JPH10170926A - 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 - Google Patents
液晶素子及びこれを用いた液晶装置Info
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- JPH10170926A JPH10170926A JP32623996A JP32623996A JPH10170926A JP H10170926 A JPH10170926 A JP H10170926A JP 32623996 A JP32623996 A JP 32623996A JP 32623996 A JP32623996 A JP 32623996A JP H10170926 A JPH10170926 A JP H10170926A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カイラルスメクティック液晶を用いた液晶素
子において、外部応力の印加による配向不良を防止す
る。 【解決手段】 液晶として、２５℃における粘性が９９
３３×１０-3ＰａＳ、４５℃における粘性が３６８６×
１０-3ＰａＳの液晶組成物を用い、粒子状接着剤を８０
個／ｍｍ2散布して、有効光学変調領域が対角１５イン
チの液晶素子とする。
子において、外部応力の印加による配向不良を防止す
る。 【解決手段】 液晶として、２５℃における粘性が９９
３３×１０-3ＰａＳ、４５℃における粘性が３６８６×
１０-3ＰａＳの液晶組成物を用い、粒子状接着剤を８０
個／ｍｍ2散布して、有効光学変調領域が対角１５イン
チの液晶素子とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、テレビ受像機等に用いられる液晶素子
及びこれを用いた液晶装置に関する。
末ディスプレイ、テレビ受像機等に用いられる液晶素子
及びこれを用いた液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】カイラルスメクティック液晶は、一般に
特定の温度域において、カイラルスメクティックＣ相
（ＳｍＣ*）又はＨ相（ＳｍＨ*）を有し、この状態にお
いて加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ薄いセル
においては電界の印加のない時にその状態を維持する性
質、即ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
も速やかであり、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。
特定の温度域において、カイラルスメクティックＣ相
（ＳｍＣ*）又はＨ相（ＳｍＨ*）を有し、この状態にお
いて加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ薄いセル
においては電界の印加のない時にその状態を維持する性
質、即ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
も速やかであり、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。
【０００３】上記カイラルスメクティック液晶を用いた
液晶素子は、透明電極を形成した２枚の基板を、該透明
電極同士が所定の間隔を保って対向するように熱硬化型
のシール材で周囲を、またその間隔を粒子状接着剤で、
それぞれ貼り合わせ、その間隙に液晶を注入することに
よって製造されていた。
液晶素子は、透明電極を形成した２枚の基板を、該透明
電極同士が所定の間隔を保って対向するように熱硬化型
のシール材で周囲を、またその間隔を粒子状接着剤で、
それぞれ貼り合わせ、その間隙に液晶を注入することに
