JPH10182537A - アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な断面を有し、遠紫外線又はエクサイマ
ーレーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性
に優れたパターンを形成する、アセタール基により置換
された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガ
ティブ型フォトレジスト組成物を提供することである。 【解決手段】 本発明のアセタール基は次の一般式
（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される。 【化１】 （前記式において、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ1 はア
ルキル基、フェニル基又はベンジル基であり、Ｒ2 とＲ
3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基、フェニル
基又はベンジル基である。）
ーレーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性
に優れたパターンを形成する、アセタール基により置換
された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガ
ティブ型フォトレジスト組成物を提供することである。 【解決手段】 本発明のアセタール基は次の一般式
（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される。 【化１】 （前記式において、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ1 はア
ルキル基、フェニル基又はベンジル基であり、Ｒ2 とＲ
3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基、フェニル
基又はベンジル基である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアセタール基により
置換された芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれ
を含有するネガティブ型フォトレジスト組成物に関する
ものである。
置換された芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれ
を含有するネガティブ型フォトレジスト組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体素子の高集積度化が要求さ
れるにつれて、フォトリソグラフィー分野でもサブ−ミ
クロン領域又はクォーター−ミクロン領域の微細パター
ンが要求されている。これにより、露光波長も長波長で
あるｇ−線からｉ−線、遠紫外線、ＫｒＦレーザー、Ａ
ｒＦレーザー等の短波長に変換されている。
れるにつれて、フォトリソグラフィー分野でもサブ−ミ
クロン領域又はクォーター−ミクロン領域の微細パター
ンが要求されている。これにより、露光波長も長波長で
あるｇ−線からｉ−線、遠紫外線、ＫｒＦレーザー、Ａ
ｒＦレーザー等の短波長に変換されている。
【０００３】従来のｇ−線又はｉ−線に使用したノボラ
ック／キノンジアジド系レジストはｉ−線より短波長で
ある遠紫外線又はＫｒＦレーザー波長で光吸収が多いた
め、これらより光吸収が相対的に少ないポリヒドロキシ
スチレン誘導体を使用した化学増幅型レジストが多く開
発されている。
ック／キノンジアジド系レジストはｉ−線より短波長で
ある遠紫外線又はＫｒＦレーザー波長で光吸収が多いた
め、これらより光吸収が相対的に少ないポリヒドロキシ
スチレン誘導体を使用した化学増幅型レジストが多く開
発されている。
【０００４】化学増幅型レジストは放射線照射により酸
を発生する化合物（以下“酸発生剤”という）と基礎樹
脂からなる。化学増幅型レジストは基礎樹脂への酸の作
用により樹脂の溶解性が増加するか減少する。これらは
酸の作用により基礎樹脂の溶解度が増加するポジティブ
型レジストと溶解度が減少するネガティブ型レジストと
に分けられる。
を発生する化合物（以下“酸発生剤”という）と基礎樹
脂からなる。化学増幅型レジストは基礎樹脂への酸の作
用により樹脂の溶解性が増加するか減少する。これらは
酸の作用により基礎樹脂の溶解度が増加するポジティブ
型レジストと溶解度が減少するネガティブ型レジストと
に分けられる。
【０００５】このようなレジストのうち、例えばポジテ
ィブ型レジストとしてはポリヒドロキシスチレンのヒド
ロキシ基を部分的にｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で
保護させた樹脂を使用したレジスト（米国特許第４，４
９１，６２８号）が知られており、ネガティブ型レジス
トとしてはポリヒドロキシスチレンと架橋剤としてヘキ
サメトキシメチルメラミンを使用したレジスト（Proc.
SPIE, 1466, 246, 1991 ）が知られている。
ィブ型レジストとしてはポリヒドロキシスチレンのヒド
ロキシ基を部分的にｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で
保護させた樹脂を使用したレジスト（米国特許第４，４
９１，６２８号）が知られており、ネガティブ型レジス
トとしてはポリヒドロキシスチレンと架橋剤としてヘキ
サメトキシメチルメラミンを使用したレジスト（Proc.
SPIE, 1466, 246, 1991 ）が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ポ
ジティブ型レジストの場合、大気中のアミン成分により
現像したパターン形状がＴ−形に現れる欠点があり、ネ
ガティブ型レジストの場合、架橋時、副生成物として生
成されるメタノールの離脱によりパターンの容積変化が
あるという欠点がある。
ジティブ型レジストの場合、大気中のアミン成分により
現像したパターン形状がＴ−形に現れる欠点があり、ネ
ガティブ型レジストの場合、架橋時、副生成物として生
成されるメタノールの離脱によりパターンの容積変化が
あるという欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では前記欠点を解
決するために、新たなフォトレジスト製造用重合体を研
究して、アセタール基で置換された芳香族ヒドロキシ化
合物又は重合体を開発することに至った。これら芳香族
ヒドロキシ化合物又は重合体から得られたネガティブ型
フォトレジスト組成物はパターン形成時にパターンの容
積変化が少なく、高感度、高解像性を得ることができ、
これらフォトレジスト材料は遠紫外線又はエクサイマー
レーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性に
優れる事実を見つけて本発明を完成した。
決するために、新たなフォトレジスト製造用重合体を研
究して、アセタール基で置換された芳香族ヒドロキシ化
合物又は重合体を開発することに至った。これら芳香族
ヒドロキシ化合物又は重合体から得られたネガティブ型
フォトレジスト組成物はパターン形成時にパターンの容
積変化が少なく、高感度、高解像性を得ることができ、
これらフォトレジスト材料は遠紫外線又はエクサイマー
レーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後貯蔵安定性に
優れる事実を見つけて本発明を完成した。
【０００８】本発明の目的は芳香族ヒドロキシ化合物又
は重合体のヒドロキシの少なくとも一つの水素が次の一
般式（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタール基で置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体を提供すること
である。
は重合体のヒドロキシの少なくとも一つの水素が次の一
般式（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタール基で置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体を提供すること
である。
【０００９】
【化４】
【００１０】前記式において、ｎは１〜６の整数であ
り、Ｒ1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、Ｒ2 とＲ3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
り、Ｒ1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、Ｒ2 とＲ3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
【００１１】本発明の他の目的はアルカリ可溶性樹脂、
前記芳香族ヒドロキシ化合物、及び露光時に酸を発生す
る感光性化合物からなるネガティブ型フォトレジスト組
成物を提供することである。
前記芳香族ヒドロキシ化合物、及び露光時に酸を発生す
る感光性化合物からなるネガティブ型フォトレジスト組
成物を提供することである。
【００１２】本発明のさらに他の目的は前記芳香族ヒド
ロキシ重合体及び露光時に酸を発生する感光性化合物か
らなるネガティブ型フォトレジスト組成物を提供するこ
とである。
ロキシ重合体及び露光時に酸を発生する感光性化合物か
らなるネガティブ型フォトレジスト組成物を提供するこ
とである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は下記一般式（Ｉ）、（I
I）又は(III）で表示されるアセタール基を芳香族ヒド
ロキシ化合物のヒドロキシ官能基の少なくとも一つの水
素原子と置換させて化学増幅型のネガティブ型レジスト
組成物を得ることができる、アセタール基により置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物（一般式（IV）の化合物）
又は重合体（一般式（Ｖ）の化合物）からなる。
I）又は(III）で表示されるアセタール基を芳香族ヒド
ロキシ化合物のヒドロキシ官能基の少なくとも一つの水
素原子と置換させて化学増幅型のネガティブ型レジスト
組成物を得ることができる、アセタール基により置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物（一般式（IV）の化合物）
又は重合体（一般式（Ｖ）の化合物）からなる。
【００１４】
【化５】
【００１５】前記式において、ｎは１〜６の整数であ
