JPH10163291A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH10163291A JPH10163291A JP32247396A JP32247396A JPH10163291A JP H10163291 A JPH10163291 A JP H10163291A JP 32247396 A JP32247396 A JP 32247396A JP 32247396 A JP32247396 A JP 32247396A JP H10163291 A JPH10163291 A JP H10163291A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの製造の歩留り低下を防止する
こと。 【解決手段】 反応室２と予備室３との圧力差が設定圧
力以下になったことを制御装置１４が検出するとゲート
駆動システム１３に駆動信号を与えてゲートバルブ４を
開く。これにより反応室２から予備室３へ、あるいは予
備室３から反応室２へ大きな速度の気流を生ずることな
く、従ってパーティクルが舞い上がらず、半導体ウエハ
の歩留り低下を防止することができる。
こと。 【解決手段】 反応室２と予備室３との圧力差が設定圧
力以下になったことを制御装置１４が検出するとゲート
駆動システム１３に駆動信号を与えてゲートバルブ４を
開く。これにより反応室２から予備室３へ、あるいは予
備室３から反応室２へ大きな速度の気流を生ずることな
く、従ってパーティクルが舞い上がらず、半導体ウエハ
の歩留り低下を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、更に詳しくは、反応室と、該反応室と隣設する予備
室と、前記反応室と前記予備室とを相連通及び相遮断す
るべく開閉するゲートバルブとを備え、半導体ウエハを
前記予備室から前記反応室へ搬入するとき及び前記反応
室から前記予備室へ搬出するときに、前記ゲートバルブ
を開くようにした半導体製造装置に関する。
し、更に詳しくは、反応室と、該反応室と隣設する予備
室と、前記反応室と前記予備室とを相連通及び相遮断す
るべく開閉するゲートバルブとを備え、半導体ウエハを
前記予備室から前記反応室へ搬入するとき及び前記反応
室から前記予備室へ搬出するときに、前記ゲートバルブ
を開くようにした半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体製造装置では、ゲ
ートバルブを開くタイミングを、反応室での半導体ウエ
ハの処理が終了して反応室の圧力が設定圧力以下になっ
た事や、反応室での半導体ウエハの処理が終了して、あ
る設定時間を経過した事、またはあるメカ的なタイミン
グを取ることで行っていた。これによりゲートバルブを
開く際に、反応室と予備室の圧力差が生じ、その差圧に
より気流が生じて、反応室（プロセスチャンバともい
う）やゲートバルブ付近の副生成物であるデポジション
（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）生成物やその他のパーティク
ルを巻上げ半導体ウエハへ付着させてしまう。近年の半
導体ウエハの微細化により、このパーティクルが歩留り
低下の第一要因となり、半導体製造装置管理において
は、このパーティクル管理が重要な問題となっている。
ートバルブを開くタイミングを、反応室での半導体ウエ
ハの処理が終了して反応室の圧力が設定圧力以下になっ
た事や、反応室での半導体ウエハの処理が終了して、あ
る設定時間を経過した事、またはあるメカ的なタイミン
グを取ることで行っていた。これによりゲートバルブを
開く際に、反応室と予備室の圧力差が生じ、その差圧に
より気流が生じて、反応室（プロセスチャンバともい
う）やゲートバルブ付近の副生成物であるデポジション
（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）生成物やその他のパーティク
ルを巻上げ半導体ウエハへ付着させてしまう。近年の半
導体ウエハの微細化により、このパーティクルが歩留り
低下の第一要因となり、半導体製造装置管理において
は、このパーティクル管理が重要な問題となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題に鑑
みてなされ、パーティクルによる歩留り低下を防止する
半導体製造装置を提供することを課題とする。
みてなされ、パーティクルによる歩留り低下を防止する
半導体製造装置を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、反応室と、
該反応室と隣設する予備室と、前記反応室と前記予備室
とを相連通及び相遮断するべく開閉するゲートバルブと
を備え、半導体ウエハを前記予備室から前記反応室へ搬
入するとき及び前記反応室から前記予備室へ搬出すると
きに、前記ゲートバルブを開くようにした半導体製造装
置において、排気中の前記反応室と前記予備室との圧力
差が設定圧力以下になったことを検知すると、前記ゲー
トバルブを開くようにしたことを特徴とする半導体製造
装置、又は、反応室と、該反応室と隣設する予備室と、
前記反応室と前記予備室とを相連通及び相遮断するべく
開閉するゲートバルブとを備え、半導体ウエハを前記予
備室から前記反応室へ搬入するとき及び前記反応室から
前記予備室へ搬出するときに、前記ゲートバルブを開く
ようにした半導体製造装置において、所定の条件下で排
気中の前記反応室と前記予備室との圧力差が設定圧力以
下になった ことを検知すると、前記ゲートバルブを開
くようにしたことを特徴とする半導体製造装置、によっ
て解決される。
該反応室と隣設する予備室と、前記反応室と前記予備室
とを相連通及び相遮断するべく開閉するゲートバルブと
を備え、半導体ウエハを前記予備室から前記反応室へ搬
入するとき及び前記反応室から前記予備室へ搬出すると
きに、前記ゲートバルブを開くようにした半導体製造装
置において、排気中の前記反応室と前記予備室との圧力
差が設定圧力以下になったことを検知すると、前記ゲー
トバルブを開くようにしたことを特徴とする半導体製造
装置、又は、反応室と、該反応室と隣設する予備室と、
前記反応室と前記予備室とを相連通及び相遮断するべく
開閉するゲートバルブとを備え、半導体ウエハを前記予
備室から前記反応室へ搬入するとき及び前記反応室から
前記予備室へ搬出するときに、前記ゲートバルブを開く
ようにした半導体製造装置において、所定の条件下で排
気中の前記反応室と前記予備室との圧力差が設定圧力以
下になった ことを検知すると、前記ゲートバルブを開
くようにしたことを特徴とする半導体製造装置、によっ
て解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態による
半導体製造装置を示すが、全体として１で示され反応室
２に隣設して予備室３が設けられ、この間にゲートバル
ブ４が開閉自在に設けられている。反応室２は配管６を
介して排気用真空ポンプ５に接続される。この配管６に
は排気系開閉バルブ７が設けられている。同様にして予
備室３には配管９を介して排気用真空ポンプ８が設けら
れており、この配管９に排気系開閉バルブ１０が設けら
れている。反応室２には更に反応ガスもしくはプロセス
ガスを導入するための配管１５が接続されており、また
この反応ガスを供給、停止するためのバルブ１６が設け
られている。反応室２及び予備室３には圧力計１１、１
２が接続されており、この反応室２内及び予備室３内の
圧力を検出し、この検出信号は制御装置１４に供給され
る。ゲートバルブ４はゲート駆動システム１３によって
駆動されるのであるが、この駆動信号は制御装置１４か
ら供給される。予備室３の外部から半導体ウエハを導入
する開口部にはゲートバルブ１８が設けられており、半
導体ウエハを外部より導入する際に開かれる。
半導体製造装置を示すが、全体として１で示され反応室
２に隣設して予備室３が設けられ、この間にゲートバル
ブ４が開閉自在に設けられている。反応室２は配管６を
介して排気用真空ポンプ５に接続される。この配管６に
は排気系開閉バルブ７が設けられている。同様にして予
備室３には配管９を介して排気用真空ポンプ８が設けら
れており、この配管９に排気系開閉バルブ１０が設けら
れている。反応室２には更に反応ガスもしくはプロセス
ガスを導入するための配管１５が接続されており、また
この反応ガスを供給、停止するためのバルブ１６が設け
られている。反応室２及び予備室３には圧力計１１、１
２が接続されており、この反応室２内及び予備室３内の
圧力を検出し、この検出信号は制御装置１４に供給され
る。ゲートバルブ４はゲート駆動システム１３によって
駆動されるのであるが、この駆動信号は制御装置１４か
ら供給される。予備室３の外部から半導体ウエハを導入
する開口部にはゲートバルブ１８が設けられており、半
導体ウエハを外部より導入する際に開かれる。
【０００６】制御装置１４内には上述の圧力計１１、１
２の検出信号を受け、その差を演算する演算器が設けら
れており、この演算結果がやはり同装置１４内に設けら
れている比較器の一方の入力端子に供給され、この他方
の入力端子には所定の圧力値（この差圧は充分に小さ
く、反応室２と予備室３との間では殆ど気流を生じない
程度に小さい）が設定されており、これと比較して、こ
の設定圧力値より以下になるとゲート駆動システム１３
を駆動する信号を発生する。これによりゲートバルブ４
が開閉され、更に制御装置１４内には各種のタイマーが
設けられており、後述するような種々の作用の限時を行
っている。なお反応室２及び予備室３内には半導体ウエ
ハを支持する支持構造は示されていないが、従来と同様
に設けられているものとする。更にこの支持構造上の半
導体ウエハの予備室３から反応室２への搬入、及び、反
応室２から予備室３への搬出を行なうロボットが設けら
れているものとする。
２の検出信号を受け、その差を演算する演算器が設けら
れており、この演算結果がやはり同装置１４内に設けら
れている比較器の一方の入力端子に供給され、この他方
の入力端子には所定の圧力値（この差圧は充分に小さ
く、反応室２と予備室３との間では殆ど気流を生じない
程度に小さい）が設定されており、これと比較して、こ
の設定圧力値より以下になるとゲート駆動システム１３
を駆動する信号を発生する。これによりゲートバルブ４
が開閉され、更に制御装置１４内には各種のタイマーが
設けられており、後述するような種々の作用の限時を行
っている。なお反応室２及び予備室３内には半導体ウエ
ハを支持する支持構造は示されていないが、従来と同様
に設けられているものとする。更にこの支持構造上の半
導体ウエハの予備室３から反応室２への搬入、及び、反
応室２から予備室３への搬出を行なうロボットが設けら
れているものとする。
【０００７】本発明の実施の形態による半導体製造装置
１は以上のように構成されるが、次にこの作用について
図２を参照して説明する。
１は以上のように構成されるが、次にこの作用について
図２を参照して説明する。
【０００８】初期の状態においては（時間Ｔ0 ）、反応
室２には図示せずとも支持構造には半導体ウエハが支持
されておらず、またゲートバルブ４は閉じている。他
方、ゲートバルブ１８は開いている。図２Ａで示すよう
に、反応室２内は配管６を介して排気用真空ポンプ５に
より排気されており（排気系開閉バルブ７は開）、圧力
Ｐ1 に減圧保持されている。反応処理すべき半導体ウエ
ハは、右側開口部（ゲートバルブ１８は開）を通って予
備室３内に導入される。ゲートバルブ１８を閉じ、時間
Ｔ1 で、排気系開閉バルブ１０を開とし、排気用真空ポ
ンプ８を駆動開始する。これにより図２Ｂに示すよう
に、時間Ｔ1 より大気圧Ｐ2 から圧力が低下していく。
他方、圧力計１１及び１２により、それぞれ反応室２及
び予備室３内の圧力が測定されており、この測定結果が
制御装置１４に供給されている。制御装置１４内には両
圧力計１１、１２の検出出力の受け、その差を演算する
演算器が設けられているが、この演算結果が比較器の一
方の入力端子に供給される。この他方の入力端子には所
定値、すなわち差圧許容値が入力されている。反応室２
と予備室３との差圧は図２Ｃに示すように時間Ｔ1 より
低下して行くが時間Ｔ2で差圧Ｐ3 に達し、更に低下す
ると制御装置１４からゲート駆動システム１３に駆動信
号を与えゲートバルブ４を開く。図２Ｄにはこの開くタ
イミングが図示されており、開いている時間がタイマー
により制御装置１４内に設定されており、この時間（Ｔ
3 −Ｔ2 ）が経過するとゲートバルブ４は再び閉じる。
すなわち図２Ｄにおいて、ゲート開を表すハイレベルは
０−レベルとなる。予備室３はなおも排気用真空ポンプ
８で排気されているので、図２Ｂで示すように減圧力Ｐ
4 を維持する。時間Ｔ4 でバルブ１６を開としてプロセ
スガスが配管１５を介して反応室２内に導入する。これ
により反応室２内の圧力は図２Ａで示すように上昇す
る。排気用真空ポンプ５はなおも駆動されているので圧
力Ｐ5 で時間Ｔ5 から定常状態となり、この間、予備室
３から導入された半導体ウエハに所定の処理を行なう。
例えばエッチング、ＣＶＤなどである。この処理が所定
時間（Ｔ6 −Ｔ5）行われると（この所定時間は制御装
置１４内に設定されている）、バルブ１６を閉じてプロ
セスガスの供給を停止する。
室２には図示せずとも支持構造には半導体ウエハが支持
されておらず、またゲートバルブ４は閉じている。他
方、ゲートバルブ１８は開いている。図２Ａで示すよう
に、反応室２内は配管６を介して排気用真空ポンプ５に
より排気されており（排気系開閉バルブ７は開）、圧力
Ｐ1 に減圧保持されている。反応処理すべき半導体ウエ
ハは、右側開口部（ゲートバルブ１８は開）を通って予
備室３内に導入される。ゲートバルブ１８を閉じ、時間
Ｔ1 で、排気系開閉バルブ１０を開とし、排気用真空ポ
ンプ８を駆動開始する。これにより図２Ｂに示すよう
に、時間Ｔ1 より大気圧Ｐ2 から圧力が低下していく。
他方、圧力計１１及び１２により、それぞれ反応室２及
び予備室３内の圧力が測定されており、この測定結果が
制御装置１４に供給されている。制御装置１４内には両
圧力計１１、１２の検出出力の受け、その差を演算する
演算器が設けられているが、この演算結果が比較器の一
方の入力端子に供給される。この他方の入力端子には所
定値、すなわち差圧許容値が入力されている。反応室２
と予備室３との差圧は図２Ｃに示すように時間Ｔ1 より
低下して行くが時間Ｔ2で差圧Ｐ3 に達し、更に低下す
ると制御装置１４からゲート駆動システム１３に駆動信
号を与えゲートバルブ４を開く。図２Ｄにはこの開くタ
イミングが図示されており、開いている時間がタイマー
により制御装置１４内に設定されており、この時間（Ｔ
3 −Ｔ2 ）が経過するとゲートバルブ４は再び閉じる。
すなわち図２Ｄにおいて、ゲート開を表すハイレベルは
０−レベルとなる。予備室３はなおも排気用真空ポンプ
８で排気されているので、図２Ｂで示すように減圧力Ｐ
4 を維持する。時間Ｔ4 でバルブ１６を開としてプロセ
スガスが配管１５を介して反応室２内に導入する。これ
により反応室２内の圧力は図２Ａで示すように上昇す
る。排気用真空ポンプ５はなおも駆動されているので圧
力Ｐ5 で時間Ｔ5 から定常状態となり、この間、予備室
３から導入された半導体ウエハに所定の処理を行なう。
例えばエッチング、ＣＶＤなどである。この処理が所定
時間（Ｔ6 −Ｔ5）行われると（この所定時間は制御装
置１４内に設定されている）、バルブ１６を閉じてプロ
セスガスの供給を停止する。
【０００９】他方、排気用真空ポンプ５はなおも駆動し
ているので反応室２内の圧力は圧力Ｐ1 まで低下する。
この低下中、圧力計１１、１２の検出出力は制御装置１
４内の演算器に供給されて差圧が演算されており、これ
が図２Ｃで示すように、時間Ｔ7 において設定圧Ｐ3 よ
り低下すると制御装置１４からゲート駆動システム１３
にゲート駆動信号を供給し、ゲートバルブ１４を開く。
反応室２内から処理済の半導体ウエハが図示しないロボ
ットにより予備室３内に搬入される。上述と同様にゲー
トバルブ１４は所定時間、開位置をとると閉じる。図２
Ｂではこの開閉のタイミングが示されている。図２Ｂで
示すように、時間Ｔ9 で排気用真空ポンプ８の駆動を停
止し時間Ｔ9 でゲートバルブ１８が開放される。これに
より予備室３内の圧力は、図２Ｂで示すように上昇し、
大気圧Ｐ2 と同圧になると処理済の半導体ウエハを外方
に搬出する。以下、上述と同様な操作を繰り返す。
ているので反応室２内の圧力は圧力Ｐ1 まで低下する。
この低下中、圧力計１１、１２の検出出力は制御装置１
４内の演算器に供給されて差圧が演算されており、これ
が図２Ｃで示すように、時間Ｔ7 において設定圧Ｐ3 よ
り低下すると制御装置１４からゲート駆動システム１３
にゲート駆動信号を供給し、ゲートバルブ１４を開く。
反応室２内から処理済の半導体ウエハが図示しないロボ
ットにより予備室３内に搬入される。上述と同様にゲー
トバルブ１４は所定時間、開位置をとると閉じる。図２
Ｂではこの開閉のタイミングが示されている。図２Ｂで
示すように、時間Ｔ9 で排気用真空ポンプ８の駆動を停
止し時間Ｔ9 でゲートバルブ１８が開放される。これに
より予備室３内の圧力は、図２Ｂで示すように上昇し、
大気圧Ｐ2 と同圧になると処理済の半導体ウエハを外方
に搬出する。以下、上述と同様な操作を繰り返す。
【００１０】本発明の実施の形態による半導体製造装置
は以上のように構成され、作用するので、ゲートバルブ
１４を開ける度に予備室３内から反応室２内に、あるい
は反応室２内から予備室３内にパーティクルを巻上げる
程の気流が生じず、従って処理済の半導体ウエハが汚染
されることなく、その歩留りの低下を防止することがで
きる。
は以上のように構成され、作用するので、ゲートバルブ
１４を開ける度に予備室３内から反応室２内に、あるい
は反応室２内から予備室３内にパーティクルを巻上げる
程の気流が生じず、従って処理済の半導体ウエハが汚染
されることなく、その歩留りの低下を防止することがで
きる。
【００１１】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００１２】例えば以上の実施の形態では、単に反応室
２と予備室３との間の差圧を検知してこれが所定値以下
になるとゲートバルブ４を開くようにしたが、これに更
に所定の条件を加えるようにしてもよい。これによって
パーティクルの舞い上がり防止を、より確実に行なうこ
とができる。例えばこの所定の条件は、外部から半導体
ウエハが予備室３に搬入されると、上述したようにゲー
トバルブ１８を閉じて排気用真空ポンプ８を駆動して予
備室３内の圧力を低下させるのであるが、この予備室３
内の圧力が所定の圧力になったこととし、上述のように
反応室２と予備室３との間の差圧が所定値以下になった
こととでゲートバルブ４を開いてもよい。
２と予備室３との間の差圧を検知してこれが所定値以下
になるとゲートバルブ４を開くようにしたが、これに更
に所定の条件を加えるようにしてもよい。これによって
パーティクルの舞い上がり防止を、より確実に行なうこ
とができる。例えばこの所定の条件は、外部から半導体
ウエハが予備室３に搬入されると、上述したようにゲー
トバルブ１８を閉じて排気用真空ポンプ８を駆動して予
備室３内の圧力を低下させるのであるが、この予備室３
内の圧力が所定の圧力になったこととし、上述のように
反応室２と予備室３との間の差圧が所定値以下になった
こととでゲートバルブ４を開いてもよい。
【００１３】あるいは上記所定の条件は、半導体ウエハ
が予備室３に搬入されてから所定時間を経過したことと
し、上述の差圧が設定値以下になったことで、ゲートバ
ルブ４を開いてもよい。
が予備室３に搬入されてから所定時間を経過したことと
し、上述の差圧が設定値以下になったことで、ゲートバ
ルブ４を開いてもよい。
【００１４】あるいは上記所定の条件は、反応室２で半
導体ウエハの所定の反応処理、例えば上述したようなＣ
ＶＤやエッチングの処理が終了するとプロセスガスが導
入されなくなるのであるが、反応室２の圧力が所定の圧
力以下になったこととし、上述の差圧が所定値以下にな
ったこととで、ゲートバルブ４を開くようにしてもよ
い。
導体ウエハの所定の反応処理、例えば上述したようなＣ
ＶＤやエッチングの処理が終了するとプロセスガスが導
入されなくなるのであるが、反応室２の圧力が所定の圧
力以下になったこととし、上述の差圧が所定値以下にな
ったこととで、ゲートバルブ４を開くようにしてもよ
い。
【００１５】また上記所定の条件は、反応室２内での半
導体ウエハの所定の反応処理が終了し、この後、所定の
時間が経過したこととし、上述の差圧が所定値以下にな
ったこととで、ゲートバルブ４を開くようにしてもよ
い。
導体ウエハの所定の反応処理が終了し、この後、所定の
時間が経過したこととし、上述の差圧が所定値以下にな
ったこととで、ゲートバルブ４を開くようにしてもよ
い。
【００１６】あるいは上記所定の条件は、装置の何らか
の構成部材の機械的な動作タイミング、例えばゲートバ
ルブ１８を閉じたこととしてもよい。
の構成部材の機械的な動作タイミング、例えばゲートバ
ルブ１８を閉じたこととしてもよい。
【００１７】あるいは図示せずとも反応室２又は予備室
３内のロボットの運動、例えば半導体ウエハを反応室２
内の支持構造に載せたことを検知したことであってもよ
い。
３内のロボットの運動、例えば半導体ウエハを反応室２
内の支持構造に載せたことを検知したことであってもよ
い。
【００１８】また、以上の実施の形態では反応室と予備
室とは１づつとしたが、これらはいづれかあるいは両者
ともに複数個宛設けたいわゆる１チャンバ２ロードロッ
クタイプやマルチチャンバータイプにも適用可能であ
る。
室とは１づつとしたが、これらはいづれかあるいは両者
ともに複数個宛設けたいわゆる１チャンバ２ロードロッ
クタイプやマルチチャンバータイプにも適用可能であ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体製造
装置によればゲートバルブを開ける度に反応室から予備
室へ、あるいは予備室から反応室へ大きな気流が生じる
ことなく、従ってパーティクルが舞い上がらず、半導体
ウエハの歩留り低下を防止することができる。
装置によればゲートバルブを開ける度に反応室から予備
室へ、あるいは予備室から反応室へ大きな気流が生じる
ことなく、従ってパーティクルが舞い上がらず、半導体
ウエハの歩留り低下を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体製造装置の概
略正面図である。
略正面図である。
【図２】同装置の作用を示すタイムチャートであり、Ａ
は同装置における反応室の圧力の変化、Ｂは同装置にお
ける予備室の圧力の変化、Ｃは反応室と予備室の差圧の
時間的変化をＤはゲートバルブの開閉のタイミングを示
すタイムチャートである。
は同装置における反応室の圧力の変化、Ｂは同装置にお
ける予備室の圧力の変化、Ｃは反応室と予備室の差圧の
時間的変化をＤはゲートバルブの開閉のタイミングを示
すタイムチャートである。
１……半導体製造装置、２……反応室、３……予備室、
４……ゲートバルブ、５、８……排気用真空ポンプ、１
０……制御装置、１１、１２……圧力計。
４……ゲートバルブ、５、８……排気用真空ポンプ、１
０……制御装置、１１、１２……圧力計。
Claims (7)
- 【請求項１】 反応室と、 該反応室と隣設する予備室と、 前記反応室と前記予備室とを相連通及び相遮断するべく
開閉するゲートバルブとを備え、半導体ウエハを前記予
備室から前記反応室へ搬入するとき及び前記反応室から
前記予備室へ搬出するときに、前記ゲートバルブを開く
ようにした半導体製造装置において、 排気中の前記反応室と前記予備室との圧力差が設定圧力
以下になったことを検知すると、前記ゲートバルブを開
くようにしたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 反応室と、 該反応室と隣設する予備室と、 前記反応室と前記予備室とを相連通及び相遮断するべく
開閉するゲートバルブとを備え、半導体ウエハを前記予
備室から前記反応室へ搬入するとき及び前記反応室から
前記予備室へ搬出するときに、前記ゲートバルブを開く
ようにした半導体製造装置において、 所定の条件下で、排気中の前記反応室と前記予備室との
圧力差が設定圧力以下になったことを検知すると、前記
ゲートバルブを開くようにしたことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項３】 前記所定の条件は、外部から前記半導体
ウエハが前記予備室に搬入され、該予備室の圧力が所定
の圧力以下になったことであることを特徴とする請求項
２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記所定の条件は、前記半導体ウエハが
前記予備室に搬入され、所定時間を経過したことである
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記所定の条件は、前記反応室での前記
半導体ウエハの所定の反応処理が終了して、該反応室の
圧力が所定の圧力以下になったことであることを特徴と
する請求項２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記所定の条件は、前記反応室での前記
半導体ウエハの所定の反応処理が終了し、この後所定の
時間が経過したことであることを特徴とする請求項２に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記所定の条件は、装置の構成部材の機
械的な動作タイミングであることを特徴とする請求項２
に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32247396A JPH10163291A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32247396A JPH10163291A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163291A true JPH10163291A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18144038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32247396A Pending JPH10163291A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163291A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100676197B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 로드락 챔버의 공기흐름 조절장치 |
| KR20170088980A (ko) * | 2014-12-01 | 2017-08-02 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 벤트후에 희망하는 압력에서 로드 락 도어 밸브를 개방하는 시스템 및 방법 |
-
1996
- 1996-12-03 JP JP32247396A patent/JPH10163291A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100676197B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 로드락 챔버의 공기흐름 조절장치 |
| KR20170088980A (ko) * | 2014-12-01 | 2017-08-02 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 벤트후에 희망하는 압력에서 로드 락 도어 밸브를 개방하는 시스템 및 방법 |
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