JPH10135186A - レジストのアッシング方法 - Google Patents
レジストのアッシング方法Info
- Publication number
- JPH10135186A JPH10135186A JP28629096A JP28629096A JPH10135186A JP H10135186 A JPH10135186 A JP H10135186A JP 28629096 A JP28629096 A JP 28629096A JP 28629096 A JP28629096 A JP 28629096A JP H10135186 A JPH10135186 A JP H10135186A
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- JP
- Japan
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- sample
- resist
- ashing
- stage
- plasma
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ポッピングおよびチャージアップダメージを生
じさせることなく、高速でイオン注入レジストをアッシ
ングできるレジストのアッシング方法を提供する。 【解決手段】プラズマ発生領域（１）から試料（Ｓ）へ
向けてプラズマ（Ｐ）をダウンフローさせて、試料
（Ｓ）上のイオン注入レジストをアッシングする方法で
あって、試料（Ｓ）を加熱された試料台（４）からリフ
トピン（６）で持ち上げた状態（図１（ａ））でアッシ
ングした後、試料（Ｓ）を試料台（６）に載置した状態
（図１（ｂ））でアッシングする方法。
じさせることなく、高速でイオン注入レジストをアッシ
ングできるレジストのアッシング方法を提供する。 【解決手段】プラズマ発生領域（１）から試料（Ｓ）へ
向けてプラズマ（Ｐ）をダウンフローさせて、試料
（Ｓ）上のイオン注入レジストをアッシングする方法で
あって、試料（Ｓ）を加熱された試料台（４）からリフ
トピン（６）で持ち上げた状態（図１（ａ））でアッシ
ングした後、試料（Ｓ）を試料台（６）に載置した状態
（図１（ｂ））でアッシングする方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストのアッシ
ング方法、特にイオン注入レジストのアッシング方法に
関する。
ング方法、特にイオン注入レジストのアッシング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体の製造工程にレジスト
を除去する工程がある。このレジスト除去方法として、
発煙硝酸などを用いたウェットプロセスに代わって、酸
素プラズマを利用するドライアッシング法が、製造現場
で広く用いられるようになってきている。
を除去する工程がある。このレジスト除去方法として、
発煙硝酸などを用いたウェットプロセスに代わって、酸
素プラズマを利用するドライアッシング法が、製造現場
で広く用いられるようになってきている。
【０００３】このドライアッシング法は、有機高分子か
らなるレジストをＯラジカルなどによりＣＯやＣＯ2と
する酸化反応（燃焼）により除去するものである。通常
のレジスト材料であれば、アッシングは比較的容易であ
る。
らなるレジストをＯラジカルなどによりＣＯやＣＯ2と
する酸化反応（燃焼）により除去するものである。通常
のレジスト材料であれば、アッシングは比較的容易であ
る。
【０００４】しかしながら、イオン注入プロセスのマス
クとして用いたレジストの除去、特に１０15個／ｃｍ2
以上の高ドーズ量のイオン注入に使用したレジストの除
去は、必ずしも容易ではない。
クとして用いたレジストの除去、特に１０15個／ｃｍ2
以上の高ドーズ量のイオン注入に使用したレジストの除
去は、必ずしも容易ではない。
【０００５】イオン注入のマスクとしてレジストを用い
た場合、当然このレジストにもイオン注入が行われる。
高エネルギかつ高ドーズ量のイオン注入がレジストに施
されると、イオン衝撃に伴う発熱を主な原因として、レ
ジストの架橋反応が進み、レジストの表面に硬化層が形
成される。そのため、通常のＯ2プラズマアッシングで
はアッシング速度が著しく小さくなり、スループットが
低下してしまう。
た場合、当然このレジストにもイオン注入が行われる。
高エネルギかつ高ドーズ量のイオン注入がレジストに施
されると、イオン衝撃に伴う発熱を主な原因として、レ
ジストの架橋反応が進み、レジストの表面に硬化層が形
成される。そのため、通常のＯ2プラズマアッシングで
はアッシング速度が著しく小さくなり、スループットが
低下してしまう。
【０００６】そこで、試料を例えば２００℃以上の高温
に加熱することにより、アッシング速度の低下を抑える
