JPH101396A - 発光材料およびその製造方法 - Google Patents

発光材料およびその製造方法

Info

Publication number
JPH101396A
JPH101396A JP8153691A JP15369196A JPH101396A JP H101396 A JPH101396 A JP H101396A JP 8153691 A JP8153691 A JP 8153691A JP 15369196 A JP15369196 A JP 15369196A JP H101396 A JPH101396 A JP H101396A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
emitting material
light emitting
molar ratio
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8153691A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Notaki
友博 野瀧
Masahiro Funayama
正宏 舩山
Shoji Morita
章二 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP8153691A priority Critical patent/JPH101396A/ja
Publication of JPH101396A publication Critical patent/JPH101396A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高品質で発光効率が高く、可視領域での発光
が可能な発光材料およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 純度5N(99.999%)のTb4
7 、Y2 3 、Al2 3 を(Tb0.150.853 Al
5 12となるように秤量、混合した後、成型、焼成して
原料を得、0.2vol.%の水素ガスを含有した窒素ガス
雰囲気、すなわち、還元雰囲気下で上記原料を所定時間
加熱して融解したら、窒素ガスのみの不活性雰囲気に切
り換え、種結晶(<111>方位に切り出したYAG単
結晶)を上記原料の融液に浸漬して回転させながら引き
上げる回転引き上げ法で結晶を成長させることにより、
(Tb0.150.853 Al5 12を製造するようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体レーザ、シン
チレータ、紫外線センサなどで用いられる発光材料およ
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基本的に、酸化物からなる発光材料は、
透明、すなわち、光学的に不活性な母結晶に光学的に活
性な元素が微量添加された組成となっている。例えば、
現在、最も広く利用されているYAGレーザに用いられ
ている発光材料は、光学的に不活性な母結晶であるイッ
トリウムアルミニウムガーネット(Y3 Al5 12:以
下、YAGと記す)のイットリウム(Y)格子点の1〜
3%程度を光学的に活性な元素であるネオジウム(Nd
3+)で置換した酸化物単結晶からなっている。このよう
な酸化物単結晶からなる発光材料は、その品質や結晶寸
法などの面から、通常、回転引き上げ法やブリッジマン
法などのような溶融固化法で製造されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、これま
での研究から、還元雰囲気下で成長させた無色透明なテ
ルビウムアルミネート(TbAlO3 )に紫外光(波長
360nm)を照射すると、室温で肉眼でも充分に確認
できる強度の可視光(緑色:波長543nm,蛍光寿命
約0.125ミリ秒)が発せられることを見出してい
る。これに対し、不活性雰囲気下で成長させたTbAl
3 は、結晶が茶色に着色しており、紫外光を照射して
も可視光を発することがなかった。ここで、上記各雰囲
気下で成長させたTbAlO3 の吸収スペクトルを図3
に示す。
【0004】図3からわかるように、還元雰囲気下で成
長させたTbAlO3 (実線)は、300〜400nm
の紫外領域にTb3+に起因するシャープな吸収ピークを
有するものの、発光波長である543nm付近では吸収
ピークを有さずに透明となっている。つまり、紫外光が
照射されると、光エネルギを吸収して電子が励起し、励
起した電子がエネルギレベルのより低い凖位に遷移する
際にそのエネルギ差を蛍光(波長543nm)として放
