JPH10135772A - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10135772A JPH10135772A JP28634896A JP28634896A JPH10135772A JP H10135772 A JPH10135772 A JP H10135772A JP 28634896 A JP28634896 A JP 28634896A JP 28634896 A JP28634896 A JP 28634896A JP H10135772 A JPH10135772 A JP H10135772A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- conductive adhesive
- wave device
- chip carrier
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で安価な弾性表面波デバイスを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１上に、ＩＤＴ電極とボンディ
ングパッド等よりなる弾性表面波デバイスパターン２を
形成した後、弾性表面波が伝播する部分を囲み、かつボ
ンディングパッドの部分を除いて包囲壁３を形成する。
次いで包囲壁３の上端及び弾性表面波が伝播する部分の
上方空間を覆う蓋体４を形成した後、ボンディングパッ
ド上にバンプ５を形成し弾性表面波素子を得る。次にチ
ップキャリア７上の導電性接着剤６に、バンプ５を導電
性接着剤６がボンディングパッドに達するように当接
し、弾性表面波素子をチップキャリア７に電気的に接続
するとともに固定する。
ことを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１上に、ＩＤＴ電極とボンディ
ングパッド等よりなる弾性表面波デバイスパターン２を
形成した後、弾性表面波が伝播する部分を囲み、かつボ
ンディングパッドの部分を除いて包囲壁３を形成する。
次いで包囲壁３の上端及び弾性表面波が伝播する部分の
上方空間を覆う蓋体４を形成した後、ボンディングパッ
ド上にバンプ５を形成し弾性表面波素子を得る。次にチ
ップキャリア７上の導電性接着剤６に、バンプ５を導電
性接着剤６がボンディングパッドに達するように当接
し、弾性表面波素子をチップキャリア７に電気的に接続
するとともに固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器などに用
いられる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する
ものである。
いられる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波デバイスは高価な積層
セラミックパッケージに収納した後、基板に実装してい
た。
セラミックパッケージに収納した後、基板に実装してい
た。
【０００３】また半導体分野においてはＩＣ等のチップ
をマウントする方法として、図２に示すように、チップ
１１に複数のバンプ１２を形成し、多くの密集した接続
を同時に取るためにこのバンプ１２の高さをそろえ、次
にお互いが短絡しないようにバンプ１２の先端部のみに
精度よく導電性接着剤１３を塗布して基板１５に実装す
るとともに、絶縁性接着剤１４でチップを基板１５に固
定する、いわゆるスタッドバンプボンドと呼ばれる方法
が用いられている。
をマウントする方法として、図２に示すように、チップ
１１に複数のバンプ１２を形成し、多くの密集した接続
を同時に取るためにこのバンプ１２の高さをそろえ、次
にお互いが短絡しないようにバンプ１２の先端部のみに
精度よく導電性接着剤１３を塗布して基板１５に実装す
るとともに、絶縁性接着剤１４でチップを基板１５に固
定する、いわゆるスタッドバンプボンドと呼ばれる方法
が用いられている。
【０００４】この方法は、小型化には適しているが、多
くの工程において、精度をコントロールする必要がある
等、コストアップの要因になっていた。
くの工程において、精度をコントロールする必要がある
等、コストアップの要因になっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年機器の小型化にと
もない弾性表面波デバイスの面実装化への要望が高まっ
ている。従来の構成によると、高価な積層セラミックパ
ッケージを用いて弾性表面波デバイスを実装しなければ
ならない上、ボンディングエリアを必要とするため小型
化するのが難しいという問題点を有していた。
もない弾性表面波デバイスの面実装化への要望が高まっ
ている。従来の構成によると、高価な積層セラミックパ
ッケージを用いて弾性表面波デバイスを実装しなければ
ならない上、ボンディングエリアを必要とするため小型
化するのが難しいという問題点を有していた。
【０００６】そこで本発明は、安価で小型の弾性表面波
デバイスを提供することを目的とする。
デバイスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＣほどには
接続の数も多くなく、またその接続も密集していないと
いう弾性表面波デバイスの特徴に着目してなされたもの
である。
接続の数も多くなく、またその接続も密集していないと
いう弾性表面波デバイスの特徴に着目してなされたもの
である。
【０００８】上記目的を達成するために本発明の弾性表
面波デバイスは、チップキャリアと、このチップキャリ
ア上に導電性接着剤を介して接続固定した弾性表面波素
子とを備え、この弾性表面波素子は、圧電基板と、この
圧電基板の一方の面上に設けたＩＤＴ電極と、このＩＤ
Ｔ電極に電気的に接続した少なくとも二つのボンディン
グパッドと、この二つのボンディングパッド上にそれぞ
れ設けた金属バンプとを有するとともに、前記導電性接
着剤を前記ボンディングパッドと前記チップキャリアと
の間に設けたものであり、導電性接着剤でボンディング
パッドとチップキャリアを電気的に接続すると共に弾性
表面波素子をチップキャリアに固定できるので、従来の
ようにセラミックパッケージを用いる必要が無く、また
ＩＣのように、別の絶縁性接着剤で固定する必要がない
とともに導電性接着剤の塗布量もＩＣ程精度を要求され
ないので、設備コスト、工数が少なくてすむため小型で
安価なものである。
面波デバイスは、チップキャリアと、このチップキャリ
ア上に導電性接着剤を介して接続固定した弾性表面波素
子とを備え、この弾性表面波素子は、圧電基板と、この
圧電基板の一方の面上に設けたＩＤＴ電極と、このＩＤ
Ｔ電極に電気的に接続した少なくとも二つのボンディン
グパッドと、この二つのボンディングパッド上にそれぞ
れ設けた金属バンプとを有するとともに、前記導電性接
着剤を前記ボンディングパッドと前記チップキャリアと
の間に設けたものであり、導電性接着剤でボンディング
パッドとチップキャリアを電気的に接続すると共に弾性
表面波素子をチップキャリアに固定できるので、従来の
ようにセラミックパッケージを用いる必要が無く、また
ＩＣのように、別の絶縁性接着剤で固定する必要がない
とともに導電性接着剤の塗布量もＩＣ程精度を要求され
ないので、設備コスト、工数が少なくてすむため小型で
安価なものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、チップキャリアと、このチップキャリア上に導電性
接着剤を介して接続固定した弾性表面波素子とを備え、
この弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板の一
方の面上に設けたＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極に電気
的に接続した少なくとも二つのボンディングパッドと、
この二つのボンディングパッド上にそれぞれ設けた金属
バンプとを有するとともに、前記導電性接着剤は前記ボ
ンディングパッドと前記チップキャリアとの間に設けた
弾性表面波デバイスであり、高価なセラミックパッケー
ジを用いる必要のない、小型で安価なものである。
は、チップキャリアと、このチップキャリア上に導電性
接着剤を介して接続固定した弾性表面波素子とを備え、
この弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板の一
方の面上に設けたＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極に電気
的に接続した少なくとも二つのボンディングパッドと、
この二つのボンディングパッド上にそれぞれ設けた金属
バンプとを有するとともに、前記導電性接着剤は前記ボ
ンディングパッドと前記チップキャリアとの間に設けた
弾性表面波デバイスであり、高価なセラミックパッケー
ジを用いる必要のない、小型で安価なものである。
【００１０】請求項２に記載の発明は、金属バンプを金
で形成した請求項１に記載の弾性表面波デバイスであ
り、簡単に安定した電気的接続を得ることができる。
で形成した請求項１に記載の弾性表面波デバイスであ
り、簡単に安定した電気的接続を得ることができる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、導電性接着剤と
してエポキシ系導電性接着剤を用いた請求項１に記載の
弾性表面波デバイスであり、強固な接着を得ることがで
き、別の絶縁性接着剤で補強する必要がない。
してエポキシ系導電性接着剤を用いた請求項１に記載の
弾性表面波デバイスであり、強固な接着を得ることがで
き、別の絶縁性接着剤で補強する必要がない。
【００１２】請求項４に記載の発明は、弾性表面波素子
において、圧電基板上にＩＤＴ電極と弾性表面波が伝播
する部分を囲み、かつボンディングパッド部分を除くよ
うにして設けた包囲壁と、この包囲壁及び前記弾性表面
波が伝播する部分の上方空間を覆うようにして設けた蓋
体とを有する請求項１に記載の弾性表面波デバイスであ
り、導電性接着剤がＩＤＴ電極上に達して短絡するとい
う不良の発生を防ぐことができる。
において、圧電基板上にＩＤＴ電極と弾性表面波が伝播
する部分を囲み、かつボンディングパッド部分を除くよ
うにして設けた包囲壁と、この包囲壁及び前記弾性表面
波が伝播する部分の上方空間を覆うようにして設けた蓋
体とを有する請求項１に記載の弾性表面波デバイスであ
り、導電性接着剤がＩＤＴ電極上に達して短絡するとい
う不良の発生を防ぐことができる。
【００１３】請求項５に記載の発明は、金属バンプの高
さを蓋体の高さと同程度とした請求項１に記載の弾性表
面波デバイスであり、弾性表面波素子とチップキャリア
との導通を十分に確保することができる。
さを蓋体の高さと同程度とした請求項１に記載の弾性表
面波デバイスであり、弾性表面波素子とチップキャリア
との導通を十分に確保することができる。
【００１４】請求項６に記載の発明は、圧電基板の一方
の面上に、ＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極に電気的に接
続した少なくとも二つのボンディングパッドと、この二
つのボンディングパッド上にそれぞれ金属バンプを形成
し弾性表面波素子を得る工程と、次にチップキャリアの
所定の場所に導電性接着剤を塗布する工程と、その後前
記弾性表面波素子の金属バンプを前記チップキャリアの
導電性接着剤に当接させて前記導電性接着剤が前記ボン
ディングパッドに直接接するようにする工程と、次に前
記導電性接着剤を硬化させる工程とを備えた弾性表面波
デバイスの製造方法であり、高価なセラミックパッケー
ジを用いる必要のない、小型で安価な弾性表面波デバイ
スが得られる。
の面上に、ＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極に電気的に接
続した少なくとも二つのボンディングパッドと、この二
つのボンディングパッド上にそれぞれ金属バンプを形成
し弾性表面波素子を得る工程と、次にチップキャリアの
所定の場所に導電性接着剤を塗布する工程と、その後前
記弾性表面波素子の金属バンプを前記チップキャリアの
導電性接着剤に当接させて前記導電性接着剤が前記ボン
ディングパッドに直接接するようにする工程と、次に前
記導電性接着剤を硬化させる工程とを備えた弾性表面波
デバイスの製造方法であり、高価なセラミックパッケー
ジを用いる必要のない、小型で安価な弾性表面波デバイ
スが得られる。
【００１５】以下、本発明の一実施の形態について、図
１を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の一実施の形態における
弾性表面波デバイスの断面図である。
１を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の一実施の形態における
弾性表面波デバイスの断面図である。
【００１６】まずニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウ
ム、水晶等の圧電基板１の上に、アルミニウムあるいは
アルミニウム合金で、ＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に
電気的に接続した少なくとも２つのボンディングパッド
等よりなる弾性表面波デバイスパターン２を複数形成す
る。次にこの圧電基板１上に弾性表面波が伝播する部分
を囲み、かつ電気信号を取り出すボンディングパッドの
部分を除いて、包囲壁３を所定の弾性表面波デバイスパ
ターン２毎にフィルム状レジストを用いて形成する。次
いで包囲壁３の上端及び弾性表面波が伝播する部分の上
方空間を覆う蓋体４をフィルム状レジストで形成する。
この包囲壁３及び蓋体４を合わせた高さはバンプの高さ
と同程度となるようにする。その後、通常直径２５〜３
０μｍの金ワイヤを用いてボンディングパッド上にバン
プ５を形成し、圧電基板１を所望の大きさのチップに切
断し、弾性表面波素子を得る。本実施の形態において
は、包囲壁３及び蓋体４を合わせた高さはおよそ５０〜
７０μｍ、バンプ５の高さは約５０μｍである。バンプ
５の形成は、圧電基板１を所望の大きさのチップに分割
した後に形成してもよいが、ウエハ状態でバンプ５を形
成した後に切断するほうが、従来の切断した弾性表面波
素子をセラミックパッケージにダイボンドして硬化した
後、ワイヤボンドするという工程よりも工数を削減でき
る。
ム、水晶等の圧電基板１の上に、アルミニウムあるいは
アルミニウム合金で、ＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に
電気的に接続した少なくとも２つのボンディングパッド
等よりなる弾性表面波デバイスパターン２を複数形成す
る。次にこの圧電基板１上に弾性表面波が伝播する部分
を囲み、かつ電気信号を取り出すボンディングパッドの
部分を除いて、包囲壁３を所定の弾性表面波デバイスパ
ターン２毎にフィルム状レジストを用いて形成する。次
いで包囲壁３の上端及び弾性表面波が伝播する部分の上
方空間を覆う蓋体４をフィルム状レジストで形成する。
この包囲壁３及び蓋体４を合わせた高さはバンプの高さ
と同程度となるようにする。その後、通常直径２５〜３
０μｍの金ワイヤを用いてボンディングパッド上にバン
プ５を形成し、圧電基板１を所望の大きさのチップに切
断し、弾性表面波素子を得る。本実施の形態において
は、包囲壁３及び蓋体４を合わせた高さはおよそ５０〜
７０μｍ、バンプ５の高さは約５０μｍである。バンプ
５の形成は、圧電基板１を所望の大きさのチップに分割
した後に形成してもよいが、ウエハ状態でバンプ５を形
成した後に切断するほうが、従来の切断した弾性表面波
素子をセラミックパッケージにダイボンドして硬化した
後、ワイヤボンドするという工程よりも工数を削減でき
る。
【００１７】次にチップキャリア７上に設けた導電性接
着剤６に、弾性表面波素子のバンプ５を導電性接着剤６
がボンディングパッドに達するように当接し、弾性表面
波素子をチップキャリア７に電気的に接続するととも
に、固定する。
着剤６に、弾性表面波素子のバンプ５を導電性接着剤６
がボンディングパッドに達するように当接し、弾性表面
波素子をチップキャリア７に電気的に接続するととも
に、固定する。
【００１８】この時、チップキャリア７の所定の位置に
エポキシ系の導電性接着剤６をディスペンサー等で塗布
した後、導電性接着剤６に弾性表面波素子のバンプ５を
押し付けて加熱硬化させる方法が最も簡単に、弾性表面
波素子とチップキャリア７との電気的に接続と固定を行
うことができる。
エポキシ系の導電性接着剤６をディスペンサー等で塗布
した後、導電性接着剤６に弾性表面波素子のバンプ５を
押し付けて加熱硬化させる方法が最も簡単に、弾性表面
波素子とチップキャリア７との電気的に接続と固定を行
うことができる。
【００１９】このようにすることにより、バンプ５の形
成は従来のワイヤボンディング装置を、弾性表面波素子
のチップキャリア７へのマウントは従来のダイボンダー
を使うことができるので、新規投資も最低限ですみ、従
来のスタッドバンプボンド方式に比べてはるかに低コス
トで、小型の弾性表面波デバイスを得ることができる。
成は従来のワイヤボンディング装置を、弾性表面波素子
のチップキャリア７へのマウントは従来のダイボンダー
を使うことができるので、新規投資も最低限ですみ、従
来のスタッドバンプボンド方式に比べてはるかに低コス
トで、小型の弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００２０】なおチップキャリア７は、アルミナ、ガラ
スエポキシ樹脂等により形成されており、生産性を考慮
して通常矩形である。
スエポキシ樹脂等により形成されており、生産性を考慮
して通常矩形である。
【００２１】また本実施の形態においてはチップキャリ
ア７上に弾性表面波素子のみを実装したが、チップキャ
リア７の大きさを変えて、他の部品を一緒に実装するこ
とも可能である。
ア７上に弾性表面波素子のみを実装したが、チップキャ
リア７の大きさを変えて、他の部品を一緒に実装するこ
とも可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上本発明によると、セラミックパッケ
ージを使用しないので、従来と比べて小型で、安価な弾
性表面波デバイスを得ることができる。
ージを使用しないので、従来と比べて小型で、安価な弾
性表面波デバイスを得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図２】スタッドバンプボンド方式を用いたＩＣなどの
一般的なチップの断面図
一般的なチップの断面図
１ 圧電基板 ２ 弾性表面波デバイスパターン ３ 包囲壁 ４ 蓋体 ５ バンプ ６ 導電性接着剤 ７ チップキャリア
Claims (6)
- 【請求項１】 チップキャリアと、このチップキャリア
上に導電性接着剤を介して接続固定した弾性表面波素子
とを備え、この弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧
電基板の一方の面上に設けたＩＤＴ電極と、このＩＤＴ
電極に電気的に接続した少なくとも二つのボンディング
パッドと、この二つのボンディングパッド上にそれぞれ
設けた金属バンプとを有するとともに、前記導電性接着
剤は前記ボンディングパッドと前記チップキャリアとの
間に設けた弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】 金属バンプは、金で形成した請求項１に
記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 導電性接着剤は、エポキシ系導電性接着
剤である請求項１に記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項４】 弾性表面波素子において、圧電基板上に
ＩＤＴ電極と弾性表面波が伝播する部分を囲み、かつボ
ンディングパッド部分を除くようにして設けた包囲壁
と、この包囲壁及び前記弾性表面波が伝播する部分の上
方空間を覆うようにして設けた蓋体とを有する請求項１
に記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項５】 金属バンプの高さは、蓋体の高さと同程
度とした請求項１に記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項６】 圧電基板の一方の面上に、ＩＤＴ電極
と、このＩＤＴ電極に電気的に接続した少なくとも二つ
のボンディングパッドと、この二つのボンディングパッ
ド上にそれぞれ金属バンプを形成し弾性表面波素子を得
る工程と、次にチップキャリアの所定の場所に導電性接
着剤を塗布する工程と、その後前記弾性表面波素子の金
属バンプを前記チップキャリアの導電性接着剤に当接さ
せて前記導電性接着剤が前記ボンディングパッドに直接
接するようにする工程と、次に前記導電性接着剤を硬化
させる工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28634896A JPH10135772A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28634896A JPH10135772A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135772A true JPH10135772A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17703230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28634896A Pending JPH10135772A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28634896A patent/JPH10135772A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
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