JPH10146770A - Thin-bladed grinding wheel - Google Patents

Thin-bladed grinding wheel

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JPH10146770A
JPH10146770A JP8303314A JP30331496A JPH10146770A JP H10146770 A JPH10146770 A JP H10146770A JP 8303314 A JP8303314 A JP 8303314A JP 30331496 A JP30331496 A JP 30331496A JP H10146770 A JPH10146770 A JP H10146770A
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JP
Japan
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metal plating
grinding wheel
thin blade
thin
diamond
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JP8303314A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Takahashi
務 高橋
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce abrasion of a thin-bladed grinding wheel by excessive rubbing corrosion by providing an abrasive grain layer formed by dispersing super abrasive grains and diamond clusters in a metal plating phase. SOLUTION: A thin-bladed grinding wheel 1 is an electrocasting abrasive grain layer itself forming an annular ring plate shape, and is coaxially to a grinding wheel shaft 4 through a pair of flange parts and a nut 3, and is offered to cut a wafer or the like. The thin-bladed grinding wheel 1 is formed by dispersing super abrasive grains and diamond clusters in a metal plating phase having a constant thickness, and a grain diameter of the diamond clusters is not more than 100 angstrom. Even if chips generated by cutting are rubbed against an abrasive grain layer, the hard diamond clusters exposed to the metal plating phase receive impact by the chips, and that the chips shave off a natural oxide film of a metal plating layer surface can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の超
精密加工に使用される薄刃砥石に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin blade grindstone used for ultra-precision machining of semiconductor devices and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハからチップを切り出すダ
イシング工程には、従来より、刃厚が10μm〜100
μm程度の薄刃砥石が用いられている。また、フェライ
トやPZTの切断には、厚さが50μm〜1mm程度の
薄刃砥石が一般に用いられている。この種の薄刃砥石
は、平均粒径が0.5〜50μm程度のダイヤモンドや
CBN等の超砥粒を、Niめっき相中に分散してなる円
環板状の電鋳砥石であり、両側面を一対のフランジで挟
まれてスライシングやダイシングに供される。
2. Description of the Related Art A dicing process for cutting a chip from a semiconductor wafer has conventionally required a blade thickness of 10 μm to 100 μm.
A thin blade of about μm is used. Further, for cutting ferrite and PZT, a thin blade grindstone having a thickness of about 50 μm to 1 mm is generally used. This type of thin blade grindstone is an annular plate-shaped electroformed grindstone in which superabrasive grains such as diamond or CBN having an average particle diameter of about 0.5 to 50 μm are dispersed in a Ni plating phase. Is sandwiched between a pair of flanges and provided for slicing and dicing.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、超LSIチ
ップやCCD(電荷結合素子)チップのダイシングを行
う場合には、集積度の低いICチップのダイシングの場
合に比して、砥石寿命が著しく短くなる問題が従来より
指摘されている。このような際が生じる主原因は切断時
に使用される研削液にある。
However, when dicing ultra LSI chips or CCD (charge coupled device) chips, the life of the grindstone is significantly shorter than when dicing IC chips with a low degree of integration. The following problem has been pointed out. The main cause of such a case is the grinding fluid used for cutting.

【0004】すなわち、通常のICチップのダイシング
には研削液として超純水が使用されるのに対し、超LS
IやCCDチップのダイシングの場合には、薄刃砥石の
帯電および放電による素子破壊を防止するために、超純
水に炭酸ガスを溶解してpH5程度にした研削液が用い
られる。このため、研削液による腐食と被削材の摩擦と
の相互作用、すなわち擦過腐食により、砥石の金属めっ
き相が比較的大きな速度で摩耗し、砥石寿命の短縮を招
くのである。
That is, ultra-pure water is used as a grinding fluid for ordinary IC chip dicing, while ultra-LSL is used.
In the case of dicing I or a CCD chip, a grinding fluid prepared by dissolving carbon dioxide gas in ultrapure water to a pH of about 5 is used to prevent element destruction due to charging and discharging of the thin blade grindstone. For this reason, the interaction between the corrosion by the grinding fluid and the friction of the work material, that is, the abrasion corrosion, causes the metal plating phase of the grindstone to be worn at a relatively large speed, thereby shortening the life of the grindstone.

【0005】本発明者らは、擦過腐食のメカニズムを次
のように推測している。薄刃砥石のNiめっき相の表面
には薄いNi酸化膜が自然に形成されているが、ダイシ
ング中には切粉がNiめっき相の表面に接触し、酸化被
膜を傷つけて一部を除去する。その跡には活性の高いN
iが露出し、この高活性Niは徐々に酸素と反応して酸
化膜が復活する。この繰り返しにより薄刃砥石は摩耗し
ていくが、研削液のpHが低い場合には、高活性Niが
露出した際のNiの溶出が促進され、砥石摩耗速度が増
大するのである。
The present inventors presume the mechanism of fretting corrosion as follows. A thin Ni oxide film is naturally formed on the surface of the Ni-plated phase of the thin blade whetstone. However, during dicing, cutting chips come into contact with the surface of the Ni-plated phase and damage the oxide film to remove a part thereof. There is a high active N in the trace
i is exposed, and this highly active Ni gradually reacts with oxygen to restore the oxide film. The thin blade grindstone is worn by this repetition, but when the pH of the grinding fluid is low, the elution of Ni when the highly active Ni is exposed is accelerated, and the grindstone wear rate increases.

【0006】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、擦過腐食による薄刃砥石の摩耗を低減できる薄
刃砥石を提供することを課題としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a thin blade grindstone capable of reducing wear of the thin blade grindstone due to abrasion corrosion.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る薄刃砥石は、超砥粒およびダイヤモン
ドクラスターが金属めっき相中に分散されてなる砥粒層
を有することを特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, a thin blade grinding wheel according to the present invention is characterized in that it has an abrasive layer in which superabrasive grains and diamond clusters are dispersed in a metal plating phase. I do.

【0008】本発明に係る薄刃砥石によれば、金属めっ
き相の表面には無数の微細なダイヤモンドクラスターが
密に露出しているため、切断中に切粉が砥粒層に擦り付
けられたとしても、露出したダイヤモンドクラスターが
衝撃を受けとめ、切粉が金属めっき相表面の自然酸化膜
を削り取ることが制限できる。このため、pHの低い研
削液を使用した場合にも、自然酸化膜が削り取られた跡
から高活性Niが溶出することが少なく、砥粒層の摩耗
速度を抑えて砥石寿命を延長することが可能である。
[0008] According to the thin blade grinding wheel of the present invention, since countless fine diamond clusters are densely exposed on the surface of the metal plating phase, even if chips are rubbed against the abrasive grain layer during cutting. In addition, the exposed diamond clusters receive the impact, and the chips can limit the removal of the natural oxide film on the surface of the metal plating phase. For this reason, even when a grinding fluid having a low pH is used, highly active Ni is hardly eluted from the trace of the natural oxide film being scraped off, and the wear rate of the abrasive layer is suppressed to extend the life of the grinding wheel. It is possible.

【0009】また、ダイヤモンドクラスターの添加によ
り砥粒層の熱伝導率が高められるから、砥石からの研削
熱の排出性が向上し、砥石の加熱による切断精度の低下
等を防止できる。さらに、金属めっき相の表面に露出し
た球状のダイヤモンドクラスターにより被削材と金属め
っき相との摩擦抵抗を低減することができるから、研削
熱の発生量そのものも低減できる。
Further, since the thermal conductivity of the abrasive grain layer is increased by the addition of diamond clusters, the discharge of grinding heat from the grindstone is improved, and a decrease in cutting accuracy due to heating of the grindstone can be prevented. Further, since the frictional resistance between the work material and the metal plating phase can be reduced by the spherical diamond clusters exposed on the surface of the metal plating phase, the generation amount of grinding heat itself can be reduced.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る薄刃砥石の
第1実施形態を示す断面図である。この薄刃砥石1は、
円環板状をなす電鋳砥粒層そのものであり、一対のフラ
ンジ部およびナット3を介して砥石軸4に同軸に固定さ
れ、ウェーハ等の切断に供される。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a thin blade grindstone according to the present invention. This thin blade whetstone 1
The electroformed abrasive layer itself in the form of an annular plate is fixed coaxially to the grinding wheel shaft 4 via a pair of flange portions and nuts 3 and is used for cutting a wafer or the like.

【0011】薄刃砥石1は、超砥粒およびダイヤモンド
クラスターが一定厚さの金属めっき相中に分散されてな
るものであり、ダイヤモンドクラスターの粒径は、10
0オングストローム以下であることが好ましく、さらに
好ましくは20〜80オングストロームとされる。ダイ
ヤモンドクラスターの粒径が20オングストローム未満
であると、クラスターによる切粉の受け止め能力が相対
的に低下する。一方、100オングストロームを越える
と均一分散性が相対的に低下する。このようなダイヤモ
ンドクラスターは、気相成長法により製造され一般に市
販されているもので、気相成長法の特徴として一般に球
状をなしている。
The thin blade grindstone 1 has superabrasive grains and diamond clusters dispersed in a metal plating phase having a constant thickness.
It is preferably 0 Å or less, and more preferably 20 to 80 Å. If the particle size of the diamond cluster is less than 20 angstroms, the ability of the cluster to receive chips is relatively reduced. On the other hand, if it exceeds 100 angstroms, the uniform dispersibility is relatively reduced. Such a diamond cluster is manufactured by a vapor phase growth method and is generally commercially available, and generally has a spherical shape as a feature of the vapor phase growth method.

【0012】砥粒層中におけるダイヤモンドクラスター
の含有率は3〜30vol%であることが好ましく、さ
らに好ましくは5〜20%とされる。3vol%未満で
あると擦過腐食を低減する効果が得られず、30vol
%より多く金属めっき相中に分散させることは困難であ
る。ダイヤモンドクラスターの分散状態は砥粒層の全域
に亙って必ずしも均一でなくてもよく、砥粒層の両側面
で厚さ方向中央部よりもダイヤモンドクラスターの存在
密度が高い構成等も可能である。
The content of diamond clusters in the abrasive layer is preferably 3 to 30% by volume, more preferably 5 to 20%. If it is less than 3 vol%, the effect of reducing fretting corrosion cannot be obtained, and 30 vol.
% Is difficult to disperse in the metal plating phase. The dispersed state of the diamond cluster is not necessarily uniform over the entire area of the abrasive grain layer, and a configuration in which the density of the diamond cluster present on both sides of the abrasive grain layer is higher than that in the center in the thickness direction is also possible. .

【0013】金属めっき相の材質は、製造コストの点か
らNiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、
Ni−Co合金、Ni−P合金、B,Mo,W,Re等
を含有するNi合金などが例示できる。Coを1〜50
wt%添加したNi−Co合金を使用した場合には、金
属めっき相がより硬質化し、ダイヤモンドクラスターの
効果と相乗してさらに耐摩耗性を向上することができ
る。また、P,B,Mo,W,Reを添加したNi合金
を使用すれば金属めっき相の自己不動態化作用を高め
て、やはり耐食性を向上することができる。但し、必要
に応じてはこれら以外のNi合金を使用してもよいのは
勿論である。
The material of the metal plating phase is preferably Ni or a Ni alloy from the viewpoint of manufacturing cost. As Ni alloy,
Examples thereof include a Ni-Co alloy, a Ni-P alloy, and a Ni alloy containing B, Mo, W, Re, and the like. Co is 1 to 50
When a Ni-Co alloy with wt% added is used, the metal plating phase becomes harder, and the wear resistance can be further improved in synergy with the effect of the diamond cluster. Further, if a Ni alloy to which P, B, Mo, W, and Re are added is used, the self-passivation effect of the metal plating phase can be enhanced, and the corrosion resistance can be improved. However, it is a matter of course that other Ni alloys may be used if necessary.

【0014】薄刃砥石の肉厚は、一般的なダイシング用
としては0.01〜0.1mmとされ、スライシング用
としては0.05〜1mmとされるが、この範囲に限定
されるものではない。超砥粒の平均粒径は、ダイシング
用には0.5〜10μmが好適であり、スライシング用
としては5〜50μmが好適であるが、この範囲にのみ
限定されるものではなく、必要に応じて変更してよい。
また、本発明は腐食性の高い環境下において湿式切断を
行う用途にはいずれも効果を発揮するから、ダイシング
用以外の切断砥石として使用することも可能である。
The thickness of the thin blade grindstone is 0.01 to 0.1 mm for general dicing and 0.05 to 1 mm for slicing, but is not limited to this range. . The average particle size of the superabrasive grains is preferably 0.5 to 10 μm for dicing and 5 to 50 μm for slicing, but is not limited to this range, and may be as required. May be changed.
In addition, the present invention is effective for any application in which wet cutting is performed in a highly corrosive environment, and thus can be used as a cutting grindstone other than for dicing.

【0015】なお、砥粒層には、さらに超微細シリカ粒
子が1〜20vol%分散されていてもよい。なお、超
微細シリカやダイヤモンドクラスターはボンドマトリッ
クスの一部と見なし、これらの含有率は、ボンドマトリ
ックス中の含有率を言うものとする。超微細シリカ粒子
とは、粒径が100〜1000オングストローム程度の
SiO2 粒子であり、さらに好ましくは100〜500
オングストロームのコロイダルシリカが使用可能であ
る。
The abrasive layer may further contain ultra-fine silica particles in an amount of 1 to 20 vol%. It should be noted that ultrafine silica and diamond clusters are regarded as a part of the bond matrix, and their content means the content in the bond matrix. The ultrafine silica particles are SiO 2 particles having a particle size of about 100 to 1000 Å, more preferably 100 to 500 Å.
Angstrom colloidal silica can be used.

【0016】このような超微細シリカ粒子を砥粒層に分
散した場合、砥粒層中の電析時の応力発生を緩和するこ
とができ、薄刃砥石の反りを防止できるだけでなく、金
属めっき相に露出したダイヤモンドクラスターより一回
り大きい超微細シリカ粒子が研削屑の衝撃をまず受け止
め、次にダイヤモンドクラスターが衝撃を受け止めるこ
とになる。このように衝撃を2重に緩和するので、金属
結合相の直接的なダメージを防ぐことができ、薄刃砥石
の寿命を大幅に延ばすことが可能である。また、ダイヤ
モンドクラスターや超微細シリカを金属マトリックス中
に分散したことにより、ボンドマトリックスの剛性が向
上するから、薄刃砥石の切断の直進性が改善される。
When such ultra-fine silica particles are dispersed in the abrasive layer, stress generation during electrodeposition in the abrasive layer can be reduced, not only can the warpage of the thin blade grinding wheel be prevented, but also the metal plating phase can be prevented. Ultra-fine silica particles that are one size larger than the diamond cluster exposed to the ground first receive the impact of the grinding dust, and then the diamond cluster receives the impact. As described above, since the impact is reduced twice, direct damage of the metal binding phase can be prevented, and the life of the thin blade can be greatly extended. In addition, since diamond clusters and ultrafine silica are dispersed in the metal matrix, the rigidity of the bond matrix is improved, and the straightness of cutting of the thin blade is improved.

【0017】この実施形態の薄刃砥石を製造するには、
例えば以下のような方法が可能である。始めに、めっき
槽に満たしためっき液中に金属基板を浸漬し、超砥粒お
よびダイヤモンドクラスターをめっき液に添加し、めっ
き液を攪拌して粒子を分散しつつ、または攪拌して粒子
を分散した後均一に金属基板上に沈降させたうえ、金属
基板を電源陰極に、めっき液中に浸漬した陽極を電源陽
極に接続する。これにより、金属基板上に金属めっき相
を析出させつつ、この金属めっき相中に超砥粒およびダ
イヤモンドクラスターを取り込ませていき、金属めっき
相が一定厚さに達したときに通電を停止して、金属基板
から砥粒層を剥離させる。そして砥粒層にドレッシング
を施し、薄刃砥石を得る。
In order to manufacture the thin blade whetstone of this embodiment,
For example, the following method is possible. First, immerse the metal substrate in the plating solution filled in the plating tank, add superabrasive grains and diamond clusters to the plating solution, and stir the plating solution to disperse the particles, or stir to disperse the particles. After that, the metal substrate is uniformly settled on the metal substrate, and the metal substrate is connected to the power supply cathode, and the anode immersed in the plating solution is connected to the power supply anode. Thereby, while precipitating the metal plating phase on the metal substrate, the super-abrasive grains and diamond clusters are taken into the metal plating phase, and when the metal plating phase reaches a certain thickness, the energization is stopped. Then, the abrasive layer is peeled from the metal substrate. Then, the abrasive layer is dressed to obtain a thin blade whetstone.

【0018】上記構成からなる薄刃砥石によれば、金属
めっき相の表面に無数の微細なダイヤモンドクラスター
が露出しているため、切断によって生じた切粉が砥粒層
に擦り付けられたとしても、金属めっき相に露出してい
る硬質のダイヤモンドクラスターが切粉による衝撃を受
けとめ、切粉が金属めっき相表面の自然酸化膜を削り取
ることが低減される。このため、pHの低い研削液を使
用した場合にも、自然酸化膜が削り取られた跡から高活
性Niが溶出することが少なく、砥粒層の摩耗速度を抑
えて砥石寿命を延長することが可能である。
According to the thin blade whetstone having the above-described configuration, since numerous fine diamond clusters are exposed on the surface of the metal plating phase, even if the cutting powder generated by cutting is rubbed against the abrasive grain layer, the metal is not removed. The hard diamond clusters exposed to the plating phase receive the impact of the chips, and the chips are less likely to scrape off the natural oxide film on the surface of the metal plating phase. For this reason, even when a grinding fluid having a low pH is used, highly active Ni is hardly eluted from the trace of the natural oxide film being scraped off, and the wear rate of the abrasive layer is suppressed to extend the life of the grinding wheel. It is possible.

【0019】また、切粉が金属めっき相表面に露出する
ダイヤモンドクラスターに接触すると、ダイヤモンドク
ラスターは極めて微細かつ球状であるから、極めて大き
な接触圧力を発生し、一部のダイヤモンドクラスターが
回転する。この回転作用のため、切粉の接触衝撃を逃す
ことができ、切粉が金属めっき相表面の自然酸化膜を削
り取ることが一層低減できる。
When the cuttings come into contact with the diamond clusters exposed on the surface of the metal plating phase, the diamond clusters are extremely fine and spherical, so that an extremely large contact pressure is generated and some diamond clusters rotate. Due to this rotating action, the contact impact of the chips can be released, and it is possible to further reduce the chips from shaving off the natural oxide film on the surface of the metal plating phase.

【0020】また、ダイヤモンドクラスターの添加によ
り薄刃砥石の熱伝導率が高められるから、研削熱が速や
かに砥石から研削液に排出され、砥石の加熱による切断
精度の低下等を防止できる。そればかりか、金属めっき
相の表面に露出した球状のダイヤモンドクラスターの回
転により被削材と金属めっき相との摩擦抵抗を低減する
こともできるから、研削熱の発生量そのものも低減でき
る。したがって、被削材への焼き付きを防止する効果も
得られる。
Further, since the thermal conductivity of the thin blade grindstone is increased by the addition of the diamond cluster, the grinding heat is quickly discharged from the grindstone to the grinding fluid, and a decrease in cutting accuracy due to heating of the grindstone can be prevented. In addition, since the frictional resistance between the work material and the metal plating phase can be reduced by the rotation of the spherical diamond cluster exposed on the surface of the metal plating phase, the generation amount of grinding heat itself can be reduced. Therefore, the effect of preventing seizure on the work material can be obtained.

【0021】さらにダイヤモンドクラスターは、前記金
属めっき相を析出させる際に、結晶核の発生を促進する
作用も奏する。このため、電析時には、金属基板上に生
じた無数の結晶核から析出が起きることにより、ダイヤ
モンドクラスターを添加しない場合に比して、金属めっ
き相の均質度を高め、金属めっき相中の内部応力を低下
することができ、薄刃砥石の欠陥や歪みの発生を抑える
ことが可能である。
Further, the diamond cluster has an effect of promoting the generation of crystal nuclei when depositing the metal plating phase. For this reason, at the time of electrodeposition, precipitation occurs from countless crystal nuclei generated on the metal substrate, so that the homogeneity of the metal plating phase is increased and the internal The stress can be reduced, and the occurrence of defects and distortion of the thin blade can be suppressed.

【0022】なお、本発明の薄刃砥石としては、図1に
示すような電鋳砥粒層のみからなるものだけでなく、図
2に示すように、金属製のハブ11に円環板状の電鋳砥
粒層12を同軸に接合した、いわゆるハブ付き薄刃砥石
としてもよい。
The thin blade grindstone of the present invention is not limited to the one made of only the electroformed abrasive grain layer as shown in FIG. A so-called hub-equipped thin blade grindstone in which the electroformed abrasive grain layer 12 is coaxially joined may be used.

【0023】[0023]

【実施例】次に、実施例を挙げて本発明の効果を実証す
る。めっき槽に満たしためっき液中に、円環状部分を残
してマスキングを施したステンレス基板を水平に浸漬
し、表1記載の量の超砥粒、ダイヤモンドクラスター、
および超微細シリカ粒子をめっき液に添加した。次い
で、めっき液を攪拌して各粒子を均一分散しつつ、金属
基板を電源陰極に、めっき液中に浸漬した陽極を電源陽
極に接続し、金属基板上に金属めっき相を析出させなが
ら、この金属めっき相中に各粒子を取り込ませていき、
金属めっき相が所定の厚さに達したときに通電を停止し
た。さらに、金属基板から砥粒層を剥離させて、比較例
および実施例1,2の薄刃砥石を得た。砥石の共通寸法
は以下の通りである。
Next, the effects of the present invention will be demonstrated with reference to examples. The masked stainless steel substrate was horizontally immersed in the plating solution filled in the plating tank except for the annular portion, and the amount of superabrasives, diamond clusters,
And ultrafine silica particles were added to the plating solution. Next, the metal substrate was connected to the power supply cathode, the anode immersed in the plating solution was connected to the power supply anode, and the metal plating phase was deposited on the metal substrate while stirring the plating solution to uniformly disperse each particle. Incorporate each particle into the metal plating phase,
The energization was stopped when the metal plating phase reached a predetermined thickness. Further, the abrasive layer was peeled off from the metal substrate to obtain thin blades of Comparative Example and Examples 1 and 2. The common dimensions of the whetstone are as follows.

【0024】[各薄刃砥石の共通寸法等] 外径:55.9mm 内径:19.05mm 厚さ:0.03mm 砥粒平均粒径:5μm 金属めっき相:Ni 砥粒含有量:20vol% ダイヤモンドクラスターの平均粒径:50オングストロ
ーム 超微細シリカの平均粒径:300オングストローム
[Common Dimensions of Each Thin Blade Whetstone] Outer Diameter: 55.9 mm Inner Diameter: 19.05 mm Thickness: 0.03 mm Average Abrasive Grain Size: 5 μm Metal Plating Phase: Ni Abrasive Grain Content: 20 vol% Diamond Cluster Average particle size of 50 Angstroms Average particle size of ultrafine silica: 300 Angstroms

【0025】得られた各薄刃砥石により、以下の条件で
直径6インチのシリコンウェーハのダイシング試験を行
った。結果を表1に示す。 [ダイシング条件] 砥石回転数:30000rpm 切り込み量:0.3mm ダイシング方法:ダウンカット 研削液:純水(二酸化炭素ガスでpH5に調節) 切断ライン数:10000回
A dicing test was performed on a silicon wafer having a diameter of 6 inches under the following conditions using each of the obtained thin blades. Table 1 shows the results. [Dicing conditions] Wheel rotation speed: 30,000 rpm Cutting depth: 0.3 mm Dicing method: Down cut Grinding fluid: Pure water (adjusted to pH 5 with carbon dioxide gas) Number of cutting lines: 10,000

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】表1に示すように、実施例1、2の薄刃砥
石では、比較例の薄刃砥石に比して擦過腐食による摩耗
が低減できた。
As shown in Table 1, the thin blade grindstones of Examples 1 and 2 were able to reduce abrasion due to abrasion corrosion as compared with the thin blade grindstones of Comparative Examples.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明に係る薄刃砥石によれば、金属め
っき相の表面は無数の微細なダイヤモンドクラスターで
隙間なく覆われているため、切断によって生じた切粉が
砥粒層に擦り付けられたとしても、金属めっき相に露出
しているダイヤモンドクラスターに阻まれ、切粉が金属
めっき相表面の自然酸化膜を削り取ることが低減でき
る。このため、pHの低い研削液を使用した場合にも、
自然酸化膜が削り取られた跡から高活性Niが溶出する
ことが少なく、砥粒層の摩耗速度を抑えて砥石寿命を延
長することが可能である。
According to the thin blade grinding wheel of the present invention, since the surface of the metal plating phase is covered with countless fine diamond clusters without gaps, chips generated by cutting are rubbed against the abrasive grain layer. Also, it is possible to reduce the possibility that the chips are hindered by the diamond clusters exposed in the metal plating phase and the chips remove the natural oxide film on the surface of the metal plating phase. For this reason, even when a low pH grinding fluid is used,
Highly active Ni is hardly eluted from the trace of the natural oxide film being removed, and the wear rate of the abrasive layer can be suppressed to extend the life of the grinding wheel.

【0029】また、ダイヤモンドクラスターの添加によ
り砥粒層の熱伝導率が高められるから、速やかに研削熱
が砥石から排出され、砥石の加熱による切断精度の低下
等を防止できる。さらに、金属めっき相の表面に露出し
た球状のダイヤモンドクラスターにより被削材と金属め
っき相との摩擦抵抗を低減することができるから、研削
熱の発生量そのものも低減することが可能である。
Further, since the thermal conductivity of the abrasive layer is increased by the addition of the diamond cluster, the grinding heat is quickly discharged from the grindstone, and a decrease in cutting accuracy due to the heating of the grindstone can be prevented. Further, since the frictional resistance between the work material and the metal plating phase can be reduced by the spherical diamond clusters exposed on the surface of the metal plating phase, the amount of grinding heat generated itself can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る薄刃砥石の一実施例を示す断面
図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a thin blade grindstone according to the present invention.

【図2】 本発明に係る薄刃砥石の他の実施例を示す断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the thin blade grinding wheel according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,10 薄刃砥石 11 砥粒層 12 ハブ 1,10 Thin blade whetstone 11 Abrasive layer 12 Hub

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 超砥粒およびダイヤモンドクラスターが
金属めっき相中に分散されてなる円環板状の砥粒層を有
することを特徴とする薄刃砥石。
1. A thin blade whetstone having an annular plate-shaped abrasive layer in which superabrasive grains and diamond clusters are dispersed in a metal plating phase.
【請求項2】 前記ダイヤモンドクラスターの粒径は、
100オングストローム以下であることを特徴とする請
求項1記載の薄刃砥石。
2. The particle size of the diamond cluster is:
2. The thin blade grinding wheel according to claim 1, wherein the thickness is 100 angstrom or less.
【請求項3】 前記砥粒層中における前記ダイヤモンド
クラスターの含有率は3〜30vol%であることを特
徴とする請求項1または2記載の薄刃砥石。
3. The thin blade grinding wheel according to claim 1, wherein the content of the diamond cluster in the abrasive layer is 3 to 30 vol%.
【請求項4】 前記ダイヤモンドクラスターは球状であ
ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄
刃砥石。
4. The thin blade grinding wheel according to claim 1, wherein said diamond cluster is spherical.
【請求項5】 前記砥粒層の肉厚は0.01〜1mmで
あり、前記超砥粒の平均粒径は0.5〜50μmである
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の薄刃
砥石。
5. The abrasive grain layer according to claim 1, wherein the thickness of the abrasive grain layer is 0.01 to 1 mm, and the average grain diameter of the superabrasive grains is 0.5 to 50 μm. Thin blade whetstone described in 1.
【請求項6】 前記砥粒層には、さらに超微細シリカ粒
子が1〜20vol%分散されていることを特徴とする
請求項1〜5のいずれかに記載の薄刃砥石。
6. The thin blade whetstone according to claim 1, wherein ultrafine silica particles are further dispersed in the abrasive layer by 1 to 20 vol%.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7201972B2 (en) * 2002-06-13 2007-04-10 Tadamasa Fujimura Metal thin film dispersing a super-fine diamond particle, a metal material having the metal thin film, and a method for preparing the same
JP2021126729A (en) * 2020-02-13 2021-09-02 株式会社ダイセル Cutting blade

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