り、Ｒ1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、Ｒ2 とＲ3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
り、Ｒ1 はアルキル基、フェニル基又はベンジル基であ
り、Ｒ2 とＲ3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、フェニル基又はベンジル基である。
【００１６】
【化６】
【００１７】前記式において、ａは０〜５であり、ｂは
２〜４であり、Ｒ1 とＲ2 はそれぞれ独立的に水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はハロゲ
ン基であり、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ独立的に水素原子、
アルキル基又はフェニル基であり、Ｒ5 は炭素原子、ア
ルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基、フェ
ニル基が包含されたアルキル基であり、Ｒ6 の少なくと
も一つが前記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタ
ール基であり、残りが水素原子である。
２〜４であり、Ｒ1 とＲ2 はそれぞれ独立的に水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はハロゲ
ン基であり、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ独立的に水素原子、
アルキル基又はフェニル基であり、Ｒ5 は炭素原子、ア
ルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基、フェ
ニル基が包含されたアルキル基であり、Ｒ6 の少なくと
も一つが前記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタ
ール基であり、残りが水素原子である。
【００１８】
【化７】
【００１９】前記式において、ｌ＋ｍは１であり、Ｒ1
は水素原子又はメチル基であり、Ｒ 2 は前記一般式
（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタール基である。
は水素原子又はメチル基であり、Ｒ 2 は前記一般式
（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタール基である。
【００２０】前記芳香族ヒドロキシ化合物の場合、フェ
ノール誘導体である化合物としてはヒドロキシ基が二つ
以上である化合物が適切である。単分子化合物として
は、例として説明すると、次の式（VI）の芳香族ヒドロ
キシ化合物が挙げられ、反面、高分子化合物としては次
の一般式(VII）のアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、好ま
しくはポリヒドロキシスチレンとノボラック樹脂であ
る。
ノール誘導体である化合物としてはヒドロキシ基が二つ
以上である化合物が適切である。単分子化合物として
は、例として説明すると、次の式（VI）の芳香族ヒドロ
キシ化合物が挙げられ、反面、高分子化合物としては次
の一般式(VII）のアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、好ま
しくはポリヒドロキシスチレンとノボラック樹脂であ
る。
【００２１】
【化８】
【００２２】前記式（VI）において、ａは０〜５であ
り、ｂは２〜４であり、Ｒ1 とＲ2 はそれぞれ独立的に
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又は
ハロゲン基であり、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ独立的に水素
原子、アルキル基又はフェニル基であり、Ｒ5 は炭素原
子、アルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基
又はフェニル基が包含されたアルキル基である。
り、ｂは２〜４であり、Ｒ1 とＲ2 はそれぞれ独立的に
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又は
ハロゲン基であり、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ独立的に水素
原子、アルキル基又はフェニル基であり、Ｒ5 は炭素原
子、アルキル基、ヒドロキシ基が包含されたアルキル基
又はフェニル基が包含されたアルキル基である。
【００２３】
【化９】
【００２４】前記式(VII）において、ｌ＋ｍは１であ
り、Ｒ1 は水素原子又はメチル基である。
り、Ｒ1 は水素原子又はメチル基である。
【００２５】アルカリ可溶性樹脂のヒドロキシ基にアセ
タール基を置換させる場合、１〜９９モル％の置換が可
能であるが、前記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表
示されるアセタール基が５〜４０モル％置換された樹脂
が適し、これより多く置換される場合、非露光部位のア
ルカリ水溶液に対する溶解度が低下する欠点がある。し
かし、この場合にも芳香族ヒドロキシ化合物自体を添加
剤として使用するとこのような欠点を補完し得る。
タール基を置換させる場合、１〜９９モル％の置換が可
能であるが、前記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表
示されるアセタール基が５〜４０モル％置換された樹脂
が適し、これより多く置換される場合、非露光部位のア
ルカリ水溶液に対する溶解度が低下する欠点がある。し
かし、この場合にも芳香族ヒドロキシ化合物自体を添加
剤として使用するとこのような欠点を補完し得る。
【００２６】一般式（VI）で表示される単分子芳香族ヒ
ドロキシ化合物の場合は、一般にヒドロキシ基の水素を
全て前記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される
化合物で置換させて使用するが、場合によっては部分的
に置換させて使用することもできる。部分的に置換させ
て使用すると、レジストの保管安定性が増加し、非露光
部位の塩基性水溶液に対する溶解度が増加する利点があ
る。
ドロキシ化合物の場合は、一般にヒドロキシ基の水素を
全て前記一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される
化合物で置換させて使用するが、場合によっては部分的
に置換させて使用することもできる。部分的に置換させ
て使用すると、レジストの保管安定性が増加し、非露光
部位の塩基性水溶液に対する溶解度が増加する利点があ
る。
【００２７】芳香族ヒドロキシ化合物に前記一般式
（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される化合物を置換さ
せる反応は、塩基性化合物の存在下でアセタールの包含
されたアルキルハライド化合物との置換反応により易し
く行われる。塩基性化合物としては一般に使用する水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド、３価アミン等を
使用し得る。反応溶媒としてはアルコール類、アセトニ
トリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
反応温度は使用する塩基性触媒によって多少の差はある
が６０〜１５０℃が適切である。この反応は例えば下記
式のように表示し得る。
（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される化合物を置換さ
せる反応は、塩基性化合物の存在下でアセタールの包含
されたアルキルハライド化合物との置換反応により易し
く行われる。塩基性化合物としては一般に使用する水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド、３価アミン等を
使用し得る。反応溶媒としてはアルコール類、アセトニ
トリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
反応温度は使用する塩基性触媒によって多少の差はある
が６０〜１５０℃が適切である。この反応は例えば下記
式のように表示し得る。
【００２８】
【化１０】
【００２９】フォトレジストの調剤時、これら化合物は
酸発生剤と塩基性水溶液に溶解される基礎樹脂に前記一
般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される官能基で置
換させた樹脂とを主要構成成分とする２成分系レジスト
で調剤し得る。場合によっては、このレジストに、非露
光部位のアルカリ水溶液に対する溶解度を増加させるた
め、添加剤として芳香族ヒドロキシ化合物を使用し得
る。芳香族ヒドロキシ化合物からなる添加剤としては、
アルカリ水溶液に溶解されるポリマー樹脂及び単分子芳
香族ヒドロキシ化合物のいずれかを使用してもかまわな
い。これら添加剤の使用量は基礎樹脂１００重量部に対
して５〜５０重量部の量であることが適切である。前記
各樹脂成分はポリスチレン換算平均分子量で約１，００
０〜１，０００，０００範囲のものが使用できるが、
２，０００〜３０，０００範囲の分子量が好ましい。
酸発生剤と塩基性水溶液に溶解される基礎樹脂に前記一
般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表示される官能基で置
換させた樹脂とを主要構成成分とする２成分系レジスト
で調剤し得る。場合によっては、このレジストに、非露
光部位のアルカリ水溶液に対する溶解度を増加させるた
め、添加剤として芳香族ヒドロキシ化合物を使用し得
る。芳香族ヒドロキシ化合物からなる添加剤としては、
アルカリ水溶液に溶解されるポリマー樹脂及び単分子芳
香族ヒドロキシ化合物のいずれかを使用してもかまわな
い。これら添加剤の使用量は基礎樹脂１００重量部に対
して５〜５０重量部の量であることが適切である。前記
各樹脂成分はポリスチレン換算平均分子量で約１，００
０〜１，０００，０００範囲のものが使用できるが、
２，０００〜３０，０００範囲の分子量が好ましい。
【００３０】単分子芳香族ヒドロキシ化合物に前記一般
式（Ｉ）、（II）又は(III）で表示されるアセタール基
を置換させた化合物は基礎樹脂としてポリヒドロキシス
チレン又はノボラック樹脂を使用して酸発生剤とともに
３成分系レジストに調剤し得る。この際に、置換させた
芳香族ヒドロキシ化合物の使用量は基礎樹脂１００重量
