JPH10130814A - Formation of sputtered film - Google Patents
Formation of sputtered filmInfo
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- JPH10130814A JPH10130814A JP28245596A JP28245596A JPH10130814A JP H10130814 A JPH10130814 A JP H10130814A JP 28245596 A JP28245596 A JP 28245596A JP 28245596 A JP28245596 A JP 28245596A JP H10130814 A JPH10130814 A JP H10130814A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバ内がシー
ルド部材によってシールドされた反応性スパッタリング
装置によるスパッタ対象物へのスパッタ膜の形成方法に
関する。The present invention relates to a method for forming a sputtered film on an object to be sputtered by a reactive sputtering apparatus in which a chamber is shielded by a shield member.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空チャンバ内にＡｒ等の不活性放電ガ
スを導入し、電極間に電圧を印加してグロー放電を発生
させると、プラズマ中の正のイオンが陰極上のターゲッ
ト表面に衝突し、ターゲット原子をはじき出すスパッタ
現象が発生する。スパッタリング装置は、このスパッタ
現象を利用し、スパッタ膜をウェハ上に蒸着する成膜装
置である。ターゲットは、スパッタリング装置において
陰極に設置され、イオン衝撃されて膜となる材料物質で
ある。また、反応性スパッタリング装置は、一種の化学
反応を伴わせて化合物からなるスパッタ膜（酸化膜、窒
化膜等）を付着させることができるスパッタリング装置
である。Ａｒ等の不活性ガスに加えて、活性ガスを導入
した真空チャンバ内でターゲットをスパッタし、金属化
合物からなるスパッタ膜等を形成させることができる。2. Description of the Related Art When an inert discharge gas such as Ar is introduced into a vacuum chamber and a voltage is applied between electrodes to generate a glow discharge, positive ions in plasma collide with a target surface on a cathode. Then, a sputtering phenomenon occurs in which target atoms are repelled. A sputtering apparatus is a film forming apparatus that utilizes this sputtering phenomenon to deposit a sputtered film on a wafer. The target is a material that is placed on a cathode in a sputtering apparatus and is turned into a film by ion bombardment. In addition, a reactive sputtering apparatus is a sputtering apparatus capable of attaching a sputtered film (an oxide film, a nitride film, or the like) made of a compound with a kind of chemical reaction. A target can be sputtered in a vacuum chamber into which an active gas is introduced in addition to an inert gas such as Ar to form a sputtered film made of a metal compound.
【０００３】上記のような反応性スパッタリング装置で
は、蒸着物質がウェハ以外の真空チャンバの内壁等にも
付着堆積し、この付着堆積した蒸着物質が剥がれ落ちて
ウェハを汚染するパーティクルの発生源となる可能性が
ある。このため、反応性スパッタリング装置では、通
常、交換可能なシールド部材によってウェハ以外の部分
への蒸着物質の付着堆積を防いでいる。ウェハ以外に付
着堆積する蒸着物質をシールド部材に堆積させ、この蒸
着物質が堆積するシールド部材を一定周期で交換するこ
とにより、パーティクルの発生を防いでいる。In the above-described reactive sputtering apparatus, a deposition material adheres and deposits on the inner wall of a vacuum chamber other than the wafer, and the deposited deposition material peels off and becomes a source of particles contaminating the wafer. there is a possibility. For this reason, in the reactive sputtering apparatus, the exchangeable shield member is usually used to prevent the deposition substance from being deposited on portions other than the wafer. Particles are prevented from being generated by depositing a deposition material adhering and depositing on a portion other than the wafer on the shield member and replacing the shield member on which the deposition material deposits with a predetermined period.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法では、蒸着物質がウェハ以外の真空チャンバ
の内壁等にも付着堆積することは防ぐことはできるが、
上記のシールド部材に堆積した蒸着物質の膜厚が厚くな
るとこれが剥がれ落ちて、パーティクルの発生原因とな
る可能性がある。したがって、シールド部材の交換は早
めに行う必要がある。一方で、真空チャンバ内のシール
ド部材の交換には、長時間を要し、コストもかかるた
め、シールド部材の交換頻度を減少させたいという要請
もある。However, in the above-described method, it is possible to prevent the deposition material from adhering and depositing on the inner wall of the vacuum chamber other than the wafer.