よって製造されていた。
【０００４】このような液晶素子が上記したような高速
応答性と記憶性を持つためには、らせん配列構造が抑制
されたカイラルスメクティック相を生じさせる垂直分子
層が面内において一方向に配列した複数の垂直分子層の
配向状態が保持されなければならない。しかしながら、
液晶素子に外部から衝撃等応力が加わった場合には、当
該分子層構造の破壊或いは乱れを生じ易く、所望の配向
状態が損なわれ易いという問題があった。
応答性と記憶性を持つためには、らせん配列構造が抑制
されたカイラルスメクティック相を生じさせる垂直分子
層が面内において一方向に配列した複数の垂直分子層の
配向状態が保持されなければならない。しかしながら、
液晶素子に外部から衝撃等応力が加わった場合には、当
該分子層構造の破壊或いは乱れを生じ易く、所望の配向
状態が損なわれ易いという問題があった。
【０００５】従来、上記のような問題を解決する方法と
して、液晶素子の基板を厚くしたり、或いは、基板間隙
に散布される粒子状接着剤の分布密度を調整して外部応
力に対し基板が変形しにくいように構成し、耐衝撃性能
を高めて外部応力の印加による配向不良を抑制してい
た。
して、液晶素子の基板を厚くしたり、或いは、基板間隙
に散布される粒子状接着剤の分布密度を調整して外部応
力に対し基板が変形しにくいように構成し、耐衝撃性能
を高めて外部応力の印加による配向不良を抑制してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
厚くする方法では、基板が厚くなり過ぎると該基板の自
重も大きくなるため耐衝撃性能は逆に劣化してしまう。
そのため、当該方法で耐衝撃性能を確保するには限界が
あった。
厚くする方法では、基板が厚くなり過ぎると該基板の自
重も大きくなるため耐衝撃性能は逆に劣化してしまう。
そのため、当該方法で耐衝撃性能を確保するには限界が
あった。
【０００７】一方、粒子状接着剤の分布密度を調整する
方法では、該密度を高くし過ぎると、液晶注入後の冷却
に従って生じる前記接着剤の体積収縮よりも液晶自体の
体積収縮が大きいため、液晶の注入不良が生じ易いとい
う問題が有った。そのため、粒子状接着剤の分布密度を
調整するだけでは、液晶素子の耐衝撃性能の向上には限
界が有った。
方法では、該密度を高くし過ぎると、液晶注入後の冷却
に従って生じる前記接着剤の体積収縮よりも液晶自体の
体積収縮が大きいため、液晶の注入不良が生じ易いとい
う問題が有った。そのため、粒子状接着剤の分布密度を
調整するだけでは、液晶素子の耐衝撃性能の向上には限
界が有った。
【０００８】衝撃に伴う外部応力の印加による液晶分子
の層破壊は、基板間の曲げによるズリ応力により発生
し、該応力は表示画面のサイズに伴って大きくなる。従
って、耐衝撃性能は、大画面の液晶素子ほど顕著とな
り、特に、対角１５インチ以上の素子においては実際の
使用に耐えない。
の層破壊は、基板間の曲げによるズリ応力により発生
し、該応力は表示画面のサイズに伴って大きくなる。従
って、耐衝撃性能は、大画面の液晶素子ほど顕著とな
り、特に、対角１５インチ以上の素子においては実際の
使用に耐えない。
【０００９】本発明の目的は、上記問題を解決し、液晶
注入不良がなく、且つ高い耐衝撃性能を有して外部応力
の印加による配向不良の発生が低減した液晶素子を提供
することにある。また該耐衝撃性能は、環境温度によっ
ても異なり、高温になると低下することが知られている
が、本発明は、高温においても良好な耐衝撃性能を有す
る液晶素子を提供することを目的とするものである。
注入不良がなく、且つ高い耐衝撃性能を有して外部応力
の印加による配向不良の発生が低減した液晶素子を提供
することにある。また該耐衝撃性能は、環境温度によっ
ても異なり、高温になると低下することが知られている
が、本発明は、高温においても良好な耐衝撃性能を有す
