JPH1018026A - Production of oxide coating - Google Patents
Production of oxide coatingInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着により酸
化物膜を作製する方法に関し、詳細には、所定の寸法を
有する酸化物蒸発材料を用いて、真空蒸着により、スプ
ラッシュの発生が抑制された又は発生なしに誘電体保護
酸化物膜を作製する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an oxide film by vacuum evaporation, and more particularly, to a method for suppressing the occurrence of splash by vacuum evaporation using an oxide evaporation material having a predetermined dimension. The present invention relates to a method for producing a dielectric protective oxide film with or without generation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＭｇＯ膜は長寿命であり且つ放電特性に
優れていることから、ＡＣ−型プラズマディスプレイ
（以下、「ＰＤＰ」と称する）用の誘電体保護膜として
用いられ、かかるＭｇＯ膜は、真空蒸着法によって作製
されるのが一般的である。2. Description of the Related Art Since an MgO film has a long life and excellent discharge characteristics, it is used as a dielectric protection film for an AC-type plasma display (hereinafter referred to as "PDP"). Is generally manufactured by a vacuum evaporation method.
【０００３】近年、ＰＤＰメーカーでは、優れた放電特
性を示すＭｇＯ膜を得るために、ＭｇＯ膜の作製法とし
て、真空蒸着法を採用し、その量産体制を検討してい
る。かかるＭｇＯ膜を作製するための蒸発原料として、
１ｍｍ以上且つ３ｍｍ未満程度の粒径に破砕したＭｇＯ
結晶粒、又は、ＭｇＯ粉を焼き固めて作製した焼結品等
の蒸発材料を使用することは知られている。[0003] In recent years, in order to obtain an MgO film exhibiting excellent discharge characteristics, PDP manufacturers have adopted a vacuum deposition method as a method for producing the MgO film and are examining a mass production system. As an evaporation raw material for producing such an MgO film,
MgO crushed to a particle size of 1 mm or more and less than 3 mm
It is known to use evaporative materials such as crystal grains or sintered products made by baking and solidifying MgO powder.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の蒸発材料を電子ビーム蒸発源を使用して
電子銃によって加熱し、ＭｇＯの真空蒸着を行う場合
に、電子銃の加熱電力を大きくして、析出速度を大きく
しようとすると、蒸発の過程で、蒸発材料からのスプラ
ッシュが生じ、得られた膜に粒子が付着し、不良品が発
生するため、析出速度を大きくすることができないとい
う欠点があり、その解決が望まれていた。However, when the above-mentioned conventional evaporation material is heated by an electron gun using an electron beam evaporation source to perform vacuum deposition of MgO, the heating power of the electron gun is increased. Then, when trying to increase the deposition rate, in the process of evaporation, a splash from the evaporating material occurs, particles adhere to the obtained film, and defective products are generated, so that the deposition rate cannot be increased. There are drawbacks and a solution has been desired.
【０００５】上記したスプラッシュとは、ここでは以下
のような現象を意味する。通常、電子ビーム加熱により
真空中で金属又は酸化物等を蒸発させる際、蒸発原料
は、その融点を超える程度の温度になると蒸気となり、
均一な原子のオーダー（数Å）で蒸発が始まる。スプラ
ッシュとは、このような蒸発の過程の際に、加熱中の何
らかの原因（例えば、熱衝撃、静電荷チャージアップ等
による材料中に含まれる気泡の爆発）によって、蒸発原
料から、均一な蒸気流に混じって、数μｍ〜１００μｍ
程度の目に見える大きさの塊状のものが突沸して、飛び
出す現象をいい、微細なデバイスを作る上での問題とな
っている。かかる現象は、通常、酸化物の蒸着中に多く
発生しやすく、ＭｇＯ等の高融点の酸化物の場合、蒸発
材料中の吸蔵ガス、特に熱伝導が悪いこと、及び電荷の
チャージアップ（静電気）が発生すること等が原因では
ないかと考えられる。[0005] The above-mentioned splash means the following phenomena here. Usually, when evaporating a metal or oxide in a vacuum by electron beam heating, the evaporating raw material becomes steam when the temperature exceeds its melting point,
Evaporation starts on the order of uniform atoms (several Å). Splash refers to a uniform vapor flow from the vaporized raw material due to some cause during heating (for example, explosion of bubbles contained in the material due to thermal shock, electrostatic charge-up, etc.) during the evaporation process. Mixed with several μm to 100 μm
A phenomenon in which a lump of a visible size bumps and pops out is a problem in making a fine device. Such a phenomenon is generally likely to occur frequently during the deposition of an oxide, and in the case of an oxide having a high melting point such as MgO, an occluded gas in an evaporating material, particularly, poor heat conduction, and charge-up (static electricity). It is considered that this may be caused by the occurrence of the phenomenon.
【０００６】そこで、本発明の目的は、かかる従来技術
の欠点を改善して、スプラッシュの発生が抑制された又
は発生なしに酸化物膜の高速成膜を可能にする方法を提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for improving the drawbacks of the prior art and enabling a high-speed deposition of an oxide film with or without the occurrence of splash. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、酸化物
蒸発材料を用いて真空蒸着により酸化物膜を作製する方
法において、該蒸発材料として一般に３ｍｍ以上の粒径
を有する酸化物を使用して蒸発を行い、酸化物膜を蒸着
せしめる。According to the present invention, there is provided a method for producing an oxide film by vacuum evaporation using an oxide evaporating material, wherein an oxide having a particle diameter of 3 mm or more is generally used as the evaporating material. Then, evaporation is performed to deposit an oxide film.
【０００８】前記蒸発材料は、好ましくは４ｍｍ以上、
さらに好ましくは７ｍｍ以上の粒径を有する酸化物であ
る。上限値は、特に制限されないが、蒸発源において蒸
発材料を収容する容器、例えば、通常の電子ビーム蒸発
源で用いるハース内に供給され、収納されうる最大寸法
以下のものであればよい。The evaporating material is preferably at least 4 mm,
More preferably, it is an oxide having a particle size of 7 mm or more. The upper limit value is not particularly limited, but may be any value as long as it is less than or equal to the maximum size that can be supplied and stored in a container for storing the evaporation material in the evaporation source, for example, a hearth used in a normal electron beam evaporation source.
【０００９】前記粒子は、例えば、電融して、結晶成長
させた一つの塊状の酸化物結晶（例えば、ＭｇＯ結晶）
から、ユンボー等によって不揃いの形状に破砕して得ら
れたものであって、通常表面の凹凸が激しいものであ
る。The above-mentioned particles are, for example, one massive oxide crystal (eg, MgO crystal) which is electro-fused and crystal-grown.
Therefore, it is obtained by crushing into irregular shapes by Yumbo, etc., and usually has severe surface irregularities.
【００１０】また、酸化物蒸発材料は、ブロック材、例
えば一つの塊状の酸化物結晶（例えば、ＭｇＯ結晶）か
ら、ダイヤモンドカッター等によって所定の大きさに切
り出したブロック材であって、その表面が比較的平滑な
ものであってもよい。その寸法は特に制限されないが、
蒸発源において蒸発材料を収容する容器内に収納されう
る最大寸法以下の寸法を有する酸化物ブロック材であれ
ばよく、１つでも又は２つ以上を組合せて用いてもよ
い。例えば、通常の電子ビーム蒸発源で用いるハース内
に供給され、収納されうる最大寸法以下の寸法として、
例えば、２０×２０×２０ｍｍ〜５０×４０×４０ｍｍ
程度の範囲内の酸化物ブロック材が使用されうる。[0010] The oxide evaporating material is a block material, for example, a block material cut out from a block of oxide crystal (eg, MgO crystal) into a predetermined size by a diamond cutter or the like. It may be relatively smooth. Its dimensions are not particularly limited,
Any oxide block material having a dimension equal to or less than the maximum dimension that can be accommodated in a container for accommodating the evaporation material in the evaporation source may be used, and one or a combination of two or more may be used. For example, as a dimension less than the maximum dimension that can be supplied and stored in a hearth used in a normal electron beam evaporation source,
For example, 20 × 20 × 20 mm to 50 × 40 × 40 mm
Oxide blocking materials within a range may be used.
【００１１】前記酸化物は、例えば、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3等のような酸化物
である。The oxide is, for example, MgO, Si
Oxides such as O 2 , TiO 2 , ZrO 2 or Al 2 O 3 .