When the film thickness of the vapor deposition material deposited on the shield member increases, the vapor deposition material may peel off and cause generation of particles. Therefore, it is necessary to replace the shield member as soon as possible. On the other hand, since replacing the shield member in the vacuum chamber requires a long time and costs, there is a demand to reduce the frequency of replacing the shield member.
【０００５】本発明は、かかる従来の問題に鑑みてなさ
れたものであって、シールド部材に堆積した蒸着物質を
発生源とするパーティクルを低減することができ、シー
ルド部材の交換頻度を抑制することが可能なスパッタ膜
の形成方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a conventional problem, and it is possible to reduce the number of particles originating from a deposition material deposited on a shield member, and to reduce the frequency of replacement of the shield member. It is an object of the present invention to provide a method for forming a sputtered film capable of performing the following.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタ膜
の形成方法は、チャンバ内がシールド部材によってシー
ルドされた反応性スパッタリング装置によるスパッタ対
象物へのスパッタ膜の形成方法であって、未蒸着状態の
シールド部材にターゲット物質のみからなるスパッタ膜
を形成した後、スパッタ対象物に反応性スパッタリング
を行って化合物からなるスパッタ膜を形成する。A method of forming a sputtered film according to the present invention is a method of forming a sputtered film on an object to be sputtered by a reactive sputtering apparatus in which a chamber is shielded by a shield member. After forming a sputtered film made of only the target material on the shield member in the state, the sputtered object is subjected to reactive sputtering to form a sputtered film made of the compound.
【０００７】本発明に係るスパッタ膜の形成方法では、
化合物からなるスパッタ膜を形成する前に、未蒸着状態
のシールド部材にターゲット物質のみからなるスパッタ
膜が形成される。したがって、スパッタ対象物に反応性
スパッタリングを行うと、シールド部材にはターゲット
物質のみからなるスパッタ膜を介して化合物からなるス
パッタ膜が堆積する。通常、対象物とターゲット物質と
は異なる物質であるため相互の密着性がターゲット物質
のみからなるスパッタ膜と化合物からなるスパッタ膜と
の密着性に比較して悪いことから、対象物から化合物か
らなるスパッタ膜が剥がれ落ちにくくなり、パーティク
ルの発生を低減することができる。In the method for forming a sputtered film according to the present invention,
Before forming a sputtered film made of a compound, a sputtered film made of only the target material is formed on the shield member in an undeposited state. Therefore, when reactive sputtering is performed on the object to be sputtered, a sputtered film made of a compound is deposited on the shield member via a sputtered film made of only the target material. Usually, since the target and the target material are different materials, mutual adhesion is poor compared to the adhesion between a sputtered film composed of only the target material and a sputtered film composed of the compound. The sputtered film is hardly peeled off, and the generation of particles can be reduced.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るスパッタ膜の
形成方法の実施の形態について図面を参照して詳しく説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a method for forming a sputtered film according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【０００９】本実施形態に係るスパッタ膜の形成方法を
説明する前に、本発明が適用される反応性スパッタリン
グ装置の一例を図４に示す。図４は、反応性スパッタリ
ング装置のメインテナンス時のシールド部材等を分解し
た状態を示した斜視図である。図４に示すように、反応
性スパッタリング装置は、スパッタリングを行ってスパ
ッタ膜を形成する対象物であるウェハを搬送する搬送室
１１とスパッタリングを行う複数のチャンバ１２，１３
および１４を有している。チャンバ１２，１３および１
４の各々には、搬送されてきたウェハを保持するウェハ
ホルダ１６およびターゲットＴを保持するターゲットホ
ルダ１７が設けられており、組み立て状態において、ウ
ェハとターゲットＴとは直立した状態で対向するように
なっている。Before explaining the method for forming a sputtered film according to the present embodiment, FIG. 4 shows an example of a reactive sputtering apparatus to which the present invention is applied. FIG. 4 is a perspective view showing an exploded state of a shield member and the like during maintenance of the reactive sputtering apparatus. As shown in FIG. 4, the reactive sputtering apparatus includes a transfer chamber 11 for transferring a wafer which is an object on which a sputter film is formed by performing sputtering, and a plurality of chambers 12 and 13 for performing sputtering.
