by singly bound oxygen or sulfur atoms
- C07D317/22—Radicals substituted by singly bound oxygen or sulfur atoms etherified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D319/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F112/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F112/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F112/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F112/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
- C08F112/22—Oxygen
- C08F112/24—Phenols or alcohols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/10—Acylation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な断面を有し、遠紫外線又はエクサイマ
ーレーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性
に優れたパターンを形成する、アセタール基により置換
された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガ
ティブ型フォトレジスト組成物を提供することである。 【解決手段】 本発明のアセタール基は次の一般式
(I)、(II)又は(III)で表示される。 【化1】 (前記式において、nは1〜6の整数であり、R1 はア
ルキル基、フェニル基又はベンジル基であり、R2 とR
3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基、フェニル
基又はベンジル基である。)
ーレーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性
に優れたパターンを形成する、アセタール基により置換
された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガ
ティブ型フォトレジスト組成物を提供することである。 【解決手段】 本発明のアセタール基は次の一般式
(I)、(II)又は(III)で表示される。 【化1】 (前記式において、nは1〜6の整数であり、R1 はア
ルキル基、フェニル基又はベンジル基であり、R2 とR
3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基、フェニル
基又はベンジル基である。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はアセタール基により
置換された芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれ
を含有するネガティブ型フォトレジスト組成物に関する
ものである。
置換された芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれ
を含有するネガティブ型フォトレジスト組成物に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】最近、半導体素子の高集積度化が要求さ
れるにつれて、フォトリソグラフィー分野でもサブ−ミ
クロン領域又はクォーター−ミクロン領域の微細パター
ンが要求されている。これにより、露光波長も長波長で
あるg−線からi−線、遠紫外線、KrFレーザー、A
rFレーザー等の短波長に変換されている。
れるにつれて、フォトリソグラフィー分野でもサブ−ミ
クロン領域又はクォーター−ミクロン領域の微細パター
ンが要求されている。これにより、露光波長も長波長で
あるg−線からi−線、遠紫外線、KrFレーザー、A
rFレーザー等の短波長に変換されている。
【0003】従来のg−線又はi−線に使用したノボラ
ック/キノンジアジド系レジストはi−線より短波長で
ある遠紫外線又はKrFレーザー波長で光吸収が多いた
め、これらより光吸収が相対的に少ないポリヒドロキシ
スチレン誘導体を使用した化学増幅型レジストが多く開
発されている。
ック/キノンジアジド系レジストはi−線より短波長で
ある遠紫外線又はKrFレーザー波長で光吸収が多いた
め、これらより光吸収が相対的に少ないポリヒドロキシ
スチレン誘導体を使用した化学増幅型レジストが多く開
発されている。
【0004】化学増幅型レジストは放射線照射により酸
を発生する化合物(以下“酸発生剤”という)と基礎樹
脂からなる。化学増幅型レジストは基礎樹脂への酸の作
用により樹脂の溶解性が増加するか減少する。これらは
酸の作用により基礎樹脂の溶解度が増加するポジティブ
型レジストと溶解度が減少するネガティブ型レジストと
に分けられる。
を発生する化合物(以下“酸発生剤”という)と基礎樹
脂からなる。化学増幅型レジストは基礎樹脂への酸の作
用により樹脂の溶解性が増加するか減少する。これらは
酸の作用により基礎樹脂の溶解度が増加するポジティブ
型レジストと溶解度が減少するネガティブ型レジストと
に分けられる。
【0005】このようなレジストのうち、例えばポジテ
ィブ型レジストとしてはポリヒドロキシスチレンのヒド
ロキシ基を部分的にt−ブトキシカルボニルオキシ基で
保護させた樹脂を使用したレジスト(米国特許第4,4
91,628号)が知られており、ネガティブ型レジス
トとしてはポリヒドロキシスチレンと架橋剤としてヘキ
サメトキシメチルメラミンを使用したレジスト(Proc.
SPIE, 1466, 246, 1991 )が知られている。
ィブ型レジストとしてはポリヒドロキシスチレンのヒド
ロキシ基を部分的にt−ブトキシカルボニルオキシ基で
保護させた樹脂を使用したレジスト(米国特許第4,4
91,628号)が知られており、ネガティブ型レジス
トとしてはポリヒドロキシスチレンと架橋剤としてヘキ
サメトキシメチルメラミンを使用したレジスト(Proc.
SPIE, 1466, 246, 1991 )が知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ポ
ジティブ型レジストの場合、大気中のアミン成分により
現像したパターン形状がT−形に現れる欠点があり、ネ
ガティブ型レジストの場合、架橋時、副生成物として生
成されるメタノールの離脱によりパターンの容積変化が
あるという欠点がある。
ジティブ型レジストの場合、大気中のアミン成分により
現像したパターン形状がT−形に現れる欠点があり、ネ
ガティブ型レジストの場合、架橋時、副生成物として生
成されるメタノールの離脱によりパターンの容積変化が
あるという欠点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では前記欠点を解
決するために、新たなフォトレジスト製造用重合体を研
究して、アセタール基で置換された芳香族ヒドロキシ化
合物又は重合体を開発することに至った。これら芳香族
ヒドロキシ化合物又は重合体から得られたネガティブ型
フォトレジスト組成物はパターン形成時にパターンの容
積変化が少なく、高感度、高解像性を得ることができ、
これらフォトレジスト材料は遠紫外線又はエクサイマー
レーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性に
優れる事実を見つけて本発明を完成した。
決するために、新たなフォトレジスト製造用重合体を研
究して、アセタール基で置換された芳香族ヒドロキシ化
合物又は重合体を開発することに至った。これら芳香族
ヒドロキシ化合物又は重合体から得られたネガティブ型
フォトレジスト組成物はパターン形成時にパターンの容
積変化が少なく、高感度、高解像性を得ることができ、
これらフォトレジスト材料は遠紫外線又はエクサイマー
レーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性に
優れる事実を見つけて本発明を完成した。
【0008】本発明の目的は芳香族ヒドロキシ化合物又
は重合体のヒドロキシの少なくとも一つの水素が次の一
般式(I)、(II)又は(III)のアセタール基で置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体を提供すること
である。
は重合体のヒドロキシの少なくとも一つの水素が次の一
般式(I)、(II)又は(III)のアセタール基で置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体を提供すること
である。
【0009】
【化4】
【0010】前記式において、nは1〜6の整数であ
り、R1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、R2 とR3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
