JPH10170926A - 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 - Google Patents
液晶素子及びこれを用いた液晶装置Info
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- JPH10170926A JPH10170926A JP32623996A JP32623996A JPH10170926A JP H10170926 A JPH10170926 A JP H10170926A JP 32623996 A JP32623996 A JP 32623996A JP 32623996 A JP32623996 A JP 32623996A JP H10170926 A JPH10170926 A JP H10170926A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カイラルスメクティック液晶を用いた液晶素
子において、外部応力の印加による配向不良を防止す
る。 【解決手段】 液晶として、25℃における粘性が99
33×10-3PaS、45℃における粘性が3686×
10-3PaSの液晶組成物を用い、粒子状接着剤を80
個/mm2散布して、有効光学変調領域が対角15イン
チの液晶素子とする。
子において、外部応力の印加による配向不良を防止す
る。 【解決手段】 液晶として、25℃における粘性が99
33×10-3PaS、45℃における粘性が3686×
10-3PaSの液晶組成物を用い、粒子状接着剤を80
個/mm2散布して、有効光学変調領域が対角15イン
チの液晶素子とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、テレビ受像機等に用いられる液晶素子
及びこれを用いた液晶装置に関する。
末ディスプレイ、テレビ受像機等に用いられる液晶素子
及びこれを用いた液晶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】カイラルスメクティック液晶は、一般に
特定の温度域において、カイラルスメクティックC相
(SmC*)又はH相(SmH*)を有し、この状態にお
いて加えられる電界に応答して第1の光学的安定状態と
第2の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ薄いセル
においては電界の印加のない時にその状態を維持する性
質、即ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
も速やかであり、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。
特定の温度域において、カイラルスメクティックC相
(SmC*)又はH相(SmH*)を有し、この状態にお
いて加えられる電界に応答して第1の光学的安定状態と
第2の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ薄いセル
においては電界の印加のない時にその状態を維持する性
質、即ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
も速やかであり、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。
【0003】上記カイラルスメクティック液晶を用いた
液晶素子は、透明電極を形成した2枚の基板を、該透明
電極同士が所定の間隔を保って対向するように熱硬化型
のシール材で周囲を、またその間隔を粒子状接着剤で、
それぞれ貼り合わせ、その間隙に液晶を注入することに
よって製造されていた。
液晶素子は、透明電極を形成した2枚の基板を、該透明
電極同士が所定の間隔を保って対向するように熱硬化型
のシール材で周囲を、またその間隔を粒子状接着剤で、
それぞれ貼り合わせ、その間隙に液晶を注入することに
よって製造されていた。
【0004】このような液晶素子が上記したような高速
応答性と記憶性を持つためには、らせん配列構造が抑制
されたカイラルスメクティック相を生じさせる垂直分子
層が面内において一方向に配列した複数の垂直分子層の
配向状態が保持されなければならない。しかしながら、
液晶素子に外部から衝撃等応力が加わった場合には、当
該分子層構造の破壊或いは乱れを生じ易く、所望の配向
状態が損なわれ易いという問題があった。
応答性と記憶性を持つためには、らせん配列構造が抑制
されたカイラルスメクティック相を生じさせる垂直分子
層が面内において一方向に配列した複数の垂直分子層の
配向状態が保持されなければならない。しかしながら、
液晶素子に外部から衝撃等応力が加わった場合には、当
該分子層構造の破壊或いは乱れを生じ易く、所望の配向
状態が損なわれ易いという問題があった。
【0005】従来、上記のような問題を解決する方法と
して、液晶素子の基板を厚くしたり、或いは、基板間隙
に散布される粒子状接着剤の分布密度を調整して外部応
力に対し基板が変形しにくいように構成し、耐衝撃性能
を高めて外部応力の印加による配向不良を抑制してい
た。
して、液晶素子の基板を厚くしたり、或いは、基板間隙
に散布される粒子状接着剤の分布密度を調整して外部応
力に対し基板が変形しにくいように構成し、耐衝撃性能
を高めて外部応力の印加による配向不良を抑制してい
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
厚くする方法では、基板が厚くなり過ぎると該基板の自
重も大きくなるため耐衝撃性能は逆に劣化してしまう。
そのため、当該方法で耐衝撃性能を確保するには限界が
あった。
厚くする方法では、基板が厚くなり過ぎると該基板の自
重も大きくなるため耐衝撃性能は逆に劣化してしまう。
そのため、当該方法で耐衝撃性能を確保するには限界が
あった。
【0007】一方、粒子状接着剤の分布密度を調整する
方法では、該密度を高くし過ぎると、液晶注入後の冷却
に従って生じる前記接着剤の体積収縮よりも液晶自体の
体積収縮が大きいため、液晶の注入不良が生じ易いとい
う問題が有った。そのため、粒子状接着剤の分布密度を
調整するだけでは、液晶素子の耐衝撃性能の向上には限
界が有った。
方法では、該密度を高くし過ぎると、液晶注入後の冷却
に従って生じる前記接着剤の体積収縮よりも液晶自体の
体積収縮が大きいため、液晶の注入不良が生じ易いとい
う問題が有った。そのため、粒子状接着剤の分布密度を
調整するだけでは、液晶素子の耐衝撃性能の向上には限
界が有った。
【0008】衝撃に伴う外部応力の印加による液晶分子
の層破壊は、基板間の曲げによるズリ応力により発生
し、該応力は表示画面のサイズに伴って大きくなる。従
って、耐衝撃性能は、大画面の液晶素子ほど顕著とな
り、特に、対角15インチ以上の素子においては実際の
使用に耐えない。
の層破壊は、基板間の曲げによるズリ応力により発生
し、該応力は表示画面のサイズに伴って大きくなる。従
って、耐衝撃性能は、大画面の液晶素子ほど顕著とな
り、特に、対角15インチ以上の素子においては実際の
使用に耐えない。
【0009】本発明の目的は、上記問題を解決し、液晶
注入不良がなく、且つ高い耐衝撃性能を有して外部応力
の印加による配向不良の発生が低減した液晶素子を提供
することにある。また該耐衝撃性能は、環境温度によっ
ても異なり、高温になると低下することが知られている
が、本発明は、高温においても良好な耐衝撃性能を有す
る液晶素子を提供することを目的とするものである。
注入不良がなく、且つ高い耐衝撃性能を有して外部応力
の印加による配向不良の発生が低減した液晶素子を提供
することにある。また該耐衝撃性能は、環境温度によっ
ても異なり、高温になると低下することが知られている
が、本発明は、高温においても良好な耐衝撃性能を有す
る液晶素子を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
にカイラルスメクティック液晶を挟持した液晶素子であ
って、該基板間に平均分布密度60〜120個/mm2
で粒子状接着剤を有し、且つ上記液晶の25℃における
粘性η1[PaS]及び45℃における粘性η2[Pa
S]と前記液晶素子の有効光学変調領域の対角L[m]
が、η1≧50L2、η2≧20L2の関係を満足すること
を特徴とする液晶素子である。
にカイラルスメクティック液晶を挟持した液晶素子であ
って、該基板間に平均分布密度60〜120個/mm2
で粒子状接着剤を有し、且つ上記液晶の25℃における
粘性η1[PaS]及び45℃における粘性η2[Pa
S]と前記液晶素子の有効光学変調領域の対角L[m]
が、η1≧50L2、η2≧20L2の関係を満足すること
を特徴とする液晶素子である。
【0011】本発明は、前記した基板間の曲げにより生
ずるズリ応力の発生が、液晶のずり粘性力に依存してい
る点に着目し、液晶の粘性を調整することによって、高
温域を含む広範囲の温度域における耐衝撃性能を制御し
たものである。
ずるズリ応力の発生が、液晶のずり粘性力に依存してい
る点に着目し、液晶の粘性を調整することによって、高
温域を含む広範囲の温度域における耐衝撃性能を制御し
たものである。
【0012】
【発明の実施の形態】図1に本発明の液晶素子の一例の
断面図を示す。図中、1a、1bはガラス等からなる基
板、2a、2bはITO等透明導電材からなる透明電
極、3a、3bは無機絶縁膜、4a、4bは配向制御
膜、5はスペーサー、6は粒子状接着剤、7はシール
材、8はカイラルスメクティック液晶である。
断面図を示す。図中、1a、1bはガラス等からなる基
板、2a、2bはITO等透明導電材からなる透明電
極、3a、3bは無機絶縁膜、4a、4bは配向制御
膜、5はスペーサー、6は粒子状接着剤、7はシール
材、8はカイラルスメクティック液晶である。
【0013】以下、図面に沿って本発明の液晶素子の製
造例を説明する。
造例を説明する。
【0014】図1に示すように、透明なガラス基板1
a、1b上に、スパッタ法により厚さ40〜200nm
のITO等を成膜し、所望の形状にパターニングして透
明電極2a、2bを形成する。この上に、上下透明電極
2a、2bのショート防止のためにTaOX等からなる
無機絶縁膜3a、3bを形成する。この絶縁膜は、電極
表面の凹凸を緩和させる働きも兼ね備えていて、その厚
さは10〜200nmの範囲に設定される。この上に液
晶配向用の配向制御膜4a、4bとして、フッ素含有の
ポリイミド樹脂等からなる有機高分子膜を厚さ1〜10
0nmで印刷法により設ける。液晶素子に用いられる液
晶分子の配向性は液晶全体に対し一定の方向にそろえて
おく必要があり、このため、上記配向制御膜4a、4b
にはラビング処理が施される。
a、1b上に、スパッタ法により厚さ40〜200nm
のITO等を成膜し、所望の形状にパターニングして透
明電極2a、2bを形成する。この上に、上下透明電極
2a、2bのショート防止のためにTaOX等からなる
無機絶縁膜3a、3bを形成する。この絶縁膜は、電極
表面の凹凸を緩和させる働きも兼ね備えていて、その厚
さは10〜200nmの範囲に設定される。この上に液
晶配向用の配向制御膜4a、4bとして、フッ素含有の
ポリイミド樹脂等からなる有機高分子膜を厚さ1〜10
0nmで印刷法により設ける。液晶素子に用いられる液
晶分子の配向性は液晶全体に対し一定の方向にそろえて
おく必要があり、このため、上記配向制御膜4a、4b
にはラビング処理が施される。
【0015】ラビング処理を施した一方の基板上に、セ
ルギャップを一定に保つために、SiO2等からなるビ
ーズスペーサー5を分散配置し、その周囲に熱硬化型の
シール材7を所望の形状に描画する。
ルギャップを一定に保つために、SiO2等からなるビ
ーズスペーサー5を分散配置し、その周囲に熱硬化型の
シール材7を所望の形状に描画する。
【0016】また、他方の基板には、熱硬化型のエポキ
シ樹脂等からなる粒子状接着剤6を分散配置する。本発
明において、基板間隙に分散させる粒子状接着剤6の平
均分布密度は60〜120個/mm2、好ましくは60
〜100個/mm2である。粒子状接着剤が少な過ぎる
とセルギャップ均一性が低下し、また、多過ぎる場合に
は前述の液晶注入不良が発生するため、いずれも好まし
くない。該粒子状接着剤は、散布機を利用して散布さ
れ、該散布機のノズルの移動速度や移動パターンを制御
することにより、所望の分布密度で分散配置することが
できる。
シ樹脂等からなる粒子状接着剤6を分散配置する。本発
明において、基板間隙に分散させる粒子状接着剤6の平
均分布密度は60〜120個/mm2、好ましくは60
〜100個/mm2である。粒子状接着剤が少な過ぎる
とセルギャップ均一性が低下し、また、多過ぎる場合に
は前述の液晶注入不良が発生するため、いずれも好まし
くない。該粒子状接着剤は、散布機を利用して散布さ
れ、該散布機のノズルの移動速度や移動パターンを制御
することにより、所望の分布密度で分散配置することが
できる。
【0017】このようにして得られた2枚の基板を対向
配置して貼り合わせ、加熱してシール材7及び粒子状接
着剤6を硬化し、セルを形成してカイラルスメクティッ
ク液晶8を注入する。
配置して貼り合わせ、加熱してシール材7及び粒子状接
着剤6を硬化し、セルを形成してカイラルスメクティッ
ク液晶8を注入する。
【0018】本発明においては、用いる液晶の粘性と有
効光学変調領域即ち表示部の対角との関係を規定するこ
とにより高い耐衝撃性能が得られる。即ち、25℃にお
ける粘性をη1[PaS]、45℃における粘性をη
2[PaS]、対角をL[m]とした時、η1≧50L2
を満足することにより25℃における耐衝撃性能が、η
2≧20L2を満足することにより45℃における耐衝撃
性能が得られ、これら両者を満足することにより、広範
囲の温度域における耐衝撃性能が得られ、対角15イン
チ以上の液晶素子が実現する。
効光学変調領域即ち表示部の対角との関係を規定するこ
とにより高い耐衝撃性能が得られる。即ち、25℃にお
ける粘性をη1[PaS]、45℃における粘性をη
2[PaS]、対角をL[m]とした時、η1≧50L2
を満足することにより25℃における耐衝撃性能が、η
2≧20L2を満足することにより45℃における耐衝撃
性能が得られ、これら両者を満足することにより、広範
囲の温度域における耐衝撃性能が得られ、対角15イン
チ以上の液晶素子が実現する。
【0019】尚、上記実施形態において、配向制御膜は
上下基板の双方に設けていたが、特にこれに限定される
ものではない。また、配向制御膜に施されたラビング処
理等一軸配向処理の処理軸は、用いる液晶の種類や特性
等によって適宜、平行或いは25°以下の角度をもって
交差される。
上下基板の双方に設けていたが、特にこれに限定される
ものではない。また、配向制御膜に施されたラビング処
理等一軸配向処理の処理軸は、用いる液晶の種類や特性
等によって適宜、平行或いは25°以下の角度をもって
交差される。
【0020】現在、液晶素子に用いられるカイラルスメ
クティック液晶としては、ピリミジン環やフェニル環を
持つ液晶性化合物をベースとして用いた液晶組成物が主
流となっている。本発明においても、本発明の効果が得
られる範囲で、このような液晶化合物を用いることがで
きる。
クティック液晶としては、ピリミジン環やフェニル環を
持つ液晶性化合物をベースとして用いた液晶組成物が主
流となっている。本発明においても、本発明の効果が得
られる範囲で、このような液晶化合物を用いることがで
きる。
【0021】本発明において用いられるカイラルスメク
ティック液晶としては、カイラルスメクティックC相を
呈し、該カイラルスメクティックC相の層の傾斜角δ
が、0〜6℃の温度範囲で、3°以上15°以下に調製
されている液晶組成物が好ましく用いられる。
ティック液晶としては、カイラルスメクティックC相を
呈し、該カイラルスメクティックC相の層の傾斜角δ
が、0〜6℃の温度範囲で、3°以上15°以下に調製
されている液晶組成物が好ましく用いられる。
【0022】また、本発明において好ましくは、素子の
室温近傍におけるプレティルト角をα、液晶のティルト
角をΘ、液晶の層の傾斜角をδとした場合に、下記
(I)式及び(II)式で表わされる配向状態を有し、
且つ、この配向状態において、少なくとも二つの安定状
態を示し、それらの光学軸のなす角度の1/2である、
見かけのティルト角θaとティルト角Θとが、下記(I
II)式の関係を有することが好ましい。
室温近傍におけるプレティルト角をα、液晶のティルト
角をΘ、液晶の層の傾斜角をδとした場合に、下記
(I)式及び(II)式で表わされる配向状態を有し、
且つ、この配向状態において、少なくとも二つの安定状
態を示し、それらの光学軸のなす角度の1/2である、
見かけのティルト角θaとティルト角Θとが、下記(I
II)式の関係を有することが好ましい。
【0023】Θ<α+δ (I) δ<α (II) Θ>θa>Θ/2 (III)
【0024】上記プレティルト角αは好ましくは5°以
上である。
上である。
【0025】以下に本発明に用い得るカイラルスメクテ
ィック液晶組成物の一例(LCA)を示す。
ィック液晶組成物の一例(LCA)を示す。
【0026】尚、各液晶性化合物の構造を示すアルファ
ベットは、下記に示す環状骨格を意味する。
ベットは、下記に示す環状骨格を意味する。
【0027】
【化1】
【0028】
【化2】
【0029】また、この組成物の相転移温度は、下記の
通りである。
通りである。
【0030】
【化3】
【0031】組成物の相転移温度は、パーキンエルマー
社製のDSC7、及び、ガラス板に配向膜を塗布し、ラ
ビング処理された液晶セルに注入し、メトラー社製サー
モシステムFP−80/FP−82のホットステージ中
で温度制御しながら、偏光顕微鏡で観察することで決定
される。
社製のDSC7、及び、ガラス板に配向膜を塗布し、ラ
ビング処理された液晶セルに注入し、メトラー社製サー
モシステムFP−80/FP−82のホットステージ中
で温度制御しながら、偏光顕微鏡で観察することで決定
される。
【0032】尚、上記液晶組成物の粘性を変える場合に
は、例えば、中心骨格が環状基2つで構成される、C8
H17−Py−Ph−OC10H21や、C10H21−Py−P
h−OC8H17、C9H19−Py−Ph−OC6H13など
の化合物と、環状基3つで構成されるC6H13−Py−
Ph−Ph−C5H11、C6H13−Py−Tz−PyOO
CC6H13などとの配合比を変えることにより、異なる
粘性の液晶組成物を得ることができる。
は、例えば、中心骨格が環状基2つで構成される、C8
H17−Py−Ph−OC10H21や、C10H21−Py−P
h−OC8H17、C9H19−Py−Ph−OC6H13など
の化合物と、環状基3つで構成されるC6H13−Py−
Ph−Ph−C5H11、C6H13−Py−Tz−PyOO
CC6H13などとの配合比を変えることにより、異なる
粘性の液晶組成物を得ることができる。
【0033】
【実施例】先ず、本実施例及び比較例の液晶素子の製造
工程を説明する。
工程を説明する。
【0034】厚さ1.1mmの透明なガラス基板上に、
スパッタ法により厚さ70nmのITOを成膜し、所望
の形状にパターニングした。その上に、TaOXからな
る無機絶縁膜を厚さ90nmで形成し、さらに、ポリイ
ミド樹脂からなる配向制御膜を厚さ4nmで形成し、ラ
ビング処理を行なった。
スパッタ法により厚さ70nmのITOを成膜し、所望
の形状にパターニングした。その上に、TaOXからな
る無機絶縁膜を厚さ90nmで形成し、さらに、ポリイ
ミド樹脂からなる配向制御膜を厚さ4nmで形成し、ラ
ビング処理を行なった。
【0035】一方の基板にはエポキシ樹脂からなる熱硬
化型のシール材を描画し、平均粒径約1.2μmのSi
O2ビーズスペーサーを分散配置し、他方の基板には平
均粒径約5μmのエポキシ系の粒子状接着剤(東レ社
製、商品名「トレパール」)を分散配置した。
化型のシール材を描画し、平均粒径約1.2μmのSi
O2ビーズスペーサーを分散配置し、他方の基板には平
均粒径約5μmのエポキシ系の粒子状接着剤(東レ社
製、商品名「トレパール」)を分散配置した。
【0036】このようにして得られた2枚の基板を対向
配置して貼り合わせてセルを作製し、液晶組成物をセル
内を1×10-4気圧まで減圧し、等方相で注入した。
配置して貼り合わせてセルを作製し、液晶組成物をセル
内を1×10-4気圧まで減圧し、等方相で注入した。
【0037】次に、得られた液晶素子の耐衝撃性能の評
価方法について説明する。一定の環境温度に設定された
試験室内で、同一の温度に設定された液晶素子に対し
て、パネル全体が衝撃を受けた場合と近い形態とするた
め、図2に示したように液晶素子を設置し、図3に示す
位置31に静圧荷重をかけた。図中、22はアクリル
板、23は水を詰めたビニール袋、24は液晶素子、2
5は液晶素子固定板、26はステージ台、27は静圧荷
重をかける方向である。液晶素子への荷重のかけ方は、
一定荷重を約5秒間保持するという方法で、25℃の場
合11.0kg重の荷重を、45℃の場合8.0kg重
の荷重をかけ、液晶素子に配向不良の箇所が生じている
かどうかを確認した。
価方法について説明する。一定の環境温度に設定された
試験室内で、同一の温度に設定された液晶素子に対し
て、パネル全体が衝撃を受けた場合と近い形態とするた
め、図2に示したように液晶素子を設置し、図3に示す
位置31に静圧荷重をかけた。図中、22はアクリル
板、23は水を詰めたビニール袋、24は液晶素子、2
5は液晶素子固定板、26はステージ台、27は静圧荷
重をかける方向である。液晶素子への荷重のかけ方は、
一定荷重を約5秒間保持するという方法で、25℃の場
合11.0kg重の荷重を、45℃の場合8.0kg重
の荷重をかけ、液晶素子に配向不良の箇所が生じている
かどうかを確認した。
【0038】また、用いた液晶組成物の粘性値は、測定
装置としてトキメック社製E型粘度計を使用し、温度2
5℃、使用コーン1°、回転数2.5rpm、測定時間
5分という条件にて測定した。