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図１に、本発明の方法で使用するための一
例としての電子ビーム蒸発源装置を示す。図１におい
て、１は電子銃、２は電子銃１からの電子ビームの通
路、３は水冷式銅製ハース、４は膜厚モニター、５はシ
ャッター、６は真空糟、７は集束コイル、８は揺動コイ
ル、９は偏向コイル、１０は蒸発材料、１１はのぞき窓
を示す。蒸発材料１０を収納するためのハース３、膜厚
モニター４、シャッター５及び偏向コイル９は、真空糟
６内の所定の位置に配設され、シャッター５及び膜厚モ
ニター４は蒸発材料の収納されたハース３と対向した位
置に設けられている。電子銃１からの出力電子ビーム２
は、真空糟６と電子銃１との間の連結路の周囲に設けら
れた集束コイル７及び揺動コイル８の作用により、湾曲
されてハース３内へその上側から導かれ、かくしてハー
ス内に収容された蒸発材料１０の加熱蒸発が行われて、
所定の基板への蒸着が行われるようになっている。FIG. 1 shows an exemplary electron beam evaporation source device for use in the method of the present invention. In FIG. 1, 1 is an electron gun, 2 is a path of an electron beam from the electron gun 1, 3 is a water-cooled copper hearth, 4 is a film thickness monitor, 5 is a shutter, 6 is a vacuum tank, 7 is a focusing coil, 8 is A swing coil, 9 is a deflection coil, 10 is an evaporating material, and 11 is a viewing window. A hearth 3, a film thickness monitor 4, a shutter 5, and a deflection coil 9 for storing the evaporation material 10 are arranged at predetermined positions in the vacuum chamber 6, and the shutter 5 and the film thickness monitor 4 store the evaporation material. It is provided at a position facing the hearth 3. Output electron beam 2 from electron gun 1
Is curved and guided into the hearth 3 from above by the action of the focusing coil 7 and the oscillating coil 8 provided around the connection path between the vacuum chamber 6 and the electron gun 1, and thus, into the hearth. Heat evaporation of the contained evaporation material 10 is performed,
Vapor deposition is performed on a predetermined substrate.
【００１４】（実施例１）図１に示された電子ビーム蒸
発源装置を使用して、以下記載するように、ＭｇＯ膜を
真空蒸着した。(Example 1) An MgO film was vacuum-deposited by using the electron beam evaporation source apparatus shown in FIG. 1 as described below.
【００１５】３〜４ｍｍの粒径を有するＭｇＯ蒸発原料
１０（供給量：約８０ｃｍ3(５×４×４ｃｍ）、この原
料の密度を３．５１ｇ／ｃｍ3、カサ密度を０．４とし
て約１１２ｇになる）を水冷式銅製ハース３（容量：８
０ｃｍ3（５×４×４ｃｍ））内へ供給し、真空糟６内
を真空排気系を介して所定の圧力（加熱時圧力：１．３
×１０-2Ｐａ）に設定し、次いで電子ビームによってＭ
ｇＯ蒸発材料の所定の面積部分（３８ｃｍ2）を加熱し
（加熱条件：蒸発面積３８ｃｍ2の時、約４．０ｋＷ
（析出速度４．０ｎｍ／ｓ）と約１６．０ｋＷ（析出速
度３０．０ｎｍ／ｓ）との間で、析出速度が０．５ｎｍ
／ｓ間隔になるように加熱した。この電力と析出速度と
の関係は比例関係にある。）、ＭｇＯの蒸発を行い、所
定の基板に蒸着せしめた。この実験の結果、スプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は、
５．０ｎｍ／ｓであった。An MgO evaporating raw material 10 having a particle size of 3 to 4 mm (supply amount: about 80 cm 3 (5 × 4 × 4 cm), a density of 3.51 g / cm 3 and a bulk density of 0.4 Water-cooled copper hearth 3 (capacity: 8 g)
0 cm 3 (5 × 4 × 4 cm), and a predetermined pressure (heating pressure: 1.3) is applied to the inside of the vacuum chamber 6 via a vacuum exhaust system.
× 10 -2 Pa), and then M
gO predetermined area portion of the evaporation material (38cm 2) was heated (heating conditions: When the evaporation surface area 38cm 2, about 4.0kW
(Deposition rate 4.0 nm / s) and about 16.0 kW (deposition rate 30.0 nm / s), the deposition rate is 0.5 nm.