部に対して１０〜４０重量部の量であることが適切であ
る。前記ポリヒドロキシスチレン又はノボラック樹脂成
分のポリスチレン換算平均分子量は約１，０００〜１，
０００，０００範囲である。
式（Ｉ）、（II）又は(III）で表示されるアセタール基
を置換させた化合物は基礎樹脂としてポリヒドロキシス
チレン又はノボラック樹脂を使用して酸発生剤とともに
３成分系レジストに調剤し得る。この際に、置換させた
芳香族ヒドロキシ化合物の使用量は基礎樹脂１００重量
部に対して１０〜４０重量部の量であることが適切であ
る。前記ポリヒドロキシスチレン又はノボラック樹脂成
分のポリスチレン換算平均分子量は約１，０００〜１，
０００，０００範囲である。
【００３１】本発明の組成物に使用される酸発生剤とし
ては一般に知られたものを使用でき、特に制限されるも
のではない。具体例を挙げると、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ジフェニルヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート（トリフレート）、
（４−アルコキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、（４−アルコキシフェニ
ル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘ
キサフルオロホスフェート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ
フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、（４−アルコキシフェニル）フェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、（４−アルコキシフェ
ニル）フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−メチル
フェニル）フェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリス（４−メチルフェニル）スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、（４−ｔ−ブチル
フェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェ
ニル］スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフ
ェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
ては一般に知られたものを使用でき、特に制限されるも
のではない。具体例を挙げると、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ジフェニルヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート（トリフレート）、
（４−アルコキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、（４−アルコキシフェニ
ル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘ
キサフルオロホスフェート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ
フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、（４−アルコキシフェニル）フェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、（４−アルコキシフェ
ニル）フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−メチル
フェニル）フェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリス（４−メチルフェニル）スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、（４−ｔ−ブチル
フェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェ
ニル］スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフ
ェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【００３２】前記酸発生剤の組成比は樹脂成分１００重
量部に対して０．５〜１５重量部、好ましくは１〜５重
量部である。酸発生剤の量が少なければ架橋反応が不十
分に進行され、多ければ酸拡散により微細パターンを得
ることができない。
量部に対して０．５〜１５重量部、好ましくは１〜５重
量部である。酸発生剤の量が少なければ架橋反応が不十
分に進行され、多ければ酸拡散により微細パターンを得
ることができない。
【００３３】本発明のレジスト組成物には、酸の拡散を
阻止させるために、塩基性成分を添加し得る。塩基性成
分としてはアミン類、アンモニウムヒドロキシド類、ス
ルホニウムヒドロキシド類等のいずれの塩基を使用して
もかまわない。塩基性成分の使用量はレジスト組成物に
使用した酸発生剤に対して１〜９９モル％であり、好ま
しくは２０〜５０モル％である。
阻止させるために、塩基性成分を添加し得る。塩基性成
分としてはアミン類、アンモニウムヒドロキシド類、ス
ルホニウムヒドロキシド類等のいずれの塩基を使用して
もかまわない。塩基性成分の使用量はレジスト組成物に
使用した酸発生剤に対して１〜９９モル％であり、好ま
しくは２０〜５０モル％である。
【００３４】本発明のレジスト組成物を使用時には前記
成分を溶媒に溶かして溶液状態で使用することがよい。
このような溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、
２−ヘキサノン、メチルイソアミルケトン、エチレング
リコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、プロピレングリコールエチルアセテート、メチルラ
クテート、エチルラクテート、プロピルラクテート、メ
チルホルメート、エチルホルメート、エチルヒドロキシ
アセテート、エチル２−ヒドロキシ−２−メチルプロピ
オネート、メチル３−メトキシ−２−メチルプロピオネ
ート、メチル２−ヒドロキシ−３−メチルブチレート、
エチルメトキシアセテート、エチルエトキシアセテー
ト、メチル３−エトキシプロピオネート、３−メトキシ
ブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルア
セテート、トルエン、キシレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン等が挙げられる。
これら溶媒は単独又は２種以上を混合して使用し得る。
成分を溶媒に溶かして溶液状態で使用することがよい。
このような溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、
２−ヘキサノン、メチルイソアミルケトン、エチレング
リコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、プロピレングリコールエチルアセテート、メチルラ
クテート、エチルラクテート、プロピルラクテート、メ
チルホルメート、エチルホルメート、エチルヒドロキシ
アセテート、エチル２−ヒドロキシ−２−メチルプロピ
オネート、メチル３−メトキシ−２−メチルプロピオネ
ート、メチル２−ヒドロキシ−３−メチルブチレート、
エチルメトキシアセテート、エチルエトキシアセテー
ト、メチル３−エトキシプロピオネート、３−メトキシ
ブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルア
セテート、トルエン、キシレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン等が挙げられる。
これら溶媒は単独又は２種以上を混合して使用し得る。
【００３５】本発明のレジスト組成物は必要によって添
加剤を使用することもできる。例えば、停滞波（Standi
ng wave ）を減少させるためのベンゾフェノン類、性能
を改良するための追加の樹脂、安定剤、可塑剤、界面活
性剤、着色剤等である。
加剤を使用することもできる。例えば、停滞波（Standi
ng wave ）を減少させるためのベンゾフェノン類、性能
を改良するための追加の樹脂、安定剤、可塑剤、界面活
性剤、着色剤等である。
【００３６】パターン形成方法において、前記組成物か
ら調剤したレジスト溶液を回転塗布、ロール塗布、柔軟
塗布等の適切な方法によりシリコンウェーハ基板上に塗
布することでレジスト膜を形成させ、場合によってはプ
レベーキングを行った後、所望パターンを形成するよう
にＫｒＦエクサイマーレーザー光を所定マスクを介して
露光する。レジスト膜の見掛け感度を向上させるため、
露光後にベーキングを行うことが好ましい。現像液は、
例えば２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドのような弱アルカリ性水溶液を使用して現像処理す
る。
ら調剤したレジスト溶液を回転塗布、ロール塗布、柔軟
塗布等の適切な方法によりシリコンウェーハ基板上に塗
布することでレジスト膜を形成させ、場合によってはプ
レベーキングを行った後、所望パターンを形成するよう
にＫｒＦエクサイマーレーザー光を所定マスクを介して
露光する。レジスト膜の見掛け感度を向上させるため、
露光後にベーキングを行うことが好ましい。現像液は、
例えば２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドのような弱アルカリ性水溶液を使用して現像処理す
る。
【００３７】以下、本発明を次の合成例と実施例に従っ
てより詳細に説明する。しかし、本発明はこれら実施例
により制限されるものではない。
てより詳細に説明する。しかし、本発明はこれら実施例
により制限されるものではない。
【００３８】［合成例１］ アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物
（IV）の製造 トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン２６．８ｇを
フラスコに入れ、１８０mlのアセトニトリルで溶かした
後、１２６mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（２５％水溶液）を添加する。この溶液に２−（２−ブ
