JPH1013616A - Close contact image sensor - Google Patents

Close contact image sensor

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JPH1013616A
JPH1013616A JP8164468A JP16446896A JPH1013616A JP H1013616 A JPH1013616 A JP H1013616A JP 8164468 A JP8164468 A JP 8164468A JP 16446896 A JP16446896 A JP 16446896A JP H1013616 A JPH1013616 A JP H1013616A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a close contact image sensor without dispersion of resolu tion by covering bear chip sensor IC with transparent resin with low viscosity from above in a film form. SOLUTION: A conductive pattern 10 is provided on a sensor substrate 4. One or plural bear chip sensors IC 5 which are arranged in a straight line are electrically connected with the conductive pattern 10 by plural wires 11. The bear chip sensors IC 5 can be arranged on the sensor substrate 4 or can be arranged on the other member adjacent to the sensor substrate 4. Bear chip sensor IC 5 is covered by colorless and transparent silicone resin 12 with low viscosity in the thin film form. Since the dispersion in thickness of the resin layer 12 becomes not more than several tens of μm, the dispersion of an optical distance between a rod lens array and bear chip sensor IC is reduced. Thus, the dispersion of the resolution of the contact image sensor is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ファクシミリ装置
やイメージスキャナなどの画像入力部に使用される密着
イメージセンサに関する発明である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact image sensor used for an image input unit such as a facsimile apparatus and an image scanner.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図１４には、従来の密着イメージセンサ
の断面図が示されている。この図は、三菱電機カタログ
「三菱密着イメージセンサ（Ｆシリーズ）」（三菱電機
株式会社発行、１９９３年９月発行）に記載されている
図である。この図によると、読取りの対象である原稿１
が、ガラスプレート７に接している。この原稿１は、ガ
ラスプレート７を介してライン光源２から照らされてい
る。このライン光源は、発光ダイオードを直線配列した
構成をなしている。また、このライン光源２によって照
らされた原稿１の所定部位の象が、複数個のロッドレン
ズにより構成される正立等倍結像用ロッドレンズアレイ
３によってベアーチップセンサＩＣ５上に結ばれる。な
お、正立等倍結像用ロッドレンズアレイ３を構成する複
数個のロッドレンズは図１４には省略されて示されてい
ない。また、ベアーチップセンサＩＣ５は、センサ基板
４の上に直線状に並べられており、このベアーチップセ
ンサＩＣ５は、高粘度の無色透明の樹脂６によって封止
されている。そして、これらガラスプレート７や、ライ
ン光源２、及びセンサ基板４はセンサフレーム８及び９
によってそれぞれ所定の位置に保持されている。2. Description of the Related Art FIG. 14 is a sectional view of a conventional contact image sensor. This figure is a figure described in a Mitsubishi Electric catalog “Mitsubishi close contact image sensor (F series)” (published by Mitsubishi Electric Corporation, published in September 1993). According to this figure, the original 1 to be read is
Are in contact with the glass plate 7. The original 1 is illuminated from a line light source 2 via a glass plate 7. This line light source has a configuration in which light emitting diodes are linearly arranged. An elephant of a predetermined portion of the document 1 illuminated by the line light source 2 is connected to the bare chip sensor IC 5 by the erecting equal-magnification imaging rod lens array 3 composed of a plurality of rod lenses. Note that a plurality of rod lenses constituting the erecting equal-magnification imaging rod lens array 3 are not shown in FIG. The bare chip sensor ICs 5 are linearly arranged on the sensor substrate 4, and the bare chip sensor ICs 5 are sealed with a high-viscosity colorless and transparent resin 6. The glass plate 7, the line light source 2, and the sensor substrate 4 are connected to the sensor frames 8 and 9 respectively.
Are respectively held at predetermined positions.

【０００３】図１５には、センサ基板４及びその上に載
置されているベアーチップセンサＩＣ５の詳細な構造を
表す説明図である。図１５に示されているように、ベア
ーチップセンサＩＣ５は、それを囲むように高粘度の無
色透明の樹脂の堰堤部６ａがセンサ基板４上に設けられ
ている。また、この堰堤部６ａの内側には、高粘度の無
色透明の樹脂６ｂが注入されている。また、ベアーチッ
プセンサＩＣ５の近傍には、このベアーチップセンサＩ
Ｃ５と外部の回路を電気的に接続するための導体パター
ン１０が設けられている。また、ベアーチップセンサＩ
Ｃ５と導体パターン１０とを電気的に接続するワイヤ１
１が設けられている。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a detailed structure of the sensor substrate 4 and a bare chip sensor IC 5 mounted thereon. As shown in FIG. 15, the bare chip sensor IC 5 is provided with a bank 6a of a high-viscosity, colorless and transparent resin on the sensor substrate 4 so as to surround it. A high-viscosity, colorless and transparent resin 6b is injected into the bank 6a. In addition, near the bare chip sensor IC5, this bare chip sensor I
A conductor pattern 10 for electrically connecting C5 to an external circuit is provided. In addition, bare chip sensor I
Wire 1 for electrically connecting C5 and conductive pattern 10
1 is provided.

【０００４】図１６には、センサ基板４、ベアーチップ
センサＩＣ５、さらに高粘度の無色透明の樹脂６の様子
を表す斜視図が示されている。FIG. 16 is a perspective view showing a state of the sensor substrate 4, the bare chip sensor IC 5, and the colorless and transparent resin 6 having a high viscosity.

【０００５】次に動作について説明する。ライン光源２
の光は、ガラスプレート７を通過して、原稿１を一様に
照明する。照明光は、原稿１の画像の濃淡情報に応じて
反射光を生じる。この反射光は、ロッドレンズアレイ３
のロッドレンズ、高粘度の無色透明の樹脂６ｂを通過し
て、上記ベアーチップセンサＩＣ５の上に結像する。ベ
アーチップセンサＩＣ５は反射光の強さに応じて電荷を
蓄積する。この蓄積された電荷は、上記ワイヤ１１及び
導体パターン１０を介して外部に出力されるのである。Next, the operation will be described. Line light source 2
Light passes through the glass plate 7 and illuminates the document 1 uniformly. The illuminating light generates reflected light according to the density information of the image of the document 1. This reflected light is transmitted to the rod lens array 3
Passes through the high-viscosity colorless and transparent resin 6b to form an image on the bare chip sensor IC5. The bear chip sensor IC5 accumulates electric charges according to the intensity of the reflected light. The accumulated charge is output to the outside via the wire 11 and the conductor pattern 10.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の密着イメージセ
ンサは以上のように構成されているため、ロッドレンズ
アレイ３とベアーチップセンサＩＣ５の間の光学的距離
は、高粘度の無色透明の樹脂６ｂの屈折率ｎ及び厚さ
ｘ、ロッドレンズアレイ３と高粘度の無色透明の樹脂６
ｂの間の距離ｙによって次の式のように表される。Since the conventional contact image sensor is configured as described above, the optical distance between the rod lens array 3 and the bare chip sensor IC 5 is set to a high viscosity colorless and transparent resin 6b. Refractive index n and thickness x, rod lens array 3 and high viscosity colorless and transparent resin 6
The distance y between b is represented by the following equation.

【０００７】[0007]

【数１】ｙ＋ｘ／ｎ ベアーチップセンサＩＣ５の両側に形成されている高粘
度の無色透明の樹脂の堰堤部６ａの間隔ｚのばらつき
や、高粘度の無色透明の樹脂６ｂの注入量のばらつきな
どによって、この樹脂６ｂの厚さｘは不均一となってし
まう。なお、堰堤部６ａの間隔ｚは図１５に図示されて
いる。## EQU1 ## y + x / n Variations in the spacing z between the high-viscosity colorless and transparent resin dams 6a formed on both sides of the bear chip sensor IC5, and variations in the injection amount of the high-viscosity colorless and transparent resin 6b. As a result, the thickness x of the resin 6b becomes non-uniform. The interval z between the bank portions 6a is shown in FIG.

【０００８】例えば、樹脂６ｂの厚さｘがａだけ厚くな
った場合には、ロッドレンズアレイ３とベアーチップセ
ンサＩＣ５の間の光学的な距離は次の式のように変化す
る。For example, when the thickness x of the resin 6b increases by a, the optical distance between the rod lens array 3 and the bare chip sensor IC 5 changes as in the following equation.