/ S interval. The relationship between the power and the deposition rate is proportional. ), And MgO was evaporated and deposited on a predetermined substrate. As a result of this experiment, the maximum deposition rate at which MgO could be formed without generating a splash was:
It was 5.0 nm / s.
【００１６】（実施例２）実施例１における３〜４ｍｍ
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、４〜５ｍ
ｍ、７〜８ｍｍ、１０〜１２ｍｍ又は１４〜１５ｍｍの
粒径を有するＭｇＯ蒸発原料を用いたこと以外は、実施
例１の方法を繰り返した。その結果、スプラッシュの発
生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は、それぞ
れ、９．０ｎｍ／ｓ、１２．０ｎｍ／ｓ、１３．５ｎｍ
／ｓ及び１５．０ｎｍ／ｓであった。(Embodiment 2) 3 to 4 mm in Embodiment 1
4-5m instead of MgO evaporation raw material having a particle size of
m, 7 to 8 mm, 10 to 12 mm, or the method of Example 1 was repeated, except that a MgO evaporation raw material having a particle size of 14 to 15 mm was used. As a result, the maximum deposition rates at which MgO could be formed without generating a splash were 9.0 nm / s, 12.0 nm / s, and 13.5 nm, respectively.
/ S and 15.0 nm / s.
【００１７】（比較例１）実施例１における３〜４ｍｍ
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、１〜３ｍｍ
又は２〜３ｍｍの粒径を有するＭｇＯ蒸発原料を用いた
こと以外は、実施例１の方法を繰り返した。その結果、
スプラッシュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出
速度は、両方とも、４．２ｎｍ／ｓに過ぎなかった。(Comparative Example 1) 3 to 4 mm in Example 1
Instead of MgO evaporation raw material having a particle size of 1 to 3 mm
Alternatively, the method of Example 1 was repeated except that a MgO evaporation raw material having a particle size of 2 to 3 mm was used. as a result,
The maximum deposition rate at which MgO could be deposited without generating a splash was only 4.2 nm / s.
【００１８】（実施例３）実施例１における３〜４ｍｍ
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、破砕されて
いない５０×４０×４０ｍｍのブロック状ＭｇＯ蒸発原
料を用い、実験にあわせて析出速度を増したこと以外
は、実施例１の方法を繰り返した。その結果、スプラッ
シュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は３
５．０ｎｍ／ｓであった。(Embodiment 3) 3 to 4 mm in Embodiment 1
The method of Example 1 was repeated, except that an uncrushed 50 × 40 × 40 mm block-shaped MgO evaporating raw material was used instead of the MgO evaporating raw material having a particle size of, and the deposition rate was increased in accordance with the experiment. Was. As a result, the maximum deposition rate at which MgO could be formed without splash was 3
It was 5.0 nm / s.
【００１９】上記実施例及び比較例で得られた結果を図
２にまとめて示す。図２において、横軸は使用したＭｇ
Ｏの粒径範囲を示し、縦軸は真空蒸着の際にスプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯ膜を得ることができる最大析出速
度を示す。これらの結果から明らかなように、ＭｇＯ析
出速度を従来の場合に比べて高速にするためには、約３
ｍｍ以上の粒径を有するＭｇＯ粒子を使用すればよく、
従来の場合のほぼ２倍以上にするためには、約４ｍｍ以
上の粒径を有するＭｇＯを使用すればよく、また、ほぼ
３倍以上にするためには、約７ｍｍ以上の粒径を有する
蒸発原料を使用すればよい。かくして、ＭｇＯ膜の高速
成膜による量産ラインを考えた場合、できる限り粒径の
大きなＭｇＯ粒を揃えた蒸発材料を使用することによっ
て、スプラッシュの発生頻度を抑え又は発生をなくすこ
とができる。FIG. 2 shows the results obtained in the above Examples and Comparative Examples. In FIG. 2, the horizontal axis represents the Mg used.
The particle diameter range of O is shown, and the vertical axis shows the maximum deposition rate at which an MgO film can be obtained without generating a splash during vacuum evaporation. As is evident from these results, in order to increase the MgO deposition rate as compared with the conventional case, it is required that
mmO particles having a particle size of at least mm may be used,
In order to increase the size to approximately twice or more of the conventional case, MgO having a particle size of about 4 mm or more may be used. Raw materials may be used. Thus, when considering a mass production line by high-speed deposition of an MgO film, the frequency of occurrence of splash can be suppressed or eliminated by using an evaporation material having MgO particles having the largest possible particle size.
