JPH10137550A - レジスト現像廃液の再使用方法 - Google Patents
レジスト現像廃液の再使用方法Info
- Publication number
- JPH10137550A JPH10137550A JP33883096A JP33883096A JPH10137550A JP H10137550 A JPH10137550 A JP H10137550A JP 33883096 A JP33883096 A JP 33883096A JP 33883096 A JP33883096 A JP 33883096A JP H10137550 A JPH10137550 A JP H10137550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- group
- developing
- resin
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト現像廃液を再使用する方法を提供す
る。 【解決手段】 プリント回路基板上に、重合性不飽和基
及び非プロント型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）
と光重合開始剤（Ｂ）を含有する光重合性レジスト組成
物を塗布し、形成された塗膜を乾燥した後、該塗膜にパ
ターン状に活性光線を照射して形成されるレジスト塗膜
を水で現像することによって生ずるレジスト現像廃液を
限外瀘過によって透過水とレジスト成分に分離し、透過
水を現像液として再使用することを特徴とする現像廃液
の再使用方法である。
る。 【解決手段】 プリント回路基板上に、重合性不飽和基
及び非プロント型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）
と光重合開始剤（Ｂ）を含有する光重合性レジスト組成
物を塗布し、形成された塗膜を乾燥した後、該塗膜にパ
ターン状に活性光線を照射して形成されるレジスト塗膜
を水で現像することによって生ずるレジスト現像廃液を
限外瀘過によって透過水とレジスト成分に分離し、透過
水を現像液として再使用することを特徴とする現像廃液
の再使用方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト現像廃液
の再使用方法に関し、さらに詳しくは、電子部品用回路
基板を製造する際、レジストを現像する工程で発生する
レジスト廃液を効率よく再使用する方法に関する。
の再使用方法に関し、さらに詳しくは、電子部品用回路
基板を製造する際、レジストを現像する工程で発生する
レジスト廃液を効率よく再使用する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、プリント配線板の製造に際
し、銅箔等の電導体を表面に有する絶縁材基板上に電導
体パターンをエッチング法で形成するために、パターン
を形成すべき電導体を保護する目的で所定のパターンを
有するエッチングレジスト膜がパターン上に形成され
る。また当該パターン化された基板上に部品をハンダ付
けする際に、所望の部分以外へのハンダの付着を避ける
ため、またプリント配線板表面の回路の保護を目的とし
て、プリント配線板上には所定のパターンを有するソル
ダレジストよりなる硬化塗膜が形成されている。従来、
これらのソルダレジストの現像工程では、現像液として
有機溶剤やアルカリ溶液が用いられていたが、これらは
火災の危険性、人体に対する毒性など安全衛生面の問題
があった。さらに、有機溶剤を現像液として用いる場合
使用した現像液を加熱蒸留して再使用される場合が多
い。しかし、装置が大掛かりで高価である、沸点１５０
℃以上の比較的高沸点の溶剤が用いられることが多く、
その蒸留に要するエネルギーコストが高い、現像液中の
レジストを再使用することができない、等の問題があ
る。他方、アルカリ水溶液を現像液として用いる場合、
レジスト成分中に含有しているカルボン酸等の酸成分に
よりアルカリが消費され、レジストの現像性が変化しや
すい。このため新しい現像液を常に補給してアルカリ濃
度を一定に保持する必要があり、実用上は現像液中のレ
ジスト成分濃度は３％以下程度に制御されており、その
ため大量の現像廃液が捨てられることになり、水資源の
浪費、さらに環境汚染をもたらす問題が起こる。このた
め、最近では特開平７−１１４１８２号公報、特開平７
−１１４１８３号公報、特開平７−２３０１６８号公報
等に開示されるような非プロント型オニウム塩含有基を
有する重合性不飽和基含有樹脂を用いて製造される水現
像型のレジスト組成物が提案され、このものは水で容易
に現像することが可能であり、実用化されている。上記
したレジストの現像は水によって行われるため、アルカ
リ現像の場合のように酸とアルカリの中和反応で現像液
のレジスト溶解性が低下することがなく、実際に反復使
用して現像液中のレジスト濃度１５％程度と非常に高濃
度になっても安定した現像作業を行うことができる。こ
のため、アルカリ現像型のものに比較して水資源の大幅
な節約になり、環境汚染の問題も著しく軽減できるとい
う利点がある。
し、銅箔等の電導体を表面に有する絶縁材基板上に電導
体パターンをエッチング法で形成するために、パターン
を形成すべき電導体を保護する目的で所定のパターンを
有するエッチングレジスト膜がパターン上に形成され
る。また当該パターン化された基板上に部品をハンダ付
けする際に、所望の部分以外へのハンダの付着を避ける
ため、またプリント配線板表面の回路の保護を目的とし
て、プリント配線板上には所定のパターンを有するソル
ダレジストよりなる硬化塗膜が形成されている。従来、
これらのソルダレジストの現像工程では、現像液として
有機溶剤やアルカリ溶液が用いられていたが、これらは
火災の危険性、人体に対する毒性など安全衛生面の問題
があった。さらに、有機溶剤を現像液として用いる場合
使用した現像液を加熱蒸留して再使用される場合が多
い。しかし、装置が大掛かりで高価である、沸点１５０
℃以上の比較的高沸点の溶剤が用いられることが多く、
その蒸留に要するエネルギーコストが高い、現像液中の
レジストを再使用することができない、等の問題があ
る。他方、アルカリ水溶液を現像液として用いる場合、
レジスト成分中に含有しているカルボン酸等の酸成分に
よりアルカリが消費され、レジストの現像性が変化しや
すい。このため新しい現像液を常に補給してアルカリ濃
度を一定に保持する必要があり、実用上は現像液中のレ
ジスト成分濃度は３％以下程度に制御されており、その
ため大量の現像廃液が捨てられることになり、水資源の
浪費、さらに環境汚染をもたらす問題が起こる。このた
め、最近では特開平７−１１４１８２号公報、特開平７
−１１４１８３号公報、特開平７−２３０１６８号公報
等に開示されるような非プロント型オニウム塩含有基を
有する重合性不飽和基含有樹脂を用いて製造される水現
像型のレジスト組成物が提案され、このものは水で容易