【数２】（ｙ−ａ）＋（ｘ＋ａ）／ｎ 高粘度の無色透明の樹脂６ｂの厚さのばらつきは数１０
０μｍであり、樹脂６ｂの屈折率ｎはおよそ１．５であ
るから、ロッドレンズアレイ３とベアーチップセンサＩ
Ｃ５との間の光学的距離も１００μｍ前後のばらつきを
生じる。この結果、ロッドレンズアレイ３の焦点と、ベ
アーチップセンサＩＣ５の表面位置とが一致せず、ベア
ーチップセンサＩＣ５上に現れる画像データの解像度が
低下してしまうことが多い。すなわち、密着イメージセ
ンサの解像度のばらつきが引き起こされてしまうという
問題点があった。## EQU2 ## (ya) + (x + a) / n The dispersion of the thickness of the high-viscosity, colorless and transparent resin 6b is expressed by the following equation:
0 μm and the refractive index n of the resin 6b is about 1.5, so that the rod lens array 3 and the bare chip sensor I
The optical distance from C5 also varies around 100 μm. As a result, the focus of the rod lens array 3 and the surface position of the bare chip sensor IC 5 do not match, and the resolution of image data appearing on the bare chip sensor IC 5 often decreases. That is, there is a problem that the resolution of the contact image sensor varies.

【０００９】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は解像度のばらつきのない
密着イメージセンサを提供することである。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a contact image sensor having no variation in resolution.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】まず、本発明にかかる密
着イメージセンサは、導体パターン１０と、複数のワイ
ヤ１１によって、接続された１個または直線状に並べら
れた複数個のベアーチップセンサＩＣ５の上から、低粘
度の透明の樹脂を薄い膜上に覆った構成を採用してい
る。ベアーチップセンサＩＣ５は、ワイヤによって接続
される導体パターン１０が形成されたセンサ基板４の上
に並べても良いし、また、センサ基板４に隣接するほか
の部材の上に並べることも好適である。First, a contact image sensor according to the present invention comprises one or a plurality of bare chip sensor ICs 5 connected linearly by a conductor pattern 10 and a plurality of wires 11. From above, a low-viscosity transparent resin is covered on a thin film. The bear chip sensor ICs 5 may be arranged on the sensor substrate 4 on which the conductor patterns 10 connected by wires are formed, or preferably arranged on another member adjacent to the sensor substrate 4.

【００１１】また、低粘度の透明の樹脂として無色透明
ではなく、有色透明の樹脂を用いることも好適である。It is also preferable to use a colored, transparent resin instead of a colorless, transparent resin as the low-viscosity transparent resin.

【００１２】また、導体パターン１０と複数のワイヤ１
１によって電気的に接続された１個または直線状に並べ
られた複数個のベアーチップセンサＩＣ５を３列並べる
構成も好適である。この３列の列は互いに平行に並べら
れており、それぞれの列に赤色、緑色、青色の低粘度の
透明の樹脂を薄い膜状に覆った構造をなしている。な
お、この３列にさらに列を加えて、４列以上の構成とす
ることも好適である。このとき加える列のベアーチップ
センサＩＣ５を覆う低粘度の透明の樹脂は、赤色、緑
色、青色あるいはその他の色やまたは無色透明としても
構わない。The conductor pattern 10 and the plurality of wires 1
A configuration in which one or a plurality of bare chip sensor ICs 5 electrically connected by one and arranged in a line are arranged in three rows. The three rows are arranged in parallel with each other, and each row has a structure in which a red, green, and blue low-viscosity transparent resin is covered in a thin film shape. It is also preferable to add four rows to the three rows to form a configuration of four or more rows. At this time, the low-viscosity transparent resin that covers the bare chip sensor ICs 5 in the row to be added may be red, green, blue, or another color or colorless and transparent.

【００１３】また、原稿１が搬送されるプレートを斜め
に置くことにより、前記ベアーチップセンサＩＣ５と原
稿１との間の光学的距離を列ごとに変えることも好適で
ある。It is also preferable that an optical distance between the bare chip sensor IC 5 and the document 1 is changed for each row by placing the plate on which the document 1 is conveyed obliquely.

【００１４】さらに、センサ基板４にその隣の列のベア
ーチップセンサＩＣ５に対して高低差をつけないものを
用いて、代わりにセンサ基板４自体を斜めに置くのも好
適である。Furthermore, it is also preferable to use a sensor board 4 which does not make a difference in height with respect to the bare chip sensor ICs 5 in the adjacent row, and instead lay the sensor board 4 at an angle.

【００１５】具体的には、本発明は以下の手段を有す
る。[0015] Specifically, the present invention has the following means.

【００１６】第１の本発明は、上記課題を解決するため
に、光センサ手段を備えた密着イメージセンサにおい
て、低粘度の透明樹脂によって形成されている低粘度透
明樹脂層であって、前記光センサ手段を膜状に覆う樹脂
層、を含むことを特徴とする密着イメージセンサであ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a contact image sensor having an optical sensor means, wherein a low-viscosity transparent resin layer formed of a low-viscosity transparent resin is provided. And a resin layer that covers the sensor means in a film form.

【００１７】第２の本発明は、上記課題を解決するため
に、前記光センサ手段は、ベアーチップＩＣを含むこと
を特徴とする第１の本発明の密着イメージセンサであ
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided a contact image sensor according to the first aspect, wherein the optical sensor means includes a bare chip IC.

【００１８】第３の本発明は、上記課題を解決するため
に、前記光センサ手段は、直線状に並べられた複数個の
ベアーチップＩＣを含むことを特徴とする第１の本発明
の密着イメージセンサである。According to a third aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the optical sensor means includes a plurality of bare chip ICs arranged in a straight line. An image sensor.

【００１９】第４の本発明は、上記課題を解決するため
に、前記光センサ手段は、並行に並べられた複数列の光
センサ列、を含み、前記各光センサ列を覆う前記低粘度
透明樹脂層は、各光センサ列の上面を覆う部位毎に、異
なる色彩を有し、前記各光センサ列は、直線状に配列さ
れた複数のベアーチップセンサＩＣを含むことを特徴と
する第１の本発明の密着イメージセンサである。According to a fourth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the optical sensor means includes a plurality of optical sensor rows arranged in parallel, and the low-viscosity transparent covering each of the optical sensor rows. The resin layer has a different color for each portion covering the upper surface of each optical sensor row, and each optical sensor row includes a plurality of bare chip sensor ICs arranged linearly. Is a contact image sensor of the present invention.

【００２０】第５の本発明は、上記課題を解決するため
に、前記複数列の光センサ列は、少なくとも、第１の光
センサ列と、第２の光センサ列と、第３の光センサ列
と、を含み、前記低粘度透明樹脂層の前記第１の光セン
サ列を覆う部位は、赤色透明であり、前記低粘度透明樹
脂層の前記第２の光センサ列を覆う部位は、緑色透明で
あり、前記低粘度透明樹脂層の前記第３の光センサ列を
覆う部位は、青色透明であることを特徴とする第４の本
発明の密着イメージセンサである。According to a fifth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, the plurality of optical sensor rows include at least a first optical sensor row, a second optical sensor row, and a third optical sensor row. A portion of the low-viscosity transparent resin layer that covers the first photosensor row is red and transparent; and a portion of the low-viscosity transparent resin layer that covers the second photosensor row is green. A fourth aspect of the present invention is a contact image sensor according to the fourth aspect of the present invention, wherein a portion of the low-viscosity transparent resin layer that is transparent and covers the third optical sensor row is transparent.

【００２１】第６の本発明は、上記課題を解決するため
に、前記低粘度透明樹脂層を形成する樹脂が有色透明で
あることを特徴とする第１の本発明から第３の本発明の
密着イメージセンサである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the first to third aspects of the present invention, wherein the resin forming the low-viscosity transparent resin layer is colored and transparent. It is a contact image sensor.

【００２２】第７の本発明は、上記課題を解決するため
に、読みとり対象である原稿の情報を読みとる光センサ
手段と、前記原稿の搬送をガイドするガイド面を含むプ
レート手段を備えた密着イメージセンサにおいて、前記
ガイド面は、前記原稿を読みとる光センサの光軸に対
し、斜めに形成されていることを特徴とする密着イメー
ジセンサである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a contact image forming apparatus comprising: an optical sensor means for reading information on a document to be read; and a plate means including a guide surface for guiding the document. In the sensor, the guide surface is formed obliquely to an optical axis of the optical sensor that reads the document.

【００２３】第８の本発明は、上記課題を解決するため
に、前記光センサ手段は、複数のベアーチップセンサＩ
Ｃと、前記複数のベアーチップセンサＩＣが載置されて
いるセンサ基板であって、前記センサ基板の法線は、前
記原稿を読みとる光センサの光軸に対し、斜めに配置さ
れていることを特徴とする第７の本発明の密着イメージ
センサである。According to an eighth aspect of the present invention, in order to solve the above problems, the optical sensor means comprises a plurality of bare chip sensors I
C and a sensor substrate on which the plurality of bare chip sensor ICs are mounted, wherein a normal line of the sensor substrate is disposed obliquely to an optical axis of an optical sensor for reading the original. It is a contact image sensor according to a seventh aspect of the present invention.

【００２４】参考発明 なお、本出願にかかる発明ではないが、以下の実施の形
態においては、以下のような参考発明の実施形態も示さ
れている。 Reference Invention Although not the invention according to the present application, the following embodiments also show the following embodiments of the reference invention.