ロモエチル）−［１，３］−ジオキサン３９．４mlを添
加し、８０℃に昇温させた後、１０時間攪拌する。この
反応混合物をエチルアセテート２５０mlで希釈させた
後、５％の水酸化ナトリウム水溶液３００mlと塩水３０
０mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少
量存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶
媒を除去して残った反応物をメタノールで結晶化する
と、白色粉末である１，１，１−トリス−［４−（２−
［１，３］−ジオキサン−２−イルエトキシ）フェニ
ル］エタン４６ｇ（mp＝１０１℃）を得た。
（IV）の製造 トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン２６．８ｇを
フラスコに入れ、１８０mlのアセトニトリルで溶かした
後、１２６mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（２５％水溶液）を添加する。この溶液に２−（２−ブ
ロモエチル）−［１，３］−ジオキサン３９．４mlを添
加し、８０℃に昇温させた後、１０時間攪拌する。この
反応混合物をエチルアセテート２５０mlで希釈させた
後、５％の水酸化ナトリウム水溶液３００mlと塩水３０
０mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少
量存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶
媒を除去して残った反応物をメタノールで結晶化する
と、白色粉末である１，１，１−トリス−［４−（２−
［１，３］−ジオキサン−２−イルエトキシ）フェニ
ル］エタン４６ｇ（mp＝１０１℃）を得た。
【００３９】
【化１１】
【００４０】［合成例２］ アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物
（IV）の製造 トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン２２．７ｇを
フラスコに入れ、１５０mlのアセトニトリルで溶かした
後、１０６mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（２５％水溶液）を添加する。この溶液に２−（２−ブ
ロモエチル）−［１，３］−ジオキソラン２８．７mlを
添加し、８０℃に昇温させた後、１０時間攪拌する。こ
の反応混合物をエチルアセテート２００mlで希釈させた
後、５％水酸化ナトリウム水溶液３００mlと塩水３００
mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少量
存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶媒
を除去し、それ以上の精製過程を施行しなかった。その
結果、粘性が非常に強い１，１，１−トリス−［４−
（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イルエトキシ）
フェニル］エタン４０ｇを得た。
（IV）の製造 トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン２２．７ｇを
フラスコに入れ、１５０mlのアセトニトリルで溶かした
後、１０６mlのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（２５％水溶液）を添加する。この溶液に２−（２−ブ
ロモエチル）−［１，３］−ジオキソラン２８．７mlを
添加し、８０℃に昇温させた後、１０時間攪拌する。こ
の反応混合物をエチルアセテート２００mlで希釈させた
後、５％水酸化ナトリウム水溶液３００mlと塩水３００
mlで洗浄し、マグネシウムスルフェートで有機層に少量
存在する水分を除去する。この溶液を濾過した後、溶媒
を除去し、それ以上の精製過程を施行しなかった。その
結果、粘性が非常に強い１，１，１−トリス−［４−
（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イルエトキシ）
フェニル］エタン４０ｇを得た。
【００４１】
【化１２】
【００４２】［合成例３］合成例２においてトリス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン２２．７ｇの代わりにビ
スフェノールＡ２８．１ｇを使用し、２−（２−ブロモ
エチル）−［１，３］−ジオキソランの使用量を２８．
７mlの代わりに３２．０mlとしたことを除き合成例２と
同様な方法で施行した結果、４８ｇの２，２−ビス［４
−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イルエトキ
シ）フェニル］イソプロピレンを得た。
−ヒドロキシフェニル）エタン２２．７ｇの代わりにビ
スフェノールＡ２８．１ｇを使用し、２−（２−ブロモ
エチル）−［１，３］−ジオキソランの使用量を２８．
７mlの代わりに３２．０mlとしたことを除き合成例２と
同様な方法で施行した結果、４８ｇの２，２−ビス［４
−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イルエトキ
シ）フェニル］イソプロピレンを得た。
【化１３】
【００４３】［合成例４］合成例２においてトリス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン２２．７ｇの代わりにト
リス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン２
６．３ｇを使用し、２−（２−ブロモエチル）−［１，
３］−ジオキソランの使用量を２８．７mlの代わりに２
９．３mlとしたことを除き合成例２と同様な方法で施行
した結果、４３ｇの１，１，１−トリス［４−（２−
［１，３］−ジオキソラン−２−イルエトキシ）−３−
メチルフェニル］エタンを得た。
−ヒドロキシフェニル）エタン２２．７ｇの代わりにト
リス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン２
６．３ｇを使用し、２−（２−ブロモエチル）−［１，
３］−ジオキソランの使用量を２８．７mlの代わりに２
９．３mlとしたことを除き合成例２と同様な方法で施行
した結果、４３ｇの１，１，１−トリス［４−（２−
［１，３］−ジオキソラン−２−イルエトキシ）−３−
メチルフェニル］エタンを得た。
【００４４】
【化１４】
【００４５】［合成例５］ アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ重合体
（Ｖ）の製造 ポリヒドロキシスチレン（ポリスチレン標準換算分子量
５，３００）２２．８ｇをフラスコに入れ、２８０mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水１４０mlを添加する。
この混合溶液に２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジ
オキサン５．８mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド１２ml（２５％水溶液）を添加し、８０℃に昇温し
て１５時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、２ｇの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、７０mlのエチルアセテートに溶かした後、過量
のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈澱
を濾過し乾燥すると、約９％［１Ｈ ＮＭＲで分析１Ｈ
ＮＭＲ（Acetone-d ６）：６．２〜６．８ppm でピー
クを現すフェニル基の水素原子と４．８ppm でピークを
現すアセタール基の水素原子とを比較して算出］がアセ
タール誘導体で置換された樹脂（Ａ）２１ｇを得ること
ができる。
（Ｖ）の製造 ポリヒドロキシスチレン（ポリスチレン標準換算分子量
５，３００）２２．８ｇをフラスコに入れ、２８０mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水１４０mlを添加する。
この混合溶液に２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジ
オキサン５．８mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド１２ml（２５％水溶液）を添加し、８０℃に昇温し
て１５時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、２ｇの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、７０mlのエチルアセテートに溶かした後、過量
のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈澱
を濾過し乾燥すると、約９％［１Ｈ ＮＭＲで分析１Ｈ
ＮＭＲ（Acetone-d ６）：６．２〜６．８ppm でピー
クを現すフェニル基の水素原子と４．８ppm でピークを
現すアセタール基の水素原子とを比較して算出］がアセ
タール誘導体で置換された樹脂（Ａ）２１ｇを得ること
ができる。
【００４６】［合成例６］ アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ重合体
（Ｖ）の製造 ポリヒドロキシスチレン（ポリスチレン標準換算分子量
５，３００）４４．２ｇをフラスコに入れ、５５０mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水２７０mlを添加する。
この混合溶液に２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジ
オキサン１５mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド３１ml（２５％水溶液）を添加し、８０℃に昇温して
１５時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、４ｇの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、１５０mlのエチルアセテートに溶かした後、過
量のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈
澱を濾過し乾燥すると、約１５％［１Ｈ ＮＭＲで分
析］がアセタル誘導体で置換された樹脂（Ｂ）４６ｇを
得ることができる。
（Ｖ）の製造 ポリヒドロキシスチレン（ポリスチレン標準換算分子量
５，３００）４４．２ｇをフラスコに入れ、５５０mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水２７０mlを添加する。
この混合溶液に２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジ
オキサン１５mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド３１ml（２５％水溶液）を添加し、８０℃に昇温して
１５時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、４ｇの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し真空乾燥
した後、１５０mlのエチルアセテートに溶かした後、過
量のトルエンに滴下すると、沈澱が生成される。この沈
澱を濾過し乾燥すると、約１５％［１Ｈ ＮＭＲで分
析］がアセタル誘導体で置換された樹脂（Ｂ）４６ｇを
得ることができる。
【００４７】［合成例７］ アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ重合体
（Ｖ）の製造 ポリヒドロキシスチレン（ポリスチレン標準換算分子量
５，３００）２６．５ｇをフラスコに入れ、３３０mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水１６０mlを添加する。
この混合溶液に２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジ
オキサン１１mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド２３ml（２５％水溶液）を添加し、８０℃に昇温して
１５時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、３ｇの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し乾燥する
と、約１９％［１Ｈ ＮＭＲで分析］がアセタール誘導
体で置換された樹脂（Ｃ）２９ｇを得ることができる。
（Ｖ）の製造 ポリヒドロキシスチレン（ポリスチレン標準換算分子量
５，３００）２６．５ｇをフラスコに入れ、３３０mlの
エタノールで溶かした後、蒸留水１６０mlを添加する。
この混合溶液に２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジ
オキサン１１mlとテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド２３ml（２５％水溶液）を添加し、８０℃に昇温して
１５時間攪拌する。この反応混合物を常温まで下降さ
せ、３ｇの氷酢酸が入っている過量の蒸留水に徐々に滴
下すると沈澱が生成される。この沈澱を濾過し乾燥する
と、約１９％［１Ｈ ＮＭＲで分析］がアセタール誘導
体で置換された樹脂（Ｃ）２９ｇを得ることができる。
【００４８】［実施例１］標準ポリスチレン換算平均分
子量が５，３００であるポリヒドロキシスチレン１００
重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１−トリ
ス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イル
エトキシ）フェニル］エタン３０重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート２．２重量部をエチルラクテ
ート３７０重量部に溶解させた。結果物である溶液を
０．１μｍテフロンフィルタで濾過してレジスト溶液を
調剤した。このように得たレジスト溶液をスピーナを使
用してシリコンウェーハに塗布し、９０℃で９０秒間乾
燥させて１．０μｍ厚さのレジスト皮膜を得た。この皮
膜に２４８nmＫｒＦエクサイマーレーザーステッパを使
用してパターンクロムマスクを介して露光させた後、ウ
ェーハを１４０℃で３０秒間加熱する。その後、２．３
８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で６０秒間現像し、脱イオン水（deionized water ）で
洗浄し、乾燥してレジストパターンを得た。露光量６０
mJ/cm2で良好な断面形０．４μｍのライン／スペースネ
ガティブパターンを得た。
子量が５，３００であるポリヒドロキシスチレン１００
重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１−トリ
ス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イル
エトキシ）フェニル］エタン３０重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート２．２重量部をエチルラクテ
ート３７０重量部に溶解させた。結果物である溶液を
０．１μｍテフロンフィルタで濾過してレジスト溶液を
調剤した。このように得たレジスト溶液をスピーナを使
用してシリコンウェーハに塗布し、９０℃で９０秒間乾
燥させて１．０μｍ厚さのレジスト皮膜を得た。この皮
膜に２４８nmＫｒＦエクサイマーレーザーステッパを使
用してパターンクロムマスクを介して露光させた後、ウ
ェーハを１４０℃で３０秒間加熱する。その後、２．３
８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で６０秒間現像し、脱イオン水（deionized water ）で
洗浄し、乾燥してレジストパターンを得た。露光量６０
mJ/cm2で良好な断面形０．４μｍのライン／スペースネ
ガティブパターンを得た。
【００４９】［実施例２］ポリヒドロキシスチレン１０
０重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１−ト
リス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イ
ルエトキシ）フェニル］エタン３０重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート３．１重量部、１．０重量
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１８重
量部をエチルラクテート３７２重量部に溶解させて実施
例１と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
２０mJ/cm2で良好な断面形０．２５μｍのライン／スペ
ースネガティブパターンを得た。
０重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１−ト
リス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イ
ルエトキシ）フェニル］エタン３０重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート３．１重量部、１．０重量
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１８重
量部をエチルラクテート３７２重量部に溶解させて実施
例１と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
２０mJ/cm2で良好な断面形０．２５μｍのライン／スペ
ースネガティブパターンを得た。
【００５０】［実施例３］ポリヒドロキシスチレン１０
０重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１−ト
リス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−イル
エトキシ）フェニル］エタン２５重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート２．０重量部をエチルラクテ
ート３５６重量部に溶解させてレジスト溶液を製造して
使用し、露光後にウェーハを１３０℃で６０秒間加熱し
たことを除き実施例１と同様に行った。パターンを観察
した結果、露光量６０mJ/cm2で良好な断面形０．４μｍ
のライン／スペースネガティブパターンを得た。
０重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１−ト
リス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−イル
エトキシ）フェニル］エタン２５重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート２．０重量部をエチルラクテ
ート３５６重量部に溶解させてレジスト溶液を製造して
使用し、露光後にウェーハを１３０℃で６０秒間加熱し
たことを除き実施例１と同様に行った。パターンを観察
した結果、露光量６０mJ/cm2で良好な断面形０．４μｍ
のライン／スペースネガティブパターンを得た。
【００５１】［実施例４］ポリヒドロキシスチレン１０
０重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１−ト
リス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−イル
エトキシ）フェニル］エタン２５重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート２．８重量部、１．０重量％
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１６重量
部をエチルラクテート３５８重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造し、露光後にウェーハを１３０℃で６０秒
間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パター
ンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面形
０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを得
た。
０重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１−ト