る液晶素子を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
にカイラルスメクティック液晶を挟持した液晶素子であ
って、該基板間に平均分布密度６０〜１２０個／ｍｍ2
で粒子状接着剤を有し、且つ上記液晶の２５℃における
粘性η1［ＰａＳ］及び４５℃における粘性η2［Ｐａ
Ｓ］と前記液晶素子の有効光学変調領域の対角Ｌ［ｍ］
が、η1≧５０Ｌ2、η2≧２０Ｌ2の関係を満足すること
を特徴とする液晶素子である。
にカイラルスメクティック液晶を挟持した液晶素子であ
って、該基板間に平均分布密度６０〜１２０個／ｍｍ2
で粒子状接着剤を有し、且つ上記液晶の２５℃における
粘性η1［ＰａＳ］及び４５℃における粘性η2［Ｐａ
Ｓ］と前記液晶素子の有効光学変調領域の対角Ｌ［ｍ］
が、η1≧５０Ｌ2、η2≧２０Ｌ2の関係を満足すること
を特徴とする液晶素子である。
【００１１】本発明は、前記した基板間の曲げにより生
ずるズリ応力の発生が、液晶のずり粘性力に依存してい
る点に着目し、液晶の粘性を調整することによって、高
温域を含む広範囲の温度域における耐衝撃性能を制御し
たものである。
ずるズリ応力の発生が、液晶のずり粘性力に依存してい
る点に着目し、液晶の粘性を調整することによって、高
温域を含む広範囲の温度域における耐衝撃性能を制御し
たものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に本発明の液晶素子の一例の
断面図を示す。図中、１ａ、１ｂはガラス等からなる基
板、２ａ、２ｂはＩＴＯ等透明導電材からなる透明電
極、３ａ、３ｂは無機絶縁膜、４ａ、４ｂは配向制御
膜、５はスペーサー、６は粒子状接着剤、７はシール
材、８はカイラルスメクティック液晶である。
断面図を示す。図中、１ａ、１ｂはガラス等からなる基
板、２ａ、２ｂはＩＴＯ等透明導電材からなる透明電
極、３ａ、３ｂは無機絶縁膜、４ａ、４ｂは配向制御
膜、５はスペーサー、６は粒子状接着剤、７はシール
材、８はカイラルスメクティック液晶である。
【００１３】以下、図面に沿って本発明の液晶素子の製
造例を説明する。
造例を説明する。
【００１４】図１に示すように、透明なガラス基板１
ａ、１ｂ上に、スパッタ法により厚さ４０〜２００ｎｍ
のＩＴＯ等を成膜し、所望の形状にパターニングして透
明電極２ａ、２ｂを形成する。この上に、上下透明電極
２ａ、２ｂのショート防止のためにＴａＯX等からなる
無機絶縁膜３ａ、３ｂを形成する。この絶縁膜は、電極
表面の凹凸を緩和させる働きも兼ね備えていて、その厚
さは１０〜２００ｎｍの範囲に設定される。この上に液
晶配向用の配向制御膜４ａ、４ｂとして、フッ素含有の
ポリイミド樹脂等からなる有機高分子膜を厚さ１〜１０
０ｎｍで印刷法により設ける。液晶素子に用いられる液
晶分子の配向性は液晶全体に対し一定の方向にそろえて
おく必要があり、このため、上記配向制御膜４ａ、４ｂ
にはラビング処理が施される。
ａ、１ｂ上に、スパッタ法により厚さ４０〜２００ｎｍ
のＩＴＯ等を成膜し、所望の形状にパターニングして透
明電極２ａ、２ｂを形成する。この上に、上下透明電極
２ａ、２ｂのショート防止のためにＴａＯX等からなる
無機絶縁膜３ａ、３ｂを形成する。この絶縁膜は、電極
表面の凹凸を緩和させる働きも兼ね備えていて、その厚
さは１０〜２００ｎｍの範囲に設定される。この上に液
晶配向用の配向制御膜４ａ、４ｂとして、フッ素含有の
ポリイミド樹脂等からなる有機高分子膜を厚さ１〜１０
０ｎｍで印刷法により設ける。液晶素子に用いられる液
晶分子の配向性は液晶全体に対し一定の方向にそろえて
おく必要があり、このため、上記配向制御膜４ａ、４ｂ
にはラビング処理が施される。
【００１５】ラビング処理を施した一方の基板上に、セ
ルギャップを一定に保つために、ＳｉＯ2等からなるビ
ーズスペーサー５を分散配置し、その周囲に熱硬化型の
