JPH10173409A - マイクロ波集積回路サーキュレータとその製造方法 - Google Patents
マイクロ波集積回路サーキュレータとその製造方法Info
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- JPH10173409A JPH10173409A JP8333187A JP33318796A JPH10173409A JP H10173409 A JPH10173409 A JP H10173409A JP 8333187 A JP8333187 A JP 8333187A JP 33318796 A JP33318796 A JP 33318796A JP H10173409 A JPH10173409 A JP H10173409A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のサーキュレータ（アイソレータ）は、
フェライトと誘電体基板とを固着するための工程が必要
であり、かつ各導体を接続する部分においてインピーダ
ンス不連続が生じて特性が劣化される。 【解決手段】 フェライト円板４をセラミックス基板３
内に埋設し、これらフェライト円板４とセラミックス基
板３の表裏面にわたってマイクロストリップ導体６，７
と接地導体８とを形成する。セラミックス基板３を焼成
することによってフェライト円板４の固定が実現でき、
かつマイクロストリップ導体６，７と接地導体５，８と
を一体に形成できる。フェライト円板４を固定するため
のロウ付けが不要となり、かつ前記各導体を接続するた
めの構成及び工程が不要となり、製造工程を簡略化して
低コスト化が実現でき、特性インピーダンスの不連続部
の発生を防止して高特性化が実現できる。
フェライトと誘電体基板とを固着するための工程が必要
であり、かつ各導体を接続する部分においてインピーダ
ンス不連続が生じて特性が劣化される。 【解決手段】 フェライト円板４をセラミックス基板３
内に埋設し、これらフェライト円板４とセラミックス基
板３の表裏面にわたってマイクロストリップ導体６，７
と接地導体８とを形成する。セラミックス基板３を焼成
することによってフェライト円板４の固定が実現でき、
かつマイクロストリップ導体６，７と接地導体５，８と
を一体に形成できる。フェライト円板４を固定するため
のロウ付けが不要となり、かつ前記各導体を接続するた
めの構成及び工程が不要となり、製造工程を簡略化して
低コスト化が実現でき、特性インピーダンスの不連続部
の発生を防止して高特性化が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波帯等を用いるマイクロ波集積回路における、フェライ
ト基板とセラミツク基板から成るマイクロストリップラ
インによるサーキュレータやアイソレータ等の非可逆回
路素子（本発明では、これらを含めてサーキュレータと
称する）に関する。
波帯等を用いるマイクロ波集積回路における、フェライ
ト基板とセラミツク基板から成るマイクロストリップラ
インによるサーキュレータやアイソレータ等の非可逆回
路素子（本発明では、これらを含めてサーキュレータと
称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のマイクロ波サーキュレータは、
フェライト等により構成されるサーキュレータ部に、誘
電体基板に形成したマイクロストリップライン等の導体
を接続した構成とされている。例えば、特開平１−１８
８０３号公報に記載のアイソレータは、図３に示すよう
に、内導体２２と接地導体２３とを有するフェリ磁性体
基板２１を非磁性体の接地導体板２４に搭載し、かつこ
の接地導体板２４にはフェリ磁性体基板２１に外部磁場
を印加するための磁石２５を固定し、さらに非磁性体の
接地導体板２４の接地導体２６の一部分を伸展し、この
伸展した接地導体２６の上に入出力線路を構成するため
の誘電体基板２７を取り付け、内導体２２と誘電体基板
２７とをリボン２８等により接続する構成がとられてい
る。また、特開平１−１４９１０７号公報に記載のサー
キュレータ（アイソレータ）は、図４に示すように、誘
電体基板３１上にサーキュレータパターン３２が形成さ
れ、そのジャンクション部上にフェライト円板３３が載
置され、その上に誘電体基板３１の接地導体３４と接続
される導体板３５、および永久磁石３６を設けた構成が
とられている。
フェライト等により構成されるサーキュレータ部に、誘
電体基板に形成したマイクロストリップライン等の導体
を接続した構成とされている。例えば、特開平１−１８
８０３号公報に記載のアイソレータは、図３に示すよう