り、R1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、R2 とR3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
【0011】本発明の他の目的はアルカリ可溶性樹脂、
前記芳香族ヒドロキシ化合物、及び露光時に酸を発生す
る感光性化合物からなるネガティブ型フォトレジスト組
成物を提供することである。
前記芳香族ヒドロキシ化合物、及び露光時に酸を発生す
る感光性化合物からなるネガティブ型フォトレジスト組
成物を提供することである。
【0012】本発明のさらに他の目的は前記芳香族ヒド
ロキシ重合体及び露光時に酸を発生する感光性化合物か
らなるネガティブ型フォトレジスト組成物を提供するこ
とである。
ロキシ重合体及び露光時に酸を発生する感光性化合物か
らなるネガティブ型フォトレジスト組成物を提供するこ
とである。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明は下記一般式(I)、(I
I)又は(III)で表示されるアセタール基を芳香族ヒド
ロキシ化合物のヒドロキシ官能基の少なくとも一つの水
素原子と置換させて化学増幅型のネガティブ型レジスト
組成物を得ることができる、アセタール基により置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物(一般式(IV)の化合物)
又は重合体(一般式(V)の化合物)からなる。
I)又は(III)で表示されるアセタール基を芳香族ヒド
ロキシ化合物のヒドロキシ官能基の少なくとも一つの水
素原子と置換させて化学増幅型のネガティブ型レジスト
組成物を得ることができる、アセタール基により置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物(一般式(IV)の化合物)
又は重合体(一般式(V)の化合物)からなる。
【0014】
【化5】
【0015】前記式において、nは1〜6の整数であ
り、R1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、R2 とR3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
り、R1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、R2 とR3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
【0016】
【化6】
【0017】前記式において、aは0〜5であり、bは
2〜4であり、R1 とR2 はそれぞれ独立的に水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はハロゲ
ン基であり、R3 とR4 はそれぞれ独立的に水素原子、
アルキル基又はフェニル基であり、R5 は炭素原子、ア
ルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基、フェ
ニル基が包含されたアルキル基であり、R6 の少なくと
も一つが前記一般式(I)、(II)又は(III)のアセタ
ール基であり、残りが水素原子である。
2〜4であり、R1 とR2 はそれぞれ独立的に水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はハロゲ
ン基であり、R3 とR4 はそれぞれ独立的に水素原子、
アルキル基又はフェニル基であり、R5 は炭素原子、ア
ルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基、フェ
ニル基が包含されたアルキル基であり、R6 の少なくと
も一つが前記一般式(I)、(II)又は(III)のアセタ
ール基であり、残りが水素原子である。
【0018】
【化7】
【0019】前記式において、l+mは1であり、R1
は水素原子又はメチル基であり、R 2 は前記一般式
(I)、(II)又は(III)のアセタール基である。
は水素原子又はメチル基であり、R 2 は前記一般式
(I)、(II)又は(III)のアセタール基である。
【0020】前記芳香族ヒドロキシ化合物の場合、フェ
ノール誘導体である化合物としてはヒドロキシ基が二つ
以上である化合物が適切である。単分子化合物として
は、例として説明すると、次の式(VI)の芳香族ヒドロ
キシ化合物が挙げられ、反面、高分子化合物としては次
の一般式(VII)のアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、好ま
しくはポリヒドロキシスチレンとノボラック樹脂であ
る。
ノール誘導体である化合物としてはヒドロキシ基が二つ
以上である化合物が適切である。単分子化合物として
は、例として説明すると、次の式(VI)の芳香族ヒドロ
キシ化合物が挙げられ、反面、高分子化合物としては次
の一般式(VII)のアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、好ま
しくはポリヒドロキシスチレンとノボラック樹脂であ
る。
【0021】
【化8】
【0022】前記式(VI)において、aは0〜5であ
り、bは2〜4であり、R1 とR2 はそれぞれ独立的に
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又は
ハロゲン基であり、R3 とR4 はそれぞれ独立的に水素
原子、アルキル基又はフェニル基であり、R5 は炭素原
子、アルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基
又はフェニル基が包含されたアルキル基である。
り、bは2〜4であり、R1 とR2 はそれぞれ独立的に
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又は
ハロゲン基であり、R3 とR4 はそれぞれ独立的に水素
原子、アルキル基又はフェニル基であり、R5 は炭素原
子、アルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基
又はフェニル基が包含されたアルキル基である。
【0023】
【化9】
【0024】前記式(VII)において、l+mは1であ
り、R1 は水素原子又はメチル基である。
り、R1 は水素原子又はメチル基である。
【0025】アルカリ可溶性樹脂のヒドロキシ基にアセ
タール基を置換させる場合、1〜99モル%の置換が可
能であるが、前記一般式(I)、(II)又は(III)で表
示されるアセタール基が5〜40モル%置換された樹脂
が適し、これより多く置換される場合、非露光部位のア
ルカリ水溶液に対する溶解度が低下する欠点がある。し
かし、この場合にも芳香族ヒドロキシ化合物自体を添加
剤として使用するとこのような欠点を補完し得る。
タール基を置換させる場合、1〜99モル%の置換が可
能であるが、前記一般式(I)、(II)又は(III)で表
示されるアセタール基が5〜40モル%置換された樹脂
が適し、これより多く置換される場合、非露光部位のア
ルカリ水溶液に対する溶解度が低下する欠点がある。し
かし、この場合にも芳香族ヒドロキシ化合物自体を添加
剤として使用するとこのような欠点を補完し得る。
【0026】一般式(VI)で表示される単分子芳香族ヒ
ドロキシ化合物の場合は、一般にヒドロキシ基の水素を
全て前記一般式(I)、(II)又は(III)で表示される
化合物で置換させて使用するが、場合によっては部分的
に置換させて使用することもできる。部分的に置換させ
て使用すると、レジストの保管安定性が増加し、非露光
部位の塩基性水溶液に対する溶解度が増加する利点があ
る。
ドロキシ化合物の場合は、一般にヒドロキシ基の水素を
全て前記一般式(I)、(II)又は(III)で表示される
化合物で置換させて使用するが、場合によっては部分的
に置換させて使用することもできる。部分的に置換させ
て使用すると、レジストの保管安定性が増加し、非露光
部位の塩基性水溶液に対する溶解度が増加する利点があ
る。
【0027】芳香族ヒドロキシ化合物に前記一般式
(I)、(II)又は(III)で表示される化合物を置換さ
せる反応は、塩基性化合物の存在下でアセタールの包含
されたアルキルハライド化合物との置換反応により易し
く行われる。塩基性化合物としては一般に使用する水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド、3価アミン等を
使用し得る。反応溶媒としてはアルコール類、アセトニ
トリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
反応温度は使用する塩基性触媒によって多少の差はある
が60〜150℃が適切である。この反応は例えば下記
式のように表示し得る。
(I)、(II)又は(III)で表示される化合物を置換さ
せる反応は、塩基性化合物の存在下でアセタールの包含
されたアルキルハライド化合物との置換反応により易し
く行われる。塩基性化合物としては一般に使用する水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド、3価アミン等を
使用し得る。反応溶媒としてはアルコール類、アセトニ
トリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
反応温度は使用する塩基性触媒によって多少の差はある
が60〜150℃が適切である。この反応は例えば下記