シール材７を所望の形状に描画する。
ルギャップを一定に保つために、ＳｉＯ2等からなるビ
ーズスペーサー５を分散配置し、その周囲に熱硬化型の
シール材７を所望の形状に描画する。
【００１６】また、他方の基板には、熱硬化型のエポキ
シ樹脂等からなる粒子状接着剤６を分散配置する。本発
明において、基板間隙に分散させる粒子状接着剤６の平
均分布密度は６０〜１２０個／ｍｍ2、好ましくは６０
〜１００個／ｍｍ2である。粒子状接着剤が少な過ぎる
とセルギャップ均一性が低下し、また、多過ぎる場合に
は前述の液晶注入不良が発生するため、いずれも好まし
くない。該粒子状接着剤は、散布機を利用して散布さ
れ、該散布機のノズルの移動速度や移動パターンを制御
することにより、所望の分布密度で分散配置することが
できる。
シ樹脂等からなる粒子状接着剤６を分散配置する。本発
明において、基板間隙に分散させる粒子状接着剤６の平
均分布密度は６０〜１２０個／ｍｍ2、好ましくは６０
〜１００個／ｍｍ2である。粒子状接着剤が少な過ぎる
とセルギャップ均一性が低下し、また、多過ぎる場合に
は前述の液晶注入不良が発生するため、いずれも好まし
くない。該粒子状接着剤は、散布機を利用して散布さ
れ、該散布機のノズルの移動速度や移動パターンを制御
することにより、所望の分布密度で分散配置することが
できる。
【００１７】このようにして得られた２枚の基板を対向
配置して貼り合わせ、加熱してシール材７及び粒子状接
着剤６を硬化し、セルを形成してカイラルスメクティッ
ク液晶８を注入する。
配置して貼り合わせ、加熱してシール材７及び粒子状接
着剤６を硬化し、セルを形成してカイラルスメクティッ
ク液晶８を注入する。
【００１８】本発明においては、用いる液晶の粘性と有
効光学変調領域即ち表示部の対角との関係を規定するこ
とにより高い耐衝撃性能が得られる。即ち、２５℃にお
ける粘性をη1［ＰａＳ］、４５℃における粘性をη
2［ＰａＳ］、対角をＬ［ｍ］とした時、η1≧５０Ｌ2
を満足することにより２５℃における耐衝撃性能が、η
2≧２０Ｌ2を満足することにより４５℃における耐衝撃
性能が得られ、これら両者を満足することにより、広範
囲の温度域における耐衝撃性能が得られ、対角１５イン
チ以上の液晶素子が実現する。
効光学変調領域即ち表示部の対角との関係を規定するこ
とにより高い耐衝撃性能が得られる。即ち、２５℃にお
ける粘性をη1［ＰａＳ］、４５℃における粘性をη
2［ＰａＳ］、対角をＬ［ｍ］とした時、η1≧５０Ｌ2
を満足することにより２５℃における耐衝撃性能が、η
2≧２０Ｌ2を満足することにより４５℃における耐衝撃
性能が得られ、これら両者を満足することにより、広範
囲の温度域における耐衝撃性能が得られ、対角１５イン
チ以上の液晶素子が実現する。
【００１９】尚、上記実施形態において、配向制御膜は
上下基板の双方に設けていたが、特にこれに限定される
ものではない。また、配向制御膜に施されたラビング処
理等一軸配向処理の処理軸は、用いる液晶の種類や特性
等によって適宜、平行或いは２５°以下の角度をもって
交差される。
上下基板の双方に設けていたが、特にこれに限定される
ものではない。また、配向制御膜に施されたラビング処
理等一軸配向処理の処理軸は、用いる液晶の種類や特性
等によって適宜、平行或いは２５°以下の角度をもって
交差される。
【００２０】現在、液晶素子に用いられるカイラルスメ
クティック液晶としては、ピリミジン環やフェニル環を
持つ液晶性化合物をベースとして用いた液晶組成物が主
流となっている。本発明においても、本発明の効果が得
られる範囲で、このような液晶化合物を用いることがで
きる。
クティック液晶としては、ピリミジン環やフェニル環を
持つ液晶性化合物をベースとして用いた液晶組成物が主
流となっている。本発明においても、本発明の効果が得
られる範囲で、このような液晶化合物を用いることがで
きる。