方法が提案されている。
に加熱することにより、アッシング速度の低下を抑える
方法が提案されている。
【０００７】しかし、試料を２００℃以上に加熱する場
合、レジストがポッピングと称する破裂現象を生じるこ
とがある。ポッピングは、レジスト内部に残留する溶剤
や低分子量成分が気化して脱離するが、表面が硬化層で
覆われているので、レジストの内圧が高まり、硬化層の
除去に長時間を要した場合には、レジストの内圧が限界
に達して破裂する現象である。その場合、硬化層の１部
はレジスト残渣として試料上に残り、また硬化層の破片
は装置内に飛散するので、試料および装置のパーティク
ル汚染を招く。
合、レジストがポッピングと称する破裂現象を生じるこ
とがある。ポッピングは、レジスト内部に残留する溶剤
や低分子量成分が気化して脱離するが、表面が硬化層で
覆われているので、レジストの内圧が高まり、硬化層の
除去に長時間を要した場合には、レジストの内圧が限界
に達して破裂する現象である。その場合、硬化層の１部
はレジスト残渣として試料上に残り、また硬化層の破片
は装置内に飛散するので、試料および装置のパーティク
ル汚染を招く。
【０００８】加熱する以外に上記の硬化層を有するレジ
ストを除去する方法として、試料台に高周波を印加して
試料にバイアス電位を発生させ、イオン衝撃を加えるこ
とにより硬化層を除去する方法が提案されている。
ストを除去する方法として、試料台に高周波を印加して
試料にバイアス電位を発生させ、イオン衝撃を加えるこ
とにより硬化層を除去する方法が提案されている。
【０００９】しかし、この方法では、イオンを試料に照
射するため、試料にチャージアップダメージを発生させ
るおそれがあった。
射するため、試料にチャージアップダメージを発生させ
るおそれがあった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題を解決するためになされたものであって、ポッピン
グおよびチャージアップダメージを生じさせることな
く、高速でレジストをアッシングできるレジストのアッ
シング方法を提供することを目的としている。
課題を解決するためになされたものであって、ポッピン
グおよびチャージアップダメージを生じさせることな
く、高速でレジストをアッシングできるレジストのアッ
シング方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストのアッ
シング方法は、プラズマ発生領域から試料へ向けてプラ
ズマをダウンフローさせて、試料上のレジストをアッシ
ングする方法であって、試料を、加熱された試料台から
リフトピンで持ち上げた状態でアッシングした後、試料
台に載置した状態でアッシングすることを特徴としてい
る。
シング方法は、プラズマ発生領域から試料へ向けてプラ
ズマをダウンフローさせて、試料上のレジストをアッシ
ングする方法であって、試料を、加熱された試料台から
リフトピンで持ち上げた状態でアッシングした後、試料
台に載置した状態でアッシングすることを特徴としてい
る。
【００１２】なお、ダウンフローさせるとは、プラズマ
から離れた場所に試料を置き、プラズマにより生成され
た活性種（主にラジカル）をガスの流れの下流に置かれ
た試料まで輸送することをいう。
から離れた場所に試料を置き、プラズマにより生成され
た活性種（主にラジカル）をガスの流れの下流に置かれ
た試料まで輸送することをいう。
【００１３】この発明は、下記の一連の考察に基づいて
なされたものである。
なされたものである。
【００１４】ポッピングを避けるには、表面の硬化層の
処理を１２０℃より低温で行うことが好ましい。しか
し、レジスト除去工程全体を低温で行うと、スループッ
トが低下する。
処理を１２０℃より低温で行うことが好ましい。しか
し、レジスト除去工程全体を低温で行うと、スループッ
トが低下する。
【００１５】したがって、表面の硬化層の処理と残部の
処理で試料の温度を変える２段階アッシング法が好まし
い。しかし、処理中に温度を変化させる場合、１台の加
熱試料台では昇温および降温に時間がかかってしまう。
また、低温と高温の２つ試料台を設ければ、当然装置が
大きくなってしまう。
処理で試料の温度を変える２段階アッシング法が好まし
い。しかし、処理中に温度を変化させる場合、１台の加
熱試料台では昇温および降温に時間がかかってしまう。
また、低温と高温の２つ試料台を設ければ、当然装置が
大きくなってしまう。
【００１６】そこで、本発明者らは、現状の装置におい
て容易に試料の温度を変化させられる方法について検討
した。その結果、加熱された試料台上で、リフトピンの
上昇および下降、すなわち、試料を試料台から離すこと
および試料を試料台に接触させることにより試料の温度
を切り替えられることを見いだし、本発明を完成させた