に、内導体２２と接地導体２３とを有するフェリ磁性体
基板２１を非磁性体の接地導体板２４に搭載し、かつこ
の接地導体板２４にはフェリ磁性体基板２１に外部磁場
を印加するための磁石２５を固定し、さらに非磁性体の
接地導体板２４の接地導体２６の一部分を伸展し、この
伸展した接地導体２６の上に入出力線路を構成するため
の誘電体基板２７を取り付け、内導体２２と誘電体基板
２７とをリボン２８等により接続する構成がとられてい
る。また、特開平１−１４９１０７号公報に記載のサー
キュレータ（アイソレータ）は、図４に示すように、誘
電体基板３１上にサーキュレータパターン３２が形成さ
れ、そのジャンクション部上にフェライト円板３３が載
置され、その上に誘電体基板３１の接地導体３４と接続
される導体板３５、および永久磁石３６を設けた構成が
とられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来のサーキ
ュレータにおいて、前者の例では、非磁性体の接地導体
板２４の進展した接地導体２３と、その上に載置される
誘電体基板２７の接地導体を、ロウ付け等により固着す
る工程が必要であり、この固着工程が比較的に煩雑であ
ることから低コスト化を進める上での妨げとなる。ま
た、内導体２２と誘電体基板２７の入出力線路との接続
には、ワイヤやリボンなどの接続手段２８が必要とされ
るため、この接続部分における特性インピーダンスの不
連続が避けられず、特性劣化の原因となる。
ュレータにおいて、前者の例では、非磁性体の接地導体
板２４の進展した接地導体２３と、その上に載置される
誘電体基板２７の接地導体を、ロウ付け等により固着す
る工程が必要であり、この固着工程が比較的に煩雑であ
ることから低コスト化を進める上での妨げとなる。ま
た、内導体２２と誘電体基板２７の入出力線路との接続
には、ワイヤやリボンなどの接続手段２８が必要とされ
るため、この接続部分における特性インピーダンスの不
連続が避けられず、特性劣化の原因となる。
【０００４】また、後者の例では、フェライト円板３３
を誘電体基板３１上に固定するために、接着剤やロウ付
け、あるいはビス止めなどによる固着が必要であり、前
者の場合と同様に、この固着工程により低コスト化が難
しくなる。また、フェライト円板３３の上部に設けた接
地導体３５と誘電体基板３１の接地導体３４とはワイヤ
やリボンなどの接続手段により連結されるため、接地面
がこの部分において不連続となり易い。さらに、フェラ
イト円板３３と誘電体基板３１の表面の平面度如何によ
っては、フェライト円板３３が誘電体基板３１上のサー
キュレータパターン３２の表面に密着せず、個体間、経
年、線膨張係数差に基づく温度変化による機槻的ストレ
スに対する特性の不安定が生じ易い。
を誘電体基板３１上に固定するために、接着剤やロウ付
け、あるいはビス止めなどによる固着が必要であり、前
者の場合と同様に、この固着工程により低コスト化が難
しくなる。また、フェライト円板３３の上部に設けた接
地導体３５と誘電体基板３１の接地導体３４とはワイヤ
やリボンなどの接続手段により連結されるため、接地面
がこの部分において不連続となり易い。さらに、フェラ
イト円板３３と誘電体基板３１の表面の平面度如何によ
っては、フェライト円板３３が誘電体基板３１上のサー
キュレータパターン３２の表面に密着せず、個体間、経
年、線膨張係数差に基づく温度変化による機槻的ストレ
スに対する特性の不安定が生じ易い。
【０００５】本発明の目的は、接着やロウ付けなどの工
程を必要とせず、しかもサーキュレータ部とマイクロス
トリップ導体部との間の特性インピーダンスの不連続を
なくし、低コストでかつ特性の安定化を図ったマイクロ
波集積回路サーキュレータとその製造方法を提供するこ
とにある。
程を必要とせず、しかもサーキュレータ部とマイクロス
トリップ導体部との間の特性インピーダンスの不連続を
なくし、低コストでかつ特性の安定化を図ったマイクロ
波集積回路サーキュレータとその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波集積
回路サーキュレータは、フェライトより焼成温度の低い
セラミックス誘電体基板と、このセラミック誘電体基板
中に埋設されたフェライト基板と、前記セラミックス誘
電体基板とフェライト基板の各表裏面にわたって形成さ
れるマイクロストリップ導体及び接地導体と、前記フェ
ライト基板上に搭載されたマグネットとを備える構成と
される。ここで、フェライト基板は、セラミックス誘電
体基板に貫通された開口内に内装され、セラミックス誘
電体基板の焼成収縮により前記開口内に保持されるとと