式のように表示し得る。
【0028】
【化10】
【0029】フォトレジストの調剤時、これら化合物は
酸発生剤と塩基性水溶液に溶解される基礎樹脂に前記一
般式(I)、(II)又は(III)で表示される官能基で置
換させた樹脂とを主要構成成分とする2成分系レジスト
で調剤し得る。場合によっては、このレジストに、非露
光部位のアルカリ水溶液に対する溶解度を増加させるた
め、添加剤として芳香族ヒドロキシ化合物を使用し得
る。芳香族ヒドロキシ化合物からなる添加剤としては、
アルカリ水溶液に溶解されるポリマー樹脂及び単分子芳
香族ヒドロキシ化合物のいずれかを使用してもかまわな
い。これら添加剤の使用量は基礎樹脂100重量部に対
して5〜50重量部の量であることが適切である。前記
各樹脂成分はポリスチレン換算平均分子量で約1,00
0〜1,000,000範囲のものが使用できるが、
2,000〜30,000範囲の分子量が好ましい。
酸発生剤と塩基性水溶液に溶解される基礎樹脂に前記一
般式(I)、(II)又は(III)で表示される官能基で置
換させた樹脂とを主要構成成分とする2成分系レジスト
で調剤し得る。場合によっては、このレジストに、非露
光部位のアルカリ水溶液に対する溶解度を増加させるた
め、添加剤として芳香族ヒドロキシ化合物を使用し得
る。芳香族ヒドロキシ化合物からなる添加剤としては、
アルカリ水溶液に溶解されるポリマー樹脂及び単分子芳
香族ヒドロキシ化合物のいずれかを使用してもかまわな
い。これら添加剤の使用量は基礎樹脂100重量部に対
して5〜50重量部の量であることが適切である。前記
各樹脂成分はポリスチレン換算平均分子量で約1,00
0〜1,000,000範囲のものが使用できるが、
2,000〜30,000範囲の分子量が好ましい。
【0030】単分子芳香族ヒドロキシ化合物に前記一般
式(I)、(II)又は(III)で表示されるアセタール基
を置換させた化合物は基礎樹脂としてポリヒドロキシス
チレン又はノボラック樹脂を使用して酸発生剤とともに
3成分系レジストに調剤し得る。この際に、置換させた
芳香族ヒドロキシ化合物の使用量は基礎樹脂100重量
部に対して10〜40重量部の量であることが適切であ
る。前記ポリヒドロキシスチレン又はノボラック樹脂成
分のポリスチレン換算平均分子量は約1,000〜1,
000,000範囲である。
式(I)、(II)又は(III)で表示されるアセタール基
を置換させた化合物は基礎樹脂としてポリヒドロキシス
チレン又はノボラック樹脂を使用して酸発生剤とともに
3成分系レジストに調剤し得る。この際に、置換させた
芳香族ヒドロキシ化合物の使用量は基礎樹脂100重量
部に対して10〜40重量部の量であることが適切であ
る。前記ポリヒドロキシスチレン又はノボラック樹脂成
分のポリスチレン換算平均分子量は約1,000〜1,
000,000範囲である。
【0031】本発明の組成物に使用される酸発生剤とし
ては一般に知られたものを使用でき、特に制限されるも
のではない。具体例を挙げると、ビス(シクロヘキシル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフ
ェニルスルホニル)ジアゾメタン、ジフェニルヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート(トリフレート)、
(4−アルコキシフェニル)フェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、(4−アルコキシフェニ
ル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘ
キサフルオロホスフェート、ビス(4−t−ブチルフェ
ニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビ
ス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ
フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、(4−アルコキシフェニル)フェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、(4−アルコキシフェ
ニル)フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−メチル
フェニル)フェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリス(4−メチルフェニル)スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、(4−t−ブチル
フェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェ
ニル]スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフ
ェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
ては一般に知られたものを使用でき、特に制限されるも
のではない。具体例を挙げると、ビス(シクロヘキシル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフ
ェニルスルホニル)ジアゾメタン、ジフェニルヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート(トリフレート)、
(4−アルコキシフェニル)フェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、(4−アルコキシフェニ
ル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘ
キサフルオロホスフェート、ビス(4−t−ブチルフェ
ニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビ
ス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ
フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、(4−アルコキシフェニル)フェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、(4−アルコキシフェ
ニル)フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−メチル
フェニル)フェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリス(4−メチルフェニル)スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、(4−t−ブチル
フェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェ
ニル]スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフ
ェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【0032】前記酸発生剤の組成比は樹脂成分100重
量部に対して0.5〜15重量部、好ましくは1〜5重
量部である。酸発生剤の量が少なければ架橋反応が不十
分に進行され、多ければ酸拡散により微細パターンを得
ることができない。
量部に対して0.5〜15重量部、好ましくは1〜5重
量部である。酸発生剤の量が少なければ架橋反応が不十
分に進行され、多ければ酸拡散により微細パターンを得
ることができない。
【0033】本発明のレジスト組成物には、酸の拡散を
阻止させるために、塩基性成分を添加し得る。塩基性成
分としてはアミン類、アンモニウムヒドロキシド類、ス
ルホニウムヒドロキシド類等のいずれの塩基を使用して
もかまわない。塩基性成分の使用量はレジスト組成物に
使用した酸発生剤に対して1〜99モル%であり、好ま
しくは20〜50モル%である。
阻止させるために、塩基性成分を添加し得る。塩基性成
分としてはアミン類、アンモニウムヒドロキシド類、ス
ルホニウムヒドロキシド類等のいずれの塩基を使用して
もかまわない。塩基性成分の使用量はレジスト組成物に
使用した酸発生剤に対して1〜99モル%であり、好ま
しくは20〜50モル%である。
【0034】本発明のレジスト組成物を使用時には前記
成分を溶媒に溶かして溶液状態で使用することがよい。
このような溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、
2−ヘキサノン、メチルイソアミルケトン、エチレング
リコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、プロピレングリコールエチルアセテート、メチルラ
クテート、エチルラクテート、プロピルラクテート、メ
チルホルメート、エチルホルメート、エチルヒドロキシ
アセテート、エチル2−ヒドロキシ−2−メチルプロピ
オネート、メチル3−メトキシ−2−メチルプロピオネ
ート、メチル2−ヒドロキシ−3−メチルブチレート、
エチルメトキシアセテート、エチルエトキシアセテー
ト、メチル3−エトキシプロピオネート、3−メトキシ
ブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、トルエン、キシレン、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル
ピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン等が挙げられる。
これら溶媒は単独又は2種以上を混合して使用し得る。
成分を溶媒に溶かして溶液状態で使用することがよい。
このような溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、
2−ヘキサノン、メチルイソアミルケトン、エチレング
リコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、プロピレングリコールエチルアセテート、メチルラ
クテート、エチルラクテート、プロピルラクテート、メ
チルホルメート、エチルホルメート、エチルヒドロキシ
アセテート、エチル2−ヒドロキシ−2−メチルプロピ
オネート、メチル3−メトキシ−2−メチルプロピオネ
ート、メチル2−ヒドロキシ−3−メチルブチレート、
エチルメトキシアセテート、エチルエトキシアセテー
ト、メチル3−エトキシプロピオネート、3−メトキシ
ブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、トルエン、キシレン、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル
ピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン等が挙げられる。
これら溶媒は単独又は2種以上を混合して使用し得る。
【0035】本発明のレジスト組成物は必要によって添
加剤を使用することもできる。例えば、停滞波(Standi
ng wave )を減少させるためのベンゾフェノン類、性能
を改良するための追加の樹脂、安定剤、可塑剤、界面活
性剤、着色剤等である。
加剤を使用することもできる。例えば、停滞波(Standi
ng wave )を減少させるためのベンゾフェノン類、性能
を改良するための追加の樹脂、安定剤、可塑剤、界面活
性剤、着色剤等である。
【0036】パターン形成方法において、前記組成物か
ら調剤したレジスト溶液を回転塗布、ロール塗布、柔軟
塗布等の適切な方法によりシリコンウェーハ基板上に塗
布することでレジスト膜を形成させ、場合によってはプ
レベーキングを行った後、所望パターンを形成するよう
にKrFエクサイマーレーザー光を所定マスクを介して
露光する。レジスト膜の見掛け感度を向上させるため、
露光後にベーキングを行うことが好ましい。現像液は、
例えば2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドのような弱アルカリ性水溶液を使用して現像処理す
る。
ら調剤したレジスト溶液を回転塗布、ロール塗布、柔軟
塗布等の適切な方法によりシリコンウェーハ基板上に塗
布することでレジスト膜を形成させ、場合によってはプ
レベーキングを行った後、所望パターンを形成するよう
にKrFエクサイマーレーザー光を所定マスクを介して
露光する。レジスト膜の見掛け感度を向上させるため、
露光後にベーキングを行うことが好ましい。現像液は、
例えば2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドのような弱アルカリ性水溶液を使用して現像処理す
る。
【0037】以下、本発明を次の合成例と実施例に従っ
てより詳細に説明する。しかし、本発明はこれら実施例
により制限されるものではない。
てより詳細に説明する。しかし、本発明はこれら実施例
により制限されるものではない。
【0038】[合成例1] アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物
(IV)の製造 トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン26.8gを
フラスコに入れ、180mlのアセトニトリルで溶かした
後、126mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(25%水溶液)を添加する。この溶液に2−(2−ブ
ロモエチル)−[1,3]−ジオキサン39.4mlを添
加し、80℃に昇温させた後、10時間攪拌する。この
反応混合物をエチルアセテート250mlで希釈させた
後、5%の水酸化ナトリウム水溶液300mlと塩水30
0mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少
量存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶
媒を除去して残った反応物をメタノールで結晶化する
と、白色粉末である1,1,1−トリス−[4−(2−
[1,3]−ジオキサン−2−イルエトキシ)フェニ
ル]エタン46g(mp=101℃)を得た。
(IV)の製造 トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン26.8gを
フラスコに入れ、180mlのアセトニトリルで溶かした
後、126mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(25%水溶液)を添加する。この溶液に2−(2−ブ
ロモエチル)−[1,3]−ジオキサン39.4mlを添
加し、80℃に昇温させた後、10時間攪拌する。この
反応混合物をエチルアセテート250mlで希釈させた
後、5%の水酸化ナトリウム水溶液300mlと塩水30
0mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少
量存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶
媒を除去して残った反応物をメタノールで結晶化する
と、白色粉末である1,1,1−トリス−[4−(2−
[1,3]−ジオキサン−2−イルエトキシ)フェニ
ル]エタン46g(mp=101℃)を得た。
【0039】
【化11】
【0040】[合成例2] アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物
(IV)の製造 トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン22.7gを
フラスコに入れ、150mlのアセトニトリルで溶かした
後、106mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(25%水溶液)を添加する。この溶液に2−(2−ブ
ロモエチル)−[1,3]−ジオキソラン28.7mlを
添加し、80℃に昇温させた後、10時間攪拌する。こ
の反応混合物をエチルアセテート200mlで希釈させた
後、5%水酸化ナトリウム水溶液300mlと塩水300
mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少量
存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶媒
を除去し、それ以上の精製過程を施行しなかった。その
結果、粘性が非常に強い1,1,1−トリス−[4−
(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イルエトキシ)
フェニル]エタン40gを得た。
(IV)の製造 トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン22.7gを
フラスコに入れ、150mlのアセトニトリルで溶かした
後、106mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(25%水溶液)を添加する。この溶液に2−(2−ブ
ロモエチル)−[1,3]−ジオキソラン28.7mlを
添加し、80℃に昇温させた後、10時間攪拌する。こ
の反応混合物をエチルアセテート200mlで希釈させた
後、5%水酸化ナトリウム水溶液300mlと塩水300
mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少量
存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶媒
を除去し、それ以上の精製過程を施行しなかった。その
結果、粘性が非常に強い1,1,1−トリス−[4−
(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イルエトキシ)
フェニル]エタン40gを得た。
【0041】
【化12】
【0042】[合成例3]合成例2においてトリス(4
−ヒドロキシフェニル)エタン22.7gの代わりにビ
スフェノールA28.1gを使用し、2−(2−ブロモ
エチル)−[1,3]−ジオキソランの使用量を28.
7mlの代わりに32.0mlとしたことを除き合成例2と
同様な方法で施行した結果、48gの2,2−ビス[4
−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イルエトキ
シ)フェニル]イソプロピレンを得た。
−ヒドロキシフェニル)エタン22.7gの代わりにビ
スフェノールA28.1gを使用し、2−(2−ブロモ
エチル)−[1,3]−ジオキソランの使用量を28.