And 14. Chambers 12, 13 and 1
4 is provided with a wafer holder 16 for holding the transported wafer and a target holder 17 for holding the target T. In the assembled state, the wafer and the target T face each other in an upright state. ing.
【００１０】ウェハを自動的にローディングする図示し
ないオートローダから搬送されてきたウェハは、搬送室
内に設けられた図示しない搬送ロボットによって上記の
チャンバ１２，１３および１４のいずれかにのウェハホ
ルダ１６に移される。このときウェハホルダ１６はホル
ダー面が上向きで水平状態にあり、ウェハをチャッキン
グすると駆動装置１６ａによって直立状態に回転され、
上記のターゲットＴと向き合う状態となる。A wafer transferred from an autoloader (not shown) for automatically loading the wafer is transferred to a wafer holder 16 in one of the chambers 12, 13 and 14 by a transfer robot (not shown) provided in a transfer chamber. . At this time, the wafer holder 16 is in a horizontal state with the holder surface facing upward, and when the wafer is chucked, it is rotated upright by the driving device 16a,
It will be in the state facing the above-mentioned target T.
【００１１】上記にチャンバ１２，１３および１４の各
々は、ターゲットホルダ１７の周辺をシールドするシー
ルド部材２１〜２４、ウェハホルダ１６の周辺をシール
ドするシールド部材２５〜２８等のシールド部材を有し
ている。なお、シールド部材は、ターゲットホルダ１７
側のチャンバ内壁をシールドするもの等が他にも存在す
るが、図示するのを省略する。また、上記の各シールド
部材の材料として、例えばＡｌ合金が用いられる。Each of the chambers 12, 13 and 14 has shield members such as shield members 21 to 24 for shielding the periphery of the target holder 17 and shield members 25 to 28 for shielding the periphery of the wafer holder 16. . In addition, the shield member is the target holder 17.
There are other shields for shielding the inner wall of the side chamber, but they are not shown. As a material of each of the above-mentioned shield members, for example, an Al alloy is used.
【００１２】上記のような反応性スパッタリング装置に
おいては、ウェハホルダ１６にウェハを装着し、図示し
ないクライオポンプでチャンバ内を真空引きし、例えば
Ａｒ等の不活性ガスおよび例えばＮ2 ，Ｏ2 等の活性ガ
スをチャンバ１２〜１４内に導入するとともに例えばＴ
ｉ等の金属からなるターゲットＴとウエハ間に高電圧を
印加してターゲットをスパッタすると、ウェハに例えば
ＴｉＮ，ＴｉＯＮ等の金属化合物からなるスパッタ膜が
形成される。これと同時に、上記したシールド部材には
同じく金属化合物からなるスパッタ膜が形成され、チャ
ンバ内でスパッタが繰替えされるごとに、シールド部材
には金属化合物からなるスパッタ膜が堆積していく。こ
の堆積した金属化合物は、膜厚が厚くなるとシールド部
材から剥離する可能性があり、剥離した金属化合物がパ
ーティクルとなるおそれがある。本発明は、このシール
ド部材に堆積していく化合物からなるスパッタ膜がシー
ルド部材から剥離し、パーティクルとなるの低減させる
ことを目的としている。In the reactive sputtering apparatus as described above, a wafer is mounted on the wafer holder 16 and the inside of the chamber is evacuated by a cryopump (not shown), and an inert gas such as Ar and an inert gas such as N 2 and O 2 are used. An active gas is introduced into the chambers 12 to 14 and, for example, T
When a high voltage is applied between the target T made of a metal such as i and the wafer to sputter the target, a sputtered film made of a metal compound such as TiN or TiON is formed on the wafer. At the same time, a sputtered film made of a metal compound is formed on the shield member, and a sputtered film made of the metal compound is deposited on the shield member every time sputtering is repeated in the chamber. If the deposited metal compound becomes thicker, the deposited metal compound may be separated from the shield member, and the separated metal compound may become particles. It is an object of the present invention to reduce a sputtered film formed of a compound deposited on the shield member from being peeled off from the shield member and becoming a particle.