装置としてトキメック社製E型粘度計を使用し、温度2
5℃、使用コーン1°、回転数2.5rpm、測定時間
5分という条件にて測定した。
【0039】[実験1]25℃における粘性η1=99
33×10-3PaS、45℃における粘性η2=368
6×10-3PaSであるカイラルスメクティック液晶組
成物LCAを用い、粒子状接着剤の平均分布密度を80
個/mm2として対角サイズを変えてそれぞれサンプル
数10の液晶素子を作製し、25℃及び45℃における
静圧荷重試験を行なった。その結果を表1に示す。
33×10-3PaS、45℃における粘性η2=368
6×10-3PaSであるカイラルスメクティック液晶組
成物LCAを用い、粒子状接着剤の平均分布密度を80
個/mm2として対角サイズを変えてそれぞれサンプル
数10の液晶素子を作製し、25℃及び45℃における
静圧荷重試験を行なった。その結果を表1に示す。
【0040】
【表1】
【0041】[実験2]η1=9933×10-3Pa
S、η2=1454×10-3PaSの市販の液晶組成物
LCB(メルク社製;ZLI3233)を用いる以外は
実験1と同様に液晶素子を作製し25℃及び45℃にお
ける静圧荷重試験を行なった。その結果を表2に示す。
S、η2=1454×10-3PaSの市販の液晶組成物
LCB(メルク社製;ZLI3233)を用いる以外は
実験1と同様に液晶素子を作製し25℃及び45℃にお
ける静圧荷重試験を行なった。その結果を表2に示す。
【0042】
【表2】
【0043】[実験3]η1=6144×10-3Pa
S、η2=2560×10-3PaSの市販の液晶組成物
LCC(チッソ社製;CS1014)を用いる以外は実
験1と同様にして液晶素子を作製し、25℃及び45℃
における静圧荷重実験試験を行なった。その結果を表3
に示す。
S、η2=2560×10-3PaSの市販の液晶組成物
LCC(チッソ社製;CS1014)を用いる以外は実
験1と同様にして液晶素子を作製し、25℃及び45℃
における静圧荷重実験試験を行なった。その結果を表3
に示す。
【0044】
【表3】
【0045】[実験4]実験1〜3の対角サイズ15イ
ンチの液晶素子についてそれぞれ粒子状接着剤の散布密
度を変化させて注入不良を評価した。その結果を表4に
示す。サンプル数は10で表中の数値は注入不良発生パ
ネル数である。
ンチの液晶素子についてそれぞれ粒子状接着剤の散布密
度を変化させて注入不良を評価した。その結果を表4に
示す。サンプル数は10で表中の数値は注入不良発生パ
ネル数である。
【0046】
【表4】
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶の注入不良を起こさない範囲で広範囲な温度域にお
ける充分な耐衝撃性能が得られ、外部応力の印加による
配向不良が防止され、取り扱い易い液晶素子が歩留良く
提供できる。
液晶の注入不良を起こさない範囲で広範囲な温度域にお
ける充分な耐衝撃性能が得られ、外部応力の印加による
配向不良が防止され、取り扱い易い液晶素子が歩留良く
提供できる。
【図1】本発明の液晶素子の一例の断面図である。
【図2】本発明の実施例における静圧荷重のかけ方を示
す概略図である。
す概略図である。
【図3】本発明の実施例における静圧荷重をかける位置
を示す図である。
を示す図である。
1a、1b 基板 2a、2b 透明電極 3a、3b 無機絶縁膜 4a、4b 配向制御膜 5 スペーサー 6 粒子状接着剤 7 シール材 8 カイラルスメクティック液晶 22 アクリル板 23 ビニール袋 24 液晶素子 25 液晶素子固定板 26 ステージ台 27 静圧荷重をかける方向 31 静圧荷重をかける位置
Claims (11)
- 【請求項1】 一対の基板間にカイラルスメクティック
液晶を挟持した液晶素子であって、該基板間に平均分布
密度60〜120個/mm2で粒子状接着剤を有し、且
つ前記液晶の25℃における粘性η1[PaS]及び4
5℃における粘性η2[PaS]と前記液晶素子の有効
光学変調領域の対角L[m]が、η1≧50L2、η2≧
20L2の関係を満足することを特徴とする液晶素子。 - 【請求項2】 上記対向角が15インチ以上である請求
項1記載の液晶素子。 - 【請求項3】 上記液晶がカイラルスメクティックC相
を呈し、該カイラルスメクティックC相の層の傾斜角δ
が、0〜6℃の温度範囲で、3°以上15°以下に調製
されている請求項1記載の液晶素子。 - 【請求項4】 上記液晶素子が、少なくとも一方の基板
における対向面側に液晶の配向状態を制御するための配
向制御層を有する請求項1記載の液晶素子。 - 【請求項5】 上記液晶が、素子の室温近傍におけるプ
レティルト角をα、液晶のティルト角をΘ、液晶の層の
傾斜角をδとした場合に、下記(I)式及び(II)式
で表わされる配向状態を有し、且つ、この配向状態にお
いて、少なくとも二つの安定状態を示し、それらの光学
軸のなす角度の1/2である、見かけのティルト角θa
とティルト角Θとが、下記(III)式の関係を有する
請求項4記載の液晶素子。 Θ<α+δ (I) δ<α (II) Θ>θa>Θ/2 (III) - 【請求項6】 上記液晶素子の両基板の対向面にそれぞ
れ液晶の配向状態を制御するための配向制御層を有し、
該配向制御層が、いずれも一軸配向処理がなされてお
り、該一軸配向処理軸が実質的に平行である請求項4又
は5記載の液晶素子。 - 【請求項7】 上記液晶素子の両基板の対向面にそれぞ
れ液晶の配向状態を制御するための配向制御層を有し、
該配向制御層が、いずれも一軸配向処理がなされてお
り、該一軸配向処理軸が所定の角度で交差した請求項4
又は5記載の液晶素子。 - 【請求項8】 上記一軸配向処理軸の交差角が25°以
下である請求項7記載の液晶素子。 - 【請求項9】 上記プレティルト角αの大きさが5°以
上である請求項5記載の液晶素子。 - 【請求項10】 上記粒子状接着剤の平均分布密度が6
0〜100個/mm2である請求項1記載の液晶素子。 - 【請求項11】 請求項1〜10のいずれかに記載の液
晶素子と、該液晶素子の駆動回路とを具備することを特
徴とする液晶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32623996A JPH10170926A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32623996A JPH10170926A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10170926A true JPH10170926A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18185555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32623996A Withdrawn JPH10170926A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 液晶素子及びこれを用いた液晶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10170926A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047264A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-18 | Aventis Research & Technol Gmbh & Co Kg | スメクティック液晶ディスプレイの製造方法 |
KR100895306B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
JP2010097223A (ja) * | 2009-12-23 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32623996A patent/JPH10170926A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047264A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-18 | Aventis Research & Technol Gmbh & Co Kg | スメクティック液晶ディスプレイの製造方法 |
KR100895306B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
JP2010097223A (ja) * | 2009-12-23 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |