JP3969047B2 - CMP conditioner and method of manufacturing the same - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等の被研磨材の表面をCMP装置によって研磨する際に用いられる研磨用のパッドをコンディショニングするため等に用いられる電着砥石に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンインゴットから切り出した半導体ウェーハ(以下、単にウェーハという)の表面を化学的且つ機械的に研磨するCMP装置(ケミカルメカニカルポリッシングマシン)の一例として、図8に示すような装置がある。このCMP装置1は、図8に示すように中心軸2に取り付けられた円板状の回転テーブル3上に例えば硬質ウレタンからなるポリッシング用のパッド4が設けられ、このパッド4に対向して且つパッド4の中心軸2から偏心した位置に自転可能なウェーハキャリア5が配設されている。このウェーハキャリア5はパッド4よりも小径の円板形状とされてウェーハ6を保持するものであり、このウェーハ6がウェーハキャリア5とパッド4間に配置されてパッド4側の表面の研磨に供され鏡面仕上げされる。
【0003】
CMPによる研磨のメカニズムは、微粒子シリカ等によるメカニカルな要素(遊離砥粒)とアルカリ液や酸性液等によるエッチング要素とを複合したメカノ・ケミカル研磨法に基づいている。研磨に際して、例えば上述した微粒子シリカ等からなる遊離砥粒が研磨剤として用いられ、さらにエッチング用のアルカリ液等が混合されたものが液状のスラリSとしてパッド4上に供給されているため、このスラリSがウェーハキャリア5に保持されたウェーハ6とパッド4との間に流動して、パッド4でウェーハ6の一面が研磨される。
ウェーハ6の研磨を行う硬質ウレタン製などのパッド4上にはスラリSを保持する微細な発泡層が多数設けられており、これらの発泡層内に保持されたスラリSでウェーハ6の研磨が行われる。ところが、ウェーハ6の研磨を繰り返すことでパッド4の研磨面の平坦度が低下したり目詰まりを起こしたりするためにウェーハ6の研磨精度と研磨効率が低下するという問題が生じる。
【0004】
そのため、従来からCMP装置1には図8に示すようにパッドコンディショナ8が設けられ、パッド4の表面を定期的に再研磨または再研削(コンディショニング)するようになっている。このパッドコンディショナ8は、回転テーブル3の外部に設けられた回転軸9にアーム10を介してCMPコンディショナ11として電着コンディショナが取り付けられている。
そしてウェーハキャリア5でウェーハ6を研磨しながら或いはウェーハ6の研磨を停止した状態で、CMPコンディショナ11でパッド4を研削してパッド4の平坦度を回復または維持し、パッド4の発泡層の目詰まりを解消するようになっている。このCMPコンディショナ11は、通常、ダイヤモンド等の超砥粒をNiまたはNi基合金等で電気めっきによって固着した砥粒層を台金(砥石基体)に形成した構成になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ウェーハ6に設けられたタングステン材その他の金属材料の研磨に用いられるスラリ(例えばキャボット社製W−2000等)には、硝酸に加えて、金属材料のエッチングのために過酸化水素が2%から6%程度含まれている。過酸化水素は酸化力が強いために、パッド4のコンディショニングを繰り返すうちに、CMPコンディショナ11の台金や、砥粒層において超砥粒を台金に固着させている金属結合相を酸化させ、スラリに含まれる硝酸で腐食させてしまう。
また、台金及び金属結合相がそれぞれスラリによって直接腐食されなくても、台金を構成する材料と金属結合相を構成する材料とでイオン化傾向に差がある場合には、台金及び金属結合相がスラリに接触することでこれらの間に電池効果が生じて台金または金属結合相を構成する材料がスラリ中に溶け出してしまう。
このように台金や金属結合相が腐食されると、パッド4上に超砥粒が落ち、このパッド4を用いて研磨されるウェーハに大きなスクラッチを生じさせてしまうので、ウェーハに不良を生じさせる要因となる。
【0006】
一方、台金の表面及び台金上に形成される砥粒層の上に耐食性を有する金属からなる金属めっき層を形成し、この金属めっき層によってスラリから台金及び砥粒層を保護するようにしたCMPコンディショナもある。しかし、超砥粒は絶縁体であってめっきが付着しないので、超砥粒と金属結合相との間、及び超砥粒と金属めっき層との間には微細な隙間が形成されてしまう。このため、この隙間内で台金や金属結合相がスラリに接触して腐食されてしまうので、スラリから台金や金属結合相を保護することは困難であった。
また、台金の表面及び台金上に形成される砥粒層の上、もしくは金属めっき層の上に合成樹脂からなる保護被膜を形成し、この保護被膜によってスラリから台金及び砥粒層を保護するようにしたCMPコンディショナもあるが、合成樹脂からなる保護被膜はビッカース硬度で50〜150と柔らかすぎるため摩擦に弱く、使用を繰り返すことですぐにすり減ってしまうので、CMPコンディショナの寿命が短かった。
【0007】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、耐食性及び耐磨耗性を高めてスラリによる腐食を生じにくくしたCMPコンディショナを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるCMPコンディショナは、砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相中に固着されてなる砥粒層が形成されており、少なくとも砥粒層の表面には、Auからなる下地めっき層が形成され、下地めっき層の上に、RhまたはPtからなる耐食めっき層が形成されていることを特徴としている。
【0009】
このように構成されるCMPコンディショナにおいては、砥石基体の表面に形成される砥粒層の上に、Au(金)からなる下地めっき層が形成される。Auはそれ自体が耐食性を有しており、このAuからなる下地めっき層によって、砥粒層を構成する金属結合相がスラリから保護される。
Auめっきは、いわゆるつきまわりがよく、Rhめっきを含む他の金属めっきに比べてより微細な隙間内までめっき液を回り込ませることができるので、砥粒層において超砥粒と金属結合相との間に形成される微細な隙間内にも耐食性を有する下地めっき層が形成され、この隙間内でも金属結合相が下地めっき層によって覆われるか、または下地めっき層によって隙間が埋められる。
ここで、下地めっき層の厚みが0.05μmよりも薄いと、超砥粒と金属結合相との間の隙間内への下地めっき層の回り込みが不足しやすくなって金属結合層の保護が不十分となってしまう。一方、下地めっき層の厚みが5μmよりも厚いと、高価なAuの使用量が多くなりすぎてCMPコンディショナの製造コストが高くなってしまう。このため、下地めっき層の厚みは0.05μm以上5μm以下とすることが好ましい。
【0010】
上記のAuからなる下地めっき層は、耐食性は有するもののビッカース硬度で100程度と硬度が低く、それだけでは十分な耐磨耗性を確保することはできない。本発明にかかるCMPコンディショナでは、下地めっき層の上にさらにPtまたはRhからなる硬質の耐食めっき層を形成して砥粒層の金属結合相を保護している。ここで、耐食めっき層は、複数層重ねて形成してもよい。
Rhからなる耐食めっき層はビッカース硬度で800〜1000、Ptからなる耐食めっき層はビッカース硬度で300〜400と、いずれもAuからなる下地めっき層に比べて硬度が十分高く、十分な耐磨耗性を有している。
RhまたはPtからなる耐食めっき層は、Rh、Pt自体が耐食性を有している。さらに、Rhからなる耐食めっき層は、表面が酸化されるとRh23となって不動態被膜を形成して安定し、それ以上の酸化が防止されるので、十分な耐食性が確保される。
また、電解めっきによって形成されるめっき層にはピンホールが生じやすいので、CMPコンディショナを単層のめっき層のみによって保護する場合、例えばAuめっきでは、めっき層の厚みを5μm以上にする必要がある。これに対し、本発明にかかるCMPコンディショナでは、下地めっき層の上にさらに耐食めっき層を形成しているので、これらめっき層に形成されるピンホールを埋めることができ、耐食性を確保しつつ、下地めっき層と耐食めっき層を合わせた厚みを、2μm〜6μmと薄くすることができる。
【0011】
ここで、Rhからなる耐食めっき層の厚みが0.5μmよりも薄いと、耐食めっき層が薄すぎて十分な耐磨耗性を確保することができない。また、Rhめっきは、めっきの電流効率が35%程度と低く(Auめっきの電流効率は97%程度、またNiめっきの電流効率は95%程度)、めっきの際に電流がめっき液中での水素ガスの発生に消費されて無電解めっきに近い条件でめっきが行われる傾向にあるので、Rhからなる耐食めっき層の厚みを3μmよりも厚くすると、超砥粒の上にも無電解めっきによるRhめっき層が形成されてしまうこととなる。超砥粒上に形成されたRhめっき層ははがれて脱落しやすいので、このように超砥粒の上にRhめっき層が形成されてしまうと、パッドのコンディショニングの際にパッド上に脱落してこのパッドを用いて研磨されるウェーハにスクラッチを生じさせてしまう恐れがある。このため、Rhからなる耐食めっき層の厚みは0.5μm以上3μm以下とすることが好ましい。
また、Ptからなる耐食めっき層の厚みが0.5μmよりも薄いと、耐食めっき層が薄すぎて十分な耐磨耗性を確保することができない。一方、PtめっきはRhめっきと同様にめっきの電流効率が低く(50%程度)、無電解めっきに近い条件でめっきが行われる傾向にあるので、Ptからなる耐食めっき層の厚みを5μmよりも厚くすると、超砥粒の上にも無電解めっきによるPtめっき層が形成されてしまうこととなり、このPtめっき層の剥離が問題となる。このため、Rhからなる耐食めっき層の厚みは0.5μm以上5μm以下とすることが好ましい。
【0012】
なお、下地めっき層を構成するAuと耐食めっき層を構成するRh、Ptとはイオン化傾向がほぼ等しく、下地めっき層と耐食めっき層とがスラリと接触してもこれらの間ではほとんど電池効果が生じないので、下地めっき層によって超砥粒との間の隙間内の部分も含めた金属結合相の全表面が保護されていれば、耐食めっき層は必ずしも下地めっき層の全表面を覆っていなくてもよい。
ここで、砥石基体自体が耐食性を有していない場合、もしくは砥石基体が耐食めっき層または下地めっき層との間で電池効果を生じる場合には、砥石基体において砥粒層が形成されていない部分の表面にもAu、Rh、Ptやその他の耐食性を有する金属からなる金属めっき層、もしくは耐食性を有する合成樹脂からなる合成樹脂層を形成することで、砥石基体をスラリから保護する。
また、砥石基体の一面においてその一部にのみ砥粒層を形成した場合、砥粒層は砥石基体の一面において相対的に凸部をなし、砥石基体の一面のうち砥粒層が形成される部分を除く他の部分は、凸部をなす砥粒層に対して相対的に凹部をなすこととなる。
【0013】
ここで、耐食めっき層として、下地めっき層上に形成されるPtめっき層と、Ptめっき層上に形成されるRhめっき層とを形成してもよい。
耐食めっき層をPtめっき層単層で形成した場合には、耐磨耗性を確保するためにめっき層を厚く形成する必要がある。これに対し、耐食めっき層として、下地めっき層上にPtめっき層を形成し、その上により硬度の高いRhめっき層を形成することで、耐食めっき層をPtめっき層単層で構成した場合に比べて、耐食めっき層の厚みを薄くしつつ、耐磨耗性を向上させることができる。
【0014】
また、本発明にかかるCMPコンディショナは、砥石基体を、一面にこの一面から***する複数のマウンド部を有する構成とし、このマウンド部上に砥粒層を形成し、一面において砥粒層の表面を除く他の部分には、耐食性を有する合成樹脂からなる合成樹脂層が形成されていてもよい。
【0015】
このように構成されるCMPコンディショナにおいては、砥粒層は砥石基体の一面から***するマウンド部上に形成されており、砥粒層の表面は下地めっき層及び耐食めっき層によって覆われていて、スラリから保護されている。そして、砥石基体の一面において砥粒層の表面を除く他の部分には、耐食性を有する合成樹脂層が形成されていてスラリから保護されている。
砥粒層はマウンド部上に形成されていて砥石基体の一面において他の部分よりも突出する凸部をなしているので、パッドの研削時には砥粒層のみがパッドに当接されることとなってべた当りせず、砥粒層に研削圧力を集中させることができ、切れ味が向上する。
また、砥石基体の一面のうち砥粒層以外の他の部分は、砥粒層がなす凸部に対して凹部をなすので、パッドの研削時にもパッドに当接しにくい。このため、この部分を覆う合成樹脂層は磨耗しにくく、耐食めっき層よりも硬度が低く磨耗に弱い合成樹脂層によっても十分にスラリから保護することができる。
ここで、この合成樹脂層の厚みは、砥石基体の一面のうちマウンド部が形成されていない部分(底面)から砥粒層の表面までの高さよりも薄くされており、これによってCMPコンディショナの表面に前記の凹凸が形成されるようにしている。
【0016】
ところで、スラリに含まれる過酸化水素などは分子のサイズが小さく、また合成樹脂層は金属のめっき層よりも分子構造中に形成される間隙が大きいので、合成樹脂層自体が耐食性を有していても、長時間スラリに接触させるとスラリの成分が合成樹脂層の分子構造の間隙を通過して砥石基体まで達し、砥石基体を腐食させてしまうことがある。そこで、合成樹脂層は、例えばふっ素系樹脂によって構成することが好ましい。ふっ素系樹脂はぬれ性が低く、過酸化水素などの分子のサイズの小さい成分もはじくので、スラリの成分から砥石基体を保護することができる。
また、従来のCMPコンディショナでは、砥粒層間にはパッドの削り屑やスラリが付着しやすく、パッドの研削を続けるにつれて、砥粒層間に付着したパッドの削り屑が塊となったものや、砥粒層間に付着している間に経時変化等によって変質したスラリがCMPコンディショナからパッド上に脱落し、このパッドを用いて研磨するウェーハにスクラッチを生じさせる要因となっていた。本発明にかかるCMPコンディショナでは、上記のように砥石基体の一面において砥粒層の表面を除く他の部分を上記のふっ素系樹脂からなる合成樹脂層で覆っている。ふっ素系樹脂は、表面特性として撥水撥油性、非粘着性、高いすべり特性を有しているので、本発明にかかるCMPコンディショナにおいては、砥粒層間にスラリやパッドの削り屑などが付着しにくくなり、上記の不都合が生じにくくなる。
ここで、ふっ素系樹脂としては、例えばフルオロエポキシ化合物とアミノシリコーンとの組み合わせによる常温硬化型ふっ素塗料用組成物や、フルオロオレフィンレジンをベースとする溶剤可溶型熱硬化性塗料用ふっ素レジン、ポリテトラルフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)等が用いられる。
【0017】
本発明にかかるCMPコンディショナの製造方法においては、砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相によって固着されてなる砥粒層を形成し、少なくとも砥粒層の表面にAuからなる下地めっき層を形成し、該下地めっき層の上にRhまたはPtからなる耐食めっき層を単層または複数層形成することを特徴としている。
このCMPコンディショナの製造方法においては、砥石基体の一面に砥粒層を形成し、少なくともこの砥粒層の表面にAuからなる下地めっき層を形成している。Auめっきはつきまわりがよいので、砥粒層において超砥粒と金属結合相との間に形成される隙間内でも金属結合相が下地めっき層によって覆われるか、または下地めっき層によって隙間が埋められる。
さらに、本発明のCMPコンディショナの製造方法では、この下地めっき層の上にRhまたはPtからなる耐食めっき層を形成するので、砥粒層の表面が、高硬度で磨耗に強い耐食めっき層によって覆われることとなる。また、このようにCMPコンディショナを複数層のめっき層で保護することで、めっき層に形成されるピンホールを埋めてより耐食性を向上させることができる。
【0018】
本発明にかかるCMPコンディショナの製造方法においては、一面にこの一面から***する複数のマウンド部が設けられた砥石基体の一面に、耐食性を有する非導電性の合成樹脂からなる合成樹脂層を形成し、合成樹脂層のうち、マウンド部上に形成される部分のみを除去し、残りの合成樹脂層をマスクとして、めっきによってマウンド部の上部に金属結合相を形成して、金属結合相によって超砥粒が固着されてなる砥粒層を形成し、合成樹脂層をマスクとして、砥粒層の上面にAuからなる下地めっき層を形成し、合成樹脂層をマスクとして、下地めっき層の上にRhまたはPtからなる耐食めっき層を単層または複数層形成することを特徴としている。
【0019】
このCMPコンディショナの製造方法においては、マウンド部が設けられた砥石基体の表面に、耐食性を有する非導電性の合成樹脂からなる合成樹脂層を形成し、この合成樹脂層のうち、マウンド上に形成される部分のみを除去して、残りの合成樹脂層をマスクとしてめっきによってマウンド部の上部に金属結合相を形成してこの金属結合相によって超砥粒が固着されてなる砥粒層を形成する。
同様に、残りの合成樹脂層をマスクとして、砥粒層の表面に下地めっき層を形成し、さらに下地めっき層の上に耐食めっき層を形成する。
マウンド部は砥石基体の表面から***しているので、砥石基体に合成樹脂層を形成した後に研削加工等によってマウンド部の上面に形成された合成樹脂層のみを容易に除去することができ、残りの合成樹脂層を以降のめっき処理のマスクとして利用することができる。
そして、このように合成樹脂層がマスクとなるので、以降は改めてマスクの形成及び除去を行うことなく、マウンド部の上部に順次砥粒層、下地めっき層及び耐食めっき層を形成することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
〔第一の実施の形態〕
以下、本発明の第一の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本実施の形態にかかるCMPコンディショナの部分縦断面図、図2は図1の拡大図である。
図1に示す本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20は、電着砥石(電着ホイール)で構成されており、例えばステンレス鋼からなる円板形状の台金21(砥石基体)の略円形をなす一面21a上に、NiもしくはNi合金等からなる金属結合相22によって例えばダイヤモンド砥粒等の多数の超砥粒23…が固着されて砥粒層24を形成している。
CMPコンディショナ20は、超砥粒23が一層のみ形成されて金属結合相22によって固着された単層砥石である。
ここで、台金21の一面21a上には、一面21aから***したマウンド部26が形成されており、砥粒層24は、このマウンド部26上に形成されている。これにより、砥粒層24は台金21の一面21aにおいて相対的に凸部をなし、台金21の一面21aのうち砥粒層24が形成される部分を除く他の部分は、凸部をなす砥粒層24に対して相対的に凹部をなすこととなる。
【0021】
そして、台金21の一面21aは、砥粒層24の表面も含めて、Auからなる下地めっき層27が形成されており、さらに、下地めっき層27の上には、Rhからなる耐食めっき層28が形成されている。
ここで、本実施の形態では、下地めっき層27を24金によって構成している。
なお、この下地めっき層27の硬度はビッカース硬度で100程度であり、耐食めっき層28の硬度はビッカース硬度で800程度である。
【0022】
本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20は上述のように構成されており、次にCMPコンディショナ20の製造方法について説明する。
例えばSUS304等からなる円板形状の台金21の一面21aのうち、マウンド部26をなす部分をマスクによって覆った状態でエッチングを施し、マウンド部26をなす部分以外の他の部分を除去することで、台金21の一面21aにマウンド部26を形成する。
ここで、上記のエッチングによる方法に代えて、型成形その他の方法で台金21の一面21a上にマウンド部26を形成してもよい。
【0023】
そして、マウンド部26を覆うマスクを除去するとともにマウンド部26以外の部分にマスクを施し、露出状態にあるマウンド部26上に、NiめっきまたはNi合金めっきによって金属結合相22を形成し、この金属結合相22によって超砥粒23をマウンド部26上に固着して砥粒層24を形成する。
ここで、超砥粒23は絶縁体であってめっきが付着しないので、上記のようにして形成される砥粒層24においては、超砥粒23と金属結合相22との間には微細な隙間が形成されることとなる。すなわち、超砥粒23は、その周囲を金属結合相22によって囲まれることで機械的に保持されている。
【0024】
続いて、砥粒層24の表面も含む台金21の一面21a上に、Auめっきを施してAuからなる下地めっき層27を形成する。
Auめっきはつきまわりがよく、超砥粒23と金属結合相22との間に形成される微細な隙間内にもめっき液を回り込ませることができるので、この部分にも下地めっき層27が形成されて、この隙間内でも金属結合相23の表面が覆われるか、または下地めっき層27によって隙間が埋められる(図2では下地めっき層27によって超砥粒23と金属結合相22との間の隙間が埋められている場合を示している)。
ここで、下地めっき層27によって超砥粒23と金属結合相22との間に形成される隙間を十分狭めることができればこの隙間内にスラリが進入しなくなるので、必ずしもこの隙間内で金属結合相22を下地めっき層27によって完全に覆ったり、下地めっき層によって隙間を完全にふさぐ必要はない。
【0025】
さらに、下地めっき層27の上にRhめっきを施して、Rhからなる硬質の耐食めっき層28を形成することで、本実施形態にかかるCMPコンディショナ20を得る。
ここで、台金21自体が耐食性を有し、またAu、Rhのいずれに対しても電池効果を生じない材質によって構成されている場合には、上記の下地めっき層27及び耐食めっき層28は、砥粒層24の表面にのみ形成すればよい。
【0026】
このように構成されるCMPコンディショナ20は、従来のCMPコンディショナ11と同様にしてCMP装置においてパッドのコンディショニングに用いられる。
このCMPコンディショナ20においては、台金21上に***するマウンド部26上に砥粒層28が形成されているので、パッド4のような軟質のものを研削する場合にもベタ当たりすることもなくマウンド部26に電着された超砥粒23でのみ接触して研削が行われるために超砥粒23にかかる研削圧力を高く維持でき、更に研削性の経時安定性も維持できる。
そのため、パッド4の発泡層の開口がきれいに切断され開口が潰れることがないので、パッド4に対してもスラリSの保有能力を高く維持できる。しかもベタ当たりしないために研削時に発泡層内部の研削液がはじき出されることがなく水分を含んだ状態でパッド4が研削されるので、良好な研削を行うことができる。
【0027】
そして、このCMPコンディショナ20において、台金21の一面21a上には、砥粒層24の表面及びその他の部分も含めて、耐食性を有する金属であるAuからなる下地めっき層27が形成されている。
この下地めっき層27は、上述のように、砥粒層24において超砥粒23と金属結合相22との間に形成される隙間内でも金属結合相22の表面を覆うかまたはこの隙間を埋めているので、これによって金属結合相22とスラリとの接触が防止され、スラリから金属結合相22が保護される。
【0028】
さらに、下地めっき層27の上にはRhからなる硬質の耐食めっき層28が形成されている。
Rhからなる耐食めっき層28は、Rh自体が耐食性を有しており、さらに表面が酸化されるとRh23となって不動態被膜を形成して安定し、それ以上の酸化が防止されるので、十分な耐食性が確保される。
そして、Rhからなる耐食めっき層28は、ビッカース硬度で800と、Auからなる下地めっき層27に比べて硬度が高く、十分な耐磨耗性が確保されている。
さらに、このように下地めっき層27の上に耐食めっき層28を形成しているので、これらめっき層に形成されるピンホールが埋められることとなる。単層である場合には、ピンホールを埋めるためにはめっき層の厚みを厚くする必要があるが、耐食性が向上する。
また、電解めっきによって形成されるめっき層にはピンホールが生じやすく、CMPコンディショナにAuからなる下地めっき層27のみを形成した場合、下地めっき層27の厚みを5μm以上にする必要がある。これに対し、本発明にかかるCMPコンディショナ20では、下地めっき層27の上にさらに耐食めっき層28を形成しているので、これらめっき層に形成されるピンホールを埋めることができ、耐食性を確保しつつ、下地めっき層27と耐食めっき層28を合わせた厚みを、2μm〜6μmと薄くすることができる。
【0029】
なお、下地めっき層27を構成するAuと耐食めっき層28を構成するRhとはイオン化傾向がほぼ等しく、下地めっき層27と耐食めっき層28とがスラリと接触してもこれらの間ではほとんど電池効果が生じないので、下地めっき層27によって超砥粒23との間の隙間内の部分も含めて金属結合相22が保護されていれば、耐食めっき層28は必ずしも下地めっき層27の全表面を覆っていなくてもよい。
【0030】
本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20によれば、台金21の一面21a及び一面21aに形成される砥粒層24の表面が、砥粒層24を構成する超砥粒23と金属結合相22との間に形成される隙間内を含めてAuからなる下地めっき層27によって保護されており、さらにこの下地めっき層27が、耐食性を有するとともに下地めっき層27よりもさらに硬度の高いRhからなる耐食めっき層28によって覆われている。これにより、台金21及び砥粒層24の金属結合相22とスラリとの接触が防止されて、これらをスラリによる腐食から保護することができる。
さらに、下地めっき層27を覆う耐食めっき層28は硬度が高く、使用を繰り返しても磨耗しにくいので、長期にわたって耐食性を維持することができる。
このように、本実施形態にかかるCMPコンディショナ20によれば、スラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、CMPコンディショナ20の寿命を向上させることができる。
【0031】
ここで、本実施の形態では、下地めっき層27の厚みD1は、0.05μm以上5μm以下とされている。下地めっき層27の厚みD1が0.05μmよりも薄いと、下地めっき層27の回り込みが少なくなってしまい、超砥粒23と金属結合相22との間に形成される隙間内で金属結合相22を十分に保護することができなくなって耐食性が低下してしまう。一方、下地めっき層27の厚みD1が5μmよりも厚いと、使用するAuの量が多くなり、CMPコンディショナ20の製造コストが増加してしまう。このため、下地めっき層27の厚みD1は、0.05μm以上5μm以下とすることが好ましい。
【0032】
また、耐食めっき層28の厚みD2が0.5μmよりも薄いと、耐食めっき層28が薄すぎて十分な耐磨耗性を確保することができない。また、Rhめっきは、めっきの電流効率が35%程度と低く、めっきの際に電流がめっき液中での水素ガスの発生に消費されて無電解めっきに近い条件でめっきが行われる傾向にあるので、Rhからなる耐食めっき層28の厚みを3μmよりも厚くすると、超砥粒23の上にも無電解めっきによるRhめっき層が形成されてしまうこととなる。超砥粒23上に形成されたRhめっき層ははがれて脱落しやすいので、このように超砥粒23の上にRhめっき層が形成されてしまうと、パッド4のコンディショニングの際にパッド4上に脱落し、このパッド4を用いて研磨されるウェーハ6にスクラッチを生じさせてしまう恐れがある。
このため、Rhからなる耐食めっき層28の厚みは0.5μm以上3μm以下とすることが好ましい。
なお、砥粒層24において超砥粒23の先端を耐食めっき層28の表面よりも突出させてパッド4の研削に作用させるために、上記下地めっき層27の厚みD1と耐食めっき層28の厚みD2とを合わせた厚みは、金属結合相22の表面からの超砥粒23の突出量D3以下とされる。
【0033】
〔第二の実施の形態〕
本実施の形態について、以下、図3及び図4を用いて説明する。ここで、第一の実施の形態と同様または同一の部分については同じ符号を用いて説明する。図4は本実施の形態にかかるCMPコンディショナの構成を示す縦断面図、図4は本実施の形態にかかるCMPコンディショナの製造過程の各段階を示す図である。
本実施の形態に示すCMPコンディショナ30は、第一の実施の形態に示すCMPコンディショナ20において、台金21の一面21a上において砥粒層24が形成される個所以外の他の部分に、下地めっき層27と耐食めっき層28を形成する代わりに、耐食性を有する合成樹脂からなる合成樹脂層31を形成したものである。
【0034】
本実施の形態では、この合成樹脂層31を構成する合成樹脂として、例えば、表面特性として撥水撥油性、非粘着性、高いすべり特性に加えて、さらに耐食性と非導電性とを有するふっ素系樹脂を用いている。ここで、このようなふっ素系樹脂としては、例えばフルオロエポキシ化合物とアミノシリコーンとの組み合わせによる常温硬化型ふっ素塗料用組成物や、フルオロオレフィンレジンをベースとする溶剤可溶型熱硬化性塗料用ふっ素レジン、ポリテトラルフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)等が用いられる。
【0035】
本実施の形態にかかるCMPコンディショナ30は上述のように構成されており、次にCMPコンディショナ30の製造方法について説明する。
まず、図4(a)に示すように、第一の実施の形態と同様にして円板形状の台金21の一面21a上に複数のマウンド部26を形成する。
次に、図4(b)に示すように、台金21の一面21a全面に合成樹脂層31を形成する。このとき、合成樹脂層31は、一面21a上のマウンド部26以外の部分が覆われていれば、マウンド部26上に形成されていなくてもよい。
そして、この台金21においてマウンド部26の上面に合成樹脂層31が形成されている場合には、図4(c)に示すように、マウンド部26上の合成樹脂層31を除去する。ここで、マウンド部26は台金21の上面21aに対して凸部をなしているので、研削加工等によって、一面21aにおいてマウンド部26の上面を除く凹部をなす他の部分に合成樹脂層31を残しながらマウンド部26上の合成樹脂層31のみを容易に除去することができる。
【0036】
この段階で、台金21の一面21aはマウンド部26の上面を除く他の部分が残りの合成樹脂層31によって覆われることとなる。
そして、この残りの合成樹脂層31をマスクとして、露出状態にあるマウンド部26上に、NiめっきまたはNi合金めっきによって金属結合相22を形成し、この金属結合相22によって超砥粒23をマウンド部26上に固着して砥粒層24を形成する。
以降は、同様に合成樹脂層31をマスクとして、砥粒層24の表面も含む台金21の一面21a上にAuめっきを施してAuからなる下地めっき層27を形成し、さらに下地めっき層27の上にRhめっきを施してRhからなる硬質の耐食めっき層28を形成することで、図4(d)に示すように、本実施形態にかかるCMPコンディショナ30を得る。
【0037】
このように構成されるCMPコンディショナ30においては、砥粒層24は台金21の一面21aから***するマウンド部26上に形成されており、砥粒層24の表面には下地めっき層27及び耐食めっき層28が形成されていて、砥粒層24がスラリから保護されている。
そして、台金21の一面21aにおいて砥粒層24の表面を除く他の部分には、耐食性を有する合成樹脂層31が形成されていてスラリから保護されている。
砥粒層24は台金21の一面21aにおいて他の部分よりも突出する凸部をなしているので、パッド4の研削時には砥粒層24のみがパッド4に当接される。すなわち、台金21の一面21aのうち砥粒層24以外の他の部分は、砥粒層24がなす凸部に対して凹部をなすので、パッド4の研削時にもパッド4に当接しにくい。このため、この部分を覆う合成樹脂層31は磨耗しにくく、耐食めっき層28よりも硬度が低く磨耗に弱い合成樹脂層31によっても十分にスラリから保護することができる。
ここで、この合成樹脂層31の厚みD4は、台金21の一面21aのうちマウンド部26が形成されていない部分(底面)から砥粒層24の表面までの高さHよりも薄くされており、これによってCMPコンディショナ30の表面に前記の凹凸が形成されるようにしている。
【0038】
なお、スラリに含まれる過酸化水素などは分子のサイズが小さく、また合成樹脂層31は金属のめっき層よりも分子構造中に形成される間隙が大きいので、単に合成樹脂層31自体が耐食性を有しているだけでは、長時間スラリに接触させるとスラリの成分が合成樹脂層31の分子構造中の間隙を通過して台金21まで達し、台金21を腐食させてしまうことがある。
本実施の形態では、合成樹脂層31は、上記のふっ素系樹脂によって構成されている。ふっ素系樹脂はぬれ性が低く、過酸化水素などの分子のサイズの小さい成分もはじくので、スラリの成分から砥石基体を保護することができる。
ここで、従来のCMPコンディショナでは、砥粒層24間にはパッドの削り屑やスラリが付着しやすく、砥粒層24間に付着したパッド4の削り屑が塊となったものや、砥粒層24間に付着している間に経時変化等によって変質したスラリがCMPコンディショナからパッド4上に脱落し、このパッド4を用いて研磨するウェーハにスクラッチを生じさせる要因となっていた。
本実施形態にかかるCMPコンディショナ30では、上記のように台金21の一面21aにおいて砥粒層24の表面を除く他の部分を上記のふっ素系樹脂からなる合成樹脂層31で覆っていて、砥粒層24間にスラリやパッド4の削り屑などが付着しにくいので、上記の不都合が生じにくくなる。
【0039】
また、上記のCMPコンディショナの製造方法では、合成樹脂層31を、砥粒層24、下地めっき層27及び耐食めっき層28のそれぞれを形成する際のマスクとして使用することができるので、各工程でその都度マスクの形成と除去を行う手間を省くことができる。
【0040】
なお、上記各実施の形態では、台金21をその一面21a上にマウンド部26が形成された構成としたが、これに限られることなく、台金21を、一面21aが平坦面をなす構成としてもよい。砥粒層24は、台金21の一面21a上に金属結合相22を形成することによって構成されているので、この場合にも、砥粒層24の表面は凸部をなし、一面21aにおいて砥粒層24が形成される部分以外の個所は凹部をなすこととなり、CMPコンディショナの表面には凹凸が形成されることとなる。
【0041】
ここで、上記各実施の形態では、耐食めっき層28を、Rhからなるめっき層のみによって形成した例を示したが、これに限られることなく、耐食めっき層28をPtからなるめっき層によって構成してもよく、また、複数層のめっき層によって構成してもよい。
Ptは耐食性を有しており、またPtからなる耐食めっき層はビッカース硬度で300〜400と、Auからなる下地めっき層に比べて硬度が十分高く、十分な耐磨耗性を有しているので、この場合にも同様に、スラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、CMPコンディショナの寿命を向上させることができる。
ここで、Ptからなる耐食めっき層の厚みが0.5μmよりも薄いと、耐食めっき層が薄すぎて十分な耐磨耗性を確保することができない。一方、PtめっきはRhめっきと同様にめっきの電流効率が低く(50%程度)、無電解めっきに近い条件でめっきが行われる傾向にあるので、Ptからなる耐食めっき層の厚みを5μmよりも厚くすると、超砥粒の上にも無電解めっきによるPtめっき層が形成されてしまうこととなり、このPtめっき層の剥離が問題となる。このため、Rhからなる耐食めっき層の厚みは0.5μm以上5μm以下とすることが好ましい。
【0042】
また、例えば、図5の側断面図に示すように、下地めっき層27の上に、PtめっきによってPtめっき層38aを形成し、このPtめっき層38aの上にRhめっきによってRhめっき層38bを形成し、これらPtめっき層38a、Rhめっき層38bとによって耐食めっき層38を形成してもよい。
耐食めっき層をPtめっき層単層で形成した場合には、耐磨耗性を確保するためにめっき層を厚く形成する必要があるのに対し、耐食めっき層として、下地めっき層27上にPtめっき層38aを形成し、その上にRhめっき層38bを形成することで、Ptめっき層38aがより硬度の高いRhめっき層38bによって覆われることとなり、耐食めっき層をPtめっき層単層で構成した場合に比べて、耐食めっき層の厚みを薄くしつつ、耐磨耗性を向上させることができる。
また、このように耐食めっき層を複数のめっき層によって構成することでめっき層に形成されるピンホールをより確実に埋めて、CMPコンディショナの耐食性をより向上させることができる。
【0043】
【実施例】
次に、本発明にかかるCMPコンディショナの耐久試験を行った。以下、この耐久試験について説明する。
この耐久試験では、第一の実施の形態にかかるCMPコンディショナ20(以下、実施例とする)と、下地めっき層27が形成されていない以外は実施例と同一の構成とされるCMPコンディショナ(以下、比較例とする)とを用意し、これらのCMPコンディショナを用いて図8に示すように、ウェーハ6の研磨と平行して、回転テーブル3上に貼り付けられたパッド4の研削を48時間連続して行った。そして、ウェーハ6の研磨には、スラリSとして、キャボット社製W−2000(過酸化水素含有量3%)を用いた。
【0044】
そして、この研削作業を終えた後、それぞれのCMPコンディショナの表面を電子顕微鏡で観察した。この結果を図6に示す。
ここで、図6において(a)は比較例の耐食めっき層表面を写した電子顕微鏡写真であり、(b)は実施例の耐食めっき層表面を写した電子顕微鏡写真である。また、図7において(a)は比較例の耐食めっき層表面のEDAXによる分析結果を示すグラフであって、(b)は実施例の耐食めっき層表面のEDAXによる分析結果を示すグラフである。
【0045】
図6(a)から、比較例では、耐食めっき層に損傷はないものの、超砥粒と耐食めっき層との間に隙間があり、耐食めっき層の下地となる金属結合相と超砥粒との間にも隙間が形成されていると推測される。この隙間は、めっきによって金属結合相や耐食めっき層を形成する際に、絶縁体である超砥粒にめっきが付着しないために生じたものと思われる。
また、耐食めっき層の表面においてこの隙間の周囲には析出物らしきものが存在していることがわかる。
これに対し、図6(b)に示すように、実施例では、耐食めっき層の表面に損傷はなく、さらに超砥粒と耐食めっき層との間にほとんど隙間がなく、超砥粒と金属結合相との間の隙間が下地めっき層によって埋められているものと推測される。また、耐食めっき層の表面には、析出物らしきものは見あたらなかった。
【0046】
上記の分析を検証するため、これら比較例、実施例のそれぞれについて、耐食めっき層表面に存在する元素の種類を微量元素分析(EDAX:(エネルギー分散型X線分析装置)によって調査した。この結果を図7のグラフに示す。
図7(a)に示すように、比較例では、耐食めっき層の表面には、耐食めっき層を構成するRh以外にも金属結合相を構成するNiが存在しており、比較例では、砥粒層表面に耐食めっき層を形成しているにもかかわらず、金属結合相がスラリと接触して溶け出していることがわかる。このことから、比較例では、耐食めっき層は、超砥粒と金属結合相との間に形成される隙間内では金属結合相を保護しておらず、この隙間内で金属結合相がスラリと接触して溶け出しているものと推測される。
これに対し、実施例では、図7(b)に示すように、耐食めっき層の表面には、耐食めっき層を構成するRhのみが存在し、金属結合相を構成するNiの溶出は生じていないことがわかる。このことから、実施例では、下地めっき層が超砥粒と金属結合相との間に形成される隙間内でも金属結合相を保護しており、これによって金属結合相とスラリとの接触が防止されて、金属結合相の溶出が生じなかったものと思われる。さらに、超砥粒と金属結合相との間に形成される隙間は下地めっき層によって埋められているため、その上に形成される耐食めっき層が超砥粒により近い位置まで形成されていると思われる。
【0047】
加えて、比較例ではCMPコンディショナに耐食めっき層一層のみを設けているため、耐食めっき層にはピンホールが形成されていてこの部分に侵入したスラリによっても金属結合相が腐食されていると思われる。これに対し、実施例ではCMPコンディショナに下地めっき層と耐食めっき層とを形成しているので、めっき層に形成されるピンホールが埋められて、スラリから金属結合相が保護されていると思われる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかるCMPコンディショナによれば、砥石基体の一面に形成される砥粒層の表面にAuからなる下地めっき層が形成されており、この下地めっき層が、砥粒層を構成する超砥粒と金属結合相との間に形成される隙間内を含めて金属結合相を保護しており、さらにこの下地めっき層が、耐食性を有するとともに下地めっき層よりも硬度の高いRhまたはPtからなる耐食めっき層によって覆われているので、金属結合相とスラリとの接触が防止されて、スラリによる腐食から保護することができる。また、このようにめっき層を複数層重ねて形成することで、これらめっき層に形成されるピンホールも埋められることとなって耐食性をより向上させることができる。
さらに、下地めっきを覆う耐食めっき層は硬度が高く、使用を繰り返しても磨耗しにくいので、長期にわたって耐食性を維持することができる。
このように、本実施形態にかかるCMPコンディショナによれば、スラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、CMPコンディショナの寿命を向上させることができる。
【0049】
そして、本発明にかかるCMPコンディショナの製造方法によれば、上記のCMPコンディショナを製造することができる。
また、非導電性を有する合成樹脂層によって砥石基体の一面の保護を行うとともに、合成樹脂層を砥粒層を構成する金属めっき層、下地めっき層及び耐食めっき層を形成する際のマスクとして使用することで、各工程でその都度マスクの形成と除去を行う手間をなくして、CMPコンディショナの製造を容易にするとともに、製造にかかる時間も短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一の実施の形態にかかるCMPコンディショナの構成を示す縦断面図である。
【図2】 図1に示すCMPコンディショナの拡大図である。
【図3】 本発明の第二の実施の形態にかかるCMPコンディショナの構成を示す縦断面図である。
【図4】 本発明の第二の実施の形態にかかるCMPコンディショナの製造過程の各段階を示す図である。
【図5】 本発明にかかるCMPコンディショナの他の形態例を示す縦断面図である。
【図6】 (a)は耐久試験後の比較例の耐食めっき層表面を写した電子顕微鏡写真であり、(b)は耐久試験後の実施例の耐食めっき層表面を写した電子顕微鏡写真である。
【図7】 (a)は耐久試験後の比較例の耐食めっき層表面のEDAXによる分析結果を示すグラフであって、(b)は耐久試験後の実施例の耐食めっき層表面のEDAXによる分析結果を示すグラフである
【図8】 従来のCMP装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
20、30 CMPコンディショナ 21 台金(砥石基体)
21a 一面 22 金属結合相
23 超砥粒 24 砥粒層
26 マウンド部 27 下地めっき層
28、38 耐食めっき層 31 合成樹脂層
38a Ptめっき層 38b Rhめっき層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrodeposition grindstone used for conditioning a polishing pad used when a surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer is polished by a CMP apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, there is an apparatus as shown in FIG. 8 as an example of a CMP apparatus (chemical mechanical polishing machine) that chemically and mechanically polishes the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) cut out from a silicon ingot. In this CMP apparatus 1, a polishing pad 4 made of, for example, hard urethane is provided on a disc-shaped rotary table 3 attached to a central shaft 2 as shown in FIG. A wafer carrier 5 capable of rotating is disposed at a position eccentric from the central axis 2 of the pad 4. The wafer carrier 5 has a disk shape smaller in diameter than the pad 4 and holds the wafer 6. The wafer 6 is disposed between the wafer carrier 5 and the pad 4 and is used for polishing the surface on the pad 4 side. And mirror finished.
[0003]
The polishing mechanism by CMP is based on a mechano-chemical polishing method in which a mechanical element (free abrasive grains) made of fine particle silica or the like and an etching element made of an alkali liquid or an acidic liquid are combined. At the time of polishing, for example, the above-mentioned free abrasive grains made of fine particle silica or the like are used as an abrasive, and a mixture of an alkali solution for etching and the like is supplied onto the pad 4 as a liquid slurry S. The slurry S flows between the wafer 6 held by the wafer carrier 5 and the pad 4, and one surface of the wafer 6 is polished by the pad 4.
A number of fine foam layers for holding the slurry S are provided on the pad 4 made of hard urethane or the like for polishing the wafer 6, and the wafer 6 is polished by the slurry S held in these foam layers. Is called. However, since the flatness of the polishing surface of the pad 4 is reduced or clogged due to repeated polishing of the wafer 6, there arises a problem that the polishing accuracy and polishing efficiency of the wafer 6 are reduced.
[0004]
Therefore, the CMP apparatus 1 has conventionally been provided with a pad conditioner 8 as shown in FIG. 8, and the surface of the pad 4 is periodically re-polished or re-ground (conditioning). In this pad conditioner 8, an electrodeposition conditioner is attached as a CMP conditioner 11 to an axis of rotation 9 provided outside the turntable 3 via an arm 10.
Then, while polishing the wafer 6 with the wafer carrier 5 or with the polishing of the wafer 6 stopped, the pad 4 is ground with the CMP conditioner 11 to restore or maintain the flatness of the pad 4, and the foam layer of the pad 4 It is designed to eliminate clogging. The CMP conditioner 11 is generally configured such that an abrasive grain layer in which superabrasive grains such as diamond are fixed by electroplating with Ni or a Ni-based alloy is formed on a base metal (grinding stone base).
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the slurry (for example, W-2000 manufactured by Cabot Co., Ltd.) used for polishing the tungsten material or other metal material provided on the wafer 6, in addition to nitric acid, 2% hydrogen peroxide is used for etching the metal material. About 6% is included. Since hydrogen peroxide has a strong oxidizing power, during repeated conditioning of the pad 4, the base metal of the CMP conditioner 11 and the metal bonded phase that fixes the superabrasive grains to the base metal in the abrasive layer are oxidized. Corrosion with nitric acid contained in the slurry.
Even if the base metal and the metal bonded phase are not directly corroded by the slurry, if there is a difference in ionization tendency between the material forming the base metal and the material forming the metal bonded phase, the base metal and the metal bonded phase When the phases come into contact with the slurry, a battery effect is generated between them, and the material constituting the base metal or the metal bonded phase is dissolved into the slurry.
If the base metal or the metal bonded phase is corroded in this way, superabrasive grains fall on the pad 4 and cause a large scratch on the wafer polished using the pad 4. It becomes a factor to make.
[0006]
On the other hand, a metal plating layer made of a metal having corrosion resistance is formed on the surface of the base metal and the abrasive grain layer formed on the base metal, and the metal plating layer protects the base metal and the abrasive grain layer from the slurry. There is also a CMP conditioner. However, since the superabrasive grain is an insulator and plating does not adhere to it, a fine gap is formed between the superabrasive grain and the metal binder phase and between the superabrasive grain and the metal plating layer. For this reason, since the base metal and the metal bonded phase contact with the slurry and corrode in this gap, it is difficult to protect the base metal and the metal bonded phase from the slurry.
Further, a protective coating made of a synthetic resin is formed on the surface of the base metal and the abrasive layer formed on the base metal, or on the metal plating layer, and the base metal and the abrasive layer are removed from the slurry by this protective coating. Although there is a CMP conditioner that protects it, the protective coating made of synthetic resin is too soft at 50 to 150 in Vickers hardness, so it is vulnerable to friction, and it will wear out quickly after repeated use, so the life of the CMP conditioner Was short.
[0007]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a CMP conditioner that has improved corrosion resistance and wear resistance and is less likely to cause corrosion due to slurry.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the CMP conditioner according to the present invention, an abrasive grain layer in which superabrasive grains are fixed in a metal binder phase is formed on one surface of a grindstone substrate, and at least the surface of the abrasive grain layer is a base made of Au. A plating layer is formed, and a corrosion-resistant plating layer made of Rh or Pt is formed on the base plating layer.
[0009]
In the CMP conditioner configured as described above, a base plating layer made of Au (gold) is formed on the abrasive layer formed on the surface of the grindstone base. Au itself has corrosion resistance, and the metal bonding phase constituting the abrasive layer is protected from the slurry by the base plating layer made of Au.
Au plating has good so-called throwing power, and the plating solution can be introduced into a finer gap than other metal platings including Rh plating. An underlying plating layer having corrosion resistance is also formed in a minute gap formed therebetween, and the metal binder phase is covered with the underlying plating layer or filled with the underlying plating layer even in this gap.
Here, if the thickness of the undercoat layer is less than 0.05 μm, the undercoat layer tends to be insufficiently wrapped in the gap between the superabrasive grains and the metal binder phase, and the protection of the metal binder layer is not achieved. It will be enough. On the other hand, when the thickness of the base plating layer is thicker than 5 μm, the amount of expensive Au used is excessively increased and the manufacturing cost of the CMP conditioner is increased. For this reason, it is preferable that the thickness of the base plating layer be 0.05 μm or more and 5 μm or less.
[0010]
The underplating layer made of Au has corrosion resistance, but has a low Vickers hardness of about 100, and it cannot secure sufficient wear resistance. In the CMP conditioner according to the present invention, a hard corrosion-resistant plating layer made of Pt or Rh is further formed on the base plating layer to protect the metal binder phase of the abrasive layer. Here, the corrosion-resistant plating layer may be formed by stacking a plurality of layers.
The corrosion-resistant plating layer made of Rh has a Vickers hardness of 800 to 1000, and the corrosion-resistant plating layer made of Pt has a Vickers hardness of 300 to 400, both of which are sufficiently higher in hardness than the underlying plating layer made of Au and have sufficient wear resistance. It has sex.
In the corrosion-resistant plating layer made of Rh or Pt, Rh and Pt themselves have corrosion resistance. Furthermore, the corrosion-resistant plating layer made of Rh has an Rh when the surface is oxidized. 2 O Three Thus, a passive film is formed and stabilized, and further oxidation is prevented, so that sufficient corrosion resistance is ensured.
In addition, since pinholes are likely to occur in the plating layer formed by electrolytic plating, when the CMP conditioner is protected only by a single plating layer, for example, in Au plating, the thickness of the plating layer needs to be 5 μm or more. is there. On the other hand, in the CMP conditioner according to the present invention, since the corrosion-resistant plating layer is further formed on the base plating layer, pinholes formed in these plating layers can be filled, and the corrosion resistance is secured. The total thickness of the base plating layer and the corrosion-resistant plating layer can be reduced to 2 μm to 6 μm.
[0011]
Here, if the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Rh is thinner than 0.5 μm, the corrosion-resistant plating layer is too thin to ensure sufficient wear resistance. Rh plating has a low plating current efficiency of about 35% (the current efficiency of Au plating is about 97%, and the current efficiency of Ni plating is about 95%). Since there is a tendency to be consumed under the conditions similar to electroless plating that is consumed in the generation of hydrogen gas, if the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Rh is made thicker than 3 μm, the superabrasive grains are also electrolessly plated. An Rh plating layer will be formed. Since the Rh plating layer formed on the superabrasive grains is easy to peel off and drop off, if the Rh plating layer is formed on the superabrasive grains in this way, the Rh plating layer falls off on the pad during the conditioning of the pad. There is a risk of scratching the wafer polished using this pad. For this reason, the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Rh is preferably 0.5 μm or more and 3 μm or less.
On the other hand, if the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Pt is thinner than 0.5 μm, the corrosion-resistant plating layer is too thin to ensure sufficient wear resistance. On the other hand, Pt plating has a low plating current efficiency (about 50%) like Rh plating and tends to be plated under conditions close to electroless plating. Therefore, the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Pt is less than 5 μm. When the thickness is increased, a Pt plating layer is formed on the superabrasive grains by electroless plating, and peeling of the Pt plating layer becomes a problem. For this reason, it is preferable that the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Rh be 0.5 μm or more and 5 μm or less.
[0012]
It should be noted that Au constituting the base plating layer and Rh and Pt constituting the corrosion-resistant plating layer have almost the same ionization tendency, and even if the base plating layer and the corrosion-resistant plating layer are in contact with the slurry, there is almost no battery effect between them. Therefore, if the entire surface of the metal binder phase including the portion in the gap between the superabrasive grains is protected by the base plating layer, the corrosion-resistant plating layer does not necessarily cover the entire surface of the base plating layer. May be.
Here, when the grindstone base itself does not have corrosion resistance, or when the grindstone base produces a battery effect between the corrosion-resistant plating layer or the base plating layer, the portion where the abrasive grain layer is not formed on the grindstone base By forming a metal plating layer made of Au, Rh, Pt or other metal having corrosion resistance, or a synthetic resin layer made of synthetic resin having corrosion resistance on the surface, the grindstone base is protected from the slurry.
In addition, when the abrasive grain layer is formed only on a part of one surface of the grindstone base, the abrasive grain layer has a relatively convex portion on one face of the grindstone base, and the abrasive grain layer is formed on one face of the grindstone base. Other parts excluding the part form a concave part relative to the abrasive layer forming the convex part.
[0013]
Here, as the corrosion-resistant plating layer, a Pt plating layer formed on the base plating layer and an Rh plating layer formed on the Pt plating layer may be formed.
When the corrosion-resistant plating layer is formed of a single Pt plating layer, it is necessary to form the plating layer thick in order to ensure wear resistance. On the other hand, when the corrosion-resistant plating layer is formed of a single Pt plating layer by forming a Pt plating layer on the base plating layer and forming a higher hardness Rh plating layer thereon as the corrosion-resistant plating layer In comparison, the wear resistance can be improved while reducing the thickness of the corrosion-resistant plating layer.
[0014]
In the CMP conditioner according to the present invention, the grindstone base has a structure having a plurality of mound portions protruding from the one surface on one surface, an abrasive layer is formed on the mound portion, and the surface of the abrasive layer on one surface. A synthetic resin layer made of a synthetic resin having corrosion resistance may be formed on the other portions except.
[0015]
In the CMP conditioner configured as described above, the abrasive grain layer is formed on the mound portion protruding from one surface of the grindstone substrate, and the surface of the abrasive grain layer is covered with the base plating layer and the corrosion-resistant plating layer. Protected from slurry. A synthetic resin layer having corrosion resistance is formed on one surface of the grindstone substrate except for the surface of the abrasive grain layer, and is protected from the slurry.
Since the abrasive grain layer is formed on the mound part and has a convex part protruding from the other part on one surface of the grindstone substrate, only the abrasive grain layer is brought into contact with the pad during pad grinding. Without any solid contact, the grinding pressure can be concentrated on the abrasive layer and the sharpness is improved.
Further, other portions of the surface of the grindstone substrate other than the abrasive layer form a concave portion with respect to the convex portion formed by the abrasive layer, so that it is difficult to contact the pad even during grinding of the pad. For this reason, the synthetic resin layer covering this portion is hard to be worn, and can be sufficiently protected from the slurry by the synthetic resin layer having a hardness lower than that of the corrosion-resistant plating layer and weak against wear.
Here, the thickness of the synthetic resin layer is made thinner than the height from the portion (bottom surface) where the mound portion is not formed on one surface of the grindstone base to the surface of the abrasive grain layer. The unevenness is formed on the surface.
[0016]
By the way, hydrogen peroxide contained in the slurry has a small molecular size, and the synthetic resin layer has a larger gap formed in the molecular structure than the metal plating layer, so the synthetic resin layer itself has corrosion resistance. However, if the slurry is kept in contact with the slurry for a long time, the slurry component may pass through the gap in the molecular structure of the synthetic resin layer and reach the grindstone base, which may corrode the grindstone base. Therefore, the synthetic resin layer is preferably made of, for example, a fluorine-based resin. Since the fluorine-based resin has low wettability and repels components having a small molecular size such as hydrogen peroxide, the grindstone base can be protected from the components of the slurry.
Further, in the conventional CMP conditioner, pad shavings and slurry are likely to adhere between the abrasive layers, and as the pad grinding continues, the pad shavings adhering between the abrasive layers become a lump, Slurry that has deteriorated due to aging or the like while adhering between the abrasive grain layers falls off from the CMP conditioner onto the pad, which causes a scratch on a wafer to be polished using the pad. In the CMP conditioner according to the present invention, as described above, the portion other than the surface of the abrasive grain layer on one surface of the grindstone substrate is covered with the synthetic resin layer made of the above-mentioned fluorine-based resin. Since the fluorine-based resin has water and oil repellency, non-adhesiveness, and high slip characteristics as surface characteristics, in the CMP conditioner according to the present invention, slurry, pad shavings, etc. are adhered between the abrasive grains. And the above-mentioned inconveniences are less likely to occur.
Here, as the fluorine-based resin, for example, a room temperature curable fluorine coating composition using a combination of a fluoroepoxy compound and aminosilicone, a solvent soluble thermosetting coating fluorine resin based on a fluoroolefin resin, Tetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), or the like is used.
[0017]
In the method for manufacturing a CMP conditioner according to the present invention, an abrasive layer in which superabrasive grains are fixed by a metallic binder phase is formed on one surface of a grindstone substrate, and at least the surface of the abrasive layer is a base plating made of Au. A layer is formed, and a single or a plurality of corrosion-resistant plating layers made of Rh or Pt are formed on the underlying plating layer.
In this CMP conditioner manufacturing method, an abrasive layer is formed on one surface of a grindstone substrate, and an undercoat layer made of Au is formed on at least the surface of the abrasive layer. Since Au plating has good throwing power, even in the gap formed between the superabrasive grains and the metal binder phase in the abrasive grain layer, the metal binder phase is covered by the base plating layer, or the gap is filled with the base plating layer. It is done.
Furthermore, in the CMP conditioner manufacturing method of the present invention, a corrosion-resistant plating layer made of Rh or Pt is formed on the underlying plating layer, so that the surface of the abrasive layer is made of a corrosion-resistant plating layer that has high hardness and is resistant to wear. It will be covered. Further, by protecting the CMP conditioner with a plurality of plating layers in this way, it is possible to fill the pinholes formed in the plating layer and improve the corrosion resistance.
[0018]
In the manufacturing method of the CMP conditioner according to the present invention, a synthetic resin layer made of a non-conductive synthetic resin having corrosion resistance is formed on one surface of a grindstone base provided with a plurality of mound portions protruding from the one surface. Then, only the portion formed on the mound portion is removed from the synthetic resin layer, and the remaining synthetic resin layer is used as a mask to form a metal bonded phase on the upper portion of the mound portion by plating, and the metal bonded phase is super An abrasive grain layer formed by adhering abrasive grains is formed, an underlying plating layer made of Au is formed on the upper surface of the abrasive grain layer using the synthetic resin layer as a mask, and an underlying plating layer is formed using the synthetic resin layer as a mask. It is characterized by forming a single or a plurality of corrosion-resistant plating layers made of Rh or Pt.
[0019]
In this CMP conditioner manufacturing method, a synthetic resin layer made of a non-conductive synthetic resin having corrosion resistance is formed on the surface of a grindstone base provided with a mound portion, and the synthetic resin layer is formed on the mound. Only the part to be formed is removed, and using the remaining synthetic resin layer as a mask, a metal binder phase is formed on the upper part of the mound part by plating, and an abrasive layer in which superabrasive grains are fixed by this metal binder phase is formed. To do.
Similarly, using the remaining synthetic resin layer as a mask, a base plating layer is formed on the surface of the abrasive layer, and a corrosion-resistant plating layer is further formed on the base plating layer.
Since the mound part is raised from the surface of the grindstone base, only the synthetic resin layer formed on the upper surface of the mound part can be easily removed by forming the synthetic resin layer on the grindstone base and then remaining, and the rest The synthetic resin layer can be used as a mask for subsequent plating treatment.
Since the synthetic resin layer serves as a mask in this way, the abrasive grain layer, the base plating layer, and the anticorrosion plating layer can be sequentially formed on the upper portion of the mound portion without forming and removing the mask again. .
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view of a CMP conditioner according to the present embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view of FIG.
A CMP conditioner 20 according to the present embodiment shown in FIG. 1 is composed of an electrodeposition grindstone (electrodeposition wheel). For example, a disk-shaped base metal 21 (grindstone base) made of stainless steel has a substantially circular shape. On the formed surface 21a, a large number of superabrasive grains 23 such as diamond abrasive grains are fixed by a metal bonded phase 22 made of Ni or Ni alloy to form an abrasive grain layer 24.
The CMP conditioner 20 is a single-layer grindstone in which only one superabrasive grain 23 is formed and fixed by a metal binder phase 22.
Here, on the one surface 21 a of the base metal 21, a mound portion 26 protruding from the one surface 21 a is formed, and the abrasive layer 24 is formed on the mound portion 26. As a result, the abrasive layer 24 has a relatively convex portion on one surface 21a of the base metal 21, and the other portion of the one surface 21a of the base metal 21 except the portion where the abrasive layer 24 is formed has a convex portion. A concave portion is formed relative to the abrasive layer 24 to be formed.
[0021]
A surface 21 a of the base metal 21 includes a ground plating layer 27 made of Au including the surface of the abrasive grain layer 24, and a corrosion-resistant plating layer made of Rh on the ground plating layer 27. 28 is formed.
Here, in the present embodiment, the base plating layer 27 is made of 24 gold.
The undercoat layer 27 has a Vickers hardness of about 100, and the corrosion-resistant plating layer 28 has a Vickers hardness of about 800.
[0022]
The CMP conditioner 20 according to the present embodiment is configured as described above. Next, a method for manufacturing the CMP conditioner 20 will be described.
For example, of the one surface 21a of the disc-shaped base metal 21 made of SUS304 or the like, etching is performed in a state where a portion forming the mound portion 26 is covered with a mask, and other portions other than the portion forming the mound portion 26 are removed. Thus, the mound portion 26 is formed on the one surface 21 a of the base metal 21.
Here, instead of the above-described etching method, the mound portion 26 may be formed on the one surface 21a of the base metal 21 by molding or other methods.
[0023]
Then, the mask covering the mound portion 26 is removed, and a portion other than the mound portion 26 is masked, and the metal bonded phase 22 is formed on the mound portion 26 in an exposed state by Ni plating or Ni alloy plating. The superabrasive grains 23 are fixed on the mound portion 26 by the binder phase 22 to form the abrasive grain layer 24.
Here, since the superabrasive grain 23 is an insulator and plating does not adhere to it, in the abrasive grain layer 24 formed as described above, there is a fine gap between the superabrasive grain 23 and the metal binder phase 22. A gap will be formed. That is, the superabrasive grains 23 are mechanically held by being surrounded by the metal binder phase 22.
[0024]
Subsequently, Au plating is performed on one surface 21a of the base metal 21 including the surface of the abrasive layer 24 to form a base plating layer 27 made of Au.
Au plating has good throwing power, and since the plating solution can be circulated into the minute gap formed between the superabrasive grains 23 and the metal binder phase 22, the underlying plating layer 27 is also formed on this portion. In this gap, the surface of the metal binder phase 23 is covered or the gap is filled with the base plating layer 27 (in FIG. 2, the gap between the superabrasive grains 23 and the metal binder phase 22 is covered by the base plating layer 27. Shows the case where the gap is filled).
Here, if the gap formed between the superabrasive grains 23 and the metal binder phase 22 can be sufficiently narrowed by the base plating layer 27, the slurry will not enter the gap. It is not necessary to completely cover 22 with the base plating layer 27 or to completely close the gap with the base plating layer.
[0025]
Further, the CMP conditioner 20 according to the present embodiment is obtained by performing Rh plating on the base plating layer 27 to form a hard corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh.
Here, when the base metal 21 itself has corrosion resistance and is made of a material that does not produce a battery effect with respect to either Au or Rh, the base plating layer 27 and the corrosion resistance plating layer 28 are It is sufficient to form only on the surface of the abrasive layer 24.
[0026]
The CMP conditioner 20 configured as described above is used for pad conditioning in the CMP apparatus in the same manner as the conventional CMP conditioner 11.
In the CMP conditioner 20, the abrasive grain layer 28 is formed on the mound portion 26 that is raised on the base metal 21, so that even when a soft material such as the pad 4 is ground, it may be solid. In addition, since grinding is performed only by contact with the superabrasive grains 23 electrodeposited on the mound portion 26, the grinding pressure applied to the superabrasive grains 23 can be maintained high, and the stability of grindability with time can also be maintained.
Therefore, the opening of the foamed layer of the pad 4 is cleanly cut and the opening is not crushed, so that the holding ability of the slurry S can be maintained high even for the pad 4. Furthermore, since the pad 4 is ground in a state containing moisture without causing the solid solution to be blown off during grinding, the pad 4 is ground in a state containing moisture, so that good grinding can be performed.
[0027]
In this CMP conditioner 20, an underlying plating layer 27 made of Au, which is a metal having corrosion resistance, is formed on one surface 21 a of the base metal 21 including the surface of the abrasive grain layer 24 and other portions. Yes.
As described above, the base plating layer 27 covers or fills the surface of the metal bonding phase 22 even in the gap formed between the superabrasive grains 23 and the metal bonding phase 22 in the abrasive grain layer 24. Therefore, the contact between the metal bonded phase 22 and the slurry is prevented, and the metal bonded phase 22 is protected from the slurry.
[0028]
Further, a hard corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh is formed on the base plating layer 27.
The corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh has Rh itself having corrosion resistance. Further, when the surface is oxidized, Rh 2 O Three Thus, a passive film is formed and stabilized, and further oxidation is prevented, so that sufficient corrosion resistance is ensured.
The corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh has a Vickers hardness of 800, which is higher than that of the base plating layer 27 made of Au, and ensures sufficient wear resistance.
Furthermore, since the corrosion-resistant plating layer 28 is formed on the base plating layer 27 in this way, pinholes formed in these plating layers are filled. In the case of a single layer, it is necessary to increase the thickness of the plating layer in order to fill the pinhole, but the corrosion resistance is improved.
In addition, pinholes are easily generated in the plating layer formed by electrolytic plating, and when only the base plating layer 27 made of Au is formed on the CMP conditioner, the thickness of the base plating layer 27 needs to be 5 μm or more. On the other hand, in the CMP conditioner 20 according to the present invention, since the corrosion-resistant plating layer 28 is further formed on the base plating layer 27, pinholes formed in these plating layers can be filled, and the corrosion resistance is improved. While ensuring, the total thickness of the base plating layer 27 and the corrosion-resistant plating layer 28 can be reduced to 2 μm to 6 μm.
[0029]
Note that Au constituting the base plating layer 27 and Rh constituting the corrosion-resistant plating layer 28 have almost the same ionization tendency, and even if the base plating layer 27 and the corrosion-resistant plating layer 28 are in contact with the slurry, there is almost no battery between them. Since the effect does not occur, the corrosion-resistant plating layer 28 is not necessarily the entire surface of the base plating layer 27 if the metal bonding phase 22 is protected by the base plating layer 27 including the portion in the gap between the superabrasive grains 23. May not be covered.
[0030]
According to the CMP conditioner 20 according to the present embodiment, the surface 21a of the base metal 21 and the surface of the abrasive grain layer 24 formed on the one surface 21a are super-abrasive grains 23 constituting the abrasive grain layer 24 and a metal bonded phase. The base plating layer 27 made of Au including the gap formed between the base plating layer 22 and the base plating layer 27 is protected from Rh having corrosion resistance and higher hardness than the base plating layer 27. It is covered with a corrosion-resistant plating layer 28. As a result, contact between the base metal 21 and the metal bonded phase 22 of the abrasive layer 24 and the slurry can be prevented, and these can be protected from corrosion by the slurry.
Furthermore, since the corrosion-resistant plating layer 28 covering the base plating layer 27 has high hardness and is not easily worn even after repeated use, the corrosion resistance can be maintained over a long period of time.
Thus, according to the CMP conditioner 20 according to the present embodiment, corrosion due to the slurry can be prevented over a long period of time, and the life of the CMP conditioner 20 can be improved.
[0031]
Here, in the present embodiment, the thickness D1 of the base plating layer 27 is 0.05 μm or more and 5 μm or less. When the thickness D1 of the base plating layer 27 is less than 0.05 μm, the wraparound of the base plating layer 27 is reduced, and the metal binding phase is formed in the gap formed between the superabrasive grains 23 and the metal binding phase 22. 22 cannot be sufficiently protected and the corrosion resistance is lowered. On the other hand, if the thickness D1 of the base plating layer 27 is thicker than 5 μm, the amount of Au to be used increases and the manufacturing cost of the CMP conditioner 20 increases. For this reason, it is preferable that the thickness D1 of the base plating layer 27 be 0.05 μm or more and 5 μm or less.
[0032]
On the other hand, if the thickness D2 of the corrosion-resistant plating layer 28 is less than 0.5 μm, the corrosion-resistant plating layer 28 is too thin to ensure sufficient wear resistance. In addition, Rh plating has a plating current efficiency as low as about 35%, and during plating, the current is consumed in the generation of hydrogen gas in the plating solution and tends to be plated under conditions close to electroless plating. Therefore, if the thickness of the corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh is thicker than 3 μm, an Rh plating layer by electroless plating will be formed on the superabrasive grains 23. Since the Rh plating layer formed on the superabrasive grain 23 peels off and easily falls off, if the Rh plating layer is formed on the superabrasive grain 23 in this way, the pad 4 is conditioned on the pad 4 during conditioning. And the wafer 6 polished using the pad 4 may be scratched.
For this reason, it is preferable that the thickness of the corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh is 0.5 μm or more and 3 μm or less.
Note that the thickness D1 of the base plating layer 27 and the thickness of the corrosion-resistant plating layer 28 are used to cause the tips of the superabrasive grains 23 to protrude from the surface of the corrosion-resistant plating layer 28 in the abrasive layer 24 and to act on the grinding of the pad 4. The total thickness of D2 and the protrusion amount D3 of the superabrasive grains 23 from the surface of the metal binder phase 22 is set to be equal to or less than D3.
[0033]
[Second Embodiment]
This embodiment will be described below with reference to FIGS. Here, the same or identical parts as those in the first embodiment will be described using the same reference numerals. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing the structure of the CMP conditioner according to this embodiment, and FIG. 4 is a view showing each stage of the manufacturing process of the CMP conditioner according to this embodiment.
The CMP conditioner 30 shown in the present embodiment is the same as the CMP conditioner 20 shown in the first embodiment except for the portion where the abrasive grain layer 24 is formed on the one surface 21a of the base metal 21. Instead of forming the base plating layer 27 and the corrosion-resistant plating layer 28, a synthetic resin layer 31 made of a synthetic resin having corrosion resistance is formed.
[0034]
In the present embodiment, the synthetic resin constituting the synthetic resin layer 31 is, for example, a fluorine-based material having corrosion resistance and non-conductivity in addition to water and oil repellency, non-adhesiveness, and high slip characteristics as surface characteristics. Resin is used. Here, as such a fluorine-based resin, for example, a composition for a room-temperature curable fluorine coating using a combination of a fluoroepoxy compound and aminosilicone, or a fluorine for a solvent-soluble thermosetting coating based on a fluoroolefin resin. Resin, polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) and the like are used.
[0035]
The CMP conditioner 30 according to the present embodiment is configured as described above. Next, a method for manufacturing the CMP conditioner 30 will be described.
First, as shown in FIG. 4A, a plurality of mound portions 26 are formed on one surface 21a of a disk-shaped base metal 21 as in the first embodiment.
Next, as shown in FIG. 4B, a synthetic resin layer 31 is formed on the entire surface 21 a of the base metal 21. At this time, the synthetic resin layer 31 may not be formed on the mound portion 26 as long as a portion other than the mound portion 26 on the one surface 21a is covered.
When the synthetic resin layer 31 is formed on the upper surface of the mound portion 26 in the base metal 21, the synthetic resin layer 31 on the mound portion 26 is removed as shown in FIG. Here, since the mound portion 26 has a convex portion with respect to the upper surface 21a of the base metal 21, the synthetic resin layer 31 is formed on the other portion of the one surface 21a where the concave portion excluding the upper surface of the mound portion 26 is formed by grinding. Only the synthetic resin layer 31 on the mound portion 26 can be easily removed.
[0036]
At this stage, one surface 21 a of the base metal 21 is covered with the remaining synthetic resin layer 31 except for the upper surface of the mound portion 26.
Then, using the remaining synthetic resin layer 31 as a mask, a metal bonded phase 22 is formed by Ni plating or Ni alloy plating on the exposed mound portion 26, and the superabrasive grains 23 are mounded by the metal bonded phase 22. The abrasive layer 24 is formed by being fixed on the portion 26.
Thereafter, similarly, using the synthetic resin layer 31 as a mask, Au plating is performed on one surface 21a of the base metal 21 including the surface of the abrasive grain layer 24 to form a base plating layer 27 made of Au. As shown in FIG. 4D, the CMP conditioner 30 according to the present embodiment is obtained by applying Rh plating to form a hard corrosion-resistant plating layer 28 made of Rh.
[0037]
In the CMP conditioner 30 configured as described above, the abrasive grain layer 24 is formed on the mound portion 26 protruding from the one surface 21a of the base metal 21, and the surface of the abrasive grain layer 24 has an undercoat layer 27 and A corrosion-resistant plating layer 28 is formed, and the abrasive layer 24 is protected from the slurry.
A synthetic resin layer 31 having corrosion resistance is formed on the surface 21a of the base metal 21 other than the surface of the abrasive grain layer 24, and is protected from the slurry.
Since the abrasive grain layer 24 has a convex portion that protrudes from the other part of the one surface 21 a of the base metal 21, only the abrasive grain layer 24 comes into contact with the pad 4 when the pad 4 is ground. That is, other portions than the abrasive grain layer 24 of the one surface 21 a of the base metal 21 form a concave portion with respect to the convex portion formed by the abrasive grain layer 24, so that it is difficult to come into contact with the pad 4 even when the pad 4 is ground. For this reason, the synthetic resin layer 31 covering this portion is not easily worn, and can be sufficiently protected from the slurry even by the synthetic resin layer 31 having a hardness lower than that of the corrosion-resistant plating layer 28 and weak against wear.
Here, the thickness D4 of the synthetic resin layer 31 is made thinner than the height H from the portion (bottom surface) where the mound portion 26 is not formed to the surface 21a of the base metal 21 to the surface of the abrasive layer 24. As a result, the irregularities are formed on the surface of the CMP conditioner 30.
[0038]
The hydrogen peroxide contained in the slurry has a small molecular size, and the synthetic resin layer 31 has a larger gap formed in the molecular structure than the metal plating layer, so that the synthetic resin layer 31 itself simply has corrosion resistance. If it is merely provided, the slurry component may pass through the gap in the molecular structure of the synthetic resin layer 31 and reach the base metal 21 when it is brought into contact with the slurry for a long time, and the base metal 21 may be corroded.
In the present embodiment, the synthetic resin layer 31 is composed of the above-described fluorine-based resin. Since the fluorine-based resin has low wettability and repels components having a small molecular size such as hydrogen peroxide, the grindstone base can be protected from the components of the slurry.
Here, in the conventional CMP conditioner, pad shavings and slurry are easily adhered between the abrasive grain layers 24, and the pad 4 shavings adhered between the abrasive grain layers 24 is a lump, Slurry that has deteriorated due to aging or the like while adhering between the grain layers 24 falls off from the CMP conditioner onto the pad 4 and causes a scratch on a wafer to be polished using the pad 4.
In the CMP conditioner 30 according to this embodiment, as described above, the other surface of the base metal 21 other than the surface of the abrasive grain layer 24 is covered with the synthetic resin layer 31 made of the above-described fluorine-based resin. Since the slurry and the shavings of the pad 4 are difficult to adhere between the abrasive grain layers 24, the above inconveniences are less likely to occur.
[0039]
In the CMP conditioner manufacturing method, the synthetic resin layer 31 can be used as a mask for forming the abrasive grain layer 24, the base plating layer 27, and the corrosion-resistant plating layer 28. Thus, it is possible to save the trouble of forming and removing the mask each time.
[0040]
In each of the above-described embodiments, the base metal 21 is configured such that the mound portion 26 is formed on the one surface 21a. However, the present invention is not limited thereto, and the base metal 21 is configured such that the one surface 21a forms a flat surface. It is good. Since the abrasive grain layer 24 is configured by forming the metal binder phase 22 on the one surface 21a of the base metal 21, the surface of the abrasive grain layer 24 also forms a convex portion in this case, and the abrasive surface 24a is ground on the one surface 21a. A portion other than the portion where the grain layer 24 is formed forms a recess, and unevenness is formed on the surface of the CMP conditioner.
[0041]
Here, in each of the above-described embodiments, the example in which the corrosion-resistant plating layer 28 is formed only by the plating layer made of Rh is shown. However, the present invention is not limited to this, and the corrosion-resistant plating layer 28 is made of a plating layer made of Pt. Alternatively, it may be constituted by a plurality of plating layers.
Pt has corrosion resistance, and the corrosion-resistant plating layer made of Pt has a Vickers hardness of 300 to 400, which is sufficiently higher than the base plating layer made of Au and has sufficient wear resistance. Therefore, in this case as well, corrosion due to the slurry can be prevented over a long period of time, and the lifetime of the CMP conditioner can be improved.
Here, when the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Pt is thinner than 0.5 μm, the corrosion-resistant plating layer is too thin to ensure sufficient wear resistance. On the other hand, Pt plating has a low plating current efficiency (about 50%) like Rh plating and tends to be plated under conditions close to electroless plating. Therefore, the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Pt is less than 5 μm. When the thickness is increased, a Pt plating layer is formed on the superabrasive grains by electroless plating, and peeling of the Pt plating layer becomes a problem. For this reason, it is preferable that the thickness of the corrosion-resistant plating layer made of Rh be 0.5 μm or more and 5 μm or less.
[0042]
Further, for example, as shown in the side sectional view of FIG. 5, a Pt plating layer 38a is formed on the base plating layer 27 by Pt plating, and an Rh plating layer 38b is formed on the Pt plating layer 38a by Rh plating. Then, the corrosion-resistant plating layer 38 may be formed by the Pt plating layer 38a and the Rh plating layer 38b.
When the corrosion-resistant plating layer is formed as a single Pt plating layer, it is necessary to form a thick plating layer in order to ensure wear resistance. On the other hand, as the corrosion-resistant plating layer, Pt is formed on the base plating layer 27. By forming the plating layer 38a and forming the Rh plating layer 38b thereon, the Pt plating layer 38a is covered with the Rh plating layer 38b having a higher hardness, and the corrosion-resistant plating layer is formed of a single Pt plating layer. Compared to the case, the wear resistance can be improved while reducing the thickness of the corrosion-resistant plating layer.
In addition, by configuring the corrosion-resistant plating layer with a plurality of plating layers in this manner, pinholes formed in the plating layer can be filled more reliably, and the corrosion resistance of the CMP conditioner can be further improved.
[0043]
【Example】
Next, the durability test of the CMP conditioner according to the present invention was performed. Hereinafter, this durability test will be described.
In this durability test, the CMP conditioner 20 according to the first embodiment (hereinafter referred to as an example) and a CMP conditioner having the same configuration as the example except that the base plating layer 27 is not formed. (Hereinafter, referred to as a comparative example), and using these CMP conditioners, as shown in FIG. 8, the pad 4 affixed on the rotary table 3 is ground in parallel with the polishing of the wafer 6. For 48 hours. For polishing the wafer 6, W-2000 (hydrogen peroxide content: 3%) manufactured by Cabot Corporation was used as the slurry S.
[0044]
And after finishing this grinding operation, the surface of each CMP conditioner was observed with an electron microscope. The result is shown in FIG.
6A is an electron micrograph showing the surface of the corrosion-resistant plating layer of the comparative example, and FIG. 6B is an electron micrograph showing the surface of the corrosion-resistant plating layer of the example. Moreover, in FIG. 7, (a) is a graph which shows the analysis result by EDAX of the corrosion-resistant plating layer surface of a comparative example, (b) is a graph which shows the analysis result by EDAX of the corrosion-resistant plating layer surface of an Example.
[0045]
From FIG. 6A, in the comparative example, although there is no damage to the corrosion-resistant plating layer, there is a gap between the superabrasive grains and the corrosion-resistant plating layer, and the metal binder phase and the superabrasive grains serving as the foundation of the corrosion-resistant plating layer It is estimated that a gap is also formed between the two. This gap is considered to be caused by the fact that the plating does not adhere to the superabrasive grains as the insulator when the metal binder phase or the corrosion-resistant plating layer is formed by plating.
It can also be seen that there appears to be a precipitate around the gap on the surface of the corrosion-resistant plating layer.
On the other hand, as shown in FIG. 6B, in the example, the surface of the corrosion-resistant plating layer is not damaged, and there is almost no gap between the superabrasive grains and the corrosion-resistant plating layer. It is presumed that the gap between the binder phase is filled with the base plating layer. Further, no deposit-like material was found on the surface of the corrosion-resistant plating layer.
[0046]
In order to verify the above analysis, for each of these comparative examples and examples, the types of elements present on the surface of the corrosion-resistant plating layer were investigated by trace element analysis (EDAX: (energy dispersive X-ray analyzer). Is shown in the graph of FIG.
As shown in FIG. 7 (a), in the comparative example, the surface of the corrosion-resistant plating layer has Ni constituting the metal binder phase in addition to Rh constituting the corrosion-resistant plating layer. Although the corrosion-resistant plating layer is formed on the grain layer surface, it can be seen that the metal binder phase is melted out in contact with the slurry. Therefore, in the comparative example, the corrosion-resistant plating layer does not protect the metal bonded phase in the gap formed between the superabrasive grains and the metal bonded phase, and the metal bonded phase is slurried in this gap. Presumed to have melted in contact.
On the other hand, in the example, as shown in FIG. 7B, only the Rh constituting the corrosion-resistant plating layer exists on the surface of the corrosion-resistant plating layer, and the elution of Ni constituting the metal bonded phase occurs. I understand that there is no. For this reason, in this example, the base plating layer protects the metal binder phase even in the gap formed between the superabrasive grains and the metal binder phase, thereby preventing contact between the metal binder phase and the slurry. Thus, it is considered that elution of the metal bonded phase did not occur. Furthermore, since the gap formed between the superabrasive grains and the metal binder phase is filled with the underlying plating layer, the corrosion-resistant plating layer formed thereon is formed to a position closer to the superabrasive grains. Seem.
[0047]
In addition, in the comparative example, only one corrosion-resistant plating layer is provided on the CMP conditioner, so that a pinhole is formed in the corrosion-resistant plating layer, and the metal bonded phase is corroded by the slurry that has entered this portion. Seem. On the other hand, in the embodiment, since the base plating layer and the corrosion-resistant plating layer are formed on the CMP conditioner, the pinhole formed in the plating layer is filled, and the metal binder phase is protected from the slurry. Seem.
[0048]
【The invention's effect】
As described above, according to the CMP conditioner of the present invention, the ground plating layer made of Au is formed on the surface of the abrasive grain layer formed on one surface of the grindstone base, and the ground plating layer is formed by polishing. The metal binder phase is protected including the inside of the gap formed between the superabrasive grains constituting the grain layer and the metal binder phase. Furthermore, this base plating layer has corrosion resistance and hardness than the base plating layer. Since it is covered with a corrosion-resistant plating layer made of high Rh or Pt, contact between the metal binder phase and the slurry can be prevented, and protection from corrosion due to the slurry can be achieved. Moreover, by forming a plurality of plating layers in this manner, pinholes formed in these plating layers are filled, and the corrosion resistance can be further improved.
Furthermore, since the corrosion-resistant plating layer covering the base plating has a high hardness and is not easily worn even after repeated use, the corrosion resistance can be maintained for a long time.
Thus, according to the CMP conditioner according to this embodiment, corrosion due to slurry can be prevented over a long period of time, and the lifetime of the CMP conditioner can be improved.
[0049]
And according to the manufacturing method of the CMP conditioner concerning this invention, said CMP conditioner can be manufactured.
In addition, the synthetic resin layer having non-conductivity protects one surface of the grindstone substrate, and the synthetic resin layer is used as a mask when forming the metal plating layer, the base plating layer, and the corrosion-resistant plating layer constituting the abrasive layer. By doing so, it is possible to eliminate the trouble of forming and removing the mask each time, thereby facilitating the manufacture of the CMP conditioner and shortening the time required for the manufacture.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a CMP conditioner according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of the CMP conditioner shown in FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a CMP conditioner according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing each stage of a manufacturing process of a CMP conditioner according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing another embodiment of a CMP conditioner according to the present invention.
6A is an electron micrograph showing the surface of the corrosion-resistant plating layer of the comparative example after the durability test, and FIG. 6B is an electron micrograph showing the surface of the corrosion-resistant plating layer of the example after the durability test. is there.
FIG. 7A is a graph showing the EDAX analysis result of the surface of the corrosion-resistant plating layer of the comparative example after the durability test, and FIG. 7B is the analysis of the surface of the corrosion-resistant plating layer of the example after the durability test by EDAX. It is a graph which shows a result
FIG. 8 is a perspective view of a main part of a conventional CMP apparatus.
[Explanation of symbols]
20, 30 CMP conditioner 21 Base metal (grinding stone base)
21a one side 22 metal bonded phase
23 Super abrasive 24 Abrasive layer
26 Mound part 27 Undercoat layer
28, 38 Corrosion-resistant plating layer 31 Synthetic resin layer
38a Pt plating layer 38b Rh plating layer

Claims (5)

砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相中に固着されてなる砥粒層が形成されており、
少なくとも前記砥粒層の表面には、Auからなる下地めっき層が形成され、
該下地めっき層の上に、RhまたはPtからなる耐食めっき層が形成されていることを特徴とするCMPコンディショナ。
On one surface of the grindstone substrate, an abrasive layer is formed by superabrasive grains fixed in a metal binder phase,
At least on the surface of the abrasive layer, a base plating layer made of Au is formed,
A CMP conditioner, wherein a corrosion-resistant plating layer made of Rh or Pt is formed on the base plating layer.
前記耐食めっき層として、前記下地めっき層上に形成されるPtめっき層と、該Ptめっき層上に形成されるRhめっき層とが形成されていることを特徴とする請求項1記載のCMPコンディショナ。2. The CMP condition according to claim 1, wherein a Pt plating layer formed on the base plating layer and an Rh plating layer formed on the Pt plating layer are formed as the corrosion-resistant plating layer. Na. 前記砥石基体は、前記一面に該一面から***する複数のマウンド部を有し、
該マウンド部上に前記砥粒層が形成されており、
前記一面において前記砥粒層の表面を除く他の部分には、耐食性を有する合成樹脂からなる合成樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のCMPコンディショナ。
The grindstone base has a plurality of mound portions protruding from the one surface on the one surface,
The abrasive layer is formed on the mound part,
3. The CMP conditioner according to claim 1, wherein a synthetic resin layer made of a synthetic resin having corrosion resistance is formed on a portion of the one surface other than the surface of the abrasive layer. 4.
砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相によって固着されてなる砥粒層を形成し、
少なくとも該砥粒層の表面にAuからなる下地めっき層を形成し、
該下地めっき層の上にRhまたはPtからなる耐食めっき層を単層または複数層形成することを特徴とするCMPコンディショナの製造方法。
On one surface of the grindstone base, an abrasive layer is formed by superabrasive grains fixed by a metal binder phase,
Forming a base plating layer made of Au on at least the surface of the abrasive layer,
A method of manufacturing a CMP conditioner, comprising forming a single or a plurality of corrosion-resistant plating layers made of Rh or Pt on the underlying plating layer.
一面に該一面から***する複数のマウンド部が設けられた砥石基体の前記一面に、耐食性を有する非導電性の合成樹脂からなる合成樹脂層を形成し、
該合成樹脂層のうち、前記マウンド部上に形成される部分のみを除去し、
残りの前記合成樹脂層をマスクとして、めっきによって前記マウンド部の上部に金属結合相を形成して、該金属結合相によって超砥粒が固着されてなる砥粒層を形成し、
前記合成樹脂層をマスクとして、前記砥粒層の上面にAuからなる下地めっき層を形成し、
前記合成樹脂層をマスクとして、前記下地めっき層の上にRhまたはPtからなる耐食めっき層を単層または複数層形成することを特徴とするCMPコンディショナの製造方法。
A synthetic resin layer made of a non-conductive synthetic resin having corrosion resistance is formed on the one surface of the grindstone base provided with a plurality of mound portions protruding from the one surface on one surface,
Of the synthetic resin layer, only the part formed on the mound part is removed,
Using the remaining synthetic resin layer as a mask, forming a metal bonded phase on top of the mound part by plating, forming an abrasive layer in which superabrasive grains are fixed by the metal bonded phase,
Using the synthetic resin layer as a mask, an underlying plating layer made of Au is formed on the upper surface of the abrasive layer,
A method of manufacturing a CMP conditioner, comprising forming a single or a plurality of corrosion-resistant plating layers made of Rh or Pt on the base plating layer using the synthetic resin layer as a mask.
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