リス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−イル
エトキシ）フェニル］エタン２５重量部、トリフェニル
スルホニウムトリフレート２．８重量部、１．０重量％
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１６重量
部をエチルラクテート３５８重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造し、露光後にウェーハを１３０℃で６０秒
間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パター
ンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面形
０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを得
た。
【００５２】［実施例５］合成例５で得たアセタール誘
導体で置換された樹脂（Ａ）１００重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエ
チルラクテート２８６重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを１４０℃で６０
秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量８０mJ/cm2で断面形０．５
μｍのライン／スペースネガティブパターンを得た。
導体で置換された樹脂（Ａ）１００重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエ
チルラクテート２８６重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを１４０℃で６０
秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量８０mJ/cm2で断面形０．５
μｍのライン／スペースネガティブパターンを得た。
【００５３】［実施例６］合成例５で得た樹脂（Ａ）１
００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１−
トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−イ
ルエトキシ）フェニル］エタン２０重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重量
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１６重
量部をエチルラクテート３４４重量部に溶解させてレジ
スト溶液を製造し、露光後にウェーハを１４０℃で９０
秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2で良好な断面形
０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを得
た。
００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１−
トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−イ
ルエトキシ）フェニル］エタン２０重量部、トリフェニ
ルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重量
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１６重
量部をエチルラクテート３４４重量部に溶解させてレジ
スト溶液を製造し、露光後にウェーハを１４０℃で９０
秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2で良好な断面形
０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを得
た。
【００５４】［実施例７］合成例５で得た樹脂（Ａ）１
００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１−
トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン２０重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１８
重量部をエチルラクテート３４４重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１４０℃で６
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量２０mJ/cm2で良好な断面
形０．２２μｍのライン／スペースネガティブパターン
を得た。
００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１−
トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン２０重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１８
重量部をエチルラクテート３４４重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１４０℃で６
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量２０mJ/cm2で良好な断面
形０．２２μｍのライン／スペースネガティブパターン
を得た。
【００５５】［実施例８］合成例６で得たアセタール誘
導体で置換された樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエ
チルラクテート２８６重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを１３０℃で６０
秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2で断面形０．５
μｍのライン／スペースネガティブパターンを得た。
導体で置換された樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、ト
リフェニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエ
チルラクテート２８６重量部に溶解させてレジスト溶液
を製造して使用し、露光後にウェーハを１３０℃で６０
秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2で断面形０．５
μｍのライン／スペースネガティブパターンを得た。
【００５６】［実施例９］合成例６で得た樹脂（Ｂ）１
００重量部に対して、トリフェニルスルホニウムトリフ
レート３．０重量部、１．０重量％テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液１４重量部をエチルラクテー
ト２８８重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露
光後にウェーハを１４０℃で９０秒間加熱したことを除
き実施例１と同様に行った。パターンを観察した結果、
露光量６０mJ/cm2で良好な断面形０．４５μｍのライン
／スペースネガティブパターンを得た。
００重量部に対して、トリフェニルスルホニウムトリフ
レート３．０重量部、１．０重量％テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液１４重量部をエチルラクテー
ト２８８重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露
光後にウェーハを１４０℃で９０秒間加熱したことを除
き実施例１と同様に行った。パターンを観察した結果、
露光量６０mJ/cm2で良好な断面形０．４５μｍのライン
／スペースネガティブパターンを得た。
【００５７】［実施例１０］合成例６で得た樹脂（Ｂ）
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１５重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエチル
ラクテート３２８重量部に溶解させてレジスト溶液を製
造し、露光後にウェーハを１３０℃で９０秒間加熱した
ことを除き実施例１と同様に行った。パターンを観察し
た結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面形０．３μｍの
ライン／スペースネガティブパターンを得た。
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１５重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエチル
ラクテート３２８重量部に溶解させてレジスト溶液を製
造し、露光後にウェーハを１３０℃で９０秒間加熱した
ことを除き実施例１と同様に行った。パターンを観察し
た結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面形０．３μｍの
ライン／スペースネガティブパターンを得た。
【００５８】［実施例１１］合成例６で得た樹脂（Ｂ）
１００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン１５重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１８
重量部をエチルラクテート３３０重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１３０℃で９
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面
形０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを
得た。
１００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン１５重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１８
重量部をエチルラクテート３３０重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１３０℃で９
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面
