JPH10173159A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH10173159A JPH10173159A JP8328115A JP32811596A JPH10173159A JP H10173159 A JPH10173159 A JP H10173159A JP 8328115 A JP8328115 A JP 8328115A JP 32811596 A JP32811596 A JP 32811596A JP H10173159 A JPH10173159 A JP H10173159A
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- Japan
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- oxide film
- solid
- cvd oxide
- plasma cvd
- forming
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オンチップマイクロレンズを備えた固体撮像
素子において、レンズ材料として熱可塑性樹脂を用いて
いるので、レンズ形状にバラツキが発生し、固体撮像素
子の受光感度が劣化するという課題があった。 【解決手段】 固体撮像素子は色フィルター層５上に段
差７を有し、第１プラズマＣＶＤ酸化膜８と、ＣＶＤ酸
化膜９と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０とによりオン
チップマイクロレンズ１１が形成されている。このオン
チップマイクロレンズは、熱可塑性樹脂によるものでは
なく、段差７を利用したＣＶＤ酸化膜によるオンチップ
マイクロレンズであるため、耐湿性、耐光性、微細加
工、密着性の点が優れているものである。そのため、固
体撮像素子の品質および信頼性を著しく向上させる効果
が得られる。
素子において、レンズ材料として熱可塑性樹脂を用いて
いるので、レンズ形状にバラツキが発生し、固体撮像素
子の受光感度が劣化するという課題があった。 【解決手段】 固体撮像素子は色フィルター層５上に段
差７を有し、第１プラズマＣＶＤ酸化膜８と、ＣＶＤ酸
化膜９と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０とによりオン
チップマイクロレンズ１１が形成されている。このオン
チップマイクロレンズは、熱可塑性樹脂によるものでは
なく、段差７を利用したＣＶＤ酸化膜によるオンチップ
マイクロレンズであるため、耐湿性、耐光性、微細加
工、密着性の点が優れているものである。そのため、固
体撮像素子の品質および信頼性を著しく向上させる効果
が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光を電気信号に変換
する固体撮像素子およびその製造方法に関し、特に受光
部に光を集光させるためのオンチップマイクロレンズを
有した固体撮像素子およびその製造方法に関するもので
ある。
する固体撮像素子およびその製造方法に関し、特に受光
部に光を集光させるためのオンチップマイクロレンズを
有した固体撮像素子およびその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のオンチップマイクロレンズを備え
た固体撮像素子について図面を参照しながら説明する。
図６は従来の固体撮像素子を示し、図６（ａ）は概略斜
視図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図
である。
た固体撮像素子について図面を参照しながら説明する。
図６は従来の固体撮像素子を示し、図６（ａ）は概略斜
視図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図
である。
【０００３】図示するように、半導体基板１には電荷転
送部２と、光を受光するフォトダイオードからなる受光
部３が形成されている。そして電荷転送部２の真上に位
置するように、半導体基板１上には、アルミからなる遮
光部４が形成されている。以上のような構造により固体
撮像素子を構成していた。
送部２と、光を受光するフォトダイオードからなる受光
部３が形成されている。そして電荷転送部２の真上に位
置するように、半導体基板１上には、アルミからなる遮
光部４が形成されている。以上のような構造により固体
撮像素子を構成していた。
【０００４】また受光部３上には、カラー撮像を可能に
しているオンチップの色フィルター層５が形成されてい
る。前記受光部３の真上に位置する色フィルター層５上