出しているのである。
【0005】これに対し、不活性雰囲気下で成長させた
TbAlO3 (点線)は、上述したTb3+に起因するシ
ャープな吸収ピーク以外に、約430nmを中心とする
可視領域にブロードで強い吸収を有している。つまり、
不活性雰囲気下で成長させたTbAlO3 においては、
この可視領域でのブロードな吸収のために可視光を発す
ることができないのである。この可視領域でのブロード
な吸収は、結晶内に存在するTb4+に起因したものと考
えられる。すなわち、Tb3+は、光学活性を有している
ものの、Tb4+は、Tb3+の光学特性を低下させるよう
に作用してしまうのである。
【0006】このため、工業的に製造されている酸化テ
ルビウム(Tb4 7 :Tb3+とTb4+とが同等の割合
で存在)を使用して、Tbを光学活性元素とした酸化物
単結晶を成長させるためには、還元雰囲気下でTbを三
価に制御する必要がある。
【0007】一方、YAGは、還元雰囲気下で成長する
と、酸素欠損によってカラーセンタが生じて黒色に着色
してしまい、Tb3+の発光を妨げる虞がある。ここで、
不活性雰囲気および還元雰囲気で各々成長させたYAG
の吸収スペクトルを図4に示す。
【0008】図4からわかるように、還元雰囲気下で成
長させたYAG(点線)は、不活性雰囲気下で成長させ
たYAG(実線)と比較して、すべての波長領域におい
て透過率が低くなってしまい、明らかにTb3+の発光を
妨げてしまう。
【0009】このようなことから、本発明は、上述した
ような問題を解決し、高品質で発光効率が高く、可視領
域での発光が可能な発光材料およびその製造方法を提供
することを目的とした。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述した
課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、YAGの
母結晶にTb3+を光学活性元素として添加した酸化物単
結晶が可視領域で強い蛍光を示す発光材料として優れた
特性を有することを見出した。さらに、結晶品質や結晶
口径などの面から有利である回転引き上げ法で製造する
際、全てのTbが光学的に活性なTb3+となるように還
元雰囲気下で原料を融解する一方、YAGがカラーセン
タで着色しないように不活性雰囲気下で成長させること
により、上述したような優れた特性を有する発光材料を
製造できることを見出した。
【0011】ここで、上述した発光材料は、R3 Al5
12(R:Tb3+とYとの混合物)の組成を有してガー
ネット構造をなす単相単結晶からなることを特徴とす
る。このような発光材料においては、上記RにおけるT
3+とYとのモル比が下記の式(1)〜(4)を満たす
と好ましい。
【数2】 1.04x+1.02y≦1.03 ・・・(1) x+y=1 ・・・(2) 0<x<1 ・・・(3) 0<y<1 ・・・(4) 但し、x:Tb3+のモル比 y:Yのモル比 特に、上記xが下記の式(5)を満たすとさらに好まし
い。
【数3】 0.1≦x≦0.3 ・・・(5) また、このような発光材料においては、紫外波長域およ
び可視波長域においてTb3+のエネルギ凖位 76 多重
項の吸収および 54 多重項の発光がある一方、 54
多重項の吸収が実質的にないと好ましい。
【0012】上述したガーネット構造は、光学的に対称
性および等方性に優れているので、高特性を発現するこ
とができる。ここで、ガーネット構造の単相とすること
により、ガーネット構造以外の光学的に不均質な相、例
えば、ペロブスカイト相をなくすことができ、等方性な
どを確実に維持することができる。さらに、単結晶とす
ることにより、結晶粒界などのような欠陥をなくすこと
ができ、等方性などを緻密に維持することができる。
【0013】なお、上記式(1)を満足しない場合、す
なわち、1.04x+1.02y>1.03となってし
まう場合には、単相のガーネット構造が生じにくくなる
と共に、偏析などを生じてクラックなどの欠陥を生じて
しまう虞がある。
【0014】また、上記式(1)の左項の値が大きいほ
ど、蛍光寿命が大きくなるものの製造しにくくなり、上
記式(1)の左項の値が小さいほど、蛍光寿命が小さく
なるものの製造が容易となる傾向にある。このため、上
記式(1)を満たす範囲内で当該式(1)の左項の値を
調整することにより、製品性能と製造コストとのバラン
スを調整することができる。
【0015】一方、上述した発光材料の製造方法は、テ
ルビウム、イットリウム、アルミニウムの各酸化物を含
有する原料を還元雰囲気下で融解した後、不活性雰囲気
下で成長させることにより、アルミニウムガーネットの
単相単結晶を製造することを特徴とする。
【0016】つまり、原料の融解を還元雰囲気で行うこ
とにより、テルビウムの価数を制御、すなわち、光学活
性を示さない四価のテルビウムの混入を抑えて三価のテ
ルビウムとすることができる一方、結晶の育成を不活性
雰囲気で行うことにより、結晶の着色を防ぐことができ
るようにしたのである。このような製造方法によれば、
上述した発光材料を容易に製造することができる。
【0017】[作用]本発明者らは、テルビウム格子点
をイットリウムなどの光学的に不活性な元素で置換する
ことにより、蛍光寿命が増大することを見出した。つま
り、Yの置換量を多くしてTb3+を希釈し、Tb3+の濃
度を1〜20%程度に制御することにより、発光材料と
しての光学特性を向上させることができるのである。
【0018】光学活性元素の蛍光寿命がその濃度に依存
するのは、光学活性元素と当該元素に隣接して配位する
酸素との相互作用または隣接する光学活性元素同士の相
互作用に起因していると考えられている。この現象は、
濃度消光現象として知られている。このような濃度消光
現象のため、Nd3+を活性元素とするYAGにおいて
は、Nd3+の濃度が3%を越えてしまうと、Nd3+の蛍
光寿命が極端に小さくなって蛍光が全く観測できなくな
るという事態を引き起こしてしまうことから、通常、そ
のNd3+の濃度を1〜3%程度に抑えなければならな
い。しかしながら、Tb3+を活性元素とした場合には、
定性的にはNd3+の場合と同様な濃度消光現象が起こる
ものの、定量的にはその現象が極めて弱いため、Tb3+
を20%程度添加しても、蛍光寿命がほとんど低下しな
いのである。
【0019】Tb3+を添加する母結晶には、Tb3+を充
分に固溶する性質や、Tb3+の吸収および発光波長領域
で高い光透過性(透明度)を有することが要求される。
このことから、イットリウムアルミネート(YAl
3 )やガドリニウムアルミネート(GdAlO3 )な
どのように斜方晶を基本格子とする希土類アルミネート
(RAlO3 :R=希土類元素)は、母結晶として好ま
しい材料であると思われるものの、結晶成長後の冷却過
程における相移転に伴ってクラックや双晶などを生じや
すいため、結晶の大型化や高品質化を図る場合には高度
な結晶成長技術が必要となってしまう。これに対し、立
方晶を基本格子とする希土類ガーネット(R 3 Al5
12:R=希土類元素)は、結晶の対称性が高いだけでな
く熱伝導率が大きいため、結晶の大型化や高品質化を図
りやすい。なかでも、Y3 Al5 12は、Tb3+の固溶
性およびTb3+の吸収および発光波長領域での光透過性
に優れた材料であるため、非常に優れた発光材料となり
得る。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明による発光材料およびその
製造方法をテルビウム・イットリウムアルミニウムガー
ネット((TbX 1-X 3 Al5 12:但し、0<X
<1)の単結晶成長に適用した場合の実施の形態を以下
に説明する。
【0021】出発原料としては、純度5N(99.99
9%)の酸化テルビウム(Tb4 7 )、酸化イットリ
ウム(Y2 3 )、酸化アルミニウム(Al2 3 )を
用いた。これらの出発原料を(Tb0.150.853 Al
5 12となるように秤量、混合した後、成型、焼成して
発光材料の原料とした。
【0022】単結晶成長は、高周波誘導加熱による回転
引き上げ装置を用いて行った。原料を保持するるつぼに
は、イリジウム製の円筒型のものを用いた。急激な温度
変化を抑制するため、るつぼの上方にイリジウム製のメ
ガホン型のアフタヒータを配設した。断熱、保温のた
め、るつぼの周辺を酸化ジルコニウム製の耐火物で包囲
した。るつぼの底面中心には、イリジウム・ロジウム熱
電対(Ir/Rh; Ir−40%)を温度モニタ用と
して配設した。真空排気や雰囲気の制御を行うため、上
記各部材をステンレス製のチャンバで包囲した。
【0023】このような構造を有する回転引き上げ装置
の上記るつぼ内に上記原料を入れたら、上記チャンバ内
を真空排気した後、0.2vol.%の水素ガスを添加した
窒素ガスを当該チャンバ内に導入することにより当該チ
ャンバ内を還元雰囲気とし、高周波誘導加熱コイルに高
周波電力を徐々に印加することによりるつぼを加熱し
て、るつぼ内の原料を完全に融解する。なお、融液の組
成の均一化を図るため、高周波出力を約12時間保持し
た。
【0024】続いて、次のような手順で結晶を成長させ
た。チャンバ内の雰囲気を窒素ガスのみの不活性雰囲気
に切り換えた後、種結晶(<111>方位に切り出した
YAGの単結晶)を所定の速度で回転させながら徐々に
降下させて、その先端をるつぼ内の融液に接触させて充
分に馴染ませたら、融液温度を調整しながら引き上げ軸
を上昇させることで結晶を成長させる。
【0025】結晶成長開始後、いわゆるネッキングを行
って結晶径を細めたら、融液温度を下げて結晶を徐々に
太らせることにより、肩部に引き続いて直胴部を成長さ
せる。直胴部を65mm成長させたら、引き上げ速度を
上昇させると共に融液温度を上げることにより結晶径を
徐々に細めて融液から結晶を切り離し、当該結晶をアフ
タヒータ内に保持することで当該結晶を室温まで徐々に
冷却する。
【0026】このようにして得られた結晶は、Tb4+
よびYAGのカラーセンタによる着色がなく無色透明で
あると共に、気泡、割れ、インクルージョンなどのよう
な巨視的欠陥が全く見られず、単結晶と認められた。ま
た、結晶の肩部を粉砕し、粉末X線回折を行ったとこ
ろ、ガーネット相のみの回折ピークしか見られず、ガー
ネット相以外の異相の回折ピークが全く見られないこと
から、単相であると認められた。また、ICP発光分析
を行った結果、その組成が(Tb0.117 0.8833
5 12であり、TbおよびYがいずれも三価であっ
た。ちなみに、この組成における前記式(1)における
左項の値は、1.022である。
【0027】また、結晶を成長方向に垂直に切り出した
ウエハの両面を光学研磨して透過偏光を観察したとこ
ろ、結晶の中央のコア部を除いて均一に消光することが
確認できた。また、上述と同様に切り出して研磨したウ
エハ(厚さ2.5mm)の透過スペクトルを計測した結
果、図1に示すようなチャートが得られた。図1からわ
かるように、(Tb0.117 0.883 3 Al5 12の単
結晶は、Tb3+のエネルギ凖位 76 多重項に相当する
300〜400nmの波長の吸収が認められるものの、
Tb3+のエネルギ凖位 54 多重項に相当する543n
mの波長の吸収が認められなかった。また、上記ウエハ
の蛍光スペクトルを計測した結果、図2に示すようなチ
ャートが得られた。図2からわかるように、(Tb
0.117 0.8833 Al5 12の単結晶は、Tb3+のエ
ネルギ凖位 54 多重項に相当する543nmの波長の
可視光(緑色)を発することが認められた。
【0028】
【発明の効果】本発明の発光材料およびその製造方法に
よれば、次のような効果を得ることができる。 (1)対称性が高く、熱伝導率の大きなアルミニウムガ
ーネットを母結晶としているので、高品質および大口径
の単結晶成長が可能である。そのため、高品質な発光材
料を低コストで量産することができる。 (2)還元雰囲気で原料を融解することにより、光学特
性を極端に低下させるTb4+の混入を抑制することがで
き、高品質の発光材料が得られる。 (3)Tb3+の濃度を制御することにより、品質や性能
などを目的に応じて設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による発光材料の実施の形態の(Tb
0.117 0.883 3 Al5 12の単結晶の透過スペクト
ルを表すチャートである。
【図2】本発明による発光材料の実施の形態の(Tb
0.117 0.883 3 Al5 12の単結晶の蛍光スペクト
ルを表すチャートである。
【図3】還元雰囲気および不活性雰囲気で成長させたT
bAlO3 の吸収スペクトルを表すチャートである。
【図4】還元雰囲気および不活性雰囲気で成長させたY
3 Al5 12の吸収スペクトルを表すチャートである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年7月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【数1】 1.04x+1.02y≦1.03 ・・・(1) x+y=1 ・・・(2) 0<x<1 ・・・(3) 0<y<1 ・・・(4) 但し、x:Tb3+のモル比 y:Y 3+ のモル比
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】ここで、上述した発光材料は、R3 Al5
12(R:Tb3+とY 3+ との混合物)の組成を有してガ
ーネット構造をなす単相単結晶からなることを特徴とす
る。このような発光材料においては、上記RにおけるT
3+とY 3+ とのモル比が下記の式(1)〜(4)を満た
すと好ましい。
【数2】 1.04x+1.02y≦1.03 ・・・(1) x+y=1 ・・・(2) 0<x<1 ・・・(3) 0<y<1 ・・・(4) 但し、x:Tb3+のモル比 y:Y 3+ のモル比 特に、上記xが下記の式(5)を満たすとさらに好まし
い。
【数3】 0.1≦x≦0.3 ・・・(5) また、このような発光材料においては、紫外波長域およ
び可視波長域においてTb3+のエネルギ凖位 76 多重
項の吸収および 54 多重項の発光がある一方、 54
多重項の吸収が実質的にないと好ましい。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】単結晶成長は、高周波誘導加熱による回転
引き上げ装置を用いて行った。原料を保持するるつぼに
は、イリジウム製の円筒型のものを用いた。急激な温度
変化を抑制するため、るつぼの上方にイリジウム製のメ
ガホン型のアフタヒータを配設した。断熱、保温のた
め、るつぼの周辺を酸化ジルコニウム製の耐火物で包囲
した。るつぼの底面中心には、イリジウム・ロジウム熱
電対(Ir−40%Rh)を温度モニタ用として配設し
た。真空排気や雰囲気の制御を行うため、上記各部材を
ステンレス製のチャンバで包囲した。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】このような構造を有する回転引き上げ装置
の上記るつぼ内に上記原料を入れたら、上記チャンバ内
を真空排気した後、0.2vol.%の水素ガスを添加した
窒素ガスを当該チャンバ内に導入することにより当該チ
ャンバ内を還元雰囲気とし、高周波誘導加熱コイルに高
周波電力を徐々に印加することによりるつぼを加熱し
て、るつぼ内の原料を完全に融解する。なお、融液の組
成の均一化を図るため、原料を融解した後、高周波出力
を約12時間保持した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/18 H01S 3/18

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 R3 Al5 12(R:Tb3+とYとの混
    合物)の組成を有してガーネット構造をなす単相単結晶
    からなることを特徴とする発光材料。
  2. 【請求項2】 前記RにおけるTb3+とYとのモル比が
    下記の式(1)〜(4)を満たすことを特徴とする請求
    項1に記載の発光材料。 【数1】 1.04x+1.02y≦1.03 ・・・(1) x+y=1 ・・・(2) 0<x<1 ・・・(3) 0<y<1 ・・・(4) 但し、x:Tb3+のモル比 y:Yのモル比
  3. 【請求項3】 紫外波長領域および可視波長領域におい
    てTb3+のエネルギ凖位 76 多重項の吸収および 5
    4 多重項の発光がある一方、 54 多重項の吸収が実質
    的にないことを特徴とする請求項1または2に記載の発
    光材料。
  4. 【請求項4】 テルビウム、イットリウム、アルミニウ
    ムの各酸化物を含有する原料を還元雰囲気下で融解した
    後、不活性雰囲気下で成長させることにより、アルミニ
    ウムガーネットの単相単結晶を製造することを特徴とす
    る発光材料の製造方法。
JP8153691A 1996-06-14 1996-06-14 発光材料およびその製造方法 Withdrawn JPH101396A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8153691A JPH101396A (ja) 1996-06-14 1996-06-14 発光材料およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8153691A JPH101396A (ja) 1996-06-14 1996-06-14 発光材料およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH101396A true JPH101396A (ja) 1998-01-06

Family

ID=15568036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8153691A Withdrawn JPH101396A (ja) 1996-06-14 1996-06-14 発光材料およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH101396A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100362146C (zh) * 2002-09-27 2008-01-16 株式会社村田制作所 铽型顺磁性石榴石单晶体和光磁装置
WO2012002171A1 (ja) * 2010-07-01 2012-01-05 株式会社大真空 シンチレータ材料、及びシンチレーション検出器
JP2014508704A (ja) * 2011-02-17 2014-04-10 クライツール スポル.エス アール.オー. 最高500mmの直径を有するガーネット型構造のドープ単結晶の調製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100362146C (zh) * 2002-09-27 2008-01-16 株式会社村田制作所 铽型顺磁性石榴石单晶体和光磁装置
WO2012002171A1 (ja) * 2010-07-01 2012-01-05 株式会社大真空 シンチレータ材料、及びシンチレーション検出器
US8920677B2 (en) 2010-07-01 2014-12-30 Daishinku Corporation Scintillator material and scintillation detector
JP2014508704A (ja) * 2011-02-17 2014-04-10 クライツール スポル.エス アール.オー. 最高500mmの直径を有するガーネット型構造のドープ単結晶の調製方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bergstein et al. Manganese‐Activated Luminescence in SrAl12 O 19 and CaAl12 O 19
Chen et al. Upconversion color tunability and white light generation in Yb3+/Er3+/Tm3+ tri-doped CaF2 single crystals
JP5337011B2 (ja) 磁気光学素子用酸化テルビウム結晶
US4962504A (en) Mixed lanthanide-magnesium aluminates and lasers using monocrystals of these aluminates
US4935934A (en) Mixed lanthanide-magnesium gallates and laser using monocrystals of these gallates
US5173911A (en) Mixed silicates of yttrium and lanthanide and laser using monocrystals of these silicates
JPH101396A (ja) 発光材料およびその製造方法
US4853354A (en) Mixed lanthanum-magnesium aluminates and lasers using monocrystals of these aluminates
Chen et al. Vertical Bridgman growth and optical properties of Pr3+-doped NaY (MoO4) 2 crystal
JPH0920599A (ja) テルビウム含有発光材料及びその製造方法
Sarukura et al. Czochralski growth of oxides and fluorides
JPH02283663A (ja) 透明多結晶イットリウムアルミニウムガーネット及びその製造方法
US20200388981A1 (en) Wavelength conversion device
JP5170502B2 (ja) アップコンバージョン用フッ化物バルク単結晶材料
Haiping et al. Optical spectroscopy and crystal-field strength of Cr3+ in various solid matrixes
JPH0971416A (ja) 結晶組成物ならびにそれを用いた固体レーザ装置
JPH07149599A (ja) Tb含有Al酸化物単結晶
JPH0710694A (ja) テルビウムアルミネート並びにその製法
JPH07277893A (ja) アルミナ単結晶の製法
JP3334182B2 (ja) レーザー結晶及びその製造法
JPH08288582A (ja) 光学材料の製造方法
CN112952544B (zh) 一种镝铽铝三掺的黄光激光晶体及其制备方法和应用
JP2002348196A (ja) 希土類バナデート単結晶およびその製造方法
US5174853A (en) Forsterite single crystal and method for the manufacture of the same
JP3286680B2 (ja) レーザー結晶及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030902