形０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを
得た。
【００５９】［実施例１２］合成例６で得た樹脂（Ｂ）
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１５重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０
重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１
６重量部をエチルラクテート３３０重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハ を１４０℃
で９０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量３５mJ/cm2で良好
な断面形０．２５μｍのライン／スペースネガティブパ
ターンを得た。
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１５重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０
重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１
６重量部をエチルラクテート３３０重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハ を１４０℃
で９０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量３５mJ/cm2で良好
な断面形０．２５μｍのライン／スペースネガティブパ
ターンを得た。
【００６０】［実施例１３］合成例７で得たアセタール
誘導体で置換された樹脂（Ｃ）１００重量部に対して、
トリフェニルスルホニウムトリフレート１．５重量部を
エチルラクテート２８４重量部に溶解させてレジスト溶
液を製造して使用し、露光後にウェーハを１３０℃で４
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量８０mJ/cm2で断面形０．
５μｍのライン／スペースネガティブパターンを得た。
誘導体で置換された樹脂（Ｃ）１００重量部に対して、
トリフェニルスルホニウムトリフレート１．５重量部を
エチルラクテート２８４重量部に溶解させてレジスト溶
液を製造して使用し、露光後にウェーハを１３０℃で４
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量８０mJ/cm2で断面形０．
５μｍのライン／スペースネガティブパターンを得た。
【００６１】［実施例１４］合成例７で得た樹脂（Ｃ）
１００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン１０重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１３
重量部をエチルラクテート３１６重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１５０℃で６
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面
形０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを
得た。
１００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン１０重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１３
重量部をエチルラクテート３１６重量部に溶解させてレ
ジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１５０℃で６
０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。パ
ターンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断面
形０．３μｍのライン／スペースネガティブパターンを
得た。
【００６２】［実施例１５］合成例７で得た樹脂（Ｃ）
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１０重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０
重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１
５重量部をエチルラクテート３１６重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１５０℃で
６０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。
パターンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断
面形０．３μｍのライン／スペースネガティブパターン
を得た。
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１０重量部、トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート３．０重量部、１．０
重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１
５重量部をエチルラクテート３１６重量部に溶解させて
レジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１５０℃で
６０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行った。
パターンを観察した結果、露光量４０mJ/cm2で良好な断
面形０．３μｍのライン／スペースネガティブパターン
を得た。
【００６３】［実施例１６］合成例６で得た樹脂（Ｂ）
１００重量部に対して、１，１，１−トリス（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）エタン２０重量部、トリ
フェニルスルホニウムトリフレート２．２重量部、１．
０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
１６重量部をエチルラクテート３４２重量部に溶解させ
てレジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１４０℃
で６０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量２０mJ/cm2で良好
な断面形０．２４μｍのライン／スペースネガティブパ
ターンを得た。
１００重量部に対して、１，１，１−トリス（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）エタン２０重量部、トリ
フェニルスルホニウムトリフレート２．２重量部、１．
０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
１６重量部をエチルラクテート３４２重量部に溶解させ
てレジスト溶液を製造し、露光後にウェーハを１４０℃
で６０秒間加熱したことを除き実施例１と同様に行っ
た。パターンを観察した結果、露光量２０mJ/cm2で良好
な断面形０．２４μｍのライン／スペースネガティブパ
ターンを得た。
【００６４】［実施例１７］合成例６で得た樹脂（Ｂ）
１００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン５重量部、１，１，１
−トリス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン１０重量部、トリフェニルスルホニウムトリフレート
２．２重量部、１．０重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液１４重量部をエチルラクテート３２
８重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露光後に
ウェーハを１４０℃で６０秒間加熱したことを除き実施
例１と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
３４mJ/cm2で良好な断面形０．２２μｍのライン／スペ
ースネガティブパターンを得た。
１００重量部に対して、合成例１で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキサン−２−
イルエトキシ）フェニル］エタン５重量部、１，１，１
−トリス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン１０重量部、トリフェニルスルホニウムトリフレート
２．２重量部、１．０重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液１４重量部をエチルラクテート３２
８重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、露光後に
ウェーハを１４０℃で６０秒間加熱したことを除き実施
例１と同様に行った。パターンを観察した結果、露光量
３４mJ/cm2で良好な断面形０．２２μｍのライン／スペ
ースネガティブパターンを得た。
【００６５】［実施例１８］合成例６で得た樹脂（Ｂ）
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１０重量部、１，
１，１−トリス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン１０重量部、トリフェニルスルホニウムトリ
フレート２．２重量部、１．０重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液１２重量部をエチルラクテ
ート３４２重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、
露光後にウェーハを１４０℃で６０秒間加熱したことを
除き実施例１と同様に行った。パターンを観察した結
果、露光量２０mJ/cm2で良好な断面形０．２４μｍのラ
イン／スペースネガティブパターンを得た。
１００重量部に対して、合成例２で合成した１，１，１
−トリス−［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２
−イルエトキシ）フェニル］エタン１０重量部、１，