には、透明な熱可塑性樹脂からなるオンチップマイクロ
レンズ６が形成されている。ここで、オンチップマイク
ロレンズ６は、各受光部の画素毎に形成されており、そ
の形成プロセスは、レジストをパターニング後、所定の
時間、加熱（１４０〜１６０℃）することで、斜視図に
示すように半円状のレンズを形成している。そのため、
オンチップマイクロレンズ作成には処理工程数が多く、
開発期間、リードタイム短縮のためには工程簡略化が必
要である。
しているオンチップの色フィルター層５が形成されてい
る。前記受光部３の真上に位置する色フィルター層５上
には、透明な熱可塑性樹脂からなるオンチップマイクロ
レンズ６が形成されている。ここで、オンチップマイク
ロレンズ６は、各受光部の画素毎に形成されており、そ
の形成プロセスは、レジストをパターニング後、所定の
時間、加熱（１４０〜１６０℃）することで、斜視図に
示すように半円状のレンズを形成している。そのため、
オンチップマイクロレンズ作成には処理工程数が多く、
開発期間、リードタイム短縮のためには工程簡略化が必
要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のオンチップマイ
クロレンズを備えた固体撮像素子およびその製造方法に
おいては、オンチップマイクロレンズ材料としては、熱
可塑性樹脂を用い、加熱によりレンズ形成を行っている
ため、製造条件によるレンズ形状にバラツキが発生し、
結果として、固体撮像素子の受光感度が劣化するという
課題があった。
クロレンズを備えた固体撮像素子およびその製造方法に
おいては、オンチップマイクロレンズ材料としては、熱
可塑性樹脂を用い、加熱によりレンズ形成を行っている
ため、製造条件によるレンズ形状にバラツキが発生し、
結果として、固体撮像素子の受光感度が劣化するという
課題があった。
【０００６】そこで本発明は、固体撮像素子の受光感度
の劣化を防止するために、レンズ形状のバラツキの発生
を防止することに着目し、変形のないオンチップマイク
ロレンズを有した固体撮像素子およびその製造方法を提
供するものである。
の劣化を防止するために、レンズ形状のバラツキの発生
を防止することに着目し、変形のないオンチップマイク
ロレンズを有した固体撮像素子およびその製造方法を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に電荷転送
部、受光部、およびその電荷転送部の真上に位置するよ
うに色フィルター層が形成されてなる固体撮像素子であ
って、受光部上の色フィルター層上に段差を有し、その
段差上に第１プラズマＣＶＤ酸化膜と、ＣＶＤ酸化膜
と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜とによるオンチップマイ
クロレンズが設けられているものである。
に、本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に電荷転送
部、受光部、およびその電荷転送部の真上に位置するよ
うに色フィルター層が形成されてなる固体撮像素子であ
って、受光部上の色フィルター層上に段差を有し、その
段差上に第１プラズマＣＶＤ酸化膜と、ＣＶＤ酸化膜
と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜とによるオンチップマイ
クロレンズが設けられているものである。
【０００８】また固体撮像素子の製造方法は、半導体基
板に受光部、電荷転送部が形成された固体撮像素子に対
して、少なくとも前記半導体基板上の受光部上に色フィ
ルター層を形成する工程と、前記色フィルター上にオン
チップマイクロレンズを形成する工程とを有する固体撮
像素子の製造方法であって、前記オンチップマイクロレ
ンズを形成する工程は、前記半導体基板上の受光部に相
当する色フィルター層上にフォトレジストをパターニン
グ形成し、前記色フィルター層をエッチングし、前記受
光部上の色フィルター層上に段差を形成する工程と、シ
ランと亜酸化窒素を原材ガスとしてプラズマＣＶＤ法に
より、前記色フィルター層上に第１プラズマＣＶＤ酸化
膜を形成する工程と、前記形成した第１プラズマＣＶＤ
酸化膜上に、シランと過酸化水素を原材ガスとして、Ｃ
ＶＤ酸化膜を形成する工程と、前記ＣＶＤ酸化膜上にシ
ランと亜酸化窒素を原材ガスとして、プラズマＣＶＤ法
により、第２プラズマＣＶＤ酸化膜を形成する工程とよ
りなるものである。
板に受光部、電荷転送部が形成された固体撮像素子に対
して、少なくとも前記半導体基板上の受光部上に色フィ
ルター層を形成する工程と、前記色フィルター上にオン
チップマイクロレンズを形成する工程とを有する固体撮
像素子の製造方法であって、前記オンチップマイクロレ