に現像することが可能であり、実用化されている。上記
したレジストの現像は水によって行われるため、アルカ
リ現像の場合のように酸とアルカリの中和反応で現像液
のレジスト溶解性が低下することがなく、実際に反復使
用して現像液中のレジスト濃度１５％程度と非常に高濃
度になっても安定した現像作業を行うことができる。こ
のため、アルカリ現像型のものに比較して水資源の大幅
な節約になり、環境汚染の問題も著しく軽減できるとい
う利点がある。
【０００３】しかし、当該レジストの場合であっても現
像液中のレジスト濃度があまり高くなると、現像液の粘
性上昇等により現像性が低下し廃棄せざるを得なくな
る。従来からも水性塗料をスプレー塗装する際、被塗物
に塗着しない塗料ダストを塗装ブース内の洗浄液に溶解
させ捕集して再使用することが行われており、例えば特
公表平４−５０４６８０号公報、特開平６−３２０１０
３号公報などに提案されている。すなわち、これらの方
法は、塗装ダストを塗装ブース内の洗浄水に捕集し、こ
れを限外瀘過膜か逆浸透膜に通し水を瀘過し濃縮するこ
とによって、水性塗料を洗浄水から分離して再生使用で
きるようにしたものである。しかし、従来のアルカリ現
像型のレジストでは、前述したようにレジスト成分は現
像液中のアルカリ成分により中和されてしまうので、濃
縮されたレジストの樹脂成分は性能が低下し再利用がで
きない。また、透過水はアルカリ濃度が低下しているた
め現像液として再使用するためにはアルカリ濃度の再調
整が必要であり、操作が複雑で管理が難しい。このた
め、上記した従来のシステムによってレジスト廃液を有
効利用することはできないのが実情である。溶剤現像型
の場合も上記したシステムの利用は、透過膜や逆浸透膜
の耐久性の点から困難である。さらにソルダレジストの
場合は多くは２液型組成物であるため、このようなシス
テムでのレジストの再利用は困難である。かように、ソ
ルダレジストの現像廃液について、上記したような処理
を行って再使用することは従来から全く行われていなか
った。
像液中のレジスト濃度があまり高くなると、現像液の粘
性上昇等により現像性が低下し廃棄せざるを得なくな
る。従来からも水性塗料をスプレー塗装する際、被塗物
に塗着しない塗料ダストを塗装ブース内の洗浄液に溶解
させ捕集して再使用することが行われており、例えば特
公表平４−５０４６８０号公報、特開平６−３２０１０
３号公報などに提案されている。すなわち、これらの方
法は、塗装ダストを塗装ブース内の洗浄水に捕集し、こ
れを限外瀘過膜か逆浸透膜に通し水を瀘過し濃縮するこ
とによって、水性塗料を洗浄水から分離して再生使用で
きるようにしたものである。しかし、従来のアルカリ現
像型のレジストでは、前述したようにレジスト成分は現
像液中のアルカリ成分により中和されてしまうので、濃
縮されたレジストの樹脂成分は性能が低下し再利用がで
きない。また、透過水はアルカリ濃度が低下しているた
め現像液として再使用するためにはアルカリ濃度の再調
整が必要であり、操作が複雑で管理が難しい。このた
め、上記した従来のシステムによってレジスト廃液を有
効利用することはできないのが実情である。溶剤現像型
の場合も上記したシステムの利用は、透過膜や逆浸透膜
の耐久性の点から困難である。さらにソルダレジストの
場合は多くは２液型組成物であるため、このようなシス
テムでのレジストの再利用は困難である。かように、ソ
ルダレジストの現像廃液について、上記したような処理
を行って再使用することは従来から全く行われていなか
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レジストの
現像によって生ずる現像廃液を瀘過することによって、
水とレジスト成分に分離し、水は現像液として再使用
し、さらには分離したレジスト成分も再生使用すること
によって、ほぼクロースな状態でレジストの現像廃液を
処理することを目的とするものである。
現像によって生ずる現像廃液を瀘過することによって、
水とレジスト成分に分離し、水は現像液として再使用
し、さらには分離したレジスト成分も再生使用すること
によって、ほぼクロースな状態でレジストの現像廃液を
処理することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記した
課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、重合性不
飽和基及び非プロント型オニウム塩含有基を有するエポ
キシ樹脂誘導体と光重合開始剤を含有する特定の光重合
性レジスト組成物の水現像によって生ずるレジスト現像
廃液は、限外瀘過処理することによって容易に再生使用
できることを見出し、本発明を完成するに至った。
課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、重合性不
飽和基及び非プロント型オニウム塩含有基を有するエポ
キシ樹脂誘導体と光重合開始剤を含有する特定の光重合
性レジスト組成物の水現像によって生ずるレジスト現像
廃液は、限外瀘過処理することによって容易に再生使用
できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】本発明は、 「１． プリント回路基板上に、重合性不飽和基及び非
プロント型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）と光重
合開始剤（Ｂ）を含有する光重合性レジスト組成物を塗
布し、形成された塗膜を乾燥した後、該塗膜にパターン
状に活性光線を照射して形成されるレジスト塗膜を水で
現像することによって生ずるレジスト現像廃液を限外瀘
過によって透過水とレジスト成分に分離し、透過水を現
像液として再使用することを特徴とする現像廃液の再使
用方法。 ２． 分離されたレジスト成分を再生レジストとして再
使用する、１項に記載されたレジスト現像廃液の再使用
方法。 ３． 透過水は、さらに逆浸透瀘過されて現像液として
再使用される、１項または２項に記載されたレジスト現
像廃液の再使用方法。 ４． 樹脂（Ａ）が有する非プロント型オニウム塩含有
基は、下記式（Ｉ）で示される基である、１項ないし３
項のいずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の使用
方法。 式（Ｉ）
プロント型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）と光重
合開始剤（Ｂ）を含有する光重合性レジスト組成物を塗
布し、形成された塗膜を乾燥した後、該塗膜にパターン
状に活性光線を照射して形成されるレジスト塗膜を水で
現像することによって生ずるレジスト現像廃液を限外瀘
過によって透過水とレジスト成分に分離し、透過水を現
像液として再使用することを特徴とする現像廃液の再使
用方法。 ２． 分離されたレジスト成分を再生レジストとして再