１，１−トリス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン１０重量部、トリフェニルスルホニウムトリ
フレート２．２重量部、１．０重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液１２重量部をエチルラクテ
ート３４２重量部に溶解させてレジスト溶液を製造し、
露光後にウェーハを１４０℃で６０秒間加熱したことを
除き実施例１と同様に行った。パターンを観察した結
果、露光量２０mJ/cm2で良好な断面形０．２４μｍのラ
イン／スペースネガティブパターンを得た。
【００６６】［実施例１９］ポリヒドロキシスチレン１
００重量部に対して、合成例３で合成した２，２−ビス
［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イルエト
キシ）フェニル］イソプロピレン２５重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエチルラ
クテート３５６重量部に溶解させてレジスト溶液を製造
して使用したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2で良好な断面形
０．３５μｍのネガティブパターンを得た。
００重量部に対して、合成例３で合成した２，２−ビス
［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イルエト
キシ）フェニル］イソプロピレン２５重量部、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート２．０重量部をエチルラ
クテート３５６重量部に溶解させてレジスト溶液を製造
して使用したことを除き実施例１と同様に行った。パタ
ーンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2で良好な断面形
０．３５μｍのネガティブパターンを得た。
【００６７】［実施例２０］ポリヒドロキシスチレン１
００重量部に対して、合成例４で合成した１，１，１−
トリス［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イ
ルエトキシ）−３−メチルフェニル］エタン２５重量
部、トリフェニルスルホニウムトリフレート２．０重量
部をエチルラクテート３５６重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造して使用したことを除き実施例１と同様に
行った。パターンを観察した結果、露光量７０mJ/cm2で
良好な断面形の０．４０μｍのネガティブパターンを得
た。
００重量部に対して、合成例４で合成した１，１，１−
トリス［４−（２−［１，３］−ジオキソラン−２−イ
ルエトキシ）−３−メチルフェニル］エタン２５重量
部、トリフェニルスルホニウムトリフレート２．０重量
部をエチルラクテート３５６重量部に溶解させてレジス
ト溶液を製造して使用したことを除き実施例１と同様に
行った。パターンを観察した結果、露光量７０mJ/cm2で
良好な断面形の０．４０μｍのネガティブパターンを得
た。
【００６８】［実施例２１］実施例１で使用したトリフ
ェニルスルホニウムトリフレート２．２重量部の代わり
にトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート２．５重量部を使用したことを除き実施例１と同様
に行った。パターンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2
で良好な断面形の０．４０μｍのネガティブパターンを
得た。
ェニルスルホニウムトリフレート２．２重量部の代わり
にトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート２．５重量部を使用したことを除き実施例１と同様
に行った。パターンを観察した結果、露光量６０mJ/cm2
で良好な断面形の０．４０μｍのネガティブパターンを
得た。
【００６９】
【発明の効果】本発明によるアセタール基により置換さ
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれから得
られたネガティブ型フォトレジスト組成物はパターン形
成時に良好な断面を有し、遠紫外線又はエクサイマーレ
ーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後の貯蔵安定性に
優れる。
れた芳香族ヒドロキシ化合物又は重合体及びこれから得
られたネガティブ型フォトレジスト組成物はパターン形
成時に良好な断面を有し、遠紫外線又はエクサイマーレ
ーザー光をよく透過し、耐熱性、露出後の貯蔵安定性に
優れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｆ 12/22 Ｃ０８Ｆ 12/22 Ｃ０８Ｌ 25/18 Ｃ０８Ｌ 25/18 61/06 61/06 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５０３ ５０３Ａ 7/023 ５１１ 7/023 ５１１ 7/038 ６０１ 7/038 ６０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 キム ジ−ホン 大韓民国，タエジェオン，ユセオン−グ, シンセオン−ドン，タエリム トゥレ ア パート 101−306 (72)発明者 パーク スン−イ 大韓民国，タエジェオン，ユセオン−グ, ジェオンミン−ドン，チェオング ナール アパート 110−1301
Claims (9)
- 【請求項１】 次の一般式（Ｉ）、（II）又は(III）の
アセタール基を有する次の一般式（IV）の芳香族ヒドロ
キシ化合物。 【化１】 （前記式において、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ1 はア
ルキル基、フェニル基又はベンジル基であり、Ｒ2 とＲ
3 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基、フェニル
基又はベンジル基である。） 【化２】 （前記式において、ａは０〜５であり、ｂは２〜４であ
り、Ｒ1 とＲ2 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、フェニル基又はハロゲン基であり、
Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ独立的に水素原子、アルキル基又
はフェニル基であり、Ｒ5 は炭素原子、アルキル基、ヒ
ドロキシ基が包含されたアルキル基、フェニル基が包含
されたアルキル基であり、Ｒ6 の少なくとも一つが前記
一般式（Ｉ）、（II）又は(III）のアセタール基であ
り、残りが水素原子である。） - 【請求項２】 反復単位が次の一般式（Ｖ）で表示され
る重合体。 【化３】 （前記式において、ｌ＋ｍは１であり、Ｒ1 は水素原子
又はメチル基であり、Ｒ 2 は請求項１の一般式（Ｉ）、
（II）又は(III）のアセタール基である。） - 【請求項３】 アルカリ可溶性樹脂、請求項１のアセタ
ール基で置換された一般式（IV）の芳香族ヒドロキシ化
合物及び酸発生剤からなるネガティブ型フォトレジスト
組成物。 - 【請求項４】 アルカリ可溶性樹脂がポリヒドロキシス
チレン又はノボラック樹脂であることを特徴とする請求
項３記載のネガティブ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項５】 酸発生剤がビス（シクロヘキシルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェノー
ルスルホニル）ジアゾメタン、ピロガロールトリメシレ
ート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムト
リフレート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、
ジフェニル（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムト
リフレート、ジフェニル（４−メチルフェニル）スルホ
ニウムトリフレート、ジフェニル（４−メトキシフェニ
ル）スルホニウムトリフレート又はこれらの混合物であ
ることを特徴とする請求項３記載のネガティブ型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項６】 アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し
て酸発生剤が０．５〜１５重量部の量で使用され、芳香
族ヒドロキシ化合物が１０〜４０重量部の量で使用され
ることを特徴とする請求項３記載のネガティブ型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項７】 反復単位が請求項２の一般式（Ｖ）で表
示される重合体及び酸発生剤からなるネガティブ型フォ
トレジスト組成物。 - 【請求項８】 酸発生剤がビス（シクロヘキシルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェノー
ルスルホニル）ジアゾメタン、ピロガロールトリメシレ
ート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムト
リフレート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、
ジフェニル（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムト
リフレート、ジフェニル（４−メチルフェニル）スルホ
ニウムトリフレート、ジフェニル（４−メトキシフェニ
ル）スルホニウムトリフレート又はこれらの混合物であ
ることを特徴とする請求項７記載のネガティブ型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項９】 酸発生剤が重合体１００重量部に対して
０．５〜１５重量部の量で使用されることを特徴とする
請求項７記載のネガティブ型フォトレジスト組成物。
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| KR1019960041436A KR100219303B1 (ko) | 1996-09-21 | 1996-09-21 | 아세탈기가 치환된 방향족 히드록시 화합물 및 이를 함유하는 네가티브형 포토레지스트 조성물 |
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