ンズを形成する工程は、前記半導体基板上の受光部に相
当する色フィルター層上にフォトレジストをパターニン
グ形成し、前記色フィルター層をエッチングし、前記受
光部上の色フィルター層上に段差を形成する工程と、シ
ランと亜酸化窒素を原材ガスとしてプラズマＣＶＤ法に
より、前記色フィルター層上に第１プラズマＣＶＤ酸化
膜を形成する工程と、前記形成した第１プラズマＣＶＤ
酸化膜上に、シランと過酸化水素を原材ガスとして、Ｃ
ＶＤ酸化膜を形成する工程と、前記ＣＶＤ酸化膜上にシ
ランと亜酸化窒素を原材ガスとして、プラズマＣＶＤ法
により、第２プラズマＣＶＤ酸化膜を形成する工程とよ
りなるものである。
【０００９】また第１プラズマＣＶＤ酸化膜上に、シラ
ンと過酸化水素を原材ガスとして、ＣＶＤ酸化膜を形成
する工程では、屈折率の制御のために、原材ガスとして
他にメタノール等のアルコールを添加するものである。
ンと過酸化水素を原材ガスとして、ＣＶＤ酸化膜を形成
する工程では、屈折率の制御のために、原材ガスとして
他にメタノール等のアルコールを添加するものである。
【００１０】前記構成により、固体撮像素子のオンチッ
プマイクロレンズの一部がプラズマＣＶＤ膜で形成され
ているため、耐湿性等の信頼性を向上させることができ
る。そして本発明のＣＶＤ法によるオンチップマイクロ
レンズ形成はＣＶＤ酸化膜の成長温度と周辺部との段差
部形成による自己形成型を特徴としているため、製造プ
ロセスも簡略化できる。
プマイクロレンズの一部がプラズマＣＶＤ膜で形成され
ているため、耐湿性等の信頼性を向上させることができ
る。そして本発明のＣＶＤ法によるオンチップマイクロ
レンズ形成はＣＶＤ酸化膜の成長温度と周辺部との段差
部形成による自己形成型を特徴としているため、製造プ
ロセスも簡略化できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は本実施形態の固体撮像素子を示す断
面図である。図１に示すように、本実施形態の固体撮像
素子は、半導体基板１には電荷転送部２と、光を受光す
るフォトダイオードからなる受光部３が形成されてい
る。そして電荷転送部２の真上に位置するように、半導
体基板１上には、アルミからなる遮光部４が形成されて
いる。また受光部３上には、カラー撮像を可能にしてい
るオンチップの色フィルター層５が形成されている。こ
こで本実施形態の固体撮像素子は、色フィルター層５上
に段差７を有し、第１プラズマＣＶＤ酸化膜８と、ＣＶ
Ｄ酸化膜９と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０とにより
オンチップマイクロレンズ１１が形成されているもので
ある。
面図である。図１に示すように、本実施形態の固体撮像
素子は、半導体基板１には電荷転送部２と、光を受光す
るフォトダイオードからなる受光部３が形成されてい
る。そして電荷転送部２の真上に位置するように、半導
体基板１上には、アルミからなる遮光部４が形成されて
いる。また受光部３上には、カラー撮像を可能にしてい
るオンチップの色フィルター層５が形成されている。こ
こで本実施形態の固体撮像素子は、色フィルター層５上
に段差７を有し、第１プラズマＣＶＤ酸化膜８と、ＣＶ
Ｄ酸化膜９と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０とにより
オンチップマイクロレンズ１１が形成されているもので
ある。
【００１３】本実施形態のオンチップマイクロレンズ１
１を構成している第１プラズマＣＶＤ酸化膜は、シラン
と亜酸化窒素を原材ガスとして、プラズマＣＶＤ法によ
り反応圧力５０〜２００［Ｐａ］、成長温度２００〜４
００［℃］にて、５０〜３００［ｎｍ］程度の膜厚であ
り、ＣＶＤ酸化膜９は、シランと過酸化水素を原材ガス
として、反応圧力１００〜２００［Ｐａ］、成長温度２
０〜１００［℃］程度の高温にて０．５〜１．５［μ
ｍ］程度の膜厚であり、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０
は、シランと亜酸化窒素を原材ガスとして、プラズマＣ
ＶＤ法により反応圧力５０〜２００［Ｐａ］、成長温度
２００〜４００［℃］にて、全面に５０〜３００［ｎ
ｍ］程度の膜厚である。
１を構成している第１プラズマＣＶＤ酸化膜は、シラン
と亜酸化窒素を原材ガスとして、プラズマＣＶＤ法によ
り反応圧力５０〜２００［Ｐａ］、成長温度２００〜４
００［℃］にて、５０〜３００［ｎｍ］程度の膜厚であ
り、ＣＶＤ酸化膜９は、シランと過酸化水素を原材ガス
として、反応圧力１００〜２００［Ｐａ］、成長温度２
０〜１００［℃］程度の高温にて０．５〜１．５［μ
ｍ］程度の膜厚であり、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０