7mlの代わりに32.0mlとしたことを除き合成例2と
同様な方法で施行した結果、48gの2,2−ビス[4
−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イルエトキ
シ)フェニル]イソプロピレンを得た。
【化13】
【0043】[合成例4]合成例2においてトリス(4
−ヒドロキシフェニル)エタン22.7gの代わりにト
リス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン2
6.3gを使用し、2−(2−ブロモエチル)−[1,
3]−ジオキソランの使用量を28.7mlの代わりに2
9.3mlとしたことを除き合成例2と同様な方法で施行
した結果、43gの1,1,1−トリス[4−(2−
[1,3]−ジオキソラン−2−イルエトキシ)−3−
メチルフェニル]エタンを得た。
−ヒドロキシフェニル)エタン22.7gの代わりにト
リス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン2
6.3gを使用し、2−(2−ブロモエチル)−[1,
3]−ジオキソランの使用量を28.7mlの代わりに2
9.3mlとしたことを除き合成例2と同様な方法で施行
した結果、43gの1,1,1−トリス[4−(2−
[1,3]−ジオキソラン−2−イルエトキシ)−3−
メチルフェニル]エタンを得た。
【0044】
【化14】
【0045】[合成例5] アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ重合体
(V)の製造 ポリヒドロキシスチレン(ポリスチレン標準換算分子量
5,300)22.8gをフラスコに入れ、280mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水140mlを添加する。
この混合溶液に2−(2−ブロモエチル)−1,3−ジ
オキサン5.8mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド12ml(25%水溶液)を添加し、80℃に昇温し
て15時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、2gの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、70mlのエチルアセテートに溶かした後、過量
のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈澱
を濾過し乾燥すると、約9%[1H NMRで分析1H
NMR(Acetone-d 6):6.2〜6.8ppm でピー
クを現すフェニル基の水素原子と4.8ppm でピークを
現すアセタール基の水素原子とを比較して算出]がアセ
タール誘導体で置換された樹脂(A)21gを得ること
ができる。
(V)の製造 ポリヒドロキシスチレン(ポリスチレン標準換算分子量
5,300)22.8gをフラスコに入れ、280mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水140mlを添加する。
この混合溶液に2−(2−ブロモエチル)−1,3−ジ
オキサン5.8mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド12ml(25%水溶液)を添加し、80℃に昇温し
て15時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、2gの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、70mlのエチルアセテートに溶かした後、過量
のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈澱
を濾過し乾燥すると、約9%[1H NMRで分析1H
NMR(Acetone-d 6):6.2〜6.8ppm でピー
クを現すフェニル基の水素原子と4.8ppm でピークを
現すアセタール基の水素原子とを比較して算出]がアセ
タール誘導体で置換された樹脂(A)21gを得ること
ができる。
【0046】[合成例6] アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ重合体
(V)の製造 ポリヒドロキシスチレン(ポリスチレン標準換算分子量
5,300)44.2gをフラスコに入れ、550mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水270mlを添加する。
この混合溶液に2−(2−ブロモエチル)−1,3−ジ
オキサン15mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド31ml(25%水溶液)を添加し、80℃に昇温して
15時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、4gの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、150mlのエチルアセテートに溶かした後、過
量のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈
澱を濾過し乾燥すると、約15%[1H NMRで分
析]がアセタル誘導体で置換された樹脂(B)46gを
得ることができる。
(V)の製造 ポリヒドロキシスチレン(ポリスチレン標準換算分子量
5,300)44.2gをフラスコに入れ、550mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水270mlを添加する。
この混合溶液に2−(2−ブロモエチル)−1,3−ジ
オキサン15mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド31ml(25%水溶液)を添加し、80℃に昇温して
15時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、4gの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、150mlのエチルアセテートに溶かした後、過
量のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈
澱を濾過し乾燥すると、約15%[1H NMRで分
析]がアセタル誘導体で置換された樹脂(B)46gを
得ることができる。
【0047】[合成例7] アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ重合体
(V)の製造 ポリヒドロキシスチレン(ポリスチレン標準換算分子量
5,300)26.5gをフラスコに入れ、330mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水160mlを添加する。
この混合溶液に2−(2−ブロモエチル)−1,3−ジ
オキサン11mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド23ml(25%水溶液)を添加し、80℃に昇温して
15時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、3gの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し乾燥する
と、約19%[1H NMRで分析]がアセタール誘導
体で置換された樹脂(C)29gを得ることができる。
(V)の製造 ポリヒドロキシスチレン(ポリスチレン標準換算分子量
5,300)26.5gをフラスコに入れ、330mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水160mlを添加する。
この混合溶液に2−(2−ブロモエチル)−1,3−ジ
オキサン11mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド23ml(25%水溶液)を添加し、80℃に昇温して
15時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、3gの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し乾燥する
と、約19%[1H NMRで分析]がアセタール誘導
体で置換された樹脂(C)29gを得ることができる。
【0048】[実施例1]標準ポリスチレン換算平均分
子量が5,300であるポリヒドロキシスチレン100
重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1−トリ
ス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イル
エトキシ)フェニル]エタン30重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート2.2重量部をエチルラクテ
ート370重量部に溶解させた。結果物である溶液を
0.1μmテフロンフィルタで濾過してレジスト溶液を
調剤した。このように得たレジスト溶液をスピーナを使
用してシリコンウェーハに塗布し、90℃で90秒間乾
燥させて1.0μm厚さのレジスト皮膜を得た。この皮
膜に248nmKrFエクサイマーレーザーステッパを使
用してパターンクロムマスクを介して露光させた後、ウ
ェーハを140℃で30秒間加熱する。その後、2.3
8重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で60秒間現像し、脱イオン水(deionized water )で
洗浄し、乾燥してレジストパターンを得た。露光量60
mJ/cm2で良好な断面形0.4μmのライン/スペースネ
ガティブパターンを得た。
子量が5,300であるポリヒドロキシスチレン100
重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1−トリ
ス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イル
エトキシ)フェニル]エタン30重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート2.2重量部をエチルラクテ
ート370重量部に溶解させた。結果物である溶液を
0.1μmテフロンフィルタで濾過してレジスト溶液を
調剤した。このように得たレジスト溶液をスピーナを使
用してシリコンウェーハに塗布し、90℃で90秒間乾
燥させて1.0μm厚さのレジスト皮膜を得た。この皮
膜に248nmKrFエクサイマーレーザーステッパを使
用してパターンクロムマスクを介して露光させた後、ウ
ェーハを140℃で30秒間加熱する。その後、2.3
8重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で60秒間現像し、脱イオン水(deionized water )で
洗浄し、乾燥してレジストパターンを得た。露光量60
mJ/cm2で良好な断面形0.4μmのライン/スペースネ
ガティブパターンを得た。
【0049】[実施例2]ポリヒドロキシスチレン10
0重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1−ト
リス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イ
ルエトキシ)フェニル]エタン30重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート3.1重量部、1.0重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液18重
量部をエチルラクテート372重量部に溶解させて実施
例1と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
20mJ/cm2で良好な断面形0.25μmのライン/スペ
ースネガティブパターンを得た。
0重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1−ト
リス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イ
ルエトキシ)フェニル]エタン30重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート3.1重量部、1.0重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液18重
量部をエチルラクテート372重量部に溶解させて実施
例1と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
20mJ/cm2で良好な断面形0.25μmのライン/スペ
ースネガティブパターンを得た。
【0050】[実施例3]ポリヒドロキシスチレン10
0重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1−ト
リス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−イル
エトキシ)フェニル]エタン25重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート2.0重量部をエチルラクテ
ート356重量部に溶解させてレジスト溶液を製造して
使用し、露光後にウェーハを130℃で60秒間加熱し
たことを除き実施例1と同様に行った。パターンを観察
した結果、露光量60mJ/cm2で良好な断面形0.4μm
のライン/スペースネガティブパターンを得た。
0重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1−ト
リス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−イル
エトキシ)フェニル]エタン25重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート2.0重量部をエチルラクテ
ート356重量部に溶解させてレジスト溶液を製造して
使用し、露光後にウェーハを130℃で60秒間加熱し
たことを除き実施例1と同様に行った。パターンを観察
した結果、露光量60mJ/cm2で良好な断面形0.4μm
のライン/スペースネガティブパターンを得た。