【００２１】本発明において用いられるカイラルスメク
ティック液晶としては、カイラルスメクティックＣ相を
呈し、該カイラルスメクティックＣ相の層の傾斜角δ
が、０〜６℃の温度範囲で、３°以上１５°以下に調製
されている液晶組成物が好ましく用いられる。
ティック液晶としては、カイラルスメクティックＣ相を
呈し、該カイラルスメクティックＣ相の層の傾斜角δ
が、０〜６℃の温度範囲で、３°以上１５°以下に調製
されている液晶組成物が好ましく用いられる。
【００２２】また、本発明において好ましくは、素子の
室温近傍におけるプレティルト角をα、液晶のティルト
角をΘ、液晶の層の傾斜角をδとした場合に、下記
（Ｉ）式及び（ＩＩ）式で表わされる配向状態を有し、
且つ、この配向状態において、少なくとも二つの安定状
態を示し、それらの光学軸のなす角度の１／２である、
見かけのティルト角θaとティルト角Θとが、下記（Ｉ
ＩＩ）式の関係を有することが好ましい。
室温近傍におけるプレティルト角をα、液晶のティルト
角をΘ、液晶の層の傾斜角をδとした場合に、下記
（Ｉ）式及び（ＩＩ）式で表わされる配向状態を有し、
且つ、この配向状態において、少なくとも二つの安定状
態を示し、それらの光学軸のなす角度の１／２である、
見かけのティルト角θaとティルト角Θとが、下記（Ｉ
ＩＩ）式の関係を有することが好ましい。
【００２３】Θ＜α＋δ （Ｉ） δ＜α （ＩＩ） Θ＞θa＞Θ／２ （ＩＩＩ）
【００２４】上記プレティルト角αは好ましくは５°以
上である。
上である。
【００２５】以下に本発明に用い得るカイラルスメクテ
ィック液晶組成物の一例（ＬＣA）を示す。
ィック液晶組成物の一例（ＬＣA）を示す。
【００２６】尚、各液晶性化合物の構造を示すアルファ
ベットは、下記に示す環状骨格を意味する。
ベットは、下記に示す環状骨格を意味する。
【００２７】
【化１】
【００２８】
【化２】
【００２９】また、この組成物の相転移温度は、下記の
通りである。
通りである。
【００３０】
【化３】
【００３１】組成物の相転移温度は、パーキンエルマー
社製のＤＳＣ７、及び、ガラス板に配向膜を塗布し、ラ
ビング処理された液晶セルに注入し、メトラー社製サー
モシステムＦＰ−８０／ＦＰ−８２のホットステージ中
で温度制御しながら、偏光顕微鏡で観察することで決定
される。
社製のＤＳＣ７、及び、ガラス板に配向膜を塗布し、ラ
ビング処理された液晶セルに注入し、メトラー社製サー
モシステムＦＰ−８０／ＦＰ−８２のホットステージ中
で温度制御しながら、偏光顕微鏡で観察することで決定
される。
【００３２】尚、上記液晶組成物の粘性を変える場合に
は、例えば、中心骨格が環状基２つで構成される、Ｃ8
Ｈ17−Ｐｙ−Ｐｈ−ＯＣ10Ｈ21や、Ｃ10Ｈ21−Ｐｙ−Ｐ
ｈ−ＯＣ8Ｈ17、Ｃ9Ｈ19−Ｐｙ−Ｐｈ−ＯＣ6Ｈ13など
の化合物と、環状基３つで構成されるＣ6Ｈ13−Ｐｙ−
Ｐｈ−Ｐｈ−Ｃ5Ｈ11、Ｃ6Ｈ13−Ｐｙ−Ｔｚ−ＰｙＯＯ
ＣＣ6Ｈ13などとの配合比を変えることにより、異なる
粘性の液晶組成物を得ることができる。
は、例えば、中心骨格が環状基２つで構成される、Ｃ8
Ｈ17−Ｐｙ−Ｐｈ−ＯＣ10Ｈ21や、Ｃ10Ｈ21−Ｐｙ−Ｐ
ｈ−ＯＣ8Ｈ17、Ｃ9Ｈ19−Ｐｙ−Ｐｈ−ＯＣ6Ｈ13など
の化合物と、環状基３つで構成されるＣ6Ｈ13−Ｐｙ−
Ｐｈ−Ｐｈ−Ｃ5Ｈ11、Ｃ6Ｈ13−Ｐｙ−Ｔｚ−ＰｙＯＯ
ＣＣ6Ｈ13などとの配合比を変えることにより、異なる
粘性の液晶組成物を得ることができる。
【００３３】
【実施例】先ず、本実施例及び比較例の液晶素子の製造
工程を説明する。
工程を説明する。
【００３４】厚さ１．１ｍｍの透明なガラス基板上に、
スパッタ法により厚さ７０ｎｍのＩＴＯを成膜し、所望
の形状にパターニングした。その上に、ＴａＯXからな
る無機絶縁膜を厚さ９０ｎｍで形成し、さらに、ポリイ
ミド樹脂からなる配向制御膜を厚さ４ｎｍで形成し、ラ