のである。
て容易に試料の温度を変化させられる方法について検討
した。その結果、加熱された試料台上で、リフトピンの
上昇および下降、すなわち、試料を試料台から離すこと
および試料を試料台に接触させることにより試料の温度
を切り替えられることを見いだし、本発明を完成させた
のである。
【００１７】すなわち、本発明のアッシング方法によれ
ば、試料を加熱された試料台からリフトピンで持ち上げ
た状態、すなわち低温でレジストの硬化層をアッシング
するので、ポッピングの発生を抑制できる。また、試料
を加熱された試料台に載置した状態、すなわち高温でレ
ジストの残部をアッシングするので、残部を短時間でア
ッシングでき、レジストの除去工程にかかるトータル時
間を短縮することができる。
ば、試料を加熱された試料台からリフトピンで持ち上げ
た状態、すなわち低温でレジストの硬化層をアッシング
するので、ポッピングの発生を抑制できる。また、試料
を加熱された試料台に載置した状態、すなわち高温でレ
ジストの残部をアッシングするので、残部を短時間でア
ッシングでき、レジストの除去工程にかかるトータル時
間を短縮することができる。
【００１８】また、プラズマ発生領域から試料へ向けて
プラズマをダウンフローさせ、ラジカル成分を主に利用
するアッシング方法であるため、試料にチャージアップ
ダメージを与えるおそれを低減できる。
プラズマをダウンフローさせ、ラジカル成分を主に利用
するアッシング方法であるため、試料にチャージアップ
ダメージを与えるおそれを低減できる。
【００１９】なお、試料台は２００℃以上に加熱されて
いることが好ましい。
いることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
面に基づき説明する。
面に基づき説明する。
【００２１】図１は、本発明のレジストのアッシング方
法の１例を示す模式図である。（ａ）はリフトピンアッ
プの状態、（ｂ）はリフトピンダウンの状態を示すもの
である。
法の１例を示す模式図である。（ａ）はリフトピンアッ
プの状態、（ｂ）はリフトピンダウンの状態を示すもの
である。
【００２２】試料台４はプラズマ発生領域１から少し離
れた位置に設けられており、試料Ｓにはダウンフロータ
イプのアッシングが施される。
れた位置に設けられており、試料Ｓにはダウンフロータ
イプのアッシングが施される。
【００２３】本発明のレジストのアッシング方法につい
て説明する。
て説明する。
【００２４】加熱機構５により、試料台４の試料Ｓが
載置される面を２００〜２５０℃程度に加熱しておく。
載置される面を２００〜２５０℃程度に加熱しておく。
【００２５】搬送アーム（図示せず）によって試料台
４上に運ばれてきた試料Ｓをリフトピン６により押し上
げ、搬送アームを抜き取る。
４上に運ばれてきた試料Ｓをリフトピン６により押し上
げ、搬送アームを抜き取る。
【００２６】リフトピン６の昇降により、試料Ｓを試
料台４から所定の高さに保持する。
料台４から所定の高さに保持する。
【００２７】Ｏ2やＮ2などのアッシング用のガスをプ
ラズマ室１内に供給し、マイクロ波など電力をプラズマ
発生領域１に供給してプラズマＰを発生させる。発生し
たプラズマＰの主にラジカル成分が試料Ｓに到達して、
試料Ｓ上のレジストの硬化層を除去する（図１
（ａ））。試料Ｓは試料台４と接触していないため、レ
ジストの硬化層は比較的低温で除去される。
ラズマ室１内に供給し、マイクロ波など電力をプラズマ
発生領域１に供給してプラズマＰを発生させる。発生し
たプラズマＰの主にラジカル成分が試料Ｓに到達して、
試料Ｓ上のレジストの硬化層を除去する（図１
（ａ））。試料Ｓは試料台４と接触していないため、レ
ジストの硬化層は比較的低温で除去される。
【００２８】所定の時間経過後、リフトピン６を降下
させて、試料Ｓを試料台４に載置する。試料Ｓの試料台
４への接触と同時に試料Ｓの温度が急速に上昇し、高温
で残りのレジストが急速に除去される（図１（ｂ））。
させて、試料Ｓを試料台４に載置する。試料Ｓの試料台
４への接触と同時に試料Ｓの温度が急速に上昇し、高温
で残りのレジストが急速に除去される（図１（ｂ））。
【００２９】上記方法により、ポッピングおよびチャー
ジアップダメージを生じさせることなく、イオン注入レ
ジストを高速でアッシングできる。
ジアップダメージを生じさせることなく、イオン注入レ
ジストを高速でアッシングできる。
【００３０】
【実施例】本発明の実施例について、図面に基づき説明
する。
する。
【００３１】図２は、本発明のレジストのアッシング方
法を実施する装置の模式的断面図である。反応容器１１
は、アルミニウム（Ａｌ）などの金属で作製され、その
反応容器１１の側壁には冷却水流路１４が形成されてい
る。反応容器１１の内部は、アルミニウム（Ａｌ）製の