【００２０】また、さらに大きい析出速度を必要とする
場合には、蒸発源において蒸発材料を収容する容器内に
収納されうる最大寸法以下の寸法を有する酸化物ブロッ
ク材、例えば、通常の電子ビーム蒸発源で用いるハース
内に供給され、収納されうる５０×４０×４０ｍｍの酸
化物ブロック材に、直接電子ビームを照射しＭｇＯを蒸
発させて、スプラッシュの発生なしにＭｇＯ膜の高速成
膜をすることが可能である。尚、ここで挙げたＭｇＯブ
ロック材の大きさは、上記実施例で使用した水冷式銅製
ハース内に収納することのできる寸法の例として示した
ものであるが、さらに大きな寸法のＭｇＯブロック材、
及び、大容量の電子銃電源を使って電源容量を大きくす
ることで、さらに析出速度の高速化が容易にできる。ま
た、該ハースの容積に応じて、例示した寸法より小さい
寸法のブロック材を使用することもあるし、また、ハー
ス容積よりも小さい寸法のブロック材を使用してもよい
が、その場合２つ以上のブロック材を組み合わせて使用
することができる。When a higher deposition rate is required, an oxide block material having a size smaller than the maximum size that can be accommodated in a container for accommodating the evaporation material in the evaporation source, for example, a normal electron beam evaporation A 50 × 40 × 40 mm oxide block material that can be supplied and stored in a hearth used as a source is directly irradiated with an electron beam to evaporate MgO, thereby forming a high-speed MgO film without splash. Is possible. The size of the MgO block material mentioned here is shown as an example of the size that can be stored in the water-cooled copper hearth used in the above embodiment, but the MgO block material of a larger size,
Further, by increasing the power supply capacity by using a large-capacity electron gun power supply, the deposition rate can be further easily increased. Further, depending on the volume of the hearth, a block material having a size smaller than the illustrated size may be used, or a block material having a size smaller than the hearth volume may be used. The above-mentioned block materials can be used in combination.
【００２１】さらに、ＭｇＯ蒸発材料の代わりに、Ｓｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3のような酸化物を
用いて、上記実施例１〜３記載の方法を繰り返した場合
も、これら実施例の場合と同じように、スプラッシュの
発生が抑制された又は発生なしに、それぞれの酸化物膜
が高速で析出・蒸着された。Further, instead of the MgO evaporating material, Si
When the method described in the above Examples 1 to 3 is repeated using an oxide such as O 2 , TiO 2 , ZrO 2 or Al 2 O 3 , similar to the case of these Examples, the generation of the splash Each oxide film was deposited and deposited at a high speed, with or without suppression.
【００２２】さらにまた、上記実施例では、電子銃を用
いた真空蒸着法について示したが、この他に、プラズマ
銃を用いた真空蒸着法や、これらの銃を用いた反応性蒸
着、イオンプレーティング等でも、これらの実施例の場
合と同じように、スプラッシュの発生なしに上記酸化物
膜を高速で蒸着・作製することができた。Furthermore, in the above embodiment, the vacuum deposition method using an electron gun was described. In addition, the vacuum deposition method using a plasma gun, reactive deposition using these guns, In the same manner as in these examples, the above-mentioned oxide film could be vapor-deposited and produced at a high speed without splashing in the same manner as in these examples.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明の酸化物膜の作製方法によれば、
蒸発材料として、３ｍｍ以上の粒径を有する酸化物又は
ブロック状の酸化物を使用するので、スプラッシュの発
生なしに酸化物膜の高速成膜が可能になり、量産ライン
で必要とする酸化物析出速度に応じて蒸発材料の大きさ
を選び、この材料を蒸発させることができるので、スプ
ラッシュの発生に起因する不良品の発生頻度をなくすこ
とが可能となる。According to the method for producing an oxide film of the present invention,
Since an oxide having a particle size of 3 mm or more or a block-shaped oxide is used as an evaporating material, it is possible to form an oxide film at a high speed without generating a splash, and to deposit an oxide film required in a mass production line. Since the size of the evaporating material can be selected according to the speed and the evaporating material can be evaporated, it is possible to eliminate the frequency of defective products caused by the splash.