ビング処理を行なった。
スパッタ法により厚さ７０ｎｍのＩＴＯを成膜し、所望
の形状にパターニングした。その上に、ＴａＯXからな
る無機絶縁膜を厚さ９０ｎｍで形成し、さらに、ポリイ
ミド樹脂からなる配向制御膜を厚さ４ｎｍで形成し、ラ
ビング処理を行なった。
【００３５】一方の基板にはエポキシ樹脂からなる熱硬
化型のシール材を描画し、平均粒径約１．２μｍのＳｉ
Ｏ2ビーズスペーサーを分散配置し、他方の基板には平
均粒径約５μｍのエポキシ系の粒子状接着剤（東レ社
製、商品名「トレパール」）を分散配置した。
化型のシール材を描画し、平均粒径約１．２μｍのＳｉ
Ｏ2ビーズスペーサーを分散配置し、他方の基板には平
均粒径約５μｍのエポキシ系の粒子状接着剤（東レ社
製、商品名「トレパール」）を分散配置した。
【００３６】このようにして得られた２枚の基板を対向
配置して貼り合わせてセルを作製し、液晶組成物をセル
内を１×１０-4気圧まで減圧し、等方相で注入した。
配置して貼り合わせてセルを作製し、液晶組成物をセル
内を１×１０-4気圧まで減圧し、等方相で注入した。
【００３７】次に、得られた液晶素子の耐衝撃性能の評
価方法について説明する。一定の環境温度に設定された
試験室内で、同一の温度に設定された液晶素子に対し
て、パネル全体が衝撃を受けた場合と近い形態とするた
め、図２に示したように液晶素子を設置し、図３に示す
位置３１に静圧荷重をかけた。図中、２２はアクリル
板、２３は水を詰めたビニール袋、２４は液晶素子、２
５は液晶素子固定板、２６はステージ台、２７は静圧荷
重をかける方向である。液晶素子への荷重のかけ方は、
一定荷重を約５秒間保持するという方法で、２５℃の場
合１１．０ｋｇ重の荷重を、４５℃の場合８．０ｋｇ重
の荷重をかけ、液晶素子に配向不良の箇所が生じている
かどうかを確認した。
価方法について説明する。一定の環境温度に設定された
試験室内で、同一の温度に設定された液晶素子に対し
て、パネル全体が衝撃を受けた場合と近い形態とするた
め、図２に示したように液晶素子を設置し、図３に示す
位置３１に静圧荷重をかけた。図中、２２はアクリル
板、２３は水を詰めたビニール袋、２４は液晶素子、２
５は液晶素子固定板、２６はステージ台、２７は静圧荷
重をかける方向である。液晶素子への荷重のかけ方は、
一定荷重を約５秒間保持するという方法で、２５℃の場
合１１．０ｋｇ重の荷重を、４５℃の場合８．０ｋｇ重
の荷重をかけ、液晶素子に配向不良の箇所が生じている
かどうかを確認した。
【００３８】また、用いた液晶組成物の粘性値は、測定
装置としてトキメック社製Ｅ型粘度計を使用し、温度２
５℃、使用コーン１°、回転数２．５ｒｐｍ、測定時間
５分という条件にて測定した。
装置としてトキメック社製Ｅ型粘度計を使用し、温度２
５℃、使用コーン１°、回転数２．５ｒｐｍ、測定時間
５分という条件にて測定した。
【００３９】［実験１］２５℃における粘性η1＝９９
３３×１０-3ＰａＳ、４５℃における粘性η2＝３６８
６×１０-3ＰａＳであるカイラルスメクティック液晶組
成物ＬＣAを用い、粒子状接着剤の平均分布密度を８０
個／ｍｍ2として対角サイズを変えてそれぞれサンプル
数１０の液晶素子を作製し、２５℃及び４５℃における
静圧荷重試験を行なった。その結果を表１に示す。
３３×１０-3ＰａＳ、４５℃における粘性η2＝３６８
６×１０-3ＰａＳであるカイラルスメクティック液晶組
成物ＬＣAを用い、粒子状接着剤の平均分布密度を８０
個／ｍｍ2として対角サイズを変えてそれぞれサンプル
数１０の液晶素子を作製し、２５℃及び４５℃における
静圧荷重試験を行なった。その結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】［実験２］η1＝９９３３×１０-3Ｐａ
Ｓ、η2＝１４５４×１０-3ＰａＳの市販の液晶組成物
ＬＣB（メルク社製；ＺＬＩ３２３３）を用いる以外は