分離板３によってプラズマ室１と反応室２に分離されて
いる。この分離板３にはプラズマ引出孔３ａが設けられ
ており、プラズマ室１に発生したプラズマの主にラジカ
ルが選択的に反応室２に引き出される。なお、分離板３
は反応容器１１を介して接地されている。
法を実施する装置の模式的断面図である。反応容器１１
は、アルミニウム（Ａｌ）などの金属で作製され、その
反応容器１１の側壁には冷却水流路１４が形成されてい
る。反応容器１１の内部は、アルミニウム（Ａｌ）製の
分離板３によってプラズマ室１と反応室２に分離されて
いる。この分離板３にはプラズマ引出孔３ａが設けられ
ており、プラズマ室１に発生したプラズマの主にラジカ
ルが選択的に反応室２に引き出される。なお、分離板３
は反応容器１１を介して接地されている。
【００３２】反応容器１１の上部は、石英（ＳｉＯ2 ）
製のマイクロ波導入窓２０で気密に封止されている。反
応容器１１の側壁にはプラズマ室１にガスを供給するガ
ス導入孔１２が設けられ、反応容器１１の下部壁には排
気口１３が設けられている。排気口１３は、排気装置
（図示せず）に接続されている。
製のマイクロ波導入窓２０で気密に封止されている。反
応容器１１の側壁にはプラズマ室１にガスを供給するガ
ス導入孔１２が設けられ、反応容器１１の下部壁には排
気口１３が設けられている。排気口１３は、排気装置
（図示せず）に接続されている。
【００３３】反応容器１１のさらに上部には、マイクロ
波導入窓２０とほぼ平行にテフロン製の誘電体層２１が
設けられている。この誘電体層２１には導波管２３を介
してマイクロ波発振器２４が接続されている。
波導入窓２０とほぼ平行にテフロン製の誘電体層２１が
設けられている。この誘電体層２１には導波管２３を介
してマイクロ波発振器２４が接続されている。
【００３４】反応室２にはマイクロ波導入窓２０と対向
する位置に、試料Ｓを載置する試料台４が設けられてい
る。試料台４は、試料Ｓを試料台４上に載置するための
リフトピン６を備えている。このリフトピン６により、
試料Ｓは試料台４表面から１１ｍｍの範囲で持ち上げら
れる。また、試料台４は、ヒータ５を内部に備え、試料
台４の試料載置面の温度を３００℃まで加熱することが
できる構成となっている。なお、リフトピンアップ状態
は試料Ｓを試料台４表面から１１ｍｍ持ち上げた状態と
した。
する位置に、試料Ｓを載置する試料台４が設けられてい
る。試料台４は、試料Ｓを試料台４上に載置するための
リフトピン６を備えている。このリフトピン６により、
試料Ｓは試料台４表面から１１ｍｍの範囲で持ち上げら
れる。また、試料台４は、ヒータ５を内部に備え、試料
台４の試料載置面の温度を３００℃まで加熱することが
できる構成となっている。なお、リフトピンアップ状態
は試料Ｓを試料台４表面から１１ｍｍ持ち上げた状態と
した。
【００３５】この装置を用いて、イオン注入レジストの
アッシングを行った。本実施例で用いた試料Ｓは、シリ
コンウエハ上に所望のパターン形状に形成したレジスト
をマスクとして、Ｐ+を１×１０15個／ｃｍ2イオン注入
したものである。試料Ｓにマスクされたレジストの膜厚
は９００ｎｍである。
アッシングを行った。本実施例で用いた試料Ｓは、シリ
コンウエハ上に所望のパターン形状に形成したレジスト
をマスクとして、Ｐ+を１×１０15個／ｃｍ2イオン注入
したものである。試料Ｓにマスクされたレジストの膜厚
は９００ｎｍである。
【００３６】表１は、本発明例のアッシング条件を示す
ものである。Ｘ（sec）は、リフトピンアップの状態で
のアッシング時間、Ｙ（sec）は、リフトピンダウンの
状態でのアッシング時間である。このＸ（sec）とＹ（s
ec）を変化させて、以下に示すステップでアッシングを
行ない、残ったレジストの膜厚を測定することにより、
アッシング状況を評価した。
ものである。Ｘ（sec）は、リフトピンアップの状態で
のアッシング時間、Ｙ（sec）は、リフトピンダウンの
状態でのアッシング時間である。このＸ（sec）とＹ（s
ec）を変化させて、以下に示すステップでアッシングを
行ない、残ったレジストの膜厚を測定することにより、
アッシング状況を評価した。
【００３７】
【表１】
【００３８】ウエハをリフトピンで持ち上げた（リフ
トピンアップ）状態で、ガスを導入して圧力を安定させ
る（ステップ１）。
トピンアップ）状態で、ガスを導入して圧力を安定させ
る（ステップ１）。
【００３９】マイクロ波を供給し、プラズマを発生さ
せレジスト表面の硬化層をアッシングする（ステップ
２）。Ｘ（sec）は、前述のとおりアッシング時間であ
る。
せレジスト表面の硬化層をアッシングする（ステップ
２）。Ｘ（sec）は、前述のとおりアッシング時間であ
る。
【００４０】リフトピンを下げ、ウエハを試料台上に
直接置いた（リフトピンダウン）状態でレジストの下部
層をアッシングする（ステップ３）。Ｙ（sec）は、同
じく前述のとおりアッシング時間である。
直接置いた（リフトピンダウン）状態でレジストの下部
層をアッシングする（ステップ３）。Ｙ（sec）は、同
じく前述のとおりアッシング時間である。
【００４１】マイクロ波の供給およびガスの供給を止
め、アッシングを終える（ステップ４）。
め、アッシングを終える（ステップ４）。
【００４２】なお、図３（ａ）はリフトピンアップの状
態を示す模式図であり、図３（ｂ）はリフトピンダウン
の状態を示す模式図である。
態を示す模式図であり、図３（ｂ）はリフトピンダウン
の状態を示す模式図である。
【００４３】表２は、比較例のアッシング条件を示すも
のである。比較例として、アッシング時間Ｚ（sec）を
変化させ、以下に示すステップでアッシングを行ない、
同様の評価を行った。
のである。比較例として、アッシング時間Ｚ（sec）を
変化させ、以下に示すステップでアッシングを行ない、
同様の評価を行った。
【００４４】リフトピンを下げ、ウエハを試料台上に
直接置いた（リフトピンダウン）状態でガスを導入し圧
力を安定させる（ステップ１）。
直接置いた（リフトピンダウン）状態でガスを導入し圧
力を安定させる（ステップ１）。
【００４５】マイクロ波を供給し、プラズマを発生さ
せレジストをアッシングする（ステップ２）。Ｚ（ｓｅ
ｃ）は、前述のとおりアッシング時間である。
せレジストをアッシングする（ステップ２）。Ｚ（ｓｅ
ｃ）は、前述のとおりアッシング時間である。
【００４６】マイクロ波の供給およびガスの供給を止
め、アッシングを終える（ステップ３）。
め、アッシングを終える（ステップ３）。
【００４７】
【表２】
【００４８】図４は、レジストのアッシング状況を示す
グラフである。
グラフである。
【００４９】本発明例（●）ではアッシング時間Ｘを２
００（sec）とすることにより、アッシング時間Ｙを２
０（sec）とすることができた。すなわち、トータルの
アッシング時間を２２０（sec）とすることができた。
一方、比較例（○）ではアッシング時間Ｚは６００（se
c）であった。
００（sec）とすることにより、アッシング時間Ｙを２
０（sec）とすることができた。すなわち、トータルの
アッシング時間を２２０（sec）とすることができた。
一方、比較例（○）ではアッシング時間Ｚは６００（se
c）であった。
【００５０】また、本発明例ではポッピングが発生しな
かった。これに対し、比較例ではポッピングが発生して
いた。
かった。これに対し、比較例ではポッピングが発生して
いた。
【００５１】図４中において、◆は試料台温度が２５０
℃の試料台から持ち上げた（リフトピンアップ）状態で
のウエハの温度変化を示すものであり、◇は試料台温度
が１６０℃の試料台上に接触させた（リフトピンダウ
ン）状態でのウエハの温度変化を示すものである。リフ
トピンアップ状態のときのウエハ温度（◆）は、プラズ
マ加熱により上昇するものの、アッシング当初は１１０
℃程度である。これに対し、リフトピンダウン状態のと
きのウエハ温度（◇）は、アッシング当初から１５０℃
まで上がっている。このウエハ温度の違いがポッピング
の発生の有無につながったと考えられる。
℃の試料台から持ち上げた（リフトピンアップ）状態で
のウエハの温度変化を示すものであり、◇は試料台温度
が１６０℃の試料台上に接触させた（リフトピンダウ
ン）状態でのウエハの温度変化を示すものである。リフ
トピンアップ状態のときのウエハ温度（◆）は、プラズ
マ加熱により上昇するものの、アッシング当初は１１０
℃程度である。これに対し、リフトピンダウン状態のと
きのウエハ温度（◇）は、アッシング当初から１５０℃
まで上がっている。このウエハ温度の違いがポッピング
の発生の有無につながったと考えられる。
【００５２】また、ＭＮＯＳキャパシタ構造を用いてチ
ャージアップダメージについて評価した。結果、本発明
例ではフラットバンド電圧シフトが生じていない、すな
わちチャージアップダメージが生じていないことを確認
できた。
ャージアップダメージについて評価した。結果、本発明
例ではフラットバンド電圧シフトが生じていない、すな
わちチャージアップダメージが生じていないことを確認
できた。
【００５３】すなわち、本発明方法を用いることによ
り、ポッピングおよびチャージアップダメージを生じさ
せることなく、イオン注入レジストのアッシング時間を
短縮できることを確認できた。
り、ポッピングおよびチャージアップダメージを生じさ
せることなく、イオン注入レジストのアッシング時間を
短縮できることを確認できた。
【００５４】
【発明の効果】本発明のレジストのアッシング方法によ
れば、ポッピングおよびチャージアップダメージを生じ
させることなく、しかも高速でレジストをアッシングす
ることができる。また、加熱機構とリフトピンを試料台
に備えれば良いので、通常のコンパクトな装置に適用で
きる。
れば、ポッピングおよびチャージアップダメージを生じ
させることなく、しかも高速でレジストをアッシングす
ることができる。また、加熱機構とリフトピンを試料台
に備えれば良いので、通常のコンパクトな装置に適用で
きる。
【図１】本発明のレジストのアッシング方法の１例を示
す模式図である。（ａ）はリフトピンアップの状態、
（ｂ）はリフトピンダウンの状態を示すものである。
す模式図である。（ａ）はリフトピンアップの状態、
（ｂ）はリフトピンダウンの状態を示すものである。
【図２】本発明のレジストのアッシング方法を実施する
装置の模式的断面図である。
装置の模式的断面図である。
【図３】（ａ）は、リフトピンアップの状態を示す模式
図であり、（ｂ）は、リフトピンダウンの状態を示す模
式図である。
図であり、（ｂ）は、リフトピンダウンの状態を示す模
式図である。
【図４】レジストのアッシング状況を示すグラフであ
る。
る。
１ プラズマ発生領域（プラズマ室） ２ 反応領域（反応室） ３ 分離板 ３ａ 孔 ４ 試料台 ５ 加熱機構（ヒータ） １１ 反応容器 １２ ガス導入孔 １３ 排気口 １４ 冷却水流路 ２０ マイクロ波導入窓 ２１ 誘電体層 ２２ 金属板 ２３ 導波管 ２４ マイクロ波発振器 Ｓ 試料（シリコンウエハ） Ｐ プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】プラズマ発生領域から試料へ向けてプラズ
マをダウンフローさせて、試料上のレジストをアッシン
グする方法であって、試料を、加熱された試料台からリ
フトピンで持ち上げた状態でアッシングした後、試料台
に載置した状態でアッシングすることを特徴とするレジ
ストのアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28629096A JPH10135186A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | レジストのアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28629096A JPH10135186A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | レジストのアッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135186A true JPH10135186A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17702473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28629096A Pending JPH10135186A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | レジストのアッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135186A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1227171A1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method for heating a wafer |
| WO2003090269A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Psk Inc. | Method for ashing |
| KR100481180B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거방법 |
| KR100550344B1 (ko) * | 2000-01-14 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 애싱방법 |
| KR100710705B1 (ko) | 2005-11-22 | 2007-04-23 | 피에스케이 주식회사 | 기판 애싱 방법 |
| CN100370592C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-02-20 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28629096A patent/JPH10135186A/ja active Pending
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