【００２５】例えば、低粘度の透明の樹脂を薄い膜状に
覆った１個または直線状に並べられた複数個のベアーチ
ップセンサＩＣ５を平行に２列以上に並べ、隣り合う列
同士のベアーチップセンサＩＣ５を複数のワイヤによっ
て電気的に接続した構成も好適である。このとき、両脇
の片列あるいは両列のベアーチップセンサＩＣ５を導体
パターン１０と複数のワイヤ１１によって接続する。For example, one or a plurality of linearly arranged bare chip sensor ICs 5 covering a low-viscosity transparent resin in the form of a thin film are arranged in parallel in two or more rows, and the bare chips in adjacent rows are arranged in parallel. A configuration in which the sensor ICs 5 are electrically connected by a plurality of wires is also suitable. At this time, the bare chip sensor ICs 5 on one side or both sides on both sides are connected to the conductor pattern 10 by a plurality of wires 11.

【００２６】さらに、隣り合う列同士のベアーチップセ
ンサＩＣ５をワイヤ１１に接続する場合に、隣の列のベ
アーチップセンサＩＣ５に対して高低差を作ることも好
適である。ワイヤ１１のステッチ側のベアーチップセン
サＩＣ５の高さを防備側のベアーチップセンサＩＣ５よ
りも低くすれば良い。Further, when connecting the bare chip sensor ICs 5 in the adjacent rows to the wires 11, it is also preferable to make a difference in height with respect to the bare chip sensor ICs 5 in the adjacent row. What is necessary is just to make the height of the bare chip sensor IC5 on the stitch side of the wire 11 lower than the bare chip sensor IC5 on the defense side.

【００２７】また、低粘度の透明の樹脂を薄い膜状に覆
った、直線状に並べられた複数個のベアーチップセンサ
ＩＣ５を、平行に２列以上に並べ、同列上の隣り合うベ
アーチップセンサＩＣ５を複数のワイヤによって電気的
に接続する構成も好適である。このとき、列の端の片方
あるいは両方のベアーチップセンサＩＣ５を導体パター
ン１０と複数のワイヤ１１によって接続する。A plurality of linearly arranged bare chip sensors IC5, each of which is covered with a low-viscosity transparent resin in the form of a thin film, are arranged in two or more rows in parallel, and adjacent bare chip sensors on the same row are arranged. A configuration in which the IC 5 is electrically connected by a plurality of wires is also preferable. At this time, one or both bare chip sensor ICs 5 at the end of the row are connected to the conductor pattern 10 by a plurality of wires 11.

【００２８】また、低粘度の透明の樹脂を薄い膜状に覆
った、直線状に並べられた複数個のベアーチップセンサ
ＩＣ５を平行に２列に並べ、両列のベアーチップセンサ
ＩＣ５のＩＣパターンを対象にし、各列からのワイヤを
両列の外側に向けて導体パターン１０と電気的に接続す
ることも好適である。A plurality of linearly arranged bare chip sensor ICs 5 covered with a low-viscosity transparent resin in a thin film shape are arranged in two rows in parallel, and the IC patterns of the bare chip sensor ICs 5 in both rows are arranged. It is also preferable to electrically connect the wires from each row to the conductor pattern 10 to the outside of both rows.

【００２９】作用 このような本発明にかかるイメージセンサにおいては、
低粘度の透明の樹脂を用い、低粘度で流れやすい性質を
利用し、数μｍから数１０μｍの薄い膜状に覆ったの
で、この樹脂の厚さのばらつきが数１０μｍ以下と小さ
くなる。これは第１の本発明の作用である。The action in the image sensor according to the present invention,
Since a low-viscosity transparent resin is used and the film is covered in a thin film of several μm to several tens μm utilizing the property of low viscosity and easy flow, the variation in the thickness of the resin is reduced to several tens μm or less. This is the operation of the first present invention.

【００３０】尚、光センサ手段としてベアーチップセン
サＩＣを用いれば、このベアーチップセンサＩＣ上に上
記薄い膜を形成することが容易となる。これは第２の本
発明の作用である。If a bare chip sensor IC is used as the optical sensor means, it becomes easy to form the thin film on the bare chip sensor IC. This is the operation of the second present invention.

【００３１】尚、光センサ手段として直線上に並べられ
た複数個のベアーチップセンサＩＣを用いる場合におい
ては、これら複数個のベアーチップセンサＩＣ上の薄い
膜の厚さのばらつきを小さくすることが可能である。こ
れは第３の本発明の作用である。In the case where a plurality of bare chip sensor ICs arranged in a straight line are used as the optical sensor means, it is necessary to reduce the variation in the thickness of the thin film on the plurality of bare chip sensor ICs. It is possible. This is the operation of the third invention.

【００３２】さらに、低粘度の透明の樹脂を有色とした
場合は、この色の成分だけ樹脂の薄い膜を通過させるこ
とが可能である。したがって、特定の色の成分の情報だ
けがベアーチップセンサＩＣ５に届くことになる。これ
は第６の本発明の作用である。Further, when a transparent resin having a low viscosity is colored, only a component of this color can pass through a thin film of the resin. Therefore, only the information of the specific color component reaches the bare chip sensor IC5. This is the function of the sixth invention.

【００３３】１個または直線状に並べられた複数個のベ
アーチップセンサＩＣ５を平行に３列に並べ、それぞれ
の列に赤色、緑色、青色の低粘度の透明の樹脂を薄い膜
状に覆った場合には、カラー原稿の原稿情報を赤色、緑
色、青色の３つの成分の情報に分割して得ることが可能
となる。これは、第５の本発明の作用である。One or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in three rows in parallel, and each row is covered with a red, green, and blue low-viscosity transparent resin in a thin film shape. In this case, it is possible to divide the document information of the color document into information of three components of red, green, and blue and obtain the information. This is the operation of the fifth invention.

【００３４】尚、第４の本発明のように、必ずしも３色
としなくても２色以上であれば、色毎の画像のデータを
得ることが可能である。As in the fourth aspect of the present invention, image data for each color can be obtained as long as there are two or more colors, not necessarily three colors.

【００３５】また、原稿が搬送されるプレートを斜めに
置いた場合には、高低差のある各列のベアーチップセン
サＩＣ５と原稿１との距離を、ロッドレンズアレイ３の
特性と読取る波長で決定される焦点距離に合致させるこ
とが可能となる。これは第７の本発明の作用である。When the plate on which the original is transported is placed obliquely, the distance between the row of bare chip sensor ICs 5 having different heights and the original 1 is determined by the characteristics of the rod lens array 3 and the wavelength to be read. It is possible to match the focal length to be set. This is the operation of the seventh invention.

【００３６】さらに、原稿が搬送されるプレートだけで
なく、センサ基板を斜めに置いた場合には、高低差のな
い各列のベアーチップセンサＩＣ５と原稿１との距離
を、ロッドレンズアレイ３の特性と読取る光の波長によ
って定められる焦点距離と合致させることが可能とな
る。これは第８の本発明の作用である。Further, when the sensor substrate is placed obliquely in addition to the plate on which the document is transported, the distance between the row of bare chip sensor ICs 5 and the document 1 with no difference in height is determined by the rod lens array 3. It is possible to match the focal length determined by the characteristics and the wavelength of the light to be read. This is the operation of the eighth invention.

【００３７】なお、上記参考発明によれば、以下のよう
な作用を有する。According to the above-described reference invention, the following functions are provided.

【００３８】例えば、１個または直線状に並べられた複
数個のベアーチップセンサＩＣ５を平行に２列以上に並
べ、隣り合う列同士のベアーチップセンサＩＣ５を複数
のワイヤによって電気的に接続すれば、各列の間に導体
パターン１０を設ける必要がなくなる。そのため、各列
の間隔を狭くすることができ、ベアーチップセンサＩＣ
５に対する原稿読取り位置の間隔を狭くすることが可能
である。For example, if one or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a line are arranged in two or more rows in parallel, and the bare chip sensor ICs 5 in adjacent rows are electrically connected by a plurality of wires. In addition, there is no need to provide the conductor pattern 10 between each row. Therefore, the interval between each row can be reduced, and the bare chip sensor IC
5 can be narrowed.

【００３９】さらに、上記参考発明によれば、各列のベ
アーチップセンサＩＣ５に、隣の列のベアーチップセン
サＩＣ５に対して高低差を設けた。そのため、ベアーチ
ップセンサＩＣ５と隣のベアーチップセンサＩＣ５との
間にワイヤ１１を接続する場合、ベアーチップセンサＩ
Ｃ５と導体パターン１０と同様に高さ関係によってワイ
ヤ１１の接続が可能である。Further, according to the above-described reference invention, a difference in height is provided between the bare chip sensor ICs 5 in each row and the bare chip sensor ICs 5 in the adjacent row. Therefore, when the wire 11 is connected between the bare chip sensor IC5 and the adjacent bare chip sensor IC5, the bare chip sensor I5
The connection of the wire 11 is possible according to the height relationship as in the case of the conductor pattern 10 and C5.

【００４０】さらに、１個または直線状に並べられた複
数個のベアーチップセンサＩＣ５を平行に２列以上並べ
て、同列上の隣り合うベアーチップセンサＩＣ５を複数
のワイヤによって電気的に接続したため、各列の間に導
体パターン１０を設ける必要がなく、各列の間隔を物理
的に狭くすることが可能である。そのため、ベアーチッ
プセンサＩＣ５に対応する原稿読取り位置の間隔をも狭
くすることが可能となる。Furthermore, one or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in two or more rows in parallel, and adjacent bare chip sensor ICs 5 on the same row are electrically connected by a plurality of wires. There is no need to provide the conductor pattern 10 between the rows, and the spacing between the rows can be physically reduced. Therefore, it is possible to narrow the interval between the document reading positions corresponding to the bare chip sensor IC 5.

【００４１】また、１個または直線状に並べられた複数
個のベアーチップセンサＩＣ５を平行に２列に並べて、
両列のベアーチップセンサＩＣ５のＩＣパターンを対象
にし、各列からのワイヤ１１を両列外側に向けて導体パ
ターン１０に接続した。このため、各列の間に導体パタ
ーン１０を設ける必要がなく、各列の間隔を狭くするこ
とが可能となる。そのため、ベアーチップセンサＩＣ５
に対応する原稿読取り位置の間隔をも狭くすることが可
能である。Further, one or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in two rows in parallel.
With respect to the IC patterns of the bare chip sensor ICs 5 in both rows, the wires 11 from each row were connected to the conductor patterns 10 facing outward from both rows. For this reason, it is not necessary to provide the conductor pattern 10 between each row, and it becomes possible to narrow the interval between each row. Therefore, bare chip sensor IC5
It is also possible to narrow the interval between the document reading positions corresponding to.

【００４２】[0042]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００４３】実施の形態１．本発明の一実施の形態を図
１に基づき説明する。図１には、センサ基板の断面図が
示されており、この図に示されているように、ベアーチ
ップセンサＩＣ５は低粘度の無色透明のシリコン樹脂１
２によって覆われている。この低粘度の無色透明のシリ
コン樹脂１２は、ベアーチップセンサＩＣ５の上から液
下される。ベアーチップセンサＩＣ５は、数１００μｍ
の高さがあり、樹脂１２は低粘度である。そのため、ベ
アーチップセンサＩＣ５の上に１滴滴下された後、一定
の厚さの膜を作りながらセンサ基板４に流れ落ちる。こ
のため、数μｍから数１０μｍの均一な厚さの薄い膜を
ベアーチップセンサＩＣ５の上に形成することが可能で
ある。このため、透明のシリコン樹脂１２の厚さのばら
つきを各イメージセンサ毎に数１０μｍ以下に小さくす
ることが可能である。そして、ロッドレンズアレイ３
と、ベアーチップセンサＩＣ５との間の光学的距離のば
らつきもなくなり、ベアーチップセンサＩＣ５上に正確
に焦点が結ばれるようになり、密着イメージセンサの解
像度のばらつきを小さく抑えることが可能となる。 Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of the sensor substrate. As shown in FIG. 1, the bare chip sensor IC 5 is a low-viscosity, colorless and transparent silicone resin 1.
2 is covered. The low-viscosity, colorless and transparent silicone resin 12 is dropped from above the bare chip sensor IC 5. Bear chip sensor IC5 is several hundred μm
And the resin 12 has a low viscosity. Therefore, after one drop is dropped on the bare chip sensor IC 5, it flows down to the sensor substrate 4 while forming a film of a constant thickness. Therefore, a thin film having a uniform thickness of several μm to several tens μm can be formed on the bare chip sensor IC 5. For this reason, it is possible to reduce the variation in the thickness of the transparent silicon resin 12 to several tens μm or less for each image sensor. And rod lens array 3
Also, the variation in the optical distance from the bare chip sensor IC 5 is eliminated, the focus is accurately focused on the bare chip sensor IC 5, and the variation in the resolution of the contact image sensor can be reduced.

【００４４】実施の形態２．図２には、本実施の形態２
にかかるセンサ基板の断面図が示されている。また、図
３には本実施の形態２にかかる密着イメージセンサの断
面図が示されている。図２に示されているように、本実
施の形態２にかかるベアーチップセンサＩＣ５が低粘度
の有色の透明の薄い膜状のシリコン樹脂１３によって覆
われている。このため、原稿１がいわゆるカラー原稿の
場合には白色の蛍光灯光源１４（図３参照）から出た光
が、原稿１で反射されロッドレンズアレイ３を通過した
ときには原稿１のすべての色の情報を含んでいるが、上
記低粘度の有色透明のシリコン樹脂１３により特定の色
成分の情報だけがベアーチップセンサＩＣ５に到達す
る。 Embodiment 2 FIG. 2 shows the second embodiment.
Is a cross-sectional view of the sensor substrate according to FIG. FIG. 3 is a sectional view of the contact image sensor according to the second embodiment. As shown in FIG. 2, the bare chip sensor IC 5 according to the second embodiment is covered with a low-viscosity colored transparent thin film-like silicon resin 13. For this reason, when the original 1 is a so-called color original, light emitted from the white fluorescent lamp light source 14 (see FIG. 3) is reflected by the original 1 and passes through the rod lens array 3. Although information is included, only the information of a specific color component reaches the bare chip sensor IC 5 by the low-viscosity colored transparent silicone resin 13.

【００４５】このように、本実施の形態２においては、
低粘度の有色透明の薄い膜状のシリコン樹脂１３を用い
てベアーチップセンサＩＣ５を覆っているため、実施の
形態１に示されている構成と同様の効果のほかに、さら
に、原稿１がカラー原稿である場合にはこの薄い膜状の
樹脂の色と同じ色の文字や線を読み飛ばすことが可能と
なる。As described above, in the second embodiment,
Since the bare chip sensor IC 5 is covered with the low-viscosity colored transparent thin film-like silicon resin 13, in addition to the same effect as the configuration shown in the first embodiment, the original 1 is also colored. In the case of a document, characters and lines having the same color as the color of the thin film-like resin can be skipped.

【００４６】実施の形態３．本発明の好適な実施の形態
３にかかる密着イメージセンサの説明図が図４、図５に
示されている。図４は、本実施の形態３のセンサ基板の
断面図である。図４に示されているように、本実施の形
態３にかかるベアーチップセンサＩＣ５は、それぞれ赤
色、緑色、青色の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹
脂１５ａ，１５ｂ，１５ｃによってそれぞれ覆われてい
る。このように、センサ基板４の上に直線状に並べられ
ているベアーチップセンサＩＣ５は、それぞれ平行に配
置されている。 Embodiment 3 FIGS. 4 and 5 are explanatory views of a contact image sensor according to a preferred embodiment 3 of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the sensor substrate according to the third embodiment. As shown in FIG. 4, the bare chip sensor IC 5 according to the third embodiment is respectively covered with red, green, and blue low-viscosity transparent thin film-shaped silicon resins 15a, 15b, and 15c. ing. As described above, the bare chip sensor ICs 5 linearly arranged on the sensor substrate 4 are arranged in parallel.

【００４７】また、図５は図４に示されているようなセ
ンサ基板を用いた密着イメージセンサ全体の断面図であ
る。本実施の形態３にかかる密着イメージセンサは、赤
色、緑色、青色の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹
脂によってそれぞれ覆われているベアーチップセンサＩ
Ｃ５がセンサ基板４の上に設けられていること以外は、
上記実施の形態１や２とほぼ同様の構成を有している。FIG. 5 is a cross-sectional view of the entire contact image sensor using the sensor substrate as shown in FIG. The contact image sensor according to the third embodiment is a bare chip sensor I that is covered with a red, green, and blue low-viscosity transparent thin film-shaped silicon resin, respectively.
Except that C5 is provided on the sensor substrate 4,
It has almost the same configuration as the first and second embodiments.

【００４８】本実施の形態にかかる密着イメージセンサ
によれば、赤色の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹
脂１５ａは、原稿の赤色の成分の情報のみを通過する。
また、緑色の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂１
５ｂは、原稿の緑色の成分の情報のみを通過する。そし
て、青色の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂１５
ｃは、原稿の青色の成分の情報のみを通過させる。According to the contact image sensor according to the present embodiment, the red, low-viscosity, transparent thin film-like silicon resin 15a passes only information on the red component of the document.
In addition, a green, low-viscosity, transparent thin film-like silicone resin 1
5b passes only the information of the green component of the document. Then, a blue, low-viscosity, transparent thin film-like silicone resin 15 is formed.
c allows only the information of the blue component of the document to pass.

【００４９】このように、本実施の形態３においては、
直線状に並べられた複数個のベアーチップセンサＩＣ５
を平行に３列に並べている。そして、各列ごとに、低粘
度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂で覆っているのであ
る。本実施の形態３において特徴的なことは、この低粘
度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂がそれぞれの列ごと
に赤色、緑色、青色をしていることである。このような
構成により、上記実施の形態１に示されている密着イメ
ージセンサと同等の効果を有すると共に、さらに原稿１
がカラー原稿である場合には読取った３種類の情報をも
とに光の３原色（赤、緑、青）の組み合わせによりカラ
ー情報として認識することが可能となる。As described above, in the third embodiment,
A plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line
Are arranged in three rows in parallel. Each row is covered with a low-viscosity transparent thin film-like silicon resin. What is characteristic in the third embodiment is that the low-viscosity transparent thin film-shaped silicone resin is red, green, and blue for each row. With such a configuration, the same effect as that of the contact image sensor shown in the first embodiment can be obtained, and
Is a color document, color information can be recognized by a combination of three primary colors of light (red, green, and blue) based on the three types of read information.

【００５０】実施の形態４．本実施の形態４にかかる密
着イメージセンサ及びそれに用いられているセンサ基板
４の説明図が図６及び図７に示されている。図６は、セ
ンサ基板４の断面図である。また、図７は、本実施の形
態４にかかる密着イメージセンサの全体の断面図であ
る。なお、図７において示されているように、３列のベ
アーチップセンサＩＣ５にそれぞれ対応する原稿の読取
り位置が図７において、１６で示されている。 Embodiment 4 FIGS. 6 and 7 are explanatory diagrams of the contact image sensor according to the fourth embodiment and the sensor substrate 4 used therein. FIG. 6 is a sectional view of the sensor substrate 4. FIG. 7 is an overall sectional view of the contact image sensor according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 7, the document reading positions corresponding to the three rows of bare chip sensor ICs 5 are indicated by 16 in FIG.

【００５１】図に示されているように、緑色及び青色の
低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂１５ｂ，１５ｃ
に覆われているベアーチップセンサＩＣ５は、ワイヤ１
１によってそれぞれ隣の列のベアーチップセンサＩＣ５
と接続されている。このような接続の結果、それぞれ隣
の列のベアーチップセンサＩＣ５に対してもセンサの出
力信号が送られることになる。そして、最終的には赤色
の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂１５ａに覆わ
れているベアーチップセンサＩＣ５を介して導体パター
ン１０にセンサ信号が出力される。As shown in the figure, green and blue low-viscosity transparent thin film-like silicone resins 15b, 15c
The bare chip sensor IC5 covered with the wire 1
1, the bare chip sensor IC5 in the adjacent row
Is connected to As a result of such a connection, the output signal of the sensor is also sent to the bare chip sensor IC 5 in the adjacent row. Finally, a sensor signal is output to the conductor pattern 10 via the bare chip sensor IC 5 covered with the red, low-viscosity, transparent, thin film-like silicon resin 15a.

【００５２】以上のように、本実施の形態４において
は、直線状に並べられた複数個のベアーチップセンサＩ
Ｃ５を平行に３列に並べている。そして、各列のベアー
チップセンサＩＣ５を低粘度の透明のシリコン樹脂１５
ａ，１５ｂ，１５ｃでそれぞれ覆っている。これらのシ
リコン樹脂はそれぞれ赤色、緑色、青色をしている。さ
らに、隣り合ったベアーチップセンサＩＣ５の列との間
に導体パターン１０を設ける必要がないようにワイヤ１
１を接続している。この点について図４と図６を比較さ
れたい。図４においては各列の間に導体パターン１０が
存在したが、図６ではベアーチップセンサＩＣ５ととな
りの列のベアーチップセンサＩＣ５とを直接ワイヤ１１
により接続したため、各列の間の導体パターン１０の必
要がなくなり、各列の間をさらに狭めることが可能であ
る。As described above, in the fourth embodiment, a plurality of bare chip sensors I
C5 are arranged in three rows in parallel. Then, each row of bare chip sensor ICs 5 is replaced with a low-viscosity transparent silicone resin 15.
a, 15b and 15c respectively. These silicone resins are red, green, and blue, respectively. Further, the wires 1 are arranged so that there is no need to provide a conductor pattern 10 between adjacent rows of bare chip sensor ICs 5.
1 are connected. Compare FIG. 4 and FIG. 6 in this regard. In FIG. 4, the conductor pattern 10 exists between each row, but in FIG. 6, the bare chip sensor IC 5 and the bare chip sensor IC
Therefore, the need for the conductor pattern 10 between each row is eliminated, and the space between each row can be further reduced.

【００５３】このような構成においては上記実施の形態
３と同様の効果を有すると共に、さらに３列のベアーチ
ップセンサＩＣ５の列の間隔を狭くすることが可能とな
る。このように、３列のベアーチップセンサＩＣ５の列
の間隔が狭くなると、これに対応する原稿読取り位置１
６（図７参照）の間隔が狭くなり、原稿１をガラスプレ
ート７に密着させる範囲を狭くすることが可能である。
その結果、原稿１の紙送りを容易にすることができ、さ
らには白色の蛍光灯光源１４で照明すべき範囲も狭くす
ることが可能である。その結果、より均一な光で読取り
範囲である原稿１を照射することができ、精度の向上し
た原稿読取りが可能となる。In such a configuration, the same effects as in the third embodiment can be obtained, and the interval between the three rows of bare chip sensor ICs 5 can be further reduced. As described above, when the interval between the three rows of the bare chip sensor ICs 5 becomes narrow, the original reading position 1 corresponding to this becomes small.
6 (see FIG. 7) becomes narrower, and the range in which the document 1 is brought into close contact with the glass plate 7 can be narrowed.
As a result, the document 1 can be easily fed, and the range to be illuminated by the white fluorescent light source 14 can be narrowed. As a result, the original 1 in the reading range can be irradiated with more uniform light, and the original can be read with improved accuracy.

【００５４】実施の形態５．図８には、本実施の形態５
にかかる密着イメージセンサのセンサ基板１７の断面図
が示されている。この図８において、緑色の低粘度の透
明の薄い膜状のシリコン樹脂１５ｂに覆われているベア
ーチップセンサＩＣ５は、センサ基板１７に段差を設け
ているため、赤色の低粘度の薄い膜状のシリコン樹脂１
５ａに覆われているベアーチップセンサＩＣ５より相対
的に高い位置にある。より正確には、原稿１に近い位置
に存在する。そのため、この２列をワイヤ１１で接続す
る場合には、赤色の低粘度の透明の薄い膜状のシリコン
樹脂１５ａに覆われているベアーチップセンサＩＣ５
と、導体パターン１０の高低差と同程度の高さ関係に合
わせることが可能である。また、青色の低粘度の透明の
薄い膜状のシリコン樹脂１５ｃに覆われているベアーチ
ップセンサＩＣ５と緑色の低粘度の透明の薄い膜状のシ
リコン樹脂１５ｂに覆われているベアーチップセンサＩ
Ｃ５も同様の高さ関係に維持することが可能である。 Embodiment 5 FIG . FIG. 8 shows the fifth embodiment.
Is a cross-sectional view of the sensor substrate 17 of the contact image sensor according to FIG. In FIG. 8, the bare chip sensor IC 5 covered with the green low-viscosity transparent thin film-like silicon resin 15 b has a step on the sensor substrate 17, so that the red low-viscosity thin film-like Silicon resin 1
It is located relatively higher than the bare chip sensor IC 5 covered by 5a. More precisely, it exists at a position close to the document 1. Therefore, when the two rows are connected by the wire 11, the bare chip sensor IC 5 covered with the red low-viscosity transparent thin film-like silicon resin 15a is used.
And a height relationship approximately equal to the height difference of the conductor pattern 10. Further, a bare chip sensor IC5 covered with a blue low-viscosity transparent thin film-like silicon resin 15c and a bare chip sensor I covered with a green low-viscosity transparent thin film-like silicon resin 15b.
C5 can be maintained in the same height relationship.