実験１と同様に液晶素子を作製し２５℃及び４５℃にお
ける静圧荷重試験を行なった。その結果を表２に示す。
Ｓ、η2＝１４５４×１０-3ＰａＳの市販の液晶組成物
ＬＣB（メルク社製；ＺＬＩ３２３３）を用いる以外は
実験１と同様に液晶素子を作製し２５℃及び４５℃にお
ける静圧荷重試験を行なった。その結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】［実験３］η1＝６１４４×１０-3Ｐａ
Ｓ、η2＝２５６０×１０-3ＰａＳの市販の液晶組成物
ＬＣC（チッソ社製；ＣＳ１０１４）を用いる以外は実
験１と同様にして液晶素子を作製し、２５℃及び４５℃
における静圧荷重実験試験を行なった。その結果を表３
に示す。
Ｓ、η2＝２５６０×１０-3ＰａＳの市販の液晶組成物
ＬＣC（チッソ社製；ＣＳ１０１４）を用いる以外は実
験１と同様にして液晶素子を作製し、２５℃及び４５℃
における静圧荷重実験試験を行なった。その結果を表３
に示す。
【００４４】
【表３】
【００４５】［実験４］実験１〜３の対角サイズ１５イ
ンチの液晶素子についてそれぞれ粒子状接着剤の散布密
度を変化させて注入不良を評価した。その結果を表４に
示す。サンプル数は１０で表中の数値は注入不良発生パ
ネル数である。
ンチの液晶素子についてそれぞれ粒子状接着剤の散布密
度を変化させて注入不良を評価した。その結果を表４に
示す。サンプル数は１０で表中の数値は注入不良発生パ
ネル数である。
【００４６】
【表４】
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶の注入不良を起こさない範囲で広範囲な温度域にお
ける充分な耐衝撃性能が得られ、外部応力の印加による
配向不良が防止され、取り扱い易い液晶素子が歩留良く
提供できる。
液晶の注入不良を起こさない範囲で広範囲な温度域にお
ける充分な耐衝撃性能が得られ、外部応力の印加による
配向不良が防止され、取り扱い易い液晶素子が歩留良く
提供できる。
【図１】本発明の液晶素子の一例の断面図である。
【図２】本発明の実施例における静圧荷重のかけ方を示
す概略図である。
す概略図である。
【図３】本発明の実施例における静圧荷重をかける位置
を示す図である。
を示す図である。
１ａ、１ｂ 基板 ２ａ、２ｂ 透明電極 ３ａ、３ｂ 無機絶縁膜 ４ａ、４ｂ 配向制御膜 ５ スペーサー ６ 粒子状接着剤 ７ シール材 ８ カイラルスメクティック液晶 ２２ アクリル板 ２３ ビニール袋 ２４ 液晶素子 ２５ 液晶素子固定板 ２６ ステージ台 ２７ 静圧荷重をかける方向 ３１ 静圧荷重をかける位置
Claims (11)
- 【請求項１】 一対の基板間にカイラルスメクティック
液晶を挟持した液晶素子であって、該基板間に平均分布
密度６０〜１２０個／ｍｍ2で粒子状接着剤を有し、且
つ前記液晶の２５℃における粘性η1［ＰａＳ］及び４
５℃における粘性η2［ＰａＳ］と前記液晶素子の有効
光学変調領域の対角Ｌ［ｍ］が、η1≧５０Ｌ2、η2≧
２０Ｌ2の関係を満足することを特徴とする液晶素子。 - 【請求項２】 上記対向角が１５インチ以上である請求
項１記載の液晶素子。 - 【請求項３】 上記液晶がカイラルスメクティックＣ相
を呈し、該カイラルスメクティックＣ相の層の傾斜角δ
が、０〜６℃の温度範囲で、３°以上１５°以下に調製
されている請求項１記載の液晶素子。 - 【請求項４】 上記液晶素子が、少なくとも一方の基板
における対向面側に液晶の配向状態を制御するための配
向制御層を有する請求項１記載の液晶素子。 - 【請求項５】 上記液晶が、素子の室温近傍におけるプ
レティルト角をα、液晶のティルト角をΘ、液晶の層の
傾斜角をδとした場合に、下記（Ｉ）式及び（ＩＩ）式
で表わされる配向状態を有し、且つ、この配向状態にお
いて、少なくとも二つの安定状態を示し、それらの光学