使用する、１項に記載されたレジスト現像廃液の再使用
方法。 ３． 透過水は、さらに逆浸透瀘過されて現像液として
再使用される、１項または２項に記載されたレジスト現
像廃液の再使用方法。 ４． 樹脂（Ａ）が有する非プロント型オニウム塩含有
基は、下記式（Ｉ）で示される基である、１項ないし３
項のいずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の使用
方法。 式（Ｉ）
【０００７】
【化５】
【０００８】式中、Ｒ１は、場合により水酸基、アルコ
キシ基、エステル基またはハロゲン原子で置換されても
よい炭素数１〜８の炭化水素基または水素原子を示し、
−Ｗ＋は、下記の式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）の基 式（ＩＩ）
キシ基、エステル基またはハロゲン原子で置換されても
よい炭素数１〜８の炭化水素基または水素原子を示し、
−Ｗ＋は、下記の式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）の基 式（ＩＩ）
【０００９】
【化６】
【００１０】又は 式（ＩＩＩ）
【００１１】
【化７】
【００１２】を示し、ここで、Ｚは窒素原子またはリン
原子を示し、Ｙは硫黄原子を示し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
は同一または相異なり、各々炭素数１〜１４の有機基を
示すか、或いはＲ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか２つは、
これらが結合している窒素原子、リン原子または硫黄原
子と一緒になって複素環式基を形成してもよい。 ５． 樹脂（Ａ）が有する非プロント型オニウム塩含有
基は、下記式（ＩＶ）で示される基である、１項ないし
４項のいずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の使
用方法。 式（ＩＶ）
原子を示し、Ｙは硫黄原子を示し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
は同一または相異なり、各々炭素数１〜１４の有機基を
示すか、或いはＲ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか２つは、
これらが結合している窒素原子、リン原子または硫黄原
子と一緒になって複素環式基を形成してもよい。 ５． 樹脂（Ａ）が有する非プロント型オニウム塩含有
基は、下記式（ＩＶ）で示される基である、１項ないし
４項のいずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の使
用方法。 式（ＩＶ）
【００１３】
【化８】
【００１４】式中、Ｒ１は、場合より水酸基、アルコキ
シ基、エステル基またはハロゲン原子で置換されてもよ
い炭素数１〜８の炭化水素基または水素原子を示し、−
Ｗ＋は、４項で示された式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）
で示される基を示す。 ６． 非プロント型オニウム塩含有基は、第４級アンモ
ニウム塩基または３級スルホニウム塩基である、１項な
いし５項のいずれか１項に記載されたレジスト現像廃液
の再使用方法。 ７． エポキシ樹脂（Ａ）重量平均分予量５００〜５
０，０００の樹脂である、１項ないし６項のいずれか１
項に記載されたレジスト現像廃液の再使用方法。 ８． エポキシ樹脂の重合性不飽和基の含有量が樹脂固
形分１Ｋｇ当り０．１〜１０モルである、１項ないし７
項のずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の再使用
方法。 ９． エポキシ樹脂（Ａ）の非プロント型オニウム塩含
有基の含有量が樹脂固形分１Ｋｇ当り０．１〜５モルで
ある、１項ないし８項のいずれか１項に記載されたレジ
スト現像廃液の再使用方法。」に関する。
シ基、エステル基またはハロゲン原子で置換されてもよ
い炭素数１〜８の炭化水素基または水素原子を示し、−
Ｗ＋は、４項で示された式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）
で示される基を示す。 ６． 非プロント型オニウム塩含有基は、第４級アンモ
ニウム塩基または３級スルホニウム塩基である、１項な
いし５項のいずれか１項に記載されたレジスト現像廃液
の再使用方法。 ７． エポキシ樹脂（Ａ）重量平均分予量５００〜５
０，０００の樹脂である、１項ないし６項のいずれか１
項に記載されたレジスト現像廃液の再使用方法。 ８． エポキシ樹脂の重合性不飽和基の含有量が樹脂固
形分１Ｋｇ当り０．１〜１０モルである、１項ないし７
項のずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の再使用
方法。 ９． エポキシ樹脂（Ａ）の非プロント型オニウム塩含
有基の含有量が樹脂固形分１Ｋｇ当り０．１〜５モルで
ある、１項ないし８項のいずれか１項に記載されたレジ
スト現像廃液の再使用方法。」に関する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の方法に適用されるレジス
ト組成物は、１分子中に重合性不飽和基及び非プロント
型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）と光重合開始剤
（Ｂ）を含有するものである。
ト組成物は、１分子中に重合性不飽和基及び非プロント
型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）と光重合開始剤
（Ｂ）を含有するものである。
【００１６】上記樹脂（Ａ）を製造するためにはエポキ
シ樹脂を利用するのが好適である。エポキシ樹脂の代表
例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
芳香族ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂等の芳香族系エポキシ樹脂、基体樹
脂がポリエーテルやポリアルキレン等からなるエポキシ
樹脂、グリシジル（メタ）アクリレート、脂環式エポキ
シ不飽和モノマー、アリールグリシジルエーテル等の不
飽和モノマーの（共）重合体が挙げられる。エポキシ樹
脂の分子量は特に制限はないが、好ましくは重量平均分
子量で約５００〜５００，０００の範囲である。上記し
たエポキシ樹脂に導入される重合性不飽和基としては、
アクリロイル基、メタクリロイル基、イタコネート基、
マレエート基、フマレート基、クロトネート基、アクリ
ルアミド基、メタクリルアミド基、桂皮酸基、ビニール
基、アリル基等があげられる。上記したエポキシ樹脂に
導入される重合性不飽和基は、樹脂１分子当り少なくと
も１個存在することが必要であり、その含有量は、硬化