【００５５】換言すれば、本実施の形態５にかかる密着
イメージセンサは、導体パターン１０と、赤色の低粘度
の薄い膜状のシリコン樹脂１５ａに覆われているベアー
チップセンサＩＣ５との間にある高さ関係を、各ベアー
チップセンサＩＣ５の列の間の高さ関係にとしたもので
ある。このような高さ関係を実現するため、緑色の低粘
度の透明の薄い膜状のシリコン樹脂１５ｂに覆われてい
るベアーチップセンサＩＣ５は、上記目的を達成するべ
く、若干高い位置に設けられなければならない。そのた
め、本実施の形態にかかる密着イメージセンサにおいて
は、センサ基板１７の一部を盛上げることにより、上記
シリコン樹脂１５ｂが対応するベアーチップセンサＩＣ
５の高さの位置を高くしたのである。同様にして、緑色
のシリコン樹脂１５ｃに対応するベアーチップセンサＩ
Ｃ５の高さ位置もさらに高くすべく、図８に示されてい
るようにセンサ基板１７の高さを調節することにより、
各ベアーチップセンサＩＣ５の間に所望の高さ関係を実
現することができたものである。In other words, the contact image sensor according to the fifth embodiment is between the conductor pattern 10 and the bare chip sensor IC 5 covered with the red low-viscosity thin film-like silicon resin 15a. The height relationship is a height relationship between the rows of the bare chip sensor ICs 5. In order to realize such a height relationship, the bare chip sensor IC 5 covered with a green, low-viscosity, transparent thin film-like silicon resin 15b must be provided at a slightly higher position in order to achieve the above object. Must. Therefore, in the contact image sensor according to the present embodiment, by raising a part of the sensor substrate 17, the bare chip sensor IC corresponding to the silicon resin 15 b is used.
The height position of 5 was raised. Similarly, bare chip sensor I corresponding to green silicone resin 15c
By further adjusting the height of the sensor board 17 as shown in FIG. 8 to further increase the height position of C5,
The desired height relationship between the bare chip sensor ICs 5 can be realized.

【００５６】以上述べたように、本実施の形態５におい
ては、直線状に並べられた複数個のベアーチップセンサ
ＩＣ５を平行に３列に並べ、各列の低粘度の透明のシリ
コン樹脂（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）にそれぞれ赤色、
緑色、青色を用いて、且つ、隣り合ったベアーチップセ
ンサＩＣ５の列と列との間に導体パターン１０を設ける
必要がないようにワイヤ１１を接続している。As described above, in the fifth embodiment, a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in three rows in parallel, and the low-viscosity transparent silicon resin (15a , 15b, 15c), respectively,
The wires 11 are connected using green and blue colors so that there is no need to provide the conductor pattern 10 between adjacent rows of the bare chip sensor ICs 5.

【００５７】さらに、本実施の形態５にかかる密着イメ
ージセンサにおいては隣り合ったベアーチップセンサＩ
Ｃ５の列と列との間に段差を設けている。その結果、上
記実施の形態４と同等の効果を奏すると共に、さらに、
ワイヤ１１の接続を導体パターン１０に対するものと同
様の条件で行うことができ、ワイヤ１１の取り付けが容
易になるという効果を奏する。Further, in the contact image sensor according to the fifth embodiment, the adjacent bare chip sensor I
A step is provided between the rows of C5. As a result, the same effects as those of the fourth embodiment can be obtained, and further,
The connection of the wire 11 can be performed under the same conditions as those for the conductor pattern 10, and the effect of facilitating the attachment of the wire 11 is achieved.

【００５８】実施の形態６．図９には、本実施の形態６
にかかる密着イメージセンサの説明図が示されている。
この図９は、本実施の形態６にかかる密着イメージセン
サの断面図であり、図において原稿１とベアーチップセ
ンサＩＣ５との距離がそれぞれ１９ａ，１９ｃ，１９ｂ
で表されている。この図９におけるセンサ基板４の断面
は、上述した図８と同様の構造をなしている。また、図
９に示されているように、本実施の形態６にかかる密着
イメージセンサにおいてはガラスプレート７が斜めに取
り付けられている。この結果、原稿１とベアーチップセ
ンサＩＣ５との間の距離１９（ａ，ｂ，ｃ）を赤色、緑
色、青色の読み取る波長により異なる焦点距離に合わせ
ることが可能である。赤色の波長は緑色の波長より長
く、緑色の波長は青色の波長より長い。そのため、安価
なロッドレンズアレイ３では各色によって焦点距離が異
なる場合が多い。しかし、図９に示されている本実施の
形態６にかかる密着イメージセンサの構造によれば、各
色に合わせて焦点距離を変えることが可能となるため、
赤色、緑色、青色のそれぞれの移動を精度良く読み取る
ことが可能である。 Embodiment 6 FIG . FIG. 9 shows the sixth embodiment.
3 is an explanatory diagram of a contact image sensor according to the first embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the contact image sensor according to the sixth embodiment, in which the distance between the original 1 and the bare chip sensor IC 5 is 19a, 19c, and 19b, respectively.
It is represented by The cross section of the sensor substrate 4 in FIG. 9 has the same structure as that of FIG. 8 described above. Further, as shown in FIG. 9, in the contact image sensor according to the sixth embodiment, the glass plate 7 is attached diagonally. As a result, it is possible to adjust the distance 19 (a, b, c) between the original 1 and the bare chip sensor IC 5 to a different focal length depending on the read wavelength of red, green, and blue. The red wavelength is longer than the green wavelength, and the green wavelength is longer than the blue wavelength. For this reason, inexpensive rod lens arrays 3 often have different focal lengths for each color. However, according to the structure of the contact image sensor according to the sixth embodiment shown in FIG. 9, since the focal length can be changed according to each color,
It is possible to accurately read each movement of red, green, and blue.

【００５９】以上述べたように、本実施の形態６によれ
ば、直線状に並べられた複数個のベアーチップセンサＩ
Ｃ５を、平行に３列に並べた。そして、各列の低粘度の
透明のシリコン樹脂を、赤色、緑色、青色の有色透明と
した。さらに、隣り合ったベアーチップセンサＩＣ５の
列と列との間に導体パターン１０を設ける必要のないよ
う、ワイヤ１１で直接接続し、この接続を容易にするた
めに隣り合ったベアーチップセンサＩＣ５の列と列との
間に段差を設けている。さらに、本実施の形態６におい
ては、各列のベアーチップセンサＩＣ５が読み取る色の
波長の焦点距離に合うようにガラスプレート７が斜めに
設けられている。そのため、上記実施の形態５にかかる
密着イメージセンサと同様の作用効果を奏すると共に、
さらに解像度の向上を図ることが可能である。As described above, according to the sixth embodiment, a plurality of bare chip sensors I
C5 was arranged in three rows in parallel. The low-viscosity transparent silicone resin in each row was colored, transparent, red, green, and blue. Furthermore, the conductor patterns 10 are directly connected by wires 11 so that there is no need to provide the conductor patterns 10 between the rows of the adjacent bare chip sensor ICs 5, and the adjacent bare chip sensor ICs 5 are connected in order to facilitate this connection. A step is provided between rows. Further, in the sixth embodiment, the glass plate 7 is provided obliquely so as to match the focal length of the wavelength of the color read by the bare chip sensor ICs 5 in each row. Therefore, the same operation and effect as those of the contact image sensor according to the fifth embodiment can be obtained, and
Further, the resolution can be improved.

【００６０】実施の形態７．図１０には、本実施の形態
７にかかる密着イメージセンサの断面図が示されてい
る。この図１０に示されている実施の形態７のセンサ基
板４の断面の様子は、図４に示されているセンサ基板４
と本質的に同様の構造をなしている。本実施の形態７に
おいては、図１０に示されているように、ガラスプレー
ト７及びセンサ基板４とが共に斜めに設置されている。
このように、共に斜めに設置されていることにより、図
９に示されているのと同様に、原稿１とベアーチップセ
ンサＩＣ５との間の距離１９（ａ，ｂ，ｃ）をそれぞれ
赤色、緑色、青色の読み取る波長により異なる焦点距離
に合致させることが可能である。 Embodiment 7 FIG . FIG. 10 is a cross-sectional view of the contact image sensor according to the seventh embodiment. The state of the cross section of the sensor substrate 4 of the seventh embodiment shown in FIG. 10 is the same as that of the sensor substrate 4 shown in FIG.
Has essentially the same structure. In the seventh embodiment, as shown in FIG. 10, the glass plate 7 and the sensor substrate 4 are both installed obliquely.
As described above, the distances 19 (a, b, c) between the original 1 and the bare chip sensor IC 5 are set to be red and red, respectively, as shown in FIG. It is possible to match different focal lengths depending on the reading wavelengths of green and blue.

【００６１】このように、本実施の形態７によれば、直
線状に並べられた複数個のベアーチップセンサＩＣ５を
平行に３列に並べ、各列の低粘度の透明のシリコン樹脂
にそれぞれ赤色、緑色、青色を用いている。さらに、各
列のベアーチップセンサＩＣ５の読み取る色の波長の焦
点距離に合うように、ガラスプレート７及びセンサ基板
４とを共に斜めに設置しているため、上記実施の形態５
の密着イメージセンサと同等の効果を奏するものであ
る。As described above, according to the seventh embodiment, the plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in three rows in parallel, and the low-viscosity transparent silicon resin in each row is red-colored. , Green and blue. Furthermore, since the glass plate 7 and the sensor substrate 4 are both installed obliquely so as to match the focal length of the color wavelength read by the bare chip sensor ICs 5 in each row, the fifth embodiment is used.
This has the same effect as the close contact image sensor.

【００６２】実施の形態８．図１１には、本実施の形態
８にかかる密着イメージセンサのセンサ基板４の説明図
が示されている。図１１に示されているように、ベアー
チップセンサＩＣ５は、ワイヤ１８によって接続され、
列を形成している。さらに、各列の両端のベアーチップ
センサＩＣ５は、ワイヤ１１によって導体パターン１０
に接続されている。このような構成により、各列に含ま
れるすべてのベアーチップセンサＩＣ５が電気的に導体
パターン１０と接続されているのである。 Embodiment 8 FIG . FIG. 11 is an explanatory diagram of the sensor substrate 4 of the contact image sensor according to the eighth embodiment. As shown in FIG. 11, the bare chip sensor IC 5 is connected by a wire 18,
Form a row. Further, the bare chip sensor ICs 5 at both ends of each row are connected to the conductor patterns 10 by wires 11.
It is connected to the. With such a configuration, all the bare chip sensor ICs 5 included in each column are electrically connected to the conductor pattern 10.

【００６３】以上のように、本実施の形態８にかかる密
着イメージセンサによれば、直線状に並べられた複数個
のベアーチップセンサＩＣ５を平行に３列に並べ、各列
の低粘度の透明のシリコン樹脂にそれぞれ赤色、緑色、
青色を用いている。さらに、隣り合ったベアーチップセ
ンサＩＣ５の列と列との間に導体パターン１０を設ける
必要がないように、同一の列に含まれるベアーチップセ
ンサＩＣ５をワイヤ１８によりそれぞれ隣接するベアー
チップセンサＩＣ５に接続したのである。その結果、上
記実施の形態４に示されている密着イメージセンサと同
様の効果を奏する。As described above, according to the close-contact image sensor according to the eighth embodiment, the plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in three rows in parallel, and the low-viscosity transparent Red, green,
Blue color is used. Furthermore, the bare chip sensor ICs 5 included in the same row are connected to the adjacent bare chip sensor ICs 5 by wires 18 so that it is not necessary to provide the conductor pattern 10 between adjacent rows of the bare chip sensor ICs 5. It was connected. As a result, an effect similar to that of the contact image sensor described in the fourth embodiment can be obtained.

【００６４】実施の形態９．図１２には、本実施の形態
９にかかる密着イメージセンサのセンサ基板４の断面図
であり、この図において、ベアーチップセンサＩＣ２
０，２１が互いに対称に設けられている。すなわち、図
１２に示されているようにベアーチップセンサＩＣ２０
と接続される導体パターン１０は、ベアーチップセンサ
ＩＣ２１とワイヤ１１を介して接続される導体パターン
１０と線対称である。また、図１３は、このように互い
に線対称に設けられているベアーチップセンサＩＣ２０
及び２１の平面図である。この図に示されているよう
に、ベアーチップセンサＩＣ２０，２１の導体パターン
（ＩＣパターン）を対称に構成したので、図１２に示す
ようにワイヤ１１をベアーチップセンサＩＣ２０と２１
の間ではなく、この２列のベアーチップセンサＩＣ２０
及び２１の外側において導体パターン１０とそれぞれ接
続することが可能となる。 Embodiment 9 FIG. 12 is a cross-sectional view of the sensor substrate 4 of the contact image sensor according to the ninth embodiment.
0 and 21 are provided symmetrically to each other. That is, as shown in FIG.
The conductor pattern 10 connected to the conductor pattern 10 is line-symmetric with the conductor pattern 10 connected to the bare chip sensor IC 21 via the wire 11. FIG. 13 shows a bare chip sensor IC 20 provided symmetrically with respect to each other.
And 21 are plan views. As shown in this figure, since the conductor patterns (IC patterns) of the bare chip sensor ICs 20 and 21 are configured symmetrically, the wire 11 is connected to the bare chip sensor ICs 20 and 21 as shown in FIG.
Between the two rows of bare chip sensor ICs 20
And 21 can be connected to the conductor pattern 10 respectively.

【００６５】このように、本実施の形態９においては、
低粘度の有色透明の薄い膜状のシリコン樹脂１５ａ，１
５ｂを用い、隣り合ったベアーチップセンサＩＣ２０と
２１の列との間に導体パターン１０を設ける必要がな
い。これは、２列のベアーチップセンサＩＣのＩＣパタ
ーンを対象にしたためである。この結果、２列のベアー
チップセンサＩＣ２０と２１との間の間隔を小さくする
ことができ、上記実施の形態４に示されている密着イメ
ージセンサと同様の効果を奏するものである。As described above, in the ninth embodiment,
Low-viscosity colored transparent thin film-like silicone resin 15a, 1
5b, there is no need to provide a conductor pattern 10 between adjacent rows of bare chip sensor ICs 20 and 21. This is because the IC patterns of the two rows of bare chip sensor ICs are targeted. As a result, the interval between the two rows of bare chip sensor ICs 20 and 21 can be reduced, and the same effect as that of the contact image sensor shown in the fourth embodiment can be obtained.

【００６６】[0066]

【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ため、以下に示す効果を奏する。The present invention is configured as described above, and has the following effects.

【００６７】第１、第２及び第３の本発明によれば、ロ
ッドレンズアレイとベアーチップセンサＩＣとの間の光
学的距離のばらつきがなくなる。すなわち、光センサ手
段上に低粘度の透明の樹脂を薄い膜状に覆ったため、光
学的距離のばらつきを少なくすることができるものであ
る。その結果、ベアーチップセンサＩＣ（光センサ手
段）における焦点が安定し、解像度のばらつきが少ない
密着イメージセンサが得られる。According to the first, second and third aspects of the present invention, the optical distance between the rod lens array and the bare chip sensor IC does not vary. That is, since the low-viscosity transparent resin is covered on the optical sensor means in a thin film shape, the variation in the optical distance can be reduced. As a result, it is possible to obtain a contact image sensor in which the focus in the bare chip sensor IC (optical sensor means) is stable and the variation in resolution is small.

【００６８】第４及び第５の本発明によれば、カラー原
稿を効率良く読み取ることが可能な密着イメージセンサ
が得られる。これらの発明においては、ベアーチップセ
ンサＩＣ（光センサ手段）を平行に３列以上に並べ、そ
れぞれの列に少なくとも赤色、緑色、青色の３色以上の
低粘度の透明の樹脂を薄い膜状に覆った構成をしている
のである。According to the fourth and fifth aspects of the present invention, a contact image sensor capable of efficiently reading a color original can be obtained. In these inventions, bare-chip sensor ICs (optical sensor means) are arranged in three or more rows in parallel, and at least three low-viscosity transparent resins of red, green, and blue are formed on each row in a thin film form. It is covered.

【００６９】第６の本発明によれば、透明の樹脂の薄い
膜が有色として密着イメージセンサが構成されるため、
カラー原稿において樹脂の有する色と同じ色だけを読み
飛ばすことが可能となる。According to the sixth aspect of the invention, since the thin film of the transparent resin is colored to form the contact image sensor,
It is possible to skip only the same color as the color of the resin in the color original.

【００７０】第７の本発明によれば、原稿が搬送される
プレートを斜めに置いているため、原稿の読み取り解像
度が向上した密着イメージセンサが得られる。According to the seventh aspect of the present invention, since the plate on which the original is transported is placed obliquely, it is possible to obtain a contact image sensor with improved original reading resolution.

【００７１】第８の本発明によれば、原稿が搬送される
プレート及びとなりの列のベアーチップセンサＩＣに対
し、高低差をつけていないセンサ基板を斜めに取り付け
た密着イメージセンサを構成したため、上記第７の本発
明と同様に、原稿の読み取り解像度が向上した密着イメ
ージセンサが得られる。According to the eighth aspect of the present invention, a contact image sensor in which a sensor board having no difference in height is obliquely attached to a plate on which a document is conveyed and a bare chip sensor IC in a next row is constructed. As in the seventh aspect of the present invention, it is possible to obtain a contact image sensor with improved original reading resolution.

【００７２】その他の効果 １個または直線状に並べられた複数個のベアーチップセ
ンサＩＣ５を平行に２列以上に並べ、複数のワイヤ１１
によって隣り合う列同士のベアーチップセンサＩＣ５を
電気的に接続した構成を有する密着イメージセンサは、
紙送りを容易にすることができ、また、均一な光で照ら
すことができるため、精度の良い読み取りを可能とする
ものである。 Other effects One or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in two or more rows in parallel to form a plurality of wires 11.
The contact image sensor having a configuration in which the bare chip sensor ICs 5 in adjacent rows are electrically connected by
Since the paper can be easily fed and illuminated with uniform light, accurate reading can be performed.

【００７３】また、各列に属するベアーチップセンサＩ
Ｃ５に、隣の列のベアーチップセンサＩＣ５に対し高低
差を設けた密着イメージセンサは、ワイヤ１１の接続の
信頼性を構造することが可能である。The bare chip sensor I belonging to each row
The contact image sensor in which the height difference is provided between the bare chip sensor ICs 5 in the adjacent row at C5 can configure the reliability of the connection of the wire 11.

【００７４】また、１個または直線状に並べられた複数
個のベアーチップセンサＩＣ５を平行に２列以上並べ、
複数のワイヤによって同列状の隣り合うベアーチップセ
ンサＩＣ５を電気的に接続した密着イメージセンサは、
紙送りを容易にすることができ、また、均一な光で原稿
を照射することが可能となり、精度の向上した原稿読み
取りが可能となる。Further, one or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in two or more rows in parallel.
A contact image sensor in which adjacent bare chip sensor ICs 5 in the same row are electrically connected by a plurality of wires,
Paper feeding can be facilitated, and the original can be irradiated with uniform light, so that the original can be read with improved accuracy.

【００７５】１個または直線状に並べられた複数個のベ
アーチップセンサＩＣ５を平行に２列に並べ、両方の列
のベアーチップセンサＩＣ５のＩＣパターンを対称に
し、各列からのワイヤ１１を両方の列の外側に向けて導
体パターン１０に接続するように構成すれば、紙送りが
容易になり、また均一な光で原稿を照射することがで
き、精度の向上した読み取りが可能となる。One or a plurality of bare chip sensor ICs 5 arranged in a straight line are arranged in parallel in two rows, the IC patterns of the bare chip sensor ICs 5 in both rows are symmetrical, and both wires 11 from each row are connected. In this case, the paper is easily fed, the original can be irradiated with uniform light, and reading with improved accuracy can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の一実施形態である密着イメージセン
サのセンサ基板を表す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a sensor substrate of a contact image sensor according to an embodiment of the present invention.

【図２】 本発明の好適な実施形態である密着イメージ
センサのセンサ基板を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a sensor substrate of a contact image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

【図３】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサを示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図４】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサのセンサ基板を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a sensor substrate of a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図５】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサを示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図６】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサのセンサ基板を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a sensor substrate of a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図７】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサを示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図８】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサのセンサ基板を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a sensor substrate of a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図９】 本発明の他の実施形態である密着イメージセ
ンサを示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１０】 本発明の他の実施形態である密着イメージ
センサを示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１１】 本発明の他の実施形態である密着イメージ
センサのセンサ基板を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a sensor substrate of a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１２】 本発明の他の実施形態である密着イメージ
センサのセンサ基板を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a sensor substrate of a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１３】 本発明の他の実施形態である密着イメージ
センサのセンサＩＣを示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a sensor IC of a contact image sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１４】 従来の密着イメージセンサを示す断面図で
ある。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional contact image sensor.

【図１５】 従来の密着イメージセンサのセンサ基板を
示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a sensor substrate of a conventional contact image sensor.

【図１６】 従来の密着イメージセンサのセンサ基板を
示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view showing a sensor substrate of a conventional contact image sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 原稿、２ ライン光源、３ ロッドレンズアレイ、
４ センサ基板、５ベアーチップセンサＩＣ、６ 高粘
度の無色透明の樹脂、７ ガラスプレート、８ センサ
フレーム、９ センサフレーム、１０ 導体パターン、
１１ ワイヤ、 １２ 低粘度の無色透明の薄い膜状の
シリコン樹脂、１３ 低粘度の無色透明の薄い膜状のシ
リコン樹脂、１４ 白色の蛍光灯光源、１５ 低粘度の
無色透明の薄い膜状のシリコン樹脂、１６ 原稿読取り
位置、１７ 段差を有するセンサ基板、１８ ワイヤ、
１９ 原稿とベアーチップセンサＩＣとの距離、２０ベ
アーチップセンサＩＣ、２１ ベアーチップセンサＩ
Ｃ。1 original, 2 line light source, 3 rod lens array,
4 sensor board, 5 bare chip sensor IC, 6 high viscosity colorless and transparent resin, 7 glass plate, 8 sensor frame, 9 sensor frame, 10 conductor pattern,
11 Wire, 12 Low-viscosity, colorless, transparent thin-film silicon resin, 13 Low-viscosity, colorless, transparent, thin-film silicon resin, 14 White fluorescent light source, 15 Low-viscosity, colorless, transparent, thin-film silicon Resin, 16 original reading position, 17 sensor board with steps, 18 wires,
19 Distance between manuscript and bare chip sensor IC, 20 Bear chip sensor IC, 21 Bear chip sensor I
C.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 光センサ手段を備えた密着イメージセン
サにおいて、 低粘度の透明樹脂によって形成されている低粘度透明樹
脂層であって、前記光センサ手段を膜状に覆う樹脂層、 を含むことを特徴とする密着イメージセンサ。1. A contact image sensor provided with an optical sensor means, comprising: a low-viscosity transparent resin layer formed of a low-viscosity transparent resin, wherein the resin layer covers the optical sensor means in a film form. A contact image sensor characterized by the following. 【請求項２】 前記光センサ手段は、ベアーチップＩＣ
を含むことを特徴とする請求項１記載の密着イメージセ
ンサ。2. The optical sensor means is a bare chip IC.
The contact image sensor according to claim 1, further comprising: 【請求項３】 前記光センサ手段は、直線状に並べられ
た複数個のベアーチップＩＣを含むことを特徴とする請
求項１記載の密着イメージセンサ。3. A contact image sensor according to claim 1, wherein said optical sensor means includes a plurality of bare chip ICs arranged in a straight line. 【請求項４】 前記光センサ手段は、 並行に並べられた複数列の光センサ列、 を含み、前記各光センサ列を覆う前記低粘度透明樹脂層
は、各光センサ列の上面を覆う部位毎に、異なる色彩を
有し、 前記各光センサ列は、 直線状に配列された複数のベアーチップセンサＩＣを含
むことを特徴とする請求項１記載の密着イメージセン
サ。4. The optical sensor means includes: a plurality of optical sensor rows arranged in parallel; and the low-viscosity transparent resin layer covering each of the optical sensor rows is a portion covering an upper surface of each of the optical sensor rows. 2. The contact image sensor according to claim 1, wherein each of the photosensor rows has a different color, and each of the photosensor rows includes a plurality of bare chip sensor ICs arranged linearly. 3. 【請求項５】 前記複数列の光センサ列は、少なくと
も、 第１の光センサ列と、 第２の光センサ列と、 第３の光センサ列と、 を含み、 前記低粘度透明樹脂層の前記第１の光センサ列を覆う部
位は、赤色透明であり、 前記低粘度透明樹脂層の前記第２の光センサ列を覆う部
位は、緑色透明であり、 前記低粘度透明樹脂層の前記第３の光センサ列を覆う部
位は、青色透明であることを特徴とする請求項４記載の
密着イメージセンサ。5. The low-viscosity transparent resin layer of the low-viscosity transparent resin layer, wherein the plurality of photosensor rows include at least a first photosensor row, a second photosensor row, and a third photosensor row. The portion that covers the first optical sensor row is red and transparent, the part that covers the second optical sensor row of the low-viscosity transparent resin layer is green and transparent, The contact image sensor according to claim 4, wherein a portion covering the third optical sensor row is blue and transparent. 【請求項６】 前記低粘度透明樹脂層を形成する樹脂が
有色透明であることを特徴とする請求項１乃至３記載の
いずれかの密着イメージセンサ。6. The contact image sensor according to claim 1, wherein the resin forming the low-viscosity transparent resin layer is colored and transparent. 【請求項７】 読みとり対象である原稿の情報を読みと
る光センサ手段と、 前記原稿の搬送をガイドするガイド面を含むプレート手
段を備えた密着イメージセンサにおいて、 前記ガイド面は、前記原稿を読みとる光センサの光軸に
対し、斜めに形成されていることを特徴とする密着イメ
ージセンサ。7. A contact image sensor comprising: an optical sensor means for reading information of a document to be read; and a plate means including a guide surface for guiding conveyance of the document, wherein the guide surface is a light for reading the document. A contact image sensor formed obliquely to an optical axis of the sensor. 【請求項８】 前記光センサ手段は、 複数のベアーチップセンサＩＣと、 前記複数のベアーチップセンサＩＣが載置されているセ
ンサ基板であって、 前記センサ基板の法線は、前記原稿を読みとる光センサ
の光軸に対し、斜めに配置されていることを特徴とする
請求項７記載の密着イメージセンサ。8. The optical sensor means includes: a plurality of bare chip sensor ICs; and a sensor board on which the plurality of bare chip sensor ICs are mounted, and a normal of the sensor board reads the original. The contact image sensor according to claim 7, wherein the contact image sensor is disposed obliquely with respect to an optical axis of the optical sensor.
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JP2005084741A (en) * 2003-09-04 2005-03-31 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd Image recognition apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001046708A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Mitsubichi Denki Kabushiki Kaisha Sensor device and method of manufacture thereof
JP2005084741A (en) * 2003-09-04 2005-03-31 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd Image recognition apparatus

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