JPH10149559A - レーザビーム出射装置 - Google Patents
レーザビーム出射装置Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長の異なるレーザビームを出射でき、特に
ＤＶＤと共にＣＤ−Ｒの再生を適切に行うことのできる
レーザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を、簡
単な構成で、小型、コンパクトに実現すること。 【解決手段】 レーザビーム出射装置１は、シリコン基
板２の表面２ａに、プリズム合成体からなる偏光ビーム
スプリッタ６が縦置きに載置され、その偏光分離面６ａ
に対して水平方向の位置に、ＴＭモードで発振する波長
が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム４ａを出射する半導体
レーザチップ４と、ＴＥモードで発振する波長が７８０
ｎｍ帯域のレーザビーム５ａを出射する半導体レーザチ
ップ５を配列してある。偏光分離面６ａは、第１のレー
ザビーム４ａを反射し、第２のレーザビーム５ａを透過
させる。偏光ビームスプリッタ６を縦置きにすることに
より、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生に適した波長のレー
ザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を簡単な構
成で、小型、コンパクトに実現できる。
ＤＶＤと共にＣＤ−Ｒの再生を適切に行うことのできる
レーザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を、簡
単な構成で、小型、コンパクトに実現すること。 【解決手段】 レーザビーム出射装置１は、シリコン基
板２の表面２ａに、プリズム合成体からなる偏光ビーム
スプリッタ６が縦置きに載置され、その偏光分離面６ａ
に対して水平方向の位置に、ＴＭモードで発振する波長
が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム４ａを出射する半導体
レーザチップ４と、ＴＥモードで発振する波長が７８０
ｎｍ帯域のレーザビーム５ａを出射する半導体レーザチ
ップ５を配列してある。偏光分離面６ａは、第１のレー
ザビーム４ａを反射し、第２のレーザビーム５ａを透過
させる。偏光ビームスプリッタ６を縦置きにすることに
より、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生に適した波長のレー
ザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を簡単な構
成で、小型、コンパクトに実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録形態の違う光
ディスクを記録再生するために用いる共用型の光ピック
アップのレーザ光源として用いるレーザビーム出射装置
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、ＤＶＤ
およびＣＤと共に追記型の光ディスクであるＣＤ−Ｒの
再生等も適切に行うことのできる光ピックアップのレー
ザ光源として用いるのに適したレーザビーム出射装置に
関するものである。
ディスクを記録再生するために用いる共用型の光ピック
アップのレーザ光源として用いるレーザビーム出射装置
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、ＤＶＤ
およびＣＤと共に追記型の光ディスクであるＣＤ−Ｒの
再生等も適切に行うことのできる光ピックアップのレー
ザ光源として用いるのに適したレーザビーム出射装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクとしてＣＤの他にＤＶＤも広
く使用されるようになっている。これに伴って、光ディ
スクの再生等を行うための光ピックアップも、ＣＤおよ
びＤＶＤの双方を再生可能な共用型のものとすれば便利
である。
く使用されるようになっている。これに伴って、光ディ
スクの再生等を行うための光ピックアップも、ＣＤおよ
びＤＶＤの双方を再生可能な共用型のものとすれば便利
である。
【０００３】ＤＶＤはＣＤに比べて記録密度が高く、高
密度の記録情報の再生を行うためにはディスク面に形成
される光スポット径も小さくする必要がある。ディスク
面に形成される光スポット径は使用するレーザビームの
波長に比例する。従って、ＣＤの再生用に使用している
レーザ光源の波長７８０ｎｍに比べて、ＤＶＤ用のレー
ザ光源の波長は６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍと短波長
のものが採用されている。具体的には、ＣＤ用のレーザ
光源には波長７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
が用いられ、ＤＶＤ用のレーザ光源には波長６３５ｎｍ
あるいは６５０ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが
用いられている。
密度の記録情報の再生を行うためにはディスク面に形成
される光スポット径も小さくする必要がある。ディスク
面に形成される光スポット径は使用するレーザビームの
波長に比例する。従って、ＣＤの再生用に使用している
レーザ光源の波長７８０ｎｍに比べて、ＤＶＤ用のレー
ザ光源の波長は６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍと短波長
のものが採用されている。具体的には、ＣＤ用のレーザ
光源には波長７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
が用いられ、ＤＶＤ用のレーザ光源には波長６３５ｎｍ
あるいは６５０ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが
用いられている。
【０００４】ここで、共用型の光ピックアップでは、そ
のレーザ光源として、ＤＶＤを再生可能な短波長のレー
ザ光源を採用すれば、同一のレーザ光源を用いてＣＤの
再生も行うことが可能である。しかしながら、追記型の
ＣＤ−Ｒにおいては、波長が６３５ｎｍあるいは６５０
ｎｍの帯域が当該記録媒体の吸収帯域に相当している。
このため、この波長帯域のレーザ光の反射率が著しく低
下してしまうので、当該波長帯域に含まれる波長で発振
するレーザ光はＣＤ−Ｒの再生等には適していない。そ
こで、ＤＶＤと共にＣＤ−Ｒの記録再生も可能な光ピッ
クアップとしては、異なる波長で発振する２個のレーザ
光源を備え、これらのレーザ光源を切り換えて使用する
構成のものが、例えば、特開平８−５５３６３号公報に
開示されている。この公報に開示された光ピックアップ
の光学系は、異なる位置に配置されている２個の半導体
レーザからのレーザビームが波長偏光フィルタを介して
共通光路に取り出し可能となっており、再生対象の光デ
ィスクに応じて２個の半導体レーザを切り換えて使用す
るようになっている。
のレーザ光源として、ＤＶＤを再生可能な短波長のレー
ザ光源を採用すれば、同一のレーザ光源を用いてＣＤの
再生も行うことが可能である。しかしながら、追記型の
ＣＤ−Ｒにおいては、波長が６３５ｎｍあるいは６５０
ｎｍの帯域が当該記録媒体の吸収帯域に相当している。
このため、この波長帯域のレーザ光の反射率が著しく低
下してしまうので、当該波長帯域に含まれる波長で発振
するレーザ光はＣＤ−Ｒの再生等には適していない。そ
こで、ＤＶＤと共にＣＤ−Ｒの記録再生も可能な光ピッ
クアップとしては、異なる波長で発振する２個のレーザ
光源を備え、これらのレーザ光源を切り換えて使用する
構成のものが、例えば、特開平８−５５３６３号公報に
開示されている。この公報に開示された光ピックアップ
の光学系は、異なる位置に配置されている２個の半導体
レーザからのレーザビームが波長偏光フィルタを介して
共通光路に取り出し可能となっており、再生対象の光デ
ィスクに応じて２個の半導体レーザを切り換えて使用す
るようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ＣＤ
−Ｒの再生も適切に行うことのできる共用型の光ピック
アップのレーザ光源として採用するのに適したレーザビ
ーム出射装置を提案することにある。さらに詳しくは、
異なる波長で発振する２種類のレーザビームを択一的に
出力可能な小型でコンパクトなレーザビーム出射装置を
提案することにある。
−Ｒの再生も適切に行うことのできる共用型の光ピック
アップのレーザ光源として採用するのに適したレーザビ
ーム出射装置を提案することにある。さらに詳しくは、
異なる波長で発振する２種類のレーザビームを択一的に
出力可能な小型でコンパクトなレーザビーム出射装置を
提案することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明のレーザビーム出射装置は、第１のレーザ
ビームを出射する第１の半導体レーザチップと、前記第
１のレーザビームとは偏光面が直交すると共に波長が異
なる第２のレーザビームを出射する第２の半導体レーザ
チップと、前記第１および第２のレーザビームのうちの
一方を透過させ他方を反射する偏光ビームスプリッタ
と、前記第１および第２の半導体レーザチップおよび前
記偏光ビームスプリッタが取り付けられた半導体基板と
を有し、前記偏光ビームスプリッタを、前記半導体基板
の基板表面に対して偏光分離面が垂直の状態で取り付け
ると共に、前記第１および第２の半導体レーザチップか
ら出射された前記第１および第２のレーザビームの主光
軸を、前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に直交す
る同一平面上に位置させると共に当該偏光分離面上の一
点で交差させるようにしてある。
めに、本発明のレーザビーム出射装置は、第１のレーザ
ビームを出射する第１の半導体レーザチップと、前記第
１のレーザビームとは偏光面が直交すると共に波長が異
なる第２のレーザビームを出射する第２の半導体レーザ
チップと、前記第１および第２のレーザビームのうちの
一方を透過させ他方を反射する偏光ビームスプリッタ
と、前記第１および第２の半導体レーザチップおよび前
記偏光ビームスプリッタが取り付けられた半導体基板と
を有し、前記偏光ビームスプリッタを、前記半導体基板
の基板表面に対して偏光分離面が垂直の状態で取り付け
ると共に、前記第１および第２の半導体レーザチップか
ら出射された前記第１および第２のレーザビームの主光
軸を、前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に直交す
る同一平面上に位置させると共に当該偏光分離面上の一
点で交差させるようにしてある。
【０００７】一般には、前記偏光ビームスプリッタは四
角柱形状をしたプリズム合成体からなり、当該プリズム
合成体の貼り合わせ面が前記偏光分離面となっている。
従って、当該プリズム合成体の直交する２つの側面に対
して、前記第１および前記第２の半導体レーザチップの
前面がそれぞれ密着した状態となるように配置すれば、
前記偏光分離面に対する２個の半導体レーザチップの位
置決めを簡単に行うことができる。
角柱形状をしたプリズム合成体からなり、当該プリズム
合成体の貼り合わせ面が前記偏光分離面となっている。
従って、当該プリズム合成体の直交する２つの側面に対
して、前記第１および前記第２の半導体レーザチップの
前面がそれぞれ密着した状態となるように配置すれば、
前記偏光分離面に対する２個の半導体レーザチップの位
置決めを簡単に行うことができる。
【０００８】ここで、半導体レーザチップから出射した
拡がり角をもつ発散光であるレーザビームが半導体基板
の基板表面で反射してけられるこの無いように、半導体
レーザチップの主光軸が基板表面から離れた位置となる
ように設定することが望ましい。このためには、前記偏
光ビームスプリッタを前記半導体基板の基板表面に載置
し、前記第１および第２の半導体レーザチップを、前記
基板表面よりも一段高い位置に配置するために、前記基
板表面に設置したサブマウントの上面に載置すればよ
い。この場合、サブマウントとして、前記プリズム合成
体の直交する２つの前記側面のそれぞれが密着した直交
する２つの側面を備えた構成のものとすれば、偏光ビー
ムスプリッタの位置決めを簡単に行うことができる。
拡がり角をもつ発散光であるレーザビームが半導体基板
の基板表面で反射してけられるこの無いように、半導体
レーザチップの主光軸が基板表面から離れた位置となる
ように設定することが望ましい。このためには、前記偏
光ビームスプリッタを前記半導体基板の基板表面に載置
し、前記第１および第２の半導体レーザチップを、前記
基板表面よりも一段高い位置に配置するために、前記基
板表面に設置したサブマウントの上面に載置すればよ
い。この場合、サブマウントとして、前記プリズム合成
体の直交する２つの前記側面のそれぞれが密着した直交
する２つの側面を備えた構成のものとすれば、偏光ビー
ムスプリッタの位置決めを簡単に行うことができる。
【０００９】サブマウントを用いる代わりに、前記偏光
ビームスプリッタを、前記半導体基板の基板表面をエッ
チングすることにより形成した凹部の底面に載置し、前
記第１および第２の半導体レーザチップの側を、当該底
面よりも一段高い前記基板表面に載置するようにしても
よい。この場合においても、前記凹部として、前記プリ
ズム合成体の直交する２つの前記側面のそれぞれが密着
した直交する２つの側面を備えた構成のものとすれば、
偏光ビームスプリッタの位置決めを簡単に行うことがで
きる。
ビームスプリッタを、前記半導体基板の基板表面をエッ
チングすることにより形成した凹部の底面に載置し、前
記第１および第２の半導体レーザチップの側を、当該底
面よりも一段高い前記基板表面に載置するようにしても
よい。この場合においても、前記凹部として、前記プリ
ズム合成体の直交する２つの前記側面のそれぞれが密着
した直交する２つの側面を備えた構成のものとすれば、
偏光ビームスプリッタの位置決めを簡単に行うことがで
きる。
【００１０】次に、偏光ビームスプリッタから出射され
るレーザビームの方向を例えば、半導体基板の基板表面
に垂直な方向に設定する場合には、上記の構成に加え
て、前記偏光ビームスプリッタから出射されたレーザビ
ームの進行方向を変更するための導光素子を配置すれば
よい。
るレーザビームの方向を例えば、半導体基板の基板表面
に垂直な方向に設定する場合には、上記の構成に加え
て、前記偏光ビームスプリッタから出射されたレーザビ
ームの進行方向を変更するための導光素子を配置すれば
よい。
【００１１】例えば、前記導光素子として反射鏡を用
い、この反射鏡を前記半導体基板に取り付ければよい。
あるいは、前記導光素子としては、前記半導体基板の基
板表面にエッチングにより形成した斜面等に形成した反
射面でもよい。
い、この反射鏡を前記半導体基板に取り付ければよい。
あるいは、前記導光素子としては、前記半導体基板の基
板表面にエッチングにより形成した斜面等に形成した反
射面でもよい。
【００１２】一方、前記第１の半導体レーザチップから
前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に到る光路長
と、前記第２の半導体レーザチップから前記偏光ビーム
スプリッタの偏光分離面に到る光路長とが等しくなるよ
うに設定することが望ましい。このようにすれば、双方
の半導体レーザチップが共通の仮想発光点を持つことに
なるので、当該レーザビーム出射装置を光ピックアップ
に搭載した場合に、光ディスクからの反射光を受光する
ための受光面も各半導体レーザからのレーザビームに対
して共通のものとすることができる。従って、光ピック
アップの構成を簡単化することができる。
前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に到る光路長
と、前記第２の半導体レーザチップから前記偏光ビーム
スプリッタの偏光分離面に到る光路長とが等しくなるよ
うに設定することが望ましい。このようにすれば、双方
の半導体レーザチップが共通の仮想発光点を持つことに
なるので、当該レーザビーム出射装置を光ピックアップ
に搭載した場合に、光ディスクからの反射光を受光する
ための受光面も各半導体レーザからのレーザビームに対
して共通のものとすることができる。従って、光ピック
アップの構成を簡単化することができる。
【００１３】また、前記の第１および第２の半導体レー
ザチップのうちの一方の半導体レーザチップとしては、
ＴＭモードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザを用いればよい。この半導体レー
ザを用いれば、ＤＶＤの再生を適切に行うことができ
る。また、他方の半導体レーザチップとしては、ＴＥモ
ードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザを用いることができる。この半導体レーザ
を用いれば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒの再生動作等を適切に行う
ことができる。
ザチップのうちの一方の半導体レーザチップとしては、
ＴＭモードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザを用いればよい。この半導体レー
ザを用いれば、ＤＶＤの再生を適切に行うことができ
る。また、他方の半導体レーザチップとしては、ＴＥモ
ードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザを用いることができる。この半導体レーザ
を用いれば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒの再生動作等を適切に行う
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明を
適用した光ピックアップ用のレーザビーム出射装置を説
明する。
適用した光ピックアップ用のレーザビーム出射装置を説
明する。
【００１５】図１はレーザビーム出射装置の要部の概略
構成図である。図示のレーザビーム出射装置１は、シリ
コン基板２と、この基板表面２ａに融着されたサブマウ
ント３と、このサブマウント３の表面３ａに融着された
第１および第２の半導体レーザチップ４、５と、シリコ
ン基板２の基板表面２ａに接着した偏光ビームスプリッ
タ６とを有している。
構成図である。図示のレーザビーム出射装置１は、シリ
コン基板２と、この基板表面２ａに融着されたサブマウ
ント３と、このサブマウント３の表面３ａに融着された
第１および第２の半導体レーザチップ４、５と、シリコ
ン基板２の基板表面２ａに接着した偏光ビームスプリッ
タ６とを有している。
【００１６】シリコン基板の基板表面２ａに融着したサ
ブマウント３は、一定の厚さのＬ形をした基板である。
偏光ビームスプリッタ６は、同一形状をした直角二等辺
三角形断面のプリズムを、それらの斜面が貼り合わせ面
となるように相互に貼り合わせることにより構成した正
四角柱の外形形状をしたプリズム合成体からなり、その
プリズム貼り合わせ面が偏光分離面６ａとされている。
従って、偏光分離面６ａは、基板表面２ａに対して垂直
に延びている。この形状の偏光ビームスプリッタ６は、
直交する２つの側面６１、６２がそれぞれ、サブマウン
ト３の側の直交する２つの側面３１、３２にそれぞれ密
着した状態とされている。
ブマウント３は、一定の厚さのＬ形をした基板である。
偏光ビームスプリッタ６は、同一形状をした直角二等辺
三角形断面のプリズムを、それらの斜面が貼り合わせ面
となるように相互に貼り合わせることにより構成した正
四角柱の外形形状をしたプリズム合成体からなり、その
プリズム貼り合わせ面が偏光分離面６ａとされている。
従って、偏光分離面６ａは、基板表面２ａに対して垂直
に延びている。この形状の偏光ビームスプリッタ６は、
直交する２つの側面６１、６２がそれぞれ、サブマウン
ト３の側の直交する２つの側面３１、３２にそれぞれ密
着した状態とされている。
【００１７】第１の半導体レーザチップ４は、サブマウ
ント３における側面３１の上側に配置され、その発光点
４２が位置する前面４１が、偏光ビームスプリッタ６の
側面６１に当接した状態とされている。同様に、第２の
半導体レーザチップ５は、サブマウント３における側面
３２の上側に配置され、その発光点５２が位置する前面
５１が、偏光ビームスプリッタ６の側面６２に密着した
状態とされている。
ント３における側面３１の上側に配置され、その発光点
４２が位置する前面４１が、偏光ビームスプリッタ６の
側面６１に当接した状態とされている。同様に、第２の
半導体レーザチップ５は、サブマウント３における側面
３２の上側に配置され、その発光点５２が位置する前面
５１が、偏光ビームスプリッタ６の側面６２に密着した
状態とされている。
【００１８】ここで、第１の半導体レーザチップ４は、
ＴＭモードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビ
ーム４ａを出射するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザであ
る。これに対して、半導体レーザチップ５は、ＴＥモー
ドで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビーム５ａ
を出射するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザである。また、
これらの半導体レーザチップ４、５は、基板表面２ａに
平行で一段高い表面３ａを備えたサブマウント３に設置
されているので、それらの前面４１、５１の発光点４
２、５２から出射するレーザビーム４ａ、５ａの主光軸
は基板表面２ａに平行な平面内に位置する。すなわち、
基板表面２ａに直交する偏光分離面６ａに対して直交す
る同一平面内に位置する。さらには、各レーザビーム４
ａ、５ａの主光軸は、偏光分離面６ａに対して４５度の
角度で入射し、当該偏光分離面６ａ上の一点６ｂで交差
する。
ＴＭモードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビ
ーム４ａを出射するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザであ
る。これに対して、半導体レーザチップ５は、ＴＥモー
ドで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビーム５ａ
を出射するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザである。また、
これらの半導体レーザチップ４、５は、基板表面２ａに
平行で一段高い表面３ａを備えたサブマウント３に設置
されているので、それらの前面４１、５１の発光点４
２、５２から出射するレーザビーム４ａ、５ａの主光軸
は基板表面２ａに平行な平面内に位置する。すなわち、
基板表面２ａに直交する偏光分離面６ａに対して直交す
る同一平面内に位置する。さらには、各レーザビーム４
ａ、５ａの主光軸は、偏光分離面６ａに対して４５度の
角度で入射し、当該偏光分離面６ａ上の一点６ｂで交差
する。
【００１９】このように構成したレーザビーム出射装置
１においては、２個の半導体レーザチップ４、５の駆動
を切り換えることにより、異なる波長のレーザビームを
出射させることができる。例えば、レーザビーム出射装
置１をＤＶＤ、ＣＤ再生用の光ピックアップのレーザ光
源として用いた場合には、ＤＶＤ再生時には、ＴＭモー
ドで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム４ａ
を出射する半導体レーザチップ４を駆動する。出射した
レーザビーム４ａは、偏光ビームスプリッタ６の偏光分
離面６ａに入射すると、この偏光分離面６ａで直角に反
射されて、当該偏光ビームスプリッタ６の出射側の側面
６３から出射する。
１においては、２個の半導体レーザチップ４、５の駆動
を切り換えることにより、異なる波長のレーザビームを
出射させることができる。例えば、レーザビーム出射装
置１をＤＶＤ、ＣＤ再生用の光ピックアップのレーザ光
源として用いた場合には、ＤＶＤ再生時には、ＴＭモー
ドで発振する波長が６３５ｎｍ帯域のレーザビーム４ａ
を出射する半導体レーザチップ４を駆動する。出射した
レーザビーム４ａは、偏光ビームスプリッタ６の偏光分
離面６ａに入射すると、この偏光分離面６ａで直角に反
射されて、当該偏光ビームスプリッタ６の出射側の側面
６３から出射する。
【００２０】ＣＤおよびＣＤ−Ｒの再生時には、逆にＴ
Ｅモードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビー
ム５ａを出射する半導体レーザチップ５を駆動する。出
射したレーザビーム５ａは、偏光ビームスプリッタ６の
偏光分離面６ａに入射すると、この偏光分離面６ａをそ
のまま透過して、当該偏光ビームスプリッタ６の出射側
の側面６３から出射する。出射方向は、上記のレーザビ
ーム４ａと同一方向である。
Ｅモードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域のレーザビー
ム５ａを出射する半導体レーザチップ５を駆動する。出
射したレーザビーム５ａは、偏光ビームスプリッタ６の
偏光分離面６ａに入射すると、この偏光分離面６ａをそ
のまま透過して、当該偏光ビームスプリッタ６の出射側
の側面６３から出射する。出射方向は、上記のレーザビ
ーム４ａと同一方向である。
【００２１】このように本例のレーザビーム出射装置１
は、発振波長の異なるレーザビームを出射可能であるの
で、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生を適切に行うことがで
きる。
は、発振波長の異なるレーザビームを出射可能であるの
で、ＤＶＤおよびＣＤ−Ｒの再生を適切に行うことがで
きる。
【００２２】また、本例のレーザビーム出射装置１で
は、正四角柱形状の偏光ビームスプリッタ６を縦置きに
し（すなわち、偏光分離面を基板表面に垂直な状態と
し）、その直交する側面６１、６２に、それぞれ半導体
レーザチップ４の前面４１および半導体レーザチップ５
の前面５１を密着させてあるので、必然的に、半導体レ
ーザチップ４の発光点４２から偏光ビームスプリッタ６
の偏光分離面６ａの入射点６ｂまでの光路長と、半導体
レーザチップ５の発光点５２から同じく偏光ビームスプ
リッタ６の偏光分離面６ａの入射点６ｂまでの光路長が
等しい。従って、２つの半導体レーザチップ４、５は共
通の仮想発光点を持つことになる。この結果、例えば、
本例のレーザビーム出射装置１を光ピックアップのレー
ザ光源として用いた場合には、異なるレーザビームを使
用しても、それらの光記録媒体からの反射光の受光面を
同一面とすることができ、光ピックアップの光学系の構
成を簡単にすることができる。
は、正四角柱形状の偏光ビームスプリッタ６を縦置きに
し（すなわち、偏光分離面を基板表面に垂直な状態と
し）、その直交する側面６１、６２に、それぞれ半導体
レーザチップ４の前面４１および半導体レーザチップ５
の前面５１を密着させてあるので、必然的に、半導体レ
ーザチップ４の発光点４２から偏光ビームスプリッタ６
の偏光分離面６ａの入射点６ｂまでの光路長と、半導体
レーザチップ５の発光点５２から同じく偏光ビームスプ
リッタ６の偏光分離面６ａの入射点６ｂまでの光路長が
等しい。従って、２つの半導体レーザチップ４、５は共
通の仮想発光点を持つことになる。この結果、例えば、
本例のレーザビーム出射装置１を光ピックアップのレー
ザ光源として用いた場合には、異なるレーザビームを使
用しても、それらの光記録媒体からの反射光の受光面を
同一面とすることができ、光ピックアップの光学系の構
成を簡単にすることができる。
【００２３】ここで、本例では、双方の光路長が等しく
なるように設定するためには、単に、双方の半導体レー
ザチップ４、５の前面４１、５１を偏光ビームスプリッ
タ６の対応する側面６１、６２に密着させるだけでよ
い。従って、これらのチップの位置決めを極めて簡単に
行うことができるという利点がある。
なるように設定するためには、単に、双方の半導体レー
ザチップ４、５の前面４１、５１を偏光ビームスプリッ
タ６の対応する側面６１、６２に密着させるだけでよ
い。従って、これらのチップの位置決めを極めて簡単に
行うことができるという利点がある。
【００２４】また、各半導体レーザチップ４、５を基板
表面２ａ上に直接に設置した場合には、各半導体レーザ
チップ４、５から所定の拡散角をもって発光するレーザ
ビーム４ａ、５ａが基板表面２ａでけられてしまい、偏
光ビームスプリッタ６を介して装置外に出射されるレー
ザビームの光量が低下するおそれがある。しかし、本例
では、各半導体レーザチップ４、５を、サブマウント３
の上に取り付けてあるので、その厚さ分だけ、発光する
レーザビーム４ａ、５ａの主光軸はシリコン基板２の基
板表面２ａから一段高い位置にあり、基板表面２ａによ
ってレーザビームがけられてしまうことを回避できる。
表面２ａ上に直接に設置した場合には、各半導体レーザ
チップ４、５から所定の拡散角をもって発光するレーザ
ビーム４ａ、５ａが基板表面２ａでけられてしまい、偏
光ビームスプリッタ６を介して装置外に出射されるレー
ザビームの光量が低下するおそれがある。しかし、本例
では、各半導体レーザチップ４、５を、サブマウント３
の上に取り付けてあるので、その厚さ分だけ、発光する
レーザビーム４ａ、５ａの主光軸はシリコン基板２の基
板表面２ａから一段高い位置にあり、基板表面２ａによ
ってレーザビームがけられてしまうことを回避できる。
【００２５】さらに、本例では、このサブマウント３の
側面３１、３２と偏光ビームスプリッタ６の側面６１、
６２が密着しているので、偏光ビームスプリッタあるい
はサブマウントの組み付け時には、既に半導体基板に固
定されている側の部品の側面に、これから固定しようと
する部品における対応する側面を密着させるのみで、双
方の部品の位置決めを行うことができるという利点があ
る。
側面３１、３２と偏光ビームスプリッタ６の側面６１、
６２が密着しているので、偏光ビームスプリッタあるい
はサブマウントの組み付け時には、既に半導体基板に固
定されている側の部品の側面に、これから固定しようと
する部品における対応する側面を密着させるのみで、双
方の部品の位置決めを行うことができるという利点があ
る。
【００２６】なお、本例のレーザビーム出射装置１を光
ピックアップに用いる場合等には、そのシリコン基板２
に、レーザチップ４、５の他に、光記録媒体からの戻り
光を受光する受光素子を作り込んでもよい。また、光源
および受光素子に限らず、これらの光源および受光素子
のための集積回路やその他の電子回路を一体的に作り込
むようにしてもよい。この点は、後述する図２乃至図４
に示すレーザビーム出射装置にも同様に適用できる。
ピックアップに用いる場合等には、そのシリコン基板２
に、レーザチップ４、５の他に、光記録媒体からの戻り
光を受光する受光素子を作り込んでもよい。また、光源
および受光素子に限らず、これらの光源および受光素子
のための集積回路やその他の電子回路を一体的に作り込
むようにしてもよい。この点は、後述する図２乃至図４
に示すレーザビーム出射装置にも同様に適用できる。
【００２７】また、上記の例では、部品点数の削減およ
びマウント工程の簡素化を狙って、２個の半導体レーザ
チップ４、５をＬ形をした共用のサブマウントに搭載し
ているが、これらの点が支障とはならない場合には、各
レーザチップを別個のサブマウントに搭載するようにし
てもよいことは勿論である。
びマウント工程の簡素化を狙って、２個の半導体レーザ
チップ４、５をＬ形をした共用のサブマウントに搭載し
ているが、これらの点が支障とはならない場合には、各
レーザチップを別個のサブマウントに搭載するようにし
てもよいことは勿論である。
【００２８】次に、図２はレーザビーム出射装置の別の
例を示す要部の概略構成図である。この図に示すレーザ
ビーム出射装置１０の基本構成は上記のレーザビーム出
射装置１と同一であるので、対応する部分には同一の符
号を付し、それらの説明は省略する。
例を示す要部の概略構成図である。この図に示すレーザ
ビーム出射装置１０の基本構成は上記のレーザビーム出
射装置１と同一であるので、対応する部分には同一の符
号を付し、それらの説明は省略する。
【００２９】本例のレーザビーム出射装置１０では、２
個の半導体レーザチップ４、５を搭載するためのサブマ
ウントを省略し、半導体レーザチップ４、５を直接にシ
リコン基板２の基板表面２ａに融着してある。また、各
半導体レーザチップ４、５から出射するレーザビーム４
ａ、５ａの主光軸が基板表面から離れるように、当該基
板表面２ａの側をエッチングして凹部１１を形成し、そ
の底面１１４に偏光ビームスプリッタ６を融着してあ
る。この凹部１１の底面１１４は基板表面２ａに平行な
面であり、この底面１１４に対して偏光分離面６ａが垂
直となるように偏光ビームスプリッタ６が取り付けられ
ている。そして、凹部１１の直交する２つの側面１１
１、１１２に対して、偏光ビームスプリッタ６の直交す
る側面６１、６２が当接している。これ以外の構成は、
図１に示すレーザビーム出射装置１と同様であるので、
それらの説明は省略する。
個の半導体レーザチップ４、５を搭載するためのサブマ
ウントを省略し、半導体レーザチップ４、５を直接にシ
リコン基板２の基板表面２ａに融着してある。また、各
半導体レーザチップ４、５から出射するレーザビーム４
ａ、５ａの主光軸が基板表面から離れるように、当該基
板表面２ａの側をエッチングして凹部１１を形成し、そ
の底面１１４に偏光ビームスプリッタ６を融着してあ
る。この凹部１１の底面１１４は基板表面２ａに平行な
面であり、この底面１１４に対して偏光分離面６ａが垂
直となるように偏光ビームスプリッタ６が取り付けられ
ている。そして、凹部１１の直交する２つの側面１１
１、１１２に対して、偏光ビームスプリッタ６の直交す
る側面６１、６２が当接している。これ以外の構成は、
図１に示すレーザビーム出射装置１と同様であるので、
それらの説明は省略する。
【００３０】このように構成した本例のレーザビーム出
射装置１０においても、前述したレーザビーム出射装置
１と同様に動作して、発振波長の異なるレーザビーム４
ａ、５ａを切り換えて出射することができ、また、同様
の作用効果を得ることができる。これに加えて、本例の
レーザビーム出射装置１０は、サブマウントが不要であ
るので、構成部品が少なく、構成を簡素化できるという
利点もある。
射装置１０においても、前述したレーザビーム出射装置
１と同様に動作して、発振波長の異なるレーザビーム４
ａ、５ａを切り換えて出射することができ、また、同様
の作用効果を得ることができる。これに加えて、本例の
レーザビーム出射装置１０は、サブマウントが不要であ
るので、構成部品が少なく、構成を簡素化できるという
利点もある。
【００３１】次に、上記のレーザビーム出射装置１、１
０では、偏光ビームスプリッタ６の出射面６３から出射
されるレーザビーム４ａ、５ａは基板表面２ａと平行な
方向に向かうようになっている。しかしながら、レーザ
ビーム出射装置が組み込まれる光ピックアップ本体側の
光学系のレイアウトによっては、レーザビームの出射方
向を、基板表面２ａに平行では無い方向、典型的な例で
は、基板表面２ａに垂直な方向に設定したい場合があ
る。この場合には、偏光ビームスプリッタ６から出射し
たレーザビームを目標とする出射方向に導くための導光
素子を配置すればよい。
０では、偏光ビームスプリッタ６の出射面６３から出射
されるレーザビーム４ａ、５ａは基板表面２ａと平行な
方向に向かうようになっている。しかしながら、レーザ
ビーム出射装置が組み込まれる光ピックアップ本体側の
光学系のレイアウトによっては、レーザビームの出射方
向を、基板表面２ａに平行では無い方向、典型的な例で
は、基板表面２ａに垂直な方向に設定したい場合があ
る。この場合には、偏光ビームスプリッタ６から出射し
たレーザビームを目標とする出射方向に導くための導光
素子を配置すればよい。
【００３２】例えば、図１に示すレーザビーム出射装置
１の場合には、図３に示すように、シリコン基板２の基
板表面２ａに、全反射ミラー部材１３を接着すればよ
い。この全反射ミラー部材１３の反射面１３ａは、例え
ば、基板表面２ａに対して上方に４５度傾斜した状態
で、偏光ビームスプリッタ６の側面６３に対峙してい
る。このように全反射ミラー部材１３を配置すれば、そ
の反射面１３ａによって、レーザビーム４ａ、５ａを基
板表面２ａに対して垂直な方向に出射させることができ
る。
１の場合には、図３に示すように、シリコン基板２の基
板表面２ａに、全反射ミラー部材１３を接着すればよ
い。この全反射ミラー部材１３の反射面１３ａは、例え
ば、基板表面２ａに対して上方に４５度傾斜した状態
で、偏光ビームスプリッタ６の側面６３に対峙してい
る。このように全反射ミラー部材１３を配置すれば、そ
の反射面１３ａによって、レーザビーム４ａ、５ａを基
板表面２ａに対して垂直な方向に出射させることができ
る。
【００３３】また、例えば、図２に示すレーザビーム出
射装置１０の場合には、図４に示すように、シリコン基
板２をエッチングすることにより、凹部１１として、底
面１１４および直交する側面１１１、１１２と共に、偏
光ビームスプリッタ６の出射側の側面６３に対峙する側
面１１３を備えたものを形成し、この側面１１３を、例
えば底面１１４に対して上方に４５度傾斜した反射面と
すればよい。この構成によれば、偏光ビームスプリッタ
６から出射したレーザビーム４ａ、５ａを、シリコン基
板２に形成した反射面１１３で反射されて垂直な方向に
向けることができる。
射装置１０の場合には、図４に示すように、シリコン基
板２をエッチングすることにより、凹部１１として、底
面１１４および直交する側面１１１、１１２と共に、偏
光ビームスプリッタ６の出射側の側面６３に対峙する側
面１１３を備えたものを形成し、この側面１１３を、例
えば底面１１４に対して上方に４５度傾斜した反射面と
すればよい。この構成によれば、偏光ビームスプリッタ
６から出射したレーザビーム４ａ、５ａを、シリコン基
板２に形成した反射面１１３で反射されて垂直な方向に
向けることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザビ
ーム出射装置では、第１に、半導体基板表面に対して偏
光ビームスプリッタを縦置きとすることにより、基板表
面から垂直に延びている偏光分離面に直交する同一平面
上の位置に２個の半導体レーザチップを配置し、これら
の半導体レーザチップの駆動を切り換えることにより、
波長の異なるレーザビームを外部に出射可能な構成とな
っている。従って、かかる波長の異なるレーザビームを
出射するためのレーザ光源を極めて簡単な構成で、しか
も小型、コンパクトに実現することができる。
ーム出射装置では、第１に、半導体基板表面に対して偏
光ビームスプリッタを縦置きとすることにより、基板表
面から垂直に延びている偏光分離面に直交する同一平面
上の位置に２個の半導体レーザチップを配置し、これら
の半導体レーザチップの駆動を切り換えることにより、
波長の異なるレーザビームを外部に出射可能な構成とな
っている。従って、かかる波長の異なるレーザビームを
出射するためのレーザ光源を極めて簡単な構成で、しか
も小型、コンパクトに実現することができる。
【００３５】第２として、本発明では、四角柱形状をし
たプリズム合成体からなる偏光ビームスプリッタを縦置
きの状態で用いているので、当該プリズム合成体の直交
する２つの側面に対して、第１および前記第２の半導体
レーザチップの前面をそれぞれ密着させることにより、
偏光分離面に対して２個の半導体レーザチップの位置決
めを簡単に行うことができる。
たプリズム合成体からなる偏光ビームスプリッタを縦置
きの状態で用いているので、当該プリズム合成体の直交
する２つの側面に対して、第１および前記第２の半導体
レーザチップの前面をそれぞれ密着させることにより、
偏光分離面に対して２個の半導体レーザチップの位置決
めを簡単に行うことができる。
【００３６】第３として、本発明では、サブマウントあ
るいは半導体基板に形成した凹部を利用して、半導体レ
ーザチップの主光軸が基板表面から一段高い平面上に位
置するようにしてあるので、半導体レーザチップから出
射した拡がり角をもつ発散光であるレーザビームが半導
体基板表面でけられしまうことを防止できる。
るいは半導体基板に形成した凹部を利用して、半導体レ
ーザチップの主光軸が基板表面から一段高い平面上に位
置するようにしてあるので、半導体レーザチップから出
射した拡がり角をもつ発散光であるレーザビームが半導
体基板表面でけられしまうことを防止できる。
【００３７】第４として、これらサブマウントあるいは
凹部に、プリズム合成体からなる偏光ビームスプリッタ
の直交する側面を密着可能な直交する側面を形成してあ
るので、これらの側面を位置決め面として利用して、偏
光ビームスプリッタの位置決めを簡単に行うことができ
る。
凹部に、プリズム合成体からなる偏光ビームスプリッタ
の直交する側面を密着可能な直交する側面を形成してあ
るので、これらの側面を位置決め面として利用して、偏
光ビームスプリッタの位置決めを簡単に行うことができ
る。
【００３８】第５として、本発明では、半導体基板上に
反射鏡を設置し、あるいは半導体基板表面に反射面を形
成して、出射光の進行方向を基板表面に平行な方向とは
異なる方向に変更出来るようになっているので、当該レ
ーザビーム出射装置が搭載される光ピックアップの側の
光学系のレイアウト等の自由度が増すという利点もあ
る。
反射鏡を設置し、あるいは半導体基板表面に反射面を形
成して、出射光の進行方向を基板表面に平行な方向とは
異なる方向に変更出来るようになっているので、当該レ
ーザビーム出射装置が搭載される光ピックアップの側の
光学系のレイアウト等の自由度が増すという利点もあ
る。
【００３９】第６として、本発明では、第１の半導体レ
ーザチップから偏光ビームスプリッタの偏光分離面に到
る光路長と、第２の半導体レーザチップから偏光ビーム
スプリッタの偏光分離面に到る光路長とが等しくなるよ
うに設定してあるので、双方の半導体レーザチップが共
通の仮想発光点を持つことになり、当該レーザビーム出
射装置を光ピックアップに搭載した場合に、光ディスク
からの反射光を受光するための受光面も各半導体レーザ
からのレーザビームに対して共通のものとすることがで
き、光ピックアップの構成を簡単化できるという利点が
ある。
ーザチップから偏光ビームスプリッタの偏光分離面に到
る光路長と、第２の半導体レーザチップから偏光ビーム
スプリッタの偏光分離面に到る光路長とが等しくなるよ
うに設定してあるので、双方の半導体レーザチップが共
通の仮想発光点を持つことになり、当該レーザビーム出
射装置を光ピックアップに搭載した場合に、光ディスク
からの反射光を受光するための受光面も各半導体レーザ
からのレーザビームに対して共通のものとすることがで
き、光ピックアップの構成を簡単化できるという利点が
ある。
【００４０】第７として、本発明では、第１および第２
の半導体レーザチップのうちの一方の半導体レーザチッ
プとして、ＴＭモードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域
のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを用いているので、こ
の半導体レーザを用いることによりＤＶＤの再生を適切
に行うことができる。また、他方の半導体レーザチップ
として、ＴＥモードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域の
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いているので、この半
導体レーザを用いれば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒの再生動作等を
適切に行うことができる。
の半導体レーザチップのうちの一方の半導体レーザチッ
プとして、ＴＭモードで発振する波長が６３５ｎｍ帯域
のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを用いているので、こ
の半導体レーザを用いることによりＤＶＤの再生を適切
に行うことができる。また、他方の半導体レーザチップ
として、ＴＥモードで発振する波長が７８０ｎｍ帯域の
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いているので、この半
導体レーザを用いれば、ＣＤ、ＣＤ−Ｒの再生動作等を
適切に行うことができる。
【図１】本発明を適用したレーザビーム出射装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明を適用したレーザビーム出射装置の別の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図３】図１のレーザビーム出射装置の変形例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図４】図２のレーザビーム出射装置の変形例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
１、１０ レーザビーム出射装置 ２ シリコン基板 ２ａ 基板表面 ３ サブマウント ３１、３２ 直交する側面 ３ａ サブマウントの表面 ４ 第１の半導体レーザチップ ４ａ 第１のレーザビーム ４１ 側面 ４２ 発光点 ５ 第２の半導体レーザチップ ５ａ 第２のレーザビーム ５１ 側面 ５２ 発光点 ６ 偏光ビームスプリッタ ６ａ 偏光分離面 ６ｂ レーザビームの入射点 ６１、６２ 側面 １１ 基板表面に形成した凹部 １１１、１１２ 凹部の側面 １１３ 凹部に形成した反射面 １１４ 凹部の底面 １３ 全反射ミラー部材
Claims (12)
- 【請求項１】 第１のレーザビームを出射する第１の半
導体レーザチップと、前記第１のレーザビームとは偏光
面が直交すると共に波長が異なる第２のレーザビームを
出射する第２の半導体レーザチップと、前記第１および
第２のレーザビームのうちの一方を透過させ他方を反射
する偏光ビームスプリッタと、前記第１および第２の半
導体レーザチップおよび前記偏光ビームスプリッタが取
り付けられた半導体基板とを有し、 前記偏光ビームスプリッタは、前記半導体基板の基板表
面に対して偏光分離面が垂直な状態で取り付けられ、前
記第１および第２の半導体レーザチップから出射された
前記第１および第２のレーザビームの主光軸は、前記偏
光ビームスプリッタの偏光分離面に直交する同一平面上
に位置し、当該偏光分離面上の一点で交差していること
を特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記偏光ビームスプ
リッタは四角柱形状をしたプリズム合成体からなり、当
該プリズム合成体の貼り合わせ面が前記偏光分離面とな
っており、当該プリズム合成体の直交する２つの側面に
対して、前記第１および前記第２の半導体レーザチップ
の前面がそれぞれ密着した状態となるように配置されて
いることを特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記偏光ビ
ームスプリッタは前記半導体基板の基板表面に載置さ
れ、前記第１および第２の半導体レーザチップは、前記
基板表面に設置したサブマウントの上面に載置されてい
ることを特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項４】 請求項３において、前記サブマウント
は、前記プリズム合成体の直交する２つの前記側面のそ
れぞれが密着した直交する２つの側面を備えていること
を特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項５】 請求項１または２において、前記偏光ビ
ームスプリッタは前記半導体基板の基板表面をエッチン
グすることにより形成した凹部の底面に載置され、前記
第１および第２の半導体レーザチップは、前記基板表面
に載置されていることを特徴とするレーザビーム出射装
置。 - 【請求項６】 請求項５において、前記凹部は、前記プ
リズム合成体の直交する２つの前記側面のそれぞれが密
着した直交する２つの側面を備えていることを特徴とす
るレーザビーム出射装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のうちの何れかの項にお
いて、更に、前記偏光ビームスプリッタから出射された
レーザビームの進行方向を変更するための導光素子を有
していることを特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項８】 請求項７において、前記導光素子は、前
記半導体基板に取り付けた反射鏡であることを特徴とす
るレーザビーム出射装置。 - 【請求項９】 請求項７において、前記導光手段は、前
記半導体基板の基板表面に形成した反射面であることを
特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のうちの何れかの項
において、前記第１の半導体レーザチップから前記偏光
分離面に到る光学的な光路長と前記第２の半導体レーザ
チップから前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に到
る光学的な光路長が等しいことを特徴とするレーザビー
ム出射装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０のうちの何れかの
項において、前記第１および第２の半導体レーザチップ
のうちの何れか一方は、ＴＭモードで発振する波長が６
３５ｎｍ帯域のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザであるこ
とを特徴とするレーザビーム出射装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のうちの何れかの
項において、前記第１および第２の半導体レーザチップ
のうちの何れか一方は、ＴＥモードで発振する波長が７
８０ｎｍ帯域のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザであること
を特徴とするレーザビーム出射装置。
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| JP8307796A JPH10149559A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | レーザビーム出射装置 |
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|---|---|---|---|
| JP8307796A JPH10149559A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | レーザビーム出射装置 |
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