もに、フェライト基板とセラミックス誘電体基板の厚み
が等しくされ、前記フェライト基板の表裏面に形成され
るマイクロストリップ導体及び接地導体と、前記セラミ
ックス誘電体基板の表裏面に形成されるマイクロストリ
ップ導体及び接地導体とが一体または一体化された構成
とされる。
回路サーキュレータは、フェライトより焼成温度の低い
セラミックス誘電体基板と、このセラミック誘電体基板
中に埋設されたフェライト基板と、前記セラミックス誘
電体基板とフェライト基板の各表裏面にわたって形成さ
れるマイクロストリップ導体及び接地導体と、前記フェ
ライト基板上に搭載されたマグネットとを備える構成と
される。ここで、フェライト基板は、セラミックス誘電
体基板に貫通された開口内に内装され、セラミックス誘
電体基板の焼成収縮により前記開口内に保持されるとと
もに、フェライト基板とセラミックス誘電体基板の厚み
が等しくされ、前記フェライト基板の表裏面に形成され
るマイクロストリップ導体及び接地導体と、前記セラミ
ックス誘電体基板の表裏面に形成されるマイクロストリ
ップ導体及び接地導体とが一体または一体化された構成
とされる。
【０００７】また、本発明のマイクロ波集積回路サーキ
ュレータの製造方法は、焼成前のセラミックス誘電体基
板に窓部を開口し、この窓部内にフェライト基板を内装
してこれらの焼成を行う工程と、前記フェライト基板の
表裏面を含むセラミックス誘電体基板の表裏面に金属ペ
ーストを印刷し、これを焼成してマイクロストリップ導
体と接地導体とを形成する工程と、前記フェライト基板
上のマイクロストリップ導体上にスペーサを介してマグ
ネットを接着する工程と、前記セラミックス誘電体基板
上にマグネットを覆う金属製キャップを被せ、その開口
縁部を前記セラミックス誘電体基板に形成されている接
地導体にロウ付けする工程とを含んでいる。
ュレータの製造方法は、焼成前のセラミックス誘電体基
板に窓部を開口し、この窓部内にフェライト基板を内装
してこれらの焼成を行う工程と、前記フェライト基板の
表裏面を含むセラミックス誘電体基板の表裏面に金属ペ
ーストを印刷し、これを焼成してマイクロストリップ導
体と接地導体とを形成する工程と、前記フェライト基板
上のマイクロストリップ導体上にスペーサを介してマグ
ネットを接着する工程と、前記セラミックス誘電体基板
上にマグネットを覆う金属製キャップを被せ、その開口
縁部を前記セラミックス誘電体基板に形成されている接
地導体にロウ付けする工程とを含んでいる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の最良
の実施の形態の断面図であり、図２はその一部を除去し
た状態の平面図である。同図において、１，２，３はそ
れぞれセラミックス誘電体基板であり、これらは積層さ
れた状態で同時に焼成されて形成される。これらのセラ
ミックス誘電体基板１，２，３には上層基板１から下層
基板３に向けて段階的に径寸法が大きくされた円形の窓
部１ａ，２ａ，３ａが形成されており、そのうち窓部２
ａ，３ａの各縁部には前記セラミックス基板１と２の間
に形成されている内層の接地導体５と、セラミックス基
板２と３の間に形成されている内層のマイクロストリッ
プ導体６との各一部が露呈されている。これらの接地導
体５とマイクロストリップ導体６は前記各基板１，２，
３と同時に焼成されて形成されている。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の最良
の実施の形態の断面図であり、図２はその一部を除去し
た状態の平面図である。同図において、１，２，３はそ
れぞれセラミックス誘電体基板であり、これらは積層さ
れた状態で同時に焼成されて形成される。これらのセラ
ミックス誘電体基板１，２，３には上層基板１から下層
基板３に向けて段階的に径寸法が大きくされた円形の窓
部１ａ，２ａ，３ａが形成されており、そのうち窓部２
ａ，３ａの各縁部には前記セラミックス基板１と２の間
に形成されている内層の接地導体５と、セラミックス基
板２と３の間に形成されている内層のマイクロストリッ
プ導体６との各一部が露呈されている。これらの接地導
体５とマイクロストリップ導体６は前記各基板１，２，
３と同時に焼成されて形成されている。
【０００９】そして、前記下層のセラミックス基板３の
窓部３ａ内には、フェライト円板４が埋設されている。
このフェライト円板４は、前記各セラミックス基板１，
２，３を焼成する前にセラミックス基板３に設けられて
いる窓部３ａ内に埋設され、その後にセラミックス基板
１，２，３と共に焼成を行うことにより、その際のセラ
ミックス基板３の焼成収縮により、その周辺部がセラミ
ックス基板３により挟持された状態で窓部３ａ内に固定
される。通常フェライトの焼成温度は１０００℃以上で
あるため、セラミックス基板としては、１０００℃未満
の焼成温度の材料として、ガラス−セラミックス（ガラ
ス５０％ｗｔ，アルミナ５０％ｗｔなど）が適する。ま
た、前記接地導体５やマイクロストリップ導体６は、
金、銀、銅などの電機抵抗の小さい金属材料で構成され
る。なお、ミリ波、例えば３０ＧＨｚ帯で使用するサー
キュレータの形成には、セラミックス基板２，３の厚み
は約０．３ｍ、フェライト円板４の直径は約２ｍ程度と
なる。
窓部３ａ内には、フェライト円板４が埋設されている。
このフェライト円板４は、前記各セラミックス基板１，
２，３を焼成する前にセラミックス基板３に設けられて
いる窓部３ａ内に埋設され、その後にセラミックス基板
１，２，３と共に焼成を行うことにより、その際のセラ
ミックス基板３の焼成収縮により、その周辺部がセラミ
ックス基板３により挟持された状態で窓部３ａ内に固定
される。通常フェライトの焼成温度は１０００℃以上で
あるため、セラミックス基板としては、１０００℃未満
の焼成温度の材料として、ガラス−セラミックス（ガラ
ス５０％ｗｔ，アルミナ５０％ｗｔなど）が適する。ま
た、前記接地導体５やマイクロストリップ導体６は、
金、銀、銅などの電機抵抗の小さい金属材料で構成され
る。なお、ミリ波、例えば３０ＧＨｚ帯で使用するサー
キュレータの形成には、セラミックス基板２，３の厚み
は約０．３ｍ、フェライト円板４の直径は約２ｍ程度と
なる。
【００１０】また、前記下層のセラミックス基板３の裏
面と、前記フェライト基板３ないしマイクロストリップ
導体６の表面には、それぞれ接地導体８と、サーキュレ
ータ部となるマイクロストリップ導体７が形成されてい
る。これら接地導体８とマイクロストリップ導体７は、
前記セラミックス基板３の焼成後に金属ペーストを印刷
し、これを焼成する、いわゆる後焼成にて形成される。
これら接地導体８とマイクロストリップ導体７は、前記
した同時焼成の接地導体５やマイクロストリップ導体６
と同様の金属で形成される。さらに、前記マイクロスト
リップ導体７の表面上には、マグネット１０が磁界の強
さ調整用の誘電体スペーサ９と共に積層状態に接着され
る。この誘電体スペーサ９は、フェライト円板４上のマ
イクロストリップ導体７への電気特性上の影響を最小限
にするため比誘電率の低いテフロンなどが適する。
面と、前記フェライト基板３ないしマイクロストリップ
導体６の表面には、それぞれ接地導体８と、サーキュレ
ータ部となるマイクロストリップ導体７が形成されてい
る。これら接地導体８とマイクロストリップ導体７は、
前記セラミックス基板３の焼成後に金属ペーストを印刷
し、これを焼成する、いわゆる後焼成にて形成される。
これら接地導体８とマイクロストリップ導体７は、前記
した同時焼成の接地導体５やマイクロストリップ導体６
と同様の金属で形成される。さらに、前記マイクロスト
リップ導体７の表面上には、マグネット１０が磁界の強
さ調整用の誘電体スペーサ９と共に積層状態に接着され
る。この誘電体スペーサ９は、フェライト円板４上のマ
イクロストリップ導体７への電気特性上の影響を最小限
にするため比誘電率の低いテフロンなどが適する。
【００１１】なお、前記セラミックス基板１，２，３に
は、前記接地導体５，８、マイクロストリップ導体６を
積層方向に電気接続するための貫通導体１２が形成され
る。また、前記マグネット１０を覆うための金属製キャ
ップ１１が前記セラミックス基板１の窓部１ａ上に被せ
られ、その周縁部において接地導体５とロウ付けされ
る。
は、前記接地導体５，８、マイクロストリップ導体６を
積層方向に電気接続するための貫通導体１２が形成され
る。また、前記マグネット１０を覆うための金属製キャ
ップ１１が前記セラミックス基板１の窓部１ａ上に被せ
られ、その周縁部において接地導体５とロウ付けされ
る。
【００１２】この構成によれば、セラミック基板３上の
マイクロストリップ導体６と、フェライト円板４上のマ
イクロストリップ導体７とは、後者のマイクロストリッ
プ導体７を印刷かつ後焼成することよってその相互の接
続が実現される。また、セラミックス基板３の接地導体
８は、フェライト円板４の接地導体としても形成される
ため、各接地導体を個別に形成し、かつ両者を接続する
ための工程は不要となる。したがって、フェライト円板
４と誘電体基板３の各マイクロストリップ導体７，６と
接地導体８とを、ワイヤやリボン等の接続手段により接
続することは全く不要となり、これらの接続部分におい
て生じていた特性インピーダンスの不連続を回避するこ