【0051】[実施例4]ポリヒドロキシスチレン10
0重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1−ト
リス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−イル
エトキシ)フェニル]エタン25重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート2.8重量部、1.0重量%
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液16重量
部をエチルラクテート358重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造し、露光後にウェーハを130℃で60秒
間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パター
ンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面形
0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを得
た。
0重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1−ト
リス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−イル
エトキシ)フェニル]エタン25重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート2.8重量部、1.0重量%
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液16重量
部をエチルラクテート358重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造し、露光後にウェーハを130℃で60秒
間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パター
ンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面形
0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを得
た。
【0052】[実施例5]合成例5で得たアセタール誘
導体で置換された樹脂(A)100重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエ
チルラクテート286重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを140℃で60
秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量80mJ/cm2で断面形0.5
μmのライン/スペースネガティブパターンを得た。
導体で置換された樹脂(A)100重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエ
チルラクテート286重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを140℃で60
秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量80mJ/cm2で断面形0.5
μmのライン/スペースネガティブパターンを得た。
【0053】[実施例6]合成例5で得た樹脂(A)1
00重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1−
トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−イ
ルエトキシ)フェニル]エタン20重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液16重
量部をエチルラクテート344重量部に溶解させてレジ
スト溶液を製造し、露光後にウェーハを140℃で90
秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量60mJ/cm2で良好な断面形
0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを得
た。
00重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1−
トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−イ
ルエトキシ)フェニル]エタン20重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液16重
量部をエチルラクテート344重量部に溶解させてレジ
スト溶液を製造し、露光後にウェーハを140℃で90
秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量60mJ/cm2で良好な断面形
0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを得
た。
【0054】[実施例7]合成例5で得た樹脂(A)1
00重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1−
トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン20重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液18
重量部をエチルラクテート344重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを140℃で6
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量20mJ/cm2で良好な断面
形0.22μmのライン/スペースネガティブパターン
を得た。
00重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1−
トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン20重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液18
重量部をエチルラクテート344重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを140℃で6
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量20mJ/cm2で良好な断面
形0.22μmのライン/スペースネガティブパターン
を得た。
【0055】[実施例8]合成例6で得たアセタール誘
導体で置換された樹脂(B)100重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエ
チルラクテート286重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを130℃で60
秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量60mJ/cm2で断面形0.5
μmのライン/スペースネガティブパターンを得た。
導体で置換された樹脂(B)100重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエ
チルラクテート286重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを130℃で60
秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量60mJ/cm2で断面形0.5
μmのライン/スペースネガティブパターンを得た。
【0056】[実施例9]合成例6で得た樹脂(B)1
00重量部に対して、トリフェニルスルホニウムトリフ
レート3.0重量部、1.0重量%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液14重量部をエチルラクテー
ト288重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露
光後にウェーハを140℃で90秒間加熱したことを除
き実施例1と同様に行った。パターンを観察した結果、
露光量60mJ/cm2で良好な断面形0.45μmのライン
/スペースネガティブパターンを得た。
00重量部に対して、トリフェニルスルホニウムトリフ
レート3.0重量部、1.0重量%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液14重量部をエチルラクテー
ト288重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露
光後にウェーハを140℃で90秒間加熱したことを除
き実施例1と同様に行った。パターンを観察した結果、
露光量60mJ/cm2で良好な断面形0.45μmのライン
/スペースネガティブパターンを得た。
【0057】[実施例10]合成例6で得た樹脂(B)
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン15重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエチル
ラクテート328重量部に溶解させてレジスト溶液を製
造し、露光後にウェーハを130℃で90秒間加熱した
ことを除き実施例1と同様に行った。パターンを観察し
た結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面形0.3μmの
ライン/スペースネガティブパターンを得た。
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン15重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエチル
ラクテート328重量部に溶解させてレジスト溶液を製
造し、露光後にウェーハを130℃で90秒間加熱した
ことを除き実施例1と同様に行った。パターンを観察し
た結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面形0.3μmの
ライン/スペースネガティブパターンを得た。
【0058】[実施例11]合成例6で得た樹脂(B)
100重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン15重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液18
重量部をエチルラクテート330重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを130℃で9
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面
形0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを
得た。
100重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン15重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液18
重量部をエチルラクテート330重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを130℃で9
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面
形0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを
得た。
【0059】[実施例12]合成例6で得た樹脂(B)
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン15重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0
重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液1
6重量部をエチルラクテート330重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハ を140℃
で90秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量35mJ/cm2で良好
な断面形0.25μmのライン/スペースネガティブパ
ターンを得た。
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン15重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0
重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液1
6重量部をエチルラクテート330重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハ を140℃
で90秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量35mJ/cm2で良好
な断面形0.25μmのライン/スペースネガティブパ
ターンを得た。
【0060】[実施例13]合成例7で得たアセタール
誘導体で置換された樹脂(C)100重量部に対して、
トリフェニルスルホニウムトリフレート1.5重量部を
エチルラクテート284重量部に溶解させてレジスト溶
液を製造して使用し、露光後にウェーハを130℃で4
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量80mJ/cm2で断面形0.
5μmのライン/スペースネガティブパターンを得た。
誘導体で置換された樹脂(C)100重量部に対して、
トリフェニルスルホニウムトリフレート1.5重量部を
エチルラクテート284重量部に溶解させてレジスト溶
液を製造して使用し、露光後にウェーハを130℃で4
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量80mJ/cm2で断面形0.
5μmのライン/スペースネガティブパターンを得た。
【0061】[実施例14]合成例7で得た樹脂(C)
100重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン10重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液13
重量部をエチルラクテート316重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを150℃で6
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面
形0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを
得た。
100重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン10重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液13
重量部をエチルラクテート316重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを150℃で6
0秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断面
形0.3μmのライン/スペースネガティブパターンを
得た。
【0062】[実施例15]合成例7で得た樹脂(C)
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン10重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0
重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液1
5重量部をエチルラクテート316重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを150℃で
60秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。
パターンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断
面形0.3μmのライン/スペースネガティブパターン
を得た。
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン10重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート3.0重量部、1.0
重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液1
5重量部をエチルラクテート316重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを150℃で
60秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行った。
パターンを観察した結果、露光量40mJ/cm2で良好な断
面形0.3μmのライン/スペースネガティブパターン
を得た。
【0063】[実施例16]合成例6で得た樹脂(B)
100重量部に対して、1,1,1−トリス(3−メチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)エタン20重量部、トリ
フェニルスルホニウムトリフレート2.2重量部、1.
0重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
16重量部をエチルラクテート342重量部に溶解させ
てレジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを140℃
で60秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量20mJ/cm2で良好
な断面形0.24μmのライン/スペースネガティブパ
ターンを得た。
100重量部に対して、1,1,1−トリス(3−メチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)エタン20重量部、トリ
フェニルスルホニウムトリフレート2.2重量部、1.
0重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
16重量部をエチルラクテート342重量部に溶解させ
てレジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを140℃
で60秒間加熱したことを除き実施例1と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量20mJ/cm2で良好
な断面形0.24μmのライン/スペースネガティブパ
ターンを得た。
【0064】[実施例17]合成例6で得た樹脂(B)
100重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン5重量部、1,1,1
−トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン10重量部、トリフェニルスルホニウムトリフレート
2.2重量部、1.0重量%テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液14重量部をエチルラクテート32
8重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露光後に
ウェーハを140℃で60秒間加熱したことを除き実施
例1と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
34mJ/cm2で良好な断面形0.22μmのライン/スペ
ースネガティブパターンを得た。
100重量部に対して、合成例1で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキサン−2−
イルエトキシ)フェニル]エタン5重量部、1,1,1
−トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン10重量部、トリフェニルスルホニウムトリフレート
2.2重量部、1.0重量%テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液14重量部をエチルラクテート32
8重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露光後に
ウェーハを140℃で60秒間加熱したことを除き実施
例1と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
34mJ/cm2で良好な断面形0.22μmのライン/スペ
ースネガティブパターンを得た。
【0065】[実施例18]合成例6で得た樹脂(B)
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン10重量部、1,
1,1−トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン10重量部、トリフェニルスルホニウムトリ
フレート2.2重量部、1.0重量%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液12重量部をエチルラクテ
ート342重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、
露光後にウェーハを140℃で60秒間加熱したことを
除き実施例1と同様に行った。パターンを観察した結
果、露光量20mJ/cm2で良好な断面形0.24μmのラ
イン/スペースネガティブパターンを得た。
100重量部に対して、合成例2で合成した1,1,1
−トリス−[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2
−イルエトキシ)フェニル]エタン10重量部、1,
1,1−トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン10重量部、トリフェニルスルホニウムトリ
フレート2.2重量部、1.0重量%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液12重量部をエチルラクテ
ート342重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、
露光後にウェーハを140℃で60秒間加熱したことを
除き実施例1と同様に行った。パターンを観察した結
果、露光量20mJ/cm2で良好な断面形0.24μmのラ
イン/スペースネガティブパターンを得た。
【0066】[実施例19]ポリヒドロキシスチレン1
00重量部に対して、合成例3で合成した2,2−ビス
[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イルエト
キシ)フェニル]イソプロピレン25重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエチルラ
クテート356重量部に溶解させてレジスト溶液を製造
して使用したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量60mJ/cm2で良好な断面形
0.35μmのネガティブパターンを得た。
00重量部に対して、合成例3で合成した2,2−ビス
[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イルエト
キシ)フェニル]イソプロピレン25重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート2.0重量部をエチルラ
クテート356重量部に溶解させてレジスト溶液を製造
して使用したことを除き実施例1と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量60mJ/cm2で良好な断面形
0.35μmのネガティブパターンを得た。
【0067】[実施例20]ポリヒドロキシスチレン1
00重量部に対して、合成例4で合成した1,1,1−
トリス[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イ
ルエトキシ)−3−メチルフェニル]エタン25重量
部、トリフェニルスルホニウムトリフレート2.0重量
部をエチルラクテート356重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造して使用したことを除き実施例1と同様に
行った。パターンを観察した結果、露光量70mJ/cm2で
良好な断面形の0.40μmのネガティブパターンを得
た。
00重量部に対して、合成例4で合成した1,1,1−
トリス[4−(2−[1,3]−ジオキソラン−2−イ
ルエトキシ)−3−メチルフェニル]エタン25重量
部、トリフェニルスルホニウムトリフレート2.0重量
部をエチルラクテート356重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造して使用したことを除き実施例1と同様に
行った。パターンを観察した結果、露光量70mJ/cm2で
良好な断面形の0.40μmのネガティブパターンを得
た。
【0068】[実施例21]実施例1で使用したトリフ
ェニルスルホニウムトリフレート2.2重量部の代わり
にトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート2.5重量部を使用したことを除き実施例1と同様
に行った。パターンを観察した結果、露光量60mJ/cm2
で良好な断面形の0.40μmのネガティブパターンを
得た。
ェニルスルホニウムトリフレート2.2重量部の代わり
にトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート2.5重量部を使用したことを除き実施例1と同様
に行った。パターンを観察した結果、露光量60mJ/cm2
で良好な断面形の0.40μmのネガティブパターンを
得た。
【0069】
【発明の効果】本発明によるアセタール基により置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれから得
られたネガティブ型フォトレジスト組成物はパターン形
成時に良好な断面を有し、遠紫外線又はエクサイマーレ
ーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後の貯蔵安定性に
優れる。
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれから得
られたネガティブ型フォトレジスト組成物はパターン形
成時に良好な断面を有し、遠紫外線又はエクサイマーレ
ーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後の貯蔵安定性に
優れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08F 12/22 C08F 12/22 C08L 25/18 C08L 25/18 61/06 61/06 G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 503 503A 7/023 511 7/023 511 7/038 601 7/038 601 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 キム ジ−ホン 大韓民国,タエジェオン,ユセオン−グ, シンセオン−ドン,タエリム トゥレ ア パート 101−306 (72)発明者 パーク スン−イ 大韓民国,タエジェオン,ユセオン−グ, ジェオンミン−ドン,チェオング ナール アパート 110−1301
Claims (9)
- 【請求項1】 次の一般式(I)、(II)又は(III)の
アセタール基を有する次の一般式(IV)の芳香族ヒドロ
キシ化合物。 【化1】 (前記式において、nは1〜6の整数であり、R1 はア
ルキル基、フェニル基又はベンジル基であり、R2 とR
3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基、フェニル
基又はベンジル基である。) 【化2】 (前記式において、aは0〜5であり、bは2〜4であ
り、R1 とR2 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、フェニル基又はハロゲン基であり、
R3 とR4 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基又
はフェニル基であり、R5 は炭素原子、アルキル基、ヒ
ドロキシ基が包含されたアルキル基、フェニル基が包含
されたアルキル基であり、R6 の少なくとも一つが前記
一般式(I)、(II)又は(III)のアセタール基であ
り、残りが水素原子である。) - 【請求項2】 反復単位が次の一般式(V)で表示され
る重合体。 【化3】 (前記式において、l+mは1であり、R1 は水素原子
又はメチル基であり、R 2 は請求項1の一般式(I)、
(II)又は(III)のアセタール基である。) - 【請求項3】 アルカリ可溶性樹脂、請求項1のアセタ
ール基で置換された一般式(IV)の芳香族ヒドロキシ化
合物及び酸発生剤からなるネガティブ型フォトレジスト
組成物。 - 【請求項4】 アルカリ可溶性樹脂がポリヒドロキシス
チレン又はノボラック樹脂であることを特徴とする請求
項3記載のネガティブ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項5】 酸発生剤がビス(シクロヘキシルスルホ
ニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェノー
ルスルホニル)ジアゾメタン、ピロガロールトリメシレ
ート、ビス(p−t−ブチルフェニル)ヨードニウムト
リフレート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、
ジフェニル(p−t−ブチルフェニル)スルホニウムト
リフレート、ジフェニル(4−メチルフェニル)スルホ
ニウムトリフレート、ジフェニル(4−メトキシフェニ
ル)スルホニウムトリフレート又はこれらの混合物であ
ることを特徴とする請求項3記載のネガティブ型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項6】 アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し
て酸発生剤が0.5〜15重量部の量で使用され、芳香
族ヒドロキシ化合物が10〜40重量部の量で使用され
ることを特徴とする請求項3記載のネガティブ型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項7】 反復単位が請求項2の一般式(V)で表
示される重合体及び酸発生剤からなるネガティブ型フォ
トレジスト組成物。 - 【請求項8】 酸発生剤がビス(シクロヘキシルスルホ
ニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェノー
ルスルホニル)ジアゾメタン、ピロガロールトリメシレ
ート、ビス(p−t−ブチルフェニル)ヨードニウムト
リフレート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、
ジフェニル(p−t−ブチルフェニル)スルホニウムト
リフレート、ジフェニル(4−メチルフェニル)スルホ
ニウムトリフレート、ジフェニル(4−メトキシフェニ
ル)スルホニウムトリフレート又はこれらの混合物であ
ることを特徴とする請求項7記載のネガティブ型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項9】 酸発生剤が重合体100重量部に対して
0.5〜15重量部の量で使用されることを特徴とする
請求項7記載のネガティブ型フォトレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960041436A KR100219303B1 (ko) | 1996-09-21 | 1996-09-21 | 아세탈기가 치환된 방향족 히드록시 화합물 및 이를 함유하는 네가티브형 포토레지스트 조성물 |
KR41436/1996 | 1996-09-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10182537A true JPH10182537A (ja) | 1998-07-07 |
JP2875239B2 JP2875239B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=19474720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9254773A Expired - Fee Related JP2875239B2 (ja) | 1996-09-21 | 1997-09-19 | アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5916995A (ja) |
JP (1) | JP2875239B2 (ja) |
KR (1) | KR100219303B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5916995A (en) * | 1996-09-21 | 1999-06-29 | Korea Kumho Petrochemical Co., Ltd. | Acetal-substituted aromatic hydroxy compounds and negative photoresist compositions comprising the same |
JP2002148805A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-05-22 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
WO2016013467A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂の製造方法、その製造方法によって製造された樹脂、及びその樹脂を含む樹脂組成物 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100359862B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법 |
JP3956089B2 (ja) * | 2000-08-08 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | アセタール化合物及びその製造方法 |
US6844270B2 (en) * | 2000-11-26 | 2005-01-18 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging |
KR20030035005A (ko) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 중합체 및포토레지스트 조성물 |
US7033735B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100219303B1 (ko) * | 1996-09-21 | 1999-09-01 | 박찬구 | 아세탈기가 치환된 방향족 히드록시 화합물 및 이를 함유하는 네가티브형 포토레지스트 조성물 |
-
1996
- 1996-09-21 KR KR1019960041436A patent/KR100219303B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-09-17 US US08/932,358 patent/US5916995A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-19 JP JP9254773A patent/JP2875239B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5916995A (en) * | 1996-09-21 | 1999-06-29 | Korea Kumho Petrochemical Co., Ltd. | Acetal-substituted aromatic hydroxy compounds and negative photoresist compositions comprising the same |
JP2002148805A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-05-22 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
WO2016013467A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂の製造方法、その製造方法によって製造された樹脂、及びその樹脂を含む樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2875239B2 (ja) | 1999-03-31 |
KR19980022330A (ko) | 1998-07-06 |
KR100219303B1 (ko) | 1999-09-01 |
US5916995A (en) | 1999-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11153863A (ja) | 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成法 | |
JP2001019799A (ja) | 熱架橋型光酸発生剤およびこれを用いたフォトレジスト | |
JP3456808B2 (ja) | ホトレジスト組成物 | |
JPH05281745A (ja) | 放射線感応性混合物及びレリーフ構造の製造方法 | |
JP2875239B2 (ja) | アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物 | |
JP2001055361A (ja) | フェニレンジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
JP2002328473A (ja) | ポジ型感放射線性組成物 | |
US6060212A (en) | 193 nm positive-working photoresist composition | |
US8871429B2 (en) | Fluorine-free fused ring heteroaromatic photoacid generators and resist compositions containing the same | |
JP4695577B2 (ja) | 感光性組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2003267949A (ja) | ピレンスルホン酸オニウム塩化合物、該化合物の製造方法、該化合物を用いた感光性樹脂組成物およびこれを用いた感光性材料。 | |
JPH06161112A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JPH0815863A (ja) | レジスト組成物 | |
JP4623260B2 (ja) | レジスト化合物および組成物 | |
JP3791953B2 (ja) | 新規フェノールスルホン酸エステルおよびその用途 | |
JPH08194308A (ja) | レジスト組成物 | |
JPH06194841A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH0829985A (ja) | レジスト組成物 | |
JPH07128858A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH08211613A (ja) | レジスト組成物 | |
JPH06118650A (ja) | レジスト組成物 | |
JPH06202334A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH0651518A (ja) | レジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |