JPH10142613A - 液晶セル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 両基板間のセルギャップが各部均一に形成さ
れた液晶セルを提供する。 【解決手段】 シール材３により両基板１，２が接合さ
れた接合部の領域のうちで、各ゲートライン６のリード
部６ａが配置している部分には、そのリード部６ａと重
なるようにデータライン７のリード部７ａと同じ膜厚の
データダミー膜１２を形成し、各データライン７のリー
ド部７ａが配置している部分には、そのリード部７ａと
重なるようにゲートライン６のリード部６ａと同じ膜厚
のゲートダミー膜１３を形成し、ゲートライン６および
データライン７のいずれのリード部６ａ，７ａも配置し
ていない部分には、ゲートライン６のリード部６ａと同
じ膜厚のゲートダミー膜１３と、データライン７のリー
ド部７ａと同じ膜厚のデータダミー膜１２とを重ねて形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示装置に用
いる液晶セルに係り、特にそのセルギャップ（基板間
隔）の均一度をより高くした液晶セルに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置には、一般に利用されてい
るＴＮ型のもののほかに、カラーフィルタを用いずに着
色の表示を得る複屈折効果型、強誘電性液晶または反強
誘電性液晶を使用するもの等があり、これらの液晶表示
装置は、一般に、液晶セルと、この液晶セルを挟んで配
置された一対の偏光板とで構成されている。なお、複屈
折効果型の液晶表示装置には、液晶セルと偏光板との間
に位相差板を設けているものもある。

【０００３】上記液晶セルは、ガラス等からなる一対の
基板を、セルギャップ（基板間隙）を規制するギャップ
材を混入した樹脂からなる枠状のシール材を介して接合
し、これら基板間の前記シール材で囲まれた領域に液晶
を封入したもので、前記一方の基板の内面には、複数の
画素電極と、これらの画素電極にそれぞれ接続する複数
の能動素子と、これら能動素子にゲート信号およびデー
タ信号を供給するゲートラインおよびデータラインと、
これらラインと前記シール材の外側に配置するゲート信
号端子およびデータ信号端子とをそれぞれ接続するリー
ド部とが形成され、他方の基板の内面には、前記複数の
画素電極に対向する対向電極が形成されている。

【０００４】なお、前記各基板の画素電極や対向電極上
には、液晶分子の配向状態を規制する配向膜が設けられ
ている。また、カラーフィルタを用いて着色の表示を得
るＴＮ型、強誘電性液晶表示装置等に用いられる液晶セ
ルでは、いずれか一方の基板の内面にカラーフィルタが
設けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶表
示装置の表示特性は、液晶層の層厚や液晶分子の配向状
態によって変化するため、表示むらのない高品質の表示
を得るには、液晶セルの液晶層厚、つまりセルギャップ
をセル全体に亘って均一に保つことが必要である。

【０００６】このセルギャップは、両基板を接合するシ
ール材に混入されたギャップ材で規制されるが、前記シ
ール材による接合部のうちの前記ゲートラインのリード
部とデータラインのリード部が通っている部分のセルギ
ャップは、前記それぞれのリード部の上に散布されたギ
ャップ材で規制され、他の領域のセルギャップは、基板
面に接するギャップ材で規制されるため、前記リード部
の通っている部分のセルギャップと、リード部の通って
いない部分のセルギャップとの間では、リード部の膜厚
に応じたセルギャップ差が生じてしまう。

【０００７】このセルギャップ差は、ＴＮ型液晶表示装
置ではほとんど問題にならない精度であるが、しかし複
屈折効果型の液晶表示装置や、強誘電性液晶表示装置等
においては、液晶セルのセルギャップの僅かなばらつき
も表示特性に影響し、例えば液晶の複屈折効果（または
液晶および位相差板の複屈折効果）と偏光板の偏光作用
とを利用し、印加電圧に対応した液晶セルのΔｎ・ｄ
（液晶の屈折率異方性Δｎと液晶層厚ｄとの積）の変化
によって複数の色を表示する複屈折効果型の液晶表示装
置では、僅かなセルギャップのばらつきが表示の色むら
となって現れてしまう。

【０００８】この発明は、このような点に着目してなさ
れたもので、その目的とするところは、両基板間のセル
ギャップをばらつきなく高い精度を保って各部均一にし
た液晶セルを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明はこのような目
的を達成するために、マトリクス状に配列された複数の
画素電極と、これらの画素電極に接続された複数の能動
素子と、これら能動素子にゲート信号およびデータ信号
を供給するゲートラインおよびデータラインと、これら
のラインから前記複数の画素電極の配置領域外へ接続す
るリード部とが形成された一方の基板と、前記複数の画
素電極と対向する対向電極が形成された他方の基板と、
前記一方と他方の基板とを接合する枠状のシール材と、
前記シール材により囲まれた前記一方と他方の基板の間
隙に封入された液晶とを有する液晶セルにおいて、前記
シール材が配置された枠状の接合領域のうち、前記デー
タラインのリード部が配置された部分以外の他の部分
に、前記データラインのリード部と実質的に同じ厚さの
データダミー膜を形成したことを特徴とする液晶セルで
ある。

【００１０】このような液晶セルにおいては、対向する
基板を接合するための接合領域のデータラインのリード
部が形成されていない他の部分に、このリード部の膜厚
と実質的に等しい膜厚のデータダミーを配置したので、
前記接合領域における各部位の基板間隙の差をさらに小
さくすることができ、液晶セルの基板間隙を均一にする
ことができる。

【００１１】また、前記データダミー膜はゲートライン
のリード部と重ねて配置することにより、データライン
のリード部が形成された部分とゲートダミー膜が形成さ
れた部分の基板間隙の差をさらに小さくすることがで
き、液晶セルの基板間隙を均一にすることができる。

【００１２】さらに、この発明は前記データダミー膜に
加えて、ゲートラインのリード部と実質的に等しい膜厚
のゲートダミー膜をデータラインのリード部またはデー
タダミー膜、あるいはその両方に重ねて配置することに
より、接合領域でのリード部とダミー膜および２つのダ
ミー間隔が等しくなるので、液晶セルのセルギャップを
より一層均一にすることができる。

【００１３】また、前記データダミー膜とゲートダミー
膜は、それぞれ前記ゲートラインのリード部と前記デー
タラインのリード部に沿った辺を有する矩形形状に形成
され、少なくとも一辺が前記接合領域のシール材に埋め
込まれて、前記ダミー膜が前記シール材を貫かないよう
にし、各ダミー膜とシール材との境界に沿って不純物が
液晶セル内に侵入するのを防止することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】この発明においては、ＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）と、このＴＦＴに接続された画素電
極、ゲートライン、データラインが形成された一方の基
板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成された他
方の基板とを所定の基板間隙で対向するように前記基板
の周辺でシール材により接合した液晶セルにおいて、前
記シール材が配置された接合領域のうち前記基板間のデ
ータラインのリード部が前記シール材を貫通して配置さ
れた部分と、前記ゲートラインのリード部が前記シール
材を貫通して配置された部分と、前記データラインとゲ
ートラインのリード部のいずれも配置されない部分のう
ち、前記ゲートラインのリードが配置された部分と、い
ずれのリード部も配置されない部分の一方または両方
に、データラインの膜厚と実質的に等しい膜厚を有する
データダミー膜を形成した。このデータダミー膜は少な
くとも前記いずれのリード部も配置されない部分に形成
され、さらに前記ゲートラインのリードが配置された部
分に形成されるのが望ましい。

【００１５】さらに、上述したデータダミー膜に加え
て、前記接合領域のうち前記データラインとゲートライ
ンのリード部のいずれも配置されていない部分の一方ま
たは両方に、ゲートラインの膜厚と実質的に等しい膜厚
を有するゲートダミー膜をさらに形成した。このゲート
ダミー膜は少なくとも前記いずれのリード部も配置され
ない部分に形成され、さらに前記データラインのリード
部が配置された部分に形成されるのが望ましい。

【００１６】そして、最も望ましくは、前記接合領域の
うち、ゲートラインのリード部が配置された部分には、
前記データダミー膜が形成され、ゲートラインのリード
部とデータラインのリード部のいずれも配置されない部
分には、データダミー膜とゲートダミー膜の両方とも形
成されるものである。

【００１７】各ダミー膜は、ゲートラインやデータライ
ンのリード部と同じ幅の線状で、かつ各リード部の配列
の間隔幅で互いに積層するように形成してもよいし、あ
るいはシール材の長手方向に沿って連続する帯状に形成
してもよい。この場合、各ダミー膜のシール材の長手方
向に沿った辺の少なくとも一方は、前記シール材に埋め
込むように配置されるのが望ましい。

【００１８】また、ゲートラインとそのリード部の表面
にそれぞれ陽極酸化処理による酸化膜を形成することも
可能であり、この場合にはゲートラインのリード部の膜
厚とゲートダミー膜との膜厚が同一となるようにそのゲ
ートダミー膜の表面にも陽極酸化処理による酸化膜を形
成する。

【００１９】

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。第１実施例について図１乃至図５を参照
して説明する。この発明の液晶セルは、その一部を破断
して示した図３に示すように、薄膜トランジスタを能動
素子とするアクティブマトリックス型のものであり、ガ
ラス等からなる一対の透明基板１，２が枠状のシール材
３を介して接合され、前記シール材３で囲まれた前記基
板１，２間に液晶２０が封入されたものである。

【００２０】前記一対の基板１，２のうちの一方、例え
ば下側基板１の内面には、図４に示すように、マトリッ
クス状に配列された複数の透明な画素電極４と、これら
画素電極４にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジス
タ５と、これら薄膜トランジスタ５（以下、ＴＦＴとい
う）のそれぞれにゲート信号およびデータ信号を供給す
るゲートライン６およびデータライン７とが形成されて
いる。

【００２１】このゲートライン６およびデータライン７
は、それぞれシール材３が形成される接合領域（図３の
破線で示す）を通って基板１の外側に延出されて、リー
ド部６ａ，７ａを形成し、基板１の縁部に形成された駆
動回路との接続端子６ｂ，７ｂに接続されている。

【００２２】この実施例では、基板１上の前述した複数
の画素電極４がマトリクス状に配列された部分で画像を
表示する表示領域Ｅを形成し、前記接合領域に対応する
部分に後述するゲートダミー膜１３とデータダミー膜１
２のいずれか一方が、あるいは両方が設けられるダミー
形成領域Ｄを形成している。

【００２３】なお、図４ではＴＦＴ５を簡略化して示し
てあるが、このＴＦＴ５は、基板１の上に形成されたゲ
ート電極と、このゲート電極を覆うＳｉＮ等からなるゲ
ート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極
と対向して形成されたｉ型半導体膜と、このｉ型半導体
膜の両側部の上にｎ型半導体膜を介して形成されたソー
ス電極およびドレイン電極とからなっており、上記ゲー
トライン６は基板１の上に配線され、ＴＦＴ５のゲート
電極は前記ゲートライン６に一体に形成されている。

【００２４】また、ＴＦＴ５のゲート絶縁膜は、表示領
域Ｅの全域に亘って形成されており、上記データライン
７はこのゲート絶縁膜の上に配線されてＴＦＴ５のドレ
イン電極に接続され、画素電極４はゲート絶縁膜の上に
形成されてＴＦＴ５のソース電極に接続されている。そ
してＴＦＴ５を覆うようにＳｉＮ等からなる保護膜が形
成されている。

【００２５】上側基板２の内面には、図３に示すよう
に、上記各画素電極４の全てに対向する対向電極８が形
成されている。この対向電極８は、表示領域Ｅの全域に
対応する一枚膜状の透明導電膜からなる。

【００２６】さらに、図では省略しているが、下側基板
１の内面には、各画素電極４やＴＦＴ５を覆う配向膜が
形成され、上側基板２の内面には、対向電極８を覆う配
向膜が形成されている。これら配向膜は、ポリイミド等
の水平配向材からなり、その膜面にラビングによる配向
処理が施されている。

【００２７】前記下側基板１と上側基板２とは、それぞ
れの画素電極４と対向電極８が形成された面を内側にし
て対向配置し、これらの基板１，２間の周辺に前記画素
電極４から延出したリード部６ａ，７ａと交差するよう
に配置されたシール材３によって接合され、このシール
材３が形成された部分が接合領域を形成している。

【００２８】なお、これら配向膜は、シール材３と重な
らないように、シール材３による接合領域を避けて少な
くとも表示領域Ｅの全域に亘るように設けられている。
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、前記接合領域の各部分
の断面構造を示しており、図１（ａ）はその接合領域の
うちの前記ゲートライン６のリード部６ａが配置された
図３におけるＡ部の断面図、図１（ｂ）はその接合領域
のうちの前記データライン７のリード部７ａが配置され
た図３におけるＢ部の断面図、図１（ｃ）はその接合領
域のうちのゲートライン６およびデータライン７のいず
れのリード部６ａ，７ａも配置されない図３におけるＣ
部の断面図である。

【００２９】また、図２（ａ）には、図１（ａ）中のイ
−イ線に沿う断面図を、図２（ｂ）には、図１（ｂ）中
のロ−ロ線に沿う断面図を、図２（ｃ）には、図１
（ｃ）中のハ−ハ線に沿う断面図をそれぞれ示してあ
る。

【００３０】図１（ａ）および図２（ａ）に示すよう
に、ゲートライン６およびそのリード部６ａは基板１の
上に形成され、ゲート絶縁膜１０で覆われている。この
ゲートライン６およびそのリード部６ａは例えばＡｌＴ
ｉなどのＡｌ合金の単層の金属膜からなり、その膜厚ｔ
1 が例えば 0.230μｍとなっている。

【００３１】データライン７およびそのリード部７ａ
は、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、ゲート
絶縁膜１０の上に形成され、保護膜１１で覆われてい
る。このデータライン７およびそのリード部７ａは、Ｃ
ｒと例えばＡｌＴｉなどのＡｌ合金の二層の金属膜から
なり、その膜厚ｔ2 が例えば 0.355μｍとなっている。

【００３２】前記各ゲートライン６のリード部６ａの上
には、図１（ａ）および図２（ａ）に示すように、ゲー
ト絶縁膜１０を介して、データライン７のリード部７ａ
と同じ膜厚のデータダミー膜１２がそれぞれ形成され、
これらデータダミー膜１２が保護膜１１で覆われてい
る。前記データダミー膜１２はゲートライン６のリード
部６ａとほぼ同じ幅で積層して形成され、ゲート絶縁膜
１０を介してそのリード部６ａの上に重なるように設け
られている。

【００３３】前記各データライン７のリード部７ａの下
には、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、ゲー
ト絶縁膜１０を挟んでゲートライン６のリード部６ａと
同じ膜厚のゲートダミー膜１３がそれぞれ形成されてい
る。このゲートダミー膜１３はデータライン７のリード
部７ａとほぼ同じ幅の線状に形成され、ゲート絶縁膜１
０を挟んでそのリード部７ａと重なるように設けられて
いる。

【００３４】さらに前記接合領域のうちでゲートライン
６およびデータライン７のいずれのリード部６ａ，７ａ
も配置しない図３におけるＣ部においては、図１（ｃ）
および図２（ｃ）に示すように、ゲートライン６のリー
ド部６ａと同じ膜厚のゲートダミー膜１３と、データラ
イン７のリード部７ａと同じ膜厚のデータダミー膜１２
とがゲート絶縁膜１０を挟んで重なるように形成され、
前記データダミー膜１２が保護膜１１で覆われている。
これらダミー膜１２，１３は前記リード部６ａ，７ａと
ほぼ同じ幅の線状に形成され、かつリード部６ａ，７ａ
の隣接するリード部６ａ，７ａとの間隔と同じ間隔でシ
ール材３の長手方向に沿って並列するように設けられて
いる。

【００３５】前記Ａ部およびＣ部に形成されたデータダ
ミー膜１２は、データライン７およびそのリード部７ｂ
と同じＣｒとＡｌＴｉとの二層構造の金属膜からなり、
前記Ｂ部およびＣ部に形成されたゲートダミー膜１３
は、ゲートライン６およびそのリード部６ａと同じＡｌ
Ｔｉの単層の金属膜からなる。

【００３６】したがってＢ部およびＣ部のゲートダミー
膜１３は、ゲートライン６およびそのリード部６ａを基
板１の上にパターン形成する工程時に同時に形成するこ
とができ、Ａ部およびＣ部のデータダミー膜１２は、デ
ータライン７およびそのリード部７ａをゲート絶縁膜１
０の上にパターン形成する工程時に同時に形成すること
ができる。そしてこの方法で各ダミー膜１２，１３を形
成することにより、Ｂ部およびＣ部のゲートダミー膜１
３をゲートライン６およびそのリード部６ａの膜厚と同
じにし、Ａ部およびＣ部のデータダミー膜１２をデータ
ライン７およびそのリード部７ａの膜厚と同じにするこ
とができる。

【００３７】各ダミー膜１２，１３は、それぞれ所定の
長さの線状に形成され、かつ互いに所定の間隔をあけて
並列しているが、いずれのダミー膜１２，１３もシール
材３の外縁よりも内側に各ダミー膜１２，１３の一辺を
配置してシール材３と重なるように設けられている。

【００３８】一方、前記シール材３は、熱硬化性または
光硬化性の樹脂からなり、その樹脂中には、両基板１，
２間のセルギャップを規制するための球状の樹脂やＳｉ
Ｏ₂等の絶縁性粒子からなるギャップ材１５が多数混入
されている。

【００３９】この実施例の液晶セルは、一対の基板１，
２のいずれか一方、例えば上側基板２に前述のシール材
３を液晶封入領域を囲む枠状に印刷し、両基板１，２を
重ね合わせて加圧し、これら基板１，２間の間隙（セル
ギャップ）をシール材３中のギャップ材１５で規制し、
この状態でシール材３を硬化させて両基板１，２を接合
することにより組み立てられている。

【００４０】そして液晶セルを組み立てた後に、この液
晶セルの内部、つまり両基板１，２とシール材３とで囲
まれた液晶封入領域に、前記シール材３を部分的に欠落
させて形成しておいた液晶注入口（図示せず）から真空
注入法により液晶を注入充填し、その後、前記注入口を
封止樹脂（図示せず）で封止する。

【００４１】この液晶セル内に封入された液晶の分子
は、両基板１，２にそれぞれ設けられた配向膜によって
それぞれ基板１，２の近傍における配向方向が規制さ
れ、両基板１，２間において所定の配向状態、例えばツ
イスト配向状態に配向する。

【００４２】この実施例の液晶セルにおいては、シール
材３による両基板１，２の接合領域のうちのゲートライ
ン６のリード部６ａが通っているＡ部では、そのゲート
ライン６のリード部６ａとデータダミー膜１２とが積層
して配置し、データライン７のリード部７ａが通ってい
るＢ部では、そのデータライン７のリード部７ａとゲー
トダミー膜１３とが積層して配置し、ゲートライン６お
よびデータライン７のいずれのリード部６ａ，７ａも通
っていないＣ部では、ゲートダミー膜１３とデータダミ
ー膜１２とが積層して配置している。

【００４３】そして、データダミー膜１２の膜厚はデー
タライン７のリード部７ａの膜厚と同じで、ゲートダミ
ー膜１３の膜厚はゲートライン６のリード部６ａの膜厚
と同じであり、したがって前記Ａ部でのリード部６ａと
データダミー膜１２とのトータルの膜厚と、Ｂ部でのリ
ード部７ａとゲートダミー膜１３とのトータルの膜厚
と、Ｃ部でのゲートダミー膜１３とデータダミー膜１２
とのトータルの膜厚とが同じとなり、したがってシール
材３内のギャップ材１５で規制されるＡ部、Ｂ部、Ｃ部
の各部のセルギャップが同一に保たれるので、シール材
３のほぼ全周の区間に亘ってセルギャップが均一とな
る。

【００４４】このため、例えば液晶の複屈折効果（また
は液晶および位相差板の複屈折効果）と偏光板の偏光作
用とを利用し、印加電圧に対応した液晶セルのΔｎ・ｄ
の変化によって複数の色を表示する複屈折効果型の液晶
表示装置に上記液晶セルを用いることにより、液晶セル
のセルギャップのばらつきによる色むらの発生がほとん
どない高品質のカラー表示を実現することができる。

【００４５】また、この実施例の液晶セルにおいては、
各ダミー膜１２，１３をシール材３の外縁よりも内側に
配置するように設けてある、即ち、ダミー形成領域の内
縁を接合領域の内縁より外側で且つ重なる位置に配置し
ているので、外部からダミー膜１２，１３の境界面を伝
って不純物がセル内の液晶中に侵入するような不都合を
防止することができる。なお、各ダミー膜は前述のシー
ル材の長手方向に沿った一方の一辺にシール材３を重ね
ておけば良いのであって、前記ダミー形成領域の外縁を
接合領域の内縁より大きく、且つ重なり合うように配置
しても良い。

【００４６】図５および図６にはこの発明の第２の実施
例を示してある。この実施例においては、各ゲートライ
ン６およびそのリード部６ａの表面に陽極酸化処理によ
る酸化層６′がそれぞれ形成されている。そしてこのゲ
ートライン６のリード部６ａと同じ膜厚にするために、
各ゲートダミー膜１３の表面にも同様に陽極酸化処理に
よる酸化層１３′が形成されている。

【００４７】そして、この実施例の場合には、各ゲート
ダミー膜１３に対する陽極酸化処理を可能にするため
に、その各ゲートダミー膜１３の一端側の端部がシール
材３の外縁からその外側に延出して基板１の周縁部に達
するように形成してある。

【００４８】この実施例によれば、ゲートライン６およ
びそのリード部６ａの表面に陽極酸化膜６′が形成さ
れ、この陽極酸化によりこのゲートライン６およびその
リード部６ａの膜が厚くなっている。そのため、ゲート
ダミー膜１３を基板の周縁部まで延長させて設け、この
延長させた部分から陽極酸化に際して陽極酸化電位を供
給することにより、その表面に陽極酸化膜１３′を形成
した。これにより、ゲートライン６のリード部６ａと、
ゲートダミー膜１３の膜厚を陽極酸化処理後も実質的に
等しくすることができ、ギャップ材が配置される接合領
域の各部における基板間隔を等しくして、液晶セルのセ
ルギャップが均一になる。

【００４９】上述した第１，第２の実施例では、前記接
合領域のうち、ゲートライン６のリード６ａが配列され
たＡ部にはデータダミー膜１２を、データライン７のリ
ード部７ａが配列されたＢ部にはゲートダミー膜１３
を、ゲートライン６とデータライン７のいずれのリード
部にも配列されていないＣ部には、データダミー膜１２
およびゲートダミー膜１３をそれぞれ設けた場合につい
て示したが、この発明は上記第１，第２の実施例に限る
ものでなく、前記接合領域のＡ部，Ｃ部のうち、少なく
ともＣ部に少なくともデータダミー膜１２を設けるよう
にしてもよい。すなわち、データダミー膜１２は、ゲー
トライン６およびデータライン７それぞれのリード部が
形成されていないＣ部に、あるいは、このＣ部およびゲ
ートライン６のリード部が形成されているＡ部に形成さ
れてもよい。さらに、前記データダミー膜１２に加え
て、Ｃ部およびデータライン７が配置されたＢ部の一方
または両方に前記ゲートダミー膜１３を形成するのが望
ましい。このように、少なくともデータダミー膜１２を
Ｃ部，Ａ部あるいは両方に設けたので、低抵抗化するた
めに膜厚が厚く形成されるデータライン７のリード部７
ａにより前記接合部に起こる基板間隔の差が小さくな
り、均一なセルギャップが得られる。なお、前記各実施
例においては、各ダミー膜を一定の間隔をあけて配列す
る線状に形成したが、シール材の長手方向に沿って連続
する帯状に形成してもよい。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明は、対向
する基板を接合するための接合領域のデータラインのリ
ード部が形成されていない他の部分に、このリード部の
膜厚と実質的に等しい膜厚のデータダミー膜を配置させ
たので、前記接合領域における各部位の基板間隔の差が
小さくなり、液晶セルは全体のセルギャップを均一にす
ることができる。

【００５１】また、前記データダミー膜はゲートライン
のリード部と重ねて配置されているので、データライン
のリード部が形成された部分とデータダミー膜が形成さ
れた部分の基板間隙の差をさらに小さくすることがで
き、液晶セルの基板間隔を均一にすることができる。

【００５２】さらに、この発明は前記データダミー膜に
加えて、ゲートラインのリード部と実質的に等しい膜厚
のゲートダミー膜をデータラインのリード部またはデー
タダミー膜、あるいはその両方に重ねて配置したので、
接合領域でのリード部とダミー膜および２つのダミー膜
の重なりによる膜厚が等しくなり、ギャップ材が配置さ
れる前記接合領域の間隔を等しくすることができるの
で、セルギャップを均一にすることができる。

【００５３】さらに、前記ダミー膜を、その一辺が前記
シール材と重ねて、前記シール材の長手方向に沿って配
列したので、ダミー膜が前記シール材を貫いていないの
で、各ダミー膜とシール材との境界に沿って不純物が液
晶セル内に侵入することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例に係る液晶セルの断面
構造を示し、（ａ）は両基板が接合された接合領域のう
ちのゲートラインのリード部が通っている部分の断面
図、（ｂ）はデータラインのリード部が通っている部分
の断面図、（ｃ）はゲートラインおよびデータラインの
いずれのリード部も通っていない部分の断面図。

【図２】（ａ）は図１中のイ−イ線に沿う断面図、
（ｂ）は図１中のロ−ロ線に沿う断面図、（ｃ）は図１
中のハ−ハ線に沿う断面図。

【図３】液晶セルの構成を概略的に示す一部破断の平面
図。

【図４】その液晶セルの一方の基板の一部分を拡大して
示す平面図。

【図５】この発明の第２の実施例に係る液晶セルの断面
構造を示し、（ａ）は両基板が接合された接合領域のう
ちのゲートラインのリード部が通っている部分の断面
図、（ｂ）はデータラインのリード部が通っている部分
の断面図、（ｃ）はゲートラインおよびデータラインの
いずれのリード部も通っていない部分の断面図。

【図６】（ａ）は図１中のイ−イ線に沿う断面図、
（ｂ）は図１中のロ−ロ線に沿う断面図、（ｃ）は図１
中のハ−ハ線に沿う断面図。

【符号の説明】

１，２…基板 ３…シール材 ４…画素電極 ５…薄膜トランジスタ ６…ゲートライン ６ａ…リード部 ７…データライン ７ａ…リード部 １２…データダミー膜 １３…ゲートダミー膜 １５…ギャップ材

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マトリクス状に配列された複数の画素電極
   と、これらの画素電極に接続された複数の能動素子と、
   これら能動素子にゲート信号とデータ信号をそれぞれ供
   給するゲートラインおよびデータラインと、これらのラ
   インから前記複数の画素が配置された表示領域の外へ延
   出するリード部とが形成された一方の基板と、前記複数
   の画素電極と対向する対向電極が形成された他方の基板
   と、前記一方と他方の基板とを接合する枠状のシール材
   と、前記シール材により囲まれた前記一方と他方の基板
   の間隙に封入された液晶とを有する液晶セルにおいて、 前記シール材が配置された枠状の接合領域のうち、前記
   データラインのリート部が配置された部分以外の他の部
   分に、前記データラインのリード部と実質的に同じ厚さ
   のデータダミー膜を形成したことを特徴とする液晶セ
   ル。
2. 【請求項２】前記データダミー膜は、前記接合領域のう
   ち、前記ゲートラインのリード部が配置された部分に、
   前記ゲートラインのリード部と積層して形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶セル。
3. 【請求項３】前記接合領域に対応させて、前記ゲートラ
   インのリード部が配置された部分以外の部分に配置さ
   れ、前記ゲートラインと実質的に同じ厚さのゲートダミ
   ー膜をさらに備え、前記データダミー膜は、前記接合領
   域に対応させて、前記ゲートラインのリード部と前記ゲ
   ートダミーとにそれぞれ積層して形成されていることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶セル。
4. 【請求項４】前記データダミー膜とゲートダミー膜は、
   それぞれ前記ゲートラインのリード部と前記データライ
   ンのリード部に沿った辺を有する矩形形状に形成され、
   少なくとも一辺が前記接合領域のシール材に埋め込まれ
   ていることを特徴とする請１項１に記載の液晶セル。