【００１３】本実施形態に係るスパッタ膜の形成方法
は、図１に示すように、金属化合物が未蒸着状態のシー
ルド部材２にターゲット物質のみからなるスパッタ膜４
を形成した後、ウェハをウェハホルダ１６に装着し、ウ
ェハに反応性スパッタリングを行って化合物からなるス
パッタ膜６を形成する。As shown in FIG. 1, a method for forming a sputtered film according to the present embodiment is as follows.
Is formed, the wafer is mounted on the wafer holder 16, and the wafer is subjected to reactive sputtering to form a sputtered film 6 made of a compound.
【００１４】すなわち、シールド部材２は、化合物が堆
積した各シールド部材２をたとえばターゲットＴの交換
時等に交換した際においては、化合物が未だ蒸着されて
いない状態にある。この状態で、ウェハホルダ１６にウ
ェハを装着せずに、上記のチャンバ１２〜１４を真空状
態にし、チャンバ１２〜１４内にＡｒ等の不活性ガスの
みを導入し、ウェハホルダ１６とターゲットＴ間に電圧
を印加してターゲットＴをスパッタする。これにより、
各シールド部材２には、ターゲットＴを構成する物質の
みからなるスパッタ膜４が形成されるが、例えば、ター
ゲットＴにＴｉを使用しているとすると、Ｔｉのみから
なるスパッタ膜４が形成される。That is, when the shield member 2 on which the compound has been deposited is replaced, for example, when the target T is replaced, the compound has not been deposited yet. In this state, the chambers 12 to 14 are evacuated without mounting a wafer on the wafer holder 16, only an inert gas such as Ar is introduced into the chambers 12 to 14, and a voltage is applied between the wafer holder 16 and the target T. Is applied to sputter the target T. This allows
On each shield member 2, a sputtered film 4 made of only the material constituting the target T is formed. For example, if Ti is used for the target T, the sputtered film 4 made of only Ti is formed. .
【００１５】次いで、各シールド部材２にターゲットＴ
を構成する物質のみからなるスパッタ膜４が形成された
状態で、ウェハホルダ１６にウェハを装着しチャンバ１
２〜１４内にＡｒ等の不活性ガスに加えて例えばＮ2 ，
Ｏ2 等の活性ガスを導入し、ウェハホルダ１６とターゲ
ットＴ間に電圧を印加してターゲットＴをスパッタす
る。これにより、例えば、上記のようにターゲットＴに
Ｔｉを活性ガスにＮ2 を用いると、ウェハには化合物Ｔ
ｉＮのスパッタ膜が形成され、シールド部材２にはＴｉ
のみからなるスパッタ膜４を介してＴｉＮからなるスパ
ッタ膜６が形成される。Next, a target T is attached to each shield member 2.
In the state where the sputtered film 4 consisting only of the material constituting
In addition to the inert gas such as Ar, N 2 ,
An active gas such as O 2 is introduced, and a voltage is applied between the wafer holder 16 and the target T to sputter the target T. Thus, for example, as described above, when Ti is used for the target T and N 2 is used for the active gas, the compound T
An iN sputtered film is formed, and Ti
A sputtered film 6 made of TiN is formed via a sputtered film 4 made only of TiN.
【００１６】例えば、Ａｌ合金からなる各シールド部材
２と化合物ＴｉＮとは異なる物質であるため相互の密着
性が悪い。このため、化合物ＴｉＮのみが各シールド部
材２に堆積していった場合には、比較的化合物ＴｉＮか
らなるスパッタ膜が各シールド部材２から剥離しやす
い。For example, since each shield member 2 made of an Al alloy is different from the compound TiN, the mutual adhesion is poor. Therefore, when only the compound TiN is deposited on each shield member 2, the sputtered film made of the compound TiN is relatively easily peeled off from each shield member 2.
【００１７】一方、Ｔｉからなるスパッタ膜４と化合物
ＴｉＮからなるスパッタ膜６とは、比較的密着性が良
い。このため、各シールド部材２と化合物ＴｉＮからな
るスパッタ膜６との間にＴｉからなるスパッタ膜４が介
在することにより、Ｔｉからなるスパッタ膜４および化
合物ＴｉＮからなるスパッタ膜６は、Ａｌ合金からなる
各シールド部材２から比較的剥離しにくくなる。On the other hand, the sputtered film 4 made of Ti and the sputtered film 6 made of the compound TiN have relatively good adhesion. Therefore, since the sputtered film 4 made of Ti is interposed between each shield member 2 and the sputtered film 6 made of the compound TiN, the sputtered film 4 made of Ti and the sputtered film 6 made of the compound TiN are made of an Al alloy. From each of the shield members 2.
【００１８】したがって、Ｔｉからなるスパッタ膜４お
よび化合物ＴｉＮからなるスパッタ膜６を発生源とする
パーティクルの発生が低減される。この結果、半導体製
品の歩留りを向上させることができ、同時に、各シール
ド部材２の交換頻度を抑制することが可能になる。Therefore, the generation of particles originating from the sputtered film 4 made of Ti and the sputtered film 6 made of the compound TiN is reduced. As a result, the yield of semiconductor products can be improved, and at the same time, the frequency of replacement of each shield member 2 can be suppressed.
【００１９】また、本実施形態においては、シールド部
材２にターゲット物質のみからなるスパッタ膜４を形成
する際およびシールド部材２に化合物からなるスパッタ
膜６を形成する際に、予めシールド部材２を図示しない
加熱ヒータによって所定の温度、例えば２００〜３００
℃に加熱しておくことができる。通常、スパッタを行う
ことによりシールド部材２は加熱されるが、スパッタを
開始した時点では、常温である。In this embodiment, when forming the sputtered film 4 made of only the target material on the shield member 2 and forming the sputtered film 6 made of the compound on the shield member 2, the shield member 2 is illustrated in advance. A predetermined temperature, for example, 200 to 300
Can be heated to ° C. Normally, the shield member 2 is heated by performing sputtering, but is at room temperature when the sputtering is started.
【００２０】例えば、シールド部材２がＡｌ合金である
場合には、Ｔｉからなるスパッタ膜４および化合物Ｔｉ
Ｎからなるスパッタ膜６とＡｌ合金とでは熱膨張係数が
異なる。したがって、序々にＡｌ合金が加熱されて熱膨
張を起こすとＴｉからなるスパッタ膜４および化合物Ｔ
ｉＮからなるスパッタ膜６とＡｌ合金からなるシールド
部材２との間に応力が発生し、スパッタ膜４およびスパ
ッタ膜６が剥離しやすくなる。For example, when the shield member 2 is made of an Al alloy, the sputtering film 4 made of Ti and the compound Ti
The thermal expansion coefficient differs between the sputtered film 6 made of N and the Al alloy. Accordingly, when the Al alloy is gradually heated to cause thermal expansion, the sputtered film 4 made of Ti and the compound T
Stress is generated between the sputtered film 6 made of iN and the shield member 2 made of an Al alloy, and the sputtered film 4 and the sputtered film 6 are easily peeled.
【００２１】上記のように、シールド部材２を予め加熱
しておくことによって、Ａｌ合金を安定した状態にして
おき、スパッタの最中に序々にＡｌ合金が加熱されて熱
膨張を起こすのを防ぐ。これにより、スパッタ膜４およ
びスパッタ膜６とシールド部材２との密着性およびスパ
ッタ膜４とスパッタ膜６との密着性が高まり、スパッタ
膜４およびスパッタ膜６がさらに剥離しにくくなる。As described above, by pre-heating the shield member 2, the Al alloy is kept in a stable state, and it is prevented that the Al alloy is gradually heated during the sputtering to cause thermal expansion. . Thereby, the adhesion between the sputtered film 4 and the sputtered film 6 and the shield member 2 and the adhesion between the sputtered film 4 and the sputtered film 6 are increased, and the sputtered film 4 and the sputtered film 6 are more difficult to peel off.
【００２２】次に、本発明に係るスパッタ膜の形成方法
の他の実施形態を説明する。本発明に係るスパッタ膜の
形成方法の他の実施形態は、図２に示すように、シール
ド部材２にターゲットＴの物質のみからなるスパッタ膜
４と化合物からなるスパッタ膜６が交互に堆積されるよ
うにする。Next, another embodiment of the method for forming a sputtered film according to the present invention will be described. In another embodiment of the method of forming a sputtered film according to the present invention, as shown in FIG. 2, a sputtered film 4 made of only the target T material and a sputtered film 6 made of the compound are alternately deposited on the shield member 2. To do.
【００２３】すなわち、ウェハに反応性スパッタリング
を行うと各シールド部材２には化合物からなるスパッタ
膜６が形成されるが、反応性スパッタリングを行なった
後に、化合物からなるスパッタ膜が形成されたウェハを
チャンバ１２〜１４外に搬出した状態で、チャンバ１２
〜１４内にＡｒ等の不活性ガスのみを導入してターゲッ
トＴをスパッタする。これにより、化合物からなるスパ
ッタ膜６上にはターゲットＴの物質のみからなるスパッ
タ膜４が形成され、同様な動作を繰り返すことにより、
各シールド部材２上にはスパッタ膜４とスパッタ膜６と
が図２に示すように、交互に形成される。That is, when reactive sputtering is performed on a wafer, a sputtered film 6 made of a compound is formed on each shield member 2. After reactive sputtering, the wafer on which the sputtered film made of a compound is formed is removed. In the state of being carried out of the chambers 12 to 14, the chamber 12
The target T is sputtered by introducing only an inert gas such as Ar into. As a result, the sputtered film 4 made of only the substance of the target T is formed on the sputtered film 6 made of the compound, and by repeating the same operation,
On each shield member 2, sputtered films 4 and sputtered films 6 are formed alternately as shown in FIG.
【００２４】上記のように、各シールド部材２上に化合
物からなるスパッタ膜６とターゲットＴの物質のみから
なるスパッタ膜４とが交互に形成されることにより、図
１に示した実施形態と同様に、スパッタ膜４およびスパ
ッタ膜６が各シールド部材２から剥離しにくくなる。な
お、図３に示すように、反応性スパッタリングを行なう
前に、チャンバ１２〜１４内にＡｒ等の不活性ガスのみ
を導入してターゲットＴをスパッタしてターゲットＴの
物質のみからなるスパッタ膜４を形成し、その後に反応
性スパッタリングを行なう動作を繰り返して、シールド
部材２にターゲットＴの物質のみからなるスパッタ膜４
と化合物からなるスパッタ膜６を交互に堆積させてもよ
い。また、図２および図３に示すスパッタ膜４およびス
パッタ膜６を形成する際にも、上記したように各シール
ド部材２を予め所定の温度に加熱しておくことにより、
各シールド部材２からスパッタ膜４およびスパッタ膜６
がさらに剥離しにくくなる。As described above, the sputtered films 6 made of the compound and the sputtered films 4 made only of the substance of the target T are alternately formed on each shield member 2, thereby providing the same as in the embodiment shown in FIG. In addition, the sputtered film 4 and the sputtered film 6 are less likely to be separated from each shield member 2. As shown in FIG. 3, before the reactive sputtering is performed, the target T is sputtered by introducing only an inert gas such as Ar into the chambers 12 to 14 to sputter the target T to form a sputtered film 4 made of only the target T material. After that, the operation of performing reactive sputtering is repeated, so that the shield member 2 has a sputtered film 4 made of only the substance of the target T.
And a sputtered film 6 made of a compound may be alternately deposited. Also, when forming the sputtered films 4 and 6 shown in FIGS. 2 and 3, by heating each shield member 2 to a predetermined temperature as described above,
From each shield member 2, a sputtered film 4 and a sputtered film 6
Are more difficult to peel off.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るスパ
ッタ膜の形成方法によれば、シールド部材から蒸着物質
が剥離しにくくなり、当該剥離する蒸着物質が発生源で
あるパーティクルの発生が低減される。この結果、製品
の歩留りを向上させることができる。また、シールド部
材からの蒸着物質の剥離が発生しにくくなるため、シー
ルド部材の交換頻度を抑制することができる。As described above, according to the method for forming a sputtered film according to the present invention, it is difficult for the vapor deposition material to peel off from the shield member, and the generation of particles, which are the source of the vapor deposition material, is reduced. Is done. As a result, the product yield can be improved. In addition, since the deposition material is less likely to be separated from the shield member, the frequency of replacement of the shield member can be suppressed.
【図１】本発明に係るスパッタ膜の形成方法の一実施形
態を説明するための説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an embodiment of a method for forming a sputtered film according to the present invention.
【図２】本発明に係るスパッタ膜の形成方法の他の実施
形態を説明するための説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining another embodiment of the method for forming a sputtered film according to the present invention.
【図３】本発明に係るスパッタ膜の形成方法の他の実施
形態を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining another embodiment of the method for forming a sputtered film according to the present invention.
【図４】本発明が適用される反応性スパッタリング装置
の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a reactive sputtering apparatus to which the present invention is applied.
２…シールド部材、４…ターゲット材料のみからなるス
パッタ膜、６…化合物からなるスパッタ膜。2 ... Shield member, 4 ... Sputtered film made only of target material, 6 ... Sputtered film made of compound.
Claims (6)
ドされた反応性スパッタリング装置によるスパッタ対象
物へのスパッタ膜の形成方法であって、 未蒸着状態のシールド部材にターゲット物質のみからな
るスパッタ膜を形成した後、 スパッタ対象物に反応性スパッタリングを行って化合物
からなるスパッタ膜を形成するスパッタ膜の形成方法。1. A method for forming a sputtered film on an object to be sputtered by a reactive sputtering apparatus in which a chamber is shielded by a shield member, wherein a sputtered film made of only a target material is formed on an undeposited shield member. Thereafter, a method of forming a sputtered film by performing reactive sputtering on a sputter target to form a sputtered film made of a compound.
ドされた反応性スパッタリング装置によるスパッタ対象
物へのスパッタ膜の形成方法であって、 対象物に反応性スパッタリングを行って化合物からなる
スパッタ膜を形成する工程の前工程として、シールド部
材にターゲット物質のみからなるスパッタ膜を形成する
スパッタ膜の形成方法。2. A method for forming a sputtered film on an object to be sputtered by a reactive sputtering apparatus in which a chamber is shielded by a shield member, wherein the object is subjected to reactive sputtering to form a sputtered film made of a compound. A method of forming a sputtered film for forming a sputtered film made of only a target material on a shield member as a pre-process of the process.
らなるスパッタ膜を形成する際および前記対象物に反応
性スパッタリングを行って化合物からなるスパッタ膜を
形成する際に、予め前記シールド部材を所定の温度に加
熱しておく請求項１に記載のスパッタ膜の形成方法。3. When forming a sputtered film made of only a target material on the shield member and forming a sputtered film made of a compound by performing reactive sputtering on the object, the shield member is heated to a predetermined temperature in advance. 2. The method for forming a sputtered film according to claim 1, wherein the film is heated in advance.
合物からなるスパッタ膜はＴｉＮである請求項１に記載
のスパッタ膜の形成方法。4. The method according to claim 1, wherein the target material is Ti, and the sputtered film made of the compound is TiN.
合物からなるスパッタ膜はＴｉＯＮである請求項１に記
載のスパッタ膜の形成方法。5. The method according to claim 1, wherein the target material is Ti, and the sputtered film made of the compound is TiON.
項５に記載のスパッタ膜の形成方法。6. The method according to claim 5, wherein the shield member is made of an Al alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28245596A JPH10130814A (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Formation of sputtered film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28245596A JPH10130814A (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Formation of sputtered film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10130814A true JPH10130814A (en) | 1998-05-19 |
Family
ID=17652654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28245596A Pending JPH10130814A (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Formation of sputtered film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10130814A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007308746A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Ulvac Japan Ltd | Method for driving film-forming apparatus |
| JP2017172000A (en) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Hoya株式会社 | Method for starting film deposition apparatus, method for manufacturing mask blank, method for manufacturing transfer mask and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2023190660A1 (en) * | 2022-04-01 | 2023-10-05 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing laminate |
-
1996
- 1996-10-24 JP JP28245596A patent/JPH10130814A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007308746A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Ulvac Japan Ltd | Method for driving film-forming apparatus |
| JP2017172000A (en) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Hoya株式会社 | Method for starting film deposition apparatus, method for manufacturing mask blank, method for manufacturing transfer mask and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2023190660A1 (en) * | 2022-04-01 | 2023-10-05 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing laminate |
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