性の観点から樹脂固形分１Ｋｇ当り０．１〜１０モルの
範囲にあるのが好ましく、０．５〜５モルの範囲にある
のがより好ましい。また、上記エポキシ樹脂中への非プ
ロント型オニウム塩含有基の導入は、例えば、水混和性
不活性有機溶媒中で１，２−エポキシ基を有する樹脂第
３級アミンとホスフィンまたはチオエーテル及び有機酸
を同時に反応させる方法によって行うことができる。
シ樹脂を利用するのが好適である。エポキシ樹脂の代表
例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
芳香族ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂等の芳香族系エポキシ樹脂、基体樹
脂がポリエーテルやポリアルキレン等からなるエポキシ
樹脂、グリシジル（メタ）アクリレート、脂環式エポキ
シ不飽和モノマー、アリールグリシジルエーテル等の不
飽和モノマーの（共）重合体が挙げられる。エポキシ樹
脂の分子量は特に制限はないが、好ましくは重量平均分
子量で約５００〜５００，０００の範囲である。上記し
たエポキシ樹脂に導入される重合性不飽和基としては、
アクリロイル基、メタクリロイル基、イタコネート基、
マレエート基、フマレート基、クロトネート基、アクリ
ルアミド基、メタクリルアミド基、桂皮酸基、ビニール
基、アリル基等があげられる。上記したエポキシ樹脂に
導入される重合性不飽和基は、樹脂１分子当り少なくと
も１個存在することが必要であり、その含有量は、硬化
性の観点から樹脂固形分１Ｋｇ当り０．１〜１０モルの
範囲にあるのが好ましく、０．５〜５モルの範囲にある
のがより好ましい。また、上記エポキシ樹脂中への非プ
ロント型オニウム塩含有基の導入は、例えば、水混和性
不活性有機溶媒中で１，２−エポキシ基を有する樹脂第
３級アミンとホスフィンまたはチオエーテル及び有機酸
を同時に反応させる方法によって行うことができる。
【００１７】エポキシ樹脂に導入される非プロント型オ
ニウム塩含有基は、下記式（Ｉ）で示され、式（Ｉ）
ニウム塩含有基は、下記式（Ｉ）で示され、式（Ｉ）
【００１８】
【化９】
【００１９】式中、Ｒ１は、場合より水酸基、アルコキ
シ基、エステル基またはハロゲン原子で置換されてもよ
い炭素数１〜８の炭化水素基または水素原子を示し、−
Ｗ＋は、下記の式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で示され
る基
シ基、エステル基またはハロゲン原子で置換されてもよ
い炭素数１〜８の炭化水素基または水素原子を示し、−
Ｗ＋は、下記の式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で示され
る基
【００２０】
【化１０】
【００２１】又は
【００２２】
【化１１】
【００２３】を示し、ここで、Ｚは窒素原子またはリン
原子を示し、Ｙは硫黄原子を示し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
は同一または相異なり、各々炭素数１〜１４の有機基を
示すか、或いはＲ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか２つは、
これらが結合している窒素原子、リン原子または硫黄原
子と一緒になって複素環式基を形成してもよい、で表さ
れる、オニウム塩の窒素原子、リン原子もしくは硫黄原
子からβ位にある炭素原子が２級の水酸基を有し且つ非
プロント型オニウム塩部分が第四級アンモニウム塩、第
四級スルホニウム塩及び第三級スルホニウム塩のいずれ
かの基である。上記エポキシ樹脂に導入される非プロン
ト型オニウム塩含有基の含有量は、樹脂固形分１Ｋｇ当
り０．１〜５モルの範囲にあるのが好ましく、０．１〜
２モルの範囲にあるのがより好ましい。
原子を示し、Ｙは硫黄原子を示し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
は同一または相異なり、各々炭素数１〜１４の有機基を
示すか、或いはＲ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか２つは、
これらが結合している窒素原子、リン原子または硫黄原
子と一緒になって複素環式基を形成してもよい、で表さ
れる、オニウム塩の窒素原子、リン原子もしくは硫黄原
子からβ位にある炭素原子が２級の水酸基を有し且つ非
プロント型オニウム塩部分が第四級アンモニウム塩、第
四級スルホニウム塩及び第三級スルホニウム塩のいずれ
かの基である。上記エポキシ樹脂に導入される非プロン
ト型オニウム塩含有基の含有量は、樹脂固形分１Ｋｇ当
り０．１〜５モルの範囲にあるのが好ましく、０．１〜
２モルの範囲にあるのがより好ましい。
【００２４】また上記した他に、カルボン酸基を有する
樹脂（例えばアクリル樹脂、ポリエステル樹、ポリアミ
ド樹脂等）に第３アミンまたはホスフィンまたはチオエ
ーテル及びグリシジル含有化合物を同時に反応させる方
法によっても非プロント型オニウム塩含有基を有する樹
脂を得ることができる。重合性不飽和基は、下記の非プ
ロント型オニウム塩含有基に導入してもよいし、陰イオ
ンとなるカルボン酸基を有する樹脂に導入してもよい。
上記樹脂に導入される非プロント型オニウム塩含有基
は、下記式（ＩＶ）で示される基であってもよい。式
（ＩＶ）
樹脂（例えばアクリル樹脂、ポリエステル樹、ポリアミ
ド樹脂等）に第３アミンまたはホスフィンまたはチオエ
ーテル及びグリシジル含有化合物を同時に反応させる方
法によっても非プロント型オニウム塩含有基を有する樹
脂を得ることができる。重合性不飽和基は、下記の非プ
ロント型オニウム塩含有基に導入してもよいし、陰イオ
ンとなるカルボン酸基を有する樹脂に導入してもよい。
上記樹脂に導入される非プロント型オニウム塩含有基
は、下記式（ＩＶ）で示される基であってもよい。式
（ＩＶ）
【００２５】
【化１２】
【００２６】式中、Ｒ１及びＷ＋は前記と同様の意味を
表す。次に、光重合性ソルダレジスト組成物に配合され
る光重合開始剤（Ｂ）としては、公知のものを使用する
ことができ、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジル、ジフェニ
ルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノサルファイ
ド、エオシン、チオニン、ジアセチル、ミヒラーケト
ン、アントラキノン、メチルアントラキノン、α−ヒド
ロキシイソブチルフェノン、ｐ−イソプロピルα−ヒド
ロキシイソブチルフェノン、α、α−ジクロル−４−フ
ェノキシアセトフェノン、１−ヒドロキシ−１シクロヘ
キシルアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、メチルベンゾイルフォルメイト、
２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノプロペン、チオキサントン、ベンゾフェ
ノン等があげられる。これらは樹脂成分（固形分）１０
０重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲内で使用さ
れる。
表す。次に、光重合性ソルダレジスト組成物に配合され
る光重合開始剤（Ｂ）としては、公知のものを使用する
ことができ、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジル、ジフェニ
ルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノサルファイ
ド、エオシン、チオニン、ジアセチル、ミヒラーケト
ン、アントラキノン、メチルアントラキノン、α−ヒド
ロキシイソブチルフェノン、ｐ−イソプロピルα−ヒド
ロキシイソブチルフェノン、α、α−ジクロル−４−フ
ェノキシアセトフェノン、１−ヒドロキシ−１シクロヘ
キシルアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、メチルベンゾイルフォルメイト、
２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノプロペン、チオキサントン、ベンゾフェ
ノン等があげられる。これらは樹脂成分（固形分）１０
０重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲内で使用さ
れる。
【００２７】また、光重合性レジスト組成物には、さら
に着色顔料、体質顔料、防錆顔料、染料、熱可塑性重合
体、多官能性ビニル単量体またはオリゴマー、その他レ
ベリング剤、消泡剤、ダレ止め剤等の各種添加を配合し
てもよい。レジストの現像に用いられる水は、脱イオン
水、上水、工業用水等ＰＨが５．０〜８．０のものが使
用される。ＰＨが５．０未満もしくは８．０を越える極
端にイオン性夾雑物の多い水は、現像性が低下するため
好ましくない。現像方法は、フォトマスクを介してまた
はレザー等で直接パターン状に露光されたレジスト塗膜
上に上記の水をスプレーすることによって行われる。現
像水は繰り返し使用されるが、現像水中に溶解したソル
ダレジストの含有量が増加して現像効果が低下したり、
現像水が汚染してきた場合には現像水を本発明の方法に
供される。一般に現像水中のレジスト濃度は、１５重量
％以下に管理される。
に着色顔料、体質顔料、防錆顔料、染料、熱可塑性重合
体、多官能性ビニル単量体またはオリゴマー、その他レ
ベリング剤、消泡剤、ダレ止め剤等の各種添加を配合し
てもよい。レジストの現像に用いられる水は、脱イオン
水、上水、工業用水等ＰＨが５．０〜８．０のものが使
用される。ＰＨが５．０未満もしくは８．０を越える極
端にイオン性夾雑物の多い水は、現像性が低下するため
好ましくない。現像方法は、フォトマスクを介してまた
はレザー等で直接パターン状に露光されたレジスト塗膜
上に上記の水をスプレーすることによって行われる。現
像水は繰り返し使用されるが、現像水中に溶解したソル
ダレジストの含有量が増加して現像効果が低下したり、
現像水が汚染してきた場合には現像水を本発明の方法に
供される。一般に現像水中のレジスト濃度は、１５重量
％以下に管理される。
【００２８】以下、本発明のレジスト現像廃液の再使用
方法を詳細に説明する。図１は、レジストの現像−現像
水廃液の濃縮回収システムの一例を示すものである。現
像装置１において、レジスト組成物が塗布された後パタ
ーン状に露光されたプリント回路基板２がコンベアー
（図示せず）で現像装置内に搬送され、スプレー機３か
らスプレーされる現像水によって現像される。このレジ
ストの現像操作によって発生するレジスト成分を含む現
像水４は、通常繰り返し現像に使用されるが、レジスト
成分の濃度が１５重量％と高濃度になり廃棄すべき状態
になった場合には、これを直接もしくは必要に応じてこ
れを一時廃液貯蔵タンク５に貯蔵した後、限外瀘過膜を
具備した限外瀘過装置６に送られ瀘過される。限外瀘過
装置６としては、従来から電着塗装の分野で広く用いら
れている公知の装置を用いることができる。
方法を詳細に説明する。図１は、レジストの現像−現像
水廃液の濃縮回収システムの一例を示すものである。現
像装置１において、レジスト組成物が塗布された後パタ
ーン状に露光されたプリント回路基板２がコンベアー
（図示せず）で現像装置内に搬送され、スプレー機３か
らスプレーされる現像水によって現像される。このレジ
ストの現像操作によって発生するレジスト成分を含む現
像水４は、通常繰り返し現像に使用されるが、レジスト
成分の濃度が１５重量％と高濃度になり廃棄すべき状態
になった場合には、これを直接もしくは必要に応じてこ
れを一時廃液貯蔵タンク５に貯蔵した後、限外瀘過膜を
具備した限外瀘過装置６に送られ瀘過される。限外瀘過
装置６としては、従来から電着塗装の分野で広く用いら
れている公知の装置を用いることができる。
【００２９】また、別の態様として現像水４を連続的に
限外瀘過装置６に送って瀘過し、透過水を再びスプレー
機３または現像装置１に送り現像に供される。かように
して、現像装置１から直接もしくは貯蔵タンク５を介し
て限外瀘過装置６に供給された廃液としてのレジスト現
像水は、瀘過されて透過水はそのまま又は必要に応じて
現像水貯蔵タンク７に貯蔵した後、スプレー機３または
現像装置１に送られてレジストの現像に使用される。な
お、瀘過された現像水に不純物が存在し、これを除去し
たい場合には、該現像水をさらに逆浸透膜を具備した逆
浸透瀘過装置８に供することによって純水に近くして使
用することができる。他方、限外瀘過装置６によって分
離濃縮されたレジスト成分は、レジスト貯蔵タンク９に
貯蔵され、本発明で用いられるレジストに混合して再使
用できるような濃度、粘度に調整された上、再使用され
る。
限外瀘過装置６に送って瀘過し、透過水を再びスプレー
機３または現像装置１に送り現像に供される。かように
して、現像装置１から直接もしくは貯蔵タンク５を介し
て限外瀘過装置６に供給された廃液としてのレジスト現
像水は、瀘過されて透過水はそのまま又は必要に応じて
現像水貯蔵タンク７に貯蔵した後、スプレー機３または
現像装置１に送られてレジストの現像に使用される。な
お、瀘過された現像水に不純物が存在し、これを除去し
たい場合には、該現像水をさらに逆浸透膜を具備した逆
浸透瀘過装置８に供することによって純水に近くして使
用することができる。他方、限外瀘過装置６によって分
離濃縮されたレジスト成分は、レジスト貯蔵タンク９に
貯蔵され、本発明で用いられるレジストに混合して再使
用できるような濃度、粘度に調整された上、再使用され
る。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。 ソルダレジストの調整例１ 下記樹脂溶液１３５重量部、ネオペンチルグリコールア
クリレート１５重量部、α−ヒドロキシイソブチルフェ
ノン３重量部、フタロシアニングリーン０．５重量部、
硫酸バリウム３０重量部及び表面調整剤（モンサント社
製商品名モダフロー）１．５重量部を混練し、ソルダレ
ジストを得た。 樹脂溶液： エピコート１５４ ５００重量部 （油化シエル社製フェノールノボラック型エポキシ樹脂） アクリル酸 １８０重量部 テトラエチルアンモニウムブロマイド １．０重量部 ハイドロキノン ０．５重量部 をエチレングリコールモノブチルエーテル２５０重量部
の入ったフラスコ中に溶解させた後、１１０℃で５時間
加熱して樹脂酸価０．５のエポキシエステル溶液を得
た。この溶液を約５０℃に冷却した後、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルエタノールアミン３６重量部及び酢酸２４重量部を加
え７０℃で６時間反応させて固形分７５重量％の樹脂溶
液を得た。
する。 ソルダレジストの調整例１ 下記樹脂溶液１３５重量部、ネオペンチルグリコールア
クリレート１５重量部、α−ヒドロキシイソブチルフェ
ノン３重量部、フタロシアニングリーン０．５重量部、
硫酸バリウム３０重量部及び表面調整剤（モンサント社
製商品名モダフロー）１．５重量部を混練し、ソルダレ
ジストを得た。 樹脂溶液： エピコート１５４ ５００重量部 （油化シエル社製フェノールノボラック型エポキシ樹脂） アクリル酸 １８０重量部 テトラエチルアンモニウムブロマイド １．０重量部 ハイドロキノン ０．５重量部 をエチレングリコールモノブチルエーテル２５０重量部
の入ったフラスコ中に溶解させた後、１１０℃で５時間
加熱して樹脂酸価０．５のエポキシエステル溶液を得
た。この溶液を約５０℃に冷却した後、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルエタノールアミン３６重量部及び酢酸２４重量部を加
え７０℃で６時間反応させて固形分７５重量％の樹脂溶
液を得た。
【００３１】エッチングレジスト−１の調製例２ 下記樹脂溶液１００重量部にトリメチロールプロパント
リアクリレート１０重量部、２−メチル−１−［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モノフォリノプロペン
３重量部、メトキシプロパノール４０重量部及び脱イオ
ン水１００重量部を加えエッチングレジスト溶液を得
た。 樹脂溶液： グリシジルメタクリレート ５０重量部 ３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート ２０重量部 スチレン １０重量部 ブチルアクリレート ２０重量部 アゾビスイソブチルニトリル ５重量部 を１００℃に保った９０重量部のメトキシプロパノール
に２時間を要して滴下後、アゾビスイソブチロニトリル
１重量部を１０重量部のメトキシプロパノールに溶解し
た溶液を１時間かけて滴下し、さらに１００℃で３時間
保った後チオジグリコール２４重量部、アクリル酸４７
重量部及びメトキシハイドロキノン０．１重量部を加え
７０℃で８時間反応させ固形分６３重量％の樹脂溶液を
得た。
リアクリレート１０重量部、２−メチル−１−［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モノフォリノプロペン
３重量部、メトキシプロパノール４０重量部及び脱イオ
ン水１００重量部を加えエッチングレジスト溶液を得
た。 樹脂溶液： グリシジルメタクリレート ５０重量部 ３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート ２０重量部 スチレン １０重量部 ブチルアクリレート ２０重量部 アゾビスイソブチルニトリル ５重量部 を１００℃に保った９０重量部のメトキシプロパノール
に２時間を要して滴下後、アゾビスイソブチロニトリル
１重量部を１０重量部のメトキシプロパノールに溶解し
た溶液を１時間かけて滴下し、さらに１００℃で３時間
保った後チオジグリコール２４重量部、アクリル酸４７
重量部及びメトキシハイドロキノン０．１重量部を加え
７０℃で８時間反応させ固形分６３重量％の樹脂溶液を
得た。
【００３２】エッチングレジスト−２の調製例３ 下記樹脂溶液８５重量部を使用する以外はエッチングレ
ジスト−１と同様にして調製した。 樹脂溶液：アクリル酸７０重量部、メタクリル酸３０重
量部およびベンゾイルパーオキサイド５重量部の混合物
を、１１０℃に加熱した９０重量部のメトキシプロパノ
ールに２時間かけて滴下し、ついで１重量部のベンゾイ
ルパーオキサイドを１０重量部のｎ−ブチルセロソルブ
に溶解した溶液を１時間かけて滴下し１１０℃で８時間
保った。ついでグリシジルメタクリレート１８６重量
部、チオジグリコール３０重量部を加え７０℃で８時間
保って固形分７６重量％の樹脂溶液を得た。
ジスト−１と同様にして調製した。 樹脂溶液：アクリル酸７０重量部、メタクリル酸３０重
量部およびベンゾイルパーオキサイド５重量部の混合物
を、１１０℃に加熱した９０重量部のメトキシプロパノ
ールに２時間かけて滴下し、ついで１重量部のベンゾイ
ルパーオキサイドを１０重量部のｎ−ブチルセロソルブ
に溶解した溶液を１時間かけて滴下し１１０℃で８時間
保った。ついでグリシジルメタクリレート１８６重量
部、チオジグリコール３０重量部を加え７０℃で８時間
保って固形分７６重量％の樹脂溶液を得た。
【００３３】実施例１ 調製例１で得たソルダレジストをインキとして用い、プ
リント回路用銅張基板上に乾燥膜厚で２０μｍになるよ
うにシルクスクリーン法で塗布し、７０℃で１０分間予
備加熱した。ついで、水を現像液として用い未露光レジ
ストを除去して、現像液中のレジスト濃度が１５％にな
るようにして現像廃液を得た。このソルダレジスト現像
廃液を旭化成社製の限外瀘過膜を用いた限外瀘過装置６
に通して水を瀘過した。瀘過させて得られた水は、一時
貯蔵された後ポンプで送られ、そのままソルダレジスト
塗膜の現像水として使用されたが現像性を低下させるこ
となく良好な現像を行うことができた。
リント回路用銅張基板上に乾燥膜厚で２０μｍになるよ
うにシルクスクリーン法で塗布し、７０℃で１０分間予
備加熱した。ついで、水を現像液として用い未露光レジ
ストを除去して、現像液中のレジスト濃度が１５％にな
るようにして現像廃液を得た。このソルダレジスト現像
廃液を旭化成社製の限外瀘過膜を用いた限外瀘過装置６
に通して水を瀘過した。瀘過させて得られた水は、一時
貯蔵された後ポンプで送られ、そのままソルダレジスト
塗膜の現像水として使用されたが現像性を低下させるこ
となく良好な現像を行うことができた。
【００３４】実施例２ 調製例２で得たエッチングレジスト−１を静電塗装によ
りプリント回路用銅張基板上に乾燥膜厚１５μｍになる
ように塗布し、６０℃で１５分間予備加熱した。つい
で、水を現像水として用い未露光レジストを除去した。
レジストが溶解した現像液は直接限外瀘過装置（日東電
工社製限外瀘過膜を使用）６を通して連続的に瀘過し、
透過水は現像水槽４に戻した。このように基板に物理的
に付着して持ち出される現像水を現像水槽４に補給する
以外は外部よりいかなる添加もなく、また透過水を系外
に廃棄することもなく３ヶ月連続的に運転を行ったが、
現像性の低下、現像パターンの異常は全くなかった。濃
縮液はレジスト貯蔵槽１０に送られ補給レジスト（エッ
チングレジスト−２の脱イオン水添加量を２分の１にし
たもの）と１／１で混合され、スプレー用エッチングレ
ジストとして再使用されたが、特性に劣化はなく良好な
性能を示した。かくして、基板に付着して系外に持ち出
される水を除けば、水を含む材料の損失はほとんどなく
ほぼ完全な閉鎖系による現像一回収システムが可能とな
った。
りプリント回路用銅張基板上に乾燥膜厚１５μｍになる
ように塗布し、６０℃で１５分間予備加熱した。つい
で、水を現像水として用い未露光レジストを除去した。
レジストが溶解した現像液は直接限外瀘過装置（日東電
工社製限外瀘過膜を使用）６を通して連続的に瀘過し、
透過水は現像水槽４に戻した。このように基板に物理的
に付着して持ち出される現像水を現像水槽４に補給する
以外は外部よりいかなる添加もなく、また透過水を系外
に廃棄することもなく３ヶ月連続的に運転を行ったが、
現像性の低下、現像パターンの異常は全くなかった。濃
縮液はレジスト貯蔵槽１０に送られ補給レジスト（エッ
チングレジスト−２の脱イオン水添加量を２分の１にし
たもの）と１／１で混合され、スプレー用エッチングレ
ジストとして再使用されたが、特性に劣化はなく良好な
性能を示した。かくして、基板に付着して系外に持ち出
される水を除けば、水を含む材料の損失はほとんどなく
ほぼ完全な閉鎖系による現像一回収システムが可能とな
った。
【００３５】実施例３ 調製例３で得たエッチングレジスト−２を使用し、限外
瀘過装置６の後に逆浸透瀘過装置８を使用する以外は実
施例２と同様に操作を行ったところほぼ完全な閉鎖系で
現像−回収システムが可能となった。
瀘過装置６の後に逆浸透瀘過装置８を使用する以外は実
施例２と同様に操作を行ったところほぼ完全な閉鎖系で
現像−回収システムが可能となった。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、特定のレジスト廃液を
限外瀘過することによって、透過水とレジスト成分に容
易に分離することができ、これらを再使用することによ
って水資源の節約をはかることができ、また環境汚染の
問題を解決することができる。
限外瀘過することによって、透過水とレジスト成分に容
易に分離することができ、これらを再使用することによ
って水資源の節約をはかることができ、また環境汚染の
問題を解決することができる。
【図１】本発明のレジスト現像廃液の再使用方法のシス
テムを示す概略図である。
テムを示す概略図である。
１ 現像装置 ２ プリント回路基板 ３ スプレー機 ４ 現像水 ５ 廃液貯蔵タンク ６ 限外瀘過装置 ７ 現像水貯蔵タンク ８ 逆浸透瀘過装置 ９ レジスト貯蔵タンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｇ (72)発明者 古澤 智 神奈川県平塚市東八幡４丁目17番１号 関 西ペイント株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 プリント回路基板上に、重合性不飽和基
及び非プロント型オニウム塩含有基を有する樹脂（Ａ）
と光重合開始剤（Ｂ）を含有する光重合性レジスト組成
物を塗布し、形成された塗膜を乾燥した後、該塗膜にパ
ターン状に活性光線を照射して形成されるレジスト塗膜
を水で現像することによって生ずるレジスト現像廃液を
限外瀘過によって透過水とレジスト成分に分離し、透過
水を現像液として再使用することを特徴とする現像廃液
の再使用方法。 - 【請求項２】 分離されたレジスト成分を再生レジスト
として再使用する、請求項１に記載されたレジスト現像
廃液の再使用方法。 - 【請求項３】 透過水は、さらに逆浸透瀘過されて現像
液として再使用される、請求項１または２に記載された
レジスト現像廃液の再使用方法。 - 【請求項４】 樹脂（Ａ）が有する非プロント型オニウ
ム塩含有基は、下記式（Ｉ）で示される基である、請求
項１ないし３のいずれか１項に記載されたレジスト現像
廃液の使用方法。 式（Ｉ） 【化１】 式中、Ｒ１は、場合により水酸基、アルコキシ基、エス
テル基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１
〜８の炭化水素基または水素原子を示し、−Ｗ＋は、下
記の式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）の基 式（ＩＩ） 【化２】 又は 式（ＩＩＩ） 【化３】 を示し、ここで、Ｚは窒素原子またはリン原子を示し、
Ｙは硫黄原子を示し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一または
相異なり、各々炭素数１〜１４の有機基を示すか、或い
はＲ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか２つは、これらが結合
している窒素原子、リン原子または硫黄原子と一緒にな
って複素環式基を形成してもよい。 - 【請求項５】 樹脂（Ａ）が有する非プロント型オニウ
ム塩含有基は、下記式（ＩＶ）で示される基である、請
求項１ないし４のいずれか１項に記載されたレジスト現
像廃液の使用方法。 式（ＩＶ） 【化４】 式中、Ｒ１は、場合より水酸基、アルコキシ基、エステ
ル基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１〜
８の炭化水素基または水素原子を示し、−Ｗ＋は、請求
項４で示された式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で示され
る基を示す。 - 【請求項６】 非プロント型オニウム塩含有基は、第４
級アンモニウム塩基または３級スルホニウム塩基であ
る、請求項１ないし５のいずれか１項に記載されたレジ
スト現像廃液の再使用方法。 - 【請求項７】 エポキシ樹脂（Ａ）重量平均分子量５０
０〜５０，０００の樹脂である、請求項１ないし６のい
ずれか１項に記載されたレジスト現像廃液の再使用方
法。 - 【請求項８】 エポキシ樹脂の重合性不飽和基の含有量
が樹脂固形分１Ｋｇ当り０．１〜１０モルである、請求
項１ないし７のずれか１項に記載されたレジスト現像廃
液の再使用方法。 - 【請求項９】 エポキシ樹脂（Ａ）の非プロント型オニ
ウム塩含有基の含有量が樹脂固形分１Ｋｇ当り０．１〜
５モルである、請求項１ないし８のいずれか１項に記載
されたレジスト現像廃液の再使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33883096A JPH10137550A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | レジスト現像廃液の再使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33883096A JPH10137550A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | レジスト現像廃液の再使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10137550A true JPH10137550A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=18321837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33883096A Pending JPH10137550A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | レジスト現像廃液の再使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10137550A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1089799A1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-11 | Phoenankh Corp. | Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers |
| KR100441197B1 (ko) * | 1998-10-30 | 2004-07-22 | 오르가노 코포레이션 | 포토레지스트현상폐액으로부터의 현상액의 회수재이용방법 및 장치 |
| JPWO2003007084A1 (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-04 | ジプコム株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
| CN103941552A (zh) * | 2014-04-03 | 2014-07-23 | 旺昌机械工业(昆山)有限公司 | 一种显影液在线回收循环利用装置及其使用方法 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP33883096A patent/JPH10137550A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1089799A1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-11 | Phoenankh Corp. | Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers |
| EP1089799A4 (en) * | 1998-05-19 | 2002-11-13 | Phoenankh Corp | APPARATUS AND METHOD FOR RECOVERING PHOTORESIN DEVELOPERS AND STRIPPERS |
| KR100441197B1 (ko) * | 1998-10-30 | 2004-07-22 | 오르가노 코포레이션 | 포토레지스트현상폐액으로부터의 현상액의 회수재이용방법 및 장치 |
| JPWO2003007084A1 (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-04 | ジプコム株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
| CN103941552A (zh) * | 2014-04-03 | 2014-07-23 | 旺昌机械工业(昆山)有限公司 | 一种显影液在线回收循环利用装置及其使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0756337A (ja) | 光重合性組成物 | |
| US6664029B1 (en) | Method of forming pattern | |
| JPH10137550A (ja) | レジスト現像廃液の再使用方法 | |
| KR950001005B1 (ko) | 광학상을 형성할 수 있는 전착가능한 포토레지스트 조성물 | |
| JP3843154B2 (ja) | 光重合性組成物 | |
| CA2480421C (en) | Polymerisable composition | |
| JP2966350B2 (ja) | 水性光像形成組成物 | |
| JP3217126B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH01203424A (ja) | 硬化性組成物 | |
| JP2657379B2 (ja) | 画像形成方法 | |
| JPH083634B2 (ja) | プリント配線フォトレジスト用電着塗料組成物の電着塗装方法 | |
| JP3623059B2 (ja) | ソルダレジストの現像方法 | |
| JP2721843B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS6343393A (ja) | プリント回路板の形成方法 | |
| JP3361174B2 (ja) | 水またはアルカリ水溶液に可溶な光重合性樹脂組成物 | |
| JP2001092130A (ja) | 無電解金メッキ用フォトソルダーレジスト樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 | |
| JP3611688B2 (ja) | レジスト廃液の処理方法 | |
| JP3507908B2 (ja) | 導電体パターンを有する基板の製造方法 | |
| JPH01279251A (ja) | プリント配線フオトレジスト用カチオン型電着塗装方法 | |
| JPS636070A (ja) | ポジ型感光性電着塗料 | |
| JPH01289819A (ja) | 活性エネルギー線硬化型不飽和樹脂組成物 | |
| JP2916939B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2911958B2 (ja) | 紫外線硬化性電着塗料組成物 | |
| JP4385241B2 (ja) | レジスト被膜パターン形成用水性現像液 | |
| JPH06128511A (ja) | レジストパターンの製造法 |