軸のなす角度の１／２である、見かけのティルト角θa
とティルト角Θとが、下記（ＩＩＩ）式の関係を有する
請求項４記載の液晶素子。 Θ＜α＋δ （Ｉ） δ＜α （ＩＩ） Θ＞θa＞Θ／２ （ＩＩＩ） - 【請求項６】 上記液晶素子の両基板の対向面にそれぞ
れ液晶の配向状態を制御するための配向制御層を有し、
該配向制御層が、いずれも一軸配向処理がなされてお
り、該一軸配向処理軸が実質的に平行である請求項４又
は５記載の液晶素子。 - 【請求項７】 上記液晶素子の両基板の対向面にそれぞ
れ液晶の配向状態を制御するための配向制御層を有し、
該配向制御層が、いずれも一軸配向処理がなされてお
り、該一軸配向処理軸が所定の角度で交差した請求項４
又は５記載の液晶素子。 - 【請求項８】 上記一軸配向処理軸の交差角が２５°以
下である請求項７記載の液晶素子。 - 【請求項９】 上記プレティルト角αの大きさが５°以
上である請求項５記載の液晶素子。 - 【請求項１０】 上記粒子状接着剤の平均分布密度が６
０〜１００個／ｍｍ2である請求項１記載の液晶素子。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の液
晶素子と、該液晶素子の駆動回路とを具備することを特
徴とする液晶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623996A JPH10170926A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623996A JPH10170926A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10170926A true JPH10170926A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18185555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32623996A Withdrawn JPH10170926A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10170926A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047264A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-18 | Aventis Research & Technol Gmbh & Co Kg | スメクティック液晶ディスプレイの製造方法 |
| KR100895306B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
| JP2010097223A (ja) * | 2009-12-23 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32623996A patent/JPH10170926A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047264A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-18 | Aventis Research & Technol Gmbh & Co Kg | スメクティック液晶ディスプレイの製造方法 |
| KR100895306B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
| JP2010097223A (ja) * | 2009-12-23 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |