JPH10154770A - セラミックスパッケージの製造方法 - Google Patents
セラミックスパッケージの製造方法Info
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- JPH10154770A JPH10154770A JP35197697A JP35197697A JPH10154770A JP H10154770 A JPH10154770 A JP H10154770A JP 35197697 A JP35197697 A JP 35197697A JP 35197697 A JP35197697 A JP 35197697A JP H10154770 A JPH10154770 A JP H10154770A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱抵抗が小さく、ガラスとの接合強度の高い
セラミックスパッケージの製造方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 窒化アルミニウムからなりその上面に半
導体チップが載置されるセラミックス基板の表面を酸化
処理してＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3 、及び３Ｙ2
Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 からなる酸化層を形成する工程と、
次いで前記基板上の酸化層上にガラス層を被着する工程
と、次いで上記ガラス層を介してセラミックスキャップ
を前記基板上の酸化層に接着する工程とを含むことを特
徴とするセラミックスパッケージの製造方法。
セラミックスパッケージの製造方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 窒化アルミニウムからなりその上面に半
導体チップが載置されるセラミックス基板の表面を酸化
処理してＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3 、及び３Ｙ2
Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 からなる酸化層を形成する工程と、
次いで前記基板上の酸化層上にガラス層を被着する工程
と、次いで上記ガラス層を介してセラミックスキャップ
を前記基板上の酸化層に接着する工程とを含むことを特
徴とするセラミックスパッケージの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化アルミニウム
を用いたセラミックスパッケージの製造方法に関する。
を用いたセラミックスパッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置に半導体集積回路素子
を組み込むための気密容器として、セラミックス基板と
セラミックスキャップとを低融点ガラスにより接着し、
気密封止してなるセラミックスパッケージが用いられて
いる。この種のパッケージでは、セラミックス基板材料
として通常アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が使用されており、
このＡｌ2 Ｏ3 でも放熱の点で一応十分である。しか
し、最近の集積回路の集積度の向上に伴い１チップの発
熱量が大きくなると、Ａｌ2 Ｏ3 では放熱が不十分とな
ることが懸念されており、放熱性の向上手段が要望され
ている。そこで本発明者らは、高熱伝導用として熱伝導
性により優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を使用して
パッケージを作成することを検討した。
を組み込むための気密容器として、セラミックス基板と
セラミックスキャップとを低融点ガラスにより接着し、
気密封止してなるセラミックスパッケージが用いられて
いる。この種のパッケージでは、セラミックス基板材料
として通常アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が使用されており、
このＡｌ2 Ｏ3 でも放熱の点で一応十分である。しか
し、最近の集積回路の集積度の向上に伴い１チップの発
熱量が大きくなると、Ａｌ2 Ｏ3 では放熱が不十分とな
ることが懸念されており、放熱性の向上手段が要望され
ている。そこで本発明者らは、高熱伝導用として熱伝導
性により優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を使用して
パッケージを作成することを検討した。
【０００３】しかしながら、ＡｌＮを用いると、次のよ
うな問題を招くことになる。即ち、一般にＡｌＮはガラ
ス、金属、セラミックス他の物質のぬれ性が悪く、強固
に接合できない。できたとしてもセラミックスパッケー
ジの封止に関して、溶着の際、ガラス中に気泡が生じそ
の気密性が損なわれたり接合強度が弱くなることがあ
り、特にＡｌＮはＡｌ2 Ｏ3 に比べてガラスとの接合強
度が弱い。このため、セラミックス基板とセラミックス
キャップやリードフレームとの接着強度が不十分とな
り、気密性および強度の低下を招く恐れがある。
うな問題を招くことになる。即ち、一般にＡｌＮはガラ
ス、金属、セラミックス他の物質のぬれ性が悪く、強固
に接合できない。できたとしてもセラミックスパッケー
ジの封止に関して、溶着の際、ガラス中に気泡が生じそ
の気密性が損なわれたり接合強度が弱くなることがあ
り、特にＡｌＮはＡｌ2 Ｏ3 に比べてガラスとの接合強
度が弱い。このため、セラミックス基板とセラミックス
キャップやリードフレームとの接着強度が不十分とな
り、気密性および強度の低下を招く恐れがある。
【０００４】また、ＡｌＮは酸化液、メッキ液などの薬
品に表面が侵されやすく、このためパッケージ製作時に
重量低下、重量増大や寸法変化を引き起こすなどの問題
を招くことになる。
品に表面が侵されやすく、このためパッケージ製作時に
重量低下、重量増大や寸法変化を引き起こすなどの問題
を招くことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミックス基板っ材料として窒化アルミニウムを用いた場
合にも該窒化アルミニウム基板とセラミックスキャップ
及びリードフレームとの接着強度を十分強くすることが
でき、半導体集積回路のパッケージに好適するセラミッ
クスパッケージの製造方法を提供することにある。
ミックス基板っ材料として窒化アルミニウムを用いた場
合にも該窒化アルミニウム基板とセラミックスキャップ
及びリードフレームとの接着強度を十分強くすることが
でき、半導体集積回路のパッケージに好適するセラミッ
クスパッケージの製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、窒化
アルミニウムからなりその上面に半導体チップが載置さ
れるセラミックス基板の表面を酸化処理してＡｌ
2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3、及び３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ
2 Ｏ3 からなる酸化層を形成する工程と、次いで前記基
板上の酸化層上にガラス層を被着する工程と、次いで上
記ガラス層を介してセラミックスキャップを前記基板上
の酸化層に接着する工程とを含むセラミックスパッケー
ジの製造方法である。
アルミニウムからなりその上面に半導体チップが載置さ
れるセラミックス基板の表面を酸化処理してＡｌ
2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3、及び３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ
2 Ｏ3 からなる酸化層を形成する工程と、次いで前記基
板上の酸化層上にガラス層を被着する工程と、次いで上
記ガラス層を介してセラミックスキャップを前記基板上
の酸化層に接着する工程とを含むセラミックスパッケー
ジの製造方法である。
【０００７】本願第２の発明は、前記半導体チップは、
前記基板のキャビティ上に印刷された導体ペーストを焼
成してなる導体膜上にマウントされる前記第１の発明に
記載のセラミックスパッケージの製造方法である。
前記基板のキャビティ上に印刷された導体ペーストを焼
成してなる導体膜上にマウントされる前記第１の発明に
記載のセラミックスパッケージの製造方法である。
【０００８】本願第３の発明は、前記導体ペーストの焼
成と、前記酸化層の形成とを、所定の熱処理工程により
同時に行う前記第１の発明に記載のセラミックスパッケ
ージの製造方法である。
成と、前記酸化層の形成とを、所定の熱処理工程により
同時に行う前記第１の発明に記載のセラミックスパッケ
ージの製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の骨子は、窒化アルミニウ
ムからなるセラミックス基板の表面に酸化層を形成する
ことにより、基板とガラス層との接合強度を高めること
にある。
ムからなるセラミックス基板の表面に酸化層を形成する
ことにより、基板とガラス層との接合強度を高めること
にある。
【００１０】ＡｌＮを酸化するとその表面に薄い酸化膜
（Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3、及び３Ｙ2 Ｏ3 ・
５Ａｌ2 Ｏ3 ）が形成されるが、なかでもＡｌ2 Ｏ3 は
下地ＡｌＮ基板と強い結合状態にある。したがって、Ａ
ｌＮからなるセラミックス基板の表面を酸化することに
より、該基板とガラス層との接合強度を向上させること
ができ、これにより基板とキャップとの接着強度を十分
大きくすることが可能となる。なお、表面酸化によりＡ
ｌＮ基板の熱伝導率が低下することが考えられる、数μ
ｍの薄い酸化膜であれば、基体となる板の厚さが通常
１．５ｍｍ以上あって両者の比は１．５μｍ／１．５ｍ
ｍ×１０-4もあるため、熱伝導率の低下はほとんど無い
ことが本発明者らの実験によって確認されている。
（Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3、及び３Ｙ2 Ｏ3 ・
５Ａｌ2 Ｏ3 ）が形成されるが、なかでもＡｌ2 Ｏ3 は
下地ＡｌＮ基板と強い結合状態にある。したがって、Ａ
ｌＮからなるセラミックス基板の表面を酸化することに
より、該基板とガラス層との接合強度を向上させること
ができ、これにより基板とキャップとの接着強度を十分
大きくすることが可能となる。なお、表面酸化によりＡ
ｌＮ基板の熱伝導率が低下することが考えられる、数μ
ｍの薄い酸化膜であれば、基体となる板の厚さが通常
１．５ｍｍ以上あって両者の比は１．５μｍ／１．５ｍ
ｍ×１０-4もあるため、熱伝導率の低下はほとんど無い
ことが本発明者らの実験によって確認されている。
【００１１】本発明はこのような点に着目してなされた
もので、セラミックス基板として窒化アルミニウムを用
いたセラミックスパッケージにおいて、前記基板のセラ
ミックスキャップとのガラス接着に供される部分及び必
要な場合に金属リードフレームの固定部分に、表面酸化
により酸化膜を形成するようにしたセラミックパッケー
ジの製造方法である。
もので、セラミックス基板として窒化アルミニウムを用
いたセラミックスパッケージにおいて、前記基板のセラ
ミックスキャップとのガラス接着に供される部分及び必
要な場合に金属リードフレームの固定部分に、表面酸化
により酸化膜を形成するようにしたセラミックパッケー
ジの製造方法である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の詳細を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１３】図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例に
係るセラミックスパッケージ製造工程を示す断面図であ
る。まず、図１（ａ）に示す如くＡｌＮからなるセラミ
ックス基板１１のキャビティ上に導体ペースト１２を印
刷する。ここで、導体ペースト１２としては、例えばＡ
ｇ−Ｐｄペースト（ＥＳＬ社製Ｎｏ．９６０１）を用い
た。
係るセラミックスパッケージ製造工程を示す断面図であ
る。まず、図１（ａ）に示す如くＡｌＮからなるセラミ
ックス基板１１のキャビティ上に導体ペースト１２を印
刷する。ここで、導体ペースト１２としては、例えばＡ
ｇ−Ｐｄペースト（ＥＳＬ社製Ｎｏ．９６０１）を用い
た。
【００１４】次いで、空気中、温度９３０°Ｃ、保持時
間１０分で熱処理し上記導体ペースト１２を焼成する。
この時、上記熱処理工程により、導体ペースト１２の焼
成と同時に図１（ｂ）に示す如くセラミックス基板１１
の表面を酸化し酸化層１３を形成する。酸化層１３はＡ
ｌ2 Ｏ3 で、その厚さは５μｍ程度とした。
間１０分で熱処理し上記導体ペースト１２を焼成する。
この時、上記熱処理工程により、導体ペースト１２の焼
成と同時に図１（ｂ）に示す如くセラミックス基板１１
の表面を酸化し酸化層１３を形成する。酸化層１３はＡ
ｌ2 Ｏ3 で、その厚さは５μｍ程度とした。
【００１５】次いで、図１（ｃ）に示す如く基板上面の
酸化層１３上に被着層としてのガラス層１４を被着す
る。ここで、ガラス層１４はＡｌＮ基板１１自体でなく
酸化層１３と接することになるので、接続する焼成にお
いて、ガラス層１４とＡｌＮ基板１１との接合強度を大
きく（ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との接合強度と同程度に）す
ることが可能となる。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 は基体となる
ＡｌＮから連続的に連なって生成されているために（段
階的にＡｌ2 Ｏ3 化しているために）、両者の接合強度
は一般にガラス−Ａｌ2 Ｏ3 接合よりも強固である。
酸化層１３上に被着層としてのガラス層１４を被着す
る。ここで、ガラス層１４はＡｌＮ基板１１自体でなく
酸化層１３と接することになるので、接続する焼成にお
いて、ガラス層１４とＡｌＮ基板１１との接合強度を大
きく（ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との接合強度と同程度に）す
ることが可能となる。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 は基体となる
ＡｌＮから連続的に連なって生成されているために（段
階的にＡｌ2 Ｏ3 化しているために）、両者の接合強度
は一般にガラス−Ａｌ2 Ｏ3 接合よりも強固である。
【００１６】次いで、図１（ｄ）に示す如く、ガラス層
１４上に複数のリードフレーム１５を形成した。その
後、図１（ｅ）ｎ示す如く前記導体ペースト１２を焼成
してなる導体層１２’上に半導体チップ１６を実装し、
続いてチップ１６とリードフレーム１５との接続をボン
ディングワイヤ１７にて行った。なお、この状態におけ
る平面図を図２に示す。
１４上に複数のリードフレーム１５を形成した。その
後、図１（ｅ）ｎ示す如く前記導体ペースト１２を焼成
してなる導体層１２’上に半導体チップ１６を実装し、
続いてチップ１６とリードフレーム１５との接続をボン
ディングワイヤ１７にて行った。なお、この状態におけ
る平面図を図２に示す。
【００１７】次いで、図１（ｆ）に示す如く、ガラス層
１８を下面に被着したＡｌ2 Ｏ3 からなるセラミックス
キャップ１９を上記ガラス層１８が前記ガラス層１４と
接するように配置する。この状態で、基板１１及びキャ
ップ１９を自重圧接し、ガラス層１４、１８を焼成する
ことにより、基板１１とキャップ１９との接着を行っ
た。
１８を下面に被着したＡｌ2 Ｏ3 からなるセラミックス
キャップ１９を上記ガラス層１８が前記ガラス層１４と
接するように配置する。この状態で、基板１１及びキャ
ップ１９を自重圧接し、ガラス層１４、１８を焼成する
ことにより、基板１１とキャップ１９との接着を行っ
た。
【００１８】かくして形成されたセラミックスパッケー
ジにおいては、ＡｌＮ基板１１が酸化層１３を介してガ
ラス層１４と接することになるので、基板１１とキャッ
プ１９との接触強度を十分大きいものとのすることがで
きる。また、該パッケージの熱抵抗を調べた結果、次頁
の表１乃至３に示す如き熱抵抗値[ °Ｃ／Ｗ] が得られ
た。
ジにおいては、ＡｌＮ基板１１が酸化層１３を介してガ
ラス層１４と接することになるので、基板１１とキャッ
プ１９との接触強度を十分大きいものとのすることがで
きる。また、該パッケージの熱抵抗を調べた結果、次頁
の表１乃至３に示す如き熱抵抗値[ °Ｃ／Ｗ] が得られ
た。
【００１９】
【表 １】
【００２０】
【表 ２】
【００２１】
【表 ３】 表１乃至３かｒ明らかなように、ＡｌＮを用いたセラミ
ックスパッケージの方が従来のＡｌ2 Ｏ3 を用いたいも
のより、自然対流で１４％、強制対流で２７％、ヒート
シンク付きのもので28％優れていることが分かる。ここ
で、基板１１の表面を酸化することにより熱伝導率の低
下が考えられるが、上記表からはこの低下は殆ど認めら
れない。これは、半導体チップ１６からの熱拡散に最も
寄与する前記導体層１２’の下面において、ＡｌＮ基板
１１表面に形成される酸化層が他の部分より薄くなって
いるからであると推定される。また、酸化層１３はＡｌ
2Ｏ3 が主体であるが、基板１１としてＡｌＮを用いた
ものはＡｌ2 Ｏ3 を用いたものより、全体としての熱抵
抗が小さくなることは明らかである。
ックスパッケージの方が従来のＡｌ2 Ｏ3 を用いたいも
のより、自然対流で１４％、強制対流で２７％、ヒート
シンク付きのもので28％優れていることが分かる。ここ
で、基板１１の表面を酸化することにより熱伝導率の低
下が考えられるが、上記表からはこの低下は殆ど認めら
れない。これは、半導体チップ１６からの熱拡散に最も
寄与する前記導体層１２’の下面において、ＡｌＮ基板
１１表面に形成される酸化層が他の部分より薄くなって
いるからであると推定される。また、酸化層１３はＡｌ
2Ｏ3 が主体であるが、基板１１としてＡｌＮを用いた
ものはＡｌ2 Ｏ3 を用いたものより、全体としての熱抵
抗が小さくなることは明らかである。
【００２２】このように本実施例によれば、ＡｌＮをセ
ラミックス基板１１として用いることにより、Ａｌ2 Ｏ
3 を用いた場合より熱抵抗を１０〜３０％小さくするこ
とができる。また、ＡｌＮ基板１１の表面を酸化するこ
とにより、基板１１とガラス層１４との接合強度を高め
ることができ、これにより基板１１とリードフレーム１
５及びセラミックスキャップ１９との接着強度を十分大
きくすることができる。また、ＡｌＮ基板１１の酸化処
理を前記導体ペースト１２の焼成と同時に行っているの
で、酸化処理のために工程が増大することはなく、従来
工程と同様に容易に実施することができる。
ラミックス基板１１として用いることにより、Ａｌ2 Ｏ
3 を用いた場合より熱抵抗を１０〜３０％小さくするこ
とができる。また、ＡｌＮ基板１１の表面を酸化するこ
とにより、基板１１とガラス層１４との接合強度を高め
ることができ、これにより基板１１とリードフレーム１
５及びセラミックスキャップ１９との接着強度を十分大
きくすることができる。また、ＡｌＮ基板１１の酸化処
理を前記導体ペースト１２の焼成と同時に行っているの
で、酸化処理のために工程が増大することはなく、従来
工程と同様に容易に実施することができる。
【００２３】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、ＡｌＮ基板表面に形成する酸
化層の厚さ及び酸化の方法は、仕様に応じて適宜決めれ
ばよい。さらに、熱酸化の場合酸化層の形成のための熱
処理温度も適宜変更可能である。また、セラミックスキ
ャップとしてはＡｌ2 Ｏ3 の代わりにＡｌＮ、ムライ
ト、その他各種のセラミックス材料を用いることが可能
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
るものではない。例えば、ＡｌＮ基板表面に形成する酸
化層の厚さ及び酸化の方法は、仕様に応じて適宜決めれ
ばよい。さらに、熱酸化の場合酸化層の形成のための熱
処理温度も適宜変更可能である。また、セラミックスキ
ャップとしてはＡｌ2 Ｏ3 の代わりにＡｌＮ、ムライ
ト、その他各種のセラミックス材料を用いることが可能
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ＡｌＮをセラミックス
基板材料として用いているので、Ａｌ2 Ｏ3 を用いた場
合に比して、３０％程度熱抵抗を小さくすることができ
る。このため、内部に実装すべき半導体チップの発熱量
が大きくなっても十分に対処できるものを製造すること
ができる。また、ＡｌＮ基板の表面を酸化するので、基
板とガラス層との接合強度を十分高くすることができ、
これによりＡｌＮ基板とセラミックスキャップ若しくは
リードフレームとの接合強度を十分大きくすることがで
きる。このため、Ａｌ2 Ｏ3 基板を用いた場合と同様
に、十分な気密封止若しくはリード強度を実現すること
が可能である。また、半導体チップを導体ペーストを焼
成してなる導体層上にマウントする場合、上記ペースト
の焼成とＡｌＮ基板の酸化とを同時に行うようにすれ
ば、工程の増加を招くことなく容易に実現することが可
能である。
基板材料として用いているので、Ａｌ2 Ｏ3 を用いた場
合に比して、３０％程度熱抵抗を小さくすることができ
る。このため、内部に実装すべき半導体チップの発熱量
が大きくなっても十分に対処できるものを製造すること
ができる。また、ＡｌＮ基板の表面を酸化するので、基
板とガラス層との接合強度を十分高くすることができ、
これによりＡｌＮ基板とセラミックスキャップ若しくは
リードフレームとの接合強度を十分大きくすることがで
きる。このため、Ａｌ2 Ｏ3 基板を用いた場合と同様
に、十分な気密封止若しくはリード強度を実現すること
が可能である。また、半導体チップを導体ペーストを焼
成してなる導体層上にマウントする場合、上記ペースト
の焼成とＡｌＮ基板の酸化とを同時に行うようにすれ
ば、工程の増加を招くことなく容易に実現することが可
能である。
【図１】 （ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例に係る
セラミックスパッケージ製造工程を示す断面図である。
セラミックスパッケージ製造工程を示す断面図である。
【図２】 図１（ｅ）に示す状態を示す平面図である。
１１・・・ＡｌＮ基板（セラミックス基板）、 １２・
・・導体ペースト、 １２’・・・導体層、 １３・・
・酸化層 １４，１８・・・ガラス層、 １５・・・リ
ードフレーム、 １６・・・半導体チップ、 １７・・
・ボンディングワイヤ、 １９・・・セラミックスキャ
ップ
・・導体ペースト、 １２’・・・導体層、 １３・・
・酸化層 １４，１８・・・ガラス層、 １５・・・リ
ードフレーム、 １６・・・半導体チップ、 １７・・
・ボンディングワイヤ、 １９・・・セラミックスキャ
ップ
Claims (3)
- 【請求項１】 窒化アルミニウムからなりその上面に半
導体チップが載置されるセラミックス基板の表面を酸化
処理してＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3 、及び３Ｙ2
Ｏ3 ・５Ａｌ2 ＯＡ3 からなる酸化層を形成する工程
と、次いで前記基板上の酸化層上にガラス層を被着する
工程と、次いで上記ガラス層を介してセラミックスキャ
ップを前記基板上の酸化層に接着する工程とを含むこと
を特徴とするセラミックスパッケージの製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体チップは、前記基板のキャビ
ティ上に印刷された導体ペーストを焼成してなる導体膜
上にマウントされることを特徴とする請求項１に記載の
セラミックスパッケージの製造方法。 - 【請求項３】 前記導体ペーストの焼成と、前記酸化層
の形成とを、所定の熱処理工程により同時に行うことを
特徴とする請求項１記載のセラミックスパッケージの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197697A JPH10154770A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | セラミックスパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197697A JPH10154770A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | セラミックスパッケージの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60009772A Division JPH0770634B2 (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | セラミツクスパツケ−ジ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154770A true JPH10154770A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18420923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35197697A Pending JPH10154770A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | セラミックスパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154770A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630727B1 (en) * | 1998-03-03 | 2003-10-07 | Infineon Technologies Ag | Modularly expandable multi-layered semiconductor component |
| US8368291B2 (en) | 2010-08-18 | 2013-02-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radiant heat substrate and method for manufacturing the radiant heat substrate, and luminous element package with the radiant heat substrate |
| JP5302689B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2013-10-02 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム接合体の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP35197697A patent/JPH10154770A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630727B1 (en) * | 1998-03-03 | 2003-10-07 | Infineon Technologies Ag | Modularly expandable multi-layered semiconductor component |
| JP5302689B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2013-10-02 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム接合体の製造方法 |
| US8368291B2 (en) | 2010-08-18 | 2013-02-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radiant heat substrate and method for manufacturing the radiant heat substrate, and luminous element package with the radiant heat substrate |
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