とが可能となり、特性の向上が可能となる。
マイクロストリップ導体６と、フェライト円板４上のマ
イクロストリップ導体７とは、後者のマイクロストリッ
プ導体７を印刷かつ後焼成することよってその相互の接
続が実現される。また、セラミックス基板３の接地導体
８は、フェライト円板４の接地導体としても形成される
ため、各接地導体を個別に形成し、かつ両者を接続する
ための工程は不要となる。したがって、フェライト円板
４と誘電体基板３の各マイクロストリップ導体７，６と
接地導体８とを、ワイヤやリボン等の接続手段により接
続することは全く不要となり、これらの接続部分におい
て生じていた特性インピーダンスの不連続を回避するこ
とが可能となり、特性の向上が可能となる。
【００１３】また、フェライト円板４はセラミックス基
板３の焼成時の収縮により窓部３ａ内に固定されるた
め、フェライト円板４を誘電体基板に固着するための工
程も不要となり、工程数を削減することが可能となる。
なお、マグネット１０をスペーサ９と共に接着する工程
と、金属製キャップ１１をロウ付けする工程は必要であ
るが、これらの工程にはそれ程高い精度が要求されない
ため、従来行われているロウ付け工程に比較すればその
作業を簡略化することは可能である。
板３の焼成時の収縮により窓部３ａ内に固定されるた
め、フェライト円板４を誘電体基板に固着するための工
程も不要となり、工程数を削減することが可能となる。
なお、マグネット１０をスペーサ９と共に接着する工程
と、金属製キャップ１１をロウ付けする工程は必要であ
るが、これらの工程にはそれ程高い精度が要求されない
ため、従来行われているロウ付け工程に比較すればその
作業を簡略化することは可能である。
【００１４】ここで、セラミックス基板３の焼成前の厚
みと、この基板にあらかじめ設けた窓部３ａは、焼成収
縮後にフェライト円板４と同程度の厚みと大きさになる
ように、設計しておくことが肝要である。これにより、
フェライト円板４をセラミックス基板３により支持させ
る構成と、フェライト円板４上のマイクロストリップ導
体７がセラミックス基板３上のマイクロストリップ導体
６と一体化されて両者の電気接続が行われる構成が達成
される。
みと、この基板にあらかじめ設けた窓部３ａは、焼成収
縮後にフェライト円板４と同程度の厚みと大きさになる
ように、設計しておくことが肝要である。これにより、
フェライト円板４をセラミックス基板３により支持させ
る構成と、フェライト円板４上のマイクロストリップ導
体７がセラミックス基板３上のマイクロストリップ導体
６と一体化されて両者の電気接続が行われる構成が達成
される。
【００１５】また、前記実施形態では、セラミックス基
板を３層に構成した例を示しているが、少なくともフェ
ライト基板を埋設するための１層のセラミックス基板が
あれば本発明を達成することは可能である。この場合に
は、セラミックス基板の表裏面とフェライト基板の表裏
面の各マイクロストリップ導体と接地導体とを、それぞ
れ同時に１回の金属ペーストの印刷と焼成により一体形
成することが可能である。
板を３層に構成した例を示しているが、少なくともフェ
ライト基板を埋設するための１層のセラミックス基板が
あれば本発明を達成することは可能である。この場合に
は、セラミックス基板の表裏面とフェライト基板の表裏
面の各マイクロストリップ導体と接地導体とを、それぞ
れ同時に１回の金属ペーストの印刷と焼成により一体形
成することが可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フェライ
ト基板をセラミックス誘電体基板内に埋設し、これらフ
ェライト基板とセラミックス基板の表裏面にわたってマ
イクロストリップ導体と接地導体とを形成した構成とし
ているので、セラミックス基板を焼成することによって
フェライト基板の固定が実現でき、かつ各基板のマイク
ロストリップ導体と接地導体とを一体に形成できるの
で、フェライト基板を固定するためのロウ付けが不要と
なり、かつ両基板の導体を接続するための構成及び工程
が不要となり、製造工程を簡略化して低コスト化が実現
できるとともに、特性インピーダンスの不連続部の発生
を防止して高特性のサーキュレータを得ることができ
る。
ト基板をセラミックス誘電体基板内に埋設し、これらフ
ェライト基板とセラミックス基板の表裏面にわたってマ
イクロストリップ導体と接地導体とを形成した構成とし
ているので、セラミックス基板を焼成することによって
フェライト基板の固定が実現でき、かつ各基板のマイク
ロストリップ導体と接地導体とを一体に形成できるの
で、フェライト基板を固定するためのロウ付けが不要と
なり、かつ両基板の導体を接続するための構成及び工程
が不要となり、製造工程を簡略化して低コスト化が実現
できるとともに、特性インピーダンスの不連続部の発生
を防止して高特性のサーキュレータを得ることができ
る。
【図１】本発明の実施形態の縦断面図である。
【図２】図１の一部を除去した状態の平面図である。
【図３】従来のサーキュレータ（アイソレータ）の一例
の断面図である。
の断面図である。
【図４】従来のサーキュレータの他の例の断面図であ
る。
る。
１，２，３ セラミックス基板 ４ フェライト円板 ５ 接地導体（同時焼成） ６ マイクロストリップ導体（同時焼成） ７ マイクロストリップ導体（後焼成） ８ 接地導体（後焼成） ９ 誘電体スペーサ １０ マグネット １１ 金属製キャップ
Claims (6)
- 【請求項１】 フェライトより焼成温度の低いセラミッ
クス誘電体基板と、このセラミック誘電体基板中に埋設
されたフェライト基板と、前記セラミックス誘電体基板
とフェライト基板の各表裏面にわたって形成されるマイ
クロストリップ導体及び接地導体と、前記フェライト基
板上に搭載されたマグネットとを備えることを特徴とす
るマイクロ波集積回路サーキュレータ。 - 【請求項２】 フェライト基板は、セラミックス誘電体
基板に貫通された開口内に内装され、セラミックス誘電
体基板の焼成収縮により前記開口内に保持されるととも
に、フェライト基板とセラミックス誘電体基板の厚みが
等しくされ、前記フェライト基板の表裏面に形成される
マイクロストリップ導体及び接地導体と、前記セラミッ
クス誘電体基板の表裏面に形成されるマイクロストリッ
プ導体及び接地導体とが一体または一体化されてなる請
求項１のマイクロ波集積回路サーキュレータ。 - 【請求項３】 マグネットはスペーサを介して積層状態
でフェライト基板上のマイクロストリップ導体上に接着
されてなる請求項１または２のマイクロ波集積回路サー
キュレータ。 - 【請求項４】 マグネットを覆う金属製キャップが設け
られ、この金属製キャップの開口縁部はセラミックス誘
電体基板に形成された接地導体にロウ付けされてなる請
求項１ないし３のいずれかのマイクロ波集積回路サーキ
ュレータ。 - 【請求項５】 セラミックス誘電体基板は、複数の誘電
体基板が積層された構成とされ、各誘電体基板間にマイ
クロストリップ導体と接地導体が形成され、このマイク
ロストリップ導体に前記フェライト基板の表面上のマイ
クロストリップ導体が一体化され、この接地導体に前記
金属製キャップがロウ付けされる請求項４のマイクロ波
集積回路サーキュレータ。 - 【請求項６】 焼成前のセラミックス誘電体基板に窓部
を開口し、この窓部内にフェライト基板を内装してこれ
らの焼成を行う工程と、前記フェライト基板の表裏面を
含む前記セラミックス誘電体基板の表裏面に金属ペース
トを印刷し、これを焼成してマイクロストリップ導体と
接地導体とを形成する工程と、前記フェライト基板上の
マイクロストリップ導体上にスペーサを介してマグネッ
トを接着する工程と、前記セラミックス誘電体基板上に
マグネットを覆う金属製キャップを被せ、その開口縁部
を前記セラミックス誘電体基板に形成されている接地導
体にロウ付けする工程とを含むことを特徴とするマイク
ロ波集積回路サーキュレータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8333187A JPH10173409A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | マイクロ波集積回路サーキュレータとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8333187A JPH10173409A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | マイクロ波集積回路サーキュレータとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173409A true JPH10173409A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18263285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8333187A Pending JPH10173409A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | マイクロ波集積回路サーキュレータとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173409A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0996188A2 (en) * | 1998-10-23 | 2000-04-26 | Nec Corporation | Microwave-millimeter wave circuit apparatus and fabrication method thereof having a circulator or isolator |
| WO2003043121A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Raytheon Company | Low temperature co-fired ceramic (ltcc) circulator |
| US6741478B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-05-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Compact electronic circuit unit having circulator, manufactured with high productivity |
| JP2007214608A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Hitachi Metals Ltd | 非可逆回路素子 |
| JP2011226735A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Railway Technical Research Institute | 磁気冷凍装置 |
| CN115084814A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-20 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 收发前端封装模块、制备方法及微波通信*** |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP8333187A patent/JPH10173409A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0996188A2 (en) * | 1998-10-23 | 2000-04-26 | Nec Corporation | Microwave-millimeter wave circuit apparatus and fabrication method thereof having a circulator or isolator |
| EP0996188A3 (en) * | 1998-10-23 | 2002-03-06 | Nec Corporation | Microwave-millimeter wave circuit apparatus and fabrication method thereof having a circulator or isolator |
| US6741478B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-05-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Compact electronic circuit unit having circulator, manufactured with high productivity |
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| CN115084814A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-20 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 收发前端封装模块、制备方法及微波通信*** |
| CN115084814B (zh) * | 2022-05-11 | 2024-05-31 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 收发前端封装模块、制备方法及微波通信*** |
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