は、シランと亜酸化窒素を原材ガスとして、プラズマＣ
ＶＤ法により反応圧力５０〜２００［Ｐａ］、成長温度
２００〜４００［℃］にて、全面に５０〜３００［ｎ
ｍ］程度の膜厚である。
【００１４】以上のように、本実施形態の固体撮像素子
は、オンチップマイクロレンズ１１がプラズマＣＶＤ膜
で形成されているため、耐湿性等の信頼性が向上するも
のである。そして本実施形態のＣＶＤ法によるオンチッ
プマイクロレンズ１１は、ＣＶＤ酸化膜の成長温度と周
辺部との段差部形成による自己形成型であるため、均一
な形状のレンズを構成するものである。
は、オンチップマイクロレンズ１１がプラズマＣＶＤ膜
で形成されているため、耐湿性等の信頼性が向上するも
のである。そして本実施形態のＣＶＤ法によるオンチッ
プマイクロレンズ１１は、ＣＶＤ酸化膜の成長温度と周
辺部との段差部形成による自己形成型であるため、均一
な形状のレンズを構成するものである。
【００１５】次に本実施形態の固体撮像素子の製造方法
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１６】図２〜図５は本実施形態の固体撮像素子の
製造方法を示す工程別の断面図であり、特にオンチップ
マイクロレンズの形成工程を示すものである。
製造方法を示す工程別の断面図であり、特にオンチップ
マイクロレンズの形成工程を示すものである。
【００１７】まず図２に示すように、シリコン等の半導
体基板１に電荷転送部２、受光部３、遮光部４を形成し
た固体撮像素子に対して、受光部３等の上に色フィルタ
ー層５を形成する。
体基板１に電荷転送部２、受光部３、遮光部４を形成し
た固体撮像素子に対して、受光部３等の上に色フィルタ
ー層５を形成する。
【００１８】そして図３に示すように、半導体基板１上
の色フィルター層５を除くようにフォトレジスト１２を
パターニングし、色フィルター層５を部分的にエッチン
グする。この場合のエッチング方法は、ウエットエッチ
ング、ドライエッチングどちらでも良い。また、前記半
導体基板１上の色フィルター層５をエッチングにより完
全に取り除く必要はなく、前記受光部３上の色フィルタ
ー層５の膜厚と電荷転送部２上の色フィルター層５の膜
厚差が０．１［μｍ］以上になるようにエッチングすれ
ばよい。
の色フィルター層５を除くようにフォトレジスト１２を
パターニングし、色フィルター層５を部分的にエッチン
グする。この場合のエッチング方法は、ウエットエッチ
ング、ドライエッチングどちらでも良い。また、前記半
導体基板１上の色フィルター層５をエッチングにより完
全に取り除く必要はなく、前記受光部３上の色フィルタ
ー層５の膜厚と電荷転送部２上の色フィルター層５の膜
厚差が０．１［μｍ］以上になるようにエッチングすれ
ばよい。
【００１９】次に図４に示すように、エッチングにより
受光部３上に相当する色フィルター層５の表面には段差
７が形成される。
受光部３上に相当する色フィルター層５の表面には段差
７が形成される。
【００２０】そして図５に示すように、シランと亜酸化
窒素を原材ガスとして、プラズマＣＶＤ法により反応圧
力５０〜２００［Ｐａ］、成長温度２００〜４００
［℃］にて、色フィルター層５上の全面に５０〜３００
［ｎｍ］程度の膜厚の第１プラズマＣＶＤ酸化膜８を形
成した後、その第１プラズマＣＶＤ酸化膜８上に、シラ
ンと過酸化水素を原材ガスとして、反応圧力１００〜２
００［Ｐａ］、成長温度２０〜１００［℃］程度の高温
にて０．５〜１．５［μｍ］程度の膜厚のＣＶＤ酸化膜
９を形成する。このとき原材ガスとして他にメタノール
等のアルコールを添加し屈折率の制御に用いても良い。
膜厚および成長温度を制御することにより、形成するオ
ンチップマイクロレンズの曲率半径を制御することが可
能であり、成長温度を変化させることにより、受光部３
上に選択的にＣＶＤ酸化膜９を成長させることができ
る。続いてシランと亜酸化窒素を原材ガスとして、プラ
ズマＣＶＤ法により、反応圧力５０〜２００［Ｐａ］、
成長温度２００〜４００［℃］にて、前記ＣＶＤ酸化膜
９上の全面に５０〜３００［ｎｍ］程度の膜厚の第２プ
ラズマＣＶＤ酸化膜１０を形成する。その結果、第１プ
ラズマＣＶＤ酸化膜８、ＣＶＤ酸化膜９、第２プラズマ
ＣＶＤ酸化膜１０によるオンチップマイクロレンズ１１
を形成することができる。
窒素を原材ガスとして、プラズマＣＶＤ法により反応圧
力５０〜２００［Ｐａ］、成長温度２００〜４００
［℃］にて、色フィルター層５上の全面に５０〜３００
［ｎｍ］程度の膜厚の第１プラズマＣＶＤ酸化膜８を形
成した後、その第１プラズマＣＶＤ酸化膜８上に、シラ
ンと過酸化水素を原材ガスとして、反応圧力１００〜２
００［Ｐａ］、成長温度２０〜１００［℃］程度の高温