【図１】 本発明の方法で用いる電子ビーム蒸発源装置
の概略截断面図FIG. 1 is a schematic sectional view of an electron beam evaporation source device used in the method of the present invention.
【図２】 ＭｇＯの粒径と、真空蒸着の際にスプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯ膜を得ることができる最大析出速
度との関係を示す線図FIG. 2 is a graph showing the relationship between the particle size of MgO and the maximum deposition rate at which an MgO film can be obtained without generating a splash during vacuum deposition.
１ 電子銃 ２ 電子ビームの通路 ３ 水冷式銅製ハース ４ 膜厚モニター ５ シャッター ６ 真空糟 ７ 集束コイル ８ 揺動コイル ９ 偏向コイル １０ 蒸発材料 １１ のぞき窓 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron gun 2 Electron beam path 3 Water-cooled copper hearth 4 Film thickness monitor 5 Shutter 6 Vacuum chamber 7 Focusing coil 8 Swing coil 9 Deflection coil 10 Evaporation material 11 Viewing window
Claims (7)
酸化物膜を作製する方法において、該蒸発材料として３
ｍｍ以上の粒径を有する酸化物を使用して蒸発を行い、
酸化物膜を蒸着せしめることを特徴とする酸化物膜の作
製方法。1. A method for producing an oxide film by vacuum evaporation using an oxide evaporation material, wherein the evaporation material comprises 3
performing evaporation using an oxide having a particle size of at least mm,
A method for manufacturing an oxide film, comprising depositing an oxide film.
る酸化物であることを特徴とする請求項１記載の作製方
法。2. The method according to claim 1, wherein the evaporation material is an oxide having a particle size of 4 mm or more.
る酸化物であることを特徴とする請求項１記載の作製方
法。3. The method according to claim 1, wherein the evaporation material is an oxide having a particle size of 7 mm or more.
Ｏ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の作製方法。4. The method according to claim 1, wherein the oxide is MgO, SiO 2 , Ti.
The method according to claim 1, wherein the method is O 2 , ZrO 2, or Al 2 O 3 .
酸化物膜を作製する方法において、該蒸発材料として、
蒸発材料を収容する容器内に収納されうる最大寸法以下
の寸法を有する酸化物ブロック材を少なくとも１つ使用
して蒸発を行い、酸化物を蒸着せしめることを特徴とす
る酸化物膜の作製方法。5. A method for producing an oxide film by vacuum deposition using an oxide evaporation material, wherein the evaporation material comprises:
A method for manufacturing an oxide film, comprising: evaporating an oxide using at least one oxide block material having a size equal to or less than a maximum size that can be accommodated in a container accommodating an evaporating material to deposit an oxide.
〜５０×４０×４０ｍｍの酸化物ブロック材であること
を特徴とする請求項５記載の作製方法。6. The method according to claim 1, wherein the raw material is 20 × 20 × 20 mm.
6. The method according to claim 5, wherein the oxide block material has a size of about 50 * 40 * 40 mm.
Ｏ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする請
求項５又は６記載の作製方法。7. The method according to claim 1, wherein the oxide is MgO, SiO 2 , Ti.
7. The method according to claim 5, wherein O 2 , ZrO 2, or Al 2 O 3 is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17503496A JPH1018026A (en) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | Production of oxide coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17503496A JPH1018026A (en) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | Production of oxide coating |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1018026A true JPH1018026A (en) | 1998-01-20 |
Family
ID=15989069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17503496A Pending JPH1018026A (en) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | Production of oxide coating |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1018026A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046249A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Mitsubishi Materials Corporation | MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF |
| JP5078903B2 (en) * | 2006-10-27 | 2012-11-21 | 株式会社アルバック | Method and apparatus for manufacturing plasma display panel |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP17503496A patent/JPH1018026A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046249A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Mitsubishi Materials Corporation | MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF |
| US7138350B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-11-21 | Mitsubishi Materials Corporation | MgO vapor deposition material and method for preparation thereof |
| JP5078903B2 (en) * | 2006-10-27 | 2012-11-21 | 株式会社アルバック | Method and apparatus for manufacturing plasma display panel |
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