にて０．５〜１．５［μｍ］程度の膜厚のＣＶＤ酸化膜
９を形成する。このとき原材ガスとして他にメタノール
等のアルコールを添加し屈折率の制御に用いても良い。
膜厚および成長温度を制御することにより、形成するオ
ンチップマイクロレンズの曲率半径を制御することが可
能であり、成長温度を変化させることにより、受光部３
上に選択的にＣＶＤ酸化膜９を成長させることができ
る。続いてシランと亜酸化窒素を原材ガスとして、プラ
ズマＣＶＤ法により、反応圧力５０〜２００［Ｐａ］、
成長温度２００〜４００［℃］にて、前記ＣＶＤ酸化膜
９上の全面に５０〜３００［ｎｍ］程度の膜厚の第２プ
ラズマＣＶＤ酸化膜１０を形成する。その結果、第１プ
ラズマＣＶＤ酸化膜８、ＣＶＤ酸化膜９、第２プラズマ
ＣＶＤ酸化膜１０によるオンチップマイクロレンズ１１
を形成することができる。
【００２１】以上のような工程により、色フィルター層
５上に段差７を有し、第１プラズマＣＶＤ酸化膜８と、
ＣＶＤ酸化膜９と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０とに
よりオンチップマイクロレンズ１１が形成された固体撮
像素子が製造できる。
５上に段差７を有し、第１プラズマＣＶＤ酸化膜８と、
ＣＶＤ酸化膜９と、第２プラズマＣＶＤ酸化膜１０とに
よりオンチップマイクロレンズ１１が形成された固体撮
像素子が製造できる。
【００２２】以上のように本実施形態の固体撮像素子
は、従来のような熱可塑性樹脂によるオンチップマイク
ロレンズを有したものではなく、段差を利用したＣＶＤ
酸化膜によるオンチップマイクロレンズであるため、耐
湿性、耐光性、微細加工、密着性の点が優れている。そ
のため、固体撮像素子の品質および信頼性を著しく向上
させる効果が得られる。また、従来の製造プロセスに比
べ、処理工程数が少ないため、開発期間、リードタイム
の短縮ができるものである。
は、従来のような熱可塑性樹脂によるオンチップマイク
ロレンズを有したものではなく、段差を利用したＣＶＤ
酸化膜によるオンチップマイクロレンズであるため、耐
湿性、耐光性、微細加工、密着性の点が優れている。そ
のため、固体撮像素子の品質および信頼性を著しく向上
させる効果が得られる。また、従来の製造プロセスに比
べ、処理工程数が少ないため、開発期間、リードタイム
の短縮ができるものである。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、固体撮像
素子のオンチップマイクロレンズがシランと過酸化水素
を原材ガスとしたＣＶＤ酸化膜で形成されているため、
レンズ形状のバラツキを防止でき、固体撮像素子の受光
感度が劣化することを防止できるものである。また従来
の熱可塑性樹脂を用いたオンチップマイクロレンズに比
べ耐湿性、耐光性、微細加工、密着性の点が優れている
ため、固体撮像素子の品質および信頼性を著しく向上さ
せる効果が得られる。また、従来の製造プロセスに比べ
処理工程数が少ないため、開発期間、リードタイムの短
縮ができる。
素子のオンチップマイクロレンズがシランと過酸化水素
を原材ガスとしたＣＶＤ酸化膜で形成されているため、
レンズ形状のバラツキを防止でき、固体撮像素子の受光
感度が劣化することを防止できるものである。また従来
の熱可塑性樹脂を用いたオンチップマイクロレンズに比
べ耐湿性、耐光性、微細加工、密着性の点が優れている
ため、固体撮像素子の品質および信頼性を著しく向上さ
せる効果が得られる。また、従来の製造プロセスに比べ
処理工程数が少ないため、開発期間、リードタイムの短
縮ができる。
【図１】本発明の一実施形態の固体撮像素子を示す断面
図
図
【図２】本発明の一実施形態の固体撮像素子の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の固体撮像素子の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の固体撮像素子の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の固体撮像素子の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図６】従来の固体撮像素子を示す図
１ 半導体基板 ２ 電荷転送部 ３ 受光部 ４ 遮光部 ５ 色フィルター層 ６ オンチップマイクロレンズ ７ 段差 ８ 第１プラズマＣＶＤ酸化膜 ９ ＣＶＤ酸化膜 １０ 第２プラズマＣＶＤ酸化膜 １１ オンチップマイクロレンズ １２ フォトレジスト
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に電荷転送部、受光部、お
よび前記電荷転送部の真上に位置するように色フィルタ
ー層が形成されてなる固体撮像素子であって、前記受光
部上の色フィルター層上に段差を有し、前記段差上に第
１プラズマＣＶＤ酸化膜と、ＣＶＤ酸化膜と、第２プラ
ズマＣＶＤ酸化膜とによるオンチップマイクロレンズが
設けられたことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 オンチップマイクロレンズは、シランと
過酸化水素を原材ガスとしたＣＶＤ酸化膜で形成された
ものであることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素
子。 - 【請求項３】 半導体基板に受光部、電荷転送部が形成
された固体撮像素子に対して、少なくとも前記半導体基
板上の受光部上に色フィルター層を形成する工程と、前
記色フィルター上にオンチップマイクロレンズを形成す
る工程とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前
記オンチップマイクロレンズを形成する工程は、前記半
導体基板上の受光部に相当する色フィルター層上にフォ
トレジストをパターニング形成し、前記色フィルター層
をエッチングし、前記受光部上の色フィルター層上に段
差を形成する工程と、シランと亜酸化窒素を原材ガスと
してプラズマＣＶＤ法により、前記色フィルター層上に
第１プラズマＣＶＤ酸化膜を形成する工程と、前記形成
した第１プラズマＣＶＤ酸化膜上に、シランと過酸化水
素を原材ガスとして、ＣＶＤ酸化膜を形成する工程と、
前記ＣＶＤ酸化膜上にシランと亜酸化窒素を原材ガスと
して、プラズマＣＶＤ法により、第２プラズマＣＶＤ酸
化膜を形成する工程とよりなることを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。 - 【請求項４】 第１プラズマＣＶＤ酸化膜上に、シラン
と過酸化水素を原材ガスとして、ＣＶＤ酸化膜を形成す
る工程において、 屈折率の制御のために、原材ガスとして他にメタノール
等のアルコールを添加することを特徴とする請求項３記
載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328115A JPH10173159A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328115A JPH10173159A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173159A true JPH10173159A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18206663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8328115A Pending JPH10173159A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173159A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399897B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서의 제조방법 |
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| KR20080060450A (ko) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100929736B1 (ko) | 2007-12-20 | 2009-12-03 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| US7659929B2 (en) | 2004-08-24 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and method of manufacturing thereof |
| US8101452B2 (en) * | 2007-06-25 | 2012-01-24 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Image sensor and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP8328115A patent/JPH10